JP2011512007A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011512007A5 JP2011512007A5 JP2010545239A JP2010545239A JP2011512007A5 JP 2011512007 A5 JP2011512007 A5 JP 2011512007A5 JP 2010545239 A JP2010545239 A JP 2010545239A JP 2010545239 A JP2010545239 A JP 2010545239A JP 2011512007 A5 JP2011512007 A5 JP 2011512007A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- power source
- output
- electrode
- connection point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 6
- 230000001808 coupling Effects 0.000 claims 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 4
- 240000004282 Grewia occidentalis Species 0.000 claims 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims 2
Claims (22)
- RF電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
複数のRF接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
第1のRF電源を含む複数のRF電源であって、各RF電源が、前記RF接続点の1つにそれぞれ接続された出力端を有する、複数のRF電源と、を備え、
前記第1のRF電源が、その出力端に第1のRF電力信号を生成し、
前記第1のRF電源以外の各RF電源が、そのそれぞれの出力端に、前記第1のRF電力信号と同じ周波数、および前記第1のRF電力信号に対して相対的な、異なる非ゼロ位相オフセットを有するそれぞれのRF電力信号を生成する、装置。 - RF電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
第1、第2、第3、第4のRF接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
第1、第2、第3、第4のRF電源と、を備え、
各RF電源が、前記RF接続点の1つにそれぞれ接続された出力端を有し、そのそれぞれの出力端に、第1、第2、第3、第4のRF電力信号を生成し、
各RF電源が、それぞれの前記RF接続点に、それぞれのRF電力信号を供給するために接続される、それぞれの出力端を有し、
当該それぞれの第2、第3、第4のRF電力信号は、前記第1のRF電力信号と同じ周波数、および前記第1のRF電力信号に対して相対的な、異なる非ゼロ位相オフセットを有する、装置。 - RF電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
複数のRF接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
第1のRF電源を含む複数のRF電源であって、各RF電源が、前記RF接続点の1つにそれぞれ接続された出力端を有する、複数のRF電源と、を備え、
前記第1のRF電源が、その出力端に第1のRF電力信号を生成し、
前記第1のRF電源以外の各RF電源が、そのそれぞれの出力端に、前記第1のRF電力信号と同じ周波数、および前記第1のRF電力信号に対して相対的な、調整可能な位相オフセットを有するそれぞれのRF電力信号を生成する、装置。 - 前記RF接続点が、前記電極の2次元表面上に配置され、
前記RF接続点の位置が、前記表面の両次元に沿って配置される、請求項1ないし3の何れか一項に記載の装置。 - 前記RF接続点が、前記電極の矩形表面上に配置され、
前記RF接続点の位置が、前記矩形表面のX軸およびY軸の両方に沿って配置される、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の装置。 - 前記RF接続点のそれぞれが、前記電極にそれぞれ対応する隅部の付近に位置する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記RF接続点のそれぞれが、前記電極にそれぞれ対応する隅部に位置する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記RF接続点のそれぞれが、前記電極の矩形表面の4つの隅部の付近に位置する、請求項5に記載の装置。
- 前記RF接続点のそれぞれが、前記電極の矩形表面の4つの隅部に位置する、請求項5に記載の装置。
- 前記非ゼロ位相オフセットのそれぞれが経時変化する、請求項1ないし9のいずれか一項に記載の装置。
- RF発振器と、
複数の位相シフタと、をさらに備え、
各位相シフタが、前記RF発振器の出力端に接続された入力端を有し、
各RF電源が、同期入力端を有し、
前記第1のRF電源以外の各RF電源の前記同期入力端が、前記位相シフタの出力端の1つにそれぞれ接続され、
前記第1のRF電源の前記同期入力端が、前記RF発振器の前記出力端に接続される、請求項1ないし10のいずれか一項に記載の装置。 - 前記RF発振器の前記出力端と前記第1のRF電源の前記同期入力端との間に接続された位相シフタをさらに備える、請求項11に記載の装置。
- 前記電極が、マニホルド後壁と、シャワーヘッドと、前記シャワーヘッドを前記マニホルド後壁に接続するサスペンションとを備えるガス入口マニホルドであり、
前記RF接続点が、前記マニホルド後壁上にある、請求項1ないし12のいずれか一項に記載の装置。 - 複数のインピーダンス整合回路網をさらに備え、
各インピーダンス整合回路網が、前記RF電源の1つにそれぞれ対応するRF電源の前記出力端と、前記RF接続点の1つにそれぞれ接続される、請求項1ないし13のいずれか一項に記載の装置。 - RF電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
複数のRF接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
第1のRF電源を含む複数のRF電源と、を備え、
各RF電源が、それぞれの前記RF接続点に、それぞれのRF電力信号を供給するために接続される、それぞれの出力端を有し、
各RF電源が、前記RF接続点の1つにそれぞれ対応するRF接続点に接続された出力端を有し、それぞれのRF電力信号は同じ周波数を有し、
RF発振器と、
複数の位相シフタと、をさらに備え、
各位相シフタが、前記RF発振器の出力端に接続された入力端を有し、
各RF電源が、同期入力端を有し、
前記第1のRF電源以外の各RF電源の前記同期入力端が、前記位相シフタの出力端の1つにそれぞれ接続され、
前記第1のRF電源の前記同期入力端が、前記RF発振器の前記出力端に接続される、装置。 - 前記RF発振器の前記出力端と前記第1のRF電源の前記同期入力端との間に接続された位相シフタをさらに備える、請求項15に記載の装置。
- 各位相シフタが異なる位相シフトを生成し、前記第1のRF電源以外の各RF電源が、そのそれぞれの出力端に、前記第1のRF電力信号と同じ周波数、および前記第1のRF電力信号に対して相対的な、異なる非ゼロ位相オフセットを有する前記第1のRF電源によって生成されたそれぞれのRF電力信号を生成する、請求項15または16に記載の装置。
- 前記非ゼロ位相オフセットのそれぞれが経時変化する、請求項17に記載の装置。
- 前記電極が、マニホルド後壁と、シャワーヘッドと、前記シャワーヘッドを前記マニホルド後壁に接続するサスペンションとを備えるガス入口マニホルドであり、
前記RF接続点が、前記マニホルド後壁上にある、請求項15ないし18のいずれか一項に記載の装置。 - 複数のインピーダンス整合回路網をさらに備え、
各インピーダンス整合回路網が、前記RF電源の1つにそれぞれ対応するRF電源の前記出力端と、前記RF接続点の1つにそれぞれ対応するRF接続点との間に接続される、請求項15ないし19のいずれか一項に記載の装置。 - RF接続点の数およびRF電源の数が、少なくとも4であり、
前記RF接続点が、前記電極の2次元表面上に配置され、
前記RF接続点の位置が、前記表面の両次元に沿って配置される、請求項15ないし20のいずれか一項に記載の装置。 - 前記RF接続点が、前記電極の矩形表面上に配置され、
前記RF接続点の位置が、前記矩形表面のX軸およびY軸の両方に沿って配置される、請求項15ないし21のいずれか一項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2511108P | 2008-01-31 | 2008-01-31 | |
US61/025,111 | 2008-01-31 | ||
PCT/US2009/032776 WO2010044895A2 (en) | 2008-01-31 | 2009-01-31 | Multiple phase rf power for electrode of plasma chamber |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011512007A JP2011512007A (ja) | 2011-04-14 |
JP2011512007A5 true JP2011512007A5 (ja) | 2012-07-12 |
JP5749020B2 JP5749020B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=40939112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010545239A Active JP5749020B2 (ja) | 2008-01-31 | 2009-01-31 | Rf電力をプラズマチャンバに結合するための装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8298625B2 (ja) |
EP (1) | EP2245912A2 (ja) |
JP (1) | JP5749020B2 (ja) |
KR (1) | KR101199644B1 (ja) |
CN (1) | CN101933402B (ja) |
TW (1) | TWI435660B (ja) |
WO (1) | WO2010044895A2 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112007003667A5 (de) * | 2007-07-23 | 2010-07-01 | Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG | Plasmaversorgungseinrichtung |
TWI488547B (zh) * | 2007-12-25 | 2015-06-11 | Applied Materials Inc | 電漿室裝置 |
JP5749020B2 (ja) | 2008-01-31 | 2015-07-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Rf電力をプラズマチャンバに結合するための装置 |
US20100123502A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-05-20 | Bhutta Imran A | System for providing a substantially uniform potential profile |
CN102365906B (zh) * | 2009-02-13 | 2016-02-03 | 应用材料公司 | 用于等离子体腔室电极的rf总线与rf回流总线 |
CN103597119B (zh) | 2009-07-08 | 2017-03-08 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于等离子体处理的装置和方法 |
WO2011041332A2 (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | Applied Materials, Inc. | Off-center ground return for rf-powered showerhead |
TWI432100B (zh) * | 2009-11-25 | 2014-03-21 | Ind Tech Res Inst | 電漿產生裝置 |
WO2011156534A2 (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | Applied Materials, Inc. | Multiple frequency power for plasma chamber electrode |
US9117767B2 (en) * | 2011-07-21 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Negative ion control for dielectric etch |
JP2012089334A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 |
US8765232B2 (en) | 2011-01-10 | 2014-07-01 | Plasmasi, Inc. | Apparatus and method for dielectric deposition |
US20130017315A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for controlling power distribution in substrate processing systems |
US9396900B2 (en) * | 2011-11-16 | 2016-07-19 | Tokyo Electron Limited | Radio frequency (RF) power coupling system utilizing multiple RF power coupling elements for control of plasma properties |
US9299956B2 (en) | 2012-06-13 | 2016-03-29 | Aixtron, Inc. | Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices |
US10526708B2 (en) | 2012-06-19 | 2020-01-07 | Aixtron Se | Methods for forming thin protective and optical layers on substrates |
CN103715049B (zh) * | 2012-09-29 | 2016-05-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法 |
CN103856214B (zh) * | 2012-11-28 | 2016-12-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种射频电源外部输入信号相位同步的方法 |
EP2936541B1 (de) | 2012-12-18 | 2017-02-01 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zur erzeugung einer hochfrequenzleistung und leistungsversorgungssystem mit einem leistungswandler zur versorgung einer last mit leistung |
WO2014094738A2 (de) | 2012-12-18 | 2014-06-26 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Arclöschverfahren und leistungsversorgungssystem mit einem leistungswandler |
US10443127B2 (en) * | 2013-11-05 | 2019-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process |
US10580623B2 (en) * | 2013-11-19 | 2020-03-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using multiple radio frequency power feeds for improved uniformity |
CN104789947B (zh) * | 2015-05-05 | 2018-07-06 | 北京精诚铂阳光电设备有限公司 | 上电极结构及等离子体增强化学气相沉积装置 |
KR102662705B1 (ko) * | 2016-01-24 | 2024-04-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 파이 형상 처리를 발생시키기 위한 대칭적인 플라즈마 소스 |
US9721759B1 (en) | 2016-04-04 | 2017-08-01 | Aixtron Se | System and method for distributing RF power to a plasma source |
US20210280389A1 (en) * | 2016-08-01 | 2021-09-09 | Applied Materials, Inc. | Large-area vhf pecvd chamber for low-damage and high-throughput plasma processing |
US10777386B2 (en) * | 2017-10-17 | 2020-09-15 | Lam Research Corporation | Methods for controlling plasma glow discharge in a plasma chamber |
US10504699B2 (en) * | 2018-04-20 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Phased array modular high-frequency source |
US11655540B2 (en) | 2020-06-26 | 2023-05-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for adjusting wafer performance using multiple RF generators |
US11328902B1 (en) | 2021-06-09 | 2022-05-10 | XP Power Limited | Radio frequency generator providing complex RF pulse pattern |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02298024A (ja) | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Tadahiro Omi | リアクティブイオンエッチング装置 |
US5252178A (en) | 1992-06-24 | 1993-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone plasma processing method and apparatus |
DE4242894A1 (de) | 1992-12-18 | 1994-06-23 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Mehrfacheinspeisung von HF-Leistung in Kathodenkörpern |
AU2003195A (en) | 1994-06-21 | 1996-01-04 | Boc Group, Inc., The | Improved power distribution for multiple electrode plasma systems using quarter wavelength transmission lines |
JPH08236294A (ja) | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Jeol Ltd | 高周波プラズマ応用装置 |
US5573595A (en) | 1995-09-29 | 1996-11-12 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for generating plasma |
US6264812B1 (en) | 1995-11-15 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
JP3220394B2 (ja) * | 1996-09-27 | 2001-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5882411A (en) | 1996-10-21 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Faceplate thermal choke in a CVD plasma reactor |
JP3598717B2 (ja) | 1997-03-19 | 2004-12-08 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
US6079356A (en) | 1997-12-02 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium |
US6254738B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution |
JP3332857B2 (ja) | 1998-04-15 | 2002-10-07 | 三菱重工業株式会社 | 高周波プラズマ発生装置及び給電方法 |
TW434636B (en) | 1998-07-13 | 2001-05-16 | Applied Komatsu Technology Inc | RF matching network with distributed outputs |
KR100542459B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2006-01-12 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 |
JP4493756B2 (ja) | 1999-08-20 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
AU2001224729A1 (en) | 2000-01-10 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Limited | Segmented electrode assembly and method for plasma processing |
JP3792089B2 (ja) | 2000-01-14 | 2006-06-28 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
US6477980B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
TW507256B (en) | 2000-03-13 | 2002-10-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Discharge plasma generating method, discharge plasma generating apparatus, semiconductor device fabrication method, and semiconductor device fabrication apparatus |
JP3377773B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2003-02-17 | 三菱重工業株式会社 | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法 |
JP4718093B2 (ja) | 2000-03-28 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 複合セグメント電極に供給される電力を制御するための方法並びにシステム |
AU2001281306A1 (en) | 2000-07-13 | 2002-01-30 | Tokyo Electron Limited | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
AU2001279189A1 (en) | 2000-08-08 | 2002-02-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus |
JP3762650B2 (ja) | 2001-03-02 | 2006-04-05 | 日本高周波株式会社 | プラズマ処理装置用電源システム |
US6824658B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Partial turn coil for generating a plasma |
US6827815B2 (en) | 2002-01-15 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly for a processing chamber |
JP2004128159A (ja) | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高周波プラズマ発生装置および高周波プラズマ発生方法 |
WO2004040629A1 (ja) | 2002-10-29 | 2004-05-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | プラズマ化学蒸着装置における高周波プラズマの大面積均一化方法及び装置 |
TWI391035B (zh) | 2002-12-16 | 2013-03-21 | Japan Science & Tech Agency | Plasma generation device, plasma control method and substrate manufacturing method (1) |
US7270713B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
JP3846881B2 (ja) | 2003-04-04 | 2006-11-15 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマ処理装置及びシリコン酸化膜を形成する方法 |
JP4404303B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2010-01-27 | 株式会社アルバック | プラズマcvd装置及び成膜方法 |
JP4698251B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2011-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
US20060105114A1 (en) | 2004-11-16 | 2006-05-18 | White John M | Multi-layer high quality gate dielectric for low-temperature poly-silicon TFTs |
US7972470B2 (en) | 2007-05-03 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Asymmetric grounding of rectangular susceptor |
TWI488547B (zh) | 2007-12-25 | 2015-06-11 | Applied Materials Inc | 電漿室裝置 |
JP5749020B2 (ja) | 2008-01-31 | 2015-07-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Rf電力をプラズマチャンバに結合するための装置 |
-
2009
- 2009-01-31 JP JP2010545239A patent/JP5749020B2/ja active Active
- 2009-01-31 WO PCT/US2009/032776 patent/WO2010044895A2/en active Application Filing
- 2009-01-31 US US12/363,760 patent/US8298625B2/en active Active
- 2009-01-31 CN CN2009801034110A patent/CN101933402B/zh active Active
- 2009-01-31 KR KR1020107019116A patent/KR101199644B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-31 EP EP09820920A patent/EP2245912A2/en not_active Withdrawn
- 2009-02-02 TW TW98103267A patent/TWI435660B/zh active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011512007A5 (ja) | ||
WO2011088156A3 (en) | Phase-modulated rf power for plasma chamber electrode | |
TW200944064A (en) | Multiple phase RF power for electrode of plasma chamber | |
JP6541540B2 (ja) | プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法 | |
TWI446708B (zh) | 射頻功率產生器及其運作方法 | |
TW201526716A (zh) | 電漿處理裝置 | |
TW200644741A (en) | Vacuum plasma generator | |
WO2012054308A3 (en) | Rf/vhf impedance matching, 4 quadrant, dual directional coupler with vrms/irms responding detector circuitry | |
TW201933422A (zh) | 用於電漿處理之離子偏置電壓的空間域和時間域的控制 | |
WO2009012973A3 (de) | Verfahren zum schutz von hochfrequenzverstärkern einer plasmaversorgungseinrichtung und plasmaversorgungseinrichtung | |
EP2634915A3 (en) | Quadrature radio frequency mixer with low noise and low conversion loss | |
JP2008544480A5 (ja) | ||
WO2010117970A3 (en) | Multifrequency capacitively coupled plasma etch chamber | |
WO2007044248B1 (en) | Low-voltage inductively coupled source for plasma processing | |
JP2007531963A (ja) | 第2のrf周波数の終端を用いたインピーダンス整合ネットワーク | |
WO2009155352A3 (en) | Matching circuit for a complex radio frequency (rf) waveform | |
JP2012525684A5 (ja) | ||
WO2008153053A1 (ja) | プラズマ処理装置、給電装置およびプラズマ処理装置の使用方法 | |
WO2012054305A3 (en) | Rf impedance matching network with secondary dc input | |
WO2011041087A3 (en) | Inductively-coupled plasma (icp) resonant source element | |
JP2013527642A5 (ja) | ||
KR20130004581A (ko) | 직각 커플러를 구비하는 플라즈마 공급 장비 | |
JP2016507191A (ja) | 無線周波数電力合成器 | |
US20110006687A1 (en) | Method and generator circuit for production of plasma by means of radio-frequency excitation | |
CN105356858A (zh) | 一种巴伦及功率放大器 |