JP2008544480A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 第１の周波数によりプラズマシースの発振を引き起こしめるよう選択された前記第１の周波数により処理チャンバ内の第１の電極に第１のＲＦ信号を供給し、
   第２の周波数によりプラズマシースの発振を引き起こしめるよう選択された前記第２の周波数により電源から前記第１の電極へ第２のＲＦ信号を供給し、
   所要の周波数においてプラズマシースの発振を引き起こしめるよう選択された所要の周波数に等しい差分だけ、前記第２の周波数は前記第１の周波数から離間していおり、周波数の差分は約１００ＫＨｚから約２ＭＨｚの範囲であり、前記所要の周波数は前記プラズマのイオンエネルギー分布関数を制御するよう選択されているプラズマを利用した半導体基板処理チャンバ内のプラズマを制御するための方法。
2. 前記所要の周波数の逆数は、イオンが前記プラズマの塊から加速されたときに、前記プラズマのシースを横切るのに必要とする時間より小さいことを特徴とする請求項１記載の方法。
3. 前記第１及び第２の周波数は、イオンが前記プラズマの塊から加速されたときに、前記プラズマのシースを横切る遷移時間より速い応答を引き起こしせしめるよう選択されている請求項１記載の方法。
4. 前記第１及び第２のＲＦ信号は前記処理チャンバ内の前記電極への単一の出力を有する共通のマッチング回路を介して前記処理チャンバに接続されている請求項１記載の方法。
5. 前記第１及び第２のＲＦ信号は約１３．５ＭＨｚの平均周波数を有し、周波数の差分は約１００ＫＨｚから約１ＭＨｚの範囲である請求項１記載の方法。
6. 前記第１及び第２のＲＦ信号は約６０ＭＨｚの平均周波数を有し、周波数の差分は約１ＭＨｚから約２ＭＨｚの範囲である請求項１記載の方法。
7. 前記プラズマを生成するために第３のＲＦ信号をガスに結合することをさらに含む請求項１記載の方法。
8. 前記第１の電極は基板支持ペデスタル内に設けられている請求項１記載の方法。
9. 前記第１及び前記第２の周波数は、２つの分離した周波数を提供することができる単一のＲＦ電源により供給される請求項１記載の方法。
10. 前記第１及び前記第２の周波数は、前記プラズマの形成を引き起こすに十分な周波数及びパワーレベルで供給される請求項１記載の方法。
11. イオンがプラズマの塊から加速されるとき、前記プラズマのシースを横切る遷移時間よりずっと早い応答を引き起こすようそれぞれ選択された第１及び第２の周波数により第１及び第２のＲＦ信号を処理チャンバ内の第１の電極に供給し、
    前記プラズマ内のイオンエネルギー分布を制御するよう選択された所要の周波数に等しい前記第１及び第２の周波数の間の周波数の差分を制御することを含むプラズマを利用した半導体基板処理チャンバ内のプラズマを制御するため記載の方法。
12. 前記所要の周波数の逆数は、イオンがプラズマの塊から加速されたとき前記プラズマのシースを横切るに必要な時間より小さい請求項１１記載の方法。
13. 前記第１及び第２の周波数は前記プラズマ内の単一エネルギーのイオンエネルギー分布を生成する請求項１１記載の方法。
14. 前記周波数の差分を増加させることは前記プラズマ内の前記イオンエネルギー分布を広げる請求項１３記載の方法。
15. 前記第１及び第２の周波数は前記プラズマの生成を引き起こすに十分な周波数及び電力のレベルで供給される請求項１１記載の方法。