JP6322317B2 - ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造に用いられる接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、当該シートを用いた半導体装置の製造方法、及び、半導体装置に関する。

近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのため、半導体装置及びそのパッケージとして、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。当該フリップチップ接続は半導体チップの回路面が基板の電極形成面と対向する形態で固定されるものである。このような半導体装置等では、半導体チップの裏面を保護フィルムにより保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある。

従来、上記保護フィルムとしては、ダイシングテープ上に保護フィルムとしてのフリップチップ型半導体裏面用フィルムが積層されたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムが存在する（例えば、特許文献１参照）。このダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造工程においては、まず、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムのフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウェハが貼り付けられて固定され、その状態でダイシングが行われる。これにより、半導体ウェハは、所定のサイズに個片化され、半導体チップとなる。次に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに固定された半導体チップをフリップチップ型半導体裏面用フィルムととともにダイシングフィルムから剥離するために、半導体チップのピックアップが行われる。

また、半導体装置の製造においては、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの他に、例えば、ダイボンドフィルムやアンダーフィルシート等がダイシングテープ上に積層されたダイシングテープ一体型接着シートが用いられる場合がある。ダイボンドフィルムは、半導体チップを被着体にダイボンドするためのフィルムであり、アンダーフィルシートは、フリップチップ型半導体装置における半導体チップの回路面と基板の電極形成面との間を封止するためのシートである。

特開２０１１−２２８４９６号公報

しかしながら、上記のダイシングテープ一体型接着シートを用いて半導体装置を製造する場合、従来、半導体素子（例えば、半導体チップ）上に形成されている回路が破壊されてしまう場合があった。

本発明者らは、半導体素子上の回路が破壊されてしまう原因について検討した。その結果、ピックアップ工程において、接着シート（例えば、フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイボンドフィルム、アンダーフィルシート）が付着した半導体素子をダイシングテープから剥離すると、接着シートとダイシングテープとの間で剥離帯電が発生し、この発生した静電気により半導体素子上の回路が破壊されてしまう場合があることを突き止めた。

本発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく検討した結果、半導体装置の製造に用いられる接着シートの何れかの表面における表面固有抵抗値を一定の範囲内とすることにより、半導体素子上の回路が破壊されてしまうことを抑制できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係る接着シートは、半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、何れかの表面における表面固有抵抗値が、１．０×１０^１１Ω以下であることを特徴とする。

前記構成によれば、接着シートの何れかの表面における表面固有抵抗値が、１．０×１０^１１Ω以下であるため、帯電し難い。従って、帯電防止効果を発揮することができる。その結果、ダイシングテープに貼り付けてダイシングテープ一体型接着シートとして使用する際、ピックアップ時の剥離帯電により半導体素子が破壊されるのを防止し、デバイスとしての信頼性を向上させることが可能となる。

前記構成においては、前記接着シートが、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであることが好ましい。前記接着シートが、フリップチップ型半導体裏面用フィルムである場合、フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、半導体素子の裏面に形成されており、半導体素子の回路面は、剥き出しとなっている。しかしながら、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの何れかの表面における表面固有抵抗値が、１．０×１０^１１Ω以下である。その結果、剥き出しとなった半導体素子の回路面が、剥離帯電により破壊されることを防止することができる。

前記構成においては、前記接着シートに帯電防止剤が含有されていることが好ましい。接着シートに帯電防止剤が含有されていると、ダイシングテープから剥離した後も帯電防止効果を有する。その結果、ダイシングテープから剥離した後も、帯電による半導体素子の破壊を抑制することができる。

また、本発明に係るダイシングテープ一体型接着シートは、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、前記に記載の接着シートとを有し、前記接着シートが前記粘着剤層上に形成されていることを特徴とする。

前記構成によれば、接着シートの何れかの表面における表面固有抵抗値が、１．０×１０^１１Ω以下であるため、帯電し難い。従って、帯電防止効果を発揮することができる。その結果、ピックアップ時の剥離帯電により半導体素子が破壊されるのを防止し、デバイスとしての信頼性を向上させることが可能となる。

また、本発明は、前記に記載の接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープを準備する工程と、
前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に前記接着シートを貼り付けて、ダイシングテープ一体型接着シートを得る工程と、
前記ダイシングテープ一体型接着シートにおける接着シート上に半導体ウエハを貼着する工程と、
前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子を前記接着シートとともに、ダイシングテープの粘着剤層からピックアップする工程とを具備することを特徴とする。

また、本発明は、前記に記載のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシングテープ一体型接着シートにおける接着シート上に半導体ウエハを貼着する工程と、
前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子を前記接着シートとともに、ダイシングテープの粘着剤層からピックアップする工程とを具備することを特徴とする。

前記構成によれば、前記に記載の接着シート、又は、ダイシングテープ一体型接着シートを用いる。従って、接着シートの何れかの表面における表面固有抵抗値が、１．０×１０^１１Ω以下である。前記表面固有抵抗値が、１．０×１０^１１Ω以下であるため、帯電防止効果を発揮することができる。その結果、ピックアップ時の剥離帯電により半導体素子が破壊されるのを防止し、デバイスとしての信頼性を向上させることが可能となる。

また、本発明に係る半導体装置は、前記の課題を解決するために、前記に記載の接着シートを用いて製造されたことを特徴とする。

また、本発明に係る半導体装置は、前記の課題を解決するために、前記に記載のダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造されたことを特徴とする。

本実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの断面模式図である。 剥離帯電圧の測定方法を説明するための概略構成図である。 他の実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの断面模式図である。 他の実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの断面模式図である。 本実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面模式図である。

本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。以下ではまず、本発明のダイシングテープ一体型接着シートがダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムである場合について説明する。すなわち、本発明の接着シート（半導体装置の製造に用いられる接着シート）が、フリップチップ型半導体裏面用フィルムである場合について説明する。図１は、本実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの一例を示す断面模式図である。なお、本明細書において、図には、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。

（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム）
図１で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、基材３１上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と、粘着剤層３２上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルム（以下、「半導体裏面用フィルム」という場合がある）２とを備える構成である。なお、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、図１で示されているように、ダイシングテープ３の粘着剤層３２上において、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分３３のみに半導体裏面用フィルム２が形成された構成であってもよいが、粘着剤層３２の全面に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよく、また、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分３３より大きく且つ粘着剤層３２の全面よりも小さい部分に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよい。なお、半導体裏面用フィルム２の表面（ウエハの裏面に貼着される側の表面）は、ウエハ裏面に貼着されるまでの間、セパレータ等により保護されていてもよい。

半導体裏面用フィルム２は、何れかの表面における表面固有抵抗値が、１．０×１０^１１Ω以下であり、好ましくは１．０×１０^１０Ω以下であり、より好ましくは１．０×１０^９Ω以下である。半導体裏面用フィルム２が多層構造を有しており、いずれか一方の最外層に帯電防止剤が含有されている場合は、帯電防止剤が含有されている最外層の表面における表面固有抵抗値が、好ましくは１．０×１０^１１Ω以下であり、より好ましくは１．０×１０^１０Ω以下であり、さらに好ましくは１．０×１０^９Ω以下である。また、前記表面固有抵抗値は、小さいほど好ましいが、例えば、１．０×１０^５Ω以上、１．０×１０^６Ω以上、１．０×１０^７Ω以上を挙げることができる。前記表面固有抵抗値が、１．０×１０^１１Ω以下であるため、帯電し難い。従って、帯電防止効果をより発揮することができる。前記表面固有抵抗値は、実施例記載の方法により測定される値をいう。

ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１において、剥離速度１０ｍ／分、剥離角度１５０°での剥離試験における、粘着剤層３２と接着シート２との剥離力は、好ましくは０．０２〜０．５Ｎ／２０ｍｍであり、より好ましくは、０．０２〜０．３Ｎ／２０ｍｍであり、さらに好ましくは、０．０２〜０．２Ｎ／２０ｍｍである。前記剥離力が０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上であると、ダイシングの際には、半導体ウエハを固定することができる。また、前記剥離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であると、ピックアップの際には、容易に接着シート２付きの半導体素子を、粘着剤層３２から剥離することができる。

また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１において、前記剥離試験による条件により粘着剤層３２と接着シート２とを剥離した際の剥離帯電圧の絶対値は、好ましくは０．５ｋＶ以下（−０．５ｋＶ〜＋０．５ｋＶ）であり、より好ましくは、０．３ｋＶ以下（−０．３ｋＶ〜＋０．３ｋＶ）であり、さらに好ましくは、０．２ｋＶ以下（−０．２ｋＶ〜＋０．２ｋＶ）である。前記剥離試験による条件により粘着剤層３２と接着シート２とを剥離した際の剥離帯電圧の絶対値が０．５ｋＶ以下であると、帯電防止効果をより発揮することができる。その結果、ピックアップ時の剥離帯電により半導体素子が破壊されるのを防止し、デバイスとしての信頼性を向上させることが可能となる。

ここで、剥離帯電圧の測定方法について説明する。
図２は、剥離帯電圧の測定方法を説明するための概略構成図である。まず、あらかじめ除電しておいたアクリル板１００（厚み：１ｍｍ、幅：７０ｍｍ、長さ：１００ｍｍ）に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を貼り合わせる。貼り合わせには、ハンドローラーを用い、両面テープを介してアクリル板１００とダイシングテープ３とが対向するように行なう。この状態で、２３℃、５０％ＲＨの環境下に一日放置する。次に、サンプル固定台１０２にダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を貼り合わせたアクリル板１００を固定する。次に、半導体裏面用フィルム２の端部を自動巻取り機に固定し、剥離角度１５０°、剥離速度１０ｍ／ｍｉｎとなるように剥離する。このときに発生するダイシングテープ３側の面（粘着剤層３２の面）の電位を、ダイシングテープの表面から１００ｍｍの位置に固定してある電位測定機１０４にて測定する。測定は、２３℃、５０％ＲＨの環境下で行なう。

半導体裏面用フィルム２は、帯電防止剤が含有されていることが好ましい。半導体裏面用フィルム２に帯電防止剤が含有されていると、ダイシングテープ３から剥離した後も帯電防止効果を有する。その結果、ダイシングテープ３から剥離した後も、帯電による半導体素子の破壊を抑制することができる。特に、半導体裏面用フィルム２が多層構造を有しており、多層構造の半導体裏面用フィルム２におけるダイシングテープ３側の最外層に帯電防止剤が含有されていると、粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２とを剥離した際の剥離帯電をさらに効果的に抑制することができる。
なお、基材３１、及び、粘着剤層３２のうちの少なくとも１つには、帯電防止剤が含有されていてもよい。基材３１に帯電防止剤が含有されていると、ダイシングテープ３を固定する吸着台から取り除く際の、基材３１と吸着台との間での剥離帯電を抑制することができる。特に、基材３１が多層構造を有しており、多層構造の基材３１の粘着剤層３２側の最外層に帯電防止剤が含有されていると、基材３１と粘着剤層３２との双方の帯電を抑制することができる。また、多層構造の基材３１の粘着剤層３２とは反対側の最外層に帯電防止剤が含有されていると、基材３１と吸着台との間の剥離帯電をより効果的に抑制することができる。また、粘着剤層３２に帯電防止剤が含有されていると、粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２とを剥離した際の剥離帯電をより効果的に抑制することができる。

前記帯電防止剤としては、第４級アンモニウム塩、ピリジニウム塩、第１、第２、第３アミノ基などのカチオン性官能基を有するカチオン型帯電防止剤、スルホン酸塩や硫酸エステル塩、ホスホン酸塩、リン酸エステル塩などのアニオン性官能基を有するアニオン型帯電防止剤、アルキルベタインおよびその誘導体、イミダゾリンおよびその誘導体、アラニンおよびその誘導体などの両性型帯電防止剤、アミノアルコールおよびその誘導体、グリセリンおよびその誘導体、ポリエチレングリコールおよびその誘導体などのノニオン型帯電防止剤、更には、上記カチオン型、アニオン型、両性イオン型のイオン導電性基を有する単量体を重合もしくは共重合して得られたイオン導電性重合体（高分子型帯電防止剤）があげられる。これらの化合物は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。なかでも、高分子型帯電防止剤が好ましい。高分子型帯電防止剤を用いると、基材３１又は粘着剤層３２からブリードし難い。その結果、経時による帯電防止機能の低下を抑制することができる。

具体的には、カチオン型帯電防止剤として、たとえば、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アシロイルアミドプロピルトリメチルアンモニウムメトサルフェート、アルキルベンジルメチルアンモニウム塩、アシル塩化コリン、ポリジメチルアミノエチルメタクリレートなどの４級アンモニウム基を有する（メタ）アクリレート共重合体、ポリビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライドなどの４級アンモニウム基を有するスチレン共重合体、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロライドなどの４級アンモニウム基を有するジアリルアミン共重合体などがあげられる。これらの化合物は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。

アニオン型帯電防止剤として、たとえば、アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルエトキシ硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル塩、スルホン酸基含有スチレン共重合体があげられる。これらの化合物は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。

両性イオン型帯電防止剤として、たとえば、アルキルベタイン、アルキルイミダゾリウムベタイン、カルボベタイングラフト共重合があげられる。これらの化合物は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。

ノニオン型帯電防止剤として、たとえば、脂肪酸アルキロールアミド、ジ（２−ヒドロキシエチル）アルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミン、脂肪酸グリセリンエステル、ポリオキシエチレングリコール脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンジアミン、ポリエーテルとポリエステルとポリアミドからなる共重合体、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの化合物は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。

高分子型帯電防止剤の他の例としては、たとえば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどがあげられる。

また、前記帯電防止剤として、導電性物質をあげることができる。導電性物質としては、たとえば、酸化錫、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化亜鉛、インジウム、錫、アンチモン、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、チタン、鉄、コバルト、ヨウ化銅、およびそれらの合金または混合物があげられる。

前記帯電防止剤の含有量は、添加する層の樹脂成分全体に対して、５０重量％以下であることが好ましく、３０重量％以下であることがより好ましい。また、前記帯電防止剤の含有量は、添加する層の樹脂成分全体に対して、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましい。前記帯電防止剤を、前記数値範囲内で含有させることにより、添加する層の機能を害することなく、帯電防止機能を付加することができる。ここで、「添加する層の樹脂成分全体に対して、５０重量％以下」とは、以下を意味する。
（ａ）添加する層が基材３１である場合
基材３１が１層からなる場合には、基材３１を構成する樹脂成分全体に対して５０重量％以下を意味する。
基材３１が多層構造からなる場合には、複数の層のうちの１つの層を構成する樹脂成分全体に対して５０重量％以下を意味する。
（ｂ）添加する層が粘着剤層３２である場合
粘着剤層３２を構成する樹脂成分全体に対して５０重量％以下を意味する。
（ｃ）添加する層が半導体裏面用フィルム２である場合
半導体裏面用フィルム２が１層からなる場合には、半導体裏面用フィルム２を構成する樹脂成分全体に対して５０重量％以下を意味する。
半導体裏面用フィルム２が多層構造からなる場合には、複数の層のうちの１つの層を構成する樹脂成分全体に対して５０重量％以下を意味する。
なお、「添加する層の樹脂成分全体に対して、３０重量％以下」、「添加する層の樹脂成分全体に対して、５重量％以上」、「添加する層の樹脂成分全体に対して、１０重量％以上」に関しても、上記と同様に、基材、粘着剤層、半導体裏面用フィルムが１層からなる場合には、当該基材、当該粘着剤層、又は、当該半導体裏面用フィルムを構成する樹脂成分全体に対する割合をいい、多層構造からなる場合は、当該基材、又は、当該半導体裏面用フィルムを構成する複数の層のうちの１つの層を構成する樹脂成分全体に対する割合を意味する。

ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおいては、基材の少なくとも一方の面上に、帯電防止剤を含有する帯電防止剤層が形成されていてもよい。図３、及び、図４は、他の実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの断面模式図である。

図３に示すように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１０は、基材３１上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と、粘着剤層３２上に設けられた半導体裏面用フィルム２と、基材３１の粘着剤層３２とは反対側の面上に帯電防止剤層３５が形成されている。ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１０では、基材３１の粘着剤層３２とは反対側の面上に帯電防止剤層３５が形成されているため、基材３１と吸着台との間の剥離帯電をより効果的に抑制することができる。

また、図４に示すように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム２０は、基材３１上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と、基材３１と粘着剤層３２との間に設けられた帯電防止剤層３６と、粘着剤層３２上に設けられた半導体裏面用フィルム２とを備える構成である。ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム２０では、基材３１の粘着剤層３２側の面上に、帯電防止剤層３６が形成されているため、基材３１と粘着剤層３２との双方の帯電を抑制することができる。

（帯電防止剤層）
帯電防止剤層３５、３６は、少なくとも帯電防止剤を含有する層である。帯電防止剤層３５、３６に含有させる帯電防止剤としては、基材３１、粘着剤層３２、半導体裏面用フィルム２に含有させる場合の上記帯電防止剤と同様のものを使用することができる。なお、帯電防止剤層３５、３６には、帯電防止剤以外に必要に応じて、バインダー成分、溶剤等を含有させてもよい。

帯電防止剤層３５、３６の厚さは、好ましくは０．０１〜５μｍであり、より好ましくは、０．０３〜１μｍである。帯電防止剤層３５、帯電防止剤層３６の厚さを０．０１μｍ以上とすることにより、帯電防止機能を発現しやすくすることができる。また、帯電防止剤層３５、帯電防止剤層３６の厚さを５μｍ以下とすることにより、粘着剤と基材との密着性能を向上させることができる。

帯電防止剤層３５、３６は、帯電防止剤層形成用溶液を基材３１に塗布し、乾燥させることにより形成することができる。塗布方法としては、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、スクリーン印刷、ワイヤーバーコート等の各種塗布方法を採用することができる。

（フリップチップ型半導体裏面用フィルム）
半導体裏面用フィルム２はフィルム状の形態を有している。半導体裏面用フィルム２は、通常、製品としてのダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの形態では、未硬化状態（半硬化状態を含む）であり、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを半導体ウエハに貼着させた後に熱硬化される（詳細については後述する）。

前記半導体裏面用フィルムは、樹脂組成物により形成することができ、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物により構成することができる。なお、半導体裏面用フィルムは、熱硬化性樹脂が用いられていない熱可塑性樹脂組成物で構成されていてもよく、熱可塑性樹脂が用いられていない熱硬化性樹脂組成物で構成されていてもよい。

前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のなかでも、アクリル樹脂やフェノキシ樹脂が好適であり、さらには、引張貯蔵弾性率を高く維持しつつ、フィルム化することが可能なフェノキシ樹脂が特に好ましい。

前記フェノキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、エピクロルヒドリンと２価のフェノール系化合物との反応により得られる樹脂や、２価のエポキシ系化合物と２価のフェノール系化合物との反応により得られる樹脂等のフェノール成分が構成単位に組み込まれているエポキシ樹脂などが挙げられる。フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格（ビスフェノールＡ型骨格、ビスフェノールＦ型骨格、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型骨格、ビスフェノールＳ型骨格、ビスフェノールＭ型骨格、ビスフェノールＰ型骨格、ビスフェノールＡ／Ｐ混合型骨格、ビスフェノールＺ型骨格など）、ナフタレン骨格、ノルボルネン骨格、フルオレン骨格、ビフェニル骨格、アントラセン骨格、ノボラック骨格、ピレン骨格、キサンテン骨格、アダマンタン骨格及びジシクロペンタジエン骨格から選択された少なくとも１つの骨格を有するフェノキシ樹脂などが例示される。なお、フェノキシ樹脂は、市販品を用いることもできる。フェノキシ樹脂は単独で又は２種以上を組み合せて用いることができる。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４〜１８、更に好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。

また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

また、前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。

エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。

エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

本発明では、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒が用いられていても良い。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。

前記アミン系硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。

前記リン系硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学（株）製）。また、前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては、エポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示すものであることが好ましい。エポキシ樹脂に対し非溶解性であると、熱硬化が過度に進行するのを抑制することができる。トリフェニルフォスフィン構造を有し、かつエポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示す熱硬化触媒としては、例えば、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）等が例示できる。尚、前記「非溶解性」とは、トリフェニルフォスフィン系化合物からなる熱硬化触媒がエポキシ樹脂からなる溶媒に対し不溶性であることを意味し、より詳細には、温度１０〜４０℃の範囲において１０重量％以上溶解しないことを意味する。

前記イミダゾール系硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１−Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成工業（株）製）。

前記ホウ素系硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。

前記リン−ホウ素系硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学(株)製）。

前記熱硬化促進触媒の割合は、熱硬化性樹脂全量に対して０．０１重量％以上２０重量％以下であることが好ましい。熱硬化促進触媒の前記割合が０．０１重量％以上であると、被着体上にフリップチップ接続させた半導体素子が薄型であっても（例えば、厚さが３００μｍ以下、更に２００μｍ以下であっても）、その反りを有効に抑制又は防止することができる。また、熱硬化促進触媒の前記割合を２０重量％以下にすることにより、半導体裏面用フィルムの収縮量が過大とならず、適度な大きさにコントロールすることができる。熱硬化促進触媒の前記割合の下限値としては、好ましくは０．０３重量％以上（より好ましくは重量０．０５重量％以上）である。また、上限値としては、好ましくは１８重量％以下（より好ましくは１５重量％以下）である。

前記半導体裏面用フィルムとしては、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好ましく、特に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びフェノキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好適である。

半導体裏面用フィルム２は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。半導体裏面用フィルム２は、例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成することができる。半導体裏面用フィルム２を予めある程度架橋させておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

半導体裏面用フィルムの半導体ウエハに対する接着力（２３℃、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分）は、１Ｎ／１０ｍｍ幅以上（例えば、１Ｎ／１０ｍｍ幅〜１０Ｎ／１０ｍｍ幅）であることが好ましく、さらに好ましくは２Ｎ／１０ｍｍ幅以上（例えば、２Ｎ／１０ｍｍ幅〜１０Ｎ／１０ｍｍ幅）であり、特に好ましくは４Ｎ／１０ｍｍ幅以上（例えば、４Ｎ／１０ｍｍ幅〜１０Ｎ／１０ｍｍ幅）以上にすることにより、優れた密着性で半導体ウエハや半導体素子に貼着されており、浮き等の発生を防止することができる。また、半導体ウエハのダイシングの際にチップ飛びが発生するのを防止することもできる。なお、半導体裏面用フィルムの半導体ウエハに対する前記接着力は、例えば、次の通りにして測定した値である。即ち、半導体裏面用フィルムの一方の面に、粘着テープ（商品名「ＢＴ３１５」日東電工株式会社製）を貼着して裏面補強する。その後、裏面補強した長さ１５０ｍｍ、幅１０ｍｍの半導体裏面用フィルムの表面に、厚さ０．６ｍｍの半導体ウエハを、５０℃で２ｋｇのローラーを一往復して熱ラミネート法により貼り合わせる。その後、熱板上（５０℃）に２分間静置した後、常温（２３℃程度）で２０分静置する。静置後、剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ−Ｊ」島津製作所社製）を用いて、温度２３℃の下で、剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下で、裏面補強された半導体裏面用フィルムを引き剥がす。前記接着力は、このときの半導体裏面用フィルムと半導体ウエハとの界面で剥離させて測定された値（Ｎ／１０ｍｍ幅）である。

前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。

前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。

なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択することができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分（特に、分子鎖末端の官能基を有する重合体）１００重量部に対し、通常７重量部以下（例えば、０．０５重量部〜７重量部）とするのが好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分１００重量部に対して７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。なお、凝集力向上の観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分１００重量部に対して０．０５重量部以上であることが好ましい。

なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。

前記半導体裏面用フィルムは着色されていることが好ましい。これにより、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。このように、着色された半導体裏面用フィルムは、優れたマーキング性を有しているので、半導体素子又は該半導体素子が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、半導体裏面用フィルムを介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優れた視認性で視認することが可能になる。また、半導体裏面用フィルムは着色されているので、ダイシングテープと、半導体裏面用フィルムとを、容易に区別することができ、作業性等を向上させることができる。更に、例えば半導体装置として、製品別に色分けすることも可能である。半導体裏面用フィルムを有色にする場合（無色・透明ではない場合）、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。

本実施の形態において、濃色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。

また、黒色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるａ^*やｂ^*は、それぞれ、Ｌ^*の値に応じて適宜選択することができる。ａ^*やｂ^*としては、例えば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０又はほぼ０）であることが好適である。

なお、本実施の形態において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*、ａ^*、ｂ^*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳＺ ８７２９に規定されている。

半導体裏面用フィルムを着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。

特に、色材として染料を用いると、半導体裏面用フィルム中には、染料が溶解により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一又はほぼ均一な半導体裏面用フィルム（ひいてはダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム）を容易に製造することができる。そのため、色材として染料を用いると、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、着色濃度を均一又はほぼ均一とすることができ、マーキング性や外観性を向上させることができる。

黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼンダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。

具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックなど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。

本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４、Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。

このような黒系色材としては、例えば、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＹ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＢＳ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋＨＢＢ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ８０３」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ８６０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９７０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９０６」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９０５」（オリエント化学工業株式会社製）などが市販されている。

黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシアン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。

また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、２８などが挙げられる。

マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５などが挙げられる。

また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。

シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（または配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜選択することができる。

半導体裏面用フィルム２を着色させる場合、その着色形態は特に制限されない。例えば、半導体裏面用フィルムは、着色剤が添加された単層のフィルム状物であってもよい。また、少なくとも熱硬化性樹脂により形成された樹脂層と、着色剤層とが少なくとも積層された積層フィルムであってもよい。なお、半導体裏面用フィルム２が樹脂層と着色剤層との積層フィルムである場合、積層形態の半導体裏面用フィルム２としては、樹脂層／着色剤層／樹脂層の積層形態を有していることが好ましい。この場合、着色剤層の両側の２つの樹脂層は、同一の組成の樹脂層であってもよく、異なる組成の樹脂層であってもよい。

半導体裏面用フィルム２には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤（フィラー）、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。

前記充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、半導体裏面用フィルムに導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、半導体裏面用フィルム２としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。

前記充填剤（特に無機充填剤）の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対して８０重量部以下（０重量部〜８０重量部）であることが好ましく、特に０重量部〜７０重量部であることが好適である。

前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

半導体裏面用フィルム２は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、必要に応じてフェノキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、前記樹脂組成物を、ダイシングテープの粘着剤層３２上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記樹脂組成物を塗布して樹脂層（又は接着剤層）を形成し、これを粘着剤層３２上に転写（移着）する方法などにより、半導体裏面用フィルムとしてのフィルム状の層（接着剤層）を形成することができる。なお、前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。

なお、半導体裏面用フィルム２が、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、半導体裏面用フィルムは、半導体ウエハに適用する前の段階では、熱硬化性樹脂が未硬化又は部分硬化の状態である。この場合、半導体ウエハに適用後に（具体的には、通常、フリップチップボンディング工程で封止材をキュアする際に）、半導体裏面用フィルム中の熱硬化性樹脂を完全に又はほぼ完全に硬化させる。

このように、半導体裏面用フィルムは、熱硬化性樹脂を含んでいても、該熱硬化性樹脂は未硬化又は部分硬化の状態であるため、半導体裏面用フィルムのゲル分率としては、特に制限されないが、例えば、５０重量％以下（０重量％〜５０重量％）の範囲より適宜選択することができ、好ましくは３０重量％以下（０重量％〜３０重量％）であり、特に１０重量％以下（０重量％〜１０重量％）であることが好適である。半導体裏面用フィルムのゲル分率の測定方法は、以下の測定方法により測定することができる。
＜ゲル分率の測定方法＞
半導体裏面用フィルムから約０．１ｇをサンプリングして精秤し（試料の重量）、該サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、約５０ｍｌのトルエン中に室温で１週間浸漬させる。その後、溶剤不溶分（メッシュ状シートの内容物）をトルエンから取り出し、１３０℃で約２時間乾燥させ、乾燥後の溶剤不溶分を秤量し（浸漬・乾燥後の重量）、下記式（ａ）よりゲル分率（重量％）を算出する。
ゲル分率（重量％）＝［（浸漬・乾燥後の重量）／（試料の重量）］×１００ （ａ）

なお、半導体裏面用フィルムのゲル分率は、樹脂成分の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量の他、加熱温度や加熱時間などによりコントロールすることができる。

本発明において、半導体裏面用フィルムは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されたフィルム状物である場合、半導体ウエハに対する密着性を有効に発揮することができる。

尚、半導体ウエハのダイシング工程では切削水を使用することから、半導体裏面用フィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、フリップチップボンディングを行うと、半導体裏面用フィルム２と半導体ウエハ又はその加工体（半導体）との接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、半導体裏面用フィルムとしては、透湿性の高いコア材料を両面に設けた構成とすることにより、水蒸気が拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、コア材料の片面又は両面に半導体裏面用フィルム２を形成した多層構造を半導体裏面用フィルムとして用いてもよい。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。

半導体裏面用フィルム２の厚さ（積層フィルムの場合は総厚）は特に限定されないが、例えば、２μｍ〜２００μｍ程度の範囲から適宜選択することができる。更に、前記厚さは４μｍ〜１６０μｍ程度が好ましく、６μｍ〜１００μｍ程度がより好ましく、１０μｍ〜８０μｍ程度が特に好ましい。

前記半導体裏面用フィルム２の未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は１ＧＰａ以上（例えば、１ＧＰａ〜５０ＧＰａ）であることが好ましく、より好ましくは２ＧＰａ以上であり、特に３ＧＰａ以上であることが好適である。前記引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であると、半導体素子を半導体裏面用フィルム２と共に、ダイシングテープの粘着剤層３２から剥離させた後、半導体裏面用フィルム２を支持体上に載置して、輸送等を行った際に、半導体裏面用フィルムが支持体に貼着するのを有効に抑制又は防止することができる。前記支持体は、例えば、キャリアテープにおけるトップテープやボトムテープなどをいう。なお、半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前述のように、熱硬化性樹脂は、通常、未硬化又は部分硬化の状態であるので、半導体裏面用フィルムの２３℃における弾性率は、通常、熱硬化性樹脂が未硬化状態又は部分硬化状態での２３℃における弾性率となる。

ここで、半導体裏面用フィルム２は単層でもよく複数の層が積層された積層フィルムであってもよいが、積層フィルムの場合、前記未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は積層フィルム全体として１ＧＰａ以上（例えば、１ＧＰａ〜５０ＧＰａ）の範囲であればよい。また、半導体裏面用フィルムの未硬化状態における前記引張貯蔵弾性率（２３℃）は、樹脂成分（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂）の種類やその含有量、シリカフィラー等の充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。なお、半導体裏面用フィルム２が複数の層が積層された積層フィルムである場合（半導体裏面用フィルムが積層の形態を有している場合）、その積層形態としては、例えば、ウエハ接着層とレーザーマーク層とからなる積層形態などを例示することができる。また、このようなウエハ接着層とレーザーマーク層との間には、他の層（中間層、光線遮断層、補強層、着色層、基材層、電磁波遮断層、熱伝導層、粘着層など）が設けられていてもよい。なお、ウエハ接着層はウエハに対して優れた密着性（接着性）を発揮する層であり、ウエハの裏面と接触する層である。一方、レーザーマーク層は優れたレーザーマーキング性を発揮する層であり、半導体素子の裏面にレーザーマーキングを行う際に利用される層である。

尚、前記引張貯蔵弾性率は、ダイシングテープ３に積層させずに、未硬化状態の半導体裏面用フィルム２を作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚さ：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて測定して、得られた引張貯蔵弾性率の値とした。

前記半導体裏面用フィルム２は、少なくとも一方の面がセパレータ（剥離ライナー）により保護されていることが好ましい（図示せず）。例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の場合、半導体裏面用フィルムの一方の面のみにセパレータが設けられていてもよく、一方、ダイシングテープと一体化されていない半導体裏面用フィルムの場合、半導体裏面用フィルムの片面又は両面にセパレータが設けられていてもよい。セパレータは、実用に供するまで半導体裏面用フィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の場合、セパレータは、更に、ダイシングテープの基材上の粘着剤層３２に半導体裏面用フィルム２を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータは、半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタレートなど）や紙等も使用可能である。なお、セパレータは従来公知の方法により形成することができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。

半導体裏面用フィルム２がダイシングテープ３に積層されていない場合、半導体裏面用フィルム２は、両面に剥離層を有するセパレータを１枚用いてロール状に巻回された形態で、両面に剥離層を有するセパレータにより保護されていてもよく、少なくとも一方の面に剥離層を有するセパレータにより保護されていてもよい。

また、半導体裏面用フィルム２における可視光（波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光線透過率（可視光透過率）は、特に制限されないが、例えば、２０％以下（０％〜２０％）の範囲であることが好ましく、より好ましくは１０％以下（０％〜１０％）、特に好ましくは５％以下（０％〜５％）である。半導体裏面用フィルム２は、可視光透過率が２０％より大きいと、光線通過により、半導体素子に悪影響を及ぼす恐れがある。また、前記可視光透過率（％）は、半導体裏面用フィルム２の樹脂成分の種類やその含有量、着色剤（顔料や染料など）の種類やその含有量、無機充填材の含有量などによりコントロールすることができる。

半導体裏面用フィルム２の可視光透過率（％）は、次の通りにして測定することができる。即ち、厚さ（平均厚さ）２０μｍの半導体裏面用フィルム２単体を作製する。次に、半導体裏面用フィルム２に対し、波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光線［装置：島津製作所製の可視光発生装置（商品名「ＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ ＳＰＥＣＴＲＯ ＰＨＯＴＯＭＥＴＲ」）］を所定の強度で照射し、透過した可視光線の強度を測定する。更に、可視光線が半導体裏面用フィルム２を透過する前後の強度変化より、可視光透過率の値を求めることができる。尚、２０μｍの厚さでない半導体裏面用フィルム２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の値により、厚さ：２０μｍの半導体裏面用フィルム２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）を導き出すことも可能である。また、本発明では、厚さ２０μｍの半導体裏面用フィルム２の場合における可視光透過率（％）を求めているが、本発明に係る半導体裏面用フィルムは厚さ２０μｍのものに限定される趣旨ではない。

また、半導体裏面用フィルム２としては、その吸湿率が低い方が好ましい。具体的には、前記吸湿率は１重量％以下が好ましく、より好ましくは０．８重量％以下である。前記吸湿率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、半導体裏面用フィルム２と半導体素子との間でボイドの発生などを抑制又は防止することもできる。尚、前記吸湿率は、半導体裏面用フィルム２を、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置する前後の重量変化により算出した値である。半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記吸湿率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの値を意味する。また、前記吸湿率は、例えば、無機フィラーの添加量を変化させることにより調整することができる。

また、半導体裏面用フィルム２としては、揮発分の割合が少ない方が好ましい。具体的には、加熱処理後の半導体裏面用フィルム２の重量減少率（重量減少量の割合）が１重量％以下が好ましく、０．８重量％以下がより好ましい。加熱処理の条件は、例えば、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間である。前記重量減少率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、フリップチップ型の半導体装置にクラックが発生するのを抑制又は防止することができる。前記重量減少率は、例えば、鉛フリーハンダリフロー時のクラック発生を減少させ得る無機物を添加することにより、調整することができる。なお、半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記重量減少率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間の条件下で加熱したときの値を意味する。

（ダイシングテープ）
前記ダイシングテープ３は、基材３１上に粘着剤層３２が形成されて構成されている。このように、ダイシングテープ３は、基材３１と、粘着剤層３２とが積層された構成を有していればよい。基材（支持基材）は粘着剤層等の支持母体として用いることができる。前記基材３１は放射線透過性を有していることが好ましい。前記基材３１としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など］等の適宜な薄葉体を用いることができる。本発明では、基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。

また基材３１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材３１を熱収縮させることにより粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２との接着面積を低下させて、半導体素子の回収の容易化を図ることができる。

基材３１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。

前記基材３１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材３１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材３１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材３１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。

基材３１の厚さ（積層体の場合は総厚）は、特に制限されず強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には１０００μｍ以下（例えば、１μｍ〜１０００μｍ）、好ましくは１０μｍ〜５００μｍ、さらに好ましくは２０μｍ〜３００μｍ、特に３０μｍ〜２００μｍ程度であるが、これらに限定されない。

なお、基材３１には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（着色剤、充填材、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。

前記粘着剤層３２は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤（例えば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報等参照）の中から、前記特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）や、熱膨張性粘着剤を用いることもできる。粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。

前記粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、特にアクリル系粘着剤が好適である。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体又は共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。

前記アクリル系粘着剤における（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が４〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状の何れであっても良い。

なお、前記アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分（共重合性単量体成分）に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。これらの共重合性単量体成分は１種又は２種以上使用できる。

粘着剤として放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）を用いる場合、放射線硬化型粘着剤（組成物）としては、例えば、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の放射線硬化型粘着剤や、粘着剤中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。また、粘着剤として熱膨張性粘着剤を用いる場合、熱膨張性粘着剤としては、例えば、粘着剤と発泡剤（特に熱膨張性微小球）とを含む熱膨張性粘着剤などが挙げられる。

本発明では、粘着剤層３２には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填材、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。

前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられ、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量は、特に制限されない。

前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。

なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。

粘着剤層３２は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材３１上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して粘着剤層３２を形成し、これを基材３１上に転写（移着）する方法などにより、粘着剤層３２を形成することができる。

粘着剤層３２の厚さは特に制限されず、例えば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは５μｍ〜２００μｍ、さらに好ましくは５μｍ〜１００μｍ、特に好ましくは７μｍ〜５０μｍ）程度である。粘着剤層３２の厚さが前記範囲内であると、適度な粘着力を発揮することができる。なお、粘着剤層３２は単層、複層の何れであってもよい。

前記ダイシングテープ３の粘着剤層３２の半導体裏面用フィルム２に対する接着力（２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲が好ましく、０．０５Ｎ／２０ｍｍ〜５Ｎ／２０ｍｍの範囲がより好ましい。前記接着力を０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、半導体ウエハのダイシングの際に半導体素子がチップ飛びするのを防止することができる。その一方、前記接着力を１０Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、半導体素子をピックアップする際に、当該半導体素子の剥離が困難になったり、糊残りが発生するのを防止することができる。

また、半導体裏面用フィルム２や、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、ロール状に巻回された形態で形成されていてもよく、シート（フィルム）が積層された形態で形成されていてもよい。例えば、ロール状に巻回された形態を有している場合、半導体裏面用フィルム２又は、半導体裏面用フィルム２とダイシングテープ３との積層体を、必要に応じてセパレータにより保護した状態でロール状に巻回して、ロール状に巻回された状態又は形態の半導体裏面用フィルム２やダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１として作製することができる。なお、ロール状に巻回された状態又は形態のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１としては、基材３１と、前記基材３１の一方の面に形成された粘着剤層３２と、前記粘着剤層３２上に形成された半導体裏面用フィルムと、前記基材３１の他方の面に形成された剥離処理層（背面処理層）とで構成されていてもよい。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の厚さ（半導体裏面用フィルムの厚さと、基材３１及び粘着剤層３２からなるダイシングテープの厚さの総厚）としては、例えば、８μｍ〜１５００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは２０μｍ〜８５０μｍ（さらに好ましくは３１μｍ〜５００μｍ、特に好ましくは４７μｍ〜３３０μｍ）である。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１において、半導体裏面用フィルム２の厚さと、ダイシングテープ３の粘着剤層３２の厚さとの比や、半導体裏面用フィルム２の厚さと、ダイシングテープ３の厚さ（基材３１及び粘着剤層３２の総厚）との比をコントロールすることにより、ダイシング工程時のダイシング性、ピックアップ工程時のピックアップ性などを向上させることができ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を半導体ウエハのダイシング工程〜半導体素子（例えば、半導体チップ）のフリップチップボンディング工程にかけて有効に利用することができる。

（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法）
本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法について、図１に示すダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を例にして説明する。先ず、基材３１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。この際、基材３１に帯電防止剤を含有させる場合には、適宜、基材形成用材料に帯電防止剤を添加しておく。
当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材３１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層３２を形成する。この際、粘着剤層３２に帯電防止剤を含有させる場合には、適宜、粘着剤組成物に帯電防止剤を添加しておく。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材３１に塗布して、基材３１上に粘着剤層３２を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層３２を形成させた後、該粘着剤層３２を基材３１に転写させてもよい。これにより、基材３１上に粘着剤層３２を形成されたダイシングテープ３が作製される。

一方、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を剥離紙上に乾燥後の厚みが所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して）、塗布層を形成する。この際、半導体裏面用フィルム２に帯電防止剤を含有させる場合には、適宜、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料に帯電防止剤を添加しておく。この塗布層を前記粘着剤層３２上に転写することにより、半導体裏面用フィルム２を粘着剤層３２上に形成する。なお、前記粘着剤層３２上に、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥する（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施して乾燥する）ことによっても、半導体裏面用フィルム２を粘着剤層３２上に形成することができる。半導体裏面用フィルム２を多層構造とし、いずれか一方の最外層に帯電防止剤を含有させる場合には、帯電防止剤が含有されている最外層上に粘着剤層３２を形成することが好ましい。以上により、本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を得ることができる。なお、半導体裏面用フィルム２を形成する際に熱硬化を行う場合、部分硬化の状態となる程度で熱硬化を行うことが重要であるが、好ましくは熱硬化を行わない。

本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップボンディング工程を具備する半導体装置の製造の際に好適に用いることができる。すなわち、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップ実装の半導体装置を製造する際に用いられ、半導体素子の裏面に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム２が貼着している状態又は形態で、フリップチップ実装の半導体装置が製造される。従って、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップ実装の半導体装置（半導体素子が基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導体装置）に対して用いることができる。

なお、半導体裏面用フィルム２は、ダイシングテープに貼り付けることにより、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１と同様に、フリップチップ実装の半導体装置（半導体チップが基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導体装置）に対して用いることができる。

（半導体ウエハ）
半導体ウエハとしては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとしては、シリコンウエハを好適に用いることができる。

（半導体装置の製造方法）
ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いて、半導体装置を製造する場合、本発明の半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型接着シートにおける接着シート上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を前記接着シートとともに、ダイシングテープの粘着剤層からピックアップする工程とを少なくとも具備する半導体装置の製造方法である。

特に、本発明の接着シートが、半導体裏面用フィルムである場合、前記半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハの裏面を貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程とを少なくとも具備する。

また、フリップチップ型半導体裏面用フィルム（例えば、半導体裏面用フィルム２）を用いて、半導体装置を製造する場合、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いた場合の半導体装置の製造方法に準じた方法により、半導体装置を製造することができる。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープを準備する工程と、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に前記接着シートを貼り付けて、ダイシングテープ一体型接着シートを得る工程と、前記ダイシングテープ一体型接着シートにおける接着シート上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を前記接着シートとともに、ダイシングテープの粘着剤層からピックアップする工程とを少なくとも具備する半導体装置の製造方法である。

特に、本発明の接着シートが、半導体裏面用フィルムである場合、前記半導体装置の製造方法は、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープを準備する工程と、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に前記半導体裏面用フィルムを貼り付けて、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを得る工程と、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハの裏面を貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程とを少なくとも具備する。

以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図５を参照しながら説明する。図５は、本実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面模式図である。

［マウント工程］
先ず、図５（ａ）で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム２上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、当該半導体裏面用フィルム２上に半導体ウエハ４を貼着して、これを接着保持させ固定する（マウント工程）。このとき前記半導体裏面用フィルム２は未硬化状態（半硬化状態を含む）にある。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、半導体ウエハ４の裏面に貼着される。半導体ウエハ４の裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。

［ダイシング工程］
次に、図５（ｂ）で示されるように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体素子としての半導体チップ５を製造する。ダイシングは、ダイシングテープ３を吸着台１１０に真空吸着させた状態で、例えば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ４は、半導体裏面用フィルムを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。なお、半導体裏面用フィルム２がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面において半導体裏面用フィルムの接着剤層の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着（ブロッキング）することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。

［ピックアップ工程］
ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１に接着固定された半導体チップ５を回収する為に、図５（ｃ）で示されるように、半導体チップ５のピックアップを行って、半導体チップ５を半導体裏面用フィルム２とともにダイシングテープ３より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の基材３１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップ５は、その裏面が半導体裏面用フィルム２により保護されている。

［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップ５は、図５（ｄ）で示されるように、基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップ５を、半導体チップ５の回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体６と対向する形態で、被着体６に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ５１を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ５と被着体６との電気的導通を確保し、半導体チップ５を被着体６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップ５と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップ５を被着体６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップ５と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することが重要である。

被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。

フリップチップボンディング工程において、バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。

なお、フリップチップボンディング工程では、導電材を溶融させて、半導体チップ５の回路面側のバンプと、被着体６の表面の導電材とを接続させているが、この導電材の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃〜３００℃）となっている。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、半導体裏面用フィルムをエポキシ樹脂等により形成することにより、このフリップチップボンディング工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。

本工程では、半導体チップ５と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、洗浄液に対する耐溶剤性を有しており、これらの洗浄液に対して実質的に溶解性を有していない。そのため、前述のように、洗浄液としては、各種洗浄液を用いることができ、特別な洗浄液を必要とせず、従来の方法により洗浄させることができる。

次に、フリップチップボンディングされた半導体チップ５と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。このとき、半導体裏面用フィルム２は、半導体裏面用フィルム２全体に対して７０重量％以上の無機充填材が含有されているため、引張貯蔵弾性率が比較的高い。その結果、封止樹脂の熱硬化の際に発生し得る半導体チップの反りを有効に抑制又は防止することができる。また、当該工程により、半導体裏面用フィルム２を完全に又はほぼ完全に熱硬化させることができ、優れた密着性で半導体チップの裏面に貼着させることができる。更に、本発明に係る半導体裏面用フィルム２は、未硬化状態であっても当該封止工程の際に、封止材と共に熱硬化させることができるので、半導体裏面用フィルム２を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。

前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。

前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いて製造された半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、半導体チップの裏面に半導体裏面用フィルムが貼着されているため、各種マーキングを優れた視認性で施すことができる。特に、マーキング方法がレーザーマーキング方法であっても、優れたコントラスト比でマーキングを施すことができ、レーザーマーキングにより施された各種情報（文字情報、図研情報など）を良好に視認することが可能である。なお、レーザーマーキングを行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ_２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ_４レーザーが好適である。

本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムや半導体裏面用フィルムを用いて製造された半導体装置は、フリップチップ実装方式で実装された半導体装置であるので、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄型化、小型化された形状となっている。このため、各種の電子機器・電子部品又はそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、本発明のフリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」や「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（例えば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」及びコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（例えば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤー等）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品又は、電子機器・電子部品の材料・部材としては、例えば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。

上述した実施形態では、本発明の接着シートが、フリップチップ型半導体裏面用フィルム２である場合について説明したが、本発明の接着シートは、この例に限定されない。本発明の接着シートとしては、ダイシングテープの上に形成して使用できるものであれば、特に限定されず、例えば、ダイボンドフィルムや、アンダーフィルシートを挙げることができる。
本発明の接着シートがダイボンドフィルムである場合、ダイボンドフィルムとしての機能を有する程度に組成や含有量を変更した上で、上記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと同様の構成を採用することができる。また、半導体装置の製造方法については、上記フリップチップ接続工程の代わりに、ダイボンドフィルムを介して被着体に半導体素子（例えば、半導体チップ）をダイボンドする工程を行なう以外は、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いた半導体装置の製造方法と同様である。すなわち、ダイシングテープ一体型ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法は、ダイシングテープ一体型ダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルム上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を前記ダイボンドフィルムとともに、ダイシングテープの粘着剤層からピックアップする工程と前記ダイボンドフィルムを介して被着体に半導体素子をダイボンドする工程とを具備する。
また、本発明の接着シートがアンダーフィルシートである場合、アンダーフィルシートとしての機能を有する程度に組成や含有量を変更した上で、上記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと同様の構成を採用することができる。また、半導体装置の製造方法については、上記マウント工程において、ダイシングテープ一体型接着シートとしてのダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を、半導体ウエハの裏面に貼着する代わりに、ダイシングテープ一体型接着シートとしてのダイシングテープ一体型アンダーフィルシートを、半導体ウエハの回路面側に貼着する以外は、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いた半導体装置の製造方法と同様である。すなわち、ダイシングテープ一体型アンダーフィルシートを用いた半導体装置の製造方法は、ダイシングテープ一体型アンダーフィルシートにおけるアンダーフィルシート上に半導体ウエハの回路面側を貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を前記アンダーフィルシートとともに、ダイシングテープの粘着剤層からピックアップする工程と半導体素子を被着体上に前記アンダーフィルシートを介在させながらフリップチップ接続する工程とを具備する。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。

（実施例１）
＜ダイシングテープの作製＞
まず、３層構造の基材を作製した。最外層（厚さ：２０μｍ、ポリオレフィン系基材）、中間層（厚さ：４０μｍ、ポリオレフィン系基材）、及び、最内層（厚さ：４０μｍ、ポリオレフィン系基材）がこの順で積層された基材（「積層基材F」という場合がある）を作製した。なお、本実施例において、最内層とは、粘着剤層がその上に形成される層をいい、最外層とは、粘着剤層が形成される側とは反対側の層をいう。

次に、冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）８８．８部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」という。）１１．２部、過酸化ベンゾイル０．２部及びトルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、重量平均分子量８５万のアクリル系ポリマーＡを得た。２ＥＨＡとＨＥＡとのモル比は、１００ｍｏｌ対２０ｍｏｌとした。

このアクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」という。）１２部（ＨＥＡに対し８０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。

次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）８部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤溶液（「粘着剤溶液A」という場合がある）を作製した。

前記で調製した粘着剤溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ３０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、当該粘着剤層面に、前記積層基材Ｆの最内層面に貼り合わせ、５０℃にて２４時間保存した。その後、半導体ウエハが搭載される領域のみに紫外線照射装置（日東精機（商品名、ＵＭ−８１０製）を用いて、３００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を前記積層基材Ｆ側から照射し、ダイシングフィルム（「ダイシングテープＦ」と称する場合がある）を得た。

＜接着シートの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」ＪＥＲ株式会社製）：１１３部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」三井化学株式会社製）：１２１部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：２４６部、染料１（商品名「ＯＩＬ ＧＲＥＥＮ ５０２」オリエント化学工業株式会社製）：５部、染料２（商品名「ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ」オリエント化学工業株式会社製）：５部、帯電防止剤として製品名：ペレスタット（三洋化成社製）を樹脂成分全体に対して、３０重量％をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％（帯電防止剤を除く）となる接着剤組成物溶液Ｆを調製した。

接着剤組成物溶液Ｆを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ（平均厚さ）２０μｍであり、帯電防止剤としての製品名：ペレスタット（三洋化成社製）を樹脂成分全体に対して、３０重量％含有させた接着シートＦを作製した。

＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
接着シートＦを、ダイシングテープＦの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＦを作製した。

（実施例２）
＜ダイシングテープの作製＞
まず、３層構造の基材を作製した。最外層（厚さ：２０μｍ、ポリオレフィン系基材）、中間層（厚さ：４０μｍ、ポリオレフィン系基材）、及び、最内層（厚さ：４０μｍ、ポリオレフィン系基材）がこの順で積層された基材（「積層基材Ｇ」という場合がある）を作製した。

次に、粘着剤溶液として、前記粘着剤溶液Ａを用いた。

前記で調製した粘着剤溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ３０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、当該粘着剤層面に、前記積層基材Ｇの最内層面に貼り合わせ、５０℃にて２４時間保存した。その後、半導体ウエハが搭載される領域のみに紫外線照射装置（日東精機（商品名、ＵＭ−８１０製）を用いて、３００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を前記積層基材Ｇ側から照射し、ダイシングフィルム（「ダイシングテープG」と称する場合がある）を得た。

＜接着シートの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」ＪＥＲ株式会社製）：１１３部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」三井化学株式会社製）：１２１部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：２４６部、染料１（商品名「ＯＩＬ ＧＲＥＥＮ ５０２」オリエント化学工業株式会社製）：５部、染料２（商品名「ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ」オリエント化学工業株式会社製）：５部、帯電防止剤として製品名：ペレスタット（三洋化成社製）を樹脂成分全体に対して、２５重量％をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％（帯電防止剤を除く）となる接着剤組成物溶液Ｇを調製した。

接着剤組成物溶液Ｇを、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ（平均厚さ）２０μｍであり、帯電防止剤としての製品名：ペレスタット（三洋化成社製）を樹脂成分全体に対して、２５重量％含有させた接着シートＧを作製した。

＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製＞
接着シートＧを、ダイシングテープＧの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型接着シートＧを作製した。

（実施例３）
接着シートに含有させる帯電防止剤の量を、接着シートの樹脂成分全体に対して５０重量％をとしたこと以外は、実施例１と同様にして本実施例３に係るダイシングテープ一体型接着シートを作製した。これを、ダイシングテープ一体型接着シートＴとした。

（実施例４）
接着シートに含有させる帯電防止剤の量を、接着シートの樹脂成分全体に対して１０重量％をとしたこと以外は、実施例１と同様にして本実施例４に係るダイシングテープ一体型接着シートを作製した。これを、ダイシングテープ一体型接着シートＳとした。

（実施例５）
接着シートに含有させる帯電防止剤の量を、接着シートの樹脂成分全体に対して５重量％をとしたこと以外は、実施例１と同様にして本実施例５に係るダイシングテープ一体型接着シートを作製した。これを、ダイシングテープ一体型接着シートＲとした。

＜剥離帯電圧の測定＞
あらかじめ除電しておいたアクリル板（厚み：１ｍｍ、幅：７０ｍｍ、長さ：１００ｍｍ）に、ダイシングテープ一体型接着シートを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用い、両面テープを介してアクリル板とダイシングテープ一体型接着シートの基材とが対向するように行なった。

２３℃、５０％ＲＨの環境下に一日放置した後、所定の位置にサンプルをセットした（図２参照）。接着シートの端部を自動巻取り機に固定し、剥離角度１５０°、剥離速度１０ｍ／ｍｉｎとなるように剥離した。このときに発生する粘着剤層側の面の電位を所定の位置に固定してある電位測定機（春日電機社製、ＫＳＤ−０１０３）にて測定した。測定は、２３℃、５０％ＲＨの環境下で行った。結果を表１に示す。

＜剥離力の測定＞
ダイシングテープ一体型接着シートから、長さ１００ｍｍ、幅２０ｍｍの短冊状の試験片を切り出した。その試験片をＳＵＳ板に裏打ちした後、剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ−Ｊ」島津製作所社製）を用いて、温度２３℃の条件下で、剥離角度：９０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、接着シートをダイシングテープより（すなわち、ダイシングテープの粘着剤層より）引き剥がして（接着シートとダイシングテープの粘着剤層との界面で剥離させて）、この引き剥がした時の荷重の最大荷重（測定初期のピークトップを除いた荷重の最大値）を測定し、この最大荷重を接着シートとダイシングテープの粘着剤層と間の剥離力（ダイシングテープの粘着剤層の接着シートに対する接着力）（接着力；Ｎ／２０ｍｍ幅）として求めた。結果を表１に示す。

＜表面固有抵抗値の測定＞
接着シートのダイシングテープと接触する側の面の表面の表面固有抵抗を測定した。なお、表面固有抵抗は、（株）アドバンテスト社製ハイメグオームメーターＴＲ−８６０１の超高抵抗測定用試料箱ＴＲ−４２を用い、２３℃、６０％ＲＨの条件下で、１００Ｖの直流電圧を１分間印加して測定した。結果を表１に示す。

１、１０、２０ ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
２ フリップチップ型半導体裏面用フィルム（半導体裏面用フィルム）
３ ダイシングテープ
３１ 基材
３２ 粘着剤層
３３ 半導体ウエハの貼着部分に対応する部分
３５、３６ 帯電防止剤層
４ 半導体ウエハ
５ 半導体チップ
５１ 半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ
６ 被着体
６１ 被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材
１００ アクリル板サンプル
１０２ サンプル固定台
１１０ 吸着台

Claims (3)

1. 基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、前記粘着剤層上に形成された接着シートとを有するダイシングテープ一体型接着シートであり、
   剥離速度１０ｍ／分、剥離角度１５０°の条件により前記粘着剤層と前記接着シートとを剥離した際の剥離帯電圧の絶対値が０．５ｋＶ以下であり、
   前記接着シートは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであり、高分子型帯電防止剤を含有し、何れかの表面における表面固有抵抗値が、１．０×１０^１１Ω以下であることを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート（ただし、接着シートに、カーボンナノ材料を含む場合を除く）。
2. 請求項１に記載のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
   前記ダイシングテープ一体型接着シートにおける接着シート上に半導体ウエハを貼着する工程と、
   前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
   前記半導体素子を前記接着シートとともに、ダイシングテープの粘着剤層からピックアップする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１に記載のダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。

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