JP2012009514A - プラズマcvd成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の2次元画像を取得し、この2次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、2次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。
【選択図】図1
Description
図1は本発明のプラズマCVD成膜装置の構成を説明するための概略図である。
膜厚分布に基づいて成膜部11を制御することによって膜厚を均一化する。成膜装置は、成膜プロセスを繰り返すと、真空チャンバ内部の着膜状態が変化し、同一の成膜条件であっても膜厚分布が変化する。
平均膜厚に基づいて成膜部11を制御することによって膜厚の再現性向上を図る。成膜装置は、成膜プロセスを繰り返すと、同じ成膜条件であっても、成膜レートが変化し、平均膜厚が変化する。
パーティクル情報の基板位置情報に基づいてロード部10を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減し歩留まりを改善する。成膜装置は、成膜プロセスを繰り返すと、真空チャンバ内部の壁面や電極に薄膜が付着し、着膜量が一定量を越えると超えると、着膜が剥離してパーティクルとして基板上に載り、不良製品となる。
2 基板
3 基板配置部材
10 ロード部
11 成膜部
12 アンロード部
13 基板搬送部
14 撮像部
14a 光源
14b 受光器
15 画像処理部
16 基板検査部
16A 膜厚測定部
16B パーティクル検出部
16C 欠陥検査部
17 制御部
17A 成膜制御部
17B 基板配置位置制御部
17C メンテナンス制御部
17D 欠陥制御部
Claims (8)
- プラズマCVDによって基板上に成膜する成膜部と、
複数の基板を基板配置部材上に配置し、当該基板を基板配置部材と共に前記成膜部に導入するロード部と、
前記成膜部から前記基板配置部材を導出し、当該基板配置部材から成膜された基板を取り出すアンロード部と、
前記アンロード部から取り出した各基板の二次元画像を撮像する撮像部と、
前記撮像部で取得した二次元画像に基づいて、各基板の基板情報を取得する基板検査部と、
前記基板検査部で取得した基板情報に基づいて前記成膜部およびロード部を制御する制御部とを備え、
前記基板情報は、基板上に成膜された膜の膜厚情報であり、
前記成膜部は、
複数の基板を基板配置部材上に配置した状態で収納する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内を真空排気する排気部と、
前記真空チャンバ内に成膜ガスを供給するガス供給部と、
前記真空チャンバ内にプラズマを生成する高周波電極と、
前記高周波電極に高周波電力を印加する高周波電源とを備え、
前記真空チャンバ内で生成したプラズマにより基板配置部材上に配置した基板を成膜し、
前記撮像部は、
成膜された基板に異なる複数の波長を含む光を照射し、当該光照射によって前記基板の膜から反射される反射光を受光し、波長を異にする複数波長の反射光強度によって二次元画像を取得し、
前記基板検査部は、前記二次元画像に基づいて、異なる波長の反射光強度の比較により前記基板上の成膜された膜厚情報を取得する膜厚測定部を備え、
前記制御部は、
前記膜厚測定部で得た膜厚情報に基づいて前記成膜部で行う成膜処理の成膜条件を制御する成膜制御部を備えることを特徴とするプラズマCVD成膜装置。 - 前記基板情報は、前記基板配置部材上においてパーティクルが付着した基板のパーティクル情報を含み、
前記基板検査部は、前記二次元画像に基づいて、前記反射光強度の二次元分布により前記基板上に付着するパーティクルのパーティクル情報を取得するパーティクル検出部を有し、
前記パーティクル情報は、基板配置部材上においてパーティクルが検出される基板位置情報を有し、
前記制御部は、前記パーティクル検出部で得たパーティクル情報の基板位置情報に基づいて、前記ロード部において基板配置部材上に配置する各基板の配置位置を制御する基板配置位置制御部を備えることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマCVD成膜装置。 - 前記成膜制御部が制御する成膜条件は、
真空チャンバのチャンバ圧力、高周波電極に印加する高周波電力の供給電力量および供給時間を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載のプラズマCVD成膜装置。 - 前記膜厚情報は、
基板配置部材上に配置される各基板の膜厚の膜厚分布と、
基板配置部材上に配置される全基板の平均膜厚であり、
前記成膜制御部は、
前記真空チャンバのチャンバ圧力の成膜条件の制御を、前記排気部と前記ガス供給部の少なくとも何れか一方を前記膜厚分布に基づいて制御することによって行い、
前記高周波電極に印加する高周波電力の供給電力量および又は供給時間の成膜条件の制御を、前記高周波電源を前記平均膜厚に基づいて制御することによって行うことを特徴とする、請求項1から3の何れか一つに記載のプラズマCVD成膜装置。 - 前記基板配置位置制御部は、
基板配置部材上に基板を配置する制御において、前記パーティクル位置情報の前記基板位置情報に基づいて、基板配置部材上の当該基板位置に対する基板の配置を制限することを特徴とする、請求項2から4の何れか一つに記載のプラズマCVD成膜装置。 - 前記パーティクル情報は、パーティクルの発生頻度情報を有し、
前記制御部は、前記パーティクル検出部で得たパーティクル情報のパーティクルの発生頻度情報に基づいて成膜部のメンテナンスを指示するメンテナンス制御部を備えることを特徴とする、請求項2から5の何れか一つに記載のプラズマCVD成膜装置。 - 前記制御部は、
前記発生頻度情報に基づいて、パーティクルの発生頻度と予め定めたしきい値とを比較し、
パーティクルの発生頻度が小さい場合には、前記基板配置位置制御部により基板配置部材上の基板の配置位置を制御し、
パーティクルの発生頻度が大きい場合には、前記メンテナンス制御部により成膜部のメンテナンス指示を制御することを特徴とする、請求項6に記載のプラズマCVD成膜装置。 - 前記パーティクルの発生頻度は、
基板配置部材上においてパーティクルが発生する基板の枚数、又は、基板配置部材上に配置される基板の枚数に対するパーティクルが発生する基板の枚数の比率であることを特徴とする、請求項7に記載のプラズマCVD成膜装置。
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