JP2011506669A - 接着フィルム、ダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置 - Google Patents

接着フィルム、ダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置 Download PDF

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Abstract

本発明は、接着フィルム、ダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置に関する。より具体的に、本発明の接着フィルムは、基材フィルム及び接着層を含み、前記接着層は５〜５０μｍの厚さで降伏強度が２０〜５０ｇｆであり、引張弾性領域の勾配が３０〜８０ｇｆ／ｍｍであることを特徴とする。これは、接着層の厚さに応じてバリ発生率の予測及び制御ができるように降伏強度及び引張弾性領域の勾配が調節されたものであり、これを含むダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置はバリ発生率が低く、優れた作業性及び信頼性を有する。

Description

本発明は、接着フィルム、ダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置に関し、バリ（ｂｕｒｒ）発生率の予測及び制御ができるように接着層の降伏強度及び引張弾性領域の勾配が調節された接着フィルム、これを含むダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置に関するものである。
一般的に、半導体チップの製造工程は、ウエハーに微細なパターンを形成する工程及び最終装置の規格に合うようにウエハーを研磨してパッケージする工程を含む。前記パッケージ工程は、半導体チップの不良を検査するウエハー検査工程；ウエハーを切断し、それぞれのチップに分離するダイシング工程；分離されたチップを回路フィルム又はリードフレームの搭載板に付着させるダイボンディング工程；半導体チップ上に備えられたチップパッドと回路フィルム又はリードフレームの回路パターンとをワイヤーのような電気的接続手段で連結するワイヤーボンディング工程；半導体チップの内部回路とその他の部品を保護するために封止材で外部を囲むモルディング工程；リードとリードとを連結しているダムバーを切断するトリミング工程；リードを所望の形態に曲げるフォーミング工程；及び完成されたパッケージの不良を検査する完成品検査工程；などを含む。
前記ダイシング工程は、ウエハーをダイヤモンドホイールなどを用いて所定の厚さにカットするようになる。この時、ウエハーを固定するためにパターンが形成されないウエハー裏面に、ダイシング・ダイボンディングフィルムを適切な温度条件で接着する。
一般的に、ダイシング・ダイボンディングフィルムは、図２に示されるように、ダイシングフィルムとダイボンディングフィルムとで構成されているので、パターンが形成されないウエハー裏面にはダイボンディングフィルムが付着される。ダイシングはダイヤモンドホイール（ブレード）を使用してウエハー全体とダイボンディングフィルム及びダイシングフィルムの基材フィルムの一部まで切断する。
このようなダイシング工程では、ウエハーに過度の圧力又は機械的衝撃が印加され、ウエハーが損傷され、チッピングが発生してパターンを汚染しうるバリ（Ｂｕｒｒ）発生がよく起こる。また、パッケージサイズが小さくなると同時に、ウエハーの厚さが薄くなり、生産効率増大のためにダイシング条件が一層厳しくなり、前記のような問題の発生頻度が増加している。特に、ウエハーの厚さが薄くなるにつれて、従来には問題にならなかった水準のバリの長さがダイ上に上ってくる頻度が多くなり、不良を発生させる原因となっている。
ダイ上に上がってくるバリの成分は、主にダイボンディングフィルムであり、その理由は次の通りである。ダイシングフィルムの粘着部は、基材フィルムにコートされ、十分に密着されているので、ダイシング時、粘着部又は基材フィルムによるバリが生じてもダイ上に上がってくる頻度が少ない反面、ダイボンディングフィルムは裁断工程を介してダイシングフィルムの粘着部と機械的に接着され、且つ完全にカットされるために相対的に密着力が劣り、バリがダイ上に上がってくる頻度が増加する。従って、これを解決するためには、ダイボンディングフィルムとダイシングフィルムとの粘着部及びダイボンディングフィルムとウエハーとの付着力を上げることが重要である。しかし、付着力を上げるために、接着フィルムの粘着力を高く上げた場合、弾性率が低くなり、ダイボンディングフィルム自体の延伸によってバリの発生量が多くなり、ダイボンディングフィルムの弾性率が高過ぎた場合には、粘着力が低下し、ダイシング時に揺れが多くなり、バリ発生率が高まるようになる。従って、接着フィルムの弾性率を調節することはバリ発生率を下げる重要な要素となる。
特許文献１は、熱硬化前の１００℃以下で弾性率が０．５ＭＰａ以下であり、１８０℃で０．２ＭＰａ以上になり、硬化後の２６０℃で引張弾性率が１ＭＰａ〜１０ＭＰａの接着樹脂組成物を開示している。しかし、一定の昇温速度で試料が十分に熱を受けた状態で弾性率を測定することは、瞬間的に熱が発生するダイシング工程を考慮した時、フィルムの特性を予測することには限界がある。また、バリ発生率は同じ組成を有し、弾性率が同じであっても厚さに応じてその特性が変わることが、本発明の研究の結果から確認されており、従来の弾性率の測定方法ではバリ発生を制御することは難しい点があった。
従って、ダイボンディングフィルムのバリ発生を予測及び制御しうる新しい方法が求められており、これを通じて優れた作業性及び信頼性を有する半導体装置を提供する必要がある。
特開２００５−３３０３００号公報
本発明は、前述した従来技術の問題を解決するためのものであり、接着フィルムの厚さに応じてバリ（ｂｕｒｒ）発生率の予測及び制御ができるように降伏強度及び引張弾性領域の勾配が調節された接着フィルム、これを含むダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、前記の課題を解決するための手段として、基材フィルム及び接着層を含み、前記接着層は５〜５０μｍの厚さで降伏強度（Ｙｉｅｌｄ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）が２０〜５０ｇｆであり、引張弾性領域の勾配が３０〜８０ｇｆ／ｍｍである接着フィルムを提供する。
本発明は、前記の課題を解決するための別の手段として、ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムの一面に形成された、本発明に係る接着フィルムと、を含むダイシング・ダイボンディングフィルムを提供する。
本発明は前記の課題を解決するためのさらに別の手段として、本発明に係るダイシング・ダイボンディングフィルムの接着層がウエハーの一面に付着され、ダイシングフィルムがウエハーリングフレームに固定されている半導体ウエハーを提供する。
本発明は、前記の課題を解決するためのさらに別の手段として、配線基板と、前記配線基板のチップ搭載面に付着されている本発明に係る接着層と、前記接着層上に搭載された半導体チップと、を含む半導体装置を提供する。
本発明は、接着フィルムの成分及び含量を調節し、降伏強度及び引張弾性領域の勾配を調節し、特定の降伏強度及び引張弾性領域の勾配を有する接着フィルム及びこれを含むダイシング・ダイボンディングフィルムは、ダイシング過程でのバリ発生率を低減し、半導体装置の製造工程の作業性及び信頼性を向上させる。
本発明の一態様に係る接着フィルム（ダイボンディングフィルム）の断面図である。 本発明の一態様に係るダイシング・ダイボンディングフィルムの断面図である。 本発明の一態様に係る半導体装置の断面図である。 接着層の引張実験から得られる引張曲線であり、降伏強度及び引張弾性領域の勾配を示す。
本発明は、基材フィルム及び接着層を含み、前記接着層は厚さが５〜５０μｍで降伏強度が２０〜５０ｇｆであり、引張弾性領域の勾配が３０〜８０ｇｆ／ｍｍである接着フィルムに関するものである。前記降伏強度及び引張弾性領域の勾配は接着層の厚さに応じて調節でき、接着層の厚さが厚い場合は、降伏強度及び引張弾性領域の勾配を低くし、厚さが薄い場合は、降伏強度及び引張弾性領域の勾配を高くすることが好ましい。
本発明は、接着層の厚さに応じてバリ発生特性が異なることを考慮したものであり、接着層の厚さに応じて降伏強度及び引張弾性領域の勾配を特定し、バリ発生率を予測及び制御することを特徴とする。
前記接着フィルムの接着層の降伏強度が２０ｇｆ未満の場合には、フィルム自体の延伸によりバリ発生率が増加し、５０ｇｆを超える場合には、密着力の低下によりバリ発生率が増加する。また、接着層の引張弾性領域の勾配が３０ｇｆ／ｍｍ未満の場合には、フィルム自体の延伸によりバリ発生率が増加し、８０ｇｆ／ｍｍを超える場合には、密着力の低下によりバリ発生率が増加する。
本発明で「降伏強度」とは接着層の引張実験から得られる引張曲線で、弾性領域から塑性領域への転換点での力を意味し、引張弾性領域の勾配は、前記引張曲線の弾性領域での勾配を意味する。
接着層の降伏強度及び引張弾性領域の勾配は、接着層組成物の成分、成分割合又は含量などによって調節することができる。接着層の降伏強度及び引張弾性領域の勾配の具体的な調節方法は次の通りである。
接着層組成物の成分は特に制限されないが、例えば、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を混合して使用することができる。この時、熱硬化性樹脂は、硬化剤と共に用いられることが好ましい。前記熱可塑性樹脂は、弾性率及び初期接着特性の観点から好ましい成分であり、熱硬化性樹脂は、高温接着力及び耐熱性の観点から好ましい成分である。
接着層組成物の成分として熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を混合して使用する場合には、前記熱可塑性樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性樹脂の混合比率を調節して、降伏強度及び引張弾性領域の勾配を調節するこがができ、熱可塑性樹脂の割合が高くなると、降伏強度及び引張弾性領域の勾配は減少される。
本発明に係る降伏強度及び引張弾性領域の勾配を持たせるために、熱可塑性樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性樹脂の混合比（熱可塑性樹脂／熱硬化性樹脂）は、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。前記割合が１未満の場合、接着フィルムの裁断時の作業性が悪く、前記割合が５を超える場合、引張が進みすぎて、バリ発生が多くなり、耐熱性が落ちて信頼性に問題が生じるようになる。
本発明で用いられる熱可塑性樹脂は、熱硬化性樹脂と架橋可能な官能基を含むアクリル系共重合体が挙げられる。具体的な例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、又は２−ヒドロキシプロピレングリコール（メタ）アクリレートなどのヒドロキシ含有単量体；アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸二量体、イタコン酸、又はマレイン酸などのカルボキシル基含有単量体；（メタ）アクリロニトリルなどのニトリル基含有単量体；及びグリシジル（メタ）アクリレートなどのグリシジル基を含む単量体；からなる群から選択される一つ以上の単量体を含むアクリル系共重合体が挙げられる。
熱可塑性樹脂としてアクリル系共重合体を使用する場合には、アクリル系共重合体のガラス転移温度を調節して、接着層の降伏強度及び引張弾性領域の勾配を調節でき、ガラス転移温度が低いほど降伏強度及び引張弾性領域の勾配が減少される。
本発明に係る降伏強度及び引張弾性領域の勾配を持たせるために、アクリル系共重合体のガラス転移温度は、−１０〜３０℃が好ましくて、０〜２０℃がより好ましい。前記ガラス転移温度が−１０℃未満の場合には、引張が進みすぎて、バリ発生率が増加して、取扱性が非常に悪くなる。また、前記ガラス転移温度が３０℃を超える場合には、弾性率が増加し、粘着特性が落ちて、ラミネート工程の時、不良発生率が増加するようになる。
また、前記アクリル系共重合体の分子量は１００，０００〜２，５００，０００が好ましい。前記分子量が１００，０００未満の場合には、耐熱性に問題が生じ得、２，５００，０００を超える場合には、充填性に問題が発生しうる。
本発明で用いられる熱硬化性樹脂は、熱を加えて化合物の官能基が反応して硬化が可能な樹脂であり、エポキシ樹脂を使用することができ、エポキシ硬化剤と共に使用することが好ましい。前記エポキシ樹脂の具体的な例としては、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂などが挙げられ、これらを単独又は２種以上混合して用いることができる。
また、前記エポキシ硬化剤は、多官能フェノール樹脂を使用することが好ましく、高温耐湿性の観点からＰＣＴ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）（１２１℃／１００％／２ａｔｍ）４８時間処理時、吸湿率が２．０重量％以下のものがより好ましい。前記多官能フェノール樹脂の具体的な例には、ビスフェノールＡ樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、多官能ノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック樹脂、アミノトリアジンフェノールノボラック樹脂、又はポリブタジエンフェノールノボラック樹脂などが挙げられ、これらを単独又は２種以上混合して使用することができる。
また、接着層組成物が充填剤を含む場合、充填剤の含量を調節して、降伏強度及び引張弾性領域の勾配を調節することができ、充填剤の含量が増加するほど降伏強度及び引張弾性領域の勾配は増加する。本発明の接着層組成物が充填剤を含む場合、充填剤含量は接着層組成物１００重量部に対して５〜２０重量部が好ましく、８〜１５重量部がより好ましい。前記含量が５重量部未満の場合には、バリ発生率だけでなく、熱膨張係数が高くなるなど、信頼性に問題があり、２０重量部を超える場合には、接着特性が低下される。
充填剤の種類は、シリカ、又はアルミナなどのようなセラミック粒子；水酸化アルミニウム又は水酸化カルシウムなどの水酸化物粒子；及びカーボン系の粒子などが挙げられ、これらを単独又は２種以上混合して使用することができる。好ましくは絶縁性に優れ、高温安定性に優れたナノサイズに製造が容易なセラミック粒子を使用することが好ましく、シリカを使用することがより好ましい。また、充填剤は平均粒径が１〜１００ｎｍのものを使用することが好ましい。前記平均粒径が１ｎｍ未満の場合には、分散性に問題があり、１００ｎｍを超える場合には、充填性に優れるが、弾性率増大が大きくないので、バリ発生率が増加するようになる。
前記それぞれの材料は、本発明で用いられる一例であり、本発明のフィルムの製造時には前記材料に限定されずに、この分野の通常の材料を制限なく使用することができる。
また、前記の通りに接着層組成物の成分、成分割合又は含量の他に、ダイボンディングフィルム製造の乾燥温度、乾燥速度、風速、風量、又は撹拌条件などによっても降伏強度及び引張弾性領域の勾配を調節することができる。
本発明の接着フィルムの製造方法は、特に制限されず、例えば、接着層組成物を溶剤に溶解又は分散して樹脂ワニスを製造する第１工程と、前記樹脂ワニスを基材フィルムに塗布する第２工程と、前記基材フィルムを加熱して溶剤を除去する第３工程と、で製造される。
前記第１工程で、接着層組成物の成分及び含量は前述と同様であり、前記接着層組成物を製造するためのワニス化の溶剤は、通例的にメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、メチルセロソルブ（ＭＣＳ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）などが挙げられる。前記接着層組成物が充填材を含む場合に、接着層内の分散性を良くするために、ボールミル、ビーズミル、３本ロール、若しくは粉砕機を単独で使用するか、又は組み合わせて使用することができる。ボールやビーズの材質はガラス、アルミナ、ジルコニウムなどが挙げられるが、粒子の分散性側面からジルコニウム材質のボールやビーズが好ましい。
前記第２工程で使用可能な基材フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、又はポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムが挙げられる。また前記基材フィルム表面は離型処理を行うことができ、離型処理に使用される離型剤は、アルキド系、シリコン系、フッ素系、不飽和エステル系、ポリオレフィン系、又はワックス系が利用される。特にアルキド系、シリコン系、又はフッ素系などが耐熱性を有するので好ましい。
前記基材フィルムに樹脂ワニスを塗布する方法としては、公知方法を利用できる。例えばナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、コンマコート法又はリップコート法などが挙げられる。
前記基材フィルムを加熱して溶剤を除去する第３工程で、加熱は７０〜２５０℃で５分〜２０分間程度行うことが好ましい。
また、本発明はダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムの一面に形成された、本発明に係る接着フィルムと、含むダイシング・ダイボンディングフィルムに関するものである。
前記ダイシングフィルムは、基材フィルムと、前記基材フィルム上に形成されている粘着層と、を含むことが好ましい。
図２を参照して、本発明に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを説明すれば下記の通りである。
前記ダイシングフィルムの基材フィルム４０は、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレンビニルアセトンフィルム、エチレン−プロピレン共重合体フィルム、エチレン−アクリル酸エチル共重合体フィルム、又はエチレン−アクリル酸メチル共重合体フィルムなどが挙げられ、必要に応じて、プライマー塗布、コロナ処理、エッチング処理、又はＵＶ処理などの表面処理を行ってもよい。また紫外線照射により粘着剤を硬化させる場合は光透過性の良いものを選択しうる。
ダイシングフィルムの粘着層４０としては、通常的な紫外線硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤を使用することができる。紫外線硬化型粘着剤の場合は、基材側から紫外線を照射して、粘着剤の凝集力とガラス転移温度を上げ、粘着力を低下させ、熱硬化型粘着剤の場合は、熱を加えて粘着力を低下させる。
前述のような本発明に係るダイシング・ダイボンディングフィルムの製造方法は、ダイシングフィルムと接着フィルムをホットロールラミネートする方法とプレスする方法を使用することができ、連続工程の可能性及び効率側面からホットロールラミネート方法が好ましい。ホットロールラミネート条件は１０〜１００℃で、０．１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力が好ましい。
また、本発明は、本発明に係るダイシング・ダイボンディングフィルムの接着層がウエハーの一面に付着され、ダイシングフィルムがウエハーリングフレームに固定されている半導体ウエハーに関するものである。
前述のような半導体ウエハーは、半導体ウエハーの裏面にダイシング・ダイボンディングフィルムの接着層をラミネート温度０〜１８０℃でウエハー裏面に付着し、前記ダイシング・ダイボンディングフィルムのダイシングフィルムをウエハーリングフレームに固定して製造することができる。
また、本発明は、配線基板と、前記配線基板のチップ搭載面に付着されている本発明に係る接着層と、前記接着層上に搭載された半導体チップと、を含む半導体装置に関するものである。
前記半導体装置の製造工程を説明すれば次の通りである。
前述したダイシング・ダイボンディングフィルムが付着された半導体ウエハーをダイシング機器を用いて完全に切断し、個々のチップに分割する。
その後、ダイシングフィルムが紫外線硬化粘着剤であれば基材側で紫外線を照射して硬化させ、熱硬化粘着剤であれば温度を上げて粘着剤を硬化させる。前記の通りに紫外線又は熱により硬化された粘着剤は、接着剤との密着力が低下され、後工程でチップのピックアップが容易になる。この時、必要に応じて、ダイシング・ダイボンディングフィルムを引っ張ることができる。このようなエキスパンド工程を実施すれば、チップ間の間隔が拡張され、ピックアップが容易になり、接着層と粘着剤層と間にずれが発生して、ピックアップ性が向上される。続いて、チップのピックアップを行う。
この時、半導体ウエハー及びダイシング・ダイボンディングフィルムの粘着層は、ダイシング・ダイボンディングフィルムの接着層から剥離され、接着層だけが付着されたチップを得ることができる。得られた前記接着層が付着されたチップを、半導体用基板に付着する。チップの付着温度は通常１００〜１８０℃であり、付着時間は０．５〜３秒、付着圧力は０．５〜２ｋｇｆ／ｃｍ２である。この工程中に屈曲のある有機配線基板を使用する場合、充填性が求められる。
前記工程を進行した後、ワイヤーボンディングとモルディング工程を経て半導体装置が得られる。
半導体装置の製造方法は、前記工程に限定されず、任意の工程を含めることもでき、工程の順序を変えることもできる。例えば、粘着層硬化−ダイシング−エキスパンド工程により進めることもでき、ダイシング−エキスパンド−粘着層硬化工程により進めることもできる。チップ付着工程後に、さらに加熱又は冷却工程を含むことができる。
［実施例］
以下、本発明に係る実施例を通して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の範囲が以下に提示された実施例により制限されるものではない。
［実施例１］
芳香族系エポキシ樹脂（ノボラック型エポキシ樹脂、軟化点８０℃）６６重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、軟化点９０℃）３４重量部、エポキシ基含有アクリル系共重合体（ＳＡ−５５、ＬＧ化学製、Ｔｇ＝９℃、重量平均分子量５００，０００）２００重量部、硬化促進剤（２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ））０．３重量部、充填剤としてシリカ（溶融シリカ、平均粒径７５ｎｍ）４５重量部からなる組成物を、メチルエチルケトンに撹拌混合してワニスを製造した。
製造されたワニスを厚さ３８μｍの基材フィルム（離型ポリエステルフィルム、ＲＳ−２１Ｇ、ＳＫＣ製）に塗布し、１１０℃で３分間乾燥して塗膜厚さが２０μｍのフィルムを製作した。
［実施例２］
塗膜厚さを１０μｍに変更したことを除いては、前記実施例１と同様にしてフィルムを製作した。
［実施例３］
熱可塑性アクリル系樹脂のガラス転移温度が１５℃であり、含量を４００重量部に変更したことを除いては、前記実施例１と同様にしてフィルムを製作した。
［実施例４］
熱可塑性アクリル系樹脂含量を１５０重量部に、且つ充填剤としてシリカ含量を２０重量部に変更したことを除いては前記実施例１と同様にしてフィルムを製作した。
［比較例１］
熱可塑性アクリル系樹脂のガラス転移温度が−１５℃に変更されたことを除いては、前記実施例１と同様にしてフィルムを製作した。
［比較例２］
充填剤を添加しないことを除いては、前記実施例１と同様にしてフィルムを製作した。
［比較例３］
熱可塑性アクリル系樹脂含量を５０重量部に変更したことを除いては、前記実施例１と同様にしてフィルムを製作した。
［評価方法］
１．室温引張評価
ダイボンディングフィルムをコーティング方向に幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍで裁断する。裁断されたサンプルの中央を２５ｍｍ残して、両端をテーピングする。テーピングされた両端を引張評価装置に固定し、速度０．３ｍｍ／秒で引張する。得られた引張曲線から弾性領域の勾配と、弾性領域と塑性領域の転換点である降伏強度とを求める。この時、使用された引張評価装置はＳｔａｂｌｅ Ｍｉｃｒｏ Ｓｙｓｔｅｍ社（英国）のＴｅｘｔｕｒｅ Ａｎａｌｙｚｅｒである。
２．バリ評価
ダイボンディングフィルムに、ダイシングフィルム（基材フィルム１００μｍ、粘着剤部１０μｍ）をラミネートした後、裁断して、ダイシング・ダイボンディングフィルムを製作した。製作されたサンプルに対して、７５μｍ厚さのウエハーに付着後、次の通りに、ダイシングを実施した。ダイシング時、ダイのサイズは５×５ｍｍであり、カット深さ（ｃｕｔ ｄｅｐｔｈ）はウエハー、ダイボンディングフィルムとダイシングフィルムの粘着部全体と基材フィルム２０μｍまでである。ダイシング後、１００個のダイの中からバリが発生したダイに対してバリ発生率を計算した。ダイシング時、ブレードの進行速度は４０ｍｍ／秒であり、ブレード回転速度は４００００ｒｐｍである。
前記実施例及び比較例で得られた各フィルムの降伏強度、引張弾性領域の勾配及びダイシング後のバリ発生率を下記表１に示した。
Figure 2011506669

Claims (16)

  1. 基材フィルム及び接着層を含み、
    前記接着層は５〜５０μｍの厚さで降伏強度が２０〜５０ｇｆであり、引張弾性領域の勾配が３０〜８０ｇｆ／ｍｍである接着フィルム。
  2. 前記接着層は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の接着フィルム。
  3. 前記熱硬化性樹脂は、硬化剤を含むことを特徴とする請求項２に記載の接着フィルム。
  4. 熱可塑性樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性樹脂の混合比（熱可塑性樹脂／熱硬化性樹脂）は１〜５であることを特徴とする請求項２に記載の接着フィルム。
  5. 前記熱可塑性樹脂は、熱硬化性樹脂と架橋可能な官能基を含むアクリル系共重合体であることを特徴とする請求項２に記載の接着フィルム。
  6. 前記アクリル系共重合体は、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピレングリコール（メタ）アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸二量体、イタコン酸、マレイン酸、（メタ）アクリロニトリル、及びグリシジル（メタ）アクリレートよりなる群から選択される一つ以上の単量体を含むことを特徴とする請求項５記載の接着フィルム。
  7. 前記アクリル系共重合体は、ガラス転移温度が−１０〜３０℃であることを特徴とする請求項５に記載の接着フィルム。
  8. 前記アクリル系共重合体は、分子量が１００，０００〜２，５００，０００であることを特徴とする請求項５に記載の接着フィルム。
  9. 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の接着フィルム。
  10. 前記エポキシ樹脂は、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及びジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂よりなる群から選択される一つ以上であることを特徴とする請求項９に記載の接着フィルム。
  11. 前記接着層は、全体組成物１００重量部に対して、充填剤５〜２０重量部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の接着フィルム。
  12. 前記充填剤は、シリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、及びカーボン系粒子よりなる群から選択される一つ以上であることを特徴とする請求項１１に記載の接着フィルム。
  13. 前記充填剤は平均粒径が１〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載の接着フィルム。
  14. ダイシングフィルム；及び
    前記ダイシングフィルムの一面に形成された、請求項１〜１３のいずれかに記載の接着フィルムと、を含むダイシング・ダイボンディングフィルム。
  15. 請求項１４に記載のダイシング・ダイボンディングフィルムの接着層が、ウエハーの一面に付着され、ダイシングフィルムがウエハーリングフレームに固定されている半導体ウエハー。
  16. 配線基板；
    配線基板のチップ搭載面に付着されている、請求項１〜１３のいずれかに記載の接着層；及び
    前記接着フィルム上に搭載された半導体チップと、を含む半導体装置。
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