JP2011520034A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板処理チャンバ内の基板支持体に面するスパッタリングターゲットのスパッタリング面を取り囲むためのシールドであって、
   スパッタリングターゲットのスパッタリング面を取り囲む寸法設計の第１直径を有する円筒状外方バンドを備え、
   円筒状外方バンドは、スパッタリング面を取り囲む寸法設計の上端部と基板支持体を取り囲む寸法設計の底端部を有し、
   シールドは更に、
   第１直径より大きい第２直径を有する、円筒状外方バンドの上端部から半径方向外側に延びる傾斜段差部と、
   傾斜段差部から半径方向外側に延びる取付フランジと、
   円筒状バンドの底端部から半径方向内側に延びるベースプレートと、
   ベースプレートに連結され且つ基板支持体の周縁部を取り囲むように寸法設計された円筒状内方バンドを備えるシールド。
2. 円筒状外方バンド、傾斜段差部、取付フランジ、ベースプレート及び円筒状内方バンドが一体型アルミニウム構造体を構成する請求項１記載のシールド。
3. 円筒状内方バンドが円筒状外方バンドの高さより低い高さを有する請求項１記載のシールド。
4. 円筒状内方バンドが、第１直径より小さい第３直径を有する請求項１記載のシールド。
5. 取付フランジが、シールドとシールド上に位置するアイソレータリングとの間にラビリンス間隙をもたらす段差部を有する請求項１記載のシールド。
6. ツインワイヤアルミニウムアーク溶射コーティングをシールドの表面上に備え、ツインワイヤアルミニウムアーク溶射コーティングが、約６００〜約２３００マイクロインチの表面粗さを有する請求項１記載のシールド。
7. 表面粗さが１７５±７５マイクロインチとなるようにシールドの露出面にビードブラスト加工を施す請求項１記載のシールド。
8. ターゲットと接地シールドとの間に配置するためのアイソレータリングであって、
   ターゲットのスパッタリング面周囲に延び且つそれを取り囲むように寸法設計された環状バンドを備え、
   環状バンドは、第１幅を有する上壁と、第２幅を有する底壁と、第３幅を有し且つ上壁から半径方向外側に延びる支持リムを備え、
   垂直トレンチが、底壁の外周部と支持リムの底部接触面との間に形成されるアイソレータリング。
9. 第１幅が第３幅より狭いが第２幅よりは広い請求項８記載のアイソレータリング。
10. 膜密着性をより高くするための表面粗さ１８０±２０Ｒａのグリットブラスト加工された表面テクスチャを有する請求項８記載のアイソレータリング。
11. アイソレータリングが、約１インチ〜約２インチの間隙をターゲットとシールドとの間に形成する請求項８記載のアイソレータリング。
12. セラミック材料を含む請求項８記載のアイソレータリング。
13. 基板処理チャンバにおいて堆積リングの周囲に配置するためのカバーリングであって、
    堆積リングは、チャンバにおいて基板支持体と円筒状シールドとの間に位置決めされ、
    カバーリングは環状ウェッジを備え、
    環状ウェッジは、基板支持体を取り囲むように寸法設計された、内周部及び外周部を有する傾斜上面と、
    傾斜上面から下方向に延び且つ堆積リング上に載るように構成された足場と、
    上面の内周部の周囲の突出ブリムを備え、
    カバーリングは更に、
    環状ウェッジから下方向に延びる内方円筒状バンドと、
    環状ウェッジから下方向に延びる外方円筒状バンドを備え、
    内方円筒状バンドは、外方円筒状バンドの高さより低い高さを有するカバーリング。
14. 環状ウェッジの傾斜上面が半径方向内側に傾斜する、請求項１３記載のカバーリング。
15. 請求項１記載のシールドを有するプロセスキットであって、
    ターゲットのスパッタリング面周囲に延び且つそれを取り囲むように寸法設計された環状バンドを有するアイソレーターリングを備え、
    環状バンドは、第１幅を有する上壁と、第２幅を有する底壁と、第３幅を有し且つ上壁から半径方向外側に延びる支持リムを備え、垂直トレンチが、底壁の外周部と支持リムの底部接触面との間に形成されており、
    基板処理チャンバにおいて堆積リングを配置するためのカバーリングを備え、堆積リングは、チャンバにおいて基板支持体と円筒状シールドとの間に位置決めされ、
    カバーリングは環状ウェッジを備え、
    環状ウェッジは、基板支持体を取り囲むように寸法設計された、内周部及び外周部を有する傾斜上面と、
    傾斜上面から下方向に延び且つ堆積リング上に載るように構成された足場と、
    上面の内周部の周囲の突出ブリムを備え、
    カバーリングは更に、
    環状ウェッジから下方向に延びる内方円筒状バンドと、
    環状ウェッジから下方向に延びる外方円筒状バンドを備え、内方円筒状バンドは、外方円筒状バンドの高さより低い高さを有する、プロセスキット。