TW201601188A - 電漿處理裝置及電漿處理方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種提升重現性之電漿處理裝置或電漿處理方法。 一種電漿處理裝置，具備：處理室，配置於真空容器內部，內側受到減壓，供電漿形成；及處理台，配置於該處理室內，供處理對象之晶圓載置於其上；及第1電源，為輸出從前述真空容器的上方供給至前述處理室內的電場以便形成前述電漿之第1電源，且於前述晶圓的處理中形成反覆供給高輸出和低輸出之第1頻率的電場；及第2電源，對配置於前述處理台的內部之電極供給第2頻率的電力；及控制裝置，於前述晶圓的處理中，使前述電場為高輸出時的負載阻抗與為低輸出時的負載阻抗之間的值，和前述第1電源的阻抗整合。

Description

電漿處理裝置及電漿處理方法
本發明係有關電漿處理裝置及電漿處理方法，特別是有關對於周期性地反覆高輸出時與低輸出時的高頻電源進行整合動作之電漿處理方法。
近年來，隨著半導體裝置的微細化、積體化之進展，對於使用電漿之蝕刻處理逐漸要求更高的加工精度。為了解決這樣的問題，以往即知道，於蝕刻處理對象亦即試料的處理中，使得為了在該試料的上方形成偏壓(bias)電位而施加於試料或保持該試料之試料台內部的電極之高頻電力的大小或頻率、或使得形成被供給用來形成電漿的電場之電力，隨著時間經過(時間性的)而變化，也就是施以所謂調變，便能夠提升預先形成於試料上面之處理對象膜的選擇比。
此外，還知道，藉由周期性地反覆增減偏壓形成用之高頻電力的大小(振幅)，在供電漿形成而供施 以試料處理之真空容器內部的處理室內壁，便能夠減低於試料處理中附著之附著物的量或該附著物的剝離。舉例來說，已知有於蝕刻處理中，使偏壓電位形成用之高頻電力做振幅調變，而反覆其輸出為高的期間與低的期間，來進行蝕刻。
作為這樣的習知技術，已知有如日本特開2013-12624號公報(專利文獻1)所揭示者。專利文獻1中揭示一種電漿處理裝置或處理方法，係偏壓電位形成用之高頻電力周期性地反覆高輸出時與低輸出時，藉此，讓處理對象膜的溝或孔等加工形狀的表面於處理中堆積之膜的材質為非晶質時容易控制異物或潔淨。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2013-12624號公報
上述習知技術中，對於以下問題點考量不足，因此產生了問題。
亦即，在一面將偏壓形成用之高頻電力供給至試料台內部的電極一面處理載置於其上面的試料之處理 裝置當中，為了將來自高頻電力電源之高頻電力有效率地供給至試料台，必須整合高頻電源與相對於其電位而決定偏壓電位之電漿之間的阻抗。換言之，需要適當地設定高頻電源與電漿(包括和試料台內部的電極之間的供電用路徑在內)之間的電氣路徑的阻抗，以便能夠消除或減低高頻電力對於作為介電體而在等價電路上表現成為負載之電漿而言的反射。
但，若如專利文獻1般，當整合周期性地反覆高輸出時與低輸出時之高頻電力與電漿之間的阻抗的情形下，隨著高頻電力的輸出變化，與電漿之間的阻抗會變動。舉例來說，當反覆高輸出時與低輸出時之頻率從100Hz變成10kHz的情形下，上述阻抗會以100μs~10ms之周期變動。即使藉由實現整合的電路以機械性的控制來使阻抗變化，但實質上仍難以實現使對應於變動之輸出值的各者而整合之阻抗追蹤上述變動周期。
又，即使僅在高輸出或低輸出的其中一方的期間中對上述阻抗使其整合，於未做阻抗整合的期間中，仍會發生高頻電力的反射，反射波會從試料台內部的電極朝向高頻電源流動。因此，會因該反射波的電力，而發生高頻電源或整合用電路內的元件產生熱乃至於損傷等問題。
另外，實質輸出值相對於設定好的高頻電力 輸出值之差距會變大，而會發生試料處理的重現性降低之問題。上述習知技術中並未充分考量這樣的問題。
本發明之目的，在於提供一種提升重現性之電漿處理裝置或電漿處理方法。
上述目的，係藉由下述電漿處理裝置而達成，該電漿處理裝置，具備：處理室，配置於真空容器內部，內側受到減壓，供電漿形成；及處理台，配置於該處理室內，供處理對象之晶圓載置於其上；及第1電源，為輸出從前述真空容器的上方供給至前述處理室內的電場以便形成前述電漿之第1電源，且於前述晶圓的處理中形成反覆供給高輸出和低輸出之第1頻率的電場；及第2電源，對配置於前述處理台的內部之電極供給第2頻率的電力；及控制裝置，於前述晶圓的處理中，使前述電場為高輸出時的負載阻抗與為低輸出時的負載阻抗之間的值，和前述第1電源的阻抗整合。
藉由本發明，能夠將周期性地反覆高輸出時與低輸出時之高頻電源的反射予以時間平均性地抑制，而能夠減低高頻電源的電力損失以及對於高頻電源或整合器 內的電路元件之損傷或發熱。此外，實質輸出值會趨近輸出設定值，因此可預期會提升蝕刻處理的重現性。
101‧‧‧處理室
102‧‧‧渦輪分子泵浦
103‧‧‧第1高頻電源
104‧‧‧第1整合器
105‧‧‧第2高頻電源
106‧‧‧第2整合器
107‧‧‧脈衝發生器
108‧‧‧控制部
109‧‧‧平面天線
110‧‧‧噴氣板
111‧‧‧處理台
112‧‧‧氣體導入孔
113‧‧‧線圈
114‧‧‧晶圓
115‧‧‧電漿
116‧‧‧RF感測器
117‧‧‧微電腦
118‧‧‧脈衝電動機a
119‧‧‧脈衝電動機b
120‧‧‧可變電容器a
121‧‧‧可變電容器b
122‧‧‧線圈
123‧‧‧RF感測器
124‧‧‧微電腦
125‧‧‧脈衝電動機a
126‧‧‧脈衝電動機b
127‧‧‧可變電容器a
128‧‧‧可變電容器b
129‧‧‧線圈
[圖1]本發明實施例之電漿處理裝置的構成概略模型示意縱截面圖。
[圖2]圖1所示實施例之電漿處理裝置所進行的整合動作流程示意流程圖。
[圖3]圖1所示實施例之電漿處理裝置的整合動作流程示意流程圖。
[圖4]圖1所示實施例之電漿處理裝置於處理室內放電而形成電漿的條件示意表。
[圖5]依圖4所示條件實施蝕刻處理的情形下，第1整合器實施整合時的動作時序圖。
[圖6]依圖4所示條件實施蝕刻處理的情形下，第2整合器實施整合時的動作時序圖。
[圖7]第1變形例之電漿處理裝置中，檢測使第1整合器對於第1高頻電源的電力而言整合之目標值的動作流程示意流程圖。
以下，利用圖面說明本發明之實施形態。
〔實施例1〕
利用圖1至圖6說明本發明之第1實施例。圖1為本發明第1實施例之電漿處理裝置的構成概略模型示意縱截面圖。
圖1所示電漿處理裝置，大致區分，係具備：真空容器，其內部空間受到減壓而成為規定之真空度；及電磁場供給部，配置於真空容器的上方，對真空容器的內部供給電場或磁場以用來形成電漿；及排氣部，配置於真空容器下方，具有將真空容器內部予以排氣之渦輪分子泵浦(turbo molecular pump)102或粗抽泵浦等真空泵浦。真空容器為具有處理室101之金屬製容器，該處理室101為具有內側圓筒形之空間，且為供處理對象的半導體晶圓等基板狀試料配置而供電漿形成之空間；在其下部配置著與處理室連通而其內部的氣體被排氣之排氣口；該排氣口透過排氣用管路而與排氣部的渦輪分子泵浦102的入口連通。
在真空容器內部，配置有：處理室101，為電漿形成用的空間且具有圓筒形；及平面天線109，具有圓板形狀，配置於處理室101的上方，對處理室101內供給電場。在真空容器的外部，具備：電漿生成用之第1高頻 電源103，與平面天線109藉由同軸電纜而連接；及第1整合器104，在該第1高頻電源103與真空容器之間配置成與它們電性連接。另，第1高頻電源103與接地(earth)電性連接。
在處理室101的內部，配置有處理台111，其具有圓筒形，供處理對象試料亦即晶圓114載置於其上面；在處理台111或載置於其上的晶圓114與平面天線109之間的處理室101內的空間，藉由從該平面天線109供給之電場而形成電漿。在處理台111的下方，配置有圓形之上述排氣口，供處理室101內的氣體、電漿或粒子排出。圓筒形之處理台111的中心軸、及處理室101的具有圓筒形之空間的上下軸、以及上下穿過排氣口中心的軸，在本實施例中係被配置成一致，或接近至可視為一致的程度之位置。
在真空容器的處理室101的下方，配置著偏壓電位形成用之高頻電源105，其透過同軸電纜而與配置於處理台111的內部之金屬製圓筒形或圓板形狀的電極電性連接；該第2高頻電源105與接地電性連接。又，第2整合器106係電性連接而配置於第2高頻電源105與處理台111的電極之間的供電路徑上。本實施例中，第1高頻電源103及第2高頻電源105、以及第1整合器104、第2整合器106，係與控制部108電性連接，該控制部108 包括生成脈衝訊號之脈衝發生器107，藉由從控制部108輸出之指示訊號，來進行該些第1高頻電源103、第2高頻電源105、第1整合器104、第2整合器106的動作的調節。
控制部108的脈衝發生器107，係輸出脈衝狀的訊號，其係頻率100Hz~10kHz中的高值及低值、或是規定值及0反覆或振動，以作為ON值及OFF值。第1高頻電源103、第2高頻電源105，具有下述功能，即，對於各自接收之這樣的脈衝訊號，以和其同步的方式各自將輸出切換成高輸出及低輸出。對於第1高頻電源103及第2高頻電源105，可從脈衝發生器107發出同一訊號，亦可各自發出不同的訊號。
控制部108，內部具備：微處理器等演算器；及RAM、ROM、快閃記憶體、硬式磁碟機、CD-ROM或DVD-ROM與其驅動裝置這類的記憶裝置；及與外部裝置之間的通訊手段之介面；它們之間藉由有線或無線通訊手段而可通訊地連接。此外，控制部108，構成為可透過通訊手段而與未圖示之配置於構成圖1所示電漿處理裝置的複數個部分之溫度感測器、壓力感測器、氣體流量檢測器、位置檢測感測器等偵測器通訊；因應接收來自該些偵測器的輸出而得之結果，演算器會讀出記憶裝置內預先記憶好的軟體或資料，並循著它們當中所含的演算法，算出 電漿處理裝置當中蝕刻用氣體的流量或排氣量、速度、及閘閥的開關為供給或停止電場/磁場等動作的開始、停止或調節其值之指示訊號，並透過介面對目標機器發出該訊號。上述指示訊號，亦可為控制部108接收來自主電腦的指示或資料訊號並因應其來算出，該主電腦係於設置有複數個電漿處理裝置之無塵室等廠房中，調節它們的動作或調節晶圓114相對於其之搬運。
在由鋁等導電性材料所構成而接地之圓筒形狀的真空容器內的處理室101上方，且在平面天線109的下方，配置著具有圓板形狀之噴氣板(shower plate)110，其構成處理室101的天花板面；蝕刻氣體通過複數個配置於噴氣板110中心部之貫通孔亦即氣體導入孔112，朝向處理台111的上面被導入至處理室101內。氣體導入孔112，係具有同直徑，在噴氣板110的中心部於板面方向以相互均等距離配置，以便能夠在處理室101內使蝕刻氣體於載置於處理台111上之晶圓114的上面的面內方向均等地接近並導入。
在構成具有圓筒形之處理室101的真空容器的圓筒形部分的側壁外周、及上面的上方的同軸電纜周圍，係圍繞上述圓筒形部分配置有線圈113，其供給磁場以用來在處理室101內形成磁場。來自未圖示之直流電源的電力係供給至線圈113而產生磁場，而以在處理室101 的上下方向的中心軸周圍呈均等、對稱的方式形成規定強度之磁場。
蝕刻處理對象之晶圓114，係從未圖示之與真空容器的側壁連結之另一真空容器且為受到減壓之內部的搬運室內，被載置於機械臂的臂上搬運而來，在閥(閘閥)開放的狀態下被搬入至處理室101內，該閥配置於搬運室與處理室101之間，將連通它們之間而供晶圓114搬運之通路的開口亦即閘門予以開關。晶圓114從機械臂的臂被遞交至處理台111上，在處理台111的上面且具有圓形或近似至可視為圓形程度之形狀的載置面上，晶圓114與其相接而被載置。
晶圓114，係藉由靜電力而晶圓114被吸附於載置面上並被保持在處理台111上，該靜電力是藉由對構成載置面之介電體製膜的內部所配置的膜狀電極供給之直流電力，而形成於介電體膜與晶圓114之間。來自未圖示之氣體源的蝕刻處理用氣體，通過與真空容器連接之路徑，而被導入並分散至配置於噴氣板110的背面上方且為與平面天線109之間的空間，其後通過氣體導入孔112流入至處理室101內。
處理室101內部的氣體或粒子，通過配置於處理室101下部之排氣口，藉由渦輪分子泵浦102的動作而被排氣。處理室101內部的壓力，是藉由來自氣體導入 孔112之處理用蝕刻氣體的導入量、速度，以及來自排氣口之排氣量、速度之間的平衡，而實現規定的真空度。當判定處理室101內的壓力已成為適於處理之值後，線圈113被供給直流電流而形成磁力，而供給磁場至處理室101內，同時藉由由第1高頻電源103供給至平面天線109之第1高頻電力，而從平面天線109供給第1高頻電場至處理室101內。
藉由該些電場與磁場的相互作用，被導入至處理室101內的蝕刻氣體粒子會因電子迴旋共振(Electron Cyclotron Resonance：ECR)而被激發，在處理室101內且為平面天線109與處理台111或載置於其上之晶圓114之間的空間，會生成高密度之電漿115。在形成電漿115的狀態下，對於配置於處理台111內部而一部分構成其之圓筒或圓板形狀的金屬製電極，係藉由第2高頻電源105施加高頻電力，而在晶圓114的上方形成由電漿115的電位所決定之偏壓電位。因應偏壓電位與電漿115的電位之電位差，電漿115中的離子等帶電粒子，會被引誘朝向晶圓114的上面，而衝撞預先形成於晶圓114上面之處理對象膜，並對附著於晶圓114之電漿115中生成的活性粒子(自由基)賦予和電位差或電力值相應之能量，而與膜的材料之間發生化學、物理性反應等相互作用，實施蝕刻。
第1高頻電源103與第2高頻電源105，因應來自控制部108的指示訊號，而調節高輸出、低輸出各者之值。又，第1高頻電源103及第2高頻電源105的高輸出及低輸出之間的切換，是接收了從配置於控制部108之脈衝發生器107輸出之脈衝訊號的各個電源，和訊號的ON或OFF的其中一方之值相對應，本實施例中，第1高頻電源103或第2高頻電源105，係脈衝訊號的輸出為較高值(H位準)時成為高輸出，脈衝訊號為較低值(L位準)時成為低輸出。
本實施例中，脈衝訊號輸出的高低變化係在頻率100Hz~10kHz內反覆或振動，每單位時間的H，L位準期間的比率(工作比，duty ratio)於10~90%之範圍內變更。藉由此構成，來自第1高頻電源103或第2高頻電源105的輸出，會循著脈衝訊號以規定頻率反覆或振動而反覆成為高低，來自各電源之規定頻率的高頻電力，與規定頻率的脈衝訊號的輸出，會成為實質上可視為重疊。又，本實施例中，來自第1高頻電源103或第2高頻電源105的輸出，會和來自脈衝發生器107的脈衝訊號的高低振動同步，而輸出規定之高低值。
本實施例中，隨著這樣的時間經過使電源的輸出以規定值的振幅值反覆高低，以下將這樣的電源的輸出調節稱為時間調變。控制部108，循著規定的演算法， 算出適於電漿處理裝置的運轉或適於晶圓114的處理之上述時間調變的脈衝訊號的頻率或工作比，並將其設定成為運轉條件而發訊。
第1整合器104，係配置於第1高頻電力的對於平面天線109的電力供給之路徑(供電路徑)上，具備：RF感測器116，偵測行進波電力的大小Pf、反射波電力的大小Pr、行進波電力與反射波電力的相位差θ；及微電腦117，與該RF感測器116可通訊地連接，由其輸出值算出反射係數以及電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio：VSWR，以下稱VSWR)、負載阻抗。此外，該微電腦117係與使可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量增減之脈衝電動機(pulse motor)a118及脈衝電動機b119可通訊地連接，接收了從微電腦117發出的指示之可變電容器a120或可變電容器b121會因應該訊號而動作，藉此調節上述靜電容量。
本實施例之第1整合器104，藉由像這樣具備可變電容器a120及可變電容器b121以及在它們之間電性串聯連接的配線與接地處之間電性連接配置之線圈122的電路的動作，來針對第1高頻電源103與電漿115之間(包括第1整合器104)的負載的阻抗進行整合。第2整合器106亦具備和第1整合器104同等之構成，具備：RF感測器123及微電腦124、脈衝電動機a125、脈衝電動機 b126、可變電容器a127、可變電容器b128、線圈129，而對第2高頻電源105與電漿115之間(包括第2整合器106)的負載阻抗進行整合。
此外，對於第1整合器104以及第2整合器106內部的微電腦117及微電腦124，會發出藉由控制部108而在脈衝發生器107生成之脈衝訊號。除此之外，還會輸入指示在後述第1整合器104或第2整合器106做中間值的整合動作之訊號、或是輸入設定或指示後述該些整合器的整合目標輸出之訊號，因應這樣的訊號，於各整合器中實施整合動作。
圖2及圖3為本發明第1實施例之第1或第2整合器中的整合動作流程示意流程圖。本發明中，為了使輸出上述受到時間調變的高頻電力之第1高頻電源103及第2高頻電源105與處理室101之間的阻抗整合，減低包括處理室101內的電漿而構成之電路上的負載所造成之上述高頻電力的反射，以提升電漿的形成及利用其所做的處理的效率，係依照圖2至圖3所示流程圖來驅動第1整合器104及第2整合器106。
圖2中，本實施例之整合動作，係從整合開始步驟201開始整合動作。接著，步驟202中，確認是否需要在高輸出與低輸出之中間值做整合動作。
本實施例之動作，於步驟202及步驟203 中，係設定第1整合器104與第2整合器106的整合目標，並因應該整合目標值，來分歧成當設定為高輸出的情形下使電漿阻抗整合之流程2a、及當為低輸出的情形下使電漿阻抗整合之流程2b、及當為高輸出時與低輸出之中間值的情形下使電漿阻抗整合之流程(圖2中以A表示，後述圖3中以3a表示)。
在確認有無中間值的整合動作之步驟202中，從控制部108接收了指示整合的動作訊號之微電腦117或124，會依該訊號檢測指示的內容，當判定不做中間值的整合動作(OFF)的情形下，移轉至步驟203來確認整合目標是被設定成高輸出或低輸出。當依來自控制部108的動作訊號判定在中間值做整合(ON)的情形下，移轉至A。
以下，說明第1整合器104中的動作及其流程，惟第2整合器中同等的動作亦以同等流程實施。步驟203中，微電腦117依據從控制部108接收之訊號而檢測出的值，判定要以高輸出時的整合條件來進行整合動作還是以低輸出時的整合條件來進行整合動作，也就是判定整合的設定值為高輸出值或低輸出值的哪一者。因應判定之結果，整合動作分別轉移至整合流程2a或整合流程2b。
當步驟203中判定為對高輸出值整合之動作的情形下，首先於步驟204中，取得下述各個值，即，當 高頻電力大小較高(高輸出)的情形下之高頻的行進波電力的大小Pf、反射波電力的大小Pr、行進波電力與反射波電力之相位差θ(步驟204)。該步驟204中，微電腦117依照配置於第1高頻電源103與可變電容器a120之間的電路上之RF感測器116所偵測輸出之訊號，來檢測第1高頻電力為高輸出時之Pf、Pr、θ，然後移轉至步驟205來算出求得高輸出情形下的反射係數Γ。
在算出高輸出時的反射係數Γ之步驟205中，微電腦117利用步驟204中取得的Pf、Pr、θ之值，依據預先在內部的未圖示記憶裝置內取得存儲之軟體的演算法，來算出第1整合器104的感測器中的輸入反射係數Γ。接著，在算出VSWR之步驟206中，微電腦117利用步驟205中算出的反射係數Γ，循著如同步驟205般預先取得的演算法，來算出第1高頻電源103與第1整合器104之間的VSWR。
接著，步驟207中，微電腦117讀出步驟206中算出的VSWR與記憶裝置內預先記憶的整合判定值並將其比較，判定前者是否為後者的值以下。當VSWR為整合判定值以下的情形下，微電腦117判定已取得整合，本流程2a回到步驟204。另一方面，當微電腦117判定VSWR比整合判定值還大的情形下，移轉至步驟208。
步驟208中，微電腦117循著預先記憶於記 憶裝置的演算法，利用步驟205中算出的反射係數Γ，算出從高頻電源側觀察電漿負載(包括整合器)時之負載阻抗ZL。又，下一步驟209中，微電腦117算出第1整合器104的可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量值，以便使步驟208中算出的負載阻抗ZL與高頻電源的阻抗Z0整合。
下一步驟210中，微電腦117對第1整合器104內的脈衝電動機a118及脈衝電動機b119發出使其旋轉之動作指示，以使可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量成為步驟209中算出的各個靜電容量值。其後，回到步驟204。
另一方面，當判定步驟203中設定之整合目標值為低輸出值而移轉至整合流程2b的情形下，會移轉至步驟211來取得低輸出時的Pf、Pr、θ。該步驟211中，取得高頻電力的輸出較低的狀態下之Pf、Pr、θ，移轉至步驟212。步驟212以降的整合流程2b中，以如同上述整合流程2a的步驟204以降之過程來進行整合動作。
步驟202中當移轉至分歧A的情形下，移轉至流程3a來判定圖3所示對於高頻電源的輸出之整合目標值。圖3為檢測使第1整合器相對於圖1所示實施例之第1高頻電源的電力而言整合之目標值的動作流程示意流 程圖。
本圖中示意之流程3a的檢測動作，係在微電腦117的內部執行。流程3a中，首先於步驟301中，使流程分歧成高輸出情形及低輸出情形各者，以便算出當第1高頻電源103的電力分別為高輸出時及低輸出時的情形下和負載阻抗相對應之第1整合器104內的可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量值。當高頻電力為高輸出值的情形下移轉至步驟302。當高頻電力為低輸出值的情形下移轉至步驟306。
本流程中，檢測當第1高頻電源103為高輸出時的Pf、Pr、θ之步驟302、算出高輸出時的反射係數Γ之步驟303、算出負載阻抗304之步驟304、及算出當高輸出值的情形下欲使第1整合器104整合之第1整合器104內的可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量值之步驟305，係同等於圖2所示流程2a的除了步驟206、207以外之步驟204至步驟209流程。又，取得當第1高頻電源103為低輸出時的Pf、Pr、θ之步驟306、算出高輸出時的反射係數Γ之步驟307、算出負載阻抗304之步驟308、及算出當高輸出值的情形下欲使第1整合器104整合之第1整合器104內的可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量值之步驟309，係同等於圖2所示流程2b的除了步驟213、214以外之步驟211至步驟 216流程。
於步驟305中算出上述高輸出時的靜電容量值，於步驟309中算出低輸出時的靜電容量值後，移轉至步驟310來算出在高輸出時與低輸出時的中間值之第1整合器104的可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量。本例的步驟310中，和高輸出值與低輸出值的中間值相對應之上述靜電容量值，係利用步驟305中算出的於高輸出時使第1整合器104整合之可變電容器a120的靜電容量值〔VC1(high)〕及可變電容器b121的靜電容量值〔VC2(high)〕，以及步驟309中算出的於低輸出時使其整合之可變電容器a120的靜電容量值〔VC1(low)〕及可變電容器b121的靜電容量值〔VC2(low)〕，來算出分別能夠抑制高輸出時與低輸出時的反射波之可變電容器a120、可變電容器b121的靜電容量值。
本例中，微電腦117若以高輸出時的行進波電力的大小為Pf(high)、低輸出時的行進波電力的大小為Pf(low)、工作比為D，則將和高輸出時與低輸出時的中間值相對應之可變電容器的靜電容量值VC1(middle)、VC2(middle)各者依下述式(1)，(2)算出。該些值被設定成為可變電容器a120、可變電容器b121中應實現之值。
本例中，藉由高輸出時及低輸出時的行進波輸出與工作比的乘積，來對複數個可變電容器各者的靜電容量值加上權重，藉此因應高輸出時與低輸出時的後述時間平均輸出的比，來決定可變電容器的靜電容量值。像這樣循著圖3所示流程3a來算出對於中間值之複數個可變電容器的靜電容量值及其設定，於第2整合器106中亦同樣地進行。
接著，移轉至步驟311，對第1整合器104的脈衝電動機a118及脈衝電動機b119發出使其旋轉之動作指示，以便使可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量成為步驟310中算出的各個靜電容量值。流程3a，其後回到步驟301。
以下利用圖4至圖6，說明上述說明的實施例之電漿處理裝置中依據圖2至圖3所示流程圖實施整合動作的情形下之結果。
圖4為圖1所示實施例之電漿處理裝置於處理室101內放電而形成電漿115的條件示意表。圖4表 中，將第1高頻電源103、第2高頻105各者中的複數個參數值的不同組合，以條件401、402、403表示成為複數個設定。本圖中，高輸出時的時間平均輸出Pf(high)ave.及低輸出時的時間平均輸出Pf(low)ave.，係依以下式(3)，(4)算出。
【數2】Pf(high)ave.=Pf(high)×D (3) Pf(low)ave.=Pf(low)×(1-D) (4)
利用圖5，6，說明本實施例之電漿處理裝置中隨著時間經過而實施之整合動作。圖5及6為圖1所示實施例之電漿處理裝置的整合動作相對於時間經過之示意時序圖。
圖5為依圖4所示條件401、402、403實施蝕刻處理的情形下，第1整合器104實施整合時的動作時序圖。本圖中，揭示下列各者隨著時間經過之變化，即，示意第1整合器104中當第1高頻電源103的輸出為中間值的情形下實施或不實施整合動作之訊號501、示意第1整合器104所欲整合之目標的第1高頻電源的輸出位準之訊號502、第1整合器104的可變電容器a120的靜電容量值503、第1整合器104的可變電容器b121的靜電容 量值504、第1高頻電源103的行進波的電力值505、第1高頻電源103的反射波的電力值506、以及示意是否於第1整合器104做檢測高頻電力參數的動作之感測訊號507。
另一方面，圖6為圖1所示實施例之第2整合器106實施整合時的動作時序圖。本圖中，揭示下列各者隨著時間經過之變化，即，示意第2整合器106中在第2高頻電源105的中間值下實施或不實施整合動作之訊號601、示意第2整合器106的目標輸出之訊號602、第2整合器106的可變電容器a127的靜電容量值603、第2整合器106的可變電容器b128的靜電容量值604、第2高頻電源105的行進波的電力值605、第2高頻電源105的反射波的電力值606、以及示意是否於第2整合器106做檢測高頻電力參數的動作之感測訊號607。
另，當第1整合器104的感測訊號507及第2整合器106的感測訊號607為ON的情形下，微電腦117，124接收來自第1整合器104內部的RF感測器116及第2整合器106內部的RF感測器123之輸出，而檢測高頻電源的行進波電力的大小Pf、反射波電力的大小Pr、行進波電力與反射波電力之相位差θ。
利用圖5、6所示時序圖，說明本實施例之電漿處理裝置從蝕刻處理開始之時刻t0至蝕刻處理結束之 時刻t5為止的動作流程。
於時刻t0，晶圓114被設置於處理台111後，在電漿115形成於處理室101內而晶圓114藉由靜電力被吸附保持於處理台111上面的狀態下，從時刻t1開始晶圓114的蝕刻處理。從時刻t0至時刻t5為止，從控制部108以及控制部內的脈衝發生器107，對第1高頻電源103及第1整合器104、第2高頻電源105、第2整合器106送接收訊號，該訊號包括用來實現所需蝕刻處理之動作指示及其條件並設定之。
本圖中，本例之電漿處理裝置，從時刻t1至時刻t2為止的期間，係依據圖4所示條件401來動作而實施蝕刻處理。在該時刻t1與t2之間，隨著時間經過，來自第1高頻電源103及第2高頻電源105的輸出會在規定之高輸出值與低輸出值之間切換而增減。條件401中，第1高頻電源103的輸出值，相較於其他的條件，係被設定成高輸出值與低輸出值之間的輸出差距大且工作比大(本例中為90%)，因此相對於低輸出時的時間平均輸出而言，高輸出時的時間平均輸出呈30倍以上。因此，本例中，判定當第1高頻電源103的電力為高輸出值的情形下，藉由對負載阻抗進行整合，能夠更有效地抑制時間平均反射波，而將示意第1整合器103所欲整合之目標的高頻電力輸出(的設定)之訊號502，訂為示意為高輸出 值。
另一方面，第2高頻電源105的輸出值，相較於其他的條件，係高輸出與低輸出之輸出差距小且工作比小(本例中訂為10%)，因此相對於高輸出時的時間平均輸出而言，低輸出時的時間平均輸出呈7倍左右。由此，本例中，判定當第2高頻電源105的電力為低輸出值時，藉由對負載阻抗進行整合，能夠更有效地抑制時間平均反射波，而將示意第2整合器106所訂目標的高頻電力輸出之訊號602，訂為示意為低輸出值。此外，第1整合器104的可變電容器a120的靜電容量值603及可變電容器b121的靜電容量值604、第2整合器105的可變電容器a127的靜電容量值603及可變電容器b128的靜電容量值604之初始值，係被設定在該些可變電容器各者所能夠實現使其容量可變之範圍的中心值。
依據上述設定，在時刻t1從第1高頻電源103及第2高頻電源105輸出高頻電力。第1整合器104中，是以高輸出時的電漿115的阻抗作為整合目標值，因此只有當來自第1高頻電源103的輸出為高輸出的情形下，示意第1整合器104是否做檢測參數的動作之感測訊號507才會成為ON。另一方面，第2整合器106中，是以低輸出時的阻抗作為整合目標值，因此只有當低輸出時，有關第2整合器106之感測訊號607才會成為ON。 另，本例中，第1高頻電源103成為高輸出值之時刻或時序及時間，係被調節成和第2高頻電源105成為低輸出值之時刻或時序及時間同步，但並不限於此。
在此狀態下，在時刻t1至t2中，第1整合器的可變電容器a120及可變電容器b121、第2整合器106的可變電容器a127及可變電容器b128，其靜電容量值受到調節，第1整合器104及第2整合器106依據圖2流程圖之整合流程2a或整合流程2b實施整合。也就是說，從時刻t1起第1高頻電源103會輸出高輸出值之電力。時刻t1以降，第1整合器104在被供給高輸出電力的期間會對該高輸出值進行整合，因此第1高頻電源的反射波電力從時刻t1之後立即開始減少，一旦第1整合器104於到達時刻t2之間的時刻t6，對於上述高輸出時的電漿的阻抗滿足整合條件，則示意反射波電力值之訊號506實質上成為0。
另一方面，如圖6之訊號605所示，第2高頻電源105如同第1高頻電源103般從時刻t1起開始供給高輸出值。第2整合器106是設定成於低輸出值時進行整合，因此第2高頻電源105係從切換成低輸出值之時刻t7起開始其整合，第2高頻電源105的反射波電力開始減少，在時刻t8，一旦第2整合器106中對於第2高頻電源105為低輸出時之電漿阻抗滿足整合條件，則示意反射波 電力值之訊號606實質上成為0。
從時刻t6至t2之間，第1整合器104實施調節可變電容器的靜電容量值之整合，以實現下述這樣的電漿(負載)阻抗，即，和來自上述第1高頻電源103之高輸出值相對應且其所致之反射波電力實質上成為0。因此，如圖5所示，時刻t6至t2中，訊號503，504的值被控制為一定，訊號506實質上被控制成0。
同樣地，從時刻t8至t2之間，第2整合器106實施調節可變電容器的靜電容量值之整合，以實現下述這樣的電漿(負載)阻抗，即，和來自上述第2高頻電源105之低輸出值相對應且其所致之反射波電力實質上成為0，因此如圖6所示，時刻t8至t2中，訊號603，604的值被控制為一定，訊號606實質上被控制成0。然而，在循著條件401做蝕刻處理的期間當中，於第1高頻電源103的反射波電力輸出第1整合器104未訂為整合目標之低輸出值的期間，及於第2高頻電源105的反射波電力輸出第2整合器106未訂為整合目標之高輸出的期間，雖然第1整合器104、第2整合器106有做整合動作，仍無法抑制它而至少會被檢測出暫時性的變化。
從時刻t2至時刻t3，係依圖4所示條件402之條件執行蝕刻處理。條件402，如圖4所示，第1高頻電源103的電力的高輸出值和條件401的相等，而低輸出 值則訂為比條件401的還高，另一方面，第2高頻電源105的電力的高輸出值和條件401的相等，而低輸出值則訂為比條件401的還低。此外，第1高頻電源103及第2高頻電源105的工作比訂為和條件401相反之值。
由此，條件402中第1高頻電源103的輸出的時間平均值，高輸出值者變為低輸出者的的6分之1，第2高頻電源105的輸出的時間平均值則反過來變為30倍。依這樣的條件做處理之時刻t2至t3中，該條件402下第1整合器104及第2整合器106各者訂為目標之電力輸出值，係依照圖4中高輸出時的時間平均輸出與低輸出時的時間平均輸出來擬訂，以第1整合器104所欲整合之目標作為低輸出時的輸出，以第2整合器106的目標作為高輸出時者，而設定訊號502，602的輸出。
在時刻t2，從第1高頻電源103及第2高頻電源105分別輸出低輸出值的高頻電力，至時刻t3為止隨著時間經過會在規定之高輸出值與低輸出值之間切換而增減。本例中，因應於此，第1整合器104是以當第1高頻電源103的電力為低輸出的情形下之電漿阻抗作為整合目標，因此只有當該電力為低輸出時，有關第1整合器104之感測訊號507才會成為ON。另一方面，第2整合器106是以當第2高頻電源105的電力為高輸出的情形下之電漿阻抗作為整合目標值，因此只有在高輸出時，第2 整合器106之感測訊號607才會成為ON。
本例中，第1高頻電源103從時刻t2起依據設定而以低輸出值進行輸出。此時，第1整合器104係被設定成依據訊號502而對應於第1高頻電源103的電力的低輸出來進行整合動作，故第1高頻電源103的反射波電力會從時刻t2開始減少，於時刻t9，第1整合器105對於第1高頻電源103的電力為低輸出值情形下之電漿阻抗滿足整合條件，則示意反射波電力之訊號506實質上成為0。
另一方面，如同第1高頻電源103，第2高頻電源105從時刻t2起輸出其低輸出值，而第2整合器106係被設定成依據訊號602而對應於第2高頻電源105的電力的高輸出值來進行整合動作，故從第2高頻電源105的電力切換成高輸出值之時刻t10開始，以第2整合器106開始整合而第2高頻電源105的反射波電力開始減少，於時刻t11，第2整合器106對於上述高輸出時之電漿阻抗滿足整合條件，則示意反射波電力之訊號606實質上成為0。
從時刻t9至t3之間，第1整合器104實施調節可變電容器的靜電容量值之整合，以實現下述這樣的電漿(負載)阻抗，即，和來自上述第1高頻電源103之低輸出值相對應且其所致之反射波電力實質上成為0。因 此，如圖5所示，時刻t9至t3中，訊號503，504的值被控制為一定，訊號506實質上被控制成0。
同樣地，從時刻t11至t3之間，第2整合器106實施調節可變電容器的靜電容量值之整合，以實現下述這樣的電漿(負載)阻抗，即，和來自上述第2高頻電源105之高輸出值相對應且其所致之反射波電力實質上成為0，因此如圖6所示，時刻t11至t3中，訊號603，604的值被控制為一定，訊號606實質上被控制成0。然而，如同條件401處理(時刻t1至t2之處理)之情形般，在循著條件402做蝕刻處理的期間當中，於第1高頻電源103的反射波電力輸出第1整合器104未訂為整合目標之高輸出值的期間，及於第2高頻電源105的反射波電力輸出第2整合器106未訂為整合目標之低輸出值的期間，雖然第1整合器104、第2整合器106有做整合動作，仍無法抑制它而至少會被檢測出暫時性的變化。
從時刻t3至時刻t4，係循著圖4所示條件403執行蝕刻處理。條件403下的第1整合器104及第2整合器106的整合目標，係如同條件401、條件402情形般來擬訂。
如圖4所示，條件403的第1高頻電源103及第2高頻電源105各者的電力的低輸出值，係訂為條件401下的值與402的值之中間值。此外，兩者的工作比均 等訂為50%。本例中，條件403的第1高頻電源103及第2高頻電源105各者成為高輸出值、低輸出值之時刻或時序及時間係被調節成同步，但亦可如條件402般不同步。
這樣的條件403中，第1高頻電源103的電力為高輸出值情形下之輸出的時間平均值，變為未滿其低輸出值情形下之時間平均值的2倍，料想若僅對於高輸出情形下之負載阻抗進行整合，則無法反射波或其時間平均值的大小。鑑此，本實施例中，將第1整合器104的整合目標值，設定成當第1高頻電源103的電力為高輸出情形下之電漿(負載)阻抗與當為低輸出之情形下之電漿阻抗的中間值來實施整合，表示其之示意是否以第1整合器104做對應於中間值的整合之訊號501，在時刻t3至t4之間被控制成ON。
此外，第2高頻電源105的電力的高輸出值與低輸出值之時間平均值的比，亦如同第1高頻電源103的情形般未滿2倍，故第2整合器106的整合目標亦設定成第2高頻電源105的電力為高輸出值時的電漿阻抗與為低輸出值時的電漿阻抗之中間值，示意是否以第2整合器106做對應於中間值的整合之訊號601，在時刻t3至t4之間被控制成ON。另，這樣的訊號，被包含在從控制部108以及控制部內的脈衝發生器107對第1高頻電源103及第1整合器104、第2高頻電源105、第2整合器106傳輸之訊號中，該訊號係包括用來實現所需蝕刻處理之動 作指示及其條件並設定之。
在時刻t3，從第1高頻電源103及第2高頻電源105輸出高頻電力。在時刻t3及其後一瞬間的時間點中，兩者被控制成各自的低輸出值。對應於從時刻t3起被控制成ON值之訊號501，第1整合器4的感測訊號507會成為ON，同樣地，對應於從時刻t3起被控制成ON之訊號601，第2整合器106亦讓第2整合器106的感測訊號607成為ON。
因此，第1整合器104及第2整合器106從時刻t3起各自開始對應於第1高頻電源103的輸出及第2高頻電源106的輸出之中間值之整合動作。也就是說，第1整合器104中其可變電容器a120及可變電容器b121，第2整合器104中其可變電容器a127及可變電容器b128，係循著圖3所示流程圖的流程3a，靜電容量受到調節以成為依微電腦117或124中檢測出的參數所算出之各個值，而進行整合。
本例中，第1高頻電源103從時刻t3起係以低輸出值輸出。在第1高頻電源103的輸出切換成高輸出值以前，圖3所示流程3a的步驟310中，僅會輸入對應於步驟309中算出的低輸出值來整合之可變電容器的靜電容量值，故步驟310的算出結果，會成為對應於當第1高頻電源103的電力為低輸出值情形下之第1整合器104的可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量值，實質 上第1整合器104會以對應於上述低輸出來整合的方式動作。
在時刻t12，第1高頻電源103的輸出切換成高輸出值，從時刻t12以降，在依照和規定工作比相應之時間而交互切換之高輸出值情形與低輸出值情形的各者當中，第1整合器104的流程3a中，會利用感測器的輸出來檢測當第1高頻電源103的電力為高輸出值情形及低輸出值情形的各者下的參數。然後，利用它們，以步驟310中藉由(1)式及(2)式算出之高輸出值與低輸出值的中間值作為目標值，以使電漿阻抗遵照它而使反射波成為規定值的方式，來調節第1整合器103的可變電容器a120及可變電容器b121的靜電容量值，而進行整合。
圖5中，從時刻t12起，第1整合器的可變電容器a120及可變電容器b121係被調節成具備對應於高輸出值與低輸出值的中間值之靜電容量值，對於來自第1高頻電源103的電力而言，反射波電力在交互反覆之高輸出值期間與低輸出值期間各者中，會隨著時間變化而被平均地抑制。也就是說，如圖5之訊號506的曲線所示，反射波的電力值，直到於時刻t13第1整合器104對於對應於中間值之電漿阻抗滿足整合條件之結果而成為規定值之期間為止，會從時刻t12起逐漸變化成在高輸出值期間與低輸出值期間各者交互地漸近至該規定值，而從達成整合並成為規定值之時刻t13起至時刻t4為止會維持該值。
另一方面，第2高頻電源105從時刻t3起係以低輸出值輸出。因此，如同第1高頻電源103的情形般，從時刻t3起至時刻t14為止，循著圖3的流程3a，第2整合器106係被調節成實質上對第2高頻電源105的低輸出整合。從時刻t14起第2高頻電源105的電力切換成高輸出值，從時刻t14起以第2高頻電源105的高輸出值與低輸出值之中間值作為目標，對應於此，以使電漿阻抗遵照它而使反射波的電力成為規定值的方式，來調節第2整合器的可變電容器a127及可變電容器b128的靜電容量值，而實施整合。
如圖6的訊號606所示，在時刻t14至時刻t15之間，在第2高頻電源105的輸出連續被控制成高輸出值的單一期間中，達成整合條件而反射波的電力被控制成規定值。於時刻t15，上述整合的上限達成後以降，維持該反射波的電力值。如此，第2高頻電源105的反射波電力便被平均地抑制。
於時刻t4，第1高頻電源103與第2高頻電源105係使輸出為0或切斷，第1整合器103的感測訊號507及第2整合器的感測訊號607亦被控制成OFF值。其後，在時刻t5結束蝕刻處理。
如上述實施例般，因應圖4所示第1高頻電源103或第2高頻電源105的電力的高輸出值與低輸出值，來切換與各者電性連接之第1整合器104及第2整合 器106各自的整合目標值而進行整合，藉此適當地進行反射波的抑制。如此一來，便可減低供給至電漿處理裝置的電力的損失。又，能夠使供給至負載即電漿之高頻電力值更加近似於設定，而提升晶圓處理的重現性。
〔變形例〕
上述實施例中，揭示了於第1整合器104或第2整合器106中，以高輸出值與低輸出值之中間值作為目標而進行整合時，藉由(1)式及(2)式算出複數個可變電容器的靜電容量值，並調節該可變電容器的容量使其成為該值。另一方面，以下說明的例子中，將揭示下述例子，即，依據高輸出值情形下包括整合器在內之負載阻抗的大小｜ZL｜(high)及相位角∠ZL(high)、及低輸出值情形下包括整合器在內之負載阻抗的大小｜ZL｜(low)及相位角∠ZL(low)，來算出對應於高輸出值與低輸出值之中間值的負載阻抗的大小｜ZL｜(middle)及相位角∠ZL(middle)，並以第1整合器104或第2整合器106進行整合以符合該值。
圖7為第1變形例之電漿處理裝置中，檢測使第1整合器對於第1高頻電源的電力而言整合之目標值的動作流程示意流程圖。圖7中，僅針對流程7a予以記載，該流程7a為第1整合器104中對應於第1高頻電源103的輸出的高輸出值與低輸出時之中間值的整合動作流 程。本例中，將整合目標值訂為高輸出值或低輸出值的情形下之整合動作，係等同於圖2所示流程2a及整合流程2b。
利用圖7所示流程圖，說明變形例中的整合動作。圖7所示第1高頻電源103的整合的流程7a中的步驟701，係對應於圖3所示流程3a中的步驟301。圖7的步驟701中，當判定第1高頻電源103的輸出為高輸出值的情形下，移轉至步驟702。另一方面，當判定為低輸出值的情形下移轉至步驟705。
本例中，從當第1高頻電源103的輸出為高輸出值的情形下取得Pf、Pr、θ之步驟702開始至當高輸出的情形下算出負載阻抗之步驟704為止的工程，係等同於圖3的流程3a中的步驟302至步驟304。同樣地，從當第1高頻電源103的輸出為低輸出值的情形下取得Pf、Pr、θ之步驟705開始至當低輸出的情形下算出負載阻抗之步驟707為止的工程，亦等同於圖3的流程3a中的步驟306至步驟308。
又，本例中，於步驟704，係算出當第1高頻電源103的輸出為高輸出值的情形下包括第1整合器104在內之負載阻抗的大小｜ZL｜(high)及相位角∠ZL(high)。此外，於步驟707，係算出低輸出時包括第1整合器104在內之電漿負載的阻抗的大小｜ZL｜(low)及相位角∠ZL(low)。其後，移轉至步驟708來算出中 間值的負載阻抗。
步驟708中，考量步驟704及步驟707中算出之負載阻抗的大小及相位值、以及當第1高頻電源104為高輸出值及低輸出值的情形下行進波的輸出及工作比，藉此，利用接下來揭示之(5)式及(6)式算出高輸出值與低輸出值之中間值的電漿負載的阻抗大小｜ZL｜(middle)及相位角∠ZL(middle)。
移動指示之步驟709中，係調節第1整合器104的可變電容器a120的靜電容量值，使得藉由(5)式算出之中間值的電漿負載的阻抗大小｜ZL｜(middle)與高頻電源的特性阻抗大小｜Z0｜之差值成為0，並調節可變電容器b121的靜電容量值，使得藉由(6)式算出之中間值的相位角∠ZL(middle)成為0。其後回到步驟701。
另，本例中，在步驟709中賦予移動指示來調節第1整合器104的2個可變電容器的靜電容量值之 前，會有脈衝輸出1周期份的待命，而會產生閒置時間，但於可變電容器的驅動控制中會進行閒置時間補償。此外，上述說明中，是以第1整合器104中的整合動作流程來說明圖7的流程7a，但依循流程7a來算出對於中間值之複數個可變電容器的靜電容量值以及其設定，於有關第2高頻電源105之第2整合器106中亦能同樣地進行。
本變形例中同樣地，因應第1高頻電源103或第2高頻電源105的電力的高輸出值與低輸出值，來切換與各者電性連接之第1整合器104及第2整合器106各自的整合目標值而進行整合，藉此適當地進行反射波的抑制。如此一來，便可減低供給至電漿處理裝置的電力的損失。又，能夠使供給至負載即電漿之高頻電力值更加近似於設定，而提升晶圓處理的重現性。
101‧‧‧處理室
102‧‧‧渦輪分子泵浦
103‧‧‧第1高頻電源
104‧‧‧第1整合器
105‧‧‧第2高頻電源
106‧‧‧第2整合器
107‧‧‧脈衝發生器
108‧‧‧控制部
109‧‧‧平面天線
110‧‧‧噴氣板
111‧‧‧處理台
112‧‧‧氣體導入孔
113‧‧‧線圈
114‧‧‧晶圓
115‧‧‧電漿
116‧‧‧RF感測器
117‧‧‧微電腦
118‧‧‧脈衝電動機a
119‧‧‧脈衝電動機b
120‧‧‧可變電容器a
121‧‧‧可變電容器b
122‧‧‧線圈
123‧‧‧RF感測器
124‧‧‧微電腦
125‧‧‧脈衝電動機a
126‧‧‧脈衝電動機b
127‧‧‧可變電容器a
128‧‧‧可變電容器b
129‧‧‧線圈

Claims (9)

  1. 一種電漿處理裝置，具備：處理室，配置於真空容器內部，內側受到減壓，供電漿形成；及處理台，配置於該處理室內，供處理對象之晶圓載置於其上；及第1電源，為輸出從前述真空容器的上方供給至前述處理室內的電場以便形成前述電漿之第1電源，且於前述晶圓的處理中形成反覆供給高輸出和低輸出之第1頻率的電場；及第2電源，對配置於前述處理台的內部之電極供給第2頻率的電力；及控制裝置，於前述晶圓的處理中，使前述電場為高輸出時的負載阻抗與為低輸出時的負載阻抗之間的值，和前述第1電源的阻抗整合。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其中，前述第2電源，係於前述晶圓的處理中反覆供給高輸出和低輸出，於前述晶圓的處理中，前述第2電源使高輸出時的負載阻抗與低輸出時的負載阻抗之間的值，和前述第2電源的阻抗整合。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電漿處理裝置，其中，將前述第1電源的負載阻抗視為和前述第1電源為高輸出之期間與低輸出之期間的比率相對應之前述中間的值，而進行整合動作。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理裝置，其中， 將前述第1及第2電源的負載阻抗各自視為和其高輸出之期間與低輸出之期間的比率各自相對應之前述中間的值，而進行整合動作。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項任一項所述之電漿處理裝置，其中，前述控制裝置，係使前述第1電源的阻抗，和當前述第1電源為高輸出或低輸出的各自的情形下之負載阻抗的其中一方的負載阻抗整合。
  6. 一種電漿處理方法，係在配置於真空容器內部且內側受到減壓的處理室內之處理台的上面，配置處理對象的晶圓，藉由來自第1電源的輸出，供給用來在前述處理室內形成電漿之第1頻率的電場，從第2電源對配置於前述處理台的內部之電極供給第2頻率的電力，利用形成於前述處理室內的電漿來實施前述晶圓的處理，其特徵為：於前述晶圓的處理中，將前述第1頻率的電場以高輸出和低輸出反覆供給，且使前述電場為高輸出時的負載阻抗與為低輸出時的負載阻抗之間的值，和前述第1電源的阻抗整合。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電漿處理方法，其中，前述第2電源，係於前述晶圓的處理中反覆高輸出和低輸出，於前述晶圓的處理中，前述第2電源使高輸出時的負載阻抗與低輸出時的負載阻抗之間的值，和前述第2電源的阻抗整合。
  8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之電漿處理方法，其中，將前述第1電源的負載阻抗視為和前述第1電源為高輸出之期間與低輸出之期間的比率相對應之前述中間的值，而進行整合動作。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之電漿處理方法，其中，將前述第1及第2電源的負載阻抗各自視為和其高輸出之期間與低輸出之期間的比率各自相對應之前述中間的值，而進行整合動作。
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