JP2012033660A - セラミックコンデンサ - Google Patents

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Emi Nimiya
恵美 仁宮
Takashi Komatsu
敬 小松
Katsuhiko Igarashi
克彦 五十嵐
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Tdk Corp
Tdk株式会社
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Abstract

【課題】セラミックコンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴りを抑制すること。
【解決手段】セラミックコンデンサ1は、セラミックコンデンサ素子10と、一対の外部電極20、30と、一対の接続端子40、50と、を有する。一対の外部電極20、30は、セラミックコンデンサ素子10の対向する端面をそれぞれ別個に覆う。一対の接続端子40、50は、それぞれの外部電極20、30と電気的に接続される。そして、接続端子40、50は、ヤング率の異なる材料が少なくとも2層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率は、他の層のヤング率よりも小さい。さらに、外部電極20、30は、基材層の両面に導電層を有し、両方の導電層を電気的に接続するための導電手段を有する。
【選択図】図2

Description

本発明は、回路基板に実装されるセラミックコンデンサに関する。
パーソナルコンピュータ、PDA(Personal Digital Assistants)又は携帯電話等の電子機器は、コンデンサ、インダクタ、バリスタ又はこれらを複合した複合部品が表面実装された回路基板を有する。このような構造により、前記電子機器は、高密度に電子部品を搭載して回路基板全体を小型化している。回路基板に搭載されるコンデンサとしては、例えば、セラミックコンデンサがある。
セラミックコンデンサは、誘電体と内部電極とが交互に積層されている。誘電体を形成するセラミック材料には、誘電率が高いチタン酸バリウム等の強誘電体材料が用いられている。セラミックコンデンサに交流電圧を印加すると、誘電体を形成するセラミック材料は電歪現象を発生し、機械的な歪みを生じる。このため、交流電圧が印加されたセラミックコンデンサは振動する。この振動は、セラミックコンデンサが表面実装された回路基板にも伝達し、これを振動させる。その結果、セラミックコンデンサが表面実装された回路基板は、振動音を発生する(音鳴り)。このような、セラミックコンデンサの電歪現象に起因した回路基板の振動音、すなわち音鳴りを低減するため、コンデンサ素子の外部電極の側面に一対の金属端子を当接し、コンデンサ素子の下側に引き出して、回路基板へ接合する電子部品が提案されている(例えば、特許文献1)。
特開2000−223357号公報
特許文献1に記載された電子部品は、セラミックコンデンサと回路基板との間に空隙を設け、セラミックコンデンサで発生した振動が基板に伝播するのを抑制している。このように、特許文献1に記載された電子部品は、音鳴りを抑制できるが、近年においては、さらなる音鳴りの抑制が求められている。本発明は、セラミックコンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴りを抑制することを目的とする。
本発明者らは、上記課題について鋭意研究を重ねた結果、セラミックコンデンサの外部電極の両端面を接続端子で挟持し、この外部電極を介して回路基板にセラミックコンデンサを実装する場合、外部電極のばね定数を小さくすることが有効であることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るセラミックコンデンサは、誘電体と内部電極とが交互に積層された誘電体素体及び前記誘電体素体の対向する端面をそれぞれ別個に覆う一対の外部電極を有するセラミックコンデンサ素子と、樹脂の基材層の両面に導電層を有し、いずれか一方の前記導電層が、前記外部電極の端面に電気的に接続される一対の外部電極と、両方の前記導電層を電気的に接続するための導電手段と、を含むことを特徴とする。
このような構造により、本発明に係るセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサの外部電極に接続される接続端子の導電層を金属材料とし、この導電層を樹脂の基材層の両面に設ける。その結果、接続端子全体のヤング率は、導電層のヤング率よりも小さくなり、また、接続端子をすべて金属材料で構成した場合よりも小さくすることができる。その結果、ばね定数が小さく、かつ導電性を有する接続端子でセラミックコンデンサを回路基板に実装できるので、電歪現象に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。また、このコンデンサは、両方の導電層を電気的に接続するための導電手段を有するので、回路基板のランドと接続端子と外部電極とを確実に電気的に接続することができる。
本発明の望ましい態様としては、前記一対の接続端子は、それぞれの前記外部電極から離れた位置で、前記外部電極と接続される側とは反対側の端面が互いに対向するように曲げられることが好ましい。このような構造とすることで、接続端子の回路基板と接続される部分がセラミックコンデンサ素子の長手方向外側に張り出すことを抑制できる。その結果、本態様は、回路基板へのセラミックコンデンサの実装密度を向上させることができる。
本発明の望ましい態様としては、前記導電手段は、両方の前記導電層と前記樹脂層とを貫通する貫通孔を含むことが好ましい。このような構造により、接続端子を外部電極にはんだ付けする場合、又は接続端子をランドにはんだ付けする場合に、はんだは貫通孔を通過して両方の導電層を電気的に接続する。その結果、このコンデンサは、回路基板のランドと接続端子と外部電極とを確実に電気的に接続することができる。
本発明の望ましい態様としては、前記基材層の厚みは10μm以上50μm以下であることが好ましい。基材層の厚みがこのような範囲であれば、はんだが接続端子の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔を確実に通過できる。その結果、接続端子は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層との間に導電経路を確実に形成できる。
本発明の望ましい態様としては、前記貫通孔の直径は5μm以上30μm以下であることが好ましい。貫通孔の直径がこのような範囲であれば、はんだが接続端子の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔を確実に通過できる。その結果、接続端子は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層との間に導電経路を確実に形成できる。
本発明の望ましい態様としては、前記貫通孔の内面は、導電材料で被覆されていることが好ましい。このようにすれば、はんだが貫通孔をより確実に通過できるので、両方の導電層との間に導電経路を確実に形成できる。
本発明は、セラミックコンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴りを抑制することができる。
図1は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す斜視図である。 図2は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す側面図である。 図3は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の斜視図である。 図4は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の断面図である。 図5は、接続端子の寸法を示す説明図である。 図6は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。 図7は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。 図8は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。 図9は、接続端子が有する基材層の厚みを示す断面図である。 図10は、接続端子が有する貫通孔の形状を示す平面図である。 図11は、接続端子が有する貫通孔の変形例を示す平面図である。 図12は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
図1は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す斜視図である。図2は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す側面図である。セラミックコンデンサ1は、セラミックコンデンサ素子(以下、必要に応じてコンデンサ素子という)10と、一対の外部電極(端子電極)20、30と、一対の接続端子40、50と、を含む。このように、セラミックコンデンサ1は、コンデンサ素子10の外部電極20、30に、接続端子40、50を取り付けた構造の電子部品である。コンデンサ素子10は、積層型のセラミックコンデンサであり、その形状は、略四角柱形状である。コンデンサ素子10の構造については後述する。
それぞれの外部電極20、30は、略四角柱形状のコンデンサ素子10の対向する端面をそれぞれ別個に覆っている。外部電極20、30は、導電性の材料であり、後述するように、コンデンサ素子10の内部電極と電気的に接続されている。外部電極20、30は、例えば、パラジウム(Pd)又は銀/パラジウム合金(Ag/Pd)に、ニッケル(Ni)及びスズ(Sn)をこの順で積層した構造である。なお、外部電極20、30は、複数の金属電極層で構成されていてもよく、例えば、外部電極20、30は、Cuを主成分とした下地電極に、Niめっき層、Snめっき層を形成するようにしてもよい。本実施形態において、外部電極20、30は、誘電体素体11の端面と、当該端面と接続している側面のうち前記端面側の部分との両方を覆う。このように、外部電極20、30は、コンデンサ素子10の両方の端部(端面及び当該端面と接続する側面の前記端面側の部分)を覆う。このため、外部電極20、30は、端面21、31と、側面22、32とを有する。
一対の接続端子40、50とそれぞれの外部電極20、30の端面21、31とは、それぞれ電気的に接続される。このため、本実施形態において、外部電極20、30は、少なくとも誘電体素体11の両方の端面を覆っていればよく、必ずしも誘電体素体11の側面まで覆う必要はない。一対の接続端子40、50は、ヤング率の異なる材料が少なくとも2層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率は、他の層のヤング率よりも小さい。
本実施形態において、一対の接続端子40、50は、樹脂の基材層の両面に導電層を有し、いずれか一方の前記導電層が、外部電極20、30の端面21、31に電気的に接続される。そして、それぞれの接続端子40、50は、両方の前記導電層を電気的に接続するための導電手段として、貫通孔(スルーホール)40H、50Hを有する。
図2に示すように、それぞれの接続端子40、50は、外部電極20、30と電気的に接続される脚部40A、50Aと、回路基板60のランド(基板電極)61と電気的に接続される基板取付部40B、50Bとを有する。以下において、接続端子40に対応する脚部と基板取付部とはそれぞれ符号40A、40Bで表すものとし、接続端子50に対応する脚部と基板取付部とはそれぞれ符号50A、50Bで表すものとする。
脚部40A、50Aと基板取付部40B、50Bとは、それぞれ板状の構造体であり、両者の板面は互いに直交している。このため、接続端子40、50は、脚部40A、50A及び基板取付部40B、50Bと直交する平面で切った場合の断面が、L字形状をしている。本実施形態において、接続端子40、50は、脚部40A、50Aと基板取付部40B、50Bとを連続した一つの構造体として一体に構成したものである。
本実施形態において、一対の接続端子40、50は、それぞれの外部電極20、30から離れた位置で、外部電極20、30と接続される側とは反対側にある端面40t、50tが、互いに対向するように曲げられる。端面40t、50tは、基板取付部40B、50Bの端面であり、接続端子40、50の基板取付部40B、50Bが端面40t、50tが対向するように曲げられる。このような構造とすることで、脚部40A、50Aとつながっている基板取付部40B、50Bがコンデンサ素子10の長手方向外側に張り出すことを抑制できるので、その分、回路基板60に対するセラミックコンデンサ1の実装密度を向上させることができる。
脚部40A、50Aは、コンデンサ素子10の外部電極20、30の端面21、31と電気的に接続される。本実施形態において、脚部40A、50Aの基板取付部40B、50Bが突出している側とは反対側の面が、外部電極20、30の端面21、31と電気的に接続される。外部電極20、30の端面21、31と電気的に接続される脚部40A、50Aの面は、電極接続面44、54である。本実施形態において、脚部40A、50Aの電極接続面44、54と、外部電極20、30の端面21、31とは、それぞれ、はんだ2、3で接続される。
脚部40A、50Aの電極接続面44、54を外部電極20、30の端面21、31にはんだ2、3で接続する際には、融解したはんだが2、3が、貫通孔40H、50H内を通過する。そして、はんだ2、3が固化すると、接続端子40、50の両面に設けられる導電層同士は、貫通孔40H、50H内に保持されたはんだ2、3によって電気的に接続される。このように、貫通孔40H、50Hは、貫通孔40H、50H内に導体であるはんだ2、3を通過させた後、保持することにより、接続端子40、50の両面に設けられる両方の導電層を電気的に接続する。すなわち、貫通孔40H、50Hは、前記両方の導電層を電気的に接続するための導電手段として機能する。
接続端子40、50の基板取付部40B、50Bは、回路基板60のランド61と電気的に接続される基板接続面43、53を有する。本実施形態において、基板接続面43、53は、脚部40A、50Aの電極接続面44、54と連続する面である。基板取付部40B、50Bの基板接続面43、53は、例えば、はんだによって回路基板60のランド61と電気的に接続される。
上述したように、接続端子40、50の基板取付部40B、50Bが端面40t、50tが対向するように曲げられる。脚部40A、50Aの電極接続面44、54と、基板接続面43、53とは、それぞれ接続端子40、50の異なる面である。このため、電極接続面44、54側の導電層と、基板接続面43、53側の導電層とは、それぞれ接続端子40、50の異なる面に設けられる。その結果、電極接続面44、54側の導電層と、基板接続面43、53側の導電層とを電気的に接続しないと、接続端子40、50は、コンデンサ素子10の外部電極20、30と、回路基板60のランド61とを電気的に接続することはできない。
本実施形態では、貫通孔40H、50Hと、貫通孔40H、50H内のはんだ2、3とを導電手段として用いる。そして、前記導電手段は、接続端子40、50の両面に設けられる両方の導電層を電気的に接続する。このような構造により、電極接続面44、54側の導電層と、基板接続面43、53側の導電層とが電気的に接続されるので、接続端子40、50は、コンデンサ素子10の外部電極20、30と、回路基板60のランド61とを電気的に接続することができる。
本実施形態において、脚部40A、50Aの電極接続面44、54と、外部電極20、30の端面21、31とを接続するはんだ2、3が融解する温度は、基板取付部40B、50Bの基板接続面43、53とランド61とを接続するはんだが融解する温度よりも高いことが好ましい。セラミックコンデンサ1は、ランド61にはんだペーストが塗布された回路基板60に実装された後、リフロー炉内で加熱されることによりはんだペーストが融解し、基板取付部40B、50Bとランド61とが電気的に接続される。はんだ2、3が融解する温度を上述したように設定すれば、前記加熱においてはんだ2、3は融解しないので、接続端子40、50とコンデンサ素子10との接続不良を回避しつつ、セラミックコンデンサ1を確実に回路基板60へ実装できる。次に、セラミックコンデンサ1が有するコンデンサ素子10について説明する。
図3は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の斜視図である。コンデンサ素子10の長手方向、すなわち、一対の外部電極20、30の端面21、31と直交する方向をY軸とし、Y軸に直交する軸をそれぞれX軸、Z軸とする。コンデンサ素子10に設けられる外部電極20、30の端面21、31は、略正方形形状である。コンデンサ素子10は、外部電極20、30の端面21、31を底面とし、これらにつながる4個の側面(素子側面)12を有する略四角柱形状、すなわち略直方体の電子部品である。
外部電極20、30が有する端面21、31の辺の長さは、X軸方向がLa、Z軸方向がLbである。本実施形態において、端面21、31は略正方形形状なので、La=Lbである。コンデンサ素子10のY軸方向の長さ、すなわち、コンデンサ素子10の長手方向の長さはLcである。Lcは、一対の端面21、31間の最短距離である。
コンデンサ素子10は、上述したように略直方体形状であるので、平面視(Z軸又はX軸方向から見た状態)は矩形の形状(素子側面12の形状が矩形)である。コンデンサ素子10は、平面視において、長手方向(Y軸方向)及び短手方向(X軸又はZ軸方向)がある。本実施形態のセラミックコンデンサ1は、コンデンサ素子10の寸法は問わないが、特に、コンデンサ素子10の寸法が1608M(C5101−21:2006(IEC60384−21:2004)に規定される寸法記号)以上のものに好適である。なお、前記寸法記号において、1608Mとは、Lcが1.6mm±0.1mm、LaとLbとのうち大きい方が0.8mm±0.1mmである。次に、コンデンサ素子10の内部構造について、簡単に説明する。
図4は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の断面図である。同図は、コンデンサ素子10を、外部電極20、30の端面21、31及び内部電極17、18と直交する平面で切った断面を示している。コンデンサ素子10は、誘電体素体11と、外部電極20、30とを有する。誘電体素体11は、内部電極17、18と誘電材料の誘電体11aとを含む。内部電極17、18は、例えば、パラジウム、銀/パラジウム合金、ニッケル、銅(Cu)等である。誘電体11aは、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO)等である。本実施形態において、誘電体素体11は、誘電体11aと内部電極17、18とが交互に積層される。誘電体素体11は、セラミックグリーンシート(未焼成セラミックシート)を複数枚積層した積層体を加熱圧着して一体化して、切断し、脱脂し、焼成することにより得られた直方体状の焼結体である。そして、誘電体素体11は、内部電極17に外部電極20が電気的に接続され、かつ内部電極18に外部電極30が電気的に接続されてコンデンサ素子10となる。コンデンサ素子10が有する誘電体素体11は、内部電極と絶縁体とを有していれば、本実施形態の構造に限定されるものではない。
誘電体素体11の端面(外部電極形成面)13、14には、それぞれ内部電極17、18が露出している。上述したように、一対の外部電極20、30は、それぞれ外部電極形成面13、14を別々に覆うとともに、複数の内部電極17、18の電気的に接続される。本実施形態において、外部電極20、30は、端面21、31と側面22、32とを有する。外部電極20、30の側面22、32は、端面21、31とつながり、かつ素子側面12の外部電極形成面13、14に延出する。
セラミックコンデンサ1が有するコンデンサ素子10は、図4に示す誘電体11aに誘電材料が用いられる。コンデンサ素子10が、外部電極20をランドに直接接続することにより回路基板に実装した場合、外部電極20、30から交流電圧が印加されると、誘電体11aに電歪現象が発生し、コンデンサ素子10が変形する。すなわち、強誘電性を有するセラミックの誘電体11aの電歪現象効果により、コンデンサ素子10の積層方向に伸縮が生じる。そして、誘電体の一般的なポアソン比(=0.3)にしたがって、積層方向と直交する方向、すなわち、回路基板60の基板面に平行な方向にも伸縮が生じる。コンデンサ素子10は、積層方向に伸びると積層方向と直交する方向には縮み、積層方向に縮むと積層方向と直交する方向には伸びる。交流電圧がコンデンサ素子10に印加されることにより、コンデンサ素子10は、積層方向への伸縮と、積層方向と直交する方向への伸縮(積層方向への伸縮と位相が90度ずれる)とが繰り返される。その結果、コンデンサ素子10が実装された回路基板は、基板面と略直交する方向へ振動する。コンデンサ素子10の振動の振幅は微少(1pmから1nm程度)であり、そのままでは音としてほとんど人間には認識されない。しかし、コンデンサ素子10が回路基板に実装されると、回路基板が音響インピーダンス変換器として働く。そして、振動の周波数が人間の可聴周波数帯域(20Hzから20kHz)になったときに、音として人間の耳に検知される。このように、セラミックコンデンサは、回路基板に実装されると、誘電材料の電歪現象に起因する音鳴りが発生することがある。
セラミックコンデンサ1は、コンデンサ素子10の両方の外部電極20、30の端面21、31を接続端子40、50で挟持する。そして、セラミックコンデンサ1は、接続端子40、50を介して回路基板60に実装される。このような構造により、接続端子40、50がコンデンサ素子10の振動を吸収するので、コンデンサ素子10から回路基板60へ伝達される振動が抑制される。その結果、セラミックコンデンサ1が実装された回路基板60は、コンデンサ素子10の電歪現象に起因する音鳴りが抑制される。
図5は、接続端子の寸法を示す説明図である。接続端子40、50の厚さをt、幅をb、回路基板60の基板面62から脚部40A、50Aとコンデンサ素子10の外部電極20、30とを接続するはんだ2、3の基板面62側までの距離(接続端子取付長さ)をLとする。このとき、接続端子40、50のばね定数Kは、式(1)で表すことができる。式(1)中のEは、接続端子40、50のヤング率である。
接続端子40、50のばね定数Kが小さい程、コンデンサ素子10の電歪現象に起因する音鳴りを抑制する効果が高くなることが見出された。これは、接続端子40、50のばね定数Kが小さい程、コンデンサ素子10からの振動を接続端子40、50が吸収しやすくなるからであると考えられる。接続端子40、50は、コンデンサ素子10の外部電極20、30と回路基板60のランド61とを電気的に接続するものであるため、導電性が必要である。導電性を有する材料としては金属材料があるが、金属材料は一般にヤング率が高い。このため、金属材料のみで接続端子40、50を製造すると、接続端子40、50のばね定数Kを小さくすることには限界がある。また、ヤング率の低い材料は樹脂材料があるが、一般に樹脂材料は導電性が極めて低い物がほとんどである。このため、接続端子40、50が導電性を有し、かつばね定数Kを小さくすることは、単一の材料では困難である。
本実施形態では、セラミックコンデンサ1の有する接続端子40、50を、ヤング率の異なる材料を少なくとも2以上積層させるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率を、他の層のヤング率よりも小さくする。より具体的には、接続端子40、50は、樹脂製の板状部材である基材層の両面に、金属の導電層を有する。一般に、樹脂のヤング率は、金属のヤング率よりも小さいため、接続端子40、50は、基材層のヤング率が導電層のヤング率よりも小さくなる。
このような構造の接続端子40、50を有するセラミックコンデンサ1は、導電性を有し、かつばね定数Kの低い接続端子40、50を備えることができ、電歪現象に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。なお、基材層に樹脂材料を用いて、接着剤により基材層に導電層を設ける構造を採用する場合、接着剤の層は基材層に含めてもよい。次に、樹脂の基材層の両面に金属の導電層を有する接続端子40、50の具体的な構造を説明する。
図6から図8は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。これらの図は、接続端子40、50の電極接続面44、54及び基板接続面43、53と直交する平面で接続端子40、50を切った場合の断面を示している。図6に示す接続端子40、50は、基材層41、51を有し、基材層41、51の両方の表面41s、51sに、接着剤の層(接着層)45、55を介して導電層46、56を設けてある。すなわち、接着層45、55が導電層46、56と基材層41、51とを接合している。
このような構造により、例えば、樹脂の基材層41、51に接着剤で金属箔を貼り付けて導電層46、56とすることができるので、基材層41、51に樹脂材料を用いた場合でも、簡単に導電層46、56を基材層41、51の表面41s、51sに設けることができる。また、接着剤を用いれば、無電解めっきやスパッタリング等のような、比較的大掛かりな設備が不要になるので、簡単な設備で導電層46、56を基材層41、51の表面41s、51sに設けることができる。なお、導電層46、56を基材層41、51の表面41s、51sに設ける手法は上述したものに限定されるものではない。例えば、スパッタリングや無電解めっき等を用いて導電層46、56を基材層41、51の表面41s、51sに設けてもよい。
貫通孔40H、50Hは、電極接続面44、54の位置に設けられて、一方の導電層46、56から他方の導電層46、56まで貫通している。すなわち、貫通孔40H、50Hは、両方の導電層46、56、両方の接着層45、55及び基材層41、51を貫通している。接続端子40、50は、基板接続面43、53が張り出している側における導電層46、56の表面が電極接続面44、54となる。基板接続面43、53は、基材層41、51に対して電極接続面44、54の反対側に設けられる導電層46、56の表面の一部である。接続端子40、50は、貫通孔40H、50Hが基材層41、51の両方の導電層46、56同士を貫通している。このため、セラミックコンデンサ1の外部電極20、30が電極接続面44、54にはんだ付けされる際に、融解したはんだは貫通孔40H、50H内を通過する。そして、固化したはんだは、基材層41、51の両方の導電層46、56同士を電気的に接続する。このような構造により、セラミックコンデンサ1の外部電極20、30と、接続端子40、50の電極接続面44、54と、基板接続面43、53とが電気的に接続される。
基材層41、51は、接続端子40、50の強度を担い、コンデンサ素子10を回路基板60の表面に支持するための構造部材である。基材層41、51は、接続端子40、50が有する複数の層の中で最も厚みが大きい。このような構造により、基材層41、51のヤング率を前記複数の層の中で最も小さくしても、基材層41、51は構造部材としての機能を発揮して、コンデンサ素子10を回路基板60の表面に支持することができる。基材層41、51の材料である樹脂は、一般的に金属と比較して振動を減衰させる能力は高い。このため、樹脂を基材層41、51として用いた接続端子40、50は、コンデンサ素子10の振動を回路基板60に伝えにくくするという作用が得られる。その結果、セラミックコンデンサ1は、電歪現象に起因する音鳴りをより効果的に抑制することができる。
基材層41、51は、樹脂であり、例えば、ポリイミド樹脂(ヤング率は2.5×10Pa程度)、エポキシ樹脂(ヤング率は3.0×10Pa〜4.0×10Pa程度)、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂(ヤング率は5.0×10Pa程度)等を用いることができる。この中では、特に、ポリイミドは耐熱性が高いので、接続端子40、50がコンデンサ素子10の外部電極20、30にはんだ付けされる際や、セラミックコンデンサ1が回路基板60に実装される際のリフロー時における加熱に対しても十分に耐えられる。また、ポリイミドは、強度も比較的高いので、構造部材としての機能を十分に発揮して、コンデンサ素子10を回路基板60へ確実に保持できるとともに、落下等の衝撃に対しても耐性が高いという利点もある。
接着層45、55は、例えば、エポキシ系の接着剤(ヤング率は3.2×10Pa〜2.0×1010Pa程度)である。導電層46、56は、例えば、銅(ヤング率は1.1×1011Pa程度)のような金属材料である。銅は電気伝導率が高いため、接続端子40、50の導電層46、56として好適である。このように、接続端子40、50は、ヤング率の異なる材料が少なくとも2層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層41、51のヤング率は、他の層、すなわち導電層46、56及び接着層45、55のヤング率よりも小さい。
複数の層が積層された場合の合成ヤング率Esは、それぞれの層のヤング率をE、厚みをtとすると、式(2)で求めることができる。なお、nは2以上の整数である。式(2)から分かるように、接続端子40、50が有する基材層41、51のヤング率を他の層、特に金属材料を用いる導電層46、56のヤング率よりも低くすることにより、全体のヤング率は、金属材料を用いる導電層46、56よりも小さくすることができる。このように、接続端子40、50は、導電層46、56に導電性の高い金属材料を用いても、基材層41、51にヤング率の低い樹脂材料を用いることで、導電性を有し、かつばね定数Kが低くなる。
図7に示す接続端子40a、50aは、基板接続面43、53の位置に貫通孔40Ha、50Haを有する点で、電極接続面44、54の位置に貫通孔40H、50Hを有する接続端子40、50(図6参照)とは異なる。接続端子40a、50aの他の構造は、図6の接続端子40、50と同様である。貫通孔40Ha、50Haは、基板接続面43、53の位置で、一方の導電層46、56から他方の導電層46、56まで貫通している。すなわち、貫通孔40Ha、50Haは、両方の導電層46、56、両方の接着層45、55及び基材層41a、51aを貫通している。
接続端子40a、50aは、貫通孔40Ha、50Haが基板接続面43、53の位置で、基材層41a、51aの両方の導電層46、56同士を貫通している。このため、接続端子40a、50aを回路基板60のランド61にはんだ付けする際に、融解したはんだが貫通孔40Ha、50Ha内を通過する。そして、固化したはんだは、基材層41、51の両方の導電層46、56同士を電気的に接続する。このような構造により、セラミックコンデンサ1の外部電極20、30と、接続端子40a、50aの電極接続面44、54と、基板接続面43、53とが電気的に接続される。この例においては、貫通孔40Ha、50Ha内に融解したはんだが通過した後、固化したはんだが貫通孔40Ha、50Ha内に保持されるので、固化したはんだによって両方の導電層46、56が電気的に接続される。すなわち、接続端子40a、50aが回路基板60のランド61にはんだ付けされて、両方の導電層46、56が電気的に接続される。この例において、貫通孔40Ha、50Haは、両方の導電層46、56を電気的に接続する導電手段として機能する。
図8に示す接続端子40b、50bは、図6又は図7に示す接続端子40、50又は接続端子40a、50aの導電層46、56の表面に、第1金属被覆層47、57を設け、さらに第1金属被覆層47、57の表面に第2金属被覆層48、58を設けたものである。他の点は、図6等に示す接続端子40、50等と同様である。接続端子40b、50bは、上述したように、はんだによってコンデンサ素子10の外部電極20、30と電気的に接続され、かつ、はんだによって回路基板60のランド61と接続される。このため、接続端子40b、50bの導電層46、56のはんだ付け性を改善するために、接続端子40b、50bは、はんだとなじみやすい金属(例えば、スズ)の第2金属被覆層48、58を、接続端子40b、50bの最も外側に有する。
本実施形態において、第2金属被覆層48、58は、スズ(ヤング率は4.0×1010Pa程度)である。銅の導電層46、56の表面には、ニッケル(ヤング率は2.0×1011Pa程度)の第1金属被覆層47、57が設けられる。第1金属被覆層47、57及び第2金属被覆層48、58は、それぞれ電解めっきやスパッタリング等のよって形成される。第1金属被覆層47、57の存在により、スズの第2金属被覆層48、58を導電層46、56の表面に設けることができる。第2金属被覆層48、58の表面が、コンデンサ素子10の外部電極20、30と電気的に接続される電極接続面44、54となり、また、回路基板60のランド61と電気的に接続される基板接続面43、53となる。
貫通孔40Hb、50Hbは、両方の接着層45、55、導電層46、56、第1金属被覆層47、57及び2金属被覆層48、58を貫通している。貫通孔40Hb、50Hbは、図6に示す接続端子40、50のように電極接続面44、54の位置に設けられていてもよいし、図7に示す接続端子40a、50aのように基板接続面43、53の位置に設けられていてもよい。接続端子40b、50bをコンデンサ素子10に接続する際、又は接続端子40b、50bを回路基板60のランド61に接続する際に、融解したはんだは貫通孔40Hb、50Hb内を通過する。そして、固化したはんだは、基材層41、51の両方の導電層46、56と、第1金属被覆層47、57と、2金属被覆層48、58とをそれぞれ電気的に接続する。
図9は、接続端子が有する基材層の厚みを示す断面図である。図10は、接続端子が有する貫通孔の形状を示す平面図である。接続端子40、50が有する樹脂製の板状部材、すなわち基材層41、51の厚み(基材層厚み)tは10μm以上50μm以下であることが好ましい。基材層厚みtが10μmを下回るとはんだが貫通孔40H、50Hからはみ出して接続端子40、50の表面に流出する結果、接続端子40、50の振動吸収作用が抑制されてしまう。基材層厚みtが50μmを上回るとはんだが貫通孔40H、50Hを通過できなくなり、基材層41、51の両面に設けられた両方の導電層46、56を電気的に接続できなくなってしまう。基材層厚みtが上述した範囲であれば、はんだが接続端子40、50の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔40H、50Hを確実に通過できる。その結果、接続端子40、50は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層46、56との間に導電経路を確実に形成できる。
貫通孔40H、50Hの直径(貫通孔径)Dは5μm以上30μm以下であることが好ましい。貫通孔径Dが5μmを下回ると、はんだが貫通孔40H、50Hを通過できなくなり、基材層41、51の両面に設けられた両方の導電層46、56を電気的に接続できなくなってしまう。貫通孔径Dが30μmを上回るとはんだが貫通孔40H、50Hからはみ出して接続端子40、50の表面に流出する結果、接続端子40、50の振動吸収作用が抑制されてしまう。貫通孔径Dが上述した範囲であれば、はんだが接続端子40、50の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔40H、50Hを確実に通過できる。その結果、接続端子40、50は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層46、56との間に導電経路を確実に形成できる。
図11は、接続端子が有する貫通孔の変形例を示す平面図である。図11に示す貫通孔40Hc、50Hcのように、その内面は、導電材料40C、50Cで被覆されていてもよい。このようにすれば、はんだが貫通孔40Hc、50Hcをより確実に通過できる。その結果、接続端子40、50は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層46、56との間に導電経路を確実に形成できる。導電材料40C、50Cは、具体的には金属(銅、ニッケル、スズ等)であり、例えば、めっき(無電解めっき、電解めっき等)により形成される。
以上、本実施形態に係るセラミックコンデンサは、樹脂の基材層の両面に金属の導電層をそれぞれ設け、かつ、回路基板のランド又はコンデンサ素子の外部電極の位置に、両方の導電層を貫通する貫通孔を設けて一対の接続端子を構成する。そして、本実施形態に係るセラミックコンデンサは前記一対の接続端子を、コンデンサ素子の対向する外部電極の端面にそれぞれ電気的に接続する。このような構造により、基材層は導電層よりもヤング率が低くなるので、接続端子全体のヤング率は、導電層のヤング率よりも小さくすることができ、また、接続端子をすべて金属材料で構成した場合よりも小さくすることができる。その結果、外部電極は振動吸収作用を有するようになるので、電歪現象に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。また、貫通孔は、回路基板のランド又はコンデンサ素子の外部電極の位置で、両方の導電層を貫通しているので、接続端子を外部電極にはんだ付けする場合、又は接続端子をランドにはんだ付けする場合に、はんだが貫通孔を通過して両方の導電層を電気的に接続する。その結果、本実施形態に係るセラミックコンデンサは、回路基板のランドと接続端子と外部電極とが確実に電気的に接続される。
セラミックコンデンサの振動は、主に内部電極と誘電体とが積層される方向に生ずるものと考えられる。このため、誘電体と内部基板とが積層される方向が回路基板の基板面と直交するようにセラミックコンデンサが回路基板へ実装される場合に、音鳴りは大きくなると考えられる。本実施形態に係るセラミックコンデンサは、接続端子のばね定数を小さくして、電歪現象に起因する振動の回路基板への伝達を抑制できる。このため、誘電体と内部基板とが積層される方向が回路基板の基板面と直交するようにセラミックコンデンサが回路基板へ実装された場合でも、前記振動の回路基板への伝達を抑制し、音鳴りを低減させることができる。
(評価)
上述した実施形態で説明した図6に示す接続端子と、図7に示す接続端子とを、基材層の厚み及び貫通孔の直径を変化させて複数種類作製し、セラミックコンデンサの容量及び音圧を測定した。比較例として、Fe−42Ni合金を基材層とし、その表面に第1金属被覆層としてニッケルを被覆し、第1金属被覆層の表面に第2金属被覆層としてスズを被覆した接続端子を有するセラミックコンデンサを作成し、音圧を測定した。接続端子の構造及び音圧の測定結果を、表1、表2に示す。表1は図6に示す接続端子の結果を示し、表2は図7に示す接続端子の結果を示す。
(測定に供したセラミックコンデンサの作製方法)
それぞれの評価例の接続端子は、次のようにして作製された。ポリイミド樹脂の基材層に、エポキシ系の接着剤で圧延銅を貼り付けた銅箔付き樹脂シートが作製された。この銅箔付き樹脂シートを外部電極の幅(約2.5mm)の短冊に切断し、貫通孔を穿孔してから、接続端子の形状に折り曲げ、接続端子が作製された。接続端子は、基材層の厚み及び貫通孔の直径を表1、表2に示すように変化させて、複数種類作製された。そして、作製された接続端子を、セラミックコンデンサの外部電極にSn−Sb系の高温はんだで接合した。図5に示す幅bは2.5mm、接続端子取付長さLは約1mmである。また、接続端子を取り付けたコンデンサは、寸法記号3216Mで表されるものを用いた。
(測定方法)
図12は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す図である。試作したセラミックコンデンサを基板106に実装して交流電圧を印加した際に、基板106から発生する振動音の大きさ(音圧)を測定した。試験装置100は、無響箱101と、集音マイク(商品名:MI−1233、小野測器社製)102と、電源装置103と、FFTアナライザ(商品名:DS2100、小野測器社製)104とを備えている。そして、測定対象となるセラミックコンデンサ1は、基板106に設置された状態で、無響箱101内に設置される。
セラミックコンデンサ1を設置した基板106は、その両端に正負一対の電極がそれぞれ設けられる。なお、基板106はガラスエポキシ基板であり、その寸法は、厚みが1.6mm、幅が40mm、長さが100mmである。無響箱101は、箱状に形成され、その内壁に吸音材107が設けられている。吸音材107は、グラスウール等を用いており、その表面を波型等に形成することで、音波の接触面積を拡大させ、吸音効果を高めている。
電源装置103は、一対の配線108を介して、基板106の正負一対の電極にそれぞれ電気的に接続されている。基板106は、配線108に吊り下げられた状態で、セラミックコンデンサ1が無響箱101内の底面101Bに対向するように、無響箱101の中央部分に配置される。電源装置103は、セラミックコンデンサ1に対してDCバイアスを与えながら交流電圧を印加した。DCバイアスは20Vとした。交流電圧は、周波数を1kHz〜10kHzとした。また、交流電圧は、3Vp−p(peak to peak)となるように、すなわち、DCバイアスの20Vを中心として、交流電圧が±3Vの範囲で変化するように印加された。
集音マイク102は、無響箱101内の底面101Bに設けられ、無響箱101の中央部分に設置されたセラミックコンデンサ1と所定距離(本評価例では5cm)を保つようにして配置される。FFTアナライザ104は、集音マイク102により集音された振動音の大きさ(音圧)を解析した。なお、ISO226に規定される等感度曲線から、人間の耳の感度は3kHzから4kHzで最も鋭くなる。このため、本評価例においては、人間の耳の感度がもっと鋭くなる周波数(より具体的には3kHz)での音圧を測定した。
試験装置100の電源装置103が基板106に実装されたセラミックコンデンサ1に上述した交流電圧及びDCバイアスを印加すると、セラミックコンデンサ1で振動が発生し、セラミックコンデンサ1の振動が基板106に伝達される。その結果、基板106から振動音が発生する。この振動音を、集音マイク102を用いて集音し、集音した振動音を、FFTアナライザ104で解析することで、基板106から発生する振動音の大きさ(音圧)を得た。なお、セラミックコンデンサの容量は、LCZメータ(商品名:2343、NF ELECTRONIC INSTRUMENTS製)で測定した。
(評価結果)
表1及び表2に示す導電性は、セラミックコンデンサが規定の容量である場合は○、コンデンサの容量を測定できなかった場合を×とした。音圧は、Fe−42Ni合金を基材層とした場合の音圧(50dB)を基準とし、本評価においては、この音圧を下回るものは音鳴り抑制効果ありと判定した。比較例2、3は、いずれも、はんだが貫通孔を通過できなくなり、基材層の両面に設けられた両方の導電層を電気的に接続できず、コンデンサの容量を測定できなかった。比較例のうち、Fe−42Ni合金を基材層としたものは、音圧が50dBであった。比較例1は、音圧が53dBであり、比較例4は、音圧が54dBであった。比較例1、4は、いずれもはんだが貫通孔からはみ出して接続端子の表面に流出して固化していたことが観察された。比較例1、4の音圧が、Fe−42Ni合金を基材層としたものよりも大きくなったのは、接続端子の表面に流出したはんだにより、接続端子40、50の振動吸収作用が抑制されたことが原因と考えられる。
評価例1から8は、いずれも導電性は○である。また、評価例1から8は、音圧は50dBを下回っているので音鳴り抑制効果ありと判定した。このように、上述した実施形態に係る接続端子を有するセラミックコンデンサは、回路基板のランドと接続端子と外部電極とが確実に電気的に接続され、かつ音鳴り抑制効果が得られる。上述した評価の結果から、この結果から、基材層の厚みは10μm以上50μm以下であることが好ましいことが分かる。また、貫通孔の直径は5μm以上30μm以下であることが好ましいことが分かる。
以上のように、本発明に係るセラミックコンデンサは、回路基板に実装されたときにおいて音鳴りを抑制することに有用である。
1 セラミックコンデンサ
10 コンデンサ素子(セラミックコンデンサ素子)
11 誘電体素体
11a 誘電体
12 素子側面
13、14 外部電極形成面
17、18 内部電極
20、30 外部電極
21、31 端面
40H、50H、40Ha、50Ha、40Hb、50Hb、40Hc、50Hc 貫通孔
40A、50A 脚部
40B、50B 基板取付部
40C、50C 導電材料
40、50、40a、50a、40b、50b 接続端子
40t、50t 端面
41、51 基材層
41s、51s 表面
43、53 基板接続面
44、54 電極接続面
45、55 接着層
46、56 導電層
47、57 第1金属被覆層
48、58 第2金属被覆層
60 回路基板
61 ランド
62 基板面
100 試験装置
101 無響箱
101B 底面
102 集音マイク
103 電源装置
104 FFTアナライザ
106 基板
107 吸音材
108 配線

Claims (6)

  1. 誘電体と内部電極とが交互に積層された誘電体素体及び前記誘電体素体の対向する端面をそれぞれ別個に覆う一対の外部電極を有するセラミックコンデンサ素子と、
    樹脂の基材層の両面に導電層を有し、いずれか一方の前記導電層が、前記外部電極の端面に電気的に接続される一対の外部電極と、
    両方の前記導電層を電気的に接続するための導電手段と、
    を含むことを特徴とするセラミックコンデンサ。
  2. 前記一対の接続端子は、それぞれの前記外部電極から離れた位置で、前記外部電極と接続される側とは反対側の端面が互いに対向するように曲げられる請求項1に記載のセラミックコンデンサ。
  3. 前記導電手段は、両方の前記導電層と前記樹脂層とを貫通する貫通孔を含む請求項1に記載のセラミックコンデンサ。
  4. 前記基材層の厚みは10μm以上50μm以下である請求項1又は2に記載のセラミックコンデンサ。
  5. 前記貫通孔の直径は5μm以上30μm以下である請求項1から3のいずれか1項に記載のセラミックコンデンサ。
  6. 前記貫通孔の内面は、導電材料で被覆されている請求項1から4のいずれか1項に記載のセラミックコンデンサ。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012212861A (ja) * 2011-03-18 2012-11-01 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2014120524A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Mitsubishi Materials Corp リード付き電子部品
JP2015527735A (ja) * 2012-07-17 2015-09-17 エプコス アーゲーEpcos Ag プラスチック体を含む接続要素を備える電気素子
JP2016134618A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 積層セラミック電子部品及びその実装基板
KR20170017137A (ko) 2015-08-05 2017-02-15 삼성전기주식회사 커패시터 부품
KR20190121162A (ko) 2018-08-30 2019-10-25 삼성전기주식회사 전자 부품
KR20190121204A (ko) 2018-10-11 2019-10-25 삼성전기주식회사 전자 부품
KR20190121232A (ko) 2018-12-17 2019-10-25 삼성전기주식회사 전자 부품
US10515761B1 (en) 2018-08-30 2019-12-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component including a capacitor array
KR20200073182A (ko) 2020-06-12 2020-06-23 삼성전기주식회사 전자 부품

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012212861A (ja) * 2011-03-18 2012-11-01 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
US9136056B2 (en) 2011-03-18 2015-09-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component
JP2015527735A (ja) * 2012-07-17 2015-09-17 エプコス アーゲーEpcos Ag プラスチック体を含む接続要素を備える電気素子
JP2014120524A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Mitsubishi Materials Corp リード付き電子部品
JP2016134618A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 積層セラミック電子部品及びその実装基板
KR20160089738A (ko) * 2015-01-20 2016-07-28 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판
KR102214642B1 (ko) * 2015-01-20 2021-02-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판
KR20170017137A (ko) 2015-08-05 2017-02-15 삼성전기주식회사 커패시터 부품
KR20190121162A (ko) 2018-08-30 2019-10-25 삼성전기주식회사 전자 부품
US10861648B2 (en) 2018-08-30 2020-12-08 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component
US10515761B1 (en) 2018-08-30 2019-12-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component including a capacitor array
US10529496B1 (en) 2018-08-30 2020-01-07 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component including a capacitor array
KR20200025993A (ko) 2018-08-30 2020-03-10 삼성전기주식회사 전자 부품
US10796853B2 (en) 2018-10-11 2020-10-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component
KR20190121204A (ko) 2018-10-11 2019-10-25 삼성전기주식회사 전자 부품
KR20190121232A (ko) 2018-12-17 2019-10-25 삼성전기주식회사 전자 부품
KR20200073182A (ko) 2020-06-12 2020-06-23 삼성전기주식회사 전자 부품

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