JP2011514661A - オンチップ集積電圧制御可変インダクタ、そのような可変インダクタの製作および調整方法、ならびにそのような可変インダクタを集積化する設計構造 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 59
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 15
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 11
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
- H01F21/005—Inductances without magnetic core
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
- H01F21/12—Variable inductances or transformers of the signal type discontinuously variable, e.g. tapped
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】インダクタ(10)は、一般に、電気信号を伝えるように構成された信号線(12)と、信号線の近くに位置付けされた接地線(26)と、接地線と電気的に結合された(31、33)少なくとも1つの制御ユニット(32、34)とを含む。少なくとも1つの制御ユニットは、信号線のインダクタンスを変えるために接地線を接地電位と接続する電流路を開閉切り換えるように構成されている。
【選択図】図1
Description
Claims (25)
- 電気信号を伝えるように構成された信号線と、
前記信号線の近くに位置付けされた第1の接地線と、
前記第1の接地線を接地電位と接続する第1の電流路に配置された少なくとも1つの制御ユニットとを備え、
前記少なくとも1つの制御ユニットは、前記信号線が、前記第1の電流路が開いているとき第1のインダクタンス値を持ち、前記第1の電流路が閉じられて前記第1の接地線を前記接地電位と結合するとき第2のインダクタンス値を持つように、前記第1の電流路を選択的に開閉するように構成されている、オンチップ集積可変インダクタ。 - 前記電気信号を伝えるために前記信号線と電気的に結合された集積回路と、
前記第1の接地線、前記信号線、および前記集積回路を支持するチップと
をさらに備え、前記第1の接地線が、前記信号線と前記チップの間に位置付けされている、請求項1に記載のオンチップ集積可変インダクタ。 - 前記少なくとも1つの制御ユニットが、前記チップ上に製作される、請求項2に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記信号線が、第1の平面渦巻き状巻き線であり、前記第1の接地線が、前記第1の平面渦巻き状巻き線の下にある第2の平面渦巻き状巻き線である、請求項1に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記信号線が、第1の平面導電線であり、前記第1の接地線が、前記第1の平面導電線と間隔を空けた関係で配置された第2の平面導電線である、請求項1に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記信号線および前記第1の接地線を囲繞する誘電体材料をさらに備え、前記誘電体材料の一部が、前記信号線と前記第1の接地線の間に配置されて前記信号線と前記第1の接地線の間の電気伝導を妨げている、請求項1に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記第1の接地線と前記信号線の間に配置されたキャパシタンス・シールドをさらに備える、請求項1に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記第1の接地線および前記信号線を支持するチップと、
前記チップ上に支持された集積回路と
をさらに備え、前記集積回路が、前記電気信号を伝えるために前記信号線と電気的に結合されている、請求項1に記載のオンチップ集積可変インダクタ。 - 前記信号線の近くに位置付けされた第2の接地線をさらに備え、前記第2の接地線が、第2の電流路で前記接地電位と選択的に結合されるように構成され、前記第2の電流路が、前記第1の電流路から電気的に分離され、さらに、前記第2の接地線が前記接地電位と結合されたとき、前記信号線が、第3のインダクタンス値を持つ、請求項1に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記第1の接地線が、第1のメタライゼーション・レベルに含まれ、前記第2の接地線が、第2のメタライゼーション・レベルに含まれ、前記信号線が、第3のメタライゼーション・レベルに含まれ、さらに、前記第1の接地線、前記第2の接地線、および前記信号線は、前記第2のメタライゼーション・レベルが前記第1のメタライゼーション・レベルと前記第3のメタライゼーション・レベルの間に配置される積重ね配列を持っている、請求項9に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記第1の接地線、前記第2の接地線、および前記信号線が、共通のメタライゼーション・レベルに含まれ、前記信号線が、前記第1の接地線と前記第2の接地線の間に配置されている、請求項9に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記第1の接地線および前記第2の接地線が、第1のメタライゼーション・レベルに含まれ、前記信号線が、前記第1のメタライゼーション・レベルと異なる第2のメタライゼーション・レベルに含まれる、請求項9に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記信号線の近くに位置付けされた第3の接地線をさらに備え、前記第3の接地線が、第3の電流路で前記接地電位と選択的に結合されるように構成され、前記第3の電流路が、前記第1および前記第2の電流路から電気的に分離され、さらに、前記第3の接地線が前記接地電位と結合されたとき、前記信号線が、第4のインダクタンス値を持つ、請求項9に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- 前記第1の接地線、前記第2の接地線、および前記信号線が、第1のメタライゼーション・レベルに含まれ、前記第3の接地線が、前記第1のメタライゼーション・レベルと異なる第2のメタライゼーション・レベルに配置されている、請求項13に記載のオンチップ集積可変インダクタ。
- オンチップ集積可変インダクタを作る方法であって、
チップ上の集積回路と電気的に結合された信号線を前記チップ上に製作することと、
前記信号線が、第1の接地線が第1の電流路で接地電位と結合されたとき第1のインダクタンス値を持ち、前記第1の電流路が開いているとき第2のインダクタンス値を持つように、前記信号線に十分に近い前記第1の接地線を製作することと、
前記第1の電流路を選択的に開閉するように構成された少なくとも1つの制御ユニットを製作することと
を含む方法。 - 前記第1の接地線が、第1のメタライゼーション・レベルに製作され、前記信号線が、前記第1のメタライゼーション・レベルと異なる第2のメタライゼーション・レベルに製作される、請求項15に記載の方法。
- 前記第1の接地線および前記信号線が、同じメタライゼーション・レベルに製作される、請求項15に記載の方法。
- 前記信号線が、第2の接地線が第2の電流路で前記接地電位と結合されたとき第3のインダクタンス値を持ち、前記第2の電流路が開いているとき前記第2のインダクタンス値を持つように、前記信号線に十分に近い前記第2の接地線を製作することと、
前記第2の電流路を選択的に開閉するように構成された少なくとも1つの制御ユニットを製作することと、
をさらに備える、請求項15に記載の方法。 - オンチップ集積可変インダクタと電気的に結合された集積回路の動作中に前記オンチップ集積可変インダクタを調整する方法であって、
電気信号を前記集積回路から前記オンチップ集積可変インダクタの信号線を通して送ることと、
前記信号線のインダクタンス値を変えるために、前記信号線に十分に近い少なくとも1つの接地線を選択的に接地することと
を含む方法。 - 前記少なくとも1つの接地線を選択的に接地することが、前記少なくとも1つの接地線を接地電位に電気的に結合するように少なくとも1つの制御ユニットを動作させることをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの制御ユニットを動作させることが、前記少なくとも1つの接地線を前記接地電位に電気的に結合するのに効果的な電圧信号を前記少なくとも1つの制御ユニットに伝えることをさらに含む、請求項20に記載の方法。
- 回路を設計し製造するために機械読取可能媒体中に具体化された設計構造であって、
前記回路が、
電気信号を伝えるように構成された信号線および前記信号線の近くに位置付けされた接地線を含むオンチップ集積可変インダクタと、
前記接地線を接地電位と接続する電流路に配置された少なくとも1つの制御ユニットとを備え、
前記少なくとも1つの制御ユニットは、前記信号線が、前記電流路が開いているとき第1のインダクタンス値を持ち、前記電流路が閉じられて前記接地線を前記接地電位と結合するとき第2のインダクタンス値を持つように、前記電流路を選択的に開閉するように構成されている設計構造。 - 前記信号線が、第1の平面渦巻き状巻き線であり、前記接地線が、前記第1の平面渦巻き状巻き線の下にある第2の平面渦巻き状巻き線である、請求項22に記載の設計構造。
- 前記信号線が、第1の平面導電線であり、前記接地線が、前記第1の平面導電線と間隔を空けた関係で配置された第2の平面導電線である、請求項22に記載の設計構造。
- 前記回路が、前記接地線と前記信号線の間に配置されたキャパシタンス・シールド
をさらに備える、請求項22に記載の設計構造。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/021,339 US8138876B2 (en) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | On-chip integrated voltage-controlled variable inductor, methods of making and tuning such variable inductors, and design structures integrating such variable inductors |
US12/021,339 | 2008-01-29 | ||
PCT/US2009/032183 WO2009097304A1 (en) | 2008-01-29 | 2009-01-28 | On-chip integrated voltage-controlled variable inductor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011514661A true JP2011514661A (ja) | 2011-05-06 |
JP5437273B2 JP5437273B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=40898647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010545096A Expired - Fee Related JP5437273B2 (ja) | 2008-01-29 | 2009-01-28 | オンチップ集積電圧制御可変インダクタ、そのような可変インダクタの製作および調整方法、ならびにそのような可変インダクタを集積化する設計構造 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8138876B2 (ja) |
EP (1) | EP2243162B1 (ja) |
JP (1) | JP5437273B2 (ja) |
KR (1) | KR20100118566A (ja) |
TW (1) | TWI473238B (ja) |
WO (1) | WO2009097304A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8089331B2 (en) * | 2009-05-12 | 2012-01-03 | Raytheon Company | Planar magnetic structure |
TWI409988B (zh) * | 2009-10-01 | 2013-09-21 | Waltop Int Corp | 電磁感應系統之天線迴路佈局 |
JP2011119443A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Toshiba Corp | 可変スパイラルインダクタおよび半導体集積回路装置 |
KR100982037B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2010-09-13 | 주식회사 아나패스 | 신호 생성 장치 |
US8384507B2 (en) * | 2010-06-01 | 2013-02-26 | Qualcomm Incorporated | Through via inductor or transformer in a high-resistance substrate with programmability |
US8405453B2 (en) * | 2010-07-20 | 2013-03-26 | International Business Machines Corporation | Millimeter-wave on-chip switch employing frequency-dependent inductance for cancellation of off-state capacitance |
FR2964499B1 (fr) * | 2010-09-08 | 2013-09-13 | Univ Joseph Fourier | Ligne de transmission haute frequence accordable |
US8898605B2 (en) | 2010-10-25 | 2014-11-25 | International Business Machines Corporation | On-chip tunable transmission lines, methods of manufacture and design structures |
US8803320B2 (en) * | 2010-10-28 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuits and fabrication methods thereof |
US8823133B2 (en) | 2011-03-29 | 2014-09-02 | Xilinx, Inc. | Interposer having an inductor |
US8356262B1 (en) * | 2011-06-22 | 2013-01-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Cell architecture and method |
US9406738B2 (en) | 2011-07-20 | 2016-08-02 | Xilinx, Inc. | Inductive structure formed using through silicon vias |
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- 2009-01-28 WO PCT/US2009/032183 patent/WO2009097304A1/en active Application Filing
- 2009-01-28 JP JP2010545096A patent/JP5437273B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-28 EP EP09705653.5A patent/EP2243162B1/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100118566A (ko) | 2010-11-05 |
US20090189725A1 (en) | 2009-07-30 |
WO2009097304A1 (en) | 2009-08-06 |
US8138876B2 (en) | 2012-03-20 |
TWI473238B (zh) | 2015-02-11 |
TW201003883A (en) | 2010-01-16 |
EP2243162B1 (en) | 2019-05-08 |
EP2243162A4 (en) | 2017-11-01 |
EP2243162A1 (en) | 2010-10-27 |
JP5437273B2 (ja) | 2014-03-12 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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