JP2012032262A

JP2012032262A - センシング装置及び電子機器

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Publication number: JP2012032262A
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Inventors: Takehito Kayano; 岳人茅野
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
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Filing date: 2010-07-30
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Abstract

【課題】パラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができるセンシング装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】ＲＯＭ４０は、センサー１〜Ｎ（Ｎ≧１）に関連付けられるパラメーター（センサーパラメーター１〜ｎ（ｎ≧１））を記憶している。メモリー制御部１３０は、ＲＯＭ４０からセンサーパラメーター１〜ｎを読み出してＲＡＭ３０に書き込んだ後、所与のタイミングで、ＲＯＭ４０からセンサーパラメーターを読み出してＲＡＭ３０に上書きするリフレッシュ処理を行う。処理部１００は、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーター１〜ｎに基づいて、センサー１〜Ｎにの信号処理を行う。
【選択図】図２

Description

本発明は、センシング装置及び電子機器に関する。

近年、多くの種類のセンサーが開発され、様々なシステムや電子機器に搭載されている。例えば、加速度センサー、ジャイロセンサー、地磁気センサー、温度センサー等を搭載したセンシング装置を用いて物体の姿勢を検出するシステムなどが挙げられる。

一般的なセンシング装置は、複数のセンサーを含むセンサーモジュール、マイクロコンピューター、ＲＯＭ、ＲＡＭ等で構成されている。ＲＯＭには、各センサーに対するパラメーター（例えば、センサーの特性に起因する検出誤差を補正する補正パラメーター等）が書き込まれており、例えば、電源投入後の起動時等の初期化動作時に、マイクロコンピューターがＲＯＭからパラメーターを読み出してＲＡＭに書き込む。その後は、マイクロコンピューターがＲＡＭに書き込まれたパラメーターを用いて各センサーに関連する各種の処理（例えば、センサーの特性に起因する検出誤差を補正する処理等）を高速に行う。

特開２００９−１３４０７１号公報

しかしノイズ等によりＲＡＭに書き込まれたパラメーターが破壊される可能性があり、パラメーターが破壊されるとその後のセンシング装置の動作に問題が生じる場合がある。例えば、ＲＡＭに書き込まれた補正パラメーターが破壊されると、誤った補正処理を行うことになり、センシング装置の性能の劣化が生じる場合がある。

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、パラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができるセンシング装置及び電子機器を提供することができる。

（１）本発明は、センサーと、前記センサーに関連付けられるパラメーターを記憶した不揮発性の第１のメモリーと、第２のメモリーと、前記第１のメモリーから前記パラメーターを読み出して前記第２のメモリーに書き込んだ後、所与のタイミングで、前記第１のメモリーから前記パラメーターを読み出して前記第２のメモリーに上書きするリフレッシュ処理を行うメモリー制御部と、前記第２のメモリーに書き込まれた前記パラメーターに基づいて、前記センサーの信号処理を行う処理部と、を含む、センシング装置である。

センサーに関連付けられるパラメーターとは、例えば、センサーのバイアスオフセット（０点オフセット）を補正するためのパラメーターやセンサーの温度特性に起因する検出誤差を補正するためのパラメーター等である。

メモリー制御部がリフレッシュ処理を行う所与のタイミングとは、定期的なタイミング（一定周期）であってもよいし、不定期のタイミングであってもよい。

処理部が行う、センサーの信号処理とは、例えば、パラメータに基づいてセンサーの検出値を補正する処理等である。

本発明のセンシング装置によれば、第２のメモリーに書き込まれたパラメーターは、リフレッシュ処理により第１のメモリーに記憶されているパラメーターで上書きされるので、第２のメモリーに書き込まれたパラメーターが破壊されても、次のリフレッシュ処理の後は、処理部が正常な処理を行うことができる。従って、本発明のセンシング装置によれば、パラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができる。

例えば、前記メモリー制御部は、前記リフレッシュ処理を一定の周期で繰り返し行うようにしてもよい。

このようにすれば、第２のメモリーに書き込まれたパラメーターのデータ破壊が生じた場合に、異常な処理結果が生じる期間をリフレッシュ処理の１周期以内におさめることができる。

（２）このセンシング装置は、さらにレジスター部を含み、前記メモリー制御部は、前記レジスター部から前記リフレッシュ処理の周期に関するリフレッシュ周期情報を受け取り、当該リフレッシュ周期情報に応じた周期で前記リフレッシュ処理を行うようにしてもよい。

このようにすれば、センシング装置の使用環境や要求精度等に応じた適切な周期でリフレッシュ処理が行われるようにすることができる。

（３）このセンシング装置は、前記処理部からの出力データを外部に出力する出力部をさらに含み、前記リフレッシュ処理の周期が、前記出力データを外部装置がサンプリングする周期以下であるようにしてもよい。

このようにすれば、第２のメモリーに書き込まれたパラメーターのデータ破壊が生じた場合に、外部装置が受け取る異常なデータを１サンプルだけに限定することができる。

（４）このセンシング装置において、前記メモリー制御部は、前記センサーの検出値を所与の閾値と比較し、比較結果に基づいて前記リフレッシュ処理を行うようにしてもよい。

例えば、メモリー制御部は、センサーの検出値（又はその絶対値）が閾値よりも大きい場合（又は閾値以上の場合）はリフレッシュ処理を行い、センサーの検出値（又はその絶対値）が閾値以下の場合（又は閾値よりも小さい場合）はリフレッシュ処理を行わないようにしてもよい。逆に、メモリー制御部は、センサーの検出値（又はその絶対値）が閾値よりも小さい場合（又は閾値以下の場合）はリフレッシュ処理を行い、センサーの検出値（又はその絶対値）が閾値以上の場合（又は閾値よりも大きい場合）はリフレッシュ処理を行わないようにしてもよい。

このようにすれば、センサーの検出値に応じてリフレッシュ処理のタイミングを制御することができる。例えば、加速度センサーや角速度センサー等のモーションセンサーの検出値が比較的大きい場合、すなわち、センシング装置の動き量が比較的大きい場合はノイズも大きくなると考えられるので、第２のメモリーに書き込まれたパラメーターのデータ破壊が生じる確率が高くなる。従って、モーションセンサーの検出値（又はその絶対値）が閾値よりも大きい場合（又は閾値以上の場合）にリフレッシュ処理を行うことで、パラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができる。

また、センシング装置が複数のセンサーを有する場合は、メモリー制御部は、例えば、１つのセンサーを選択し、当該センサーの検出値（又はその絶対値）を閾値と比較するようにしてもよい。あるいは、メモリー制御部は、例えば、複数のセンサーの検出値（又はその絶対値）の少なくとも１つが閾値よりも大きい場合（又は閾値以上の場合）はリフレッシュ処理を行い、複数のセンサーの検出値（又はその絶対値）のすべてが閾値以下の場合（又は閾値よりも小さい場合）はリフレッシュ処理を行わないようにしてもよい。逆に、メモリー制御部は、複数のセンサーの検出値（又はその絶対値）の少なくとも１つが閾値よりも小さい場合（又は閾値以下の場合）はリフレッシュ処理を行い、複数のセンサーの検出値（又はその絶対値）のすべてが閾値以上の場合（又は閾値よりも大きい場合）はリフレッシュ処理を行わないようにしてもよい。

（５）このセンシング装置において、前記メモリー制御部は、前記比較結果において、所与の時間にわたって前記センサーの検出値が前記閾値より大きい状態が継続する場合に前記リフレッシュ処理を行うようにしてもよい。

例えば、メモリー制御部は、所与の時間継続してセンサーの検出値（又はその絶対値）が閾値よりも大きい場合（又は閾値以上の場合）はリフレッシュ処理を行い、所与の時間が経過する前にセンサーの検出値（又はその絶対値）が閾値以下になれば（又は閾値よりも小さくなれば）リフレッシュ処理を行わないようにしてもよい。逆に、メモリー制御部は、所与の時間継続してセンサーの検出値（又はその絶対値）が閾値よりも小さい場合（又は閾値以下の場合）はリフレッシュ処理を行い、所与の時間が経過する前にセンサーの検出値（又はその絶対値）が閾値以上になれば（又は閾値よりも大きくなれば）リフレッシュ処理を行わないようにしてもよい。

（６）このセンシング装置において、前記メモリー制御部は、前記比較結果が第１の比較結果であれば、前記リフレッシュ処理を開始し、前記比較結果が第２の比較結果になるまで前記リフレッシュ処理を一定の周期で繰り返し行うようにしてもよい。

例えば、メモリー制御部は、センサーの検出値（又はその絶対値）が閾値よりも大きくなれば（又は閾値以上になれば）リフレッシュ処理を開始し、センサーの検出値（又はその絶対値）が閾値以下になるまで（又は閾値よりも小さくなるまで）一定周期で定期的なリフレッシュ処理を行うようにしてもよい。逆に、メモリー制御部は、センサーの検出値（又はその絶対値）が閾値よりも小さくなれば（又は閾値以下になれば）リフレッシュ処理を開始し、センサーの検出値（又はその絶対値）が閾値以上になるまで（又は閾値よりも大きくなるまで）一定周期で定期的なリフレッシュ処理を行うようにしてもよい。

このようにすれば、センサーの検出値に応じて定期的なリフレッシュ処理を行うタイミングを制御することができる。

また、センサーの検出値と閾値との比較にヒステリシスを持たせるようにしてもよい。例えば、メモリー制御部は、センサーの検出値（又はその絶対値）が第１の閾値よりも大きくなれば（又は第１の閾値以上になれば）リフレッシュ処理を開始し、センサーの検出値（又はその絶対値）が第２の閾値以下になるまで（又は第２の閾値よりも小さくなるまで）一定周期で定期的なリフレッシュ処理を行うようにしてもよい。逆に、メモリー制御部は、センサーの検出値（又はその絶対値）が第１の閾値よりも小さくなれば（又は第１の閾値以下になれば）リフレッシュ処理を開始し、センサーの検出値（又はその絶対値）が第２の閾値以上になるまで（又は第２の閾値よりも大きくなるまで）一定周期で定期的なリフレッシュ処理を行うようにしてもよい。

（７）このセンシング装置において、前記メモリー制御部は、前記第１のメモリーから前記パラメーターを読み出すとともに前記第２のメモリーから前記パラメーターを読み出して両者が一致するか否かを判定する判定処理を行い、一致しない場合に前記リフレッシュ処理を行うようにしてもよい。

このようにすれば、第１のメモリーのパラメーターと第２のメモリーのパラメーターが一致する場合の不要なリフレッシュ処理が行われないようにしてメモリーアクセスに伴う消費電力を低減することができる。

（８）このセンシング装置において、前記第１のメモリーは、複数の前記パラメーターが記憶され、前記メモリー制御部は、前記複数のパラメーターの少なくとも一つについて前記判定処理を行い、一致しないパラメーターが見つかった場合には、残りのパラメーターについては前記判定処理を行わずにすべてのパラメーターについて前記リフレッシュ処理を行うようにしてもよい。

このようにすれば、第１のメモリーと第２のメモリーで一致しないパラメーターが１つでも見つかった時点で残りのパラメーターの判定処理を行わないので、判定処理を高速化することができる。

（９）このセンシング装置において、前記第１のメモリーは、複数の前記パラメーターが記憶され、前記メモリー制御部は、前記複数のパラメーターの各々について前記判定処理を行い、一致しないパラメーターについて前記リフレッシュ処理を行うようにしてもよい。

このようにすれば、第１のメモリーと第２のメモリーで一致しないパラメーターのみがリフレッシュ処理の対象となるので、リフレッシュ処理を高速化するとともにメモリーアクセスに伴う消費電力を低減することができる。

（１０）このセンシング装置において、前記メモリー制御部は、前記リフレッシュ処理を許可するか否かに関するリフレッシュ許可情報を受け取り、当該リフレッシュ許可情報により前記リフレッシュ処理が許可されている場合に前記リフレッシュ処理を行うようにしてもよい。

このようにすれば、リフレッシュ機能をオン／オフするタイミングを制御することができる。

（１１）本発明は、上記のいずれかのセンシング装置を含む、電子機器である。

本実施形態のセンシング装置の全体構成を示す図。マイクロコンピューターとセンサーモジュールのより詳細な構成について説明するための図。本実施形態のセンシング装置におけるデータ生成処理のタイミングの一例を示すタイミングチャート図。第１実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図。第２実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図。第３実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図。第４実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図。第５実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図。第６実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図。本実施形態の電子機器の構成例を示す機能ブロック図。

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１．センシング装置
（１）第１実施形態
［構成］
図１は、本実施形態のセンシング装置の全体構成を示す図である。

本実施形態のセンシング装置１は、マイクロコンピューター１０、センサーモジュール２０、ランダムアクセスメモリー（ＲＡＭ）３０、リードオンリーメモリー（ＲＯＭ）４０、入力部５０、出力部６０、電源生成部７０を含んで構成されている。また、これらの構成要素はバス８０を経由してアドレスやデータ等を相互にまたは決まった方向に入出力する。バス８０は、例えば、Ｉ^２ＣバスやＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）バスであってもよい。なお、本実施形態のセンシング装置１は図１の構成要素の一部を省略した構成としてもよい。

ＲＡＭ３０（第２のメモリーの一例）は、プログラム、様々なパラメーター、一時的なデータ等を記憶する。例えば、マイクロコンピューター１０が用いるプログラムやデータを一時的に記憶する。ＲＡＭ３０は揮発性メモリーであってもよいし、不揮発性メモリーであってもよいが、マイクロコンピューター１０の性能を劣化させない程度に高速アクセスが可能なメモリーであることが望ましい。

ＲＯＭ４０（第１のメモリーの一例）は、不揮発性のメモリーであり、センシング装置１に必要なプログラムや様々なパラメーターを記憶する。

特に本実施形態では、ＲＯＭ４０には、センサーモジュール２０に含まれるセンサーに関連付けられるパラメーター（以下、「センサーパラメーター」という）が記憶されている。このセンサーパラメーターとしては、例えば、各センサーのバイアスオフセット（０点オフセット）を補正するためのパラメーター（オフセット補正パラメーター）や各センサーの温度特性による検出誤差を補正するのためのパラメーター（温度補正パラメーター）等が挙げられる。このセンサーパラメーターは、例えば、センシング装置１の出荷前に行われるセンサーの特性検査において個別にＲＯＭ４０に書き込まれる。

ＲＯＭ４０に記憶されたプログラムやデータは、センシング装置１の初期化動作時（電源投入後の起動時等）にＲＡＭ３０に書き込まれ、マイクロコンピューター１０はＲＡＭ３０に書き込まれたプログラムやデータを用いて各種の処理を行う。特に本実施形態では、センシング装置１の起動時に、センサーパラメーターがＲＯＭ４０からＲＡＭ３０に書き込まれる。このＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーターは、後述するように、マイクロコンピューター１０により所与のタイミングで、ＲＯＭ４０に記憶されたセンサーパラメーターで上書き（リフレッシュ）される。

入力部５０は、センシング装置１の外部からの入力を受け付ける。

出力部６０は、センシング装置１の外部へ信号を出力する。出力部６０は、例えば、マイクロコンピューター１０が演算したデータを出力信号６２として出力する。

電源生成部７０は、センシング装置１で用いる電源を生成する。電源生成部７０は、例えば、外部電源からセンシング装置１の内部電源を生成するレギュレーターとして構成することができる。

図２は、マイクロコンピューター１０とセンサーモジュール２０のより詳細な構成について説明するための図である。なお、図２において、図１と同じ構成要素には同じ符号を付している。

図２に示すように、本実施形態では、センサーモジュール２０とマイクロコンピューター１０は、共通のクロック信号９０に同期してそれぞれの処理を行う。

センサーモジュール２０は、Ｎ個（Ｎ≧１）のセンサー２００−１〜Ｎを含む。センサー２００−１〜Ｎは、それぞれ所定の物理量を検出する。センサー２００−１〜Ｎは、検出した物理量に応じたアナログ信号、例えば、物理量の大きさ（や向き）に応じたＤＣ電圧の信号（検出信号）を出力する。物理量としては、加速度、速度、角速度、圧力、温度、湿度、磁気等が挙げられる。センサー２００−１〜Ｎの一部又は全部が、同じ種類の物理量を検出するように構成されていてもよい。例えば、センサー２００−１〜３により３軸ジャイロセンサー（角速度センサー）が構成され、センサー２００−４〜６により３軸加速度センサーが構成され、センサー２００−７が温度センサーとして構成されていてもよい。

また、センサーモジュール２０は、それぞれセンサー２００−１〜Ｎの後段に接続されたＮ個のアナログフロントエンド（ＡＦＥ）２１０−１〜Ｎを含む。ＡＦＥ２１０−１〜Ｎは、それぞれセンサー２００−１〜Ｎの出力信号（検出信号）に対して信号増幅やフィルタリング等の処理を行う。

さらに、センサーモジュール２０は、ＡＦＥ２１０−１〜Ｎの後段に接続されたアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）２２０を含む。ＡＤＣ２２０は逐次比較型のＡＤＣであり、ＡＦＥ２１０−１〜Ｎの出力信号を順番にサンプリングして時分割処理によりそれぞれデジタル信号に変換する。すなわち、ＡＤＣ２２０は、センサー２００−１〜Ｎがそれぞれ検出した物理量を表すデジタル値（検出値）を時分割に出力する。このＡＤＣ２２０の出力信号は、センサーモジュール２０の出力信号２２としてマイクロコンピューター１０に送信される。

なお、センサーモジュール２０において、ＡＦＥ２１０−１〜Ｎの後段にＮ個のＡＤＣをそれぞれ接続し、センサー２００−１〜Ｎの検出値をマイクロコンピューター１０にパラレルに送信するように構成してもよい。

マイクロコンピューター１０は、処理部１００を含む。処理部１００は、ＲＡＭ３０に書き込まれたｎ個（ｎ≧１）のセンサーパラメーター１〜ｎに基づいて、センサー２００−１〜Ｎに関連する処理を行う。

例えば、処理部１００は、データ補正部１１０やデータ演算部１２０を含んで構成されていてもよい。データ補正部１１０は、センサーモジュール２０が出力するデジタル信号２２（ＡＤＣ２２０の出力信号であり、センサー２００−１〜Ｎの検出値が時分割に含まれる）を受け取り、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーター１〜ｎの少なくとも一部を用いてセンサー２００−１〜Ｎの検出値を補正する。

具体的には、データ補正部１１０は、内部に不図示のループカウンターを持っており、そのカウント値に応じて、デジタル信号２２に含まれる各検出値が、センサー２００−１〜Ｎのいずれによる検出値であるかを判断する。そして、データ補正部１１０は、センサー２００−１〜Ｎの検出値を、センサーパラメーター１〜ｎの一部又は全部を用いて補正する。

例えば、データ補正部１１０は、センサー２００−１〜Ｎの検出値に、Ｎ個のオフセット補正パラメーターでそれぞれ指定される値を加算又は減算することでセンサー２００−１〜Ｎのバイアスオフセット（０点オフセット）を補正する。また、例えば、データ補正部１１０は、不図示の温度センサーにより得られるセンサー２００−１〜Ｎの周辺温度とＮ個の温度補正パラメーターを用いてセンサー２００−１〜Ｎの温度特性による検出値の誤差を補正する。

データ演算部１２０は、データ補正部１１０により補正されたデジタル信号１１２（センサー２００−１〜Ｎの検出値を補正したＮ個の検出値が順番に時分割に含まれる）を受け取り、この補正後のＮ個の検出値を用いて、所定のデータ演算の処理を行う。例えば、センサー２００−１〜３により３軸ジャイロセンサー（角速度センサー）が構成され、センサー２００−４〜６により３軸加速度センサーが構成され、センサー２００−７が温度センサーである場合、データ演算部１２０は、３軸ジャイロセンサーが検出した角速度ベクトルや３軸加速度センサーが検出した加速度ベクトルをそれぞれ補正した角速度ベクトルや加速度ベクトルを受け取ってセンシング装置１の姿勢角や位置を算出する処理を行う。このデータ演算部１２０の出力信号は、マイクロコンピューター１０の出力信号１２として出力部６０に送信され、出力信号６２としてセンシング装置１の外部に出力される。

また、マイクロコンピューター１０は、メモリー制御部１３０を含む。メモリー制御部１３０は、ＲＯＭ４０からセンサーパラメーター１〜ｎを読み出してＲＡＭ３０に書き込んだ後、所与のタイミングで、ＲＯＭ４０からセンサーパラメーター１〜ｎを読み出してＲＡＭ３０に上書きする処理（以下、リフレッシュ処理という）を行う。

さらに、マイクロコンピューター１０は、レジスター部１４０を含む。レジスター部１４０には各種の設定レジスターが含まれており、これらの設定レジスターの設定値に応じて、処理部１００（データ補正部１１０、データ演算部１２０等）やメモリー制御部１３０の動作が制御される。

特に本実施形態では、レジスター部１４０には、リフレッシュ処理の各種設定を行うためのリフレッシュ設定レジスター１４２が含まれている。このリフレッシュ設定レジスター１４２は、少なくとも、リフレッシュ処理を許可するか否か（リフレッシュ機能のオン／オフ）を表すリフレッシュ許可ビット（リフレッシュ許可情報の一例）と、リフレッシュ周期を表すリフレッシュ周期ビット（リフレッシュ周期情報の一例）とを含んで構成されている。

そして、メモリー制御部１３０は、レジスター部１４０からリフレッシュ設定レジスター１４２のリフレッシュ許可ビットを受け取り、当該リフレッシュ許可ビットによりリフレッシュ処理が許可されている場合（リフレッシュ機能がオンの場合）にリフレッシュ処理を行う。

また、メモリー制御部１３０は、レジスター部１４０からリフレッシュ設定レジスター１４２のリフレッシュ周期ビットを受け取り、当該リフレッシュ周期ビットに応じた一定周期でリフレッシュ処理を繰り返し行う。

［データ生成タイミング］
図３は、本実施形態のセンシング装置におけるデータ生成処理のタイミングの一例を示すタイミングチャート図である。

図３に示すように、時刻ｔ_０〜ｔ_１において、センサーモジュール２０の出力信号２２（ＡＤＣ２２０の出力信号）はセンサー２００−１の検出値を表すデータＡ０_１になり、時刻ｔ_１〜ｔ_２において、マイクロコンピューター１０のデータ補正部１１０の出力信号１１２はデータＡ０_１を補正したデータＢ０_１になる。

また、時刻ｔ_１〜ｔ_２において、センサーモジュール２０の出力信号２２はセンサー２００−２の検出値を表すデータＡ０_２になり、時刻ｔ_２〜ｔ_３において、データ補正部１１０の出力信号１１２はデータＡ０_２を補正したデータＢ０_２になる。

同様の処理を繰り返し、時刻ｔ_３〜ｔ_４において、センサーモジュール２０の出力信号２２はセンサー２００−Ｎの検出値を表すデータＡ０_Ｎになり、時刻ｔ_４〜ｔ_５において、データ補正部１１０の出力信号１１２はデータＡ０_Ｎを補正したデータＢ０_Ｎになる。

時刻ｔ_５〜ｔ_８において、マイクロコンピューター１０のデータ演算部１２０がデータＢ０_１〜Ｂ０_Ｎを用いて所定の演算処理を行ってデータＣ０を生成し、マイクロコンピューター１０の出力信号１２はデータＣ０になる。

時刻ｔ_６〜ｔ_９において、出力部６０の出力信号６２がデータＣ０になり、センシング装置１の後段に接続される不図示の外部装置により、時刻ｔ_７における外部サンプリングクロックの立ち上がりでデータＣ０がサンプリングされる。

同様に、時刻ｔ_４〜ｔ_７において、センサーモジュール２０の出力信号２２は、順に、センサー２００−１〜Ｎの検出値を表すデータＡ１_１〜Ａ１_Ｎになり、時刻ｔ_５〜ｔ_８において、データ補正部１１０の出力信号１１２は、順に、データＡ１_１〜Ａ１_Ｎをそれぞれ補正したデータＢ１_１〜Ｂ１_Ｎになる。そして、時刻ｔ_８〜ｔ_１１において、マイクロコンピューター１０の出力信号１２はデータＣ１になり、時刻ｔ_９〜ｔ_１２において、出力部６０の出力信号６２がデータＣ１になり、時刻ｔ_１０における外部サンプリングクロックの立ち上がりで、外部装置によりデータＣ１がサンプリングされる。

同様に、時刻ｔ_７〜ｔ_１０において、センサーモジュール２０の出力信号２２は、順に、センサー２００−１〜Ｎの検出値を表すデータＡ２_１〜Ａ２_Ｎになり、時刻ｔ_８〜ｔ_１１において、データ補正部１１０の出力信号１１２は、順に、データＡ２_１〜Ａ２_Ｎをそれぞれ補正したデータＢ２_１〜Ｂ２_Ｎになる。そして、時刻ｔ_１１〜ｔ_１４において、マイクロコンピューター１０の出力信号１２はデータＣ２になり、時刻ｔ_１２〜ｔ_１５において、出力部６０の出力信号６２がデータＣ２になり、時刻ｔ_１３における外部サンプリングクロックの立ち上がりで、外部装置によりデータＣ２がサンプリングされる。

以降は、センサー２００−１〜Ｎの検出値に対して同様の処理が行われる。

図３のタイミングチャートでは、外部サンプリングクロックの１周期（外部サンプリング周期）において、Ｎ個のセンサー２００−１〜Ｎの検出値（例えば、Ａ０_１〜Ａ０_Ｎ）に基づいて１つのデータ（例えば、Ｃ０）が生成されている。つまり、外部サンプリング周期はクロック信号９０の周期のＮ倍になっている。

リフレッシュ設定レジスター１４２のリフレッシュ周期ビットにより、リフレッシュ周期を外部サンプリング周期以下に設定してもよい。例えば、外部装置が６０Ｈｚや１２０Ｈｚでディスプレイ画面を書き換える処理を行う装置であり、外部サンプリング周期が１／６０秒や１／１２０秒であれば、リフレッシュ周期を１／６０秒以下や１／１２０秒以下に設定してもよい。

［リフレッシュ処理］
図４は、第１実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図である。

図４に示すように、センシング装置１の電源がオンになると、メモリー制御部１３０は、ｋ＝１に設定して（ステップＳ２０）ＲＯＭ４０からセンサーパラメーターｋを読み出し（ステップＳ３０）、読み出したセンサーパラメーターｋをＲＡＭ３０に書き込む（ステップＳ４０）。

そして、ｋ＝ｎになるまで（ステップＳ５０でＹになるまで）ｋを１ずつ増やして（ステップＳ６０）ステップＳ３０とＳ４０の処理を繰り返し行う。ｋ＝ｎになると（ステップＳ５０のＹ）、ＲＡＭ３０には、センサーパラメーター１〜ｎが書き込まれている。

このステップＳ２０〜Ｓ６０の処理は、ＲＡＭ３０の初期化処理に相当する。

次に、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ設定レジスター１４２のリフレッシュ許可ビットが０（不許可）か１（許可）かによりリフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

リフレッシュ機能がオンであれば（ステップＳ７０のＹ）、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ設定レジスター１４２のリフレッシュ周期ビットで設定されているリフレッシュ周期Ｔ_１の計測を開始する（ステップＳ８０）。

次に、メモリー制御部１３０は、ｋ＝１に設定して（ステップＳ９０）ＲＯＭ４０からセンサーパラメーターｋを読み出し（ステップＳ１００）、読み出したセンサーパラメーターｋをＲＡＭ３０に上書きする（ステップＳ１１０）。

そして、メモリー制御部１３０は、ｋ＝ｎになるまで（ステップＳ１２０でＹになるまで）ｋを１ずつ増やして（ステップＳ１３０）ステップＳ１００とＳ１１０の処理を繰り返し行う。ｋ＝ｎになると（ステップＳ１２０のＹ）、ＲＡＭ３０には、センサーパラメーター１〜ｎが上書きされている。

このステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理は、リフレッシュ処理に相当する。

リフレッシュ周期Ｔ_１が経過し（ステップＳ１４０のＹ）、電源がオフでなければ（ステップＳ１５０のＮ）、メモリー制御部１３０は、再びリフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

そして、リフレッシュ機能がオンであれば（ステップＳ７０のＹ）、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ周期Ｔ_１の計測を開始し（ステップＳ８０）、再びリフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）を行う。

以降は、電源がオフになるまで（ステップＳ１５０でＹになるまで）、リフレッシュ機能がオンであれば（ステップＳ７０のＹ）一定周期Ｔ_１でリフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）が繰り返し行われる。

以上に説明した第１実施形態のセンシング装置によれば、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーター１〜ｎは、リフレッシュ処理によりＲＯＭ４０に記憶されているセンサーパラメーター１〜ｎで上書きされるので、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーターが破壊されても、次のリフレッシュ処理の後は、処理部１００が正常な処理を行うことができる。従って、第１実施形態のセンシング装置によれば、センサーパラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができる。

また、第１実施形態のセンシング装置によれば、リフレッシュ処理を一定周期Ｔ_１で繰り返し行うことにより、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーターのデータ破壊が生じた場合に、異常な処理結果が生じる期間をリフレッシュ処理の１周期Ｔ_１以内におさめることができる。

さらに、第１実施形態のセンシング装置によれば、リフレッシュ設定レジスター１４２のリフレッシュ周期ビットの設定値を変更することにより、センシング装置の使用環境や要求精度等に応じた適切な周期でリフレッシュ処理が行われるようにすることができる。例えば、第１実施形態のセンシング装置によれば、リフレッシュ周期Ｔ_１を外部サンプリング周期以下に設定することで、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーターのデータ破壊が生じた場合に、外部装置が受け取る異常なデータを１サンプルだけに限定することができる。

（２）第２実施形態
［構成］
第２実施形態のセンシング装置の全体構成は図１と同様であるため、その図示及び説明を省略する。また、第２実施形態におけるマイクロコンピューター１０とセンサーモジュール２０の構成も図２に示した構成と同様であるので、その図示と説明を省略する。ただし、第２実施形態では、メモリー制御部１３０によるリフレッシュ処理が第１実施形態と異なるので、この相違点についてのみ説明する。

第２実施形態のメモリー制御部１３０は、ＲＯＭ４０からセンサーパラメーターｋを読み出すとともにＲＡＭ３０からセンサーパラメータｋを読み出して両者が一致するか否かを判定する判定処理をｋ＝１から順番に行い、一致しないセンサーパラメーターｍが見つかった場合には、残りのセンサーパラメーターｍ＋１〜ｎについては判定処理を行わずにすべてのセンサーパラメーター１〜ｎについてリフレッシュ処理を行う。

［リフレッシュ処理］
図５は、第２実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図である。図５において、図４と同様の処理を行うステップには同じ符号を付しており、その説明を省略又は簡略する。

図５に示すように、センシング装置１の電源がオンになると、メモリー制御部１３０は、ＲＡＭ３０の初期化処理（ステップＳ２０〜Ｓ６０の処理）を行う。

次に、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ機能がオンかオフかを判定し（ステップＳ７０）、オンであれば（ステップＳ７０のＹ）リフレッシュ周期Ｔ_１の計測を開始する（ステップＳ８０）。

次に、メモリー制御部１３０は、ｋ＝１に設定して（ステップＳ８１）ＲＯＭ４０からセンサーパラメーターｋを読み出し（ステップＳ８２）、さらに、ＲＡＭ３０からセンサーパラメーターｋを読み出す（ステップＳ８３）。

そして、メモリー制御部１３０は、ＲＯＭ４０から読み出したセンサーパラメーターｋとＲＡＭ３０から読み出したセンサーパラメーターｋが一致するか否かを判定し（ステップＳ８４）、両者が一致する場合は（ステップＳ８４のＹ）、ｋ＝ｎでなければ（ステップＳ８５のＮ）ｋを１だけ増やして（ステップＳ８６）、再びステップＳ８２〜Ｓ８４の処理を行う。

ステップＳ８４の判定処理で不一致（ステップＳ８４のＮ）となるセンサーパラメーターｋが１つでも見つかれば、メモリー制御部１３０は、ｎ個の（すべての）センサーパラメーター１〜ｎを対象としてリフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）を行う。

一方、ステップＳ８４の判定処理で不一致（ステップＳ８４のＮ）となるセンサーパラメーターｋが見つからなければ（ステップＳ８５のＹ）、リフレッシュ周期Ｔ_１が経過し（ステップＳ１４０のＹ）、電源がオフでなければ（ステップＳ１５０のＮ）、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）を行わずに、再びリフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

以降は、電源がオフになるまで（ステップＳ１５０でＹになるまで）、リフレッシュ機能がオンであれば（ステップＳ７０のＹ）、一定周期Ｔ_１で、ステップＳ８４の判定処理と不一致の場合のリフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）とが繰り返し行われる。

以上に説明した第２実施形態のセンシング装置によれば、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーターの１つでも破壊されていれば、すべてのセンサーパラメーター１〜ｎがリフレッシュ処理によりＲＯＭ４０に記憶されているセンサーパラメーター１〜ｎで上書きされるので、リフレッシュ処理の後は、処理部１００が正常な処理を行うことができる。従って、第２実施形態のセンシング装置によれば、センサーパラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができる。

また、第２実施形態のセンシング装置によれば、ＲＯＭ４０のセンサーパラメーターとＲＡＭ３０のセンサーパラメーターが一致する場合の不要なリフレッシュ処理が行われないようにしてメモリーアクセスに伴う消費電力を低減することができる。

さらに、第２実施形態のセンシング装置によれば、ＲＯＭ４０とＲＡＭ３０で一致しないセンサーパラメーターが１つでも見つかった時点で残りのセンサーパラメーターの判定処理を行わないので、判定処理を高速化することができる。

なお、第１実施形態と共通する効果についてはその記載を省略する。

（３）第３実施形態
［構成］
第３実施形態のセンシング装置の全体構成は図１と同様であるため、その図示及び説明を省略する。また、第３実施形態におけるマイクロコンピューター１０とセンサーモジュール２０の構成も図２に示した構成と同様であるので、その図示と説明を省略する。ただし、第３実施形態では、メモリー制御部１３０によるリフレッシュ処理が第１実施形態と異なるので、この相違点についてのみ説明する。

第３実施形態のメモリー制御部１３０は、ＲＯＭ４０からセンサーパラメーターｋを読み出すとともにＲＡＭ３０からセンサーパラメータｋを読み出して両者が一致するか否かを判定する判定処理をｋ＝１から順番に行い、一致しないセンサーパラメーターｋについてのみリフレッシュ処理を行う。

［リフレッシュ処理］
図６は、第３実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図である。図６において、図４又は図５と同様の処理を行うステップには同じ符号を付しており、その説明を省略又は簡略する。

図６に示すように、センシング装置１の電源がオンになると、メモリー制御部１３０は、ＲＡＭ３０の初期化処理（ステップＳ２０〜Ｓ６０の処理）を行う。

次に、メモリー制御部１３０は、ｋ＝１に設定して（ステップＳ８１）ＲＯＭ４０とＲＡＭ３０からセンサーパラメーターｋを読み出し（ステップＳ８２、Ｓ８３）、ＲＯＭ４０から読み出したセンサーパラメーターｋとＲＡＭ３０から読み出したセンサーパラメーターｋが一致するか否かを判定する（ステップＳ８４）。この両者が一致しない場合は（ステップＳ８４のＮ）、ＲＯＭ４０から読み出したセンサーパラメーターｋをＲＡＭ３０に上書きする（ステップＳ１１０）。

そして、メモリー制御部１３０は、ｋ＝ｎになるまで（ステップＳ１２０でＹになるまで）ｋを１ずつ増やして（ステップＳ１３０）ステップＳ８２〜Ｓ１１０の処理を繰り返し行う。ｋ＝ｎになると（ステップＳ１２０のＹ）、ＲＡＭ３０には、ステップＳ８４で不一致と判定されたセンサーパラメーターのみが上書きされている。

リフレッシュ周期Ｔ_１が経過し（ステップＳ１４０のＹ）、電源がオフでなければ（ステップＳ１５０のＮ）、メモリー制御部１３０は、再び、リフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

以降は、電源がオフになるまで（ステップＳ１５０でＹになるまで）、リフレッシュ機能がオンであれば（ステップＳ７０のＹ）一定周期Ｔ_１でリフレッシュ処理（ステップＳ８１〜Ｓ１３０の処理）が繰り返し行われる。

以上に説明した第３実施形態のセンシング装置によれば、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーター１〜ｎのうち破壊されたすべてのセンサーパラメーターがリフレッシュ処理によりＲＯＭ４０に記憶されているセンサーパラメーターで上書きされるので、リフレッシュ処理の後は、処理部１００が正常な処理を行うことができる。従って、第３実施形態のセンシング装置によれば、センサーパラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができる。

また、第３実施形態のセンシング装置によれば、ＲＯＭ４０のセンサーパラメーターとＲＡＭ３０のセンサーパラメーターが一致する場合の不要なリフレッシュ処理が行われないようにしてメモリーアクセスに伴う消費電力を低減することができる。

さらに、第３実施形態のセンシング装置によれば、ＲＯＭ４０とＲＡＭ３０で一致しないセンサーパラメーターのみがリフレッシュ処理の対象となるので、リフレッシュ処理を高速化するとともにメモリーアクセスに伴う消費電力を低減することができる。

（４）第４実施形態
［構成］
第４実施形態のセンシング装置の全体構成は図１と同様であるため、その図示及び説明を省略する。また、第４実施形態におけるマイクロコンピューター１０とセンサーモジュール２０の構成も図２に示した構成と同様であるので、その図示と説明を省略する。ただし、第４実施形態では、メモリー制御部１３０によるリフレッシュ処理が第１実施形態と異なるので、この相違点についてのみ説明する。

第４実施形態のメモリー制御部１３０は、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値を所与の閾値と比較し、比較結果に基づいてリフレッシュ処理を行う。具体的には、メモリー制御部１３０は、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが閾値よりも大きい場合にリフレッシュ処理を行う。

また、第４実施形態では、リフレッシュ設定レジスター１４２は、少なくとも、リフレッシュ許可ビットと、センサー２００−１〜Ｎの検出値と比較する閾値を表す閾値ビットとを含んで構成されている。

［リフレッシュ処理］
図７は、第４実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図である。図７において、図４と同様の処理を行うステップには同じ符号を付しており、その説明を省略又は簡略する。

図７に示すように、センシング装置１の電源がオンになると、メモリー制御部１３０は、ＲＡＭ３０の初期化処理（ステップＳ２０〜Ｓ６０の処理）を行う。

次に、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ機能がオンかオフかを判定し（ステップＳ７０）、オンであれば（ステップＳ７０のＹ）、センサーモジュール２０の出力信号２２に含まれるセンサー２００−１〜Ｎの各検出値の絶対値が、リフレッシュ設定レジスター１４２の閾値ビットで設定されている閾値よりも大きいか否か判定する（ステップＳ７４）。

センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値がすべて閾値以下の場合（ステップＳ７４のＮ）、電源がオフでなければ（ステップＳ１５０のＮ）、メモリー制御部１３０は、再びリフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

一方、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが閾値よりも大きい場合（ステップＳ７４のＹ）、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）を行う。そして、電源がオフでなければ（ステップＳ１５０のＮ）、メモリー制御部１３０は、再びリフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

以降は、電源がオフになるまで（ステップＳ１５０でＹになるまで）、リフレッシュ機能がオンであれば（ステップＳ７０のＹ）、ステップＳ７４の判定処理とセンサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが閾値よりも大きい場合のリフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）が繰り返し行われる。

以上に説明した第４実施形態のセンシング装置によれば、センサーモジュール２０の出力信号２２に順番に周期的に現れるセンサー１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが閾値よりも大きくなれば、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーター１〜ｎのすべてがリフレッシュ処理によりＲＯＭ４０に記憶されているセンサーパラメーターで上書きされるので、リフレッシュ処理の後は、処理部１００が正常な処理を行うことができる。従って、第４実施形態のセンシング装置によれば、センサーパラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができる。

また、第４実施形態のセンシング装置によれば、センサー１〜Ｎの検出値に応じてリフレッシュ処理のタイミングを制御することができる。例えば、センサー１〜Ｎが加速度センサーや角速度センサー等のモーションセンサーであれば、その検出値が比較的大きい場合、すなわち、センシング装置の動き量が比較的大きい場合はノイズも大きくなると考えられるので、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーターのデータ破壊が生じる確率が高くなる。従って、モーションセンサーの検出値の絶対値が閾値よりも大きい場合にリフレッシュ処理を行うことで、センサーパラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができる。

（５）第５実施形態
［構成］
第５実施形態のセンシング装置の全体構成は図１と同様であるため、その図示及び説明を省略する。また、第５実施形態におけるマイクロコンピューター１０とセンサーモジュール２０の構成も図２に示した構成と同様であるので、その図示と説明を省略する。ただし、第５実施形態では、メモリー制御部１３０によるリフレッシュ処理が第１実施形態と異なるので、この相違点についてのみ説明する。

第５実施形態のメモリー制御部１３０は、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値を所与の閾値と比較し、所与の時間にわたる比較結果に基づいてリフレッシュ処理を行う。具体的には、メモリー制御部１３０は、所与の時間継続してセンサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが閾値よりも大きい場合にリフレッシュ処理を行う。

また、第５実施形態では、リフレッシュ設定レジスター１４２は、少なくとも、リフレッシュ許可ビットと、閾値ビットと、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値を閾値と比較する時間を表す比較時間ビットとを含んで構成されている。

［リフレッシュ処理］
図８は、第５実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図である。図８において、図７と同様の処理を行うステップには同じ符号を付しており、その説明を省略又は簡略する。

図８に示すように、センシング装置１の電源がオンになると、メモリー制御部１３０は、ＲＡＭ３０の初期化処理（ステップＳ２０〜Ｓ６０の処理）を行う。

次に、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ機能がオンかオフかを判定し（ステップＳ７０）、オンであれば（ステップＳ７０のＹ）、リフレッシュ設定レジスター１４２の比較時間ビットで設定されている比較時間Ｔ_２の計測を開始する（ステップＳ７２）。

次に、メモリー制御部１３０は、センサーモジュール２０の出力信号２２に含まれるセンサー２００−１〜Ｎの各検出値の絶対値が閾値よりも大きいか否か判定する（ステップＳ７４）。

比較時間Ｔ_２が経過する前に（ステップＳ７６でＹになる前に）センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値がすべて閾値以下になれば（ステップＳ７４のＮ）、電源がオフでなければ（ステップＳ１５０のＮ）、メモリー制御部１３０は、再びリフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

一方、比較時間Ｔ_２が経過するまで（ステップＳ７６でＹになるまで）センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが閾値よりも大きい場合（ステップＳ７４のＹ）、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）を行う。そして、電源がオフでなければ（ステップＳ１５０のＮ）、メモリー制御部１３０は、再びリフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

以降は、電源がオフになるまで（ステップＳ１５０でＹになるまで）、リフレッシュ機能がオンであれば（ステップＳ７０のＹ）、比較時間Ｔ_２の間継続してセンサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが閾値よりも大きければリフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）が繰り返し行われる。

以上に説明した第５実施形態のセンシング装置によれば、センサーモジュール２０の出力信号２２に順番に周期的に現れるセンサー１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが閾値よりも大きい状態が比較時間Ｔ_２以上継続すれば、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーター１〜ｎのすべてがリフレッシュ処理によりＲＯＭ４０に記憶されているセンサーパラメーターで上書きされるので、リフレッシュ処理の後は、処理部１００が正常な処理を行うことができる。従って、第５実施形態のセンシング装置によれば、センサーパラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができる。

なお、第１実施形態又は第４実施形態と共通する効果についてはその記載を省略する。

（６）第６実施形態
［構成］
第６実施形態のセンシング装置の全体構成は図１と同様であるため、その図示及び説明を省略する。また、第６実施形態におけるマイクロコンピューター１０とセンサーモジュール２０の構成も図２に示した構成と同様であるので、その図示と説明を省略する。ただし、第６実施形態では、メモリー制御部１３０によるリフレッシュ処理が第１実施形態と異なるので、この相違点についてのみ説明する。

第６実施形態のメモリー制御部１３０は、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値を所与の閾値と比較し、比較結果が第１の比較結果であれば、リフレッシュ処理を開始し、比較結果が第２の比較結果になるまでリフレッシュ処理を一定の周期で繰り返し行う。具体的には、メモリー制御部１３０は、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが第１閾値よりも大きい（第１の比較結果の一例）場合にリフレッシュ処理を開始し、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値のすべてが第２閾値よりも小さくなる（第２の比較結果の一例）までリフレッシュ処理を一定の周期で繰り返し行う。ここで、第１閾値と第２閾値は同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。例えば、第２閾値を第１閾値よりも小さくすることで、センサーパラメーター１〜ｎの定期的なリフレッシュ処理の開始条件と停止条件の判定にヒステリシスを持たせることができる。

また、第６実施形態では、リフレッシュ設定レジスター１４２は、少なくとも、リフレッシュ許可ビットと、リフレッシュ周期ビットと、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値と比較する第１閾値を表す第１閾値ビットと、センサー２００−１〜Ｎの検出値と比較する第２閾値を表す第２閾値ビットとを含んで構成されている。

［リフレッシュ処理］
図９は、第６実施形態におけるリフレッシュ処理の手順を示すフローチャート図である。図９において、図４又は図７と同様の処理を行うステップには同じ符号を付しており、その説明を省略又は簡略する。

図９に示すように、センシング装置１の電源がオンになると、メモリー制御部１３０は、ＲＡＭ３０の初期化処理（ステップＳ２０〜Ｓ６０の処理）を行う。

次に、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ機能がオンかオフかを判定し（ステップＳ７０）、オンであれば（ステップＳ７０のＹ）、センサーモジュール２０の出力信号２２に含まれるセンサー２００−１〜Ｎの各検出値の絶対値が、リフレッシュ設定レジスター１４２の第１閾値ビットで設定されている第１閾値よりも大きいか否か判定する（ステップＳ７８）。

センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値がすべて第１閾値以下の場合（ステップＳ７８のＮ）、電源がオフでなければ（ステップＳ１５０のＮ）、メモリー制御部１３０は、再びリフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

一方、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが第１閾値よりも大きい場合（ステップＳ７８のＹ）、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ周期Ｔ_１の計測を開始し（ステップＳ８０）、リフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）を行う。

次に、メモリー制御部１３０は、センサーモジュール２０の出力信号２２に含まれるセンサー２００−１〜Ｎの各検出値の絶対値が、リフレッシュ設定レジスター１４２の第２閾値ビットで設定されている第２閾値よりも小さいか否か判定する（ステップＳ１３２）。

リフレッシュ周期Ｔ_１が経過する前に（ステップＳ１４０でＹになる前に）センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値のすべてが第２閾値よりも小さくなれば（ステップＳ１３２のＹ）、電源がオフでなければ（ステップＳ１５０のＮ）、メモリー制御部１３０は、再び、リフレッシュ機能がオンかオフかを判定する（ステップＳ７０）。

一方、リフレッシュ周期Ｔ_１が経過するまで（ステップＳ１４０のＹになるまで）センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが第２閾値よりも大きい場合は（ステップＳ１３２のＮ）、メモリー制御部１３０は、リフレッシュ周期Ｔ_１の計測を開始し（ステップＳ８０）、再びリフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）を行う。

以降は、電源がオフになるまで（ステップＳ１５０でＹになるまで）、リフレッシュ機能がオンであれば（ステップＳ７０のＹ）、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが第１閾値よりも大きくなる度に、センサー２００−１〜Ｎの検出値の絶対値のすべてが第２閾値よりも小さくなるまで、リフレッシュ処理（ステップＳ９０〜Ｓ１３０の処理）が一定周期Ｔ_１で繰り返し行われる。

以上に説明した第６実施形態のセンシング装置によれば、センサーモジュール２０の出力信号２２に順番に周期的に現れるセンサー１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが第１閾値よりも大きくなれば、ＲＡＭ３０に書き込まれたセンサーパラメーター１〜ｎのすべてがリフレッシュ処理によりＲＯＭ４０に記憶されているセンサーパラメーターで上書きされるので、リフレッシュ処理の後は、処理部１００が正常な処理を行うことができる。従って、第６実施形態のセンシング装置によれば、センサーパラメーターの破壊に起因する性能の劣化を低減することができる。

また、第６実施形態のセンシング装置によれば、センサー１〜Ｎの検出値の絶対値の少なくとも１つが第１閾値よりも大きくなってから、センサー１〜Ｎの検出値の絶対値のすべてが第２閾値よりも小さくなるまでの間だけ、定期的なリフレッシュ処理が行われるようにすることができる。

２．電子機器
図１０は、本実施形態のセンシング装置を含む電子機器の構成例を示す機能ブロック図である。本実施形態の電子機器５００は、センシング装置４００、ホストＣＰＵ３００、操作部３１０、表示部３２０、ＲＯＭ（Read Only Memory）３３０、ＲＡＭ（Random Access Memory）３４０、通信部３５０を含んで構成されている。

ホストＣＰＵ（マイクロコンピューター）３００は、ＲＯＭ３３０に記憶されているプログラムに従って、各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、ホストＣＰＵ３００は、センシング装置４００に対して各種の制御コマンドを送信してセンシング装置４００の動作を制御したり、センシング装置４００からデータを受け取って各種の計算処理をする。また、ホストＣＰＵ３００は、操作部３１０からの操作信号に応じた各種の処理、表示部３２０に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理、外部とデータ通信を行うために通信部３５０を制御する処理等を行う。

操作部３１０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をホストＣＰＵ３００に出力する。

表示部３２０は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等により構成される表示装置であり、ホストＣＰＵ３００から入力される表示信号に基づいて各種の情報（例えば、ナビゲーション情報等）を表示する。

ＲＯＭ３３０は、ホストＣＰＵ３００が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムや、各種のアプリケーションプログラムやデータ等（例えば、ナビゲーションや姿勢制御を行うためのプログラムやデータ等）を記憶している。

ＲＡＭ３４０は、ホストＣＰＵ３００の作業領域として用いられ、ＲＯＭ３３０から読み出されたプログラムやデータ、操作部３１０から入力されたデータ、ホストＣＰＵ３００が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。

通信部３５０は、ＣＰＵ３００と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。

センシング装置４００は、例えば、前述した第１〜第６実施形態のセンシング装置のいずれかであり、所与のタイミングで、センシング装置４００の内部ＲＡＭのセンサーパラメーターが内部ＲＯＭのセンサーパラメーターで上書きされる。このセンシング装置４００を組み込むことにより、より信頼性の高い電子機器を実現することができる。

なお、電子機器５００としては、ゲームコントローラや３次元マウス等の入力機器、ラジコンヘリ等の玩具、ロボット、航法装置（ナビゲーション装置）、携帯電話機、モバイルパソコン等の種々の電子機器が挙げられる。

なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。

例えば、矛盾のない限り、第２〜第６実施形態を任意に組み合わせたセンサー装置に変形してもよい。例えば、第４〜第６実施形態のいずれかのリフレッシュ処理を、第２実施形態又は第３実施形態におけるＲＡＭ３０とＲＯＭ４０のセンサーパラメーターの一致判定処理及びリフレッシュ処理に置き換えたセンサー装置に変形してもよい。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

１センシング装置、１０マイクロコンピューター、１２マイクロコンピューターの出力信号、２０センサーモジュール、２２センサーモジュールの出力信号、３０ランダムアクセスメモリー（ＲＡＭ）、４０リードオンリーメモリー（ＲＯＭ）、５０入力部、６０出力部、６２センシング装置の出力信号、７０電源生成部、８０バス、９０クロック信号、１００処理部、１１０データ補正部、１１２データ補正部の出力信号、１２０データ演算部、１３０メモリー制御部、１４０レジスター部、１４２リフレッシュ設定レジスター、２００−１〜Ｎセンサー、２１０−１〜Ｎアナログフロントエンド（ＡＦＥ）、２２０アナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）、３００ホストＣＰＵ、３１０操作部、３２０表示部、３３０ＲＯＭ、３４０ＲＡＭ、３５０通信部、４００センシング装置、５００電子機器

Claims

センサーと、
前記センサーに関連付けられるパラメーターを記憶した不揮発性の第１のメモリーと、
第２のメモリーと、
前記第１のメモリーから前記パラメーターを読み出して前記第２のメモリーに書き込んだ後、所与のタイミングで、前記第１のメモリーから前記パラメーターを読み出して前記第２のメモリーに上書きするリフレッシュ処理を行うメモリー制御部と、
前記第２のメモリーに書き込まれた前記パラメーターに基づいて、前記センサーの信号処理を行う処理部と、を含む、センシング装置。
請求項１において、
前記センシング装置は、さらにレジスター部を含み、
前記メモリー制御部は、前記レジスター部から前記リフレッシュ処理の周期に関するリフレッシュ周期情報を受け取り、当該リフレッシュ周期情報に応じた周期で前記リフレッシュ処理を行う、センシング装置。
請求項２において、
前記センシング装置は、前記処理部からの出力データを外部に出力する出力部をさらに含み、
前記リフレッシュ処理の周期が、前記出力データを外部装置がサンプリングする周期以下である、センシング装置。
請求項１において、
前記メモリー制御部は、
前記センサーの検出値を所与の閾値と比較し、比較結果に基づいて前記リフレッシュ処理を行う、センシング装置。
請求項４において、
前記メモリー制御部は、
前記比較結果において、所与の時間にわたって前記センサーの検出値が前記閾値より大きい状態が継続する場合に前記リフレッシュ処理を行う、センシング装置。
請求項４において、
前記メモリー制御部は、
前記比較結果が第１の比較結果であれば、前記リフレッシュ処理を開始し、前記比較結果が第２の比較結果になるまで前記リフレッシュ処理を一定の周期で繰り返し行う、センシング装置。
請求項１において、
前記メモリー制御部は、
前記第１のメモリーから前記パラメーターを読み出すとともに前記第２のメモリーから前記パラメーターを読み出して両者が一致するか否かを判定する判定処理を行い、一致しない場合に前記リフレッシュ処理を行う、センシング装置。
請求項７において、
前記第１のメモリーは、
複数の前記パラメーターが記憶され、
前記メモリー制御部は、
前記複数のパラメーターの少なくとも一つについて前記判定処理を行い、一致しないパラメーターが見つかった場合には、残りのパラメーターについては前記判定処理を行わずにすべてのパラメーターについて前記リフレッシュ処理を行う、センシング装置。
請求項７において、
前記第１のメモリーは、
複数の前記パラメーターが記憶され、
前記メモリー制御部は、
前記複数のパラメーターの各々について前記判定処理を行い、一致しないパラメーターについて前記リフレッシュ処理を行う、センシング装置。
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記メモリー制御部は、
前記リフレッシュ処理を許可するか否かに関するリフレッシュ許可情報を受け取り、当該リフレッシュ許可情報により前記リフレッシュ処理が許可されている場合に前記リフレッシュ処理を行う、センシング装置。
請求項１乃至１０のいずれかに記載のセンシング装置を含む、電子機器。