JP2012033654A - セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができるセラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】セラミックコンデンサは、誘電体を含む誘電体素体と、誘電体の少なくとも一部を介して対向する内部電極と、内部電極に接続する一対の外部電極と、回路基板と外部電極との距離を一定間隔に保ち、回路基板と外部電極とを電気的に接続可能な接続端子と、を有し、接続端子は、外部電極の回路基板側端面に接続端子の一端が固定される。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板に実装されるセラミックコンデンサに関する。

ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）又は携帯電話等の電子機器は、コンデンサ、インダクタ、バリスタ、又はこれらを複合した複合部品が表面実装された回路基板を有する。このような構造により、前記電子機器は、高密度に電子部品を搭載して回路基板全体を小型化している。回路基板に搭載されるコンデンサとしては、例えば、セラミックコンデンサがある。

セラミックコンデンサは、誘電体と内部電極とが交互に積層されている。誘電体を形成するセラミック材料には、誘電率が比較的高いチタン酸バリウム等の強誘電体材料が一般的に用いられている。セラミックコンデンサに交流電圧を印加すると、誘電体を形成するセラミック材料は電歪現象を伴うので、セラミックコンデンサは印加電圧の大きさに応じた機械的歪みを生じる。セラミックコンデンサに交流電圧を印加すると、誘電体の電歪現象によりセラミックコンデンサが振動する。

電歪現象によるセラミックコンデンサの振動は、セラミックコンデンサが実装されている基板に伝播する。基板に伝わった振動により、基板において振動音（音鳴り）が発生する。大きな静電容量を得るため、複数のセラミックコンデンサを基板上に並列に接続した場合等には、複数のセラミックコンデンサが同じ周期で振動する。複数のセラミックコンデンサが伝える基板への振動が増幅されるため、振動音がより発生し易くなる。

そこで、基板の振動音を低減するため、セラミックコンデンサ素子の外部電極の側面に一対の金属端子を当接し、セラミックコンデンサ素子の下側に引き出して、回路基板へ接合する電子部品が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の電子部品によれば、セラミックコンデンサと回路基板との間に空隙を設け、セラミックコンデンサで発生した振動が基板に伝播するのを抑制している。

特開２０００−２２３３５７号公報

しかしながら、従来のセラミックコンデンサ素子は、セラミックコンデンサ素子の外部電極の側面に一対の金属端子を当接すると、セラミックコンデンサで発生した振動が基板に伝播するのを抑制できる効果が限られてしまう。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができるセラミックコンデンサを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のセラミックコンデンサは、誘電体を含む誘電体素体と、前記誘電体の少なくとも一部を介して対向する内部電極と、前記内部電極に接続する一対の外部電極と、回路基板と前記外部電極との距離を一定間隔に保ち、前記回路基板と前記外部電極とを電気的に接続可能な接続端子と、を有し、前記接続端子は、前記外部電極の前記回路基板側端面に前記接続端子の一端が固定されることを特徴とする。

本発明は、セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができる。接続端子は、外部電極端面と基板電極との間に介在して、誘電体素体が発生させる電歪効果による振動が回路基板へ伝達されることを軽減することができる。

また、本発明の望ましい態様として、前記接続端子は、複数の脚部を有し、前記回路基板と前記外部電極とを複数経路で接続することが好ましい。複数の経路で振動が回路基板に伝達するため、振動はより減衰しやすくなる。

また、本発明の望ましい態様にとして、前記接続端子は、前記複数の脚部の間に空間を有することが好ましい。空間を有する構造とすることにより、接続端子の剛性が低下するので、接続端子は振動を吸収しやすくなる。

また、本発明の望ましい態様にとして、前記接続端子は、前記空間に前記接続端子とはヤング率の異なる防振部材を有することが好ましい。防振部材を設けることにより、脚部全体のヤング率が下がるので、セラミックコンデンサで発生した振動が基板に伝播するのを抑制できる。

また、本発明の望ましい態様にとして、前記接続端子は、前記回路基板側の前記外部電極の端面に前記接続端子の一端が第１の接合材を介して固定され、前記接続端子の他端が第２の接合材を介して回路基板に固定され、前記第１の接合材と前記第２の接合材とは分断されていることが好ましい。第１の接合材と第２の接合材が連続することに伴う音圧の上昇を防ぐことができる。

また、本発明の望ましい態様にとして、前記接続端子は、電気導通可能な金属を含み、前記金属の表面に前記金属を仕切る仕切部を設けることが好ましい。第１の接合材と第２の接合材がより確実に分断される。

また、本発明の望ましい態様にとして、前記仕切部は、樹脂であることが好ましい。第１の接合材と第２の接合材がより確実に分断すると共に、防振効果も付与することができる。

本発明にかかるセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができる。

図１は、実施形態１のセラミックコンデンサを示す斜視図である。 図２は、図１のセラミックコンデンサの断面図を示す図である。 図３は、図１のセラミックコンデンサの平面図である。 図４−１は、接続端子を説明するための説明図である。 図４−２は、接続端子の変形例を説明するための説明図である。 図４−３は、接続端子の他の変形例を説明するための説明図である。 図５は、回路基板に実施形態１のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図６は、回路基板に実施形態２のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図７は、回路基板に実施形態３のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図８は、回路基板に実施形態４のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図９は、回路基板に実施形態５のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図１０は、回路基板に実施形態６のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図１１は、回路基板に実施形態７のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図１２−１は、回路基板に実施形態８のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図１２−２は、実施形態８の接続端子の一部材についてＸ方向から見た平面図である。 図１２−３は、図１２−２に示す部材についてＹ方向から見た平面図である。 図１３は、実施形態９のセラミックコンデンサを示す説明図である。 図１４は、回路基板に比較例１のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図１５は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す模式図である。 図１６は、回路基板に比較例２のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。 図１７は、回路基板に比較例３のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。

（実施形態１）
図１は、実施形態１のセラミックコンデンサを示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１のセラミックコンデンサをＺ方向上部から見た上面図である。図１〜図３に示すように、セラミックコンデンサ１は、セラミックコンデンサ素子１０と一対の接続端子（金属端子）４０、４０とを含む。なお、本実施形態では、セラミックコンデンサ１の長手方向をＸ、幅方向をＹ、厚さ方向、すなわち、内部電極及び誘電体が積層された方向をＺとする。幅方向Ｙ及び厚さ方向Ｚは互いに直交する。また、幅方向Ｙ及び厚さ方向Ｚは、それぞれ長手方向Ｘに直交する。

セラミックコンデンサ素子１０は、誘電体素体１１と、一対の外部電極（端子電極）２０、３０とを有する。セラミックコンデンサ素子１０は、積層型のセラミックコンデンサであり、略直方体形状に形成される。誘電体素体１１は、セラミックコンデンサ素子１０の長さ方向Ｘの両端面及びその両端面から所定長さだけセラミック素体１１の周囲を囲む部位に一対の外部電極２０、３０を有する。誘電体素体１１は、Ｚ方向に互いに対向する誘電体素体側面１２、１３と、Ｘ方向に互いに対向する誘電体素体端面１４、１５と、Ｙ方向に互いに対向する誘電体素体側面１６、１７とを有する６面体である。

誘電体素体１１は、複数の誘電体１１ａと複数の内部電極１８、１９とを交互に積層して形成されている。誘電体素体１１は、セラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を複数枚積層した積層体を加熱圧着して一体化して、切断し、脱脂し、焼成することにより得られた直方体状の焼結体である。

誘電体素体１１のＸ方向の両側には、一対の外部電極２０、３０が形成されている。一対の外部電極２０、３０が形成された誘電体素体１１の寸法は、Ｘ方向にＬ１、Ｙ方向にＷ１、Ｚ方向にＴ１である。外部電極２０、３０は、導電体で形成される。外部電極２０、３０は、誘電体素体端面１４、１５を覆っている。誘電体素体端面１４、１５を覆う外部電極のＸ方向の両外側面は、外部電極端面２１、３１となる。また、外部電極２０は、誘電体素体端面１２、１３及び誘電体素体端面１６、１７にも延びており、外部電極２０の外部電極端面２２、２３、２４、２５を有している。また、外部電極３０は、誘電体素体端面１２、１３及び誘電体素体端面１６、１７にも延びており、外部電極３０の外部電極端面３２、３３、３４及び３５を有している。図２に示す誘電体素体１１のＺ方向下面に形成された外部電極端面２３、３３が、セラミックコンデンサ１が回路基板に接続される場合に、回路基板側に位置することになる。

内部電極１８、１９のそれぞれは、誘電体素体１１の内部に埋設されている。内部電極１８、１９を構成する材料としては、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料であれば用いることができ、例えば、卑金属であるＮｉを主成分とする導電性材料として含んだものが用いられる。内部電極１８と内部電極１９とは、誘電体素体１１内の誘電体の一部を介して対向している。内部電極１８と内部電極１９とは、各々複数設けられている。内部電極１８と内部電極１９とは、誘電体素体１１内の誘電体１１ａを介してＺ方向に積層されている。内部電極１８の一端は、Ｘ方向の誘電体素体端面１５で外部電極３０と電気的に接続されている。内部電極１８の他端は、誘電体素体１１内で開放端となっている。内部電極１９の一端は、誘電体素体１１のＸ方向の誘電体素体端面１４で外部電極２０と電気的に接続されている。内部電極１９の他端は、誘電体素体１１内で開放端となっている。

外部電極２０、３０は、例えばＣｕを主成分として含有するものが用いられ、Ｃｕ粉末を含有する導電性ペーストを誘電体素体１１の外表面に塗布して焼き付けることによって形成されている。外部電極２０、３０は、複数の金属電極層で構成されていてもよく、例えば、外部電極２０、３０は、Ｃｕを主成分とした下地電極に、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成するようにしてもよい。セラミックコンデンサ素子１０の一対の外部電極２０、３０に電圧を印加すると、誘電体素体１１には、電荷が蓄えられる。

誘電体素体１１内の誘電体１１ａは、例えば、誘電率の高い強誘電体材料としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料で構成され、複数の誘電体層で形成されている。誘電体１１ａとしてチタン酸バリウムを主成分として用いて構成された誘電体素体１１は、誘電体として作用する。誘電体は、電界が加えられると電歪効果により歪みが生じる。セラミックコンデンサ素子１０は、交流電界が印加された場合、誘電体素体１１に交流電界の周波数に同期した機械的歪みを生じる。コンデンサ素子１０が回路基板に実装されると、回路基板が音響インピーダンス変換器として働く。そして、振動の周波数が人間の可聴周波数帯域（２０Ｈｚから２０ｋＨｚ）になったときに、セラミックコンデンサ素子１０の機械的歪みが、振動音として現れて、人間の耳に検知される。このように、セラミックコンデンサ素子１０は、回路基板に実装されると、誘電材料の電歪に起因する音鳴りが発生することがある。

一対の接続端子４０、４０は、電気的に導通可能な材料、例えば４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金で形成される。図２に示すように、接続端子４０、４０は、接合材５０を介して、外部電極２０、３０の外部電極端面２３、３３と接合している。接合材５０は、例えば、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金などのはんだや、導電性接着剤を用いることができる。一対の接続端子４０、４０は、回路基板と外部電極との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ２に保つことができる。接続端子４０、４０は、回路基板と外部電極２０、３０とを電気的に接続している。

図４−１は、接続端子を説明するための説明図である。図４−１に示すように、接続端子４０は、平板状の金属板を折り曲げ屈曲部４４、４５を設けることにより、回路基板と接合する接続部４３を介して繋がる脚部４１、４２の端部４１ｃ、４２ｃを近接させる。脚部４１の内側面４１ｂと脚部４２の内側面４２ｂとは接合部Ｐで接合される。脚部４１の外側面４１ａと、接続部４３の外側面４３ａとは、屈曲部４４を介して接続される。脚部４２の外側面４２ａと、接続部４３の外側面４３ａとは、屈曲部４５を介して接続される。また、接続端子４０は、脚部４１の内側面４１ｂと、脚部４２の内側面４２ｂと、接続部４３の内側面４３ｂとが囲む略３角形断面の空間Ｇを有する。また、図４−１に示すように、接続端子４０は、接合部Ｐを介して端部４１ｃと４２ｃとの間に空隙ｇが設けられているので、端部４１ｃと４２ｃとの間の空隙ｇに、図１に示す接合材５０が保持できる。

図２に示すように、接続端子４０、４０は、接合材５０を介して、外部電極２０、３０と接合している。図１に示すように、接続端子４０、４０は、外部電極２０、３０のＹ方向に向かって幅Ｗ２だけ接合している。また、外部電極２０、３０のＸ方向の長さＢ１に収まるよう接合材５０が接合している。誘電体素体１１の姿勢は、外部電極２０、３０のＸ方向の幅Ｂ１よりも接続端子４０の接続部４３の長さＬ２が長い方が安定する。

図４−２は、実施形態１の変形例の接続端子を説明する説明図である。本変形例の接続端子４０１は、平板状の金属板を折り曲げている屈曲部４４、４５、４６を有する。脚部４１に繋がる辺部４７と、脚部４２に繋がる辺部４８の端部とが接合部Ｐで接合され、接続部４３となる。接続端子４０１は、脚部４１、４２と、接続部４３との内側面が囲む略３角形断面の空間Ｇを有する。接合部Ｐは、脚部４１、４２に設けてもよい。あるいは、接合部Ｐは、脚部４１、４２に設けてもよい。

図４−３は、実施形態１の他の変形例の接続端子を説明する説明図である。本変形例の接続端子４０２は、平板状の金属板を折り曲げて形成される。接続端子４０２は、屈曲部４４、４５、４６を有する。そして、脚部４１に繋がる辺部４７と、脚部４２に繋がる辺部４８の端部とが接合部Ｐで接合され、接続部４３となる。接続端子４０２は、脚部４１、４２と、接続部４３との内側面が囲む略３角形断面の空間Ｇを有する。接合部Ｐは、脚部４１、４２に設けてもよい。接続端子４０２は、屈曲部４６、すなわち、接合部Ｐと対向する位置の屈曲部４６の頂部に凹部Ｑが形成されている。接続端子４０２は、凹部Ｑが設けられているので、凹部Ｑの中に空隙ｇを設けることができる。接続端子４０２の空隙ｇは接合材５０を保持できる。凹部Ｑは、空隙ｇに接合材５０を保持できれば形状を問わない。

図５は、回路基板に実施形態１のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。回路基板５１には回路配線に繋がる基板電極（ランド）５２が設けられている。基板電極５２は、例えば銅である。基板電極５２上に、セラミックコンデンサ１を載置する。

図５に示す誘電体素体１１の回路基板５１と対向する面には、外部電極端面３３が設けられる。セラミックコンデンサ１の接続端子４０と基板電極５２とが接合材５３を介して接合される。接合材５３は、例えば、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金などのはんだや、導電性接着剤を用いることができる。外部電極端面３３が接続端子４０を介して、基板電極５２と接合されている。外部電極端面３１には、接続端子４０は接合されていない。

セラミックコンデンサ１は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面３３から振動を接続端子４０へ伝達する。接続端子４０は、外部電極端面３３と基板電極５２との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極５２へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ１の振動は、主にＺ方向、すなわち、図２に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面３３に接続端子４０を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。

また、セラミックコンデンサ１は、誘電体素体１１が電歪効果による振動を発生させた場合、前記振動は外部電極２０、３０から複数の脚部４１、４２を介して複数の経路で回路基板５１に伝達する。このように、セラミックコンデンサ１は、複数の経路で振動が回路基板５１に伝達するため、振動はより減衰しやすくなる。さらに、接続端子４０は、脚部４１と脚部４２との間に空間Ｇを有する。このように、空間Ｇを有する構造とすることにより、接続端子４０の剛性が低下するので、接続端子４０は、振動を吸収しやすくなる。また、空間Ｇに、脚部４１、４２とはヤング率の異なるポリイミド等の樹脂を充填してもよい。このような構造により、さらに振動を減衰させることもできる。

（実施形態２）
図６は、実施形態２に係るセラミックコンデンサの模式図である。なお、前述した実施形態１で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態２のセラミックコンデンサ２は、Ｙ方向視断面が円筒形状の一対の接続端子６０、６０を有している。図６に示すように、接続端子６０は、接合材５０を介して、外部電極３０と接合している。図６では省略されているが、他の接続端子６０も、接合材５０を介して外部電極２０と接合している。接続端子６０は、平板状の金属板に曲げ加工を施して円筒形状とした後、金属板の端部同士を接合部Ｐで接合する。一対の接続端子６０、６０は、回路基板５１と外部電極２０、３０との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ３に保つことができる。

基板電極５２上には、セラミックコンデンサ２が載置される。この状態で、セラミックコンデンサ２の接続端子６０が基板電極５２と接合材５３を介して接合される。このとき、接続端子６０のＺ方向頂部近傍に接合材５０を付着させて、接続端子６０のＺ方向頂部近傍と基板電極５２とが接合される。接続端子６０の表面に接合材５０を安定して付着させるために、図４−１に示すような空隙ｇや、図４−３に示すような凹部Ｑを接続端子６０に設けてもよい。

セラミックコンデンサ２は、図６に示す誘電体素体１１の厚さ方向（Ｚ方向）下面に形成された外部電極端面３３が、回路基板５１側に位置している。セラミックコンデンサ２の接続端子６０の一部は、基板電極５２と接合材５３とを介して接合される。外部電極端面３３は、接続端子６０を介して基板電極５２と接合される。外部電極端面３１には、接続端子６０は接合されていない。

セラミックコンデンサ２は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面３３から振動を接続端子６０へ伝達する。接続端子６０は、外部電極端面３３と基板電極５２との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極５２へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ２の振動は、主にＺ方向、すなわち、図２に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面３３に接続端子６０を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。

また、セラミックコンデンサ２は、誘電体素体１１が電歪効果による振動を発生させた場合、前記振動は外部電極２０、３０から複数の脚部６１、６２を介して複数の経路で回路基板５１に伝達する。このように、セラミックコンデンサ２は、複数の経路で振動が分散して回路基板５１に伝達するため、振動はより減衰しやすくなる。さらに、接続端子６０は、脚部６１と脚部６２との間に空間Ｇを有する。このように、空間Ｇを有する構造とすることにより、接続端子６０の剛性が低下するので、接続端子６０は、振動を吸収しやすくなる。また、空間Ｇに、脚部６１、６２とはヤング率の異なるポリイミド等の樹脂を充填してもよい。このような構造により、さらに振動を減衰させることもできる。

（実施形態３）
図７は、実施形態３に係るセラミックコンデンサの模式図である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態３のセラミックコンデンサ３は、Ｙ方向視断面が８角形状の一対の接続端子７０、７０を有している。図７に示すように、接続端子７０は、接合材５０を介して、外部電極３０と接合している。図７では省略されているが、同様に他の接続端子７０は、接合材５０を介して、外部電極２０と接合している。接続端子７０は、平板状の金属板に曲げ加工を施して８角形状とした後、金属板の端部同士を接合し接合部Ｐとする。接続端子７０は、平板状の金属板に屈曲部７０１、７０２、７０３、７０４、７０５、７０６、７０７、７０８を有しており、Ｙ方向視断面が８角形状である。なお、接続端子７０の屈曲部を変更し、６角形、１０角形、１２角形等の多角形としてもよい。屈曲部を増やすと、ばねとして機能して、誘電体素体１１が発生する振動を吸収する接続端子７０のばね定数を低下させることができるので、前記振動は、回路基板５１へより伝わりにくくなる。

屈曲部７０１、７０２、７０３、７０４、７０５、７０６、７０７、７０８を設けることにより、接続端子７０には、辺部７１１、７１２、７１３、７２１、７２２、７２３、７３１、７３２、７４が形成される。また、屈曲部により、平板状の金属板の辺部７３１と辺部７３２とが近接し、接合部Ｐで接合される。辺部７３１と辺部７３２とは接合されて、回路基板５１へ接合するための接続部７３となる。辺部７１１、７１２、７１３は、脚部７１となる。辺部７２１、７２２、７２３は、脚部７２となる。接続端子７０は、脚部７１、７２有する。このため、一対の接続端子７０、７０は、回路基板５１と外部電極２０、３０との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ４に保つことができる。辺部７４は、接続部７３と平行な平面を有している。セラミックコンデンサ３は、接続端子７０の辺部７４の外側面７４ａに接合材５０を介して外部電極２０、３０と接合している。接続端子７０の表面に接合材５０を安定して付着させるために、図７に示すように接合材５０が付着する部分の外側面７４ａは、平坦面であることが好ましい。

基板電極５２上に、セラミックコンデンサ３を載置する。その後、セラミックコンデンサ３の接続端子７０は基板電極５２と接合材５３を介して接合される。図７に示す誘電体素体１１の厚さ方向（Ｚ方向）下面に形成された外部電極端面３３が、回路基板５１側に位置している。セラミックコンデンサ３の接続端子７０の接続部７３は基板電極５２と接合材５３を介して接合される。外部電極端面３３が接続端子７０を介して、基板電極５２と接合される。外部電極端面３１には、接続端子７０は接合されていない。

セラミックコンデンサ３は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面３３から振動を接続端子７０へ伝達する。接続端子７０は、外部電極端面３３と基板電極５２との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極５２へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ３の振動は、主にＺ方向、すなわち、図２に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面３３に接続端子７０を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。

また、セラミックコンデンサ３は、誘電体素体１１が電歪効果による振動を発生させた場合、前記振動は外部電極２０、３０から複数の脚部７１、７２を介して複数の経路で回路基板５１に伝達する。このように、セラミックコンデンサ３は、複数の経路で振動が回路基板５１に伝達するため、振動はより減衰しやすくなる。さらに、接続端子７０は、脚部７１と脚部７２との間に空間Ｇを有する。このように、空間Ｇを有する構造とすることにより、接続端子７０の剛性が低下するので、接続端子７０は、振動を吸収しやすくなる。また、空間Ｇに、脚部７１、７２とはヤング率の異なるポリイミド等の樹脂を充填してもよい。このような構造により、さらに振動を減衰させることもできる。

（実施形態４）
図８は、実施形態４に係るセラミックコンデンサの模式図である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態４のセラミックコンデンサ４は、Ｙ方向視断面が４角形状の一対の接続端子８０、８０を有している。図８に示すように、接続端子８０は、接合材５０を介して、外部電極３０と接合している。図８では省略されているが、同様に他の接続端子８０は、接合材５０を介して、外部電極２０と接合している。接続端子８０は、平板状の金属板を曲げ加工を施し、４角形状とし金属板の端部同士を接合し接合部Ｐとする。接続端子８０は、平板状の金属板に屈曲部８１１、８１２、８２１、８２２を有し、Ｙ方向視断面が４角形状となっている。

屈曲部８１１、８１２、８２１、８２２を設けることにより、脚部８１、８２、辺部８３１、８３２及び辺部８４が形成される。また、屈曲部８１２、８２２により、平板状の金属板の辺部８３１と辺部８３２とが近接し、接合部Ｐで接合される。辺部８３１と辺部８３２とは接合されて、接続端子８０を回路基板５１へ接合するための接続部８３となる。接続端子８０は、脚部８１、８２を有することにより、回路基板５１と外部電極２０、３０との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ５に保つことができる。辺部８４は、接続部８３と平行な平面を有している。セラミックコンデンサ４の外部電極２０、３０は、接続端子８０の辺部８４の外側面８４ａに接合材５０を介して接合している。接続端子８０の表面に接合材５０を安定して付着させるために、図８に示すように接合材５０が付着する部分の外側面８４ａは、平坦面であることが好ましい。

図８に示すように、接続端子８０は、Ｙ方向視断面が正方形である。接続端子８０のＹ方向視断面の形状は、Ｘ方向（辺部８４及び接続部８３の長さ）の長さがＺ方向の長さ（脚部８１、８２の長さＴ５）より長い長方形でもよい。また、接続端子８０のＹ方向視断面の形状は、Ｘ方向（辺部８４及び接続部８３の長さ）の長さがＺ方向（脚部８１、８２の長さＴ５）の長さより短い長方形でもよい。さらに、接続端子８０は、辺部８４の長さと接続部８３の長さとを異ならせて、Ｙ方向視断面の形状を台形形状としてもよい。また、接続端子８０は、屈曲部８１１、８１２、８２１、８２２での屈曲角度を鋭角又は鈍角として、Ｙ方向視断面の形状を平行四辺形としてもよい。

基板電極５２上に、セラミックコンデンサ４を載置する。その後、セラミックコンデンサ４の接続端子８０は基板電極５２と接合材５３を介して接合される。図８に示す誘電体素体１１の厚さ方向（Ｚ方向）下面に形成された外部電極端面３３が、回路基板５１側に位置している。セラミックコンデンサ４の接続端子８０の接続部８３が基板電極５２と接合材５３を介して接合される。外部電極端面３３が接続端子８０を介して、基板電極５２と接合される。外部電極端面３１には、接続端子８０は接合されていない。

セラミックコンデンサ４は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面３３から振動を接続端子８０へ伝達する。接続端子８０は、外部電極端面３３と基板電極５２との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極５２へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ４の振動は、主にＺ方向、すなわち、図２に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面３３に接続端子８０を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。

また、セラミックコンデンサ４は、誘電体素体１１が電歪効果による振動を発生させた場合、前記振動は外部電極２０、３０から複数の脚部８１、８２を介して複数の経路で回路基板５１に伝達する。このように、セラミックコンデンサ３は、複数の経路で振動が回路基板５１に伝達するため、振動はより減衰しやすくなる。さらに、接続端子８０は、脚部８１と脚部８２との間に空間Ｇを有する。このように、空間Ｇを有する構造とすることにより、接続端子８０の剛性が低下するので、接続端子８０は、振動を吸収しやすくなる。また、空間Ｇに、脚部８１、８２とはヤング率の異なるポリイミド等の樹脂を充填してもよい。

（実施形態５）
図９は、実施形態５に係るセラミックコンデンサの模式図である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態５のセラミックコンデンサ５は、Ｙ方向視断面が３角形状の一対の接続端子９０、９０を有している。図９に示すように、接続端子９０は、接合材５０を介して、外部電極３０と接合している。図９では省略されているが、同様に他の接続端子９０は、接合材５０を介して、外部電極２０と接合している。接続端子９０は、平板状の金属板を曲げ加工を施し、Ｙ方向視断面を３角形状とし、金属板の端部同士を外部電極２０、３０に接合する。接続端子９０は、平板状の金属板に屈曲部９４、９５を有し、Ｙ方向視断面が３角形状となっている。

屈曲部９４、９５を設けることにより、脚部９１、９２、と接続部９３とが形成される。また、屈曲部９４、９５により、平板状の金属板の脚部９１と脚部９２とが近づき、外部電極３０の外部電極端面３３と直接、脚部９１の端面９１ｃ及び脚部９２の端面９２ｃとが接合される。接続端子９０は、脚部９１、９２を設けられていることにより、回路基板５１と外部電極２０、３０との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ６に保つことができる。脚部９１の端面９１ｃ及び脚部９２の端面９２ｃは、接続部９３と平行な平面を有している。セラミックコンデンサ５の外部電極２０、３０は、脚部９１の端面９１ｃ及び脚部９２の端面９２ｃに接合材５０を介して接合している。

基板電極５２上に、セラミックコンデンサ５を載置する。セラミックコンデンサ５の接続端子９０は基板電極５２と接合材５３を介して接合される。図９に示す誘電体素体１１の厚さ方向（Ｚ方向）下面に形成された外部電極端面３３が、回路基板５１側に位置している。セラミックコンデンサ５の接続端子９０の接続部９３が基板電極５２と接合材５３を介して接合される。外部電極端面３３が接続端子９０を介して、基板電極５２と接合される。外部電極端面３１には、接続端子９０は接合されていない。

セラミックコンデンサ５は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面３３から振動を接続端子９０へ伝達する。接続端子９０は、外部電極端面３３と基板電極５２との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極５２へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ４の振動は、主にＺ方向、すなわち、図２に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面３３に接続端子８０を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。

また、セラミックコンデンサ５は、誘電体素体１１が電歪効果による振動を発生させた場合、前記振動は外部電極２０、３０から複数の脚部９１、９２を介して複数の経路で回路基板５１に伝達する。このように、セラミックコンデンサ５は、複数の経路で振動が回路基板５１に伝達するため、振動はより減衰しやすくなる。さらに、接続端子９０は、脚部９１と脚部９２との間に空間Ｇを有する。このように、空間Ｇを有する構造とすることにより、接続端子９０の剛性が低下するので、接続端子９０は、振動を吸収しやすくなる。また、空間Ｇに、脚部９１、９２とはヤング率の異なるポリイミド等の樹脂を充填してもよい。

（実施形態６）
図１０は、実施形態６に係るセラミックコンデンサの模式図である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態６のセラミックコンデンサ６は、Ｙ方向視断面が４角形状の一対の接続端子１００、１００を有している。図１０に示すように、接続端子１００は、接合材５０を介して、外部電極３０と接合している。図１０では省略されているが、同様に他の接続端子１００は、接合材５０を介して、外部電極２０と接合している。接続端子１００は、平板状の金属板を曲げ加工を施して４角形状とした後、金属板の端部同士を接合し接合部Ｐとする。接続端子１００は、平板状の金属板に屈曲部１０１１、１０１２、１０２１、１０２２を有しており、Ｙ方向視断面が４角形状である。

屈曲部１０１１、１０１２、１０２１、１０２２を設けることにより、接続端子１００には、脚部１０１、１０２、辺部１０３１、１０３２及び辺部１０４が形成される。また、屈曲部１０１２、１０２２により、平板状の金属板の辺部１０３１と辺部１０３２とが近接し、接合部Ｐで接合される。辺部１０３１と辺部１０３２とは接合されて、回路基板５１へ接合するための接続部１０３となる。接続端子１００は、脚部１０１、１０２を設けられていることにより、回路基板５１と外部電極２０、３０との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ７に保つことができる。辺部１０４は、接続部１０３と平行な平面を有している。セラミックコンデンサ６は、接続端子１００の辺部１０４の外側面１０４ａに接合材５０を介して外部電極２０、３０と接合している。接続端子１００の表面に接合材５０を安定して付着させるために、図１０に示すように接合材５０の付着する部分の外側面１０４ａは、平坦面であることが好ましい。

脚部１０１の内側面１０１ｂと、脚部１０２の内側面１０２ｂと、接続部１０３の内側面１０３ｂと、辺部１０４の内側面１０４ｂとには、ポリイミド等の樹脂で防振部１０７が形成されている。また、脚部１０１の外側面１０１ａと、脚部１０２の外側面１０２ａと、には仕切部１０５、１０６が形成されている。仕切部１０５、１０６は、ポリイミド等の樹脂層で形成される。

図１０に示すように、接続端子１００は、Ｙ方向視断面が正方形である。接続端子１００のＹ方向視断面の形状は、Ｘ方向（辺部１０４及び接続部１０３の長さ）の長さがＺ方向の長さより長い長方形でもよい。また、接続端子１００のＹ方向視断面の形状は、Ｘ方向（辺部１０４及び接続部１０３の長さ）の長さがＺ方向の長さより短い長方形でもよい。さらに、接続端子１００は、辺部１０４の長さと接続部１０３の長さとを異ならせて、Ｙ方向視断面の形状を台形形状としてもよい。また、接続端子１００は、屈曲部１０１１、１０１２、１０２１及び１０２２での屈曲角度を鋭角又は鈍角として、Ｙ方向視断面の形状を平行四辺形としてもよい。

基板電極５２上に、セラミックコンデンサ６を載置する。セラミックコンデンサ６の接続端子１００は基板電極５２と接合材５３を介して接合される。図１０に示す誘電体素体１１の厚さ方向（Ｚ方向）下面に形成された外部電極端面３３が、回路基板５１側に位置している。セラミックコンデンサ６の接続端子１００の接続部１０３が基板電極５２と接合材５３を介して接合される。外部電極端面３３が接続端子１００を介して、基板電極５２と接合される。外部電極端面３１には、接続端子１００は接合されていない。

セラミックコンデンサ６は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面３３から振動を接続端子８０へ伝達する。接続端子１００は、外部電極端面３３と基板電極５２との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極５２へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ６の振動は、主にＺ方向、すなわち、図２に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面３３に接続端子１００を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。

また、セラミックコンデンサ６は、誘電体素体１１が電歪効果による振動を発生させた場合、前記振動は外部電極２０、３０から複数の脚部１０１、１０２を介して複数の経路で回路基板５１に伝達する。このように、セラミックコンデンサ６は、複数の経路で振動が回路基板５１に伝達するため、振動はより減衰しやすくなる。さらに、接続端子１００は、脚部１０１と脚部１０２との間に空間Ｇを有する。このように、空間Ｇを有する構造とすることにより、接続端子１００の剛性が低下するので、接続端子１００は、振動を吸収しやすくなる。また、防振部１０７は、脚部１０１、１０２とはヤング率の異なるポリイミド等の樹脂で形成されている。脚部１０１及び脚部１０２に防振部１０７が形成されると、脚部１０１、１０２を金属板単独で構成した場合と比較して、脚部１０１、１０２のヤング率が低下する。その結果、脚部１０１、１０２のばね定数が下がるので、回路基板５１への振動の伝達を効果的に抑制することができる。

また、接合材５０と接合材５３とがはんだであって、接合材５０と接合材５３とが繋がってしまうと、接続端子１００の脚部１０１、１０２全体のヤング率は、防振部１０７を設けた状態よりも高くなる。その結果、脚部１０１、１０２のばね定数が高くなるので、回路基板５１への振動の伝達を抑制する作用は低下してしまう。実施形態６のセラミックコンデンサ６は、脚部１０１の外側面１０１ａと、脚部１０２の外側面１０２ａとに、仕切部１０５、１０６を有しているので、接合材５０や接合材５３が脚部１０１、１０２を這って繋がることはない。仕切部１０５、１０６は、接合材５０と接合材５３とを分断することができる。実施形態６のセラミックコンデンサ６は、仕切部を樹脂とすると、防振効果も付与することができる。仕切部１０５、１０６の材料としては、例えば、樹脂を用いることができる。仕切部１０５、１０６に用いることができる樹脂としては、例えば、耐熱性及び機械強度に優れたポリイミドがあげられる。

（実施形態７）
図１１は、実施形態７に係るセラミックコンデンサの模式図である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態７のセラミックコンデンサ７は、Ｙ方向視断面が４角形状の一対の接続端子１１０、１１０を有している。図１１に示すように、接続端子１１０は、接合材５０を介して、外部電極３０と接合している。図１１では省略されているが、同様に他の接続端子１１０は、接合材５０を介して、外部電極２０と接合している。接続端子１１０は、平板状の金属板を曲げ加工を施して４角形状とした後、金属板の端部同士を接合し接合部Ｐとする。接続端子１１０は、平板状の金属板に屈曲部１１１１、１１１２、１１２１、１１２２を有しており、Ｙ方向視断面が４角形状である。

屈曲部１１１１、１１１２、１１２１、１１２２を設けることにより、脚部１１１、１１２、辺部１１３１、１１３２及び辺部１１４が形成される。また、屈曲部１１１１、１１１２、１１２１、１１２２により、平板状の金属板の辺部１１３１と辺部１１３２とが近接し、接合部Ｐで接合される。辺部１１３１と辺部１１３２とは接合されて、回路基板５１へ接合するための接続部１１３となる。接続端子１１０は、脚部１１１、１１２を設けられていることにより、回路基板５１と外部電極２０、３０との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ８に保つことができる。辺部１１４は、接続部１１３と平行な平面を有している。セラミックコンデンサ７は、接続端子１１０の辺部１１４の外側面１１４ａに接合材５０を介して外部電極２０、３０と接合している。接続端子１１０の表面に接合材５０を安定して付着させるために、図１１に示すように接合材５０の付着する部分の外側面１１４ａは、平坦面であることが好ましい。

脚部１１１の内側面１１１ｂと、脚部１１２の内側面１０２ｂと、脚部１０１の外側面１０１ａと、脚部１０２の外側面１０２ａとには仕切部１１５、１１６、１１７及び１１８が形成されている。仕切部１１５、１１６、１１７及び１１８は、ポリイミド等の樹脂層で形成される。

図１１に示すように、接続端子１１０は、Ｙ方向視断面が正方形である。接続端子１１０のＹ方向視断面の形状はＸ方向（辺部１１４及び接続部１１３の長さ）の長さがＺ方向の長ささより長い長方形でもよい。接続端子１１０のＹ方向視断面の形状はＸ方向（辺部１１４及び接続部１１３の長さ）の長さがＺ方向の長さより短い長方形でもよい。さらに、接続端子１１０は、辺部１１４の長さと接続部１１３の長さとを異ならせてＹ方向視断面の形状を台形形状としてもよい。また、接続端子１１０は、屈曲部１１１１、１１１２、１１２１及び１１２２での屈曲角度を鋭角又は鈍角として、Ｙ方向視断面の形状を平行四辺形としてもよい。

基板電極５２上に、セラミックコンデンサ７を載置する。セラミックコンデンサ７の接続端子１１０は基板電極５２と接合材５３を介して接合される。図１１に示す誘電体素体１１の厚さ方向（Ｚ方向）下面に形成された外部電極端面３３が、回路基板５１側に位置している。セラミックコンデンサ７の接続端子１１０の接続部１１３が基板電極５２と接合材５３を介して接合される。外部電極端面３３が接続端子１１０を介して、基板電極５２と接合される。外部電極端面３１には、接続端子１１０は接合されていない。

セラミックコンデンサ７は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面３３から振動を接続端子１１０へ伝達する。接続端子１１０は、外部電極端面３３と基板電極５２との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極５２へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ７の振動は、主にＺ方向、すなわち、図２に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面３３に接続端子１１０を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。

また、セラミックコンデンサ６は、誘電体素体１１が電歪効果による振動を発生させた場合、前記振動は外部電極２０、３０から複数の脚部１０１、１０２を介して複数の経路で回路基板５１に伝達する。このように、セラミックコンデンサ６は、複数の経路で振動が回路基板５１に伝達するため、振動はより減衰しやすくなる。さらに、接続端子１００は、脚部１０１と脚部１０２との間に空間Ｇを有する。このように、空間Ｇを有する構造とすることにより、接続端子１００の剛性が低下するので、接続端子１００は、振動を吸収しやすくなる。実施形態７のセラミックコンデンサ７は、仕切部１１５、１１６、１１７、１１８が形成されているので、接合材５０や接合材５３が脚部１１１、１１２を這って繋がることはない。仕切部１１５、１１６、１１７、１１８は、接合材５０と接合材５３とを分断することができる。実施形態７のセラミックコンデンサ７は、仕切部１１５、１１６、１１７、１１８を樹脂とすると、防振効果も付与することができる。

（実施形態８）
図１２−１は、実施形態８に係るセラミックコンデンサの模式図である。図１２−２は、実施形態８の接続端子の一部材についてＸ方向から見た平面図である。図１２−３は、図１２−２に示す部材についてＹ方向から見た平面図である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態８のセラミックコンデンサ８は、一対の接続端子１２０、１２０を有している。図１２−１に示すように、接続端子１２０は、接合材５０を介して、外部電極３０と接合している。省略されているが、同様に他の接続端子１２０は、接合材５０を介して、外部電極２０と接合している。接続端子１２０は、スプリング部材１２１、１２２と、板材１２３、１２４とを有している。スプリング部材１２１、１２２は、中心軸と軸対象となる外周部の２箇所を板材１２３、１２４で挟まれている。スプリング部材１２１、１２２と、板材１２３、１２４とは、接合金属であるはんだや、導電性接着剤で接合されている。

スプリング部材１２１、１２２は、金属の線材をスプリング状に加工されたものである。スプリング部材１２１、１２２は、同形状かつ同じ大きさである。スプリング部材１２１、１２２は互いの線材の間に挿入され、互いの線材が接触しないようＸ方向に組み合わされている。スプリング部材１２１、１２２は、どちらか一つでもよく、さらに一つ又は複数のスプリング部材をＸ方向に組み合わせてもよい。スプリング部材１２１は、図１２−２に示すように、Ｘ方向視の平面で見ると内周部１２１ｂ及び外周部１２１ａを有する円環状の構造体であり、中空の空間Ｇを有する。スプリング部材１２１は、図１２−３に示すように、Ｙ方向視で見ると板材１２４から板材１２３へ振動を伝達可能な脚部１２１ｃと１２１ｄとを有する。

基板電極５２上に、セラミックコンデンサ８を載置する。その後、セラミックコンデンサ８の接続端子１２０は基板電極５２と接合材５３を介して接合される。

セラミックコンデンサ８は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面３３から振動を接続端子１２０へ伝達する。接続端子１２０は、外部電極端面３３と基板電極５２との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極５２へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ４の振動は、主にＺ方向、すなわち、図２に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面３３に接続端子１２０を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。

また、セラミックコンデンサ８は、誘電体素体１１が電歪効果による振動を発生させた場合、前記振動は外部電極２０、３０から複数の脚部１２１ｃ、１２１ｄを介して複数の経路で回路基板５１に伝達する。このように、セラミックコンデンサ８は、複数の経路で振動が回路基板５１に伝達するため、振動はより減衰しやすくなる。さらに、接続端子１２０は、脚部１２１ｃと脚部１２１ｄとの間に空間Ｇを有する。このように、空間Ｇを有する構造とすることにより、接続端子１２０の剛性が低下するので、接続端子１２０は、振動を吸収しやすくなる。また、空間Ｇに、脚部１２１ｃ、１２１ｄとはヤング率の異なるポリイミド等の樹脂を充填してもよい。

（実施形態９）
図１３は、実施形態９に係るセラミックコンデンサの模式図である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態９のセラミックコンデンサ９は、Ｘ方向視断面が３角形状の一対の接続端子１３０、１３０を有している。接続端子１３０は、実施形態１で説明した接続端子４０と同じである。実施形態１では、Ｙ方向視断面の形状が３角形状となるように、接続端子４０を配置した。実施形態９では、接続端子１３０は、Ｘ方向視断面の形状が３角形状となるように配置されている。図１３に示すように、接続端子１３０は、接合材５０を介して、外部電極２０と接合している。図１３では省略されているが、同様に他の一対の接続端子１３０、１３０を設けて、他の一対の接続端子１３０、１３０が接合材５０を介して、外部電極３０と接合させている。接続端子の接続する向きを９０°変えたとしても、上述した効果を得ることができる。

上述した実施形態１から実施形態９において、接続端子は、ヤング率の異なる材料が少なくとも２層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率は、他の層のヤング率よりも小さくした部材で構成してもよい。この場合、基材層の表面には導電性を有する導電層を設けるとともに、接続端子の外側が導電層となるように接続端子を組み立てる。このようにすると、接続端子全体のヤング率は、導電層のヤング率よりも小さくなり、また、接続端子をすべて金属材料で構成した場合よりも小さくすることができる。その結果、ばね定数が小さく、かつ導電性を有する接続端子でセラミックコンデンサを回路基板に実装できるので、電歪に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。

（評価）
上述の実施形態１〜８のセラミックコンデンサ１〜８を用いて、評価サンプルを作成し評価例１から１２の評価を行った。比較のため比較サンプルを作成した。

評価例１は、実施形態１で説明したセラミックコンデンサ１を評価サンプルとして用いた。セラミックコンデンサ１の接続端子４０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子４０の板材の厚みｔは７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子４０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子４０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子４０のＺ方向高さＴ２は、１ｍｍとした。

評価例２は、実施形態２で説明したセラミックコンデンサ２が評価サンプルに用いられている。セラミックコンデンサ２の接続端子６０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子６０の板材の厚みｔは、７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子６０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子６０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子６０のＺ方向高さＴ３は、１ｍｍとした。

評価例３は、実施形態３で説明したセラミックコンデンサ３が評価サンプルに用いられている。セラミックコンデンサ３の接続端子７０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子７０の板材の厚みｔは、７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子７０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子７０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子７０のＺ方向高さＴ４は１ｍｍとした。

評価例４は、実施形態４で説明したセラミックコンデンサ４を評価サンプルに用いた。セラミックコンデンサ４の接続端子８０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子８０の板材の厚みｔは７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子８０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子８０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子８０のＺ方向高さＴ５は１ｍｍとした。

評価例５は、実施形態５で説明したセラミックコンデンサ５が評価サンプルに用いた。セラミックコンデンサ５の接続端子９０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子９０の板材の厚みｔは７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子９０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子９０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子９０のＺ方向高さＴ６は、１ｍｍとした。

評価例６は、実施形態６で説明したセラミックコンデンサ６が評価サンプルに用いた。セラミックコンデンサ６の接続端子１００の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子１００の板材の厚みｔは７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子１００と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子１００が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子１００のＺ方向高さＴ７は、１ｍｍとした。

評価例７は、実施形態７で説明したセラミックコンデンサ７が評価サンプルに用いた。セラミックコンデンサ７の接続端子１１０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子１１０の板材の厚みｔは７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子１１０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子１１０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子１１０のＺ方向高さＴ８は、１ｍｍとした。

評価例８は、実施形態８で説明したセラミックコンデンサ８が評価サンプルに用いた。セラミックコンデンサ８の接続端子１２０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を線材として用いた。接続端子１２０の直径ｔは７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子１２０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子１２０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子１２０のＺ方向高さＴ９は、１ｍｍとした。

評価例９は、実施形態４で説明したセラミックコンデンサ４が評価サンプルに用いた。セラミックコンデンサ４の接続端子８０の材料はリン青銅を板材として用いた。接続端子８０の板材の厚みｔは、７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも１μｍのＮｉめっきをした上で３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子８０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子８０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子８０のＺ方向高さＴ５は、１ｍｍとした。

評価例１０は、実施形態４で説明したセラミックコンデンサ４が評価サンプルに用いた。セラミックコンデンサ４の接続端子８０の材料はステンレス（ＳＵＳ３０４）を板材として用いた。接続端子８０の板材の厚みｔは７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも１μｍのＮｉめっきをした上で３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子８０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子８０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子８０のＺ方向高さＴ５は、１ｍｍとした。

評価例１１は、実施形態４で説明したセラミックコンデンサ４が評価サンプルに用いた。セラミックコンデンサ４の接続端子８０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子８０の板材の厚みｔは１００μｍの１種類のサンプルを用意した。１種類のサンプルは、３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子８０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子７０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子７０のＺ方向高さＴ５は、０．７ｍｍとした。

評価例１２は、実施形態４で説明したセラミックコンデンサ４が評価サンプルに用いた。セラミックコンデンサ４の接続端子８０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子８０の板材の厚みｔは、１００μｍの１種類のサンプルを用意した。種類のサンプルは、３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子８０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子８０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子８０のＺ方向高さＴ５は、１．５ｍｍとした。

図１４は、回路基板に比較例１のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。比較例１は、図１４に示すようなセラミックコンデンサ２００である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。一対の接続端子１５０、１５０は、外部電極２０、３０のＸ方向の両外側面である外部電極端面２１、３１に各々接合材５０を介して接合されている。一対の接続端子１５０、１５０は、回路基板５１と外部電極２０、３０との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ１０に保つことができる。図１４に示すように、接続端子１５０は、平板状の金属板を折り曲げ屈曲部１５５、１５４、１５６を設けることにより、折り曲げ加工されている。接続端子１５０は、Ｚ方向に立脚する脚部１５１から屈曲部１５４、１５５により折り返し部１５２を介して、脚部１５１と平行に折り返され、端子接合辺部１５３を有している。端子接合辺部１５３は、外部電極の外部電極端面２１、３１に平行である。脚部１５１は、屈曲部１５６により回路基板１５１と平行な接続部１５７に繋がっている。そして、接続部１５７が基板電極５２と接合材５３を介して接合される。セラミックコンデンサ２００が比較例サンプルに用いられている。セラミックコンデンサ２００の接続端子１５０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子１５０の板材の厚みｔは、１００μｍの１種類のサンプルを用意した。サンプルは、３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子１５０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子１５０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子１５０のＺ方向高さＴ１０は、１ｍｍとした。

準備した評価例１〜１２のサンプル及び比較例１のサンプルの音圧を、次に説明するように測定した。

図１５は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す図である。各セラミックコンデンサを基板に搭載して交流電圧を印加した際に、基板から発生する振動音の大きさ（音圧）を測定した。図１５に示すように、試験装置５００は、無響箱５１０と、集音マイク（商品名；ＭＩ−１２３３、小野測器社製）５２０と、電源装置５３０と、ＦＦＴアナライザ（商品名：ＤＳ２１００、小野測器社製）５４０とを備えている。そして、測定対象となるサンプル５５０は、基板５６０に設置された状態で、無響箱５１０内に設置される。サンプル５５０を設置した基板５６０は、その両端に正負一対の電極がそれぞれ設けられる。

無響箱５１０は、箱状に形成され、その内壁に吸音材５７０が設けられている。吸音材５７０は、グラスウール等を用いており、その表面を波型等に形成することで、音波の接触面積を拡大させ、吸音効果を高めている。

電源装置５３０は、一対の配線５８０を介して、基板５６０の正負一対の電極にそれぞれ接続されており、基板５６０は、配線５８０に吊り下げられた状態で、サンプル５５０が無響箱５１０内の底面に対向するように、無響箱５１０の中央部分に配置される。電源装置５３０は、サンプル５５０に対してＤＣバイアスを与えながら交流電圧を印加した。ＤＣバイアスは２０Ｖとした。交流電圧は、周波数を１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚとした。また、交流電圧は、３Ｖｐ−ｐとなるように、すなわち、ＤＣバイアスの２０Ｖを中心として、交流電圧が±３Ｖの範囲で変化するように印加された。

集音マイク５２０は、無響箱５１０内の底面に設けられ、無響箱５１０の中央部分に設置されたサンプル５５０と所定距離を保つようにして配置される。ＦＦＴアナライザ５４０は、集音マイク５２０により集音された振動音の大きさ（音圧）を解析した。

したがって、試験装置５００において、電源装置５３０が基板５６０へ向けて所定の交流電圧を印加すると、サンプル５５０で振動が発生し、サンプル５５０の振動が基板５６０に伝達され、基板５６０から振動音が発生する。この振動音を、集音マイク５２０を用いて集音し、集音した振動音を、ＦＦＴアナライザ５４０で解析することで、基板５６０から発生する振動音の大きさを測定した。なお、ＩＳＯ２２６に規定される等感度曲線から、人間の耳の感度は３ｋＨｚから４ｋＨｚで最も鋭くなる。このため、本評価例においては、人間の耳の感度がもっと鋭くなる周波数（より具体的には３ｋＨｚ）での音圧を測定した。音圧測定評価の結果、表１に示すような評価結果となった。

表１に示すように、比較例１の音圧は、３ｋＨｚにおいて５０ｄＢを示した。比較例１と評価例１〜８の板厚み（評価例８においては直径）１００μｍのサンプルを比較すると、評価例１〜８の３ｋＨｚにおける音圧は、比較例１の３ｋＨｚにおける音圧よりも低かた。上述したように、人間の耳の感度は、３ｋＨｚ〜４ｋＨｚで高くなると言われている。上記結果から、したがって、本発明のセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサが発生する３ｋＨｚにおける音圧を下げることができる。

評価例３のセラミックコンデンサ３は、評価例１、２、４〜８よりも３ｋＨｚにおける音圧を下げることができた。評価例３のセラミックコンデンサ３は、屈曲部７３、７４、７５、７６、７７、７８、及び７９を設けることにより、Ｚ方向高さＴ４に対して、接合材５０から接合材５３までの脚部７１、７２の長さを長くすることができる。その結果、セラミックコンデンサ３が起こす振動を減衰する作用が高いと考えられる。

評価例１〜８の板厚み（評価例８においては直径）ｔを７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えた３種類サンプル同士を比較すると、いずれも板厚み（評価例８においては直径）ｔが増加すると、３ｋＨｚにおける音圧が上昇する傾向が見られた。評価例１〜８の板厚み（評価例８においては直径）２００μｍのサンプルであっても、評価例１〜８の３ｋＨｚにおける音圧は、比較例１の３ｋＨｚにおける音圧よりも低かった。したがって、上記実施形態に係るセラミックコンデンサは、接続端子の板厚み又は直径の選択範囲を広げることができる。

評価例４、６、７を比較すると、防振部１０７を備えた評価例６のサンプルが評価例４及び７のサンプルよりも３ｋＨｚにおける音圧が低かった。

評価例４、９、１０の接続端子の材料を変えた板厚みｔを１００μｍとしたサンプル同士を比較すると、いずれも３ｋＨｚにおける音圧が比較例１の３ｋＨｚにおける音圧よりも低かった。上記実施形態に係るセラミックコンデンサは、は、接続端子の材料の選択範囲を広げることができる。評価例４、９、１０の接続端子の材料では、リン青銅よりも４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金及びステンレス（ＳＵＳ３０４）の方が３ｋＨｚにおける音圧が低い傾向にあった。

評価例４、１１、１２の接続端子の板厚みを等しくしてＺ方向高さを変えた３種類サンプル同士を比較すると、３ｋＨｚにおける音圧は接続端子のＺ方向高さが低い順に、評価例１１、評価例４、評価例１２と減少する傾向にあった。このように、セラミックコンデンサに求められる低背化は、３ｋＨｚにおける音圧を上昇させてしまう傾向にあることが分かった。評価例４、１１、１２は、いずれも３ｋＨｚにおける音圧が比較例１の３ｋＨｚにおける音圧よりも低かった。本発明は、接続端子のＺ方向高さの選択範囲を広げることができる。特に、上記実施形態に係るセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサの低背化に有効であることが分かった。

次に、評価例４のサンプルにおいて、図８に示す接続端子８０と外部電極３０との間に位置する接合材５０の位置をＸ方向に変更したサンプルを作成し、評価したが表１に示す評価例４の評価結果である３ｋＨｚにおける音圧と変化がなかった。接合材５０の位置は、３ｋＨｚにおける音圧に影響しないことが分かった。接合材５０の位置によらず、外部電極３０から伝わる振動は、複数の脚部を介して複数経路で回路基板へ伝達されるため、接合材５０の位置が３ｋＨｚにおける音圧に影響しないと考えられる。

図１６は、回路基板に比較例２のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。比較例２のセラミックコンデンサ３００は、実施形態３における接続端子７０を用いて、脚部７１の辺部７１２と外部電極３０の外部電極端面３１とが接合材５０を介して接合されている。なお、前述した実施形態３で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。接続端子７０の板材の厚みｔは、７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子７０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子７０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子７０のＺ方向高さＴ４は、１ｍｍとした。比較例２のサンプルを図１５に示すような音圧測定評価を行った。評価は上述の通りである。音圧測定評価の結果、表２に示すような評価結果となった。比較のため、評価例３の評価結果も併記してある。

比較例２のセラミックコンデンサ３００は、いずれの板厚みのサンプルにおいても評価例３のセラミックコンデンサ３の３ｋＨｚにおける音圧より上昇する傾向が見られた。

図１７は、回路基板に比較例３のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する模式図である。比較例３のセラミックコンデンサ４００は、実施形態４における接続端子８０を用いて、脚部８１と外部電極３０の外部電極端面３１とが接合材５０を介して接合されている。なお、前述した実施形態４で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。接続端子８０の板材の厚みｔは、７０μｍ、１００μｍ及び２００μｍと変えて３種類のサンプルを用意した。３種類のサンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子８０と外部電極２０、３０とを接合する接合材５０は、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金を用いた。また、接続端子８０が基板電極５２と接続する接合材５３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金を用いた。接続端子８０のＺ方向高さＴ５は、１ｍｍとした。比較例３のサンプルを図１５に示すような音圧測定評価を行った。評価は上述の通りである。音圧測定評価の結果、表３に示すような評価結果となった。比較のため、評価例４の評価結果も併記してある。

比較例３のセラミックコンデンサ４００は、いずれの板厚みのサンプルにおいても評価例４のセラミックコンデンサ４の３ｋＨｚにおける音圧より上昇する傾向が見られた。

比較例２と評価例３との比較及び比較例３と評価例４との比較から、セラミックコンデンサは、外部電極の端面２１、３１と接続端子８０とを接合材で固定してもセラミックコンデンサのＺ方向の振動を緩和できないため３ｋＨｚにおける音圧を低減できないと推測される。セラミックコンデンサは、回路基板側５１の外部電極の端面２３、３３に接続端子８０が接合材で固定されると、セラミックコンデンサのＺ方向の振動を減衰することができる。

以上のように、本発明にかかるセラミックコンデンサは、回路基板に搭載して用いる場合に有用である。

１、２、３、４、５、６、７、８、９ セラミックコンデンサ
１０ セラミックコンデンサ素子
１１ 誘電体素体
１１ａ 誘電体
１２〜１７ 誘電体素体端面
１８、１９ 内部電極
２０、３０ 外部電極
２１〜２５ 外部電極端面
３１〜３５ 外部電極端面
４０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０ 接続端子
４１、４２ 脚部
６１、６２ 脚部
７１、７２ 脚部
８１、８２ 脚部
９１、９２ 脚部
１０１、１０２ 脚部
１０５、１０６ 仕切部
１１１、１１２ 脚部
１２１、１２２ スプリング部材
１２１ｃ、１２１ｄ 脚部
５００ 試験装置
５２０ 集音マイク
５３０ 電源装置
５６０ 基板
５７０ 吸音材

Claims (7)

1. 誘電体を含む誘電体素体と、
   前記誘電体の少なくとも一部を介して対向する内部電極と、
   前記内部電極に接続する一対の外部電極と、
   回路基板と前記外部電極との距離を一定間隔に保ち、前記回路基板と前記外部電極とを電気的に接続可能な接続端子と、を有し、
   前記接続端子は、前記外部電極の前記回路基板側端面に前記接続端子の一端が固定されることを特徴とするセラミックコンデンサ。
2. 前記接続端子は、複数の脚部を有し、前記回路基板と前記外部電極とを複数経路で接続する請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
3. 前記接続端子は、前記複数の脚部の間に空間を有する請求項１又は２記載のセラミックコンデンサ。
4. 前記接続端子は、前記空間に前記接続端子とはヤング率の異なる防振部材を有する請求項３に記載のセラミックコンデンサ。
5. 前記接続端子は、前記回路基板側の前記外部電極の端面に前記接続端子の一端が第１の接合材を介して固定され、前記接続端子の他端が第２の接合材を介して回路基板に固定され、前記第１の接合材と前記第２の接合材とは分断されている請求項１から４のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
6. 前記接続端子は、電気導通可能な金属を含み、前記金属の表面に前記金属を仕切る仕切部を設ける請求項５に記載のセラミックコンデンサ。
7. 前記仕切部は、樹脂である請求項６に記載のセラミックコンデンサ。

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