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  1. RF電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
    複数のRF接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
    第1のRF電源を含む複数のRF電源であって、各RF電源が、前記RF接続点の1つにそれぞれ接続された出力端を有する、複数のRF電源と、を備え、
    前記第1のRF電源が、その出力端に第1のRF電力信号を生成し、
    前記第1のRF電源以外の各RF電源が、そのそれぞれの出力端に、前記第1のRF電力信号と同じ周波数、および前記第1のRF電力信号に対して相対的な、異なる非ゼロ位相オフセットを有するそれぞれのRF電力信号を生成する、装置。
  2. RF電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
    第1、第2、第3、第4のRF接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
    第1、第2、第3、第4のRF電源と、を備え
    各RF電源が、前記RF接続点の1つにそれぞれ接続された出力端を有し、そのそれぞれの出力端に、第1、第2、第3、第4のRF電力信号を生成し、
    各RF電源が、それぞれの前記RF接続点に、それぞれのRF電力信号を供給するために接続される、それぞれの出力端を有し、
    当該それぞれの第2、第3、第4のRF電力信号は、前記第1のRF電力信号と同じ周波数、および前記第1のRF電力信号に対して相対的な、異なる非ゼロ位相オフセットを有する、装置。
  3. RF電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
    複数のRF接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
    第1のRF電源を含む複数のRF電源であって、各RF電源が、前記RF接続点の1つにそれぞれ接続された出力端を有する、複数のRF電源と、を備え、
    前記第1のRF電源が、その出力端に第1のRF電力信号を生成し、
    前記第1のRF電源以外の各RF電源が、そのそれぞれの出力端に、前記第1のRF電力信号と同じ周波数、および前記第1のRF電力信号に対して相対的な、調整可能な位相オフセットを有するそれぞれのRF電力信号を生成する、装置。
  4. 前記RF接続点が、前記電極の2次元表面上に配置され、
    前記RF接続点の位置が、前記表面の両次元に沿って配置される、請求項1ないし3の何れか一項に記載の装置。
  5. 前記RF接続点が、前記電極の矩形表面上に配置され、
    前記RF接続点の位置が、前記矩形表面のX軸およびY軸の両方に沿って配置される、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の装置。
  6. 前記RF接続点のそれぞれが、前記電極にそれぞれ対応する隅部の付近に位置する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の装置。
  7. 前記RF接続点のそれぞれが、前記電極にそれぞれ対応する隅部に位置する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の装置。
  8. 前記RF接続点のそれぞれが、前記電極の矩形表面の4つの隅部の付近に位置する、請求項5に記載の装置。
  9. 前記RF接続点のそれぞれが、前記電極の矩形表面の4つの隅部に位置する、請求項5に記載の装置。
  10. 前記非ゼロ位相オフセットのそれぞれが経時変化する、請求項1ないし9のいずれか一項に記載の装置。
  11. RF発振器と、
    複数の位相シフタと、をさらに備え、
    各位相シフタが、前記RF発振器の出力端に接続された入力端を有し、
    各RF電源が、同期入力端を有し、
    前記第1のRF電源以外の各RF電源の前記同期入力端が、前記位相シフタの出力端の1つにそれぞれ接続され、
    前記第1のRF電源の前記同期入力端が、前記RF発振器の前記出力端に接続される、請求項1ないし10のいずれか一項に記載の装置。
  12. 前記RF発振器の前記出力端と前記第1のRF電源の前記同期入力端との間に接続された位相シフタをさらに備える、請求項11に記載の装置。
  13. 前記電極が、マニホルド後壁と、シャワーヘッドと、前記シャワーヘッドを前記マニホルド後壁に接続するサスペンションとを備えるガス入口マニホルドであり、
    前記RF接続点が、前記マニホルド後壁上にある、請求項1ないし12のいずれか一項に記載の装置。
  14. 複数のインピーダンス整合回路網をさらに備え、
    各インピーダンス整合回路網が、前記RF電源の1つにそれぞれ対応するRF電源の前記出力端と、前記RF接続点の1つにそれぞれ接続される、請求項1ないし13のいずれか一項に記載の装置。
  15. RF電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
    複数のRF接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
    第1のRF電源を含む複数のRF電源と、を備え、
    各RF電源が、それぞれの前記RF接続点に、それぞれのRF電力信号を供給するために接続される、それぞれの出力端を有し、
    各RF電源が、前記RF接続点の1つにそれぞれ対応するRF接続点に接続された出力端を有し、それぞれのRF電力信号は同じ周波数を有し、
    RF発振器と、
    複数の位相シフタと、をさらに備え、
    各位相シフタが、前記RF発振器の出力端に接続された入力端を有し、
    各RF電源が、同期入力端を有し、
    前記第1のRF電源以外の各RF電源の前記同期入力端が、前記位相シフタの出力端の1つにそれぞれ接続され、
    前記第1のRF電源の前記同期入力端が、前記RF発振器の前記出力端に接続される、装置。
  16. 前記RF発振器の前記出力端と前記第1のRF電源の前記同期入力端との間に接続された位相シフタをさらに備える、請求項15に記載の装置。
  17. 各位相シフタが異なる位相シフトを生成し、前記第1のRF電源以外の各RF電源が、そのそれぞれの出力端に、前記第1のRF電力信号と同じ周波数、および前記第1のRF電力信号に対して相対的な、異なる非ゼロ位相オフセットを有する前記第1のRF電源によって生成されたそれぞれのRF電力信号を生成する、請求項15または16に記載の装置。
  18. 前記非ゼロ位相オフセットのそれぞれが経時変化する、請求項17に記載の装置。
  19. 前記電極が、マニホルド後壁と、シャワーヘッドと、前記シャワーヘッドを前記マニホルド後壁に接続するサスペンションとを備えるガス入口マニホルドであり、
    前記RF接続点が、前記マニホルド後壁上にある、請求項15ないし18のいずれか一項に記載の装置。
  20. 複数のインピーダンス整合回路網をさらに備え、
    各インピーダンス整合回路網が、前記RF電源の1つにそれぞれ対応するRF電源の前記出力端と、前記RF接続点の1つにそれぞれ対応するRF接続点との間に接続される、請求項15ないし19のいずれか一項に記載の装置。
  21. RF接続点の数およびRF電源の数が、少なくとも4であり、
    前記RF接続点が、前記電極の2次元表面上に配置され、
    前記RF接続点の位置が、前記表面の両次元に沿って配置される、請求項15ないし20のいずれか一項に記載の装置。
  22. 前記RF接続点が、前記電極の矩形表面上に配置され、
    前記RF接続点の位置が、前記矩形表面のX軸およびY軸の両方に沿って配置される、請求項15ないし21のいずれか一項に記載の装置。
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