JP2011505062A - 大面積色素電池、及びその生産方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 92
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 5
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 abstract description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N triiodide Chemical compound I[I-]I WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N Iodine aqueous Chemical compound [K+].I[I-]I DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010411 electrocatalyst Substances 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229940020414 potassium triiodide Drugs 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
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Abstract
Description
太陽光から電力を作り出すための色素増感光電池は、グラッツェル(Graetzel)らに対する米国特許番号第5,350,644号により開示されている。米国特許番号第5,350,644号は、少なくとも最後の二酸化チタン層が、二価金属または三価金属から選択される金属イオンでドープされる一連の二酸化チタン層が付けられたガラス板または透明な高分子シートの上に透光性導電層を付着させた光電池を教示する。
グラッツェルらに対する米国特許第5,350,644号の電池は、端縁を有機接着剤で密封された2枚の導電性のガラスをベースにしている(導電性のガラスは各側面で接着剤から突出し、電流の除去を可能にする)。これらの電池は、対電極が陽極となる状態で、太陽光の照光のピーク時に約700
mVの電圧及び、1平方センチメートル当たり15mAの電流密度で動作する。
その多大な技術的−経済的な将来性にも関わらず、今日まで光電色素電池が実際に商品化されることはなかった。低オーム抵抗を特長とし、低価格且つ堅牢であり、従来の技術の多様な欠点の克服に成功した大面積光電色素電池を有することは極めて有利であろう。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、導電性構造体の1 mm内の領域において、多孔質フィルムの厚さは、多孔質フィルムの名目厚さの10マイクロメートル内、さらに好ましくは約5マイクロメートル内である。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、導電性構造体に配置される多孔質フィルムの全幅上で、多孔質フィルムの厚さは、多孔質フィルムの呼び厚さの15マイクロメートル以内、好ましくは10マイクロメートル以内、さらに好ましくは約5マイクロメートル内、及び最も好ましくは約3マイクロメートル以内である。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、導電性構造体要素の固有電気抵抗値が、1200x10−6オームセンチメートル未満であるか、好ましくは、500x10−6オームセンチメートル未満であり、より好ましくは、200x10−6オームセンチメートル未満であり、最も好ましくは、50x10−6オームセンチメートル未満である
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、陽極及び陰極はモノリシック配置で配置される。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、導電性構造体のそれぞれが、少なくとも75マイクロメートル、100マイクロメートル、150マイクロメートル、または200マイクロメートル、多孔質フィルムの、色素を含浸させた陰極に面する表面上に突出する突出部を形成する。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると酸化還元種がヨウ素ベースの酸化還元種を含み、透明導電性コーティングが酸化スズを含む
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、導電性構造体が100から1200マイクロメートルの間、好ましくは1000マイクロメートル未満、及びさらに好ましくは700マイクロメートル未満の幅を有する。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、導電性セラミック層の固有電気抵抗値が1.0オームセンチメートル未満であり、好ましくは0.1オームセンチメートル未満であり、より好ましくは0.01オームセンチメートル未満である。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、陰極が直接多孔質チタニア・フィルムに接触する。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、第二連続領域が、多孔質フィルムの第三連続領域から第二硬化導電性構造体を有する第二間隙によって分離される。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、多孔質フィルムの第二連続領域は第一と第二硬化導電性構造体によって境界が示され、硬化導電性構造体間の第二領域の全幅に渡って、第二の領域の厚さが、第二の領域の呼び厚さの50%以内であり、好ましくは30%以内であり、またさらに好ましくは20%以内である
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、方法は、フィルムと共に光子を電子に変換する色素を多孔質フィルムの表面に接触させるステップをさらに含む。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、方法は、多孔質フィルムと陰極の間で電解質を介して電解質連通を達成するため、酸化還元種を含む電解質を電池壁内に導入するステップをさらに含む。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、導電性接着剤はセラミック材料を含む。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、導電性接着剤は、窒化チタン、窒化ジルコニウム、及びホウ化チタンから成る材料郡から選択された導電性材料を含む。
説明された好適実施形態におけるさらなる特長によると、導電性接着剤はタングステン粒子を含む。
本発明のさらに別の態様によると、光源を電気に変換する光電池が提供され、光電池は本明細書に説明する方法のいずれかによって生産される。
一例として、長さ15cmで、1cm間隔で設けられた隣接する導電性構造体の場合、10(Ohm/sq)の表面抵抗を持つ酸化スズ・ガラス上で適切な色素電池電流収集を実現するために、0.5オーム未満の抵抗低下となることが望ましい。
本発明では、活性層を均一にプリントするため、活性層のプリントを、導電性構造体を設ける前に行っている。図3に、発明構造の部分を示す、例示的な概略垂直断面図を示す。図3においてチタニア層40と絶縁スペーサ層44からなる分離ストリップ45が、導体酸化スズ層52を有するガラス基板48上に配置(たとえば、スクリーン印刷により)され、ストリップ45間に少なくとも一つの、後に導電性構造体により少なくとも部分的に埋められる間隙56を残している。この場合、導電性構造体に隣接した領域でも、問題なく活性層が実質的に均一または同質の厚みを持つようにすることができる。
間隙56は、好ましくは互いにほぼ平行である。
導電性構造体98はまた、少なくとも部分的に、好ましくは完全にワイヤ60と導電バインダー層64を覆うまたは囲む絶縁セラミック層68のような電気的絶縁層を有してもよい。
多孔質炭素ベースの陰極72のような陰極層は、随意触媒として、絶縁スペーサ層44の表面上に、スクリーン印刷または直接配置され得る。または、多孔性炭素ベースの陰極72は、チタニア層40上にスクリーン印刷または直接配置され得る。
陰極からの電流の除去は、たとえば、多孔性炭素ベースの陰極72に、埋め込み金属メッシュやストリップ・タブ80を有するグラファイト・ホイルのシート76を付着するなど、さまざまな方法で達成されることができ、また下方の層は、任意のスポンジ要素(不図示)を追加的に加えるシーリングにより押し付けられた状態となり得る。
平坦なガラスへの層(チタニア層のような)の一般的なプリント正確度は、およそ+/−2マイクロメートルになり得る。
以下に光色素電池で使用されるさまざまな材料と、文献に発表されているその電気抵抗(オームセンチメートル単位で)のリストを示す。
固有電気抵抗値(オームセンチメートル)
銀 1.5x10−6
銅 1.5x10−6
ニッケル 6.2x10−6
プラチナ 9.6x10−6
アルミニウム 2.4x10−6
チタン 39x10−6
ビスマス 107x10−6
チタンクラッド銅 〜
3x10−6
モリブデン 4.9x10−6
クロム 11.8x10−6
タンタル 12.2x10−6
タングステン 4.8x10−6
炭素 3000x10−6
グラファイト 1000x10−6
窒化チタン 25x10−6
酸化スズ 500x10−6
二酸化チタン 〜
1012
アルミナ結合剤 〜
1014
増感剤色素 〜
109
オームセンチメートル未満で、さらに好ましくは、100x10−6オームセンチメートル未満で、最も好ましくは、50x10−6オームセンチメートル未満の抵抗値を有する。
オームセンチメートル未満、より好ましくは0.05 オームセンチメートル未満、最も好ましくは、0.01未満の抵抗値である。導電性接着剤層64に、または共に使用するのに適した材料は、数位数低い固有電気抵抗値を持つ材料である。
一般に導電性構造体要素と電導セラミック層を包む電気絶縁層(セラミック層68のような)および、絶縁スペーサ層44の表面上に関しては、固有抵抗値は、一般に少なくとも106オームセンチメートルで、好ましくは、少なくとも108オームセンチメートルで、より好ましくは、少なくとも1010−1014オームセンチメートルである。
Claims (31)
- 光源を電気に変化する光電池であって、
(a)少なくとも部分的に透明な電池壁を含み、前記電池壁が内部表面を有する、光起電電池を囲むために設けられたハウジングと、
(b)前記電池壁に配置され、酸化還元種を含む電解質と、
(c)前記光電池内で、前記電池壁の前記内部表面に配置された少なくとも部分的に透明な導電性コーティングと、
(d)(i)間隙が設けられ、該間隙によって分離された複数の連続領域を有し、前記導電性コーティング上に配置され、前記酸化還元種に密接に接触するように設けられた多孔質チタニア・フィルムと、
(ii)前記多孔質フィルムの表面に吸収された色素であって、前記フィルムとともに光を電気に変換するように設けられた色素と、
を有する陽極と、
(e)前記ハウジング内で前記陽極にほぼ対向し、前記電解質経由で、前記多孔質フィルムと電解質連通するよう配置された陰極と、
(f)前記間隙内に配置され、前記陽極と前記導電性コーティングに電気的に接続され、前記多孔質フィルムに接触する少なくとも2つの導電性構造体であって、それぞれ導電性構造要素を含み、少なくとも部分的に導電性セラミック層に囲まれ、少なくとも50マイクロメートル前記多孔質フィルムの前記表面上から突出している突起を形成する少なくとも2つの導電性構造体と、を有し
前記陽極が、前記導電性構造体間に配置された前記多孔質フィルムの全幅に渡って、前記多孔質フィルムの厚さが前記多孔質フィルムの呼び厚さの50%以内、好ましくは30%以内、より好ましくは20%以内、および多孔質フィルムの厚さが、前記多孔質フィルムの前記呼び厚さの15マイクロメートル以内、好ましくは10マイクロメートル以内、またより好ましくはおよそ5マイクロメートル以内であるという構造的特長のうちいずれか一つを有する電池。 - 前記導電性構造体から1mm以内の領域内で、前記多孔質フィルムの前記厚さが前記多孔質フィルムの前記呼び厚さの30%以内であり、またより好ましくは20%以内である請求項1記載の電池。
- 前記導電性構造体から1mm以内の領域で、前記多孔質フィルムの前記厚さが前記多孔質フィルムの前記呼び厚さの10マイクロメートル以内であり、より好ましくはおよそ5マイクロメートル以内である請求項1または請求項2記載の電池。
- 前記導電性構造体間に配置された前記多孔質フィルムの全幅が、前記多孔質フィルムの前記呼び厚さの50%以内、好ましくは30%以内、またより好ましくは20%以内である請求項1〜3のいずれかの一項記載の電池。
- 前記導電性構造体間に配置された前記多孔質フィルムの全幅に渡って、前記多孔質フィルムの前記厚さが前記多孔質フィルムの前記呼び厚さの15マイクロメートル以内であり、好ましくはおよそ10マイクロメートル以内であり、またより好ましくはおよそ5マイクロメートル以内である請求項1〜4のいずれか一項記載の電池。
- 前記導電性構造体要素が金属ストリップまたは金属ワイヤからなる導電性構造体要素群から選択された請求項1〜5のいずれか一項記載の電池。
- 前記導電性構造体要素の固有電気抵抗値が、1200x10−6オームセンチメートル未満であるか、好ましくは、500x10−6オームセンチメートル未満であり、より好ましくは、200x10−6オームセンチメートル未満であり、最も好ましくは、50
x 10−6 オームセンチメートル未満である請求項1〜6のいずれか一項記載の電池。 - 前記陽極と前記陰極がモノリシック配置で配置された請求項1〜7のいずれか一項記載の電池。
- 前記導電性セラミック層が固形の、少なくとも106オームセンチメートルの固有電気抵抗値を持つ電気絶縁層で覆われている請求項1〜8のいずれか一項記載の電池。
- 前記多孔質フィルムの前記表面から前記突起が少なくとも75マイクロメートル、100マイクロメートル、または200マイクロメートル突出している請求項1〜9のいずれか一項記載の電池。
- 前記酸化還元種がヨウ素ベースの酸化還元種を含み、前記透明導電性コーティングが酸化スズを含む請求項1〜10のいずれか一項記載の電池。
- 前記導電性構造体が100から1200マイクロメートルの間の幅を有する請求項1〜11のいずれか一項記載の電池。
- 前記陰極が、
(i)導電性カーボン層と、
(ii)前記カーボン層に関連し、前記酸化還元種の酸化還元反応に触媒作用を及ぼすように設けられた触媒構成要素とを含み、
前記導電性カーボン層は前記触媒要素から前記陰極の電流収集構成要素に電子を転送するように設けられた、請求項1〜12のいずれか一項記載の電池。 - 前記導電性セラミック層の固有電気抵抗値が1.0オームセンチメートル未満であり、好ましくは0.1オームセンチメートル未満であり、より好ましくは0.01オームセンチメートル未満である請求項1〜13のいずれか一項記載の電池。
- 前記陰極が直接前記多孔質チタニア・フィルムに接触する請求項1〜14のいずれか一項記載の電池。
- 前記多孔質チタニア・フィルムと前記陰極間に配置された絶縁スペーサ層をさらに有する請求項1〜14のいずれか一項記載の電池。
- 光源を電気に変換するための光電池を生成する方法であって、
(a)(i)少なくとも部分的に透明な電池壁を有し、前記電池壁が内部表面を有する、光電池を囲むために設けられるハウジングと、
(ii)前記光電池内で、前記電池壁内部表面上に配置された少なくとも部分的に透明な導電性コーティングと、
(iii)多孔質チタニア・フィルムを含む前記導電性コーティングに配置された陽極と、を有し、
前記多孔質フィルムが、少なくとも100マイクロメートルの平均幅を持つ間隙で分けられている第一連続領域と第二連続領域を有する不連続なフィルムである構造を提供するステップと、
(b)その後、少なくとも50マイクロメートルという小さなサイズの導電性構造体要素を前記間隙に沿っておよび間隙内に、前記連続領域間に挿入するステップと、
(c)少なくとも部分的に前記構造体要素を囲み、前記構造要素と前記間隙間を電気的にブリッジするよう、前記構造体要素とともに少なくとも未硬化導電性構造体の一部を形成する導電性接着剤を導入するステップと、
(d)前記未硬化導電性構造体を処理して、第一硬化導電性構造体を光電池の前記陽極内に生成するステップと、を有する方法。 - 前記第二連続領域が、前記多孔質フィルムの第三連続領域から第二硬化導電性構造体を有する第二間隙によって分離される請求項17の方法。
- 前記多孔質フィルムの前記第二連続領域は前記第一と第二硬化導電性構造体によって境界が示され、前記硬化導電性構造体間の前記第二領域の全幅に渡って、前記第二の領域の厚さが、前記第二の領域の呼び厚さの50%以内であり、好ましくは30%以内であり、またさらに好ましくは20%以内である請求項17または請求項18記載の方法。
- 前記導電性構造体から1mm以内の領域で、前記多孔質フィルムの前記厚さが、前記多孔質フィルムの呼び厚さの10マイクロメートル以内であり、より好ましくは、5マイクロメートル以内である請求項17〜19のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記導電性構造体間に配置された前記多孔質フィルムの全幅に渡って、前記多孔質フィルムの前記厚さが前記多孔質フィルムの前記呼び厚さの15マイクロメートル以内であり、好ましくはおよそ10マイクロメートル以内であり、またより好ましくはおよそ5マイクロメートル以内である請求項17〜20のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記導電性構造体要素の固有電気抵抗値が、1200x10−6オームセンチメートル未満であるか、好ましくは、500x10−6オームセンチメートル未満であり、より好ましくは、200x10−6
オームセンチメートル未満であり、最も好ましくは、50x10−6オームセンチメートル未満である請求項17〜21のうちいずれか一項記載の方法。 - 前記第一の硬化導電性構造体が、前記多孔質フィルムの前記第二の連続領域の表面から少なくとも75マイクロメートル突出する突起を形成する請求項17〜22のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記ハウジング内に、陰極を前記陽極にほぼ対向して配置するステップをさらに有する請求項17〜23のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記フィルムと共に光子を電子に変換する色素を前記多孔質フィルムの表面に接触させるステップをさらに有する請求項17〜24のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記多孔質フィルムと前記陰極の間で電解質を介して電解質連通を達成するため、酸化還元種を含む電解質を前記電池壁内に導入するステップをさらに有する請求項17〜25のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記処理の後、前記導電性接着剤の固有電気抵抗値が1.0オームセンチメートル未満であり、好ましくは0.1オームセンチメートル未満であり、より好ましくは0.01オームセンチメートル未満となる請求項17〜26のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記導電性接着剤がセラミック材料を含む請求項17〜27のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記導電性接着剤が窒化チタン、窒化ジルコニウム、ホウ化チタンからなる材料群から選択された導電性材料を含む請求項17〜28のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記電導接着剤がタングステン粒子を含む請求項17〜29のうちいずれか一項記載の方法。
- 光源を電気に変換する光電池であって、請求項17〜30のうちいずれか一項記載の方法で生成される光電池。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US99030707P | 2007-11-27 | 2007-11-27 | |
US60/990,307 | 2007-11-27 | ||
PCT/IL2008/001550 WO2009069129A2 (en) | 2007-11-27 | 2008-11-26 | Large area dye cells, and methods of production thereof |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011505062A true JP2011505062A (ja) | 2011-02-17 |
JP2011505062A5 JP2011505062A5 (ja) | 2012-01-19 |
JP5441916B2 JP5441916B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=40679094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010535510A Expired - Fee Related JP5441916B2 (ja) | 2007-11-27 | 2008-11-26 | 大面積色素電池、及びその生産方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100307581A1 (ja) |
EP (1) | EP2252448A4 (ja) |
JP (1) | JP5441916B2 (ja) |
BR (1) | BRPI0819601A2 (ja) |
MX (1) | MX2010005814A (ja) |
WO (1) | WO2009069129A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9257601B2 (en) | 2011-05-17 | 2016-02-09 | Mcmaster University | Light emitting diodes and substrates |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5621488B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2014-11-12 | ソニー株式会社 | 光電変換装置 |
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- 2008-11-26 US US12/744,914 patent/US20100307581A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-26 WO PCT/IL2008/001550 patent/WO2009069129A2/en active Application Filing
- 2008-11-26 EP EP08853320.3A patent/EP2252448A4/en not_active Withdrawn
- 2008-11-26 JP JP2010535510A patent/JP5441916B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-26 MX MX2010005814A patent/MX2010005814A/es unknown
- 2008-11-26 BR BRPI0819601A patent/BRPI0819601A2/pt not_active IP Right Cessation
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---|---|
JP5441916B2 (ja) | 2014-03-12 |
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US20100307581A1 (en) | 2010-12-09 |
MX2010005814A (es) | 2010-10-28 |
EP2252448A4 (en) | 2017-05-17 |
WO2009069129A2 (en) | 2009-06-04 |
BRPI0819601A2 (pt) | 2016-04-05 |
EP2252448A2 (en) | 2010-11-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |