JP2011514672A - ハフニウムベースのナノ粒子を使用した液浸リソグラフィー - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、概して半導体製造およびTFT LCD製造、特に液浸リソグラフィーに関する。
半導体製造プロセスおよび薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(「TFT LCD」)製造プロセスは、一般的に、パターンを有するマスクを光が通過する光学リソグラフィー工程を含む。当該パターンは、レンズによって焦点を合わせられ、レジストの薄層によってコーティングされた半導体ウェハーまたはTFT LCD基材の表面上に投影される。当該パターンは、トランジスタ構造、接点、導体などを含むデバイスの特定の層であってもよい。デバイスの加工寸法が減少し続けているため、リソグラフィープロセスの解像度はより重要となる。リソグラフィープロセスの解像度、特に、導体の幅および導体間の空間は、パターニングに使用される光の波長に比例し、並びにレンズの開口数に逆比例する。理想的には、リソグラフィープロセスの解像度は、波長が小さくレンズの開口数が大きい場合に向上する。
本方法、装置、および組成物の態様は、二酸化ハフニウムベースの高屈折率材料の導入により、リソグラフィック解像度の向上を促進し得る。
用語「含む(comprise)」(並びに「comprises」および「comprising」などのcompriseの任意の活用形)、「有する(have)」(並びに「has」および「having」などのhaveの任意の活用形)、「含有する(contain)」(並びに「contains」および「containing」などのcontainの任意の活用形)、並びに「含む(include)」(並びに「includes」および「including」などのincludeの任意の活用形)は、オープンエンド形式の連結動詞である。したがって、1つ以上の要素を「含む(comprises)」、「有する(has)」、「含有する(contains)」、または「含む(includes)」システムまたは方法は、これらの1つ以上の要素を有するが、これらの1つ以上の要素または工程だけを有することに限定されるわけではない。同様に、1つ以上の機能を「含む(comprises)」、「有する(has)」、「含有する(contains)」、または「含む(includes)」システムまたは方法の要素は、これら1つ以上の機能を有するが、これら1つ以上の機能だけを有することに限定されるわけではない。さらに、特定の方法において構成される構造は、少なくともその方法において構成されなければならないが、指定されない方法においても構成され得る。
などのような側鎖であり得、この場合、n=0〜10であり、並びにR’は、
であり得、あるいは他の化学的組成物であり得る。
・溶媒:シクロヘキサノン+PGMEA
・回転速度/時間:3000rpmで30秒間
・ベーク時間:120℃で60秒間
・2重量%の193メタクリレートポリマーを使用
・ナノ粒子の濃度を1重量%〜3重量%の間で変化
である。
の式によって概算することができる。
・屈折率=1.8である水性流体:Vs=0.37[nm(水)=1.43]
・屈折率=1.64である水性流体:Vs=0.22
・屈折率=1.8である有機性(デカリンベース)流体:Vs=0.19[nm(デカリン)=1.43]
Claims (15)
- 媒体、および
該媒体中に組み込まれた、約15ナノメートルと同じかまたはそれ以下の直径を有する二酸化ハフニウムナノ粒子
を含む組成物。 - 液浸液である、請求項1記載の組成物。
- 水性である、請求項2記載の液浸液。
- 有機性である、請求項2記載の液浸液。
- レジストである、請求項1記載の組成物。
- 光源と、
工作物を支持するためのプラットフォームと、
該光源と該プラットフォームとの間に配置されたレンズ素子と、
第一の媒体、および
該第一の媒体中に組み込まれた、約15ナノメートルと同じかまたはそれ以下の直径を有する第一の二酸化ハフニウムナノ粒子
を含み、該レンズ素子と該プラットフォームとの間に配置された組成物と
を含む、装置。 - 組成物が液浸液である、請求項6記載の装置。
- 第二の媒体、および
該第二の媒体中に組み込まれた、約15ナノメートルと同じかまたはそれ以下の直径を有する第二の二酸化ハフニウムナノ粒子
を含み、液浸液と作業プラットフォームとの間に配置されたレジスト
をさらに含む、請求項7記載の装置。 - 193ナノメートルの入射電磁放射線でのレジストの屈折率が、193ナノメートルの入射電磁放射線での液浸液の屈折率と同じかまたはそれ以上である、請求項8記載の装置。
- 組成物がレジストである、請求項6記載の装置。
- 光源を提供する工程、
該光源と工作物との間にレンズ素子を提供する工程、
該レンズ素子と該工作物との間に組成物を提供する工程であって、該組成物が、
第一の媒体、および
該第一の媒体中に組み込まれた、約15ナノメートルと同じかまたはそれ以下の直径を有する第一の二酸化ハフニウムナノ粒子
を含む、工程、並びに
該光源からの光を該レンズ素子および該組成物を通過させて該工作物まで通すことにより該光源によって提供される光を該工作物に照射する工程
を含む、液浸リソグラフィーのための方法。 - 組成物が液浸液である、請求項11記載の方法。
- 液浸液と工作物との間にレジストを提供する工程であって、該レジストが、
第二の媒体、および
該第二の媒体中に組み込まれた、約15ナノメートルと同じかまたはそれ以下の直径を有する第二の二酸化ハフニウムナノ粒子
を含む、工程、並びに
光源からの光をレンズ素子および液浸液を通過させて該レジストまで通すことにより該光源によって提供される光を該レジストに照射する工程
をさらに含む、請求項12記載の方法。 - 193ナノメートルの入射電磁放射線でのレジストの屈折率が、193ナノメートルの入射電磁放射線での液浸液の屈折率と同じかまたはそれ以上である、請求項13記載の方法。
- 組成物がレジストである、請求項11記載の方法。
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