KR100877517B1 - 염료감응형 태양전지 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
염료감응형 태양전지 및 이의 제조 방법이 개시된다. 염료감응형 태양전지는 탄소나노로드층을 구비한 하부전극; 및 상부전극과 하부전극 사이에 구비되고, 탄소나노튜브를 갖는 염료층을 포함할 수 있다. 본 발명은 금속 전극보다 물리적 특성이 우수한 탄소나노로드 전극을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
태양전지, 탄소나노튜브, 탄소나노로드
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연료감응형 태양전지의 구조를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연료감응형 태양전지 제조 방법을 나타낸 순서도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브 제작에 사용되는 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착장치(HF-PECVD)를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노로드를 포함하는 하부전극의 구조를 상세히 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노로드층을 포함하는 하부전극의 FE-SEM 단면을 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료와 혼합하기 위한 탄소나노튜브의 성장된 모습을 나타낸 도면.
본 발명은 염료감응형 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전도성 탄소나노로드 전극과 탄소나노튜브 도핑에 의한 염료감응형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
세계적으로 화석연료 고갈을 대비하여 대체에너지의 개발이 주목을 받고 있다. 또한, 2005년부터 교토 의정서가 발효되어 CO2 배출가스의 감축이 의무화 되었다.
대체 에너지 기술 중에서 태양전지는 환경오염을 유발하지 않고 무한한 태양에너지를 전기에너지로 바꾸기 때문에 청정에너지로 주목받고 있다.
실리콘 태양전지 제조의 경우 에너지 전환 효율은 높지만 고가의 태양전지 제조 장비로 인해 생산비가 많이 드는 문제점이 있다. 이에 따라 에너지 전환 효율은 조금 낮지만 reel-to-reel printing기술을 이용하여 생산할 경우 낮은 생산비용을 기대할 수 있는 유기 태양에 대한 연구가 한창 진행 중이다.
즉, 유기 태양전지는 무기 태양전지에 비하여 낮은 생산비를 가지고 roll-up 방식의 태양전지 개발, 투명창 태양전지 개발 등의 여러 응용이 가능하지만 낮은 효율이 가장 큰 문제점으로 지적되고 있다.
유기 태양전지의 효율 개선을 위한 노력은 전지를 구성하는 상하부 전극과 전극 사이의 유기물에 관한 연구를 중심으로 이루어지고 있다.
보통 유기 태양전지 내부의 유기물은 낮은 전하 이동도를 가지고 있으며, 이는 유기물 내의 불순물(Impurities)과 결함(defects)들에 의해 전하가 트래핑(trapping)되기 때문이며, 이는 태양전지의 효율과 관련되는 전하 이동도에 직접적인 영향을 미치는 문제점이 있다.
상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 금속 전극보다 물리적 특성이 우수한 탄소나노로드 전극을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제안하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 낮은 전하 이동도를 개선하기 위해 탄소나노튜브를 갖는 염료층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 태양전지 효율과 광특성의 변화를 조절할 수 있는 정적 밴드갭의 조정이 가능한 나노 금속 도핑 효과를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적들은 이하의 실시예에 대한 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면 염료감응형 태양전지는 탄소나노로드층을 구비한 하부전극; 및 상부전극과 상기 하부전극 사이에 구비되고, 탄소나노튜브를 갖는 염료층을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 하부전극은 FTO(Fluorine doped-Tin Oxide) 기판에 상기 탄소나노로드층이 적층된 구조일 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노로드층은 상기 FTO 기판과 상기 탄소나노로드층 사이에 구성된 촉매층을 촉매로 하여 성장된 것일 수 있다.
여기서, 상기 촉매층은 Ti 금속층과 Ni 금속층을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 Ti 금속층과 Ni 금속층은 각각 20, 40 nm의 두께를 가질 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노로드층은 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것일 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노로드층은 400℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 3:1 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것일 수 있다.
여기서, 상기 성장된 탄소나노로드층의 탄소나노로드는 30~50nm의 직경과 300nm이상의 길이를 가질 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노로드층은 5mΩㆍCm 이하의 비저항을 가질 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노튜브는 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것일 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노튜브는 60 nm의 Ti/Ni층을 촉매로 하여 성장된 것일 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노튜브는 600℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸 렌(C2H2)이 126:47 sccm 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것일 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노튜브는 80~100nm의 직경과 5~6μm이상의 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 염료감응형 태양전지 제조방법은 탄소나노로드층을 성장시켜 하부 전극을 형성하는 하부전극형성단계; 탄소나노튜브를 성장시켜 염료층을 형성하는 염료층형성단계; 전도성 산화물이 증착된 상부전극을 형성하는 상부전극형성단계; 및 상기 상부 전극, 상기 염료층 및 상기 하부전극을 합착하고, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전해질을 주입하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 하부전극형성단계는 FTO(Fluorine doped-Tin Oxide) 기판에 Ti 및 Ni를 증착시켜 촉매층을 형성하는 단계; 및 상기 촉매층을 촉매로 하여 탄소나노로드층을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노로드층은 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것일 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노로드층은 400℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 3:1 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것일 수 있다.
상기 염료층형성단계는 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계; 및 상기 성장된 탄소나노튜브를 염료에 소정 시간 동안 침지시켜 혼합 및 흡착하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 탄소나노튜브는 600℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 126:47 sccm 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것일 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접 속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어 전체적인 이해를 용이하게 하기 위하여 도면 번호에 상관없이 동일한 수단에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연료감응형 태양전지의 구조를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 염료감응형 태양전지(100)는 하부 전극(10), 염료층(20) 및 상부 전극(30)을 포함한다.
하부 전극(10)은 기판(11), 촉매층(12) 및 탄소나노로드층(15)을 포함하며, 촉매층(12)은 Ti 금속층(12)과 Ni 금속층(13)을 포함한다. 여기서, 기판(11)은 FTO(Fluorine doped-Tin Oxide)라고 하는 플르오르(F)가 증착된 glass 기판일 수 있다. 기판(11)의 일측 표면에 형성된 Ti 금속층(13)과 Ni 금속층(14)은 마크네트론 스퍼터링법을 이용하여 in-situ로 증착될 수 있다. 탄소나노로드(carbon nanorod)층(15)은 Ti/Ni 금속층(14,15) 위에 형성된 탄소나노로드(carbon nanorod)층(15)은 Hot-filament 플라즈마화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 제작될 수 있다.
또한, 염료층(20)은 탄소나노튜브(CNT, 21)과 염료(22)가 혼합되어 형성될 수 있다. 이때, 탄소나노튜브(21)는 Hot-filament 플라즈마화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 형성될 수 있으며, 염료(22)는 RuL2(NCS)2;L=cis-4.4'-dicarboxyl -2.2'-bipyridine일 수 있다.
상부 전극(30)은 기판(31)과 기판에 증착된 전도성 산화물(32)을 포함한다. 여기서, 기판(11)은 FTO(Fluorine doped-Tin Oxide)라고 하는 플르오르(F)가 증착된 glass 기판일 수 있다. 또한, 전도성 산화물은 TiO2일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연료감응형 태양전지 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명에 따른 연료감응형 태양전지(100) 제조 방법은 탄소나노로드층(15)이 형성된 하부 전극(10)을 형성하는 단계, 탄소나노튜브(21)가 첨가된 염료층(20)을 형성하는 단계, 그리고 전도성 산화물(예를 들어, TiO2)이 증착된 상부전극(30)을 형성하는 단계로 이루어 진다.
도 2을 참조하여 보다 상세히 살펴 보면, 단계 S210은 기판(11)을 진공 챔버 내에 장착하고 기본 진공을 형성 시키는 단계이다. 이때 기판(11)은 FTO(Fluorine doped-Tin Oxide)라고 하는 플르오르(F)가 증착된 glass 기판일 수 있다.
단계 S220은 Ti 금속층(13)과 Ni 금속층(14)을 in-situ로 증착하여 촉매층(12)을 형성하는 단계이다. 이때, 증착 압력은 3 mTorr의 Ar 분위기이고, 인가된 DC 파워는 100W이다. 또한, 증착 시간은 Ti 금속층(13)과 Ni 금속층(14)이 각각 2분 30 및 6분이며, 증착 두께는 각각 20, 40 nm이다.
단계 S230은 Hot filament 플라즈마화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 탄소나노로드층(carbon nanorod layer, 15)를 성장 시키는 단계이다. 이때, 탄소나노로드층(15)은 촉매층(12)이 증착된 샘플을 플라즈마 전처리 한 후, 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 3:1 비율이 되도록 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)을 120:40 sccm으로 혼합한 뒤, 400℃의 온도 조건에서 성장된다. 여기서, 성장된 탄소나노로드층(15)은 300nm 이상의 두께를 가질 수 있다.
단계 S240은 Hot filament 화학기상증착법(HFPECVD)을 이용하여 염료에 혼합하기 위한 탄소나노튜브(21)를 성장시키는 단계이다. 이때, 탄소나노튜브(21)는 암모니아 (NH3)와 아세틸렌 (C2H2) 가스가 혼합된 분위기에서 성장되며, 가스 비율은 126 : 47 sccm고 600℃의 온도에서 성장된다. 또한, 탄소나노튜브는 60 nm의 Ti/Ni층을 촉매로 하여 될 수 있다.
또한 염료층은 성장된 탄소나노튜브(21)를 염료(22)에 소정 시간(예를 들어, 24시간)동안 침지시켜 후, 혼합 및 흡착 과정을 통해 형성된다. 이때, 염료(22)는 RuL2(NCS)2;L=cis-4.4'-dicarboxyl -2.2'-bipyridine일 수 있다.
단계 S250은 전도성 산화물을 Doctor blade technique으로 기판(31) 위에 코팅시켜 상부전극(30)을 형성하는 단계이다. 이때, 전도성 산화물은 TiO2일 수 있다.
마지막으로 염료감응형 태양전지(100) 구조물을 이루기 위해 상부전극(30), 염료층(20) 및 하부전극(10)을 합착하기 위한 단계가 포함되는데, 상부전극과 하부전극을 합착하고, 전해질을 상하부 전극 사이에 전해질을 주입하게 되는데, 이때 사용되는 전해질은 I- / I3- (iodide/triodide, AN-50 : 산화 환원 전해질) 쌍으로써 산화 환원에 의해 하부전극으로부터 전자를 받아 염료에 전달하는 역할을 담당한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브 제작에 사용되는 Hot- filament 플라즈마 화학기상증착장치(HF-PECVD)를 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, Hot-filament 플라즈마 화학기상증착장치 는 챔버 내에 기판지지대(310) 및 텅스텐 필라멘트(W-filament, 320) 그리고 가스분배기(330)를 포함한다. 이때, 반응 가스는 아세틸렌(C2H2) 과 암모니아(NH3)가 사용된다. 텅스텐 필라멘트(320)에 인가되는 열은 탄소나노로드(15)와 탄소나노튜브(21)의 성장온도에 밀접한 관계가 있고, 성장온도는 400∼600℃이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노로드를 포함하는 하부전극의 구조를 상세히 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 하부전극(10)은 FTO(Fluorine doped-Tin Oxide)라고 불리우는 플르오르(F)가 증착된 glass 기판 위에 Ti 금속층(13), Ni 금속층(14) 및 탄소나노로드층(15)이 적층된 구조를 취하고 있다. 이때, 탄소나노로드층(15)은 Hot-filament 플라즈마화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 제작될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노로드층을 포함하는 하부전극의 FE-SEM 단면을 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 FE-SEM 단면은 도 3에 예시된 제작방식을 이용하여 성장된 탄소나노로드층(15) 단면의 FE-SEM 사진이다. 10,000배의 탄소나노로드층(15) 단면에서 확인할 수 있듯이 탄소나노로드는 밀집(dense)된 형태를 가지고 있으며, 탄소나 노로드층(15)의 직경은 대략 30∼50 nm 정도이고, 길이는 300 nm 정도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료와 혼합하기 위한 탄소나노튜브의 성장된 모습을 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 염료와 혼합하기 위한 탄소나노튜브(21)는 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것이다. 이때, 탄소나노튜브(21)의 직경은 80∼100nm 정도이며, 길이는 5∼6μm 정도임을 확인할 수 있으며, 탄소나노튜브(21)의 길이는 5∼6μm 이상일 수 있다.
상기에서 도 1 내지 도 6을 통해 설명한 상세한 설명에서는 전도성 탄소 나노로드(carbon nanorod)와 탄소나노튜브(CNT)를 염료감응형 태양전지에 직접 도입한 구체적인 실시 형태에 관해 설명하였다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 금속 전극보다 물리적 특성이 우수한 탄소나노로드 전극을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있는 효과 가 있다.
또한, 본 발명은 낮은 전하 이동도를 개선하기 위한 탄소나노튜브를 갖는 염료층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 태양전지 효율과 광특성의 변화를 조절할 수 있는 정적 밴드갭의 조정이 가능한 나노 금속 도핑 효과를 제공할 수 있는 효과가 있다.
Claims (19)
- 탄소나노로드층을 구비한 하부전극; 및상부전극과 상기 하부전극 사이에 구비되고, 탄소나노튜브를 갖는 염료층을 포함하되,상기 탄소나노튜브는 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 1에 있어서,상기 하부전극은 FTO(Fluorine doped-Tin Oxide) 기판에 상기 탄소나노로드층이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 2에 있어서,상기 탄소나노로드층은 상기 FTO 기판과 상기 탄소나노로드층 사이에 구성된 촉매층을 촉매로 하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 3에 있어서,상기 촉매층은 Ti 금속층과 Ni 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 4에 있어서,상기 Ti 금속층과 Ni 금속층은 각각 20, 40 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 3에 있어서,상기 탄소나노로드층은 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 6에 있어서,상기 탄소나노로드층은 400℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 3:1 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 3에 있어서,상기 성장된 탄소나노로드층의 탄소나노로드는 30~50nm의 직경과 300nm이상의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 1에 있어서,상기 탄소나노로드층은 5mΩㆍcm 이하의 비저항을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,상기 탄소나노튜브는 60 nm의 Ti/Ni층을 촉매로 하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 1에 있어서,상기 탄소나노튜브는 600℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 126:47 sccm 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 청구항 1에 있어서,상기 탄소나노튜브는 80~100nm의 직경과 5~6μm이상의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 탄소나노로드층을 성장시켜 하부 전극을 형성하는 하부전극형성단계;탄소나노튜브를 성장시켜 염료층을 형성하는 염료층형성단계;전도성 산화물이 증착된 상부전극을 형성하는 상부전극형성단계; 및상기 상부 전극, 상기 염료층 및 상기 하부전극을 합착하고, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조 방법.
- 청구항 14에 있어서,상기 하부전극형성단계는,FTO(Fluorine doped-Tin Oxide) 기판에 Ti 및 Ni를 증착시켜 촉매층을 형성하는 단계; 및상기 촉매층을 촉매로 하여 탄소나노로드층을 성장시키는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조 방법.
- 청구항 14에 있어서,상기 탄소나노로드층은 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법.
- 청구항 16에 있어서,상기 탄소나노로드층은 400℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 3:1 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법.
- 청구항 14에 있어서,상기 염료층형성단계는,Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계; 및상기 성장된 탄소나노튜브를 염료에 소정 시간 동안 침지시켜 혼합 및 흡착하는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조 방법.
- 청구항 18에 있어서,상기 탄소나노튜브는 600℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 126:47 sccm 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법.
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