JP2011523165A - ランプデバイス - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 209
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 69
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 31
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N barium sulfide Chemical compound [S-2].[Ba+2] CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ARSLNKYOPNUFFY-UHFFFAOYSA-L barium sulfite Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])=O ARSLNKYOPNUFFY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075616 europium oxide Drugs 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
ランプデバイスは電圧が印加された時点で一次放射線を発出する発光体(40;94)と、少なくとも部分的に発光体(40;94)をとり囲み、一時放射線と相互作用する固体粒子(64、66)とを有する。粒子(64、66)の粒子数密度が、第1の粒子数密度から第2の粒子数密度まで、発光体(40;94)から遠ざかる少なくとも1つの方向で変化している。
Description
本発明は、
a)電圧が印加された時点で一次放射線を発出する発光体と;
b)少なくとも部分的に発光体をとり囲み、一時放射線と相互作用する固体粒子と;
を有するランプデバイスに関する。
a)電圧が印加された時点で一次放射線を発出する発光体と;
b)少なくとも部分的に発光体をとり囲み、一時放射線と相互作用する固体粒子と;
を有するランプデバイスに関する。
このようなランプデバイスは、市場で公知であり、発光半導体構造を伴うLEDは発光体としての使用が増加している。一次放射線と相互作用する固体粒子として、詳細には、それ自体公知である発光材料粒子が使用され、これらの粒子は色中心を有する透明材料から製造され、これらの粒子を打撃する放射線を吸収し、かつこれらの粒子は少なくとも1つの異なる波長内で二次放射線として放射線を発出する。こうして、発光材料粒子または発光材料粒子混合物を適切に選択することで、発光体により発出される放射線を、異なるスペクトルをもつ放射線へと転換させることができる。ここで、一次放射線と相互作用する異なる種類の固体粒子は、例えば、これらの粒子を打撃する放射線を反射し散乱させることのできる反射粒子であり得る。
上述の種類の公知のランプデバイスは、多くの場合、これらのデバイスが発出する光のために120℃〜160℃の間の比較的小さい放射角を有する。
上述の種類の公知のランプデバイスは、多くの場合、これらのデバイスが発出する光のために120℃〜160℃の間の比較的小さい放射角を有する。
本発明の目的は、照明効果が改善され、かつ詳細には、放射角が増大されている上述の種類のランプデバイスを作り出すことにある。
この目的は、
c)粒子の粒子数密度が、第1の粒子数密度から第2の粒子数密度まで、発光体から遠ざかる少なくとも1つの方向で変化している、上述の種類のランプデバイスの場合に達成される。
発光体のまわりの一次放射線と相互作用するこのような粒子の分布によって、それ自体実質的に全ての空間方向に光を発出する一種のランプ構造を達成できることが示された。このようにして、ランプデバイスの放射角を増大させることができる。ランプデバイスの光度も同様に増幅される。
粒子数密度は、単位体積あたりの粒子数を表わす。
有利な更なる開発技術は、従属クレーム中に記されている。
c)粒子の粒子数密度が、第1の粒子数密度から第2の粒子数密度まで、発光体から遠ざかる少なくとも1つの方向で変化している、上述の種類のランプデバイスの場合に達成される。
発光体のまわりの一次放射線と相互作用するこのような粒子の分布によって、それ自体実質的に全ての空間方向に光を発出する一種のランプ構造を達成できることが示された。このようにして、ランプデバイスの放射角を増大させることができる。ランプデバイスの光度も同様に増幅される。
粒子数密度は、単位体積あたりの粒子数を表わす。
有利な更なる開発技術は、従属クレーム中に記されている。
粒子が、一次放射線を吸収し二次放射線を発出する発光材料粒子および/または反射粒子、詳細には硫化バリウム、亜硫酸バリウム、硫酸バリウムまたは二酸化チタン粒子を含んでいる場合に有利である。
粒子数密度の変化が減少である場合、詳細には、粒子数密度が均等に減少する場合に、特に強い照明効果が達成される。
a)その他の領域と比べて発光体に最も近くに配置されている第1の領域内に、最大の粒子数密度が存在する場合、および、
b)その他の領域と比べて発光体から最も遠くにある第2の領域内に最小の粒子数密度が存在する場合に、照明効果はさらに一層優れている。
したがってこの場合、粒子数密度は発光体からの距離が増加するにつれて減少する。
a)その他の領域と比べて発光体に最も近くに配置されている第1の領域内に、最大の粒子数密度が存在する場合、および、
b)その他の領域と比べて発光体から最も遠くにある第2の領域内に最小の粒子数密度が存在する場合に、照明効果はさらに一層優れている。
したがってこの場合、粒子数密度は発光体からの距離が増加するにつれて減少する。
最大粒子数密度が最小粒子数密度の5〜10,000倍、好ましくは10〜100倍、さらに好ましくは10〜20倍である場合に、優れた照明効果が達成される。
a)最大粒子数密度が、立方センチメートルあたり粒子500〜20,000個、好ましくは粒子1000〜10,000個、さらに好ましくは粒子5,000〜10,000個の間にあり、かつ
b)最小粒子数密度が、立方センチメートルあたり粒子2〜5,000個、好ましくは粒子2〜2,500個、さらに好ましくは粒子2〜1,000個の間にある、
場合、有利である。
b)最小粒子数密度が、立方センチメートルあたり粒子2〜5,000個、好ましくは粒子2〜2,500個、さらに好ましくは粒子2〜1,000個の間にある、
場合、有利である。
生産工学の観点から見ると、粒子が、キャリア媒質により発光体との相対的位置に保持されていると有利である。
キャリア媒質がシリコーン材料、詳細には弾性シリコーン塊、または樹脂、詳細にはエポキシ樹脂またはポリエステル樹脂であると特に有利であることが示された。
キャリアが占有する体積の形状に応じて、さまざまな照明効果を達成することができる。粒子を伴うキャリア媒質が、円筒形、円錐形または半球形の体積、または円錐台の形をした区分を含み球形区分へと移行する体積を占有していると、優れた照明効果で視覚的に訴えるものとなることが示された。粒子を伴うU字形の体積を占有している場合、特に有利であることが示された。
キャリア媒質がシリコーン材料、詳細には弾性シリコーン塊、または樹脂、詳細にはエポキシ樹脂またはポリエステル樹脂であると特に有利であることが示された。
キャリアが占有する体積の形状に応じて、さまざまな照明効果を達成することができる。粒子を伴うキャリア媒質が、円筒形、円錐形または半球形の体積、または円錐台の形をした区分を含み球形区分へと移行する体積を占有していると、優れた照明効果で視覚的に訴えるものとなることが示された。粒子を伴うU字形の体積を占有している場合、特に有利であることが示された。
発光体を製造するためには、粒子を伴うキャリア媒質がランプデバイスのチャンバ内に配置されていると有利である。
チャンバ壁が少なくとも部分的にガラスまたは合成材料、詳細にはエポキシ樹脂またはポリエステル樹脂製であると有利である。
チャンバ壁が少なくとも部分的にガラスまたは合成材料、詳細にはエポキシ樹脂またはポリエステル樹脂製であると有利である。
多数の気泡がキャリア媒質中に提供されていると、有利な照明効果を達成することができる。
キャリア媒質内の気泡濃度が、1cm3あたり気泡500〜20,000個という値、好ましくは1cm3あたり気泡1,000〜10,000個という値、さらに好ましくは1cm3あたり気泡3,000〜5,000個という値を有すれば有利であることが示されてきた。
好ましくは、気泡は、0.1mm〜0.2mm、好ましくは0.1mm〜1mm、さらに好ましくは0.2mm〜0.5mmの直径を有する。
キャリア媒質内の気泡濃度が、1cm3あたり気泡500〜20,000個という値、好ましくは1cm3あたり気泡1,000〜10,000個という値、さらに好ましくは1cm3あたり気泡3,000〜5,000個という値を有すれば有利であることが示されてきた。
好ましくは、気泡は、0.1mm〜0.2mm、好ましくは0.1mm〜1mm、さらに好ましくは0.2mm〜0.5mmの直径を有する。
粒子を伴うキャリア媒質によって決定され互いから一定の距離を置いて配置されている多数の体積が存在すると、特に優れた照明効果を達成することができる。
粒子を伴うキャリア媒質によって決定され互いから一定の距離を置いて配置されている2つまたは3つの体積が存在すると、極めて実用的であることが示された。
体積が光源の多数の収容領域内に提供されていると、優れた照明特性を有するランプを形成させることができる。
光源が円筒形であり収容領域がその軸に平行なチャンネルの形をしていることもまた、審美的理由から有利である。
粒子を伴うキャリア媒質によって決定され互いから一定の距離を置いて配置されている2つまたは3つの体積が存在すると、極めて実用的であることが示された。
体積が光源の多数の収容領域内に提供されていると、優れた照明特性を有するランプを形成させることができる。
光源が円筒形であり収容領域がその軸に平行なチャンネルの形をしていることもまた、審美的理由から有利である。
発光体が、電圧が印加された時点で光を発出する少なくとも1つの半導体構造を含む場合、低いエネルギー消費量のランプデバイスを製造することができる。このような発光体は、発光ダイオード(LED)の形で公知である。
少なくとも1つの発光半導体構造が、電圧が印加された時点で青色光を発出する場合、それ自体公知であるLEDに戻ることが可能である。粒子は好ましくは、半導体構造によって発出された青色放射線から白色光を生成する発光材料粒子と、粒子を打撃する放射線を伝播させる反射粒子の両方の形をしている。
少なくとも1つの発光半導体構造が、電圧が印加された時点で青色光を発出する場合、それ自体公知であるLEDに戻ることが可能である。粒子は好ましくは、半導体構造によって発出された青色放射線から白色光を生成する発光材料粒子と、粒子を打撃する放射線を伝播させる反射粒子の両方の形をしている。
代替的には、発光体は、少なくとも1つの赤色光半導体構造、少なくとも1つの緑色光半導体構造、および少なくとも1つの青色光半導体構造を含むことができる。この場合、発光材料粒子は無しで済ませることができ、一次放射線と相互作用する粒子として反射粒子のみを使用することができる。
光スペクトルを増大させるために発光体は、少なくとも1つの赤外線半導体構造および/または少なくとも1つの紫外線半導体構造を含むことができる。
優れた照明効果を達成するためには、固体粒子、詳細には発光材料粒子および/または反射粒子が異なる粒子数密度で内部に存在している少なくとも3層が存在しているのが有利である。
以下では、本発明の実施形態を、図面に基づきより詳細に説明する。
図1では、規格化された接続口金12を含むバルブランプは、全体として10という番号で呼称されている。この接続口金12は例えばエジソンねじ込み口金E27またはE11の形をとることができる。例えばバヨネット口金、プラグイン口金、ガラス製ピンチ口金またはそれに類するものなどのその他の規格化された接続口金の全てが具備可能である。
接続口金12の接続部域から、破線で示された2本のワイヤ14、16がその内部を通っている。これらのワイヤは、この接続口金12から、接続口金12により担持されている変圧器ハウジング20の内部に配置された変圧器18まで通じている。変圧器18から、第1の電源ライン22がヒートシンク24を通って、光チップ構成28の第1の接点部域26まで通じている。第2の電源ライン30が、変圧器18からヒートシンク24を通って光チップ構成28の第2の接点部域32まで通じている。
バルブランプ10は、例えばガラスまたはエポキシ樹脂などの半透明材料のバルブ34を含み、このバルブがヒートシンク24と共にバルブランプ10の内部を画定している。バルブランプ10のバルブは、必要な場合、収束レンズの機能を果たすことができる。
光チップ構成28は、4つの半導体構造40a、40b、40cおよび40d(図1に概略的にのみ示されている)を含み、これらの構造は、光チップ構成28の接点部域26および32の間で薄いボンディングワイヤ38a、38b、38c、38dおよび38eを用いて直列に接続されている。これらは、キャリア基板46のくぼみ44の床42の上に配置されている。キャリア基板46は、コランダムガラス(Al2O3ガラス)としても知られるサファイヤガラスでできている。
各半導体構造40は、3つの層を含み、半導体構造40aの場合にのみこれらの層に参照記号が備わっている。キャリア基板46に隣接している底部層48は、例えばn−GaNまたはn−InGaNのn−導電性層である。中間層50は、MQW層である。MQWは「多重量子井戸」の略語である。MQW材料は、超格子構造にしたがって変化しそれに応じて異なる波長の光を発出する電子帯構造を有する超格子を表わす。半導体構造40により発出される放射線のスペクトルは、MQW層の選択により影響される可能性がある。上部層52は、例えばp−GaNなどのp−導電性III−V半導体材料で製造されている。
くぼみ44を半径方向にとり囲むその縁部領域54によって、キャリア基板46は円筒形ハウジング56を担持し、このハウジングは半導体構造40に向かって開放し、キャリア基板46から離れた側で端壁により閉鎖されている。ハウジング56は合成材料で作られ、透明(clear)またはつや消し(mat)で透明(transparent)である。ハウジング56はキャリア基板46と共に、チャンバ60を画定し、キャリア基板46内のくぼみ44は別として、同じく円筒形である。
チャンバ60は、キャリア媒質で満たされており、このキャリア媒質はここで記述される実施形態の場合、弾性シリコーン塊の形で存在する。シリコーン塊62内においては、発光材料粒子64および反射粒子66が分布させられ、シリコーン塊62により、半導体構造40との関係におけるその位置に保持されている。
電圧が印加されると、半導体構造40は紫外線光および420nm〜480nmの波長範囲内の青色光を放射する。半導体構造40と共に発光材料粒子64がシリコーン塊62に包み込みこまれているため、白色光バルブランプ10を得ることができる。発光材料粒子64は、色中心を有する固体材料から製造される。半導体構造40の紫外線および青色一次放射線を白色光に転換させるためには、紫外線および青色光を部分的に吸収し、材料粒子自体が黄色および赤色で発光する3種類の発光材料粒子が使用される。所望の場合、それ自体青色光を発出する付加的な発光材料粒子64を使用することができる。
反射粒子66用の材料としては、詳細には硫化バリウム、亜硫酸バリウム、硫酸バリウムまたは二酸化チタンが該当する。代替的には、反射粒子66用の材料として、酸化スカンジウムまたは硫化亜鉛、およびランタンおよび希土類金属の酸化物、例えば酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウムまたは酸化ルテチウムを使用することができる。
半導体構造40が発出する放射線は、反射粒子66のためにシリコーン塊62の内部を伝播させられる。
発光材料粒子64および反射粒子66の粒子数密度は、ハウジング56の端壁58に向かう方向、すなわち半導体構造40から離れる方向で変化し、この方向に減少する。発光材料粒子64および反射粒子66の最大粒子数密度は、チャンバ60内部で半導体構造40の最も近くに配置されているシリコーン塊62の第一層68内に存在する。発光材料粒子64および反射粒子66の最小粒子数密度は、半導体構造40から最も遠くでハウジング56の端壁58の内側表面に隣接して配置されているシリコーン塊62の第2層70の中に存在する。
発光材料粒子64および反射粒子66の粒子数密度は、ハウジング56の端壁58に向かう方向、すなわち半導体構造40から離れる方向で変化し、この方向に減少する。発光材料粒子64および反射粒子66の最大粒子数密度は、チャンバ60内部で半導体構造40の最も近くに配置されているシリコーン塊62の第一層68内に存在する。発光材料粒子64および反射粒子66の最小粒子数密度は、半導体構造40から最も遠くでハウジング56の端壁58の内側表面に隣接して配置されているシリコーン塊62の第2層70の中に存在する。
第1層68と第2層70の間には、大文字AからKで呼称される中間層が配置され、発光材料粒子64および反射粒子66の粒子数密度は、ハウジング56の端壁58に向かう方向で一層から次の層へと均等に減少する。これは、各層内に示された発光材料粒子64および反射粒子66の数によって例示されている。2つの連続する層68、A〜Kおよび70の間の境界は、各ケースにおいて点線で表わされている。
シリコーン塊62内部の発光材料粒子64および反射粒子66の分布により、変圧器18を介して提供可能な半導体構造40を作動させる電力に応じて、異なる外部輪郭をもつさまざまなランプ構造を生成することができる。これらの構造は、見る者に例えば火炎または光球の印象を与える可能性があり、半導体構造40から出発して形成される。
図1においては、丸い光構造72aおよび火炎様の光構造72bの外部輪郭が、一点鎖線として定型化された形で表わされている。丸い光構造72aは、バルブランプ10のより低い作動電圧で形成され、一方火炎様構造72bはバルブランプ10のより高い作動電圧で発生する。適切に高い作動電圧で、チャンバ60内の実質的にシリコーン塊62全体が点灯する。このときランプ構造の形状は円筒形である。
バルブランプ10の製造においては、チャンバ60に、所望の粒子数密度を得るために必要な数量の発光材料粒子64および反射粒子66および硬化剤と予め混合された比較的低粘度のシリコーン油を層状に充填することができる。このとき、このシリコーン油は、それ自体公知の要領で、弾性シリコーン塊62へと硬化する。第1層が硬化した後、第1層の上に対応した形で、発光材料粒子64および反射粒子66を伴うシリコーン材料62のさらなる層を製造することができる。
チャンバ60にこのような形で充填できるように、チャンバ60が完全に充填された時点で除去または密封される充填用ネックなどを具備することができる。
チャンバ60にこのような形で充填できるように、チャンバ60が完全に充填された時点で除去または密封される充填用ネックなどを具備することができる。
硬化したシリコーン塊62が人間の目にやや乳白色から黄色の透明に見えるように発光材料粒子64および反射粒子66の粒子数密度を選択すると実用的であることが示された。これは、なかでも、発光材料粒子64および反射粒子66の最大粒子数密度が、発光材料粒子64および反射粒子66の最小粒子数密度の5〜10,000倍、好ましくは10〜100倍、さらに好ましくは10〜20倍である場合に達成される。
実際には、発光材料粒子64および反射粒子66の最大粒子数密度は、1立方センチメートルあたり粒子500〜20,000個、好ましくは粒子1,000〜10,000個、さらに好ましくは粒子5,000〜10,000個の間であり得、一方発光材料粒子64および反射粒子66の最小粒子数密度は、1立方センチメートルあたり粒子2〜5,000個、好ましくは粒子2〜2,500個、さらに好ましくは粒子2〜1,000個の間の値を有し得る。
変更態様では、青色光半導体構造40が使用されるばかりでなく、少なくとも1つの赤色光半導体構造40a、1つの緑色光半導体構造40bおよび1つの青色光半導体構造40cの組合せにより白色光が得られ、第4の半導体構造40dは全く使用されない。この場合、シリコーン塊62内の発光材料粒子64を削除することができ、適切な粒子数密度でシリコーン塊62内に反射粒子66のみを分布させることができる。
さらなる変更態様では、キャリア媒質62は、硬化された状態で透明である樹脂、例えばエポキシ樹脂またはポリエステル樹脂製であり得る。この場合、キャリア媒質62の層68、A〜Kおよび70は、液体形状で適用されそれ自体公知の通りに硬化剤が添加され、かつ所望の粒子数密度のために必要な数量の発光材料粒子64および反射粒子66が予め混合されている樹脂の層を硬化させることによって得ることができる。
さらなる変更態様においては、ハウジング56によりチャンバ60を画定することなく、キャリア媒質62はチャンバ60に対応する体積を占有することができる。この目的で、ハウジング56は、キャリア媒質が完全に硬化した後除去され、かくしてキャリア媒質62のための鋳型として使用される。
図2、3および4においては、連帯してチャンバ60を画定するハウジング56の形状に関してのみ図1に示されたバルブランプ10と異なっているバルブランプ10のさらなる実施形態が示されている。明確さを期して、キャリア媒質62の個々の層は、図2、3および4中では個別に参照記号が付されておらず、層の境界を表わす点線も同じく削除されている。以下で別段の説明がないかぎり、図1にしたがってバルブランプ10に関して言及されていることは、図2〜4にしたがったバルブランプ10にも、必要な変更を加えてあてはまる。
図2のバルブランプ10の場合、ハウジング56に代って、円錐形ハウジング74が提供され、こうしてキャリア媒質62は、キャリア基板46中のくぼみ44を除いて円錐形であるチャンバ76内部の円錐形体積を占有することになる。円錐形ハウジング74は、その頂点が半導体構造40から一定の距離のところにくるように配置されている。こうして、適切な作動電圧で、ここで形成されるランプ構造は円錐の形状を有することができる。
図3中のバルブランプ10の場合、ハウジング56に代って、半球形ハウジング78が提供され、こうしてキャリア媒質62は、キャリア基板46中のくぼみ44を除いて半球形であるチャンバ80内部の半球形体積を占有することになる。半球形ハウジング78は、その屈曲が半導体構造40から一定の距離のところにくるように配置されている。こうして、適切な作動電圧で、ここで形成されるランプ構造は半球の形状を有することができる。
図4のバルブランプ10の場合、円錐台の形状を有し球形区分82bに移行する区分82aを含むハウジング82がハウジング56の代わりに提供されている。円錐台の形をした区分82aを有するハウジング82は、キャリア基板46の縁部領域54上に載っている。こうしてキャリア媒質62は、キャリア基板46中のくぼみ44を除いて円錐台の形をした領域と半球形領域とを有するチャンバ84内の対応する体積を占有する。こうして、適切な作動電圧で、ここで形成されるランプ構造は対応する形状を有することができる。
図5では、取外し可能なカバー部分88aを伴う球形透明ハウジング88を有するLED86が示されている。ハウジング88はチャンバ90を画定し、このチャンバ内にキャリア基板46に対応するキャリア基板92が配置され、半導体素子40に対応する半導体素子94を担持している。キャリア基板92は第1の端子96によって保持されており、カバー部分88aを通って外向きに延在しカバー部分88aに不動状態で連結されている。第2の端子98は、それが永久的に連結されているハウジング88のカバー部分88aを通してLED86のチャンバ90から外に同様の形で延在する。LED86の場合、ハウジング88は、図1〜4に従ったバルブランプ10の場合のチャンバ60の機能を果たす。
半導体素子94は、端子96、98に対しボンディングワイヤ100および102を介して接合され、これらの端子を通して半導体素子に作動電圧を印加することができる。
半導体素子94は、端子96、98に対しボンディングワイヤ100および102を介して接合され、これらの端子を通して半導体素子に作動電圧を印加することができる。
LED86のチャンバ90には、図1〜4に従ったバルブランプ10に関連して以上で説明したとおり、発光材料粒子64および反射粒子66が内部に分布しているキャリア媒質が充填される。
LED86の製造においてキャリア媒質として弾性シリコーン塊が使用される場合、ハウジング88には、カバー部分88aが取外された状態で、所望の粒子数密度を得るために必要な数量の発光材料粒子64および反射粒子66および硬化剤と予め混合された比較的低粘度のシリコーン油を層状に充填することができる。このとき、このシリコーン油は、それ自体公知の要領で、弾性シリコーン塊62へと硬化する。第1層が硬化した後、第1層の上に対応した形で、発光材料粒子64および反射粒子66を伴うシリコーン材料62のさらなる層を製造することができる。この目的で、ハウジング88は、本明細書で具体的に示されていない充填用ネックを有することができる。
LED86では、光は実質的に360°の範囲にわたって発出され得る。
LED86の製造においてキャリア媒質として弾性シリコーン塊が使用される場合、ハウジング88には、カバー部分88aが取外された状態で、所望の粒子数密度を得るために必要な数量の発光材料粒子64および反射粒子66および硬化剤と予め混合された比較的低粘度のシリコーン油を層状に充填することができる。このとき、このシリコーン油は、それ自体公知の要領で、弾性シリコーン塊62へと硬化する。第1層が硬化した後、第1層の上に対応した形で、発光材料粒子64および反射粒子66を伴うシリコーン材料62のさらなる層を製造することができる。この目的で、ハウジング88は、本明細書で具体的に示されていない充填用ネックを有することができる。
LED86では、光は実質的に360°の範囲にわたって発出され得る。
実際には、図1〜4に従ったバルブランプ10の場合にはチャンバ60、76、80、84の、そしてLED86の場合にはチャンバ90の(該当する場合には平均された)直径は、例えば1mm〜300mmの間、好ましくは1mm〜200mmの間、そしてさらに好ましくは3mm〜30mmの間である。実際には、半導体構造40または半導体構造94から出発して、チャンバ60、76、80、84または90の高さは、例えば3mm〜300mmの間、好ましくは3mm〜150mmの間、そしてさらに好ましくは10mm〜60mmの間である。
図6には、別のバルブランプ10が示されている。それは、チャンバ60内の中間層D〜Kにおいて、発光材料粒子64および反射粒子66と共に図6ではそのうちの1つだけに参照記号が付されている気泡104が存在しているという点でのみ、図1に従ったバルブランプ10と異なっている。
各層D〜Kの気泡104は、以上で説明されているように、チャンバ60が層状に充填されている間に生成される。これを行なうことのできる1つの方法は、チャンバが充填される前に、所望の粒子数密度のために必要な数量の発光材料粒子64および反射粒子66が添加され、硬化剤が加えられた比較的低粘度のシリコーン油中で、活発な攪拌ひいては事実上の発泡を行ない、こうして空気が気泡104の形でシリコーン油中に取込まれるようにするというものである。該当する場合、気泡104をまず最初に生成することもでき、その後に初めて、気泡104が付加されたシリコーン油に対し、所望の粒子数密度のために必要な数量の発光材料粒子64および反射粒子66を添加することができる。
各層の内部の気泡104の濃度は、例えば、発泡の活発度または攪拌機または発泡装置のタイプによって影響される。実際には、気泡104の濃度が1cm3あたり気泡500〜20,000個という値、好ましくは1cm3あたり気泡1,000〜10,000個の値、そして特に好ましくは1cm3あたり気泡3,000〜5,000個という値を有すると有利であることが示されてきた。気泡104は、好ましくは約0.1mm〜2mm、好ましくは0.1mm〜1mm、そしてさらに好ましくは0.2mm〜0.5mmの直径を有する。
バルブランプ10のこの実施形態の場合、3つの底部層A、BおよびCにより決定される厚みは、気泡が備わっている層Dが半導体構造40から1mm〜10mmの距離のところに配置されることになるように選択される。
層68、A、B、Cおよび70内には、気泡104は一切提供されていない。しかしながら、1つの変更態様においては、以上で説明した通り、これらの層またはその一部の中に気泡104を入れることができる。
層68、A、B、Cおよび70内には、気泡104は一切提供されていない。しかしながら、1つの変更態様においては、以上で説明した通り、これらの層またはその一部の中に気泡104を入れることができる。
気泡104がシリコーン塊62内に存在する場合、バルブランプ10の異なる照明効果を達成することができるということが示されてきた。
上述の通り、図1〜4および6の対応するバルブランプ10の場合には、発光材料粒子64、反射粒子66および/または気泡104を伴うシリコーン塊62の層68、A〜Kおよび70は、例えばハウジング56、74、78または82に層状に充填し次に光チップ構成28上に硬化済み層68、A〜Kおよび70を設置することなど(なおこの場合、ハウジング56、74、78または82をこの構成と組立てるかまたは予め取外しておくことができる)のさまざまな方法で生成可能である。代替的には、層68、A〜Kおよび70を、それ自体公知である射出成形法を用いて光チップ構成28に直接取付け、そこで硬化させることができる。このタイプの製造は、大量のユニット製造に特に適している。
上述の通り、図1〜4および6の対応するバルブランプ10の場合には、発光材料粒子64、反射粒子66および/または気泡104を伴うシリコーン塊62の層68、A〜Kおよび70は、例えばハウジング56、74、78または82に層状に充填し次に光チップ構成28上に硬化済み層68、A〜Kおよび70を設置することなど(なおこの場合、ハウジング56、74、78または82をこの構成と組立てるかまたは予め取外しておくことができる)のさまざまな方法で生成可能である。代替的には、層68、A〜Kおよび70を、それ自体公知である射出成形法を用いて光チップ構成28に直接取付け、そこで硬化させることができる。このタイプの製造は、大量のユニット製造に特に適している。
層68、A〜Kおよび70の形をしたシリコーン塊62の外部輪郭は、以上で説明したハウジング56、74、78または82により決定されるものに制限されない。異なるハウジングを使用することによって、または射出成形法による個別の形成によって、層68、A〜Kおよび70から結果として得られるシリコーン塊62の外部輪郭を所望の通りに形成させることができる。層68と70の間の層の数も同じく変動し得る。
図7のバルブランプ10の場合、キャリア基板46のくぼみ44は、床42に形成されるのではなくベース106へと変化する。キャリア基板46のくぼみ44から離れた上面106aで、ベースは半導体素子40を担持しており、これらの半導体素子がキャリア媒質62の第1層68と第2層70の間のほぼ中央でチャンバ60内に配置されるような形状となっている。
一変更態様(本明細書では示さず)においては、このとき、発光材料粒子64および/または反射粒子66の粒子数密度は、半導体素子40の位置から出発して、キャリア媒質62の第1層68とその第2層70の両方向に向かって同等に減少し得る。
図8においては、ハウジング56がキャリア基板46および半導体素子40と共にほぼロッド形状のライトフィンガー108を形成しているバルブランプ10が示されている。図示した実施形態の場合、これは、それ自体ヒートシンク24上に取付けられる支持用プレート110上にバルブ34のバルブ軸に沿って配置されている。ライトフィンガー108のキャリア基板46は、図1に従ったバルブランプ10のキャリア基板46に対応するが、キャリア基板46の床42に平行な方向に向かって後者に比べ狭くなっている。ライトフィンガー108のキャリア基板46のくぼみ44の中には、2つの半導体素子40a、40bしか配置されていない。
半導体素子40からの熱の放散を支援するため、ヒートシンク24内にファン112が一体化されている。このファンは、それ自体公知の要領で変圧器18を介してエネルギーの供給を受け、熱を支持用プレート110から離れる方向に導く。
このようなファン112は、本明細書で記述する全ての実施形態の場合に具備することができる。ファン112は恒常な回転速度で作動できる。代替的には、ファン112の回転速度を、半導体素子40における一般的温度に応じて変更することができる。
このようなファン112は、本明細書で記述する全ての実施形態の場合に具備することができる。ファン112は恒常な回転速度で作動できる。代替的には、ファン112の回転速度を、半導体素子40における一般的温度に応じて変更することができる。
図9に示されているバルブランプ10の場合、2本のライトフィンガー108が支持用プレート110上に配置され、変圧器18を介してエネルギーの供給を受けている。
図10に示されている変更態様の場合、このような2つのライトフィンガー108は、連結用ブリッジ114を用いて支持用プレート110から離れたそれらの端部において連結され、この目的で、互いに連結されている2本のライトフィンガー108のハウジング56は、対応するU字形ハウジング116の形に連結される。こうして、図10にしたがったバルブランプ10の場合、キャリア媒質62はほぼU字形の体積を占有する。
図10に示されている変更態様の場合、このような2つのライトフィンガー108は、連結用ブリッジ114を用いて支持用プレート110から離れたそれらの端部において連結され、この目的で、互いに連結されている2本のライトフィンガー108のハウジング56は、対応するU字形ハウジング116の形に連結される。こうして、図10にしたがったバルブランプ10の場合、キャリア媒質62はほぼU字形の体積を占有する。
図11に示されているバルブランプ10の場合、さらなる変更態様として3本のライトフィンガー108が支持用プレート110上に配置されている。3本のライトフィンガー108は任意の形、例えば図11に表わされているように1本の列の形で、正三角形の頂点に、または非対称構成で配置できる。ライトフィンガー108のそれぞれの接点部域26および32までの電源ライン22および30の行程は、明確さを期して図11には示されていない。
図9および11に従ったバルブランプ10は各々キャリア媒質62から形成されている多数の体積およびその中に分布している発光材料粒子64および反射粒子66を含んでいる。これらの体積は各ライトフィンガー108のハウジング56によって決定される。換言すると、図9および11に従ったバルブランプ10は、発光材料粒子64および反射粒子66を伴うキャリア媒質62により決定され、かつ互いに一定の距離を置いて配置されている多数の体積を含む。
図12には、図8に従ったバルブランプ10に大体において対応しているリフレクタランプ118が示されているが、ただしリフレクタランプ118の場合にはバルブ34が具備されず、その代りそれ自体公知であり支持用プレート110から離れる方向で開放して光出現開口部を決定するリフレクタ120が具備されており、このリフレクタ110が束集させる光がこの開口部を通して出現するという点で異なっている。
図13では、単一のライトフィンガー108から形成され、そのキャリア基板46が支持用プレート110上に配置され、その透明な外部輪郭がキャリア基板46の外部輪郭と一致するランプ素子121が示されている。図13を見るとわかるように、キャリア基板46上の接点部域26および32はライン122を介して接続用ワイヤ124に、またはライン126を介して接続用ワイヤ128にそれぞれ接続されている。接続用ワイヤ124、128は、キャリア基板46から離れる側で支持用プレート110から出現する。この形態でのライトフィンガー108は、従来のLEDと同様に、対応するボード上で配線可能である。
多数のライトフィンガー108またはランプ素子121を、例えばビデオ映写デバイスにおける光源として使用することができる。この場合、多数のライトフィンガー108または各々のライトフィンガー108が、所望の方向に光を集束させる対応するリフレクタと共に別々に作動することができる。
図14では、ランプ素子121またはライトフィンガー108のさらなる実施形態として、自転車および/または自動車の照明システムの中で使用可能であるようなランプ130が示されている。この目的で、ランプ130は、図14に概略的にのみ示されている対応する規格化された接続口金132と、口金により保持されかつわずかな距離を維持しながらライトフィンガー108のハウジング56内でキャリア媒質62をとり囲むバルブ134とを含む。
図15では、それぞれのキャリア基板46から離れた面において互いに接触する2つのランプ素子121から形成されたロッド形状のランプ素子136が示されている。この構成においては、ライトフィンガー108またはランプ素子121を別々のハウジング内に固定することができるが、これはここでは具体的に示されていない。2本のライトフィンガー108は同様に、安定化のため互いに向かい合った面で互いに接着剤接着することもできる。
ロッド形状をしたランプ素子136は異なる長さ、詳細には1cm〜50cm、好ましくは2cm〜10cmの長さを有することができる。
ロッド形状をしたランプ素子136は異なる長さ、詳細には1cm〜50cm、好ましくは2cm〜10cmの長さを有することができる。
図16および17では、138という番号は、例えばガラスまたはアクリルガラスから製造可能である透明なランプシリンダ140を含む円筒形ランプを呼称している。実際には、ランプシリンダ140は、3mm〜100mm、好ましくは8mm〜30mm、さらに好ましくは5mm〜15mmの直径を有するが、全体として自由裁量によって大きいものであり得る。
ランプシリンダ140は、その長手方向軸と同軸である1本の貫通チャンネル142と、全て恒常な円形断面を有するさらに8本の貫通チャンネル144を有する。図16および17の貫通チャンネル144のうち1本のみ参照記号が付されている。好ましくは、ランプシリンダ140は1本から10本の間の貫通チャンネル142、144を含む。中央貫通チャンネル142を具備することはつねに必要なわけではない。貫通チャンネル142、144の断面は同様に円形断面と異なっている可能性もある。
一方の面146上に、ランプシリンダ140は、それと相補的な外部輪郭を有する床プレート148を担持している。
一方の面146上に、ランプシリンダ140は、それと相補的な外部輪郭を有する床プレート148を担持している。
貫通チャンネル142および144の各々の中に1つのキャリア基板46が配置され、床プレート148により担持され、この実施形態の場合、単一の半導体構造40のみが担持されている。ランプシリンダ140内の貫通チャンネル142および144は各々、円筒形チャンバ150を画定しており、このチャンバの体積にはキャリア媒質62が充填され、このチャンバ内では異なる粒子数密度で、発光材料粒子64と反射粒子66が、層68および70内、そしてこれらの層の間にある具体的に参照記号が付されていない層内に保持されている。さまざまな貫通チャンネル142、144内で異なる半導体構造40が使用され、赤色、緑色および青色で発光し、かつ合わさって白色光を提供する場合には、発光材料粒子64を無しで済ませることができる。
こうして、ランプシリンダ140の貫通チャンネル142、144の中には、実質的にライトフィンガー108に対応するもののチャンバ150を画定するそれ自身のハウジングを含んでいない点のみ異なっているライトフィンガー構造152が配置されている。ランプシリンダ140の全ての貫通チャンネル142、144にこのようなライトフィンガー構造152が備わっている必要はなく、このような理由から、図17内の貫通チャンネル140は空で示されている。
キャリア基板46上の接点部域26および32には、ライン154および156を介してエネルギーが供給されており、これらのラインは、床プレート148内の端子(本明細書中これらはこれ以上関心対象となっていない)を介して、電源または電池に接続可能である。
必要な場合には、ランプシリンダ140はその第2の面158上に、ここで示されている実施形態においては破線のみで示されているカバープレート160を担持することができる。実際には、ランプシリンダ140内の貫通チャンネル142、144は、0.1mm〜15mm、好ましくは1mm〜10mm、さらに好ましくは2〜5mmの直径を有する。ランプシリンダ140内の貫通チャンネル142、144の直径は同様に、互いに異なるものでもあり得、通常、それらの中に収納すべき半導体素子40の寸法に左右される。ランプシリンダ140自体は、5mm〜800mm、好ましくは20mm〜150mm、そしてさらに好ましくは20〜50mmの長さを有するが、必要に応じてより長いものまたは短かいものであり得る。
図18に示されているランプ138の変更態様の場合、貫通チャンネル142、144は、中に組込まれている円形ディスクの形状のくぼみ161によりランプシリンダ140の一方の側146で互いに連通している。くぼみ161の中には、半導体構造40に最も近いところに配置されたシリコーン材料62の2つの層68およびAが存在し、これらの層内に発光材料粒子64および反射粒子66が存在する。こうして、半導体構造40からの光は隣接するライトフィンガー構造152内にさえ透過し得る。
図19および20では、ライトバンド162が示されている。それには可とう性外皮164が含まれ、これはチャンバ165を画定し片側に、互いにわずかな距離を置いて連続的にライトバンド162の長手方向に形成されている多数の半球形の隆起を有する。これらの隆起166は同様に、半球形とは異なる幾何形状を有し、例えば円錐形状を有することもできる。1つの変更態様においては、隆起166を全く具備しないことも可能である。
隆起とは反対側の内部表面168上では、外皮164は可とう性トラック素子170を担持し、この素子上にそれ自体公知の要領で多数の半導体構造40が相互接続されている。例えば、多数の半導体構造40のセットはつねに直列に接続可能であり、これらのセットのうちいくつかは並列に接続される。
半導体構造40は、各々の半導体構造40が隆起166の下でほぼ中央にくるように配置される。
半導体構造40は、各々の半導体構造40が隆起166の下でほぼ中央にくるように配置される。
外皮164の隆起166により決定される内部表面172とトラック素子170の間には、内部に発光材料粒子64および反射粒子66が分布している状態で、シリコーン材料62の層68、A、Bおよび70が配置されている。発光材料粒子64と反射粒子66の粒子数密度は、半導体構造40からの距離が増大するにつれて、層68から層70へ向かって減少する。ライトバンド162の場合も同様に、赤色、緑色および青色で発光しかつ合わさって白色光を提供する異なる半導体構造40が使用される場合、発光材料粒子64を無しで済ませることができる。
半導体構造40は、それらがエネルギー源に接続されている場合、それ自体公知の要領で、具体的に示されていない接続部を介してエネルギー供給を受ける。
実際には、ライトバンド162の幅は1mm〜20mmの間、好ましくは3mm〜15mmの間、そしてさらに好ましくは8mm〜12mmの間であり、厚みは1mm〜10mmの間、好ましくは2mm〜5mmの間である。
ライトバンド162内部の半導体構造40が活動化された場合、ライトバンド162は、本質的に均一に点灯し、半導体構造40の場所にはいかなる離散的光部域もみられない。したがって、ライトバンド162は、例えば発光性広告向けなど、従来ネオン管または類似のものが使用されてきた分野で使用することができる。ライトバンド162は同様に、例えば光導波路ボードなどの光導波路素子へと光を結合させるためにも使用可能である。この目的で、例えば、ライトバンド162は光導波路ボードの円周に沿ってその狭い表面に接着剤で接着される。
図21および22では、ボードの形をしたライトパネル174が示されている。チャンバ175をとり囲むジャケット177の2つの相対する狭い側面176および178の内部表面上で、多数の半導体素子40が、以上でライトバンド162について説明した通りに、各々トラック素子180および182に接続される。
トラック素子180および182の各々から離れる方向で、内部に発光材料粒子64および反射粒子66が分布されているシリコーン材料62の層68、A、BおよびCが配置され、こうして2つの層Cはトラック素子180および182の間の中央で互いに接触するようになっている。2つの層68内の粒子数密度は等しく、2つの層A、2つの層Bおよび2つの層C内でも同様である。
発光材料粒子64の粒子数密度は、層68からその近くの層AおよびBを介して層Cまで減少する。これとは対照的に、反射粒子66の粒子数密度は、層68からその近くの層AおよびBを介して層Cまで増大する。ライトパネル174の場合も同様に、赤色、緑色および青色で発光し、かつ合わさって白色光を提供する異なる半導体構造40が使用される場合、発光材料粒子64は無しで済ませることができる。
ライトパネル174は、シリコーン材料62のため可とう性があり、必要な場合には、さまざまな形状にしてその形状で固定することができる。
実際には、ライトパネル174の厚みは1mm〜20mmの間、好ましくは3mm〜5mmの間である。
半導体構造40が活動状態にある場合、ライトパネル174は、図22中にその1つが見られるその主表面184全体にわたり均等な光分布で光を発出する。
ライトパネル174は、シリコーン材料62のため可とう性があり、必要な場合には、さまざまな形状にしてその形状で固定することができる。
実際には、ライトパネル174の厚みは1mm〜20mmの間、好ましくは3mm〜5mmの間である。
半導体構造40が活動状態にある場合、ライトパネル174は、図22中にその1つが見られるその主表面184全体にわたり均等な光分布で光を発出する。
以上で説明されている図1〜22の全ての実施形態は、紫外線または可視光線波長範囲内で放射線を発出する半導体構造40の使用に関して説明された。代替的には、その他の波長の放射線、詳細には赤外域内の放射線を発出するその他の半導体構造も使用することができる。
図1〜18の以上で説明した全ての実施形態の場合においては、シリコーン塊62から多数の層68、A〜Kおよび70が提供され、発光材料粒子64および反射粒子66の粒子数密度は半導体構造40から離れる方向に変化し、詳細にはこの方向に減少する。図19〜22の実施形態の場合、発光材料粒子64および反射粒子66の異なる粒子数密度を伴うシリコーン塊62製のより少ない層が存在する。
しかしながら、優れた光の色または照明効果を達成するためには、原則的に、異なる粒子数密度で発光材料粒子64および/または反射粒子66が存在する少なくとも3つのこのような層または領域が提供されれば充分である。均等な変化がより優れた結果を導くにせよ、半導体構造40から離れる方向における発光材料粒子64または反射粒子66の粒子数密度の変化特に減少を、不均等にすなわち異なる規模の段階を経て行う可能性もある。
Claims (25)
- ランプデバイスであって、
a)電圧が印加された時点で一次放射線を発出する発光体(40;94)と;
b)少なくとも部分的に発光体(40;94)をとり囲み、一時放射線と、相互作用する固体粒子(64、66)と;
を有するものにおおいて、
c)粒子(64、66)の粒子数密度が、第1の粒子数密度から第2の粒子数密度まで、発光体(40;94)から遠ざかる少なくとも1つの方向で変化している、
ことを特徴とするランプデバイス。 - 粒子(64、66)が、一次放射線を吸収し二次放射線を発出する発光材料粒子(64)および/または反射粒子(66)、詳細には硫化バリウム、亜硫酸バリウム、硫酸バリウムまたは二酸化チタン粒子を含む、ことを特徴とする請求項1に記載のランプデバイス。
- 粒子数密度の変化が減少である、ことを特徴とする請求項2に記載のランプデバイス。
- 粒子数密度が均等に減少する、ことを特徴とする請求項3に記載のランプデバイス。
- a)その他の領域と比べて発光体(40;94)の最も近くに配置されている第1の領域(68)内に、最大の粒子数密度が存在すること;
b)その他の領域と比べて発光体(40;94)から最も遠くにある第2の領域(70)内に最小の粒子数密度が存在すること、
を特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載のランプデバイス。 - 最大粒子数密度が最小粒子数密度の
5〜10,000倍、
好ましくは10〜100倍、
さらに好ましくは10〜20倍である、
ことを特徴とする請求項5に記載のランプデバイス。 - a)最大粒子数密度が、
立方センチメートルあたり粒子500〜20,000個、
好ましくは粒子1000〜10,000個、
さらに好ましくは粒子5,000〜10,000粒個の間にあり;
b)最小粒子数密度が、
立方センチメートルあたり粒子2〜5,000個、
好ましくは粒子2〜2,500個、
さらに好ましくは粒子2〜1,000個の間にある、
ことを特徴とする請求項5または6に記載のランプデバイス。 - 粒子(64、66)が、キャリア媒質(62)により発光体との相対的位置に保持されている、ことを特徴とする請求項2〜7のいずれか一項に記載のランプデバイス。
- キャリア媒質(62)が、
シリコーン材料、詳細には弾性シリコーン塊、または、樹脂、詳細にはエポキシ樹脂またはポリエステル樹脂である、
ことを特徴とする請求項8に記載のランプデバイス。 - 粒子(64、66)を伴うキャリア媒質(62)が、円筒形、円錐形または半球形の体積、または円錐台の形をした区分を含み球形区分へと移行する体積、またはほぼV字形の体積を占有している、ことを特徴とする請求項8または9に記載のランプデバイス。
- 粒子(64、66)を伴うキャリア媒質(62)がランプデバイス(10;86;118;130;136;138;162;174)のチャンバ(60;76;80;84;90;150;165;175)内に配置されている、ことを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載のランプデバイス。
- チャンバ壁が少なくとも部分的にガラスまたは合成材料、詳細にはエポキシ樹脂またはポリエステル樹脂製である、ことを特徴とする請求項11に記載のランプデバイス。
- 多数の気泡(104)がキャリア媒質(62)内に提供されている、ことを特徴とする請求項8〜12のいずれか一項に記載のランプデバイス。
- キャリア媒質(62)内の気泡(104)の密度が、
1cm3あたり気泡500〜20,000個という値、
好ましくは1cm3あたり気泡1,000〜10,000個という値、
さらに好ましくは1cm3あたり気泡3,000〜5,000個という値を有する、
ことを特徴とする請求項13に記載のランプデバイス。 - 気泡(104)が、
0.1mm〜0.2mm、
好ましくは0.1mm〜1mm、
さらに好ましくは0.2mm〜0.5mmの直径を有する、
ことを特徴とする請求項13または14に記載のランプデバイス。 - 粒子(64、66)を伴うキャリア媒質(62)によって決定され互いから一定の距離を置いて配置されている多数の体積が存在する、ことを特徴とする請求項8〜15のいずれか一項に記載のランプデバイス。
- 粒子(64、66)を伴うキャリア媒質(62)によって決定され互いから一定の距離を置いて配置されている2つの体積が存在する、ことを特徴とする請求項16に記載のランプデバイス。
- 粒子(64、66)を伴うキャリア媒質(62)によって決定され互いから一定の距離を置いて配置されている3つの体積が存在する、ことを特徴とする請求項17に記載のランプデバイス。
- 体積が光源(140)の多数の収容領域(142、144)内に提供されている、ことを特徴とする請求項16〜18のいずれか一項に記載のランプデバイス。
- 光源(140)が円筒形であり収容領域(142、144)がその軸に平行なチャンネルの形をしている、ことを特徴とする請求項17に記載のランプデバイス。
- 発光体(40;94)は、電圧が印加された時点で光を発出する少なくとも1つの半導体構造(40;94)を含む、ことを特徴とする請求項1〜20のいずれか一項に記載のランプデバイス。
- 少なくとも1つの発光半導体構造(40;94)は、電圧が印加された時点で青色光を発出する、ことを特徴とする請求項21に記載のランプデバイス。
- 発光体(40)には、少なくとも1つの赤色光半導体構造(40a)、少なくとも1つの緑色光半導体構造(40b)、および少なくとも1つの青色光半導体構造(40c)が含まれている、ことを特徴とする請求項21に記載のランプデバイス。
- 発光体(40)が少なくとも1つの赤外線半導体構造(40;94)および/または少なくとも1つの紫外線半導体構造(40;94)を含む、ことを特徴とする請求項21〜23のいずれか一項に記載のランプデバイス。
- 固体粒子(64、66)、詳細には発光材料粒子(64)および/または反射粒子(66)が、異なる粒子数密度で存在する少なくとも3層(68、A〜K、70)がある、ことを特徴とする請求項21〜24のいずれか一項に記載のランプデバイス。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008022888A DE102008022888A1 (de) | 2008-05-08 | 2008-05-08 | Leuchtvorrichtung |
DE102008022888.5 | 2008-05-08 | ||
DE102008028969 | 2008-06-18 | ||
DE102008028969.8 | 2008-06-18 | ||
DE102009005380.8 | 2009-01-21 | ||
DE102009005380 | 2009-01-21 | ||
PCT/EP2009/003127 WO2009135620A1 (de) | 2008-05-08 | 2009-04-30 | Leuchtvorrichtung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011523165A true JP2011523165A (ja) | 2011-08-04 |
Family
ID=41059703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011507817A Withdrawn JP2011523165A (ja) | 2008-05-08 | 2009-04-30 | ランプデバイス |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8456077B2 (ja) |
EP (1) | EP2281140A1 (ja) |
JP (1) | JP2011523165A (ja) |
KR (1) | KR20110004906A (ja) |
CN (1) | CN102089566A (ja) |
BR (1) | BRPI0912228A2 (ja) |
CA (1) | CA2723802A1 (ja) |
RU (1) | RU2519242C2 (ja) |
TW (1) | TW201007091A (ja) |
WO (1) | WO2009135620A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013206781A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Beat Sonic:Kk | Ledランプ |
JP2015522668A (ja) * | 2012-05-22 | 2015-08-06 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 高反射剤を用いた量子収量の向上 |
JP2018124560A (ja) * | 2018-03-02 | 2018-08-09 | 日本電気硝子株式会社 | プロジェクター用蛍光ホイール及びプロジェクター用発光デバイス |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9412926B2 (en) | 2005-06-10 | 2016-08-09 | Cree, Inc. | High power solid-state lamp |
US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
US9625105B2 (en) | 2010-03-03 | 2017-04-18 | Cree, Inc. | LED lamp with active cooling element |
US9500325B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-11-22 | Cree, Inc. | LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features |
US10359151B2 (en) | 2010-03-03 | 2019-07-23 | Ideal Industries Lighting Llc | Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics |
US8632196B2 (en) | 2010-03-03 | 2014-01-21 | Cree, Inc. | LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features |
US9316361B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-04-19 | Cree, Inc. | LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration |
US8562161B2 (en) | 2010-03-03 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | LED based pedestal-type lighting structure |
US9310030B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-04-12 | Cree, Inc. | Non-uniform diffuser to scatter light into uniform emission pattern |
DE102010028246A1 (de) | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
US10451251B2 (en) * | 2010-08-02 | 2019-10-22 | Ideal Industries Lighting, LLC | Solid state lamp with light directing optics and diffuser |
CN102575818A (zh) * | 2010-09-29 | 2012-07-11 | 松下电器产业株式会社 | 灯 |
DE102010049146A1 (de) | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Luxphoton S.A. | Leuchtanordnung, Verfahren zu deren Herstellung sowie Leuchtvorrichtung |
DE102010043726A1 (de) * | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Osram Ag | Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung |
US9234655B2 (en) | 2011-02-07 | 2016-01-12 | Cree, Inc. | Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements |
US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
TW201244056A (en) * | 2011-04-20 | 2012-11-01 | Lm Opto Co Ltd | Light emitting diode module package structure |
CN102751269A (zh) * | 2011-04-20 | 2012-10-24 | 亮明光电科技股份有限公司 | 发光二极管模块封装结构 |
US9322515B2 (en) * | 2011-06-29 | 2016-04-26 | Korry Electronics Co. | Apparatus for controlling the re-distribution of light emitted from a light-emitting diode |
US20130100640A1 (en) * | 2011-10-24 | 2013-04-25 | Marcus Zhang | U-shaped led energy saving lamp |
DE102012102119A1 (de) | 2012-03-13 | 2013-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Flächenlichtquelle |
US9488359B2 (en) | 2012-03-26 | 2016-11-08 | Cree, Inc. | Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures |
DE102012206646B4 (de) | 2012-04-23 | 2024-01-25 | Osram Gmbh | Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung |
US20130308292A1 (en) * | 2012-05-18 | 2013-11-21 | Uniled Lighting Taiwan Inc. | Led lamp |
TWI473294B (zh) * | 2012-08-03 | 2015-02-11 | Genesis Photonics Inc | 發光裝置 |
US9612002B2 (en) * | 2012-10-18 | 2017-04-04 | GE Lighting Solutions, LLC | LED lamp with Nd-glass bulb |
KR20140070045A (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
DE102013209852A1 (de) * | 2013-05-27 | 2014-11-27 | Osram Gmbh | Lampe |
KR101330422B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2013-11-20 | 이진숙 | 방열용액체의 누출 방지장치가 구비된 램프 |
US9360188B2 (en) | 2014-02-20 | 2016-06-07 | Cree, Inc. | Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements |
US20170314740A1 (en) * | 2014-11-17 | 2017-11-02 | Philips Lighting Holding B.V. | Lighting device |
US20160225962A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Empire Technology Development Llc | Nanoparticle gradient refractive index encapsulants for semi-conductor diodes |
JP5985002B2 (ja) * | 2015-04-22 | 2016-09-06 | 三菱電機照明株式会社 | 照明装置 |
FR3047941B1 (fr) * | 2016-02-24 | 2019-11-29 | Valeo Vision | Systeme d'eclairage pour l'habitacle d'un vehicule automobile |
DE102018106238A1 (de) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung desselben |
US20220254962A1 (en) * | 2021-02-11 | 2022-08-11 | Creeled, Inc. | Optical arrangements in cover structures for light emitting diode packages and related methods |
WO2023161129A1 (en) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | Signify Holding B.V. | Lighting device |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT410266B (de) * | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
US6746885B2 (en) * | 2001-08-24 | 2004-06-08 | Densen Cao | Method for making a semiconductor light source |
JP2005064233A (ja) | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換型led |
US20050052885A1 (en) * | 2003-09-04 | 2005-03-10 | Amazing International Enterprise Limited | Structure of LED decoration lighting set |
KR100540848B1 (ko) | 2004-01-02 | 2006-01-11 | 주식회사 메디아나전자 | 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
DE102004004947A1 (de) | 2004-01-31 | 2005-08-18 | Signal-Construct Elektro-Optische Anzeigen Und Systeme Gmbh | LED-Leuchtkörper |
JP4229447B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-02-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び製造方法 |
CN100454596C (zh) * | 2004-04-19 | 2009-01-21 | 松下电器产业株式会社 | Led照明光源的制造方法及led照明光源 |
KR100658700B1 (ko) | 2004-05-13 | 2006-12-15 | 서울옵토디바이스주식회사 | Rgb 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치 |
DE102005046420B4 (de) | 2004-10-04 | 2019-07-11 | Stanley Electric Co. Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung |
TWI249867B (en) * | 2005-03-24 | 2006-02-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light-emitting diode package, cold cathode fluorescence lamp and photoluminescence material thereof |
DE102006020529A1 (de) | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP2007116131A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Led発光装置 |
RU2315135C2 (ru) * | 2006-02-06 | 2008-01-20 | Владимир Семенович Абрамов | Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы |
EP1843400A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-10-10 | Centro Ricerche Plast-Optica S.r.l. | Light emission device and corresponding manufacturing process |
JP2007273562A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
RU2313157C1 (ru) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН) | Способ получения видимого света и люминесцентные источники на его основе (варианты) |
KR100887068B1 (ko) * | 2006-08-04 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법 |
WO2008043519A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Lexedis Lighting Gmbh | Phosphor-converted light emitting diode |
-
2009
- 2009-04-28 TW TW098114014A patent/TW201007091A/zh unknown
- 2009-04-30 KR KR1020107027545A patent/KR20110004906A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-04-30 JP JP2011507817A patent/JP2011523165A/ja not_active Withdrawn
- 2009-04-30 BR BRPI0912228A patent/BRPI0912228A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-04-30 CN CN200980116428XA patent/CN102089566A/zh active Pending
- 2009-04-30 WO PCT/EP2009/003127 patent/WO2009135620A1/de active Application Filing
- 2009-04-30 CA CA2723802A patent/CA2723802A1/en not_active Abandoned
- 2009-04-30 EP EP09741839A patent/EP2281140A1/de not_active Withdrawn
- 2009-04-30 US US12/991,086 patent/US8456077B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-30 RU RU2010149595/07A patent/RU2519242C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013206781A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Beat Sonic:Kk | Ledランプ |
CN103363350A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 比特硕尼克株式会社 | Led灯 |
JP2015522668A (ja) * | 2012-05-22 | 2015-08-06 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 高反射剤を用いた量子収量の向上 |
JP2018124560A (ja) * | 2018-03-02 | 2018-08-09 | 日本電気硝子株式会社 | プロジェクター用蛍光ホイール及びプロジェクター用発光デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BRPI0912228A2 (pt) | 2015-10-06 |
EP2281140A1 (de) | 2011-02-09 |
US8456077B2 (en) | 2013-06-04 |
RU2010149595A (ru) | 2012-06-20 |
RU2519242C2 (ru) | 2014-06-10 |
KR20110004906A (ko) | 2011-01-14 |
CA2723802A1 (en) | 2009-11-12 |
WO2009135620A1 (de) | 2009-11-12 |
CN102089566A (zh) | 2011-06-08 |
US20110058379A1 (en) | 2011-03-10 |
TW201007091A (en) | 2010-02-16 |
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---|---|---|---|
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