WO2014168074A1 - 半導体装置の製造に用いられる接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造に用いられる接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 Download PDF

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豪士 志賀
尚英 高本
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日東電工株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive sheet used for manufacturing a semiconductor device, a dicing tape integrated adhesive sheet, a semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device.
  • a flip chip type semiconductor device in which a semiconductor element such as a semiconductor chip is mounted on a substrate by flip chip bonding (flip chip connection) is widely used as a semiconductor device and its package.
  • the flip chip connection is fixed in such a manner that the circuit surface of the semiconductor chip faces the electrode forming surface of the substrate.
  • the back surface of the semiconductor chip may be protected by a protective film (flip chip type semiconductor back film) to prevent the semiconductor chip from being damaged (see, for example, Patent Document 1).
  • the semiconductor chip may be warped, and the suppression thereof is demanded.
  • the film for flip chip type semiconductor back surface since the film for flip chip type semiconductor back surface is exposed to the outside, it may be marked and various information may be given. Therefore, the marking contrast is required to be high. Further, not only the flip chip type semiconductor back surface film but also an adhesive sheet used for manufacturing a semiconductor device may be marked.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to suppress the occurrence of warping of a semiconductor chip and to provide an adhesive sheet and a dicing tape having a high marking contrast when marking.
  • An object of the present invention is to provide an integrated adhesive sheet and a semiconductor device manufactured using the dicing tape integrated adhesive sheet.
  • the inventors of the present application include a predetermined amount of filler having a predetermined average particle size or less in the adhesive sheet, and by optimizing the content of the acrylic resin, It has been found that the warpage of the semiconductor chip can be suppressed and the marking contrast when marking can be increased, and the present invention has been completed.
  • the adhesive sheet according to the present invention is an adhesive sheet used for manufacturing a semiconductor device, Containing an average particle size of 0.3 ⁇ m or less filler and acrylic resin,
  • the content of the filler is in the range of 20 to 45% by weight with respect to the entire adhesive sheet,
  • the acrylic resin content is in the range of 40 to 70% by weight with respect to the total resin components.
  • the filler having an average particle size of 0.3 ⁇ m or less is contained in the range of 20 to 45% by weight with respect to the entire adhesive sheet. Therefore, when the filler surface is exposed by the marking process, the surface unevenness of the exposed portion becomes fine. Therefore, the amount of reflected light of oblique illumination increases at the time of reading of the marking, and the brightness of the marking processed portion increases. As a result, the marking contrast at the time of marking can be increased. Further, since the acrylic resin is contained in an amount of 40% by weight or more based on the total resin components, the warp of the semiconductor chip can be suppressed. Moreover, since content of an acrylic resin is 70 weight% or less with respect to all the resin components, tackiness can be suppressed.
  • the filler has a larger surface area than a filler having an average particle size of greater than 0.3 ⁇ m.
  • the contact area and the contact area between the fillers increase, and the elastic modulus tends to increase. Therefore, a large warp is likely to occur in a semiconductor device manufactured using an adhesive sheet containing a nanofiller.
  • the elastic modulus is controlled and the warpage is suppressed by setting the content of the acrylic resin within the above range.
  • total resin component refers to the entire resin component excluding the filler (when the dye is included, the entire resin component excluding the filler and the dye).
  • the adhesive sheet is preferably a flip chip type semiconductor back film for forming on the back surface of a semiconductor element flip chip connected on an adherend. Since the film for flip chip type semiconductor back surface is formed on the back surface of the semiconductor element, it is possible to further suppress the warpage of the semiconductor chip. Moreover, since the film for flip chip type semiconductor back surfaces is exposed to the outside, it is often marked and given various information. Therefore, when the adhesive sheet is used as a film for flip chip type semiconductor back surface where marking visibility is required, it is more useful.
  • the maximum particle size of the filler is 0.5 ⁇ m or less.
  • the maximum particle size of the filler is 0.5 ⁇ m or less, the surface unevenness of the exposed portion when the filler surface is exposed by the marking process is finer. Therefore, the marking contrast when marking can be further increased.
  • the filler is preferably a silica-based filler.
  • the filler is a silica-based filler, the dispersibility in a solvent is good, and further, it is excellent in that it is difficult to precipitate after dispersion.
  • the adhesive sheet preferably has a tensile storage elastic modulus at 23 ° C. in an uncured state of 1.0 to 3.0 GPa.
  • the tensile storage modulus at 23 ° C. in the uncured state is 1.0 to 3.0 GPa, the warp of the semiconductor chip can be suppressed.
  • tackiness can be suppressed, sticking to a suction collet or the like when mounting a semiconductor chip can be suppressed.
  • a dicing tape integrated adhesive sheet according to the present invention is for solving the above problems
  • the adhesive sheet described above is a dicing tape integrated adhesive sheet laminated on a dicing tape
  • the dicing tape has a structure in which an adhesive layer is laminated on a base material, and the adhesive sheet is laminated on the adhesive layer.
  • a semiconductor device for solving the above-described problems, and is characterized by being manufactured using the dicing tape-integrated adhesive sheet described above.
  • a manufacturing method of a semiconductor device is a manufacturing method of a semiconductor device using the dicing tape integrated adhesive sheet described above, Adhering a semiconductor wafer on an adhesive sheet in the dicing tape-integrated adhesive sheet; Forming a semiconductor element by dicing the semiconductor wafer; The step of peeling the semiconductor element from the adhesive layer of the dicing tape together with the dicing tape integrated adhesive sheet; And a step of flip-chip connecting the semiconductor element onto an adherend.
  • the adhesive sheet of the present invention is a flip chip type semiconductor back film
  • the adhesive sheet of the present invention is not limited to the flip chip type semiconductor back film, for example, a chip is mounted.
  • substrate may be sufficient.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a dicing tape-integrated film for semiconductor back surface according to an embodiment of the present invention. Note that in this specification, parts unnecessary for description are omitted in the drawings, and there are parts illustrated in an enlarged or reduced manner for ease of description.
  • the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 includes a dicing tape 3 in which a pressure-sensitive adhesive layer 32 is provided on a base material 31, and a flip-chip type semiconductor provided on the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the backside film (hereinafter, sometimes referred to as “semiconductor backside film”) 2 is provided.
  • the dicing tape integrated semiconductor back film 1 corresponds to an embodiment of the dicing tape integrated adhesive sheet of the present invention.
  • the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface of the present invention has a semiconductor only on the portion 33 corresponding to the bonded portion of the semiconductor wafer on the adhesive layer 32 of the dicing tape 3.
  • the structure in which the film 2 for back surfaces was formed may be sufficient, the structure in which the film for semiconductor back surfaces was formed in the whole surface of the adhesive layer 32 may be sufficient, and it is larger than the part 33 corresponding to the adhesion part of a semiconductor wafer. And the structure by which the film for semiconductor back surfaces was formed in the part smaller than the whole surface of the adhesive layer 32 may be sufficient.
  • the surface (surface of the side stuck on the back surface of a wafer) of the film 2 for semiconductor back surfaces may be protected by the separator etc. until it is stuck on the wafer back surface.
  • the film 2 for semiconductor back surface has a film-like form.
  • the film for semiconductor back surface 2 is normally in an uncured state (including a semi-cured state) in the form of a dicing tape integrated semiconductor back surface film as a product, and the dicing tape integrated film for semiconductor back surface is attached to a semiconductor wafer. After being applied, it is heat-cured (details will be described later).
  • the film for semiconductor back surface 2 contains a filler having an average particle size of 0.3 ⁇ m or less and an acrylic resin as a thermoplastic resin. Moreover, it is preferable that the said film for semiconductor back surfaces contains a thermosetting resin further.
  • the film for semiconductor back surface 2 contains a filler having an average particle size of 0.3 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the filler is preferably 0.2 ⁇ m or less, and preferably 0.1 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter of the said filler can be 0.01 micrometer or more, 0.02 micrometer or more, 0.03 micrometer or more, for example.
  • the filler content is in the range of 20 to 45% by weight with respect to the entire semiconductor back film 2.
  • the filler content is more preferably in the range of 25 to 40% by weight.
  • the whole film for semiconductor back surfaces means the whole film for semiconductor back surfaces containing a resin component and a filler, and when it contains dye, it means the whole film for semiconductor back surface containing a resin component, a filler, and dye.
  • the filler having an average particle size of 0.3 ⁇ m or less is contained in the range of 20 to 45% by weight with respect to the entire film 2 for semiconductor back surface, the filler surface is exposed on the surface of the film 2 for semiconductor back surface by marking. If it is done, the surface unevenness
  • the maximum particle size of the filler is preferably 0.5 ⁇ m or less, and more preferably 0.3 ⁇ m or less.
  • the maximum particle size of the filler is 0.5 ⁇ m or less, the surface unevenness of the exposed portion when the filler surface is exposed by the marking process is finer. Therefore, the marking contrast when marking can be further increased.
  • the average particle size and the maximum particle size of the filler are values measured by a laser diffraction type particle size distribution measuring device.
  • the shape of the inorganic filler is not particularly limited, and may be any shape such as a sphere, an ellipsoid, a plate, a rod, a column, a layer, a chain, a scale, a donut, and an indefinite shape.
  • the average particle diameter and the maximum particle diameter are obtained based on the diameter of the sphere when the target inorganic filler is assumed to be spherical.
  • the filler may be either an inorganic filler or an organic filler, but is preferably an inorganic filler.
  • a filler such as an inorganic filler, it is possible to impart conductivity to the film for semiconductor back surface, improve thermal conductivity, adjust the elastic modulus, and the like.
  • the film for semiconductor back surface 2 may be conductive or non-conductive.
  • the inorganic filler examples include silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride, and other ceramics, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead , Various inorganic powders made of metal such as tin, zinc, palladium, solder, or alloys, and other carbon.
  • a filler can be used individually or in combination of 2 or more types. Among them, a silica-based filler is preferable in that it has good dispersibility in a solvent and is difficult to precipitate after dispersion.
  • the film for semiconductor back surface 2 contains an acrylic resin.
  • the content of the acrylic resin is in the range of 40 to 70% by weight and preferably 45 to 65% by weight with respect to the total resin components. Since the acrylic resin is contained in the range of 40 to 70% by weight with respect to the total resin components, the warp of the semiconductor chip can be suppressed.
  • the elastic modulus is controlled and the warpage is suppressed by setting the content of the acrylic resin within the above range.
  • marking was performed by including a filler having an average particle diameter of 0.3 ⁇ m or less in a range of 20 to 45% by weight with respect to the entire film for semiconductor back surface 2.
  • the marking contrast at the time is increased, and the acrylic resin is contained within the range of 40 to 70% by weight with respect to the total resin components, so that it is possible to suppress the warp that may occur when using the nanofiller. .
  • the acrylic resin is not particularly limited, and is linear or branched having 30 or less carbon atoms (preferably 4 to 18 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms, and particularly preferably 8 or 9 carbon atoms). And polymers having one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having an alkyl group as a component. That is, in the present invention, acrylic resin has a broad meaning including methacrylic resin.
  • alkyl group examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and a 2-ethylhexyl group.
  • Octyl group isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, dodecyl group (lauryl group), tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group and the like.
  • the other monomer for forming the acrylic resin is not particularly limited.
  • acrylic acid Methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or crotonic acid-containing monomer, such as maleic anhydride or itaconic anhydride, etc.
  • thermosetting resin examples include an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin.
  • a thermosetting resin can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities that corrode semiconductor elements is particularly suitable.
  • a phenol resin can be used suitably as a hardening
  • the epoxy resin is not particularly limited.
  • bisphenol A type epoxy resin bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy.
  • Bifunctional epoxy such as resin, biphenyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin
  • Epoxy such as resin, polyfunctional epoxy resin, hydantoin type epoxy resin, trisglycidyl isocyanurate type epoxy resin or glycidylamine type epoxy resin It can be used fat.
  • epoxy resin among the above examples, novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, and tetraphenylolethane type epoxy resin are particularly preferable. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like.
  • the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin.
  • examples include resol-type phenolic resins and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene.
  • a phenol resin can be used individually or in combination of 2 or more types. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.
  • the mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 equivalent to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 equivalents to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.
  • thermosetting acceleration catalyst of an epoxy resin and a phenol resin
  • the thermosetting acceleration catalyst is not particularly limited, and can be appropriately selected from known thermosetting acceleration catalysts.
  • stimulation catalyst can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • an amine-based curing accelerator, a phosphorus-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, a boron-based curing accelerator, a phosphorus-boron-based curing accelerator, or the like can be used.
  • the amine curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include monoethanolamine trifluoroborate (manufactured by Stella Chemifa Corporation), dicyandiamide (manufactured by Nacalai Tesque Corporation), and the like.
  • the phosphorus curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include triorganophosphine such as triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyltolylphosphine, and the like.
  • triorganophosphine such as triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyltolylphosphine, and the like.
  • Tetraphenylphosphonium bromide (trade name; TPP-PB), methyltriphenylphosphonium (trade name; TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (trade name; TPP-MC), methoxymethyltriphenylphosphonium (trade name; TPP-MOC), benzyltriphenylphosphonium chloride (trade name; TPP-ZC), and the like (all manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.).
  • the triphenylphosphine compound is preferably substantially insoluble in the epoxy resin. It can suppress that thermosetting progresses too much that it is insoluble with respect to an epoxy resin.
  • thermosetting catalyst having a triphenylphosphine structure and substantially insoluble in an epoxy resin examples include methyltriphenylphosphonium (trade name: TPP-MB).
  • TPP-MB methyltriphenylphosphonium
  • the “insoluble” means that the thermosetting catalyst made of a triphenylphosphine compound is insoluble in a solvent made of an epoxy resin, and more specifically, a temperature range of 10 to 40 ° C. It means that 10% by weight or more does not dissolve.
  • imidazole curing accelerator examples include 2-methylimidazole (trade name; 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name; C11-Z), 2-heptadecylimidazole (trade name; C17Z), 1-2- Dimethylimidazole (trade name; 1.2DMZ), 2-ethyl-4-methylimidazole (trade name; 2E4MZ), 2-phenylimidazole (trade name; 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole (trade name; 2P4MZ) ), 1-benzyl-2-methylimidazole (trade name; 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole (trade name; 1B2PZ), 1-cyanoethyl-2-methylimidazole (trade name; 2MZ-CN), 1 -Cyanoethyl-2-undecylimidazole (trade name; C11Z-CN), 1-cyano Ethyl-2-phenylim
  • the boron-based curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include trichloroborane.
  • the phosphorus-boron curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name; TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate (trade name; TPP-MK), and benzyl.
  • examples include triphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name; TPP-ZK), triphenylphosphine triphenylborane (trade name; TPP-S), and the like (all manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.).
  • the ratio of the thermosetting accelerating catalyst can be 0.01 wt% or more and 20 wt% or less with respect to the total amount of the thermosetting resin.
  • the ratio of the thermosetting accelerating catalyst is 0.01% by weight or more, even if the semiconductor element flip-chip connected to the adherend is thin (for example, the thickness is 300 ⁇ m or less, and further 200 ⁇ m or less). Even), the warpage can be effectively suppressed or prevented.
  • stimulation catalyst 20 weight% or less the shrinkage amount of the film for flip chip type semiconductor back surfaces does not become excessive, and it can control to a moderate magnitude
  • the lower limit of the ratio of the thermosetting acceleration catalyst is preferably 0.03% by weight or more (more preferably 0.05% by weight or more).
  • the upper limit is preferably 18% by weight or less (more preferably 15% by weight or less).
  • the semiconductor back film is preferably formed of a resin composition containing an epoxy resin and a phenol resin, or a resin composition containing an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin. Since these resins have few ionic impurities and high heat resistance, the reliability of the semiconductor element can be ensured.
  • the film 2 for semiconductor back surface has adhesion (adhesion) to the back surface (circuit non-formed surface) of the semiconductor wafer.
  • the film for semiconductor back surface 2 can be formed of, for example, a resin composition containing an epoxy resin as a thermosetting resin.
  • a polyfunctional compound that reacts with the functional group at the molecular chain end of the polymer as a crosslinking agent.
  • the adhesive strength of the film for semiconductor back surface to the semiconductor wafer (23 ° C., peeling angle 180 °, peeling speed 300 mm / min) is preferably in the range of 0.5 N / 20 mm to 15 N / 20 mm, and 0.7 N / 20 mm to 10 N / 20 mm. The range of is more preferable.
  • it is stuck to a semiconductor wafer or a semiconductor element with excellent adhesion, and the occurrence of floating or the like can be prevented. Further, it is possible to prevent the occurrence of chip jumping during dicing of the semiconductor wafer.
  • the said adhesive force with respect to the semiconductor wafer of the film for semiconductor back surfaces is the value measured as follows, for example. That is, an adhesive tape (trade name “BT315” manufactured by Nitto Denko Corporation) is attached to one surface of the film for semiconductor back surface to reinforce the back surface. Thereafter, a semiconductor wafer having a thickness of 0.6 mm is bonded to the surface of the backside-reinforced film having a length of 150 mm and a width of 10 mm by a thermal laminating method by reciprocating a 2 kg roller at 50 ° C. once.
  • an adhesive tape (trade name “BT315” manufactured by Nitto Denko Corporation) is attached to one surface of the film for semiconductor back surface to reinforce the back surface.
  • a semiconductor wafer having a thickness of 0.6 mm is bonded to the surface of the backside-reinforced film having a length of 150 mm and a width of 10 mm by a thermal laminating method by reciprocating a 2 kg roller at 50 ° C. once.
  • the crosslinking agent is not particularly limited, and a known crosslinking agent can be used. Specifically, for example, an isocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, a melamine crosslinking agent, a peroxide crosslinking agent, a urea crosslinking agent, a metal alkoxide crosslinking agent, a metal chelate crosslinking agent, a metal salt Examples thereof include a system crosslinking agent, a carbodiimide crosslinking agent, an oxazoline crosslinking agent, an aziridine crosslinking agent, and an amine crosslinking agent.
  • the crosslinking agent an isocyanate crosslinking agent or an epoxy crosslinking agent is suitable.
  • the said crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • isocyanate-based crosslinking agent examples include lower aliphatic polyisocyanates such as 1,2-ethylene diisocyanate, 1,4-butylene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate; cyclopentylene diisocyanate, cyclohexylene diisocyanate, Cycloaliphatic polyisocyanates such as isophorone diisocyanate, hydrogenated tolylene diisocyanate, hydrogenated xylene diisocyanate; 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 4,4'- Aromatic polyisocyanates such as diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate, and the like, and trimethylolpropane / tolylene diisocyanate trimer adduct [Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.
  • epoxy crosslinking agent examples include N, N, N ′, N′-tetraglycidyl-m-xylenediamine, diglycidylaniline, 1,3-bis (N, N-glycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether , Pentaerythritol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, sorbitan polyglycidyl ether, trimethylolpropane poly In addition to lysidyl ether, a
  • the usage-amount of a crosslinking agent in particular is not restrict
  • the amount of the crosslinking agent used is, for example, usually 7 parts by weight or less (for example, 0.05 parts by weight) with respect to 100 parts by weight of the polymer component (particularly, the polymer having a functional group at the molecular chain end). To 7 parts by weight).
  • the amount of the crosslinking agent used is more than 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer component, the adhesive force is lowered, which is not preferable.
  • the amount of crosslinking agent used is preferably 0.05 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the polymer component.
  • the semiconductor back film is preferably colored. Thereby, excellent marking properties and appearance can be exhibited, and a semiconductor device having an added-value appearance can be obtained.
  • the colored film for semiconductor back surface has excellent marking properties, the film for semiconductor back surface is applied to the surface of the semiconductor element or the non-circuit surface side of the semiconductor device using the semiconductor element. Accordingly, by using various marking methods such as a printing method and a laser marking method, marking can be performed and various information such as character information and graphic information can be given. In particular, by controlling the coloring color, it is possible to visually recognize information (character information, graphic information, etc.) given by marking with excellent visibility.
  • the film for semiconductor back surface is colored, the dicing tape and the film for semiconductor back surface can be easily distinguished, and workability and the like can be improved. Further, for example, as a semiconductor device, it is possible to color-code according to products.
  • the color exhibited by coloring is not particularly limited, but is preferably a dark color such as black, blue, red, etc., particularly black It is preferable that
  • the dark basically, L * a * b * L * is defined by a color system, 60 or less (0 to 60) [preferably 50 or less (0 to 50) More preferably, it means a dark color of 40 or less (0 to 40)].
  • L * a * b * L * defined by the color system is 35 or less (0 to 35) [preferably 30 or less (0 to 30), more preferably 25 This means a blackish color which is (0 to 25) below.
  • a * and b * defined in the L * a * b * color system can be appropriately selected according to the value of L * .
  • a * and b * for example, both are preferably ⁇ 10 to 10, more preferably ⁇ 5 to 5, particularly in the range of ⁇ 3 to 3 (in particular, 0 or almost 0). Is preferred.
  • L * , a * , and b * defined in the L * a * b * color system are color difference meters (trade name “CR-200” manufactured by Minolta Co .; color difference meter). It is calculated
  • the L * a * b * color system is a color space recommended by the International Commission on Illumination (CIE) in 1976, and is a color space called the CIE 1976 (L * a * b * ) color system. It means that.
  • the L * a * b * color system is defined in JISZ 8729 in the Japanese Industrial Standard.
  • a coloring material can be used according to the target color.
  • a color material various dark color materials such as a black color material, a blue color material, and a red color material can be suitably used, and a black color material is particularly suitable.
  • the color material any of a pigment, a dye and the like may be used. Color materials can be used alone or in combination of two or more.
  • the dye any form of dyes such as acid dyes, reactive dyes, direct dyes, disperse dyes, and cationic dyes can be used.
  • the form of the pigment is not particularly limited, and can be appropriately selected from known pigments.
  • the dye when a dye is used as a coloring material, the dye is dissolved or uniformly dispersed in the semiconductor back film, so that the film for semiconductor back (and hence dicing tape) having a uniform or almost uniform coloring density is obtained.
  • Integrated film for semiconductor back surface can be easily manufactured. Therefore, when a dye is used as the coloring material, the film for semiconductor back surface in the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface can make the coloring density uniform or almost uniform, and can improve the marking property and appearance.
  • the black color material is not particularly limited, and can be appropriately selected from, for example, inorganic black pigments and black dyes.
  • a black color material a color material mixture in which a cyan color material (blue-green color material), a magenta color material (red purple color material) and a yellow color material (yellow color material) are mixed. It may be.
  • Black color materials can be used alone or in combination of two or more.
  • the black color material can be used in combination with a color material other than black.
  • the black color material for example, carbon black (furnace black, channel black, acetylene black, thermal black, lamp black, etc.), graphite (graphite), copper oxide, manganese dioxide, azo pigment (azomethine) Azo black, etc.), aniline black, perylene black, titanium black, cyanine black, activated carbon, ferrite (nonmagnetic ferrite, magnetic ferrite, etc.), magnetite, chromium oxide, iron oxide, molybdenum disulfide, chromium complex, complex oxide black Examples thereof include dyes and anthraquinone organic black dyes.
  • black color material C.I. I. Solvent Black 3, 7, 22, 27, 29, 34, 43, 70, C.I. I. Direct Black 17, 19, 19, 22, 32, 38, 51, 71, C.I. I. Acid Black 1, 2, 24, 26, 31, 48, 52, 107, 109, 110, 119, 154C.
  • Black dyes such as Disperse Black 1, 3, 10, and 24;
  • Black pigments such as CI Pigment Black 1 and 7 can also be used.
  • Examples of such a black color material include a product name “OilOBlack BY”, a product name “OilBlack BS”, a product name “OilBlackHBB”, a product name “Oil Black803”, a product name “Oil Black860”, and a product name “Oil Black860”.
  • Oil Black 5970 ”, trade name“ Oil Black 5906 ”, trade name“ Oil Black 5905 ”(manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.) and the like are commercially available.
  • color materials other than black color materials include cyan color materials, magenta color materials, and yellow color materials.
  • cyan color materials include C.I. I. Solvent Blue 25, 36, 60, 70, 93, 95; I. Cyan dyes such as Acid Blue 6 and 45; I. Pigment Blue 1, 2, 3, 15, 15: 1, 15: 2, 15: 3, 15: 3, 15: 4, 15: 5, 15: 6, 16, 16, 17 17: 1, 18, 22, 25, 56, 60, 63, 65, 66; I. Bat Blue 4; 60, C.I. I. And cyan pigments such as CI Pigment Green 7.
  • magenta dye examples include C.I. I. Solvent Red 1, 3, 8, 23, 24, 25, 27, 30, 30, 49, 52, 58, 63, 81, 82, 83, 84, the same 100, 109, 111, 121, 122; I. Disper thread 9; I. Solvent Violet 8, 13, 13, 21, and 27; C.I. I. Disperse violet 1; C.I. I. Basic Red 1, 2, 9, 9, 13, 14, 15, 17, 17, 18, 22, 23, 24, 27, 29, 32, 34, the same 35, 36, 37, 38, 39, 40; I. Basic Violet 1, 3, 7, 10, 14, 15, 21, 21, 25, 26, 27, 28 and the like.
  • magenta pigment examples include C.I. I. Pigment Red 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 21, 21, 22, 23, 30, 31, 32, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 48: 1, 48: 2, 48: 3, 48: 4, 49, 49: 1, 50, 51, 52, 52: 2, 53: 1, 54, 55, 56, 57: 1, 58, 60, 60: 1, 63, 63: 1, 63: 2, 64, 64: 1, 67, 68, 81, 83, etc.
  • yellow color materials include C.I. I. Solvent Yellow 19, 44, 77, 79, 81, 82, 93, 98, 103, 104, 112, 162 and the like yellow dyes; C.I. I. Pigment Orange 31 and 43; C.I. I.
  • Various color materials such as a cyan color material, a magenta color material, and a yellow color material can be used alone or in combination of two or more.
  • the mixing ratio (or blending ratio) of these color materials is not particularly limited, and each color material. It can be selected as appropriate according to the type and the target color.
  • the coloring form is not particularly limited.
  • the film for semiconductor back surface may be a single layer film-like material to which a colorant is added. Further, it may be a laminated film in which at least a resin layer formed of a thermosetting resin and a colorant layer are laminated.
  • the film 2 for semiconductor back surfaces is a laminated film of a resin layer and a colorant layer
  • the film 2 for semiconductor back surface of the laminated form has a laminated form of resin layer / colorant layer / resin layer. It is preferable.
  • the two resin layers on both sides of the colorant layer may be resin layers having the same composition or may be resin layers having different compositions.
  • the semiconductor back film 2 may be appropriately mixed with other additives as necessary.
  • additives include flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, bulking agents, antiaging agents, antioxidants, surfactants, and the like.
  • Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin.
  • a flame retardant can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • Examples of the silane coupling agent include ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like.
  • a silane coupling agent can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. An ion trap agent can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the film for semiconductor back surface 2 is a resin composition obtained by mixing, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a thermoplastic resin such as an acrylic resin as necessary, and a solvent or other additives as necessary. It can be formed using conventional methods of preparing the product and forming it into a film-like layer. Specifically, for example, the resin composition is applied onto the pressure-sensitive adhesive layer 32 of the dicing tape, or the resin composition is applied onto an appropriate separator (such as release paper) to form a resin layer (or adhesive).
  • a film-like layer (adhesive layer) as a film for a semiconductor back surface can be formed by a method of forming a layer) and transferring (transferring) the layer onto the pressure-sensitive adhesive layer 32.
  • the resin composition may be a solution or a dispersion.
  • the film 2 for semiconductor back surfaces is formed with the resin composition containing thermosetting resins, such as an epoxy resin
  • the film for semiconductor back surfaces is a thermosetting resin in the step before applying to a semiconductor wafer. It is an uncured or partially cured state. In this case, after being applied to the semiconductor wafer (specifically, usually when the sealing material is cured in the flip chip bonding process), the thermosetting resin in the film for semiconductor back surface is completely or almost completely cured. .
  • the gel fraction of the film for semiconductor back surface is particularly limited. However, it can be appropriately selected from the range of, for example, 50% by weight or less (0% by weight to 50% by weight), preferably 30% by weight or less (0% by weight to 30% by weight), particularly 10% by weight. The following (0 to 10% by weight) is preferable.
  • the measuring method of the gel fraction of the film for semiconductor back surface can be measured by the following measuring method. ⁇ Method for measuring gel fraction> About 0.1 g from the film for semiconductor back surface is sampled and weighed accurately (weight of the sample).
  • the gel fraction of the film for semiconductor back surface can be controlled by the heating temperature and the heating time in addition to the type and content of the resin component, the type and content of the crosslinking agent.
  • the film for semiconductor back surface is a film-like product formed of a resin composition containing a thermosetting resin such as an epoxy resin, it can effectively exhibit adhesion to a semiconductor wafer.
  • the film for the semiconductor back surface may absorb moisture, resulting in a moisture content higher than that in the normal state.
  • water vapor may accumulate at the bonding interface between the semiconductor back film 2 and the semiconductor wafer or its processed body (semiconductor), and floating may occur. Therefore, as a film for semiconductor back surface, by providing a core material with high moisture permeability on both sides, water vapor diffuses and this problem can be avoided. From such a viewpoint, a multilayer structure in which the film for semiconductor back surface 2 is formed on one surface or both surfaces of the core material may be used as the film for semiconductor back surface.
  • the core material examples include a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, and a polycarbonate film), a resin substrate reinforced with glass fibers or plastic non-woven fibers, a silicon substrate, a glass substrate, or the like. Is mentioned.
  • the thickness of the film 2 for semiconductor back surface is not particularly limited, but can be appropriately selected from a range of about 2 ⁇ m to 200 ⁇ m, for example. Further, the thickness is preferably about 4 ⁇ m to 160 ⁇ m, more preferably about 6 ⁇ m to 100 ⁇ m, and particularly preferably about 10 ⁇ m to 80 ⁇ m.
  • the film for semiconductor back surface 2 has a tensile storage modulus at 23 ° C. in the uncured state of preferably 1.0 GPa to 3.0 GPa, more preferably 1.2 GPa to 2.9 GPa. .
  • the tensile storage modulus at 23 ° C. in the uncured state is 1.0 to 3.0 GPa, the warp of the semiconductor chip can be suppressed.
  • tackiness can be suppressed, sticking to a suction collet or the like when mounting a semiconductor chip can be suppressed.
  • the tensile storage elastic modulus (23 ° C.) in the uncured state of the film for semiconductor back surface is the type and content of resin components (thermoplastic resin, thermosetting resin), the type and content of filler such as silica filler. It can be controlled by. In particular, it can be controlled by the content of the acrylic resin.
  • the tensile storage elastic modulus was not laminated on the dicing tape 3, but an uncured semiconductor back film 2 was prepared, and a dynamic viscoelasticity measuring device “Solid Analyzer RS A2” manufactured by Rheometric was used.
  • the tension mode the sample width: 10 mm, the sample length: 22.5 mm, the sample thickness: 0.2 mm, the frequency: 1 Hz, the heating rate: 10 ° C./min, a predetermined temperature under a nitrogen atmosphere ( 23 ° C.) and the obtained tensile storage modulus was obtained.
  • the semiconductor back film 2 preferably has at least one surface protected by a separator (release liner) (not shown).
  • a separator may be provided only on one surface of the film for semiconductor back surface, while in the case of a film for semiconductor back surface that is not integrated with the dicing tape, A separator may be provided on one or both sides of the film for semiconductor back surface.
  • the separator has a function as a protective material for protecting the film for semiconductor back surface until it is practically used.
  • the separator can be further used as a support base material when the semiconductor back surface film 2 is transferred to the adhesive layer 32 on the base material of the dicing tape.
  • the separator is peeled off when the semiconductor wafer is stuck on the film for semiconductor back surface.
  • the separator it is also possible to use polyethylene, polypropylene, plastic films (polyethylene terephthalate, etc.), paper or the like whose surface is coated with a release agent such as a fluorine release agent or a long-chain alkyl acrylate release agent.
  • the separator can be formed by a conventionally known method. Further, the thickness of the separator is not particularly limited.
  • the semiconductor back surface film 2 When the semiconductor back surface film 2 is not laminated on the dicing tape 3, the semiconductor back surface film 2 is wound in a roll using one separator having a release layer on both sides, and the release layer is provided on both sides. It may be protected by the separator which has, and may be protected by the separator which has a peeling layer in at least one surface.
  • the light transmittance (visible light transmittance) of visible light (wavelength: 400 nm to 800 nm) in the film 2 for semiconductor back surface is not particularly limited, but is, for example, in the range of 20% or less (0% to 20%). It is preferably 10% or less (0% to 10%), particularly preferably 5% or less (0% to 5%). If the visible light transmittance of the film 2 for semiconductor back surface is larger than 20%, the semiconductor element may be adversely affected by the passage of light.
  • the visible light transmittance (%) depends on the type and content of the resin component of the film 2 for semiconductor back surface, the type and content of colorant (pigment, dye, etc.), the content of inorganic filler, etc. Can be controlled.
  • the visible light transmittance (%) of the film 2 for semiconductor back surface can be measured as follows. That is, a single film for semiconductor back surface 2 having a thickness (average thickness) of 20 ⁇ m is produced. Next, the film 2 for semiconductor back surface was irradiated with visible light having a wavelength of 400 nm to 800 nm [apparatus: visible light generator manufactured by Shimadzu Corporation (trade name “ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETR”)] at a predetermined intensity and transmitted. Measure the intensity of visible light. Furthermore, the value of visible light transmittance can be determined from the intensity change before and after the visible light passes through the semiconductor back film 2.
  • the visible light transmittance (%; wavelength: 20 ⁇ m) of the film 2 for semiconductor back surface is determined by the value of the visible light transmittance (%; wavelength: 400 nm to 800 nm) of the film 2 for semiconductor back surface. 400 nm to 800 nm) can also be derived. Further, in the present invention, the visible light transmittance (%) in the case of the film for semiconductor back surface 2 having a thickness of 20 ⁇ m is obtained, but the film for semiconductor back surface according to the present invention is limited to a film having a thickness of 20 ⁇ m. is not.
  • the moisture absorption rate is lower. Specifically, the moisture absorption rate is preferably 1% by weight or less, more preferably 0.8% by weight or less. By making the moisture absorption rate 1% by weight or less, the laser marking property can be improved. Further, for example, in the reflow process, generation of voids between the film 2 for semiconductor back surface and the semiconductor element can be suppressed or prevented.
  • the said moisture absorption is the value computed by the weight change before and behind leaving the film 2 for semiconductor back surfaces in the atmosphere of temperature 85 degreeC and relative humidity 85% RH for 168 hours.
  • the moisture absorption rate is under an atmosphere of a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85% RH with respect to the film for semiconductor back surface after thermosetting. Means the value when left for 168 hours. Moreover, the said moisture absorption rate can be adjusted by changing the addition amount of an inorganic filler, for example.
  • the ratio of volatile components is small.
  • the weight reduction rate (weight reduction ratio) of the film 2 for semiconductor back surface after the heat treatment is preferably 1% by weight or less, and more preferably 0.8% by weight or less.
  • the heat treatment conditions are, for example, a heating temperature of 250 ° C. and a heating time of 1 hour.
  • the weight reduction rate can be adjusted, for example, by adding an inorganic substance that can reduce the generation of cracks during lead-free solder reflow.
  • the said weight reduction rate is the heating temperature 250 degreeC with respect to the film for semiconductor back surfaces after thermosetting, heating time 1 hour.
  • the dicing tape 3 is configured by forming an adhesive layer 32 on a base material 31.
  • the dicing tape 3 should just have the structure by which the base material 31 and the adhesive layer 32 were laminated
  • the base material support base material
  • the substrate 31 preferably has a radiation transparency.
  • the substrate 31 examples include paper-based substrates such as paper; fiber-based substrates such as cloth, nonwoven fabric, felt, and net; metal-based substrates such as metal foils and metal plates; plastic films and sheets Plastic base materials; Rubber base materials such as rubber sheets; Foams such as foam sheets, and laminates thereof [particularly, laminates of plastic base materials and other base materials, and plastic films (or sheets) An appropriate thin leaf body such as a laminated body of each other] can be used.
  • a plastic substrate such as a plastic film or sheet can be suitably used as the substrate.
  • plastic material examples include olefin resins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), and ethylene-propylene copolymer; ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ionomer resin, ethylene- Copolymers containing ethylene as a monomer component such as (meth) acrylic acid copolymers and ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymers; polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), Polyester such as polybutylene terephthalate (PBT); Acrylic resin; Polyvinyl chloride (PVC); Polyurethane; Polycarbonate; Polyphenylene sulfide (PPS); Amide resin such as polyamide (nylon) and wholly aromatic polyamide (aramid); Ether ether ketone (PEEK); polyimides; polyetherimides; polyvinylidene chloride; ABS (acrylonitrile - butadiene -
  • the material of the base material 31 includes a polymer such as a crosslinked body of the resin.
  • the plastic film may be used unstretched or may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. According to the resin sheet imparted with heat shrinkability by stretching or the like, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive layer 32 and the semiconductor back surface film 2 is reduced by thermally shrinking the base material 31 after dicing, The collection can be facilitated.
  • the surface of the base material 31 is chemically treated by conventional surface treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric impact exposure, ionizing radiation treatment, etc. in order to improve adhesion and retention with adjacent layers.
  • a physical treatment or a coating treatment with a primer for example, an adhesive substance described later can be performed.
  • the base material 31 can be appropriately selected from the same type or different types, and can be used by blending several types as necessary.
  • the base material 31 is provided with a vapor-deposited layer of a conductive material having a thickness of about 30 to 500 mm made of a metal, an alloy, an oxide of these, or the like on the base material 31 in order to impart an antistatic ability. be able to.
  • the base material 31 may be a single layer or a multilayer of two or more types.
  • the thickness of the base material 31 is not particularly limited and can be appropriately selected according to strength, flexibility, purpose of use, and the like, for example, generally 1000 ⁇ m or less (for example, 1 ⁇ m to 1000 ⁇ m), preferably 10 ⁇ m to 500 ⁇ m, more preferably 20 ⁇ m to 300 ⁇ m, particularly about 30 ⁇ m to 200 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • the base material 31 includes various additives (coloring agent, filler, plasticizer, anti-aging agent, antioxidant, surfactant, flame retardant, etc.) as long as the effects of the present invention are not impaired. It may be.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 32 is formed of a pressure-sensitive adhesive and has adhesiveness.
  • Such an adhesive is not particularly limited, and can be appropriately selected from known adhesives.
  • examples of the adhesive include acrylic adhesive, rubber adhesive, vinyl alkyl ether adhesive, silicone adhesive, polyester adhesive, polyamide adhesive, urethane adhesive, fluorine Type adhesives, styrene-diene block copolymer adhesives, and known adhesives such as a creep property-improving adhesive in which a hot-melt resin having a melting point of about 200 ° C.
  • a pressure sensitive adhesive a radiation curable pressure sensitive adhesive (or energy ray curable pressure sensitive adhesive) or a thermally expandable pressure sensitive adhesive can be used.
  • An adhesive can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive can be preferably used, and an acrylic pressure-sensitive adhesive is particularly preferable.
  • an acrylic adhesive an acrylic adhesive based on an acrylic polymer (homopolymer or copolymer) using one or more (meth) acrylic acid alkyl esters as monomer components. Agents.
  • Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester in the acrylic pressure-sensitive adhesive include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic.
  • the (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably a (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 4 to 18 carbon atoms.
  • the alkyl group of the (meth) acrylic acid alkyl ester may be either linear or branched.
  • the said acrylic polymer is another monomer component (for example) copolymerizable with the said (meth) acrylic-acid alkylester as needed for the purpose of modification
  • a unit corresponding to the copolymerizable monomer component may be included.
  • copolymerizable monomer components include (meth) acrylic acid (acrylic acid, methacrylic acid), carboxyl such as carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid.
  • Acid anhydride group-containing monomer such as maleic anhydride, itaconic anhydride; hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, hydroxy (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as hexyl, hydroxyoctyl (meth) acrylate, hydroxydecyl (meth) acrylate, hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl methacrylate; styrene sulfonic acid, Sulfonic acid group-containing monomers such as rylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenes
  • Succinimide monomers such as N-imide
  • glycol-based acrylic ester monomers such as (meth) acrylic acid polyethylene glycol, (meth) acrylic acid polypropylene glycol, (meth) acrylic acid methoxyethylene glycol, (meth) acrylic acid methoxypolypropylene glycol
  • Acrylic acid ester monomer having heterocycle such as tetrahydrofurfuryl acrylate, fluorine (meth) acrylate, silicone (meth) acrylate, halogen atom, silicon atom, etc .
  • a radiation curable pressure sensitive adhesive or energy beam curable pressure sensitive adhesive
  • examples of the radiation curable pressure sensitive adhesive include a radical reactive carbon-carbon double bond having a polymer side chain or main chain.
  • Intrinsic radiation curable adhesives that use polymers in the chain or at the end of the main chain as the base polymer, and radiation curable adhesives that contain UV-curable monomer or oligomer components in the adhesive It is done.
  • the heat-expandable adhesive as an adhesive
  • the heat-expandable adhesive containing an adhesive and a foaming agent especially heat-expandable microsphere
  • the pressure-sensitive adhesive layer 32 has various additives (for example, a tackifier resin, a colorant, a thickener, an extender, a filler, a plasticizer, and an anti-aging agent as long as the effects of the present invention are not impaired. , Antioxidants, surfactants, cross-linking agents, etc.).
  • additives for example, a tackifier resin, a colorant, a thickener, an extender, a filler, a plasticizer, and an anti-aging agent as long as the effects of the present invention are not impaired. , Antioxidants, surfactants, cross-linking agents, etc.).
  • the crosslinking agent is not particularly limited, and a known crosslinking agent can be used. Specifically, as the crosslinking agent, an isocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, a melamine crosslinking agent, a peroxide crosslinking agent, a urea crosslinking agent, a metal alkoxide crosslinking agent, a metal chelate crosslinking agent. , Metal salt crosslinking agents, carbodiimide crosslinking agents, oxazoline crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, amine crosslinking agents, and the like, and isocyanate crosslinking agents and epoxy crosslinking agents are preferred.
  • a crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 or more types. In addition, the usage-amount of a crosslinking agent is not restrict
  • isocyanate-based crosslinking agent examples include lower aliphatic polyisocyanates such as 1,2-ethylene diisocyanate, 1,4-butylene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate; cyclopentylene diisocyanate, cyclohexylene diisocyanate, Cycloaliphatic polyisocyanates such as isophorone diisocyanate, hydrogenated tolylene diisocyanate, hydrogenated xylene diisocyanate; 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 4,4'- Aromatic polyisocyanates such as diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate, and the like, and trimethylolpropane / tolylene diisocyanate trimer adduct [Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.
  • epoxy crosslinking agent examples include N, N, N ′, N′-tetraglycidyl-m-xylenediamine, diglycidylaniline, 1,3-bis (N, N-glycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether , Pentaerythritol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, sorbitan polyglycidyl ether, trimethylolpropane poly In addition to lysidyl ether, a
  • the pressure-sensitive adhesive layer 32 is formed by using, for example, a conventional method of forming a sheet-like layer by mixing a pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive) and, if necessary, a solvent or other additives. be able to. Specifically, for example, a method of applying a mixture containing a pressure-sensitive adhesive and, if necessary, a solvent and other additives onto the base material 31, and applying the mixture onto an appropriate separator (such as a release paper)
  • the pressure-sensitive adhesive layer 32 can be formed by a method in which the pressure-sensitive adhesive layer 32 is formed and transferred (transferred) onto the substrate 31.
  • the thickness of the adhesive layer 32 is not particularly limited, and is, for example, about 5 ⁇ m to 300 ⁇ m (preferably 5 ⁇ m to 200 ⁇ m, more preferably 5 ⁇ m to 100 ⁇ m, particularly preferably 7 ⁇ m to 50 ⁇ m). When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 32 is within the above range, an appropriate pressure-sensitive adhesive force can be exhibited.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 32 may be either a single layer or multiple layers.
  • the adhesive force (23 ° C., peel angle 180 °, peel speed 300 mm / min) of the adhesive layer 32 of the dicing tape 3 to the flip chip type semiconductor back film 2 is in the range of 0.02 N / 20 mm to 10 N / 20 mm.
  • a range of 0.05 N / 20 mm to 5 N / 20 mm is more preferable.
  • the flip chip type semiconductor back film 2 and the dicing tape integrated semiconductor back film 1 can have an antistatic ability. As a result, it is possible to prevent the circuit from being broken due to the generation of static electricity during the bonding and peeling, and the resulting charging of the semiconductor wafer or the like.
  • the antistatic ability is imparted by a method of adding an antistatic agent or a conductive substance to the base material 31, the adhesive layer 32 or the semiconductor backside film 2, a conductive layer comprising a charge transfer complex or a metal film to the base material 31. It can be performed by an appropriate method, such as a method of attaching a mark. As these methods, a method in which impurity ions that may change the quality of the semiconductor wafer are less likely to be generated is preferable.
  • the film 2 for flip chip type semiconductor back surfaces and the film 1 for semiconductor back surfaces integrated with a dicing tape may be formed in a form wound in a roll shape, or formed in a form in which sheets (films) are laminated. May be.
  • it rolls in the state which protected the laminated body of the film 2 for semiconductor back surfaces, or the film 2 for semiconductor back surfaces, and the dicing tape 3 with the separator as needed.
  • It can be produced as a film 2 for semiconductor back surface or a film 1 for semiconductor back surface integrated with dicing tape in a state or form wound in a roll shape.
  • a base material 31 As the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 in a state or form wound in a roll shape, a base material 31, an adhesive layer 32 formed on one surface of the base material 31, and the adhesive You may be comprised with the film for semiconductor back surfaces formed on the agent layer 32, and the peeling process layer (back process layer) formed in the other surface of the said base material 31.
  • FIG. 1 As the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 in a state or form wound in a roll shape, a base material 31, an adhesive layer 32 formed on one surface of the base material 31, and the adhesive You may be comprised with the film for semiconductor back surfaces formed on the agent layer 32, and the peeling process layer (back process layer) formed in the other surface of the said base material 31.
  • the thickness of the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 (the thickness of the film for semiconductor back surface and the total thickness of the dicing tape composed of the base material 31 and the adhesive layer 32) is, for example, 8 ⁇ m to 1500 ⁇ m.
  • the range is preferably 20 ⁇ m to 850 ⁇ m (more preferably 31 ⁇ m to 500 ⁇ m, particularly preferably 47 ⁇ m to 330 ⁇ m).
  • the ratio of the thickness of the film for semiconductor back surface 2 to the thickness of the adhesive layer 32 of the dicing tape 3, the thickness of the film for semiconductor back surface 2, and the thickness of the dicing tape 3 By controlling the ratio with the thickness (total thickness of the base material 31 and the adhesive layer 32), the dicing property during the dicing process, the picking property during the pick-up process, etc. can be improved, and the dicing tape integrated semiconductor
  • the back film 1 can be effectively used in a semiconductor wafer dicing process to a semiconductor chip flip chip bonding process.
  • the base material 31 can be formed by a conventionally known film forming method.
  • the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a co-extrusion method, and a dry lamination method.
  • the pressure-sensitive adhesive composition is applied on the substrate 31 and dried (heat-crosslinked as necessary) to form the pressure-sensitive adhesive layer 32.
  • the coating method include roll coating, screen coating, and gravure coating.
  • the pressure-sensitive adhesive layer composition may be applied directly to the base material 31 to form the pressure-sensitive adhesive layer 32 on the base material 31.
  • a release paper or the like that has been subjected to a release treatment on the surface of the pressure-sensitive adhesive composition.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 32 may be transferred to the substrate 31 after being applied to the substrate. Thereby, the dicing tape 3 in which the adhesive layer 32 is formed on the base material 31 is produced.
  • the forming material for forming the film 2 for the semiconductor back surface is applied on the release paper so that the thickness after drying becomes a predetermined thickness, and further dried under predetermined conditions (in the case where thermosetting is necessary, If necessary, heat treatment is performed and drying is performed to form a coating layer.
  • the semiconductor back surface film 2 is formed on the pressure-sensitive adhesive layer 32.
  • it dries on predetermined conditions (In the case where thermosetting is required, it heat-processes as needed.
  • the film for semiconductor back surface 2 can also be formed on the pressure-sensitive adhesive layer 32 by applying and drying.
  • the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 according to the present invention can be obtained.
  • heat-curing when heat-curing when forming the film 2 for semiconductor back surfaces, it is important to perform heat-curing to such an extent that it will be in the state of partial hardening, However Preferably heat-curing is not performed.
  • the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 of the present invention can be suitably used for manufacturing a semiconductor device having a flip chip bonding process. That is, the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 of the present invention is used when manufacturing a flip-chip mounted semiconductor device, and the film for semiconductor back surface of the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 is formed on the back surface of the semiconductor chip.
  • a flip-chip mounted semiconductor device is manufactured in a state or form in which 2 is adhered.
  • the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 of the present invention is applied to a flip-chip mounted semiconductor device (a semiconductor device in a state or form in which the semiconductor chip is fixed to an adherend such as a substrate by a flip-chip bonding method). Can be used.
  • the semiconductor back film 2 is a flip chip mounted semiconductor device (in a state where the semiconductor chip is fixed to an adherend such as a substrate or the like by a flip chip bonding method, similarly to the dicing tape integrated semiconductor back film 1. It can be used for the semiconductor device of the embodiment.
  • the semiconductor wafer is not particularly limited as long as it is a known or commonly used semiconductor wafer, and can be appropriately selected from semiconductor wafers of various materials.
  • a silicon wafer can be suitably used as the semiconductor wafer.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device when the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 is used.
  • the semiconductor device manufacturing method can manufacture a semiconductor device using the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1. Specifically, a step of attaching a semiconductor wafer on the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, a step of dicing the semiconductor wafer, a step of picking up a semiconductor element obtained by dicing, and the semiconductor element And at least a flip-chip connection process on the adherend.
  • a semiconductor device can be manufactured by the method according to the manufacturing method of the semiconductor device at the time of using the film 1 for semiconductor back surfaces integrated with a dicing tape.
  • the semiconductor back surface film 2 can be used as a dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, which is bonded to a dicing tape and integrated with the dicing tape.
  • the manufacturing method of the semiconductor device using the film for semiconductor back surface 2 further includes the step of the method for manufacturing the film for semiconductor back surface integrated with the dicing tape, and further includes a film for semiconductor back surface and a dicing tape. And a dicing tape pressure-sensitive adhesive layer in contact with each other.
  • the film 2 for a semiconductor back surface can be used by being attached to a semiconductor wafer without being integrated with a dicing tape.
  • the manufacturing method of the semiconductor device using the film for semiconductor back surface 2 includes a step of attaching a semiconductor wafer on the film for dicing tape integrated semiconductor back surface in the method for manufacturing the film for semiconductor back integrated dicing tape, A process of adhering a film for semiconductor back surface to a semiconductor wafer, a process of adhering a dicing tape to a film for semiconductor back surface adhered to a semiconductor wafer in a form in which the film for semiconductor back surface and the adhesive layer of the dicing tape are in contact with each other
  • the manufacturing method is as follows.
  • the film 2 for a semiconductor back surface can be used by being attached to a semiconductor chip obtained by dividing a semiconductor wafer.
  • a method for manufacturing a semiconductor device using the film for semiconductor back surface 2 includes, for example, a step of sticking a dicing tape to a semiconductor wafer, a step of dicing the semiconductor wafer, and a semiconductor element obtained by dicing.
  • the manufacturing method may include at least a step of performing a flip-chip connection of the semiconductor element on the adherend, and a step of attaching a film for semiconductor back surface to the semiconductor element.
  • a separator arbitrarily provided on the film 2 for semiconductor back surface of the film 1 for semiconductor back surface integrated with dicing tape is appropriately peeled off, and the film 2 for semiconductor back surface is formed.
  • the semiconductor wafer 4 is attached, and this is adhered and held and fixed (mounting process).
  • the film 2 for semiconductor back surface is in an uncured state (including a semi-cured state).
  • the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 is attached to the back surface of the semiconductor wafer 4.
  • the back surface of the semiconductor wafer 4 means a surface opposite to the circuit surface (also referred to as a non-circuit surface or a non-electrode forming surface).
  • the sticking method is not specifically limited, the method by pressure bonding is preferable.
  • the crimping is usually performed while pressing with a pressing means such as a crimping roll.
  • the semiconductor wafer 4 is diced. As a result, the semiconductor wafer 4 is cut into a predetermined size and divided into pieces (small pieces), whereby the semiconductor chip 5 is manufactured. Dicing is performed according to a conventional method from the circuit surface side of the semiconductor wafer 4, for example. Further, in this step, for example, a cutting method called full cut in which cutting is performed up to the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 can be employed. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used.
  • the semiconductor wafer 4 is bonded and fixed with excellent adhesion by the dicing tape-integrated semiconductor back surface film 1 having the semiconductor back surface film, chip chipping and chip jumping can be suppressed, and the semiconductor wafer 4 is damaged. Can also be suppressed.
  • the film 2 for semiconductor back surface is formed with the resin composition containing an epoxy resin, even if it cut
  • the expanding can be performed using a conventionally known expanding apparatus.
  • the expander supports a donut-shaped outer ring that can push down the dicing tape-integrated semiconductor back surface film 1 downward through the dicing ring, and a dicing tape-integrated semiconductor back surface film that is smaller in diameter than the outer ring. And an inner ring.
  • the semiconductor chip 5 is picked up as shown in FIG.
  • the film 2 is peeled off from the dicing tape 3.
  • the pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, a method of pushing up individual semiconductor chips 5 from the substrate 31 side of the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 with a needle and picking up the pushed-up semiconductor chips 5 with a pickup device or the like can be mentioned. Note that the back surface of the picked-up semiconductor chip 5 is protected by the film 2 for semiconductor back surface.
  • the picked-up semiconductor chip 5 is fixed to an adherend such as a substrate by a flip chip bonding method (flip chip mounting method).
  • the semiconductor chip 5 is always placed on the adherend 6 such that the circuit surface (also referred to as a surface, a circuit pattern formation surface, an electrode formation surface, etc.) of the semiconductor chip 5 faces the adherend 6.
  • the circuit surface also referred to as a surface, a circuit pattern formation surface, an electrode formation surface, etc.
  • the bump 51 formed on the circuit surface side of the semiconductor chip 5 is brought into contact with a bonding conductive material (solder or the like) 61 attached to the connection pad of the adherend 6 while pressing the conductive material.
  • the semiconductor chip 5 and the adherend 6 By melting, it is possible to secure electrical continuity between the semiconductor chip 5 and the adherend 6 and fix the semiconductor chip 5 to the adherend 6 (flip chip bonding step). At this time, a gap is formed between the semiconductor chip 5 and the adherend 6, and the air gap distance is generally about 30 ⁇ m to 300 ⁇ m. After the flip chip bonding (flip chip connection) of the semiconductor chip 5 on the adherend 6, the facing surface and the gap between the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are cleaned, and a sealing material (sealing) is placed in the gap. It is important to seal by filling with a stop resin or the like.
  • various substrates such as a lead frame and a circuit substrate (such as a wiring circuit substrate) can be used.
  • the material of such a substrate is not particularly limited, and examples thereof include a ceramic substrate and a plastic substrate.
  • the plastic substrate include an epoxy substrate, a bismaleimide triazine substrate, and a polyimide substrate.
  • the material of the bump or the conductive material is not particularly limited, and for example, a tin-lead metal material, a tin-silver metal material, a tin-silver-copper metal material, a tin-zinc metal Materials, solders (alloys) such as tin-zinc-bismuth metal materials, gold metal materials, copper metal materials, and the like.
  • the conductive material is melted to connect the bumps on the circuit surface side of the semiconductor chip 5 and the conductive material on the surface of the adherend 6.
  • the temperature is usually about 260 ° C. (for example, 250 ° C. to 300 ° C.).
  • the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface of the present invention can have heat resistance that can withstand high temperatures in the flip chip bonding process by forming the film for semiconductor back surface with an epoxy resin or the like.
  • the cleaning liquid used for the cleaning is not particularly limited, and examples thereof include an organic cleaning liquid and an aqueous cleaning liquid.
  • the film for semiconductor back surface in the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface of the present invention has solvent resistance to the cleaning liquid, and has substantially no solubility in these cleaning liquids. Therefore, as described above, various cleaning liquids can be used as the cleaning liquid, and no special cleaning liquid is required, and cleaning can be performed by a conventional method.
  • a sealing step is performed to seal the gap between the flip chip bonded semiconductor chip 5 and the adherend 6.
  • the sealing step is performed using a sealing resin.
  • the sealing conditions at this time are not particularly limited.
  • the sealing resin is thermally cured by heating at 175 ° C. for 60 seconds to 90 seconds, but the present invention is not limited to this. For example, it can be cured at 165 ° C. to 185 ° C. for several minutes.
  • the heat treatment in this step not only the sealing resin but also the thermosetting of the semiconductor back surface film 2 can be performed simultaneously. Thereby, both sealing resin and the film 2 for semiconductor back surfaces carry out hardening shrinkage with progress of thermosetting.
  • the stress applied to the semiconductor chip 5 due to the curing shrinkage of the sealing resin can be offset or alleviated by the semiconductor back film 2 being cured and shrunk.
  • the film 2 for semiconductor back surfaces can be thermoset completely or almost completely by the said process, and can be stuck on the back surface of a semiconductor element with the outstanding adhesiveness.
  • the film for semiconductor back surface 2 according to the present invention can be thermally cured together with the sealing material in the sealing step even in an uncured state, the film for semiconductor back surface 2 is thermally cured. There is no need to add a new process.
  • the sealing resin is not particularly limited as long as it is an insulating resin (insulating resin), and can be appropriately selected from sealing materials such as known sealing resins. Is more preferable.
  • sealing resin the resin composition containing an epoxy resin etc. are mentioned, for example.
  • the epoxy resin include the epoxy resins exemplified above.
  • a thermosetting resin other than an epoxy resin such as a phenol resin
  • a thermoplastic resin may be included as a resin component. Good.
  • a phenol resin it can utilize also as a hardening
  • the semiconductor device manufactured using the dicing tape-integrated film 1 for semiconductor back surface and the film 2 for semiconductor back surface has the film for semiconductor back surface attached to the back surface of the semiconductor chip.
  • Various markings can be applied with excellent visibility.
  • marking method is a laser marking method
  • marking can be performed with an excellent contrast ratio, and various information (character information, Zuken information, etc.) applied by laser marking can be seen well. is there.
  • a well-known laser marking apparatus can be utilized.
  • the laser various lasers such as a gas laser, a solid laser, and a liquid laser can be used.
  • the gas laser is not particularly limited, and a known gas laser can be used, but a carbon dioxide laser (CO 2 laser), an excimer laser (ArF laser, KrF laser, XeCl laser, XeF laser). Etc.) are preferred.
  • the solid laser is not particularly limited, and a known solid laser can be used, but a YAG laser (Nd: YAG laser or the like) and a YVO 4 laser are preferable.
  • the semiconductor device manufactured using the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface and the film for semiconductor back surface of the present invention is a semiconductor device mounted by a flip chip mounting method, the semiconductor device mounted by a die bonding mounting method Instead, the shape is reduced in thickness and size. For this reason, it can use suitably as various electronic devices and electronic components, or those materials and members.
  • a so-called “mobile phone” or “PHS” a so-called “mobile phone” or “PHS”
  • a small computer for example, a so-called “PDA” (personal digital assistant)
  • PDA personal digital assistant
  • Netbook a so-called “Netbook (trademark)”
  • wearable computer etc.
  • mobile phone and small electronic devices integrated with a computer
  • digital camera so-called “digital”
  • Mobile devices such as video cameras, small TVs, small game devices, small digital audio players, so-called “electronic notebooks”, so-called “electronic dictionaries”, so-called “electronic books” electronic device terminals, small digital-type watches, etc.
  • Type electronic devices may be an electronic device other than a mobile type (such as a setting type) (for example, a so-called “disc top PC”, a flat-screen TV, a recording / playback electronic device (hard disk recorder, DVD player, etc.), a projector, a micromachine, etc.) .
  • a mobile type such as a setting type
  • Examples of materials and members of electronic components or electronic devices / electronic components include so-called “CPU” members, members of various storage devices (so-called “memory”, hard disks, etc.), and the like.
  • solid content means the total of resin solid content, spherical silica, and dye.
  • solid content concentration means weight% of solid content when the sum total of methyl ethyl ketone (solvent) and the said solid content is made into the whole.
  • the adhesive composition solution A was applied as a release liner (separator) on a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. An adhesive sheet A having a thickness of 30 ⁇ m was produced.
  • Adhesive sheet A was placed on a pressure-sensitive adhesive layer of a dicing tape (trade name “V-8-T”, manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 ⁇ m, average thickness of pressure-sensitive adhesive layer: 10 ⁇ m). Bonding was performed using a hand roller to prepare a dicing tape-integrated adhesive sheet A.
  • the adhesive composition solution B was applied as a release liner (separator) on a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness.
  • An adhesive sheet B having a thickness of 30 ⁇ m was produced.
  • Adhesive sheet B was placed on a pressure-sensitive adhesive layer of a dicing tape (trade name “V-8-T”, manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 ⁇ m, average thickness of pressure-sensitive adhesive layer: 10 ⁇ m). Bonding was performed using a hand roller to prepare a dicing tape-integrated adhesive sheet B.
  • the adhesive composition solution C was applied as a release liner (separator) on a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. An adhesive sheet C having a thickness of 30 ⁇ m was produced.
  • Adhesive sheet C was placed on a pressure-sensitive adhesive layer of a dicing tape (trade name “V-8-T”, manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 ⁇ m, average thickness of pressure-sensitive adhesive layer: 10 ⁇ m). Bonding was performed using a hand roller to prepare a dicing tape-integrated adhesive sheet C.
  • Example 4 ⁇ Preparation of adhesive sheet> Acrylic ester polymer based on ethyl acrylate-methyl methacrylate (trade name “Paracron W-197CM”, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.): 100 parts epoxy resin (trade name “Epicoat 1004”, JER 70 parts, phenol resin (trade name “Millex XLC-4L”, manufactured by Mitsui Chemicals): 75 parts, spherical silica filler having an average particle size of 0.05 ⁇ m and a maximum particle size of 0.3 ⁇ m or less , Manufactured by Admatechs Co., Ltd .: 230 parts, dye 1 (trade name “OIL GREEN 502”, manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.): 12 parts, and dye 2 (trade name “OIL BLACK BS”, Orient Chemical Industry Co., Ltd.) (Manufactured by the company): 24 parts is dissolved in methyl ethyl ketone and the solid content concentration is 23.
  • the adhesive composition solution D was applied as a release liner (separator) onto a release treatment film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness.
  • An adhesive sheet D having a thickness of 30 ⁇ m was produced.
  • Adhesive sheet D was placed on the pressure-sensitive adhesive layer of a dicing tape (trade name “V-8-T”, manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 ⁇ m, average thickness of pressure-sensitive adhesive layer: 10 ⁇ m). Bonding was performed using a hand roller to prepare a dicing tape-integrated adhesive sheet D.
  • the adhesive composition solution E was applied as a release liner (separator) onto a release treatment film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness.
  • An adhesive sheet E having a thickness of 30 ⁇ m was produced.
  • Adhesive sheet E was placed on a pressure-sensitive adhesive layer of a dicing tape (trade name “V-8-T”, manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 ⁇ m, average thickness of pressure-sensitive adhesive layer: 10 ⁇ m). Bonding was performed using a hand roller to prepare a dicing tape-integrated adhesive sheet E.
  • Comparative Example 1 ⁇ Production of dicing tape integrated adhesive sheet> Instead of adding 69 parts of a spherical silica filler having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m and a maximum particle diameter of 0.3 ⁇ m or less (manufactured by Admatex Co., Ltd.), a spherical silica filler having an average particle diameter of 0.5 ⁇ m (trade name)
  • the dicing tape-integrated adhesive sheet F according to Comparative Example 1 is the same as the dicing tape-integrated adhesive sheet A according to Example 1 except that 134 parts of “SO-25R” (manufactured by Admatechs Co., Ltd.) is added. Produced.
  • Adhesive sheet G was placed on a pressure-sensitive adhesive layer of a dicing tape (trade name “V-8-T”, manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 ⁇ m, average thickness of pressure-sensitive adhesive layer: 10 ⁇ m). Bonding was performed using a hand roller to prepare a dicing tape-integrated adhesive sheet G.
  • the adhesive composition solution H was applied as a release liner (separator) on a release treatment film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness.
  • An adhesive sheet H having a thickness of 30 ⁇ m was produced.
  • Adhesive sheet H was placed on the pressure-sensitive adhesive layer of dicing tape (trade name “V-8-T”, manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 ⁇ m, average thickness of pressure-sensitive adhesive layer: 10 ⁇ m). Bonding was performed using a hand roller to prepare a dicing tape integrated adhesive sheet H.
  • the adhesive composition solution I was applied as a release liner (separator) on a release treatment film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m after silicone release treatment, the adhesive composition solution I was dried at 130 ° C. for 2 minutes. An adhesive sheet I having a thickness of 30 ⁇ m was produced.
  • Adhesive sheet I was placed on a pressure-sensitive adhesive layer of dicing tape (trade name “V-8-T”, manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of base material: 65 ⁇ m, average thickness of pressure-sensitive adhesive layer: 10 ⁇ m). Bonding was performed using a hand roller to prepare a dicing tape-integrated adhesive sheet I.
  • the adhesive composition solution J was applied as a release liner (separator) onto a release treatment film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness.
  • An adhesive sheet J having a thickness of 30 ⁇ m was prepared.
  • Adhesive sheet J was placed on a pressure-sensitive adhesive layer of a dicing tape (trade name “V-8-T”, manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 ⁇ m, average thickness of pressure-sensitive adhesive layer: 10 ⁇ m). Bonding was performed using a hand roller to prepare a dicing tape-integrated adhesive sheet J.
  • a 100 ⁇ m thick silicon wafer was heated to 80 ° C. on a hot plate.
  • the dicing tape integrated adhesive sheet produced in the example and the comparative example is placed on the silicon wafer so that the adhesive sheet surface of the dicing tape integrated adhesive sheet and the silicon wafer face each other, and is adhered by a hand roller.
  • the silicon wafer was diced into 10 mm ⁇ 10 mm together with the adhesive sheet with a dicer (manufactured by Disco Corporation) to obtain a chip with an adhesive sheet.
  • tip with an adhesive sheet was peeled from the dicing tape, and the chip
  • the chip with an adhesive sheet for evaluation was placed on a flat table so that the adhesive sheet was on the bottom surface, and the thickness was measured with a contact-type dial gauge. The thickness was measured as the thickness from the base surface to the farthest part. Next, a value obtained by subtracting the wafer thickness: 100 ⁇ m and the adhesive sheet thickness: 30 ⁇ m from the obtained measured thickness was evaluated as a warp amount, and a case where the warp amount was less than 100 ⁇ m was evaluated as “ ⁇ ” and a case where the warp amount was 100 ⁇ m or more was evaluated as “X”. The results are shown in Table 2.
  • tip with the adhesive sheet for evaluation which concerns on an Example and a comparative example was obtained by the method similar to the evaluation of the said curvature.
  • a chip with an adhesive sheet for evaluation is placed so that the adhesive sheet is on the upper surface, and laser printing is performed using a laser printing apparatus (trade name “MD-S9900”, manufactured by KEYENCE) under the following irradiation conditions. did.
  • Laser printing irradiation conditions Laser wavelength: 532nm Laser power: 1.2W Frequency: 32kHz
  • a laser-printed adhesive sheet is irradiated with oblique illumination from all directions on the adhesive sheet surface using a KEYENCE device name: CA-DDW8, and a CCD camera (device name: CV-0350) (Keyence Corporation).
  • the reflected light was captured.
  • the brightness of the reflected light taken in was measured using a device name: CV-5000 manufactured by KEYENCE Corporation.
  • the brightness measurement was performed on both the laser printing part and the non-printing part.
  • the lightness is a value in which white is 100% and black is 0%, and in this specification, the value is measured using the above-mentioned KEYENCE device name, CV-5000.
  • the difference between the lightness of the laser-printed portion and the lightness of the non-printed portion was defined as contrast [%], and the case of 40% or more was evaluated as ⁇ , and the case of less than 40% was evaluated as ⁇ .
  • the results are shown in Table 2.

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Abstract

　半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、平均粒子径が０．３μｍ以下のフィラーとアクリル樹脂とを含有し、フィラーの含有量が、接着シート全体に対して２０～４５重量％の範囲内であり、アクリル樹脂の含有量が、全樹脂成分に対して４０～７０重量％の範囲内である接着シート。

Description

半導体装置の製造に用いられる接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
　本発明は、半導体装置の製造に用いられる接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
　近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのため、半導体装置及びそのパッケージとして、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。当該フリップチップ接続は半導体チップの回路面が基板の電極形成面と対向する形態で固定されるものである。このような半導体装置等では、半導体チップの裏面を保護フィルム（フリップチップ型半導体裏面用フィルム）により保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１１－２２８４９６号公報
　しかしながら、近年の半導体チップの薄型化により、当該半導体チップに反りが生じる場合があり、その抑制が求められている。
　また、フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、外側に表出していることからマーキングが施されて各種情報が付与される場合がある。そのため、マーキングのコントラストが高いことが要求される。また、フリップチップ型半導体裏面用フィルムに限らず、半導体装置の製造に用いられる接着シートにおいて、マーキングが施される場合がある。
　本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体チップに反りが発生するのを抑制することが可能であり、且つ、マーキングした際のマーキングコントラストの高い接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び、当該ダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造された半導体装置を提供することにある。
　本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく検討した結果、接着シートに所定の平均粒径以下のフィラーを所定量含有させ、且つ、アクリル樹脂の含有量を最適化することにより、半導体チップに反りが発生することを抑制でき、且つ、マーキングした際のマーキングコントラストを高くすることが可能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
　すなわち、本発明に係る接着シートは、半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、
　平均粒子径が０．３μｍ以下のフィラーとアクリル樹脂とを含有し、
　前記フィラーの含有量が、接着シート全体に対して２０～４５重量％の範囲内であり、
　前記アクリル樹脂の含有量が、全樹脂成分に対して４０～７０重量％の範囲内であることを特徴とする。
　前記構成によれば、平均粒子径が０．３μｍ以下のフィラーが接着シート全体に対して２０～４５重量％の範囲内で含有されている。従って、マーキング加工によってフィラー表面が露出されると、露出部の表面凹凸は細かくなる。そのため、マーキングの読み取り時における、斜光照明の反射光量が増大し、マーキング加工部の明度が増加する。その結果、マーキングした際のマーキングコントラストを高くすることができる。
　また、アクリル樹脂が、全樹脂成分に対して４０重量％以上含有されているため、半導体チップの反りが抑制することができる。また、アクリル樹脂の含有量が、全樹脂成分に対して７０重量％以下であるため、タック性を抑制することができる。その結果、半導体チップ実装時の吸着コレット等への固着が抑制できる。
　平均粒子径が０．３μｍ以下のようなフィラー（以下、ナノフィラーともいう）を用いる場合、平均粒子径が０．３μｍより大きいフィラーと比較して、フィラーの表面積が大きいことから、樹脂との接触面積や、フィラー同士の接触面積が増加し、弾性率が高くなる傾向となる。そのため、ナノフィラーを含有する接着シートを用いて製造した半導体装置に大きな反りが発生し易い。しかしながら、本発明では、アクリル樹脂の含有量を上記範囲内とすることにより、弾性率を制御し、反りを抑制している。
　このように、本発明では、平均粒子径が０．３μｍ以下のフィラーを接着シート全体に対して２０～４５重量％の範囲内含有させることによりマーキングした際のマーキングコントラストを高くするとともに、アクリル樹脂を全樹脂成分に対して４０～７０重量％の範囲内で含有させることより、ナノフィラーを用いる際に発生し得る反りを抑制することが可能となる。
　なお、本明細書において、「全樹脂成分」とは、フィラーを除いた樹脂成分全体（染料を含む場合はフィラー及び染料を除く樹脂成分全体）をいう。
　前記構成において、前記接着シートが、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであるが好ましい。フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、半導体素子の裏面に形成されているため、半導体チップに反りが発生するのをより抑制することが可能である。また、フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、外側に表出していることからマーキングが施されて各種情報が付与される場合が多い。従って、前記接着シートを、マーキングの視認性が求められるフリップチップ型半導体裏面用フィルムとして使用すると、より有用性に優れる。
　前記構成において、前記フィラーの最大粒子径が０．５μｍ以下であることが好ましい。前記フィラーの最大粒子径が０．５μｍ以下であると、マーキング加工によってフィラー表面が露出される際の露出部の表面凹凸がより細かい。従って、マーキングした際のマーキングコントラストをより高くすることができる。
　前記構成において、前記フィラーがシリカ系フィラーであることが好ましい。前記フィラーがシリカ系フィラーであると、溶媒への分散性が良好であり、さらに、分散後、沈殿しにくいという点で優れる。
　前記構成において、前記接着シートは、未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率が、１．０～３．０ＧＰａであることが好ましい。未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率が、１．０～３．０ＧＰａであると、半導体チップの反りを抑制できる。また、タック性を抑制できるため、半導体チップ実装時の吸着コレット等への固着が抑制できる。
　また、本発明に係るダイシングテープ一体型接着シートは、前記課題を解決するためのものであり、前記に記載の接着シートが、ダイシングテープ上に積層されたダイシングテープ一体型接着シートであって、前記ダイシングテープは基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記接着シートは前記粘着剤層上に積層されていることを特徴とする。
　また、本発明に係る半導体装置は、前記課題を解決するためのものであり、前記に記載のダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造されたことを特徴とする。
　また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記課題を解決するためのものである。
　本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
　前記ダイシングテープ一体型接着シートにおける接着シート上に半導体ウエハを貼着する工程と、
　前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
　前記半導体素子を前記ダイシングテープ一体型接着シートとともに、ダイシングテープの粘着剤層から剥離する工程と、
　前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程とを具備することを特徴とする。
本発明の一実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの一例を示す断面模式図である。 本発明の一実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面模式図である。
　本発明の一実施形態について、図１を参照しながら説明するが、本発明はこの例に限定されない。なお、以下では、本発明の接着シートがフリップチップ型半導体裏面用フィルムである場合について説明するが、本発明の接着シートは、フリップチップ型半導体裏面用フィルムに限定されず、例えば、チップが実装された基板のチップ側からラミネート等によって貼り合せて当該チップを封止するための封止フィルムであってもよい。
　図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの一例を示す断面模式図である。なお、本明細書において、図には、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。
　（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム）
　図１で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、基材３１上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と、前記粘着剤層上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルム（以下、「半導体裏面用フィルム」という場合がある）２とを備える構成である。なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートの一実施形態に相当する。また、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、図１で示されているように、ダイシングテープ３の粘着剤層３２上において、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分３３のみに半導体裏面用フィルム２が形成された構成であってもよいが、粘着剤層３２の全面に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよく、また、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分３３より大きく且つ粘着剤層３２の全面よりも小さい部分に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよい。なお、半導体裏面用フィルム２の表面（ウエハの裏面に貼着される側の表面）は、ウエハ裏面に貼着されるまでの間、セパレータ等により保護されていてもよい。
　（フリップチップ型半導体裏面用フィルム）
　半導体裏面用フィルム２はフィルム状の形態を有している。半導体裏面用フィルム２は、通常、製品としてのダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの形態では、未硬化状態（半硬化状態を含む）であり、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを半導体ウエハに貼着させた後に熱硬化される（詳細については後述する）。
　半導体裏面用フィルム２は、平均粒子径が０．３μｍ以下のフィラーと熱可塑性樹脂としてのアクリル樹脂とを含有する。また、前記半導体裏面用フィルムは、さらに、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。
　上述の通り、半導体裏面用フィルム２には、平均粒子径が０．３μｍ以下のフィラーが含有されている。前記フィラーの平均粒子径は、０．２μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以下であることが好ましい。また、前記フィラーの平均粒径は、例えば、０．０１μｍ以上、０．０２μｍ以上、０．０３μｍ以上とすることができる。
　また、前記フィラーの含有量は、半導体裏面用フィルム２全体に対して２０～４５重量％の範囲内で含有されている。前記フィラーの含有量は、２５～４０重量％の範囲内であることがより好ましい。なお、半導体裏面用フィルム全体とは、樹脂成分、及び、フィラーを含む半導体裏面用フィルム全体をいい、染料を含む場合は、樹脂成分、フィラー、及び、染料を含む半導体裏面用フィルム全体をいう。
　平均粒子径が０．３μｍ以下のフィラーが半導体裏面用フィルム２全体に対して２０～４５重量％の範囲内で含有されているため、マーキング加工によってフィラー表面が半導体裏面用フィルム２の表面に露出されると、露出部の表面凹凸は細かくなる。そのため、マーキングの読み取り時における、斜光照明の反射光量が増大し、マーキング加工部の明度が増加する。その結果、マーキングした際のマーキングコントラストを高くすることができる。
　また、前記フィラーの最大粒子径は、０．５μｍ以下であることが好ましく、０．３μｍ以下であることがより好ましい。前記フィラーの最大粒子径が０．５μｍ以下であると、マーキング加工によってフィラー表面が露出される際の露出部の表面凹凸がより細かい。従って、マーキングした際のマーキングコントラストをより高くすることができる。
　前記フィラーの平均粒径及び最大粒径は、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定した値をいう。
　上記無機フィラーの形状は特に限定されず、球状、楕円球状、平板状、棒状、柱状、層状、鎖状、鱗片状、ドーナツ状、不定形状等のいずれの形状であってもよい。なお、いずれの形状であっても、平均粒径及び最大粒径は、対象とする無機フィラーを球状と仮定した際のその球の直径に基づいて求められる。
　前記フィラーとしては、無機系フィラー、有機系フィラーのいずれであってもよいが、無機系フィラーが好適である。無機系フィラー等の充填剤の配合により、半導体裏面用フィルムに導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、半導体裏面用フィルム２としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機系フィラーとしては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。フィラーは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。フィラーとしては、なかでも、溶媒への分散性が良好であり、さらに、分散後、沈殿しにくいという点で、シリカ系フィラーが好ましい。
　上述の通り、半導体裏面用フィルム２には、アクリル樹脂が含有されている。前記アクリル樹脂の含有量は、全樹脂成分に対して４０～７０重量％の範囲内であり、４５～６５重量％であることが好ましい。アクリル樹脂が、全樹脂成分に対して４０～７０重量％の範囲内で含有されているため、半導体チップの反りが抑制することができる。
　平均粒子径が０．３μｍ以下のようなフィラー（ナノフィラー）を用いる場合、平均粒子径が０．３μｍより大きいフィラーと比較して、フィラーの表面積が大きいことから、樹脂との接触面積や、フィラー同士の接触面積が増加し、弾性率が高くなる傾向となる。そのため、ナノフィラーを含有する半導体裏面用フィルムを用いて製造した半導体装置に大きな反りが発生し易い。しかしながら、本実施形態に係る半導体裏面用フィルム２では、アクリル樹脂の含有量を上記範囲内とすることにより、弾性率を制御し、反りを抑制している。
　このように、本実施形態に係る半導体裏面用フィルム２では、平均粒子径が０．３μｍ以下のフィラーを半導体裏面用フィルム２全体に対して２０～４５重量％の範囲内含有させることによりマーキングした際のマーキングコントラストを高くするとともに、アクリル樹脂を全樹脂成分に対して４０～７０重量％の範囲内で含有させることより、ナノフィラーを用いる際に発生し得る反りを抑制することが可能となる。
　前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４～１８、更に好ましくは炭素数６～１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。
　また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル若しくは（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）－メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
　また、前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
　エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。
　エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
　更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
　エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量～２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量～１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
　本発明では、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒が用いられていても良い。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン－ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
　前記アミン系硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。
　前記リン系硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ－メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ－ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ－ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ－ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ－ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ－ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学（株）製）。また、前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては、エポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示すものであることが好ましい。エポキシ樹脂に対し非溶解性であると、熱硬化が過度に進行するのを抑制することができる。トリフェニルフォスフィン構造を有し、かつエポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示す熱硬化触媒としては、例えば、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ－ＭＢ）等が例示できる。尚、前記「非溶解性」とは、トリフェニルフォスフィン系化合物からなる熱硬化触媒がエポキシ樹脂からなる溶媒に対し不溶性であることを意味し、より詳細には、温度１０～４０℃の範囲において１０重量％以上溶解しないことを意味する。
　前記イミダゾール系硬化促進剤としては、２－メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２－ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１－Ｚ）、２－ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１?２－ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２－エチル－４－メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２－フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ－ＣＮ）、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ－ＣＮ）、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ－ＰＷ）、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン（商品名；２ＭＺ－Ａ）、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ－Ａ）、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ－Ａ）、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ－ＯＫ）、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ－ＰＷ）、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成工業（株）製）。
　前記ホウ素系硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。
　前記リン－ホウ素系硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ－Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ－ｐ－トリボレート（商品名；ＴＰＰ－ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ－ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ－Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学(株)製）。
　前記熱硬化促進触媒の割合は、熱硬化性樹脂全量に対して０．０１重量％以上２０重量％以下とすることができる。熱硬化促進触媒の前記割合が０．０１重量％以上であると、被着体上にフリップチップ接続させた半導体素子が薄型であっても（例えば、厚さが３００μｍ以下、更に２００μｍ以下であっても）、その反りを有効に抑制又は防止することができる。また、熱硬化促進触媒の前記割合を２０重量％以下にすることにより、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの収縮量が過大とならず、適度な大きさにコントロールすることができる。熱硬化促進触媒の前記割合の下限値としては、好ましくは０．０３重量％以上（より好ましくは重量０．０５重量％以上）である。また、上限値としては、好ましくは１８重量％以下（より好ましくは１５重量％以下）である。
　前記半導体裏面用フィルムとしては、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む樹脂組成物や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好適である。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。
　半導体裏面用フィルム２は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。半導体裏面用フィルム２は、例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成することができる。半導体裏面用フィルム２を予めある程度架橋させておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
　半導体裏面用フィルムの半導体ウエハに対する接着力（２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．５Ｎ／２０ｍｍ～１５Ｎ／２０ｍｍの範囲が好ましく、０．７Ｎ／２０ｍｍ～１０Ｎ／２０ｍｍの範囲がより好ましい。０．５Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、優れた密着性で半導体ウエハや半導体素子に貼着されており、浮き等の発生を防止することができる。また、半導体ウエハのダイシングの際にチップ飛びが発生するのを防止することもできる。一方、１５Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、ダイシングテープから容易に剥離することができる。なお、半導体裏面用フィルムの半導体ウエハに対する前記接着力は、例えば、次の通りにして測定した値である。即ち、半導体裏面用フィルムの一方の面に、粘着テープ（商品名「ＢＴ３１５」日東電工株式会社製）を貼着して裏面補強する。その後、裏面補強した長さ１５０ｍｍ、幅１０ｍｍの半導体裏面用フィルムの表面に、厚さ０．６ｍｍの半導体ウエハを、５０℃で２ｋｇのローラーを一往復して熱ラミネート法により貼り合わせる。その後、熱板上（５０℃）に２分間静置した後、常温（２３℃程度）で２０分静置する。静置後、剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ－Ｊ」島津製作所社製）を用いて、温度２３℃の下で、剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下で、裏面補強された半導体裏面用フィルムを引き剥がす。前記接着力は、このときの半導体裏面用フィルムと半導体ウエハとの界面で剥離させて測定された値（Ｎ／１０ｍｍ幅）である。
　前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
　前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２－エチレンジイソシアネート、１，４－ブチレンジイソシアネート、１，６－ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ－ト、水素添加キシレンジイソシアネ－トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ－フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル－トリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール－Ｓ－ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。
　なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択することができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分（特に、分子鎖末端の官能基を有する重合体）１００重量部に対し、通常７重量部以下（例えば、０．０５重量部～７重量部）とするのが好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分１００重量部に対して７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。なお、凝集力向上の観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分１００重量部に対して０．０５重量部以上であることが好ましい。
　なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
　前記半導体裏面用フィルムは着色されていることが好ましい。これにより、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。このように、着色された半導体裏面用フィルムは、優れたマーキング性を有しているので、半導体素子又は該半導体素子が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、半導体裏面用フィルムを介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優れた視認性で視認することが可能になる。また、半導体裏面用フィルムは着色されているので、ダイシングテープと、半導体裏面用フィルムとを、容易に区別することができ、作業性等を向上させることができる。更に、例えば半導体装置として、製品別に色分けすることも可能である。半導体裏面用フィルムを有色にする場合（無色・透明ではない場合）、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。
　本実施の形態において、濃色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、６０以下（０～６０）［好ましくは５０以下（０～５０）、さらに好ましくは４０以下（０～４０）］となる濃い色のことを意味している。
　また、黒色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、３５以下（０～３５）［好ましくは３０以下（０～３０）、さらに好ましくは２５以下（０～２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるａ*やｂ*は、それぞれ、Ｌ*の値に応じて適宜選択することができる。ａ*やｂ*としては、例えば、両方とも、－１０～１０であることが好ましく、より好ましくは－５～５であり、特に－３～３の範囲（中でも０又はほぼ０）であることが好適である。
　なお、本実施の形態において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*、ａ*、ｂ*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ－２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ*ａ*ｂ*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳＺ ８７２９に規定されている。
　半導体裏面用フィルムを着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。
　特に、色材として染料を用いると、半導体裏面用フィルム中には、染料が溶解により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一又はほぼ均一な半導体裏面用フィルム（ひいてはダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム）を容易に製造することができる。そのため、色材として染料を用いると、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、着色濃度を均一又はほぼ均一とすることができ、マーキング性や外観性を向上させることができる。
　黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼンダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。
　具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックなど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。
　本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。
　このような黒系色材としては、例えば、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＹ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＢＳ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋＨＢＢ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ８０３」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ８６０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９７０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９０６」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９０５」（オリエント化学工業株式会社製）などが市販されている。
　黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシアン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。
　また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、２８などが挙げられる。
　マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５などが挙げられる。
　また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。
　シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（または配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜選択することができる。
　半導体裏面用フィルム２を着色させる場合、その着色形態は特に制限されない。例えば、半導体裏面用フィルムは、着色剤が添加された単層のフィルム状物であってもよい。また、少なくとも熱硬化性樹脂により形成された樹脂層と、着色剤層とが少なくとも積層された積層フィルムであってもよい。なお、半導体裏面用フィルム２が樹脂層と着色剤層との積層フィルムである場合、積層形態の半導体裏面用フィルム２としては、樹脂層／着色剤層／樹脂層の積層形態を有していることが好ましい。この場合、着色剤層の両側の２つの樹脂層は、同一の組成の樹脂層であってもよく、異なる組成の樹脂層であってもよい。
　半導体裏面用フィルム２には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
　前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
　半導体裏面用フィルム２は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、必要に応じてアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、前記樹脂組成物を、ダイシングテープの粘着剤層３２上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記樹脂組成物を塗布して樹脂層（又は接着剤層）を形成し、これを粘着剤層３２上に転写（移着）する方法などにより、半導体裏面用フィルムとしてのフィルム状の層（接着剤層）を形成することができる。なお、前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。
　なお、半導体裏面用フィルム２が、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、半導体裏面用フィルムは、半導体ウエハに適用する前の段階では、熱硬化性樹脂が未硬化又は部分硬化の状態である。この場合、半導体ウエハに適用後に（具体的には、通常、フリップチップボンディング工程で封止材をキュアする際に）、半導体裏面用フィルム中の熱硬化性樹脂を完全に又はほぼ完全に硬化させる。
　このように、半導体裏面用フィルムは、熱硬化性樹脂を含んでいても、該熱硬化性樹脂は未硬化又は部分硬化の状態であるため、半導体裏面用フィルムのゲル分率としては、特に制限されないが、例えば、５０重量％以下（０重量％～５０重量％）の範囲より適宜選択することができ、好ましくは３０重量％以下（０重量％～３０重量％）であり、特に１０重量％以下（０重量％～１０重量％）であることが好適である。半導体裏面用フィルムのゲル分率の測定方法は、以下の測定方法により測定することができる。
　＜ゲル分率の測定方法＞
　半導体裏面用フィルムから約０．１ｇをサンプリングして精秤し（試料の重量）、該サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、約５０ｍｌのトルエン中に室温で１週間浸漬させる。その後、溶剤不溶分（メッシュ状シートの内容物）をトルエンから取り出し、１３０℃で約２時間乾燥させ、乾燥後の溶剤不溶分を秤量し（浸漬・乾燥後の重量）、下記式（ａ）よりゲル分率（重量％）を算出する。
　ゲル分率（重量％）＝［（浸漬・乾燥後の重量）／（試料の重量）］×１００　（ａ）
　なお、半導体裏面用フィルムのゲル分率は、樹脂成分の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量の他、加熱温度や加熱時間などによりコントロールすることができる。
　本発明において、半導体裏面用フィルムは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されたフィルム状物である場合、半導体ウエハに対する密着性を有効に発揮することができる。
　尚、半導体ウエハのダイシング工程では切削水を使用することから、半導体裏面用フィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、フリップチップボンディングを行うと、半導体裏面用フィルム２と半導体ウエハ又はその加工体（半導体）との接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、半導体裏面用フィルムとしては、透湿性の高いコア材料を両面に設けた構成とすることにより、水蒸気が拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、コア材料の片面又は両面に半導体裏面用フィルム２を形成した多層構造を半導体裏面用フィルムとして用いてもよい。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
　半導体裏面用フィルム２の厚さは特に限定されないが、例えば、２μｍ～２００μｍ程度の範囲から適宜選択することができる。更に、前記厚さは４μｍ～１６０μｍ程度が好ましく、６μｍ～１００μｍ程度がより好ましく、１０μｍ～８０μｍ程度が特に好ましい。
　半導体裏面用フィルム２は、前記未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率が１．０ＧＰａ～３．０ＧＰａの範囲であることが好ましく１．２ＧＰａ～２．９ＧＰａの範囲であることがより好ましい。未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率が、１．０～３．０ＧＰａであると、半導体チップの反りを抑制できる。また、タック性を抑制できるため、半導体チップ実装時の吸着コレット等への固着が抑制できる。半導体裏面用フィルムの未硬化状態における前記引張貯蔵弾性率（２３℃）は、樹脂成分（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂）の種類やその含有量、シリカフィラー等のフィラーの種類やその含有量などによりコントロールすることができる。特に、アクリル樹脂の含有量によってコントロールすることができる。
　尚、前記引張貯蔵弾性率は、ダイシングテープ３に積層させずに、未硬化状態の半導体裏面用フィルム２を作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ　Ａｎａｌｙｚｅｒ　ＲＳ　Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚さ：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて測定して、得られた引張貯蔵弾性率の値とした。
　前記半導体裏面用フィルム２は、少なくとも一方の面がセパレータ（剥離ライナー）により保護されていることが好ましい（図示せず）。例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の場合、半導体裏面用フィルムの一方の面のみにセパレータが設けられていてもよく、一方、ダイシングテープと一体化されていない半導体裏面用フィルムの場合、半導体裏面用フィルムの片面又は両面にセパレータが設けられていてもよい。セパレータは、実用に供するまで半導体裏面用フィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の場合、セパレータは、更に、ダイシングテープの基材上の粘着剤層３２に半導体裏面用フィルム２を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータは、半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタレートなど）や紙等も使用可能である。なお、セパレータは従来公知の方法により形成することができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。
　半導体裏面用フィルム２がダイシングテープ３に積層されていない場合、半導体裏面用フィルム２は、両面に剥離層を有するセパレータを１枚用いてロール状に巻回された形態で、両面に剥離層を有するセパレータにより保護されていてもよく、少なくとも一方の面に剥離層を有するセパレータにより保護されていてもよい。
　また、半導体裏面用フィルム２における可視光（波長：４００ｎｍ～８００ｎｍ）の光線透過率（可視光透過率）は、特に制限されないが、例えば、２０％以下（０％～２０％）の範囲であることが好ましく、より好ましくは１０％以下（０％～１０％）、特に好ましくは５％以下（０％～５％）である。半導体裏面用フィルム２は、可視光透過率が２０％より大きいと、光線通過により、半導体素子に悪影響を及ぼす恐れがある。また、前記可視光透過率（％）は、半導体裏面用フィルム２の樹脂成分の種類やその含有量、着色剤（顔料や染料など）の種類やその含有量、無機充填材の含有量などによりコントロールすることができる。
　半導体裏面用フィルム２の可視光透過率（％）は、次の通りにして測定することができる。即ち、厚さ（平均厚さ）２０μｍの半導体裏面用フィルム２単体を作製する。次に、半導体裏面用フィルム２に対し、波長：４００ｎｍ～８００ｎｍの可視光線［装置：島津製作所製の可視光発生装置（商品名「ＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ　ＳＰＥＣＴＲＯ　ＰＨＯＴＯＭＥＴＲ」）］を所定の強度で照射し、透過した可視光線の強度を測定する。更に、可視光線が半導体裏面用フィルム２を透過する前後の強度変化より、可視光透過率の値を求めることができる。尚、２０μｍの厚さでない半導体裏面用フィルム２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ～８００ｎｍ）の値により、厚さ：２０μｍの半導体裏面用フィルム２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ～８００ｎｍ）を導き出すことも可能である。また、本発明では、厚さ２０μｍの半導体裏面用フィルム２の場合における可視光透過率（％）を求めているが、本発明に係る半導体裏面用フィルムは厚さ２０μｍのものに限定される趣旨ではない。
　また、半導体裏面用フィルム２としては、その吸湿率が低い方が好ましい。具体的には、前記吸湿率は１重量％以下が好ましく、より好ましくは０．８重量％以下である。前記吸湿率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、半導体裏面用フィルム２と半導体素子との間でボイドの発生などを抑制又は防止することもできる。尚、前記吸湿率は、半導体裏面用フィルム２を、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置する前後の重量変化により算出した値である。半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記吸湿率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの値を意味する。また、前記吸湿率は、例えば、無機フィラーの添加量を変化させることにより調整することができる。
　また、半導体裏面用フィルム２としては、揮発分の割合が少ない方が好ましい。具体的には、加熱処理後の半導体裏面用フィルム２の重量減少率（重量減少量の割合）が１重量％以下が好ましく、０．８重量％以下がより好ましい。加熱処理の条件は、例えば、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間である。前記重量減少率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、フリップチップ型の半導体装置にクラックが発生するのを抑制又は防止することができる。前記重量減少率は、例えば、鉛フリーハンダリフロー時のクラック発生を減少させ得る無機物を添加することにより、調整することができる。なお、半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記重量減少率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間の条件下で加熱したときの値を意味する。
　（ダイシングテープ）
　前記ダイシングテープ３は、基材３１上に粘着剤層３２が形成されて構成されている。このように、ダイシングテープ３は、基材３１と、粘着剤層３２とが積層された構成を有していればよい。基材（支持基材）は粘着剤層等の支持母体として用いることができる。前記基材３１は放射線透過性を有していることが好ましい。前記基材３１としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など］等の適宜な薄葉体を用いることができる。本発明では、基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン－プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。
　また基材３１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材３１を熱収縮させることにより粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
　基材３１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
　前記基材３１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材３１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材３１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０～５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材３１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。
　基材３１の厚さ（積層体の場合は総厚）は、特に制限されず強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には１０００μｍ以下（例えば、１μｍ～１０００μｍ）、好ましくは１０μｍ～５００μｍ、さらに好ましくは２０μｍ～３００μｍ、特に３０μｍ～２００μｍ程度であるが、これらに限定されない。
　なお、基材３１には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（着色剤、充填材、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。
　前記粘着剤層３２は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン－ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ－プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤（例えば、特開昭５６－６１４６８号公報、特開昭６１－１７４８５７号公報、特開昭６３－１７９８１号公報、特開昭５６－１３０４０号公報等参照）の中から、前記特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）や、熱膨張性粘着剤を用いることもできる。粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
　前記粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、特にアクリル系粘着剤が好適である。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体又は共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。
　前記アクリル系粘着剤における（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が４～１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状の何れであっても良い。
　なお、前記アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分（共重合性単量体成分）に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ－置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；スチレン、α－メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；Ｎ－ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカルボン酸アミド類、Ｎ－ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー；Ｎ－シクロヘキシルマレイミド、Ｎ－イソプロピルマレイミド、Ｎ－ラウリルマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ－メチルイタコンイミド、Ｎ－エチルイタコンイミド、Ｎ－ブチルイタコンイミド、Ｎ－オクチルイタコンイミド、Ｎ－２－エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ－シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ－ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ－（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ－（メタ）アクルロイル－６－オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ－（メタ）アクリロイル－８－オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。これらの共重合性単量体成分は１種又は２種以上使用できる。
　粘着剤として放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）を用いる場合、放射線硬化型粘着剤（組成物）としては、例えば、ラジカル反応性炭素－炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の放射線硬化型粘着剤や、粘着剤中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。また、粘着剤として熱膨張性粘着剤を用いる場合、熱膨張性粘着剤としては、例えば、粘着剤と発泡剤（特に熱膨張性微小球）とを含む熱膨張性粘着剤などが挙げられる。
　本発明では、粘着剤層３２には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填材、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
　前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられ、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量は、特に制限されない。
　前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２－エチレンジイソシアネート、１，４－ブチレンジイソシアネート、１，６－ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ－ト、水素添加キシレンジイソシアネ－トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ－フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル－トリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール－Ｓ－ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。
　なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
　粘着剤層３２は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材３１上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して粘着剤層３２を形成し、これを基材３１上に転写（移着）する方法などにより、粘着剤層３２を形成することができる。
　粘着剤層３２の厚さは特に制限されず、例えば、５μｍ～３００μｍ（好ましくは５μｍ～２００μｍ、さらに好ましくは５μｍ～１００μｍ、特に好ましくは７μｍ～５０μｍ）程度である。粘着剤層３２の厚さが前記範囲内であると、適度な粘着力を発揮することができる。なお、粘着剤層３２は単層、複層の何れであってもよい。
　前記ダイシングテープ３の粘着剤層３２のフリップチップ型半導体裏面用フィルム２に対する接着力（２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．０２Ｎ／２０ｍｍ～１０Ｎ／２０ｍｍの範囲が好ましく、０．０５Ｎ／２０ｍｍ～５Ｎ／２０ｍｍの範囲がより好ましい。前記接着力を０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、半導体ウエハのダイシングの際に半導体素子がチップ飛びするのを防止することができる。その一方、前記接着力を１０Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、半導体素子をピックアップする際に、当該半導体素子の剥離が困難になったり、糊残りが発生するのを防止することができる。
　なお、本発明では、フリップチップ型半導体裏面用フィルム２や、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１には、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによる半導体ウエハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材３１、粘着剤層３２乃至半導体裏面用フィルム２へ帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、基材３１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層を付設する方法等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウエハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。
　また、フリップチップ型半導体裏面用フィルム２や、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、ロール状に巻回された形態で形成されていてもよく、シート（フィルム）が積層された形態で形成されていてもよい。例えば、ロール状に巻回された形態を有している場合、半導体裏面用フィルム２又は、半導体裏面用フィルム２とダイシングテープ３との積層体を、必要に応じてセパレータにより保護した状態でロール状に巻回して、ロール状に巻回された状態又は形態の半導体裏面用フィルム２やダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１として作製することができる。なお、ロール状に巻回された状態又は形態のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１としては、基材３１と、前記基材３１の一方の面に形成された粘着剤層３２と、前記粘着剤層３２上に形成された半導体裏面用フィルムと、前記基材３１の他方の面に形成された剥離処理層（背面処理層）とで構成されていてもよい。
　なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の厚さ（半導体裏面用フィルムの厚さと、基材３１及び粘着剤層３２からなるダイシングテープの厚さの総厚）としては、例えば、８μｍ～１５００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは２０μｍ～８５０μｍ（さらに好ましくは３１μｍ～５００μｍ、特に好ましくは４７μｍ～３３０μｍ）である。
　なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１において、半導体裏面用フィルム２の厚さと、ダイシングテープ３の粘着剤層３２の厚さとの比や、半導体裏面用フィルム２の厚さと、ダイシングテープ３の厚さ（基材３１及び粘着剤層３２の総厚）との比をコントロールすることにより、ダイシング工程時のダイシング性、ピックアップ工程時のピックアップ性などを向上させることができ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を半導体ウエハのダイシング工程～半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて有効に利用することができる。
　（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法）
　本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法について、図１に示すダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を例にして説明する。先ず、基材３１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
　次に、基材３１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層３２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材３１に塗布して、基材３１上に粘着剤層３２を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層３２を形成させた後、該粘着剤層３２を基材３１に転写させてもよい。これにより、基材３１上に粘着剤層３２を形成されたダイシングテープ３が作製される。
　一方、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を剥離紙上に乾燥後の厚みが所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して）、塗布層を形成する。この塗布層を前記粘着剤層３２上に転写することにより、半導体裏面用フィルム２を粘着剤層３２上に形成する。なお、前記粘着剤層３２上に、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥する（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施して乾燥する）ことによっても、半導体裏面用フィルム２を粘着剤層３２上に形成することができる。以上により、本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を得ることができる。なお、半導体裏面用フィルム２を形成する際に熱硬化を行う場合、部分硬化の状態となる程度で熱硬化を行うことが重要であるが、好ましくは熱硬化を行わない。
　本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップボンディング工程を具備する半導体装置の製造の際に好適に用いることができる。すなわち、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップ実装の半導体装置を製造する際に用いられ、半導体チップの裏面に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム２が貼着している状態又は形態で、フリップチップ実装の半導体装置が製造される。従って、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップ実装の半導体装置（半導体チップが基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導体装置）に対して用いることができる。
　なお、半導体裏面用フィルム２は、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１と同様に、フリップチップ実装の半導体装置（半導体チップが基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導体装置）に対して用いることができる。
　（半導体ウエハ）
　半導体ウエハとしては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとしては、シリコンウエハを好適に用いることができる。
　（半導体装置の製造方法）
　本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図２を参照しながら以下に説明する。図２は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いた場合の半導体装置の製造方法を示す断面模式図である。
　前記半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いて半導体装置を製造することができる。具体的には、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程とを少なくとも具備する。
　なお、半導体裏面用フィルム２の場合、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いた場合の半導体装置の製造方法に準じた方法により、半導体装置を製造することができる。例えば、半導体裏面用フィルム２はダイシングテープと貼り合わせて、ダイシングテープと一体化させたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムとして用いて、半導体装置を製造することができる。この場合、半導体裏面用フィルム２を用いた半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法における工程に、さらに、半導体裏面用フィルムとダイシングテープとを、半導体裏面用フィルムとダイシングテープの粘着剤層が接触する形態で貼り合わせる工程を具備した製造方法になる。
　また、半導体裏面用フィルム２は、ダイシングテープと一体化せずに、半導体ウエハに貼着させて用いることもできる。この場合、半導体裏面用フィルム２を用いた半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法におけるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程を、半導体裏面用フィルムを半導体ウエハに貼着する工程、半導体ウエハに貼着されている半導体裏面用フィルムに、ダイシングテープを、半導体裏面用フィルムとダイシングテープの粘着剤層が接触する形態で貼り合わせる工程とした製造方法になる。
　また、半導体裏面用フィルム２は、半導体ウエハを個片化した半導体チップに貼着させて用いることもできる。この場合、半導体裏面用フィルム２を用いた半導体装置の製造方法は、例えば、ダイシングテープを半導体ウエハに貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程と、半導体素子に、半導体裏面用フィルムを貼着する工程とを少なくとも具備した製造方法であってもよい。
　　［マウント工程］
　先ず、図２（ａ）で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム２上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、当該半導体裏面用フィルム２上に半導体ウエハ４を貼着して、これを接着保持させ固定する（マウント工程）。このとき前記半導体裏面用フィルム２は未硬化状態（半硬化状態を含む）にある。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、半導体ウエハ４の裏面に貼着される。半導体ウエハ４の裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。
　　［ダイシング工程］
　次に、図２（ｂ）で示されるように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ４は、半導体裏面用フィルムを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。なお、半導体裏面用フィルム２がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面において半導体裏面用フィルムの接着剤層の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着（ブロッキング）することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。
　なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。
　　［ピックアップ工程］
　ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１に接着固定された半導体チップ５を回収する為に、図２（ｃ）で示されるように、半導体チップ５のピックアップを行って、半導体チップ５を半導体裏面用フィルム２とともにダイシングテープ３より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の基材３１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップ５は、その裏面が半導体裏面用フィルム２により保護されている。
　　［フリップチップ接続工程］
　ピックアップした半導体チップ５は、図２（ｄ）で示されるように、基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップ５を、半導体チップ５の回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体６と対向する形態で、被着体６に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ５１を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ５と被着体６との電気的導通を確保し、半導体チップ５を被着体６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップ５と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ～３００μｍ程度である。尚、半導体チップ５を被着体６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップ５と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することが重要である。
　被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
　フリップチップボンディング工程において、バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫－鉛系金属材、錫－銀系金属材、錫－銀－銅系金属材、錫－亜鉛系金属材、錫－亜鉛－ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。
　なお、フリップチップボンディング工程では、導電材を溶融させて、半導体チップ５の回路面側のバンプと、被着体６の表面の導電材とを接続させているが、この導電材の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃～３００℃）となっている。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、半導体裏面用フィルムをエポキシ樹脂等により形成することにより、このフリップチップボンディング工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。
　本工程では、半導体チップ５と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、洗浄液に対する耐溶剤性を有しており、これらの洗浄液に対して実質的に溶解性を有していない。そのため、前述のように、洗浄液としては、各種洗浄液を用いることができ、特別な洗浄液を必要とせず、従来の方法により洗浄させることができる。
　次に、フリップチップボンディングされた半導体チップ５と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間～９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃～１８５℃で、数分間キュアすることができる。当該工程における熱処理においては、封止樹脂だけでなく半導体裏面用フィルム２の熱硬化も同時に行うことができる。これにより、封止樹脂及び半導体裏面用フィルム２の双方が、熱硬化の進行に伴い硬化収縮をする。その結果、封止樹脂の硬化収縮に起因して半導体チップ５に加えられる応力は、半導体裏面用フィルム２が硬化収縮することにより相殺ないし緩和することができる。また、当該工程により、半導体裏面用フィルム２を完全に又はほぼ完全に熱硬化させることができ、優れた密着性で半導体素子の裏面に貼着させることができる。更に、本発明に係る半導体裏面用フィルム２は、未硬化状態であっても当該封止工程の際に、封止材と共に熱硬化させることができるので、半導体裏面用フィルム２を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。
　前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。
　前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１や半導体裏面用フィルム２を用いて製造された半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、半導体チップの裏面に半導体裏面用フィルムが貼着されているため、各種マーキングを優れた視認性で施すことができる。特に、マーキング方法がレーザーマーキング方法であっても、優れたコントラスト比でマーキングを施すことができ、レーザーマーキングにより施された各種情報（文字情報、図研情報など）を良好に視認することが可能である。なお、レーザーマーキングを行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ４レーザーが好適である。
　本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムや半導体裏面用フィルムを用いて製造された半導体装置は、フリップチップ実装方式で実装された半導体装置であるので、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄型化、小型化された形状となっている。このため、各種の電子機器・電子部品又はそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、本発明のフリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」や「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（例えば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」及びコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（例えば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤー等）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品又は、電子機器・電子部品の材料・部材としては、例えば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。
　以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
　（実施例１）
　＜接着シートの作製＞
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ－１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製）：２１部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ、」三井化学株式会社製）：２２部、平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）：６９部、染料１（商品名「ＯＩＬ　ＧＲＥＥＮ　５０２」、オリエント化学工業株式会社製）：５部、及び、染料２（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）：１１部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物溶液Ａを調製した。なお、本実施例において、固形分とは、樹脂の固形分と球状シリカと染料との合計を意味する。また、固形分濃度とは、メチルエチルケトン（溶媒）と上記固形分との合計を全体としたときの固形分の重量％を意味する。
　接着剤組成物溶液Ａを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍの接着シートＡを作製した。
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　接着シートＡを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ－８－Ｔ」、日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：６５μｍ、粘着剤層の平均厚さ：１０μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＡを作製した。
　（実施例２）
　＜接着シートの作製＞
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ－１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製）：２１部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ、」三井化学株式会社製）：２２部、平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）：１３４部、染料１（商品名「ＯＩＬ　ＧＲＥＥＮ　５０２」、オリエント化学工業株式会社製）：７部、及び、染料２（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）：１４部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物溶液Ｂを調製した。
　接着剤組成物溶液Ｂを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍの接着シートＢを作製した。
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　接着シートＢを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ－８－Ｔ」、日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：６５μｍ、粘着剤層の平均厚さ：１０μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＢを作製した。
　（実施例３）
　＜接着シートの作製＞
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ－１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製）：２１部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ、」三井化学株式会社製）：２２部、平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）：４０部、染料１（商品名「ＯＩＬ　ＧＲＥＥＮ　５０２」、オリエント化学工業株式会社製）：４部、及び、染料２（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）：１０部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物溶液Ｃを調製した。
　接着剤組成物溶液Ｃを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍの接着シートＣを作製した。
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　接着シートＣを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ－８－Ｔ」、日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：６５μｍ、粘着剤層の平均厚さ：１０μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＣを作製した。
　（実施例４）
　＜接着シートの作製＞
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ－１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製）：７０部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ、」三井化学株式会社製）：７５部、平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）：２３０部、染料１（商品名「ＯＩＬ　ＧＲＥＥＮ　５０２」、オリエント化学工業株式会社製）：１２部、及び、染料２（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）：２４部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物溶液Ｄを調製した。
　接着剤組成物溶液Ｄを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍの接着シートＤを作製した。
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　接着シートＤを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ－８－Ｔ」、日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：６５μｍ、粘着剤層の平均厚さ：１０μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＤを作製した。
　（実施例５）
　＜接着シートの作製＞
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ－１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製）：７０部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ、」三井化学株式会社製）：７５部、平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）：６８部、染料１（商品名「ＯＩＬ　ＧＲＥＥＮ　５０２」、オリエント化学工業株式会社製）：７部、及び、染料２（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）：１７部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物溶液Ｅを調製した。
　接着剤組成物溶液Ｅを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍの接着シートＥを作製した。
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　接着シートＥを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ－８－Ｔ」、日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：６５μｍ、粘着剤層の平均厚さ：１０μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＥを作製した。
　（比較例１）
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）を６９部添加するのに代えて、平均粒子径０．５μｍの球状シリカフィラー（商品名「ＳＯ－２５Ｒ」、株式会社アドマテックス製）を１３４部添加したこと以外は、実施例１に係るダイシングテープ一体型接着シートＡと同様にして比較例１に係るダイシングテープ一体型接着シートＦを作製した。
　（比較例２）
　＜接着シートの作製＞
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ－１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製）：７０部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ、」三井化学株式会社製）：７５部、平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）：４７部、染料１（商品名「ＯＩＬ　ＧＲＥＥＮ　５０２」、オリエント化学工業株式会社製）：６部、及び、染料２（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）：１６部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物溶液Ｇを調製した。
　接着剤組成物溶液Ｇを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍの接着シートＧを作製した。
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　接着シートＧを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ－８－Ｔ」、日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：６５μｍ、粘着剤層の平均厚さ：１０μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＧを作製した。
　（比較例３）
　＜接着シートの作製＞
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ－１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製）：７０部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ、」三井化学株式会社製）：７５部、平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）：２８６部、染料１（商品名「ＯＩＬ　ＧＲＥＥＮ　５０２」、オリエント化学工業株式会社製）：１３部、及び、染料２（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）：２７部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物溶液Ｈを調製した。
　接着剤組成物溶液Ｈを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍの接着シートＨを作製した。
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　接着シートＨを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ－８－Ｔ」、日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：６５μｍ、粘着剤層の平均厚さ：１０μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＨを作製した。
　（比較例４）
　＜接着シートの作製＞
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ－１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製）：１００部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ、」三井化学株式会社製）：１０７部、平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）：８５部、染料１（商品名「ＯＩＬ　ＧＲＥＥＮ　５０２」、オリエント化学工業株式会社製）：９部、及び、染料２（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）：２１部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物溶液Ｉを調製した。
　接着剤組成物溶液Ｉを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍの接着シートＩを作製した。
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　接着シートＩを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ－８－Ｔ」、日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：６５μｍ、粘着剤層の平均厚さ：１０μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＩを作製した。
　（比較例５）
　＜接着シートの作製＞
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ－１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製）：１２部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ、」三井化学株式会社製）：１３部、平均粒子径０．０５μｍであり且つ最大粒子径０．３μｍ以下の球状シリカフィラー、株式会社アドマテックス製）：１１８部、染料１（商品名「ＯＩＬ　ＧＲＥＥＮ　５０２」、オリエント化学工業株式会社製）：６部、及び、染料２（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）：１３部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物溶液Ｊを調製した。
　接着剤組成物溶液Ｊを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍの接着シートＪを作製した。
　＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
　接着シートＪを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ－８－Ｔ」、日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：６５μｍ、粘着剤層の平均厚さ：１０μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＪを作製した。
　なお、表１に、実施例、及び、比較例の配合量をまとめた。また、接着シート全体に対するフィラーの含有量、全樹脂成分に対するアクリル樹脂の含有量についても表１に記載した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
　（反り評価）
　まず、ホットプレート上で厚さ１００μｍのシリコンウエハを８０℃に加熱した。次に、実施例、及び、比較例で作製したダイシングテープ一体型接着シートを、ダイシングテープ一体型接着シートの接着シート面とシリコンウエハとが対向するようにシリコンウエハ上に置き、ハンドローラーで貼り合わせた。次に、ダイサー（ディスコ社製）でシリコンウエハを接着シートと共に１０ｍｍ×１０ｍｍに個片化し、接着シート付きチップとした。次に、接着シート付きチップをダイシングテープから剥離し、その後、１６５℃で２時間硬化することで評価用の接着シート付きチップを得た。
　評価用の接着シート付きチップを接着シートが下面になるように平坦な台の上に置き、接触式ダイヤルゲージにて厚み測定を行った。厚み測定は、台面から一番遠い部分までの厚さとして測定した。次に、得られた測定厚みからウエハ厚み：１００μｍと接着シート厚み：３０μｍとを差し引いた値を反り量とし、反り量が１００μｍ未満の場合を○、１００μｍ以上の場合を×として評価した。結果を表２に示す。
　（レーザーマークのコントラスト評価）
　まず、上記反りの評価と同様の方法で、実施例、及び、比較例に係る評価用の接着シート付きチップを得た。次に、評価用の接着シート付きチップを接着シートが上面となるように置き、レーザー印字装置（商品名「ＭＤ－Ｓ９９００」、ＫＥＹＥＮＣＥ社製）を用いて、下記の照射条件にて、レーザー印字した。
　レーザー印字の照射条件
　　レーザー波長：５３２ｎｍ
　　レーザーパワー：１．２Ｗ
　　周波数：３２ｋＨｚ
　レーザー印字された接着シートに、ＫＥＹＥＮＣＥ社の装置名：ＣＡ－ＤＤＷ８を用いて、接着シート面に対して全方位方向から斜光照明を照射し、ＣＣＤカメラ（装置名：ＣＶ－０３５０）（ＫＥＹＥＮＣＥ社製）で反射光を取り込んだ。取り込んだ反射光の明度をＫＥＹＥＮＣＥ社の装置名：ＣＶ－５０００を用いて測定した。明度測定は、レーザー印字部と非印字部との両方に対して行なった。なお、明度とは、白色を１００％と黒色を０％とした値であり、本明細書においては、上述したＫＥＹＥＮＣＥ社の装置名、ＣＶ－５０００を用いて測定した値とする。レーザー印字部の明度と非印字部の明度の差をコントラスト［％］とし、４０％以上の場合を○、４０％未満の場合を×として評価した。結果を表２に示す。
　（接着シートの未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率の測定）
［引張貯蔵弾性率の測定］
　各実施例及び比較例で作製した接着シートの２３℃での引張貯蔵弾性率を、粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ－ＩＩ）を用いて測定した。具体的には、作製した接着シートを切断してサンプルサイズを長さ３０ｍｍ×幅５ｍｍとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし、－２０℃～１００℃の温度域で周波数１Ｈｚ、歪み０．０１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で測定した。結果を表２に示す。
　（タック性評価）
　実施例及び比較例で作製した接着シートを厚さ５００μｍのシリコンウエハに貼り合せ、１０ｍｍ角に個片化（ダイシング）して接着シート付チップを得た。次に、接着シート付チップを、厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、接着シート面とポリエチレンテレフタレートフィルムとが対向するように裁置した。次に、チップ上に５０ｇの重りを置いて荷重をかけ、４０℃環境下で３日間保管した。その後、重りを外してポリエチレンテレフタレートフィルムを反転した。接着シート付チップがポリエチレンテレフタレートフィルムに貼り付かずに落下した場合を〇、落下せずにポリエチレンテレフタレートフィルムに貼り付いた場合を×として評価した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　１　　ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
　２　　フリップチップ型半導体裏面用フィルム（半導体裏面用フィルム）
　３　　ダイシングテープ
　３１　基材
　３２　粘着剤層
　３３　半導体ウエハの貼着部分に対応する部分
　４　　半導体ウエハ
　５　　半導体チップ
　５１　半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ
　６　　被着体
　６１　被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材

Claims (8)

  1. 　半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、
    　平均粒子径が０．３μｍ以下のフィラーとアクリル樹脂とを含有し、
    　前記フィラーの含有量が、接着シート全体に対して２０～４５重量％の範囲内であり、
    　前記アクリル樹脂の含有量が、全樹脂成分に対して４０～７０重量％の範囲内であることを特徴とする接着シート。
  2. 　前記接着シートが、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであることを特徴とする請求項１に記載の接着シート。
  3. 　前記フィラーの最大粒子径が０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の接着シート。
  4. 　前記フィラーがシリカ系フィラーであることを特徴とする請求項１～３のいずれか１に記載の接着シート。
  5. 　未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率が、１．０ＧＰａ～３．０ＧＰａであることを特徴とする請求項１～４のいずれか１に記載の接着シート。
  6. 　請求項１～５のいずれか１に記載の接着シートが、ダイシングテープ上に積層されたダイシングテープ一体型接着シートであって、
    　前記ダイシングテープは基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記接着シートは前記粘着剤層上に積層されていることを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
  7. 　請求項６に記載のダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
  8. 　請求項６に記載のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
    　前記ダイシングテープ一体型接着シートにおける接着シート上に半導体ウエハを貼着する工程と、
    　前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
    　前記半導体素子を前記ダイシングテープ一体型接着シートとともに、ダイシングテープの粘着剤層から剥離する工程と、
    　前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6636306B2 (ja) * 2015-11-27 2020-01-29 日東電工株式会社 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び、半導体装置の製造方法
JP6204639B1 (ja) * 2016-03-30 2017-09-27 三井化学東セロ株式会社 半導体装置の製造方法
JP6797559B2 (ja) * 2016-05-23 2020-12-09 日東電工株式会社 ダイシングテープ
CN107204333B (zh) * 2017-05-23 2019-08-09 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种柔性基板封装结构的封装方法
US10847419B2 (en) * 2018-03-14 2020-11-24 Raytheon Company Stress compensation and relief in bonded wafers
KR102488314B1 (ko) * 2018-12-27 2023-01-13 주식회사 두산 반도체 패키지용 비전도성 접착필름 및 이를 이용하는 반도체 패키지의 제조방법
TWI777372B (zh) * 2021-01-18 2022-09-11 石傑中 晶粒移取吸盤及使用其之晶粒移取之方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235915A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルムおよび半導体装置
US20060134362A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 3M Innovative Properties Company Optically clear pressure sensitive adhesive
JP2007005611A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ固定用粘着テープ
JP2010108987A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンドダイシングシート
WO2010074060A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2011506669A (ja) * 2007-12-10 2011-03-03 エルジー・ケム・リミテッド 接着フィルム、ダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置
JP2011105875A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Furukawa Electric Co Ltd:The シート状接着剤及びウエハ加工用テープ
JP2011187571A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2011249739A (ja) * 2009-06-15 2011-12-08 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP2012031234A (ja) * 2010-07-28 2012-02-16 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム、短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
US8258232B2 (en) * 2002-12-19 2012-09-04 Tesa Se Transparent acrylate adhesive mass comprising a filler
JP2013028717A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Nitto Denko Corp フィルム状接着剤

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5681375B2 (ja) 2010-04-20 2015-03-04 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
CN102947930B (zh) 2010-04-20 2016-08-10 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件
TW201305306A (zh) * 2011-07-25 2013-02-01 Nitto Denko Corp 接著片及其用途

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8258232B2 (en) * 2002-12-19 2012-09-04 Tesa Se Transparent acrylate adhesive mass comprising a filler
JP2005235915A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルムおよび半導体装置
US20060134362A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 3M Innovative Properties Company Optically clear pressure sensitive adhesive
JP2007005611A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ固定用粘着テープ
JP2011506669A (ja) * 2007-12-10 2011-03-03 エルジー・ケム・リミテッド 接着フィルム、ダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置
JP2010108987A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンドダイシングシート
WO2010074060A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2011249739A (ja) * 2009-06-15 2011-12-08 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP2011105875A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Furukawa Electric Co Ltd:The シート状接着剤及びウエハ加工用テープ
JP2011187571A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012031234A (ja) * 2010-07-28 2012-02-16 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム、短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
JP2013028717A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Nitto Denko Corp フィルム状接着剤

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016092106A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 日立化成株式会社 半導体装置製造用部材、及びそれを用いた半導体装置の製造方法

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