JP2011502275A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像する複数のミラー（Ｍ１からＭ６）を有する結像光学系（７）であって、
   ミラー（Ｍ１からＭ６）の全ての反射面上への結像光（３）の最大入射角と、
   結像光学系（７）の像側開口数と、
   の比率が３３．８°よりも小さいこと、
   を特徴とする結像光学系（７）。
2. 結像光（１５）が通過するための貫通開口部（２０）を有する少なくとも１つの掩蔽ミラー（Ｍ３からＭ６）を含むことを特徴とする請求項１に記載の結像光学系。
3. 少なくとも３つのミラー、好ましくはちょうど４つのミラー（Ｍ３からＭ６）が掩蔽された６つのミラー（Ｍ１からＭ６）を含むことを特徴とする請求項２に記載の結像光学系。
4. 物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像する複数のミラー（Ｍ１からＭ６）を有する結像光学系（７）であって、
   ミラー（Ｍ１からＭ６）の各々が、１０ｎｍよりも短い波長を有する結像光（３）に対する反射コーティング（８０）を担持し、
   結像光（１５）が通過するための貫通開口部（２０）を有する少なくとも１つの掩蔽ミラー（Ｍ３からＭ６）、
   を含むことを特徴とする結像光学系（７）。
5. 物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像する複数のミラー（Ｍ１からＭ６）を有する結像光学系（７）であって、
   ミラー（Ｍ１からＭ６）の各々が、１０ｎｍよりも短い波長を有する結像光（３）に対する反射コーティング（８０）を担持し、該ミラー（Ｍ１からＭ６）は、５０％よりも大きい平均反射率を有する、
   ことを特徴とする結像光学系（７）。
6. 前記ミラー（Ｍ１からＭ６）の各々は、該ミラー（Ｍ１からＭ６）が６．９ｎｍの波長を有する結像光（３）に対して５８％よりも大きい平均反射率を有するように反射コーティング（８０）を担持することを特徴とする請求項５に記載の結像光学系。
7. １０ｎｍよりも短い波長を有する結像光（３）と共に使用するための結像光学系であって、
   ２０ｎｍよりも良好な、好ましくは１６ｎｍよりも良好な、より好ましくは１１ｎｍよりも良好な、更に好ましくは８ｎｍよりも良好な、更に好ましくは６ｎｍよりも良好な解像力、
   を特徴とする結像光学系。
8. 高々０．５である像側開口数を有する結像光学系であって、
   １６ｎｍよりも良好な、好ましくは１１ｎｍよりも良好な、更に好ましくは８ｎｍよりも良好な、更に好ましくは６ｎｍよりも良好な解像力、
   を特徴とする結像光学系。
9. マイクロリソグラフィのための投影露光装置であって、
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の結像光学系（７）を含み、
   光源（２）を含み、かつ
   照明光（３）を前記結像光学系（７）の物体視野（４）へ誘導するための照明光学系（６）を含む、
   ことを特徴とする装置。
10. 照明光（３）を生成するための前記光源（２）は、１０ｎｍよりも短い波長を用いて構成されることを特徴とする請求項９に記載の投影露光装置。
11. 微細構造構成要素を生成する方法であって、
    レチクル（１０）及びウェーハ（１１）を準備する段階と、
    請求項９又は請求項１０のいずれか１項に記載の投影露光装置を用いて、前記レチクル（１０）上の構造を前記ウェーハ（１１）の感光層上に投影する段階と、
    前記ウェーハ（１１）上に微細構造（Ｂ、Ｃ）を生成する段階と、
    を有することを特徴とする方法。
12. 請求項１１に記載の方法によって生成された微細構造構成要素。