JP2011501466A - 1つまたは複数の発光体を有する照明デバイス、およびその製作方法 - Google Patents
1つまたは複数の発光体を有する照明デバイス、およびその製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011501466A JP2011501466A JP2010531079A JP2010531079A JP2011501466A JP 2011501466 A JP2011501466 A JP 2011501466A JP 2010531079 A JP2010531079 A JP 2010531079A JP 2010531079 A JP2010531079 A JP 2010531079A JP 2011501466 A JP2011501466 A JP 2011501466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- solid state
- light emitter
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 232
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 69
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 16
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000009182 swimming Effects 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 235000019994 cava Nutrition 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Description
この出願は、2007年10月26日に出願された米国特許仮出願第60/982,900号明細書の恩典を請求し、この明細書の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
特許文献1は、発光ダイオードデバイスのクラスタパッケージングを記載し、
特許文献2は、広スペクトル発光デバイス、および広スペクトル発光デバイスを製作するための方法およびシステムを記載し、
特許文献3は、高抵抗基板上に形成されたモノリシック直列/並列発光ダイオードデバイスアレイを記載し、
特許文献4は、AC電流から光を生成するためにヘッダおよび逆並列接続発光ダイオードを有する電子デバイスを記載し、
特許文献5は、多チップ半導体発光ダイオードデバイス組立品を記載し、
特許文献6、7および8は、各々、高ACまたはDC電圧で直接使用するように作られた単一チップ集積発光ダイオードデバイスを記載し、
特許文献9は、高駆動電圧および小駆動電流で動作する発光デバイスを記載し、
特許文献10は、同じ基板上に形成された複数の窒化物半導体層を記載し、これらの層は電気的に互いに分離され、各窒化物半導体層は、導電性ワイヤと電気的に接続されており、
特許文献11は、2以上の発光ダイオードデバイスを同じ半導体基板上に形成することを記載し、
特許文献12は、微小フットプリント薄型白色発光ダイオードデバイス用のウェーハレベルパッケージを記載している。
少なくとも1つの固体発光デバイスを含むモノリシックダイと、
そのダイ上の少なくとも第1の発光体(または、第1の発光体のパターン)と
を備え、第1の発光体(または、第1の発光体のパターン)は、少なくとも1つの固体発光デバイスによって放射される光の第1の部分が第1の発光体(または、第1の発光体のパターン)中へ向けられさらに少なくとも1つの固体発光デバイスによって放射される光の第2の部分が第1の発光体(または、第1の発光体のパターン)中へ向けられないように、モノリシックダイの発光領域の全部未満を覆っている。
ダイ上の少なくとも第2の発光体(または、第2の発光体のパターン)を備え、第2の発光体(または、第2の発光体のパターン)は、光の第1の部分が第2の発光体(または、第2の発光体のパターン)中へ向けられないように第1の発光体(または、第1の発光体のパターン)と実質的に重なっていない。
ダイ上の少なくとも第2の発光体(または、第2の発光体のパターン)をさらに備え、第2の発光体の少なくとも一部は、第1の発光体の少なくとも一部(または、第1のパターンの発光体の少なくとも1つ)に重なり、または、第2の発光体のパターンの第2の発光体の少なくとも1つの少なくとも一部が、第1の発光体の少なくとも一部(または、第1のパターンの発光体の少なくとも1つの少なくとも一部)に重なっている。
第1のパターンの発光体は、第1のサイズの第1の形でかつ第1の濃度で第1の蛍光物質を各々含む発光体から成り、
第2のパターンの発光体は、第1のサイズの第1の形でかつ第2の濃度で第1の蛍光物質を各々含む発光体から成り、
第3のパターンの発光体は、第2のサイズの第1の形でかつ第1の濃度で第1の蛍光物質を各々含む発光体から成り、
第4のパターンの発光体は、第1のサイズの第2の形かつ第1の濃度で第1の蛍光物質を各々含む発光体から成り、
第5のパターンの発光体は、第1のサイズの第1の形でかつ第1の濃度で第2の蛍光物質を各々含む発光体から成り、さらに、
第6のパターンの発光体は、第3のサイズの第3の形でかつ第3の濃度で第3の蛍光物質を各々含む発光体から成る。
第1のパターンの発光体は、第1のサイズの第1の形でかつ第1の濃度で第1の蛍光物質(例えば、これは緑黄色光を放射する、YAGなど)を各々含む発光体から成り、
第2のパターンの発光体は、第1のサイズの第1の形でかつ第2の濃度で第1の蛍光物質を各々含む発光体から成り、
第3のパターンの発光体は、第1のサイズの第1の形でかつ第2の濃度で第2の蛍光物質(例えば、これは赤色光を放射する)を各々含む発光体から成る。
共通基板上に複数の固体発光デバイスを含むモノリシックダイと、
その複数の固体発光デバイスの第1のグループの上の第1の発光体であって、第1のグループがその複数の固体発光デバイスの全部よりも少ないものである第1の発光体と、
その複数の固体発光デバイスのそれぞれのものを電気的に接続するための電気相互接続と
を備える光放射源が提供される。
共通基板上に複数の固体発光デバイスを備えるモノリシックダイと、
その複数の固体発光デバイスのそれぞれのものを電気的に接続するための電気接続と、
複数のユニットセルとを備え、各ユニットセルは複数の固体発光デバイスのグループを含み、ユニットセルの各々は、ユニットセル中のグループの固体発光デバイスの全部未満の上に第1の発光体を備える。
複数の固体発光デバイスを備えるモノリシックダイに少なくとも1つの発光体を、前記ダイの一部だけを覆うように選択的に塗布するステップ
を含む。
共通基板上の複数の固体発光デバイスの選ばれたものに少なくとも1つの発光体を選択的に塗布するステップを含み、その選ばれたものは、複数の固体発光デバイスの全部未満を含む。
複数の固体発光デバイスの第1のグループの上に第1の発光体を塗布するステップと、
複数の固体発光デバイスの第2のグループの上に第2の発光体を塗布するステップと
を含み、第2のグループおよび第1のグループは互いに相容れないものである。
少なくとも1つの固体発光デバイスを含むモノリシックダイと、
ダイ上の第1の発光体(または、第1の発光体のパターン)と、
ダイ上の第2の発光体(または、第2の発光体のパターン)と
を備え、
少なくとも1つの固体発光デバイスによって放射された光の第1の部分は、第1の発光体と第2の発光体の両方を通過し、さらに、
少なくとも1つの固体発光デバイスによって放射された光の第2の部分は、第1の発光体を通過し、第2の発光体を通過しない。
少なくとも1つの固体発光デバイスを備えるモノリシックダイ上に少なくとも第1の発光体(または、第1の発光体のパターン)を選択的に塗布して、初期放射源を形成するステップであって、第1の発光体(または、第1の発光体のパターン)が、モノリシックダイの発光領域の全部未満を覆うステップと、
初期放射源からの光出力を測定する(例えば、放射された光の色を測定する)ステップと、
この測定に基づいて、モノリシックダイ上に少なくとも第2の発光体(または、第2の発光体のパターン)を選択的に塗布して光放射源を形成するステップと
を含む。
(1)「Lighting Device」という名称の2005年12月22日に出願された特許文献16(発明者Gerald H. Negley、代理人整理番号931_003PRO)および2006年12月21日に出願された特許文献17、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(2)「Shifting Spectral Content in LEDs by Spatially Separating Lumiphor Films」という名称の2006年4月24日に出願された特許文献18(発明者Gerald H. Negley およびAntony Paul van de ven、代理人整理番号931_006PRO)および2007年1月19日に出願された特許文献19、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(3)「Lighting Device」という名称の2006年5月26日に出願された特許文献20(発明者Gerald H. NegleyおよびAntony Paul van de Ven、代理人整理番号931_009PRO)および2007年5月22日に出願された特許文献21、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(4)「Solid State Light Emitting Device and Method of Making Same」という名称の2006年5月26日に出願された特許文献22(発明者Gerald H. NegleyおよびNeal Hunter、代理人整理番号931_010PRO)および2007年5月24日に出願された特許文献23、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(5)「Lighting Device and Method of Making」という名称の2006年5月23日に出願された特許文献24(発明者Gerald H. Negley、代理人整理番号931_011PRO)および2007年5月22日に出願された特許文献25、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(6)「LIGHTING DEVICE AND LIGHTING METHOD」という名称の2006年8月23日に出願された特許文献26(発明者Antony Paul van de Ven およびGerald H. Negley、代理人整理番号931_034PRO)および2007年8月22日に出願された特許文献27、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(7)「LIGHTING DEVICE AND LIGHTING METHOD」という名称の2006年11月7日に出願された特許文献28(発明者Antony Paul van de Ven およびGerald H. Negley、代理人整理番号931_027PRO)および2007年11月7日に出願された特許文献29、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(8)「LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME」という名称の2006年10月12日に出願された特許文献30(発明者Gerald H. Negley、代理人整理番号931_041PRO)および2007年10月11日に出願された特許文献31、に記載され、ここにこれらの全体が参照により組み込まれる。
(1)FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS, SYSTEMS INCORPORATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS AND METHODS OF FABRICATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERSという名称の、同一出願人により同時に出願された特許出願(代理人整理番号931_056NP、発明者Gerald H. Negley およびAntony Paul van de Ven)、ここにこの開示はあたかもその全体が示されたかのように参照により本明細書に組み込まれ、並びに、「HIGH VOLTAGE SOLID STATE LIGHT EMITTER」という名称の2007年1月22日に出願された特許文献32(発明者Gerald H. Negley、代理人整理番号931_056PRO)、「FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS, SYSTEMS INCORPORATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS AND METHODS OF FABRICATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS」という名称の2007年10月26日に出願された特許文献33(発明者Gerald H. Negley およびAntony Paul van de Ven、代理人整理番号931_056PRO2)、および2007年11月9日に出願された特許文献34(代理人整理番号931_056PRO3)、ここに、これらの全体が、参照にして組み込まれ、および/または、
(2)ILLUMINATION DEVICES USING INTERCONNECTED ARRAYS OF LIGHT EMITTING DEVICES, AND METHODS OF FABRICATING SAMEという名称の同一出願人により同時に出願された特許出願(代理人整理番号931_078NP、発明者Gerald H. Negley およびAntony Paul van de Ven)、この開示はあたかもその全体が示されたかのように参照により本明細書に組み込まれ、並びに、「ILLUMINATION DEVICES USING EXTERNALLY INTERCONNECTED ARRAYS OF LIGHT EMITTING DEVICES, AND METHODS OF FABRICATING SAME」という名称の2007年10月26日に出願された特許文献35(発明者Gerald H. Negley およびAntony Paul van de Ven、代理人整理番号931_078PRO)および2007年11月9日に出願された特許文献36に記載され、ここにこれらの全体が参照により組み込まれる。
(1)「Lighting Device」という名称の2005年12月21日に出願された特許文献37(発明者Gerald H. Negley、Antony Paul van de VenおよびNeal Hunter、代理人整理番号931_002PRO)および2006年12月20日に出願された特許文献38と、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(2)「Lighting Device」という名称の2006年5月5日に出願された特許文献39(発明者Antony Paul van de Ven、代理人整理番号931_008PRO)および2007年5月3日に出願された特許文献40と、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(3)「Lighting Device With Cooling」という名称の2006年6月1日に出願された特許文献41(発明者Thomas G. Coleman、Gerald H. NegleyおよびAntony Paul van de Ven、代理人整理番号931_007PRO)および2007年1月24日に出願された特許文献42と、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(4)「LIGHTING DEVICE AND METHOD OF LIGHTING」という名称の2006年5月31日に出願された特許文献43(発明者Gerald H. Negley、代理人整理番号931_018PRO)および2007年5月30日に出願された特許文献44と、ここにこれらの全体が参照により組み込まれ、
(5)「BOOST/FLYBACK POWER SUPPLY TOPOLOGY WITH LOW SIDE MOSFET CURRENT CONTROL」という名称の2006年9月13日に出願された特許文献45(発明者Peter Jay Myers、代理人整理番号931_020PRO)および2007年9月13日に出願された特許文献46とに記載され、ここにこれらの全体が参照により組み込まれる。
本発明内容は、さらに、囲われた空間と、本発明内容に従った少なくとも1つの照明デバイスとを備える照明された囲われた場所(その体積は、均一にまたは不均一に照明されることがある)に関し、照明デバイスは、囲われた場所の少なくとも一部を(均一に、または不均一に)照明する。
Claims (48)
- 光放射源であって、
少なくとも1つの固体発光デバイスを含むモノリシックダイと、
前記ダイ上の少なくとも第1の発光体とを備え、
前記第1の発光体は、前記少なくとも1つの固体発光デバイスによって放射される光の第1の部分が前記第1の発光体中へ向けられ、さらに前記少なくとも1つの固体発光デバイスによって放射される光の第2の部分が前記第1の発光体中へ向けられないように、前記モノリシックダイの発光領域の全部未満を覆っていることを特徴とする、光放射源。 - 前記ダイ上の少なくとも第2の発光体
をさらに備え、
前記第2の発光体は、光の前記第1の部分が前記第2の発光体中へ向けられないように前記第1の発光体と実質的に重なっていないことを特徴とする請求項1に記載の光放射源。 - 前記第1の発光体は、第1の蛍光物質を含み、前記第2の発光体は、第2の蛍光物質を含み、前記第2の蛍光物質は前記第1の蛍光物質と異なることを特徴とする請求項2に記載の光放射源。
- 前記第1の発光体は、第1の形であり、前記第2の発光体は、第2の形であり、前記第2の形は前記第1の形と異なることを特徴とする請求項2に記載の光放射源。
- 前記第1の発光体は、第1の濃度の蛍光物質を含み、前記第2の発光体は、第2の濃度の蛍光物質を含み、前記第2の濃度は前記第1の濃度と異なることを特徴とする請求項2に記載の光放射源。
- 前記第1の発光体は、第1の蛍光物質を含み、前記第2の発光体は、第2の蛍光物質を含み、前記第2の蛍光物質は前記第1の蛍光物質と異なることを特徴とする請求項5に記載の光放射源。
- 前記第1の発光体は、第1のサイズであり、前記第2の発光体は、第2のサイズであり、前記第2のサイズは前記第1のサイズと異なることを特徴とする請求項2に記載の光放射源。
- 前記ダイ上の少なくとも第2の発光体
をさらに備え、
前記第2の発光体の少なくとも一部は、光の前記第1の部分の少なくとも一部分がまた前記第2の発光体中へも向けられるように前記第1の発光体の少なくとも一部に重なることを特徴とする請求項1に記載の光放射源。 - 前記第1の発光体は、第1の蛍光物質を含み、前記第2の発光体は、第2の蛍光物質を含み、前記第2の蛍光物質は前記第1の蛍光物質と異なることを特徴とする請求項8に記載の光放射源。
- 前記第1の発光体は、第1の複数の発光体を備える第1の発光体パターンの一部分であり、前記第1の複数の発光体の各々は第1の蛍光物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の光放射源。
- 前記第2の発光体は、第2の複数の発光体を備える第2の発光体パターンの一部分であり、前記第2の複数の発光体の各々は第2の蛍光物質を含むことを特徴とする請求項10に記載の光放射源。
- 前記第1の複数の発光体の各々は、前記第2の複数の発光体の各々と実質的に重なっていないことを特徴とする請求項11に記載の光放射源。
- 前記第1の複数の発光体の各々は、前記第2の複数の発光体の少なくとも1つの少なくとも一部に重なることを特徴とする請求項11に記載の光放射源。
- 前記少なくとも1つの固体発光デバイスによって放射される光の第3の部分は、前記第2の発光体中へ向けられ、
前記少なくとも1つの固体発光デバイスダイによって放射される光の前記第3の部分は、前記第1の発光体中へ向けられず、さらに、
光の前記第2の部分は、前記第2の発光体中へ向けられないことを特徴とする請求項2に記載の光放射源。 - 前記少なくとも1つの固体発光デバイスは、単一固体発光デバイスから成ることを特徴とする請求項1に記載の光放射源。
- 前記少なくとも1つの固体発光デバイスは、複数の固体発光デバイスを共通基板上に備えることを特徴とする請求項1に記載の光放射源。
- 前記少なくとも1つの固体発光デバイスは、1つまたは複数の発光ダイオードデバイスを備えることを特徴とする請求項1に記載の光放射源。
- 共通基板上に複数の固体発光デバイスを含むモノリシックダイと、
前記複数の固体発光デバイスの第1のグループの上の第1の発光体であって、前記第1のグループが前記複数の固体発光デバイスの全部よりも少ない、第1の発光体と、
前記複数の固体発光デバイスのそれぞれのものを電気的に接続するための電気相互接続と
を備えることを特徴とする光放射源。 - 前記電気相互接続は、前記複数の固体発光デバイスを接続して、並列接続固体発光デバイスの直列接続部分集合のアレイにすることを特徴とする請求項18に記載の光放射源。
- 前記複数の固体発光デバイスの第2のグループの上に第2の発光体をさらに備え、固体発光デバイスの前記第2のグループと固体発光デバイスの前記第1のグループは互いに相容れないものであることを特徴とする請求項19に記載の光放射源。
- 前記第2のグループおよび前記第1のグループは、共に、前記複数の固体発光デバイスの全部を前記共通基板上に備えることを特徴とする請求項20に記載の光放射源。
- 第2の発光体をさらに備え、前記第2の発光体は、少なくとも部分的に前記第1の発光体に重なることを特徴とする請求項19に記載の光放射源。
- 前記複数の固体発光デバイスの前記第1のグループは、個別に、並列接続固体発光デバイスの直列接続部分集合の第1のアレイとして接続され、前記複数の固体発光デバイスの残りのものは、少なくとも直列接続固体発光デバイスの第2のアレイとして接続されることを特徴とする請求項19に記載の光放射源。
- 前記第1のグループと前記第2のグループは、電気的に並列に接続されることを特徴とする請求項23に記載の光放射源。
- 前記第1のグループおよび前記第2のグループは、個別に制御可能であるように電気的に接続されることを特徴とする請求項23に記載の光放射源。
- 前記第1のグループの固体発光デバイスは、前記複数の固体発光デバイスの全体にわたって分散されることを特徴とする請求項23に記載の光放射源。
- 前記光放射源は、前記複数の固体発光デバイスに電流が流れるとき、白色と知覚される光を生成することを特徴とする請求項18に記載の光放射源。
- 光放射源であって、
共通基板上に複数の固体発光デバイスを含むモノリシックダイと、
前記複数の固体発光デバイスのそれぞれのものを電気的に接続するための電気接続と、
複数のユニットセルと
を備え、
各ユニットセルは、前記複数の固体発光デバイスのグループを含み、前記ユニットセルの各々は、前記ユニットセル中の固体発光デバイスの前記グループの全部未満の上に第1の発光体を備えることを特徴とする、光放射源。 - 前記ユニットセルの各々は、前記第1の発光体がその上に形成されている固体発光デバイス以外の、前記ユニットセル中の固体発光デバイス上に、前記第1の発光体と異なる第2の発光体をさらに備えることを特徴とする請求項28に記載の光放射源。
- 前記ユニットセルの各々は、前記第1の発光体と異なる第2の発光体をさらに備え、前記第2の発光体は、前記第1の発光体に少なくとも部分的に重なることを特徴とする請求項28に記載の光放射源。
- 前記ユニットセルの各々は、前記第1の発光体がその上に形成されている固体発光デバイスまたは前記第2の発光体がその上に形成されている固体発光デバイス以外の、前記ユニットセル中の固体発光デバイス上に、前記第1の発光体および前記第2の発光体と異なる第3の発光体をさらに備えることを特徴とする請求項29に記載の光放射源。
- 前記複数のユニットセル中の固体発光デバイスは、固体発光デバイスの直列接続部分集合のアレイになるように電気的に接続され、前記部分集合の各々は、電気的に並列に接続された複数の固体発光ダイオードを備えることを特徴とする請求項28に記載の光放射源。
- 前記第1の蛍光体がその上に形成されている固体発光デバイスは、直列接続部分集合の状態で、前記第1の蛍光体がその上に形成されていない固体発光デバイスと電気的に並列に接続されることを特徴とする請求項32に記載の光放射源。
- 前記光放射源によって生成された光は、白色光として知覚されることを特徴とする請求項28に記載の光放射源。
- 光放射源を製作する方法であって、
複数の固体発光デバイスを備えるモノリシックダイに少なくとも1つの発光体を、前記ダイの一部だけを覆うように選択的に塗布するステップを含むことを特徴とする、方法。 - 少なくとも1つの発光体を選択的に塗布する前記ステップは、複数の発光体を、前記ダイの実質的に重なっていない複数の部分になるように選択的に塗布するステップを含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。
- 少なくとも1つの発光体を選択的に塗布する前記ステップは、複数の発光体を、前記ダイの少なくとも部分的に重なり合う複数の部分になるように選択的に塗布するステップを含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。
- 前記ダイの少なくとも一部は、その上に発光体を有しないことを特徴とする請求項36に記載の方法。
- 光放射源を製作する方法であって、共通基板上の複数の固体発光デバイスの選ばれたものに少なくとも1つの発光体を選択的に塗布するステップを含み、前記選ばれたものは、前記複数の固体発光デバイスの全部未満を含むことを特徴とする、方法。
- 少なくとも1つの発光体を選択的に塗布する前記ステップは、
前記複数の固体発光デバイスの第1のグループの上に第1の発光体を塗布するステップと、
前記複数の固体発光デバイスの第2のグループの上に第2の発光体を塗布するステップと
を含み、
前記第2のグループおよび前記第1のグループが互いに相容れないものであることを特徴とする請求項39に記載の方法。 - 少なくとも1つの発光体を選択的に塗布する前記ステップは、
前記複数の固体発光デバイスの第1のグループの上に第1の発光体を塗布するステップと、
前記複数の固体発光デバイスの第2のグループの上に第2の発光体を塗布するステップと
を含み、
前記第2のグループ中の前記固体発光デバイスの少なくともいくつかがまた前記第1のグループにも属していることを特徴とする請求項39に記載の方法。 - 選択的に塗布する前記ステップが、発光体のユニットセルの繰返しパターンになるように複数の発光体を前記複数の固体発光デバイス上に選択的に塗布するステップを含み、前記ユニットセルが、前記複数の発光体の各々がその上に形成されている少なくとも1つの固体発光デバイスを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
- 前記複数の固体発光デバイスを、並列接続固体発光デバイスの直列接続部分集合のアレイになるように電気的に接続するステップをさらに含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
- 光放射源であって、
少なくとも1つの固体発光デバイスを含むモノリシックダイと、
前記ダイ上の少なくとも第1の発光体と、
前記ダイ上の少なくとも第2の発光体と
を備え、
前記少なくとも1つの固体発光デバイスによって放射される光の第1の部分は、前記第1の発光体と前記第2の発光体の両方を通過し、さらに、
前記少なくとも1つの固体発光デバイスによって放射される光の第2の部分は、前記第1の発光体を通過し、前記第2の発光体を通過しないことを特徴とする、光放射源。 - 前記第1の発光体は、第1の複数の発光体を備える第1の発光体パターンの一部分であり、前記第1の複数の発光体の各々は、第1の蛍光物質を含むことを特徴とする請求項44に記載の光放射源。
- 前記第2の発光体は、第2の複数の発光体を備える第2の発光体パターンの一部分であり、前記第2の複数の発光体の各々は、第2の蛍光物質を含むことを特徴とする請求項45に記載の光放射源。
- 光放射源を製作する方法であって、
少なくとも1つの固体発光デバイスを備えるモノリシックダイ上に少なくとも第1の発光体を選択的に塗布して初期放射源を形成するステップであって、前記第1の発光体が前記モノリシックダイの発光領域の全部未満を覆うステップと、
前記初期放射源からの光出力を測定するステップと、
前記モノリシックダイ上に少なくとも第2の発光体を選択的に塗布して前記光放射源を形成するステップと
を含むことを特徴とする、方法。 - 前記第1の発光体は、第2の蛍光物質を含み、前記第2の発光体は、第2の蛍光物質を含み、前記第1の蛍光物質は前記第2の蛍光物質と異なることを特徴とする請求項47に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US98290007P | 2007-10-26 | 2007-10-26 | |
PCT/US2008/051633 WO2009055079A1 (en) | 2007-10-26 | 2008-01-22 | Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011501466A true JP2011501466A (ja) | 2011-01-06 |
Family
ID=39540657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010531079A Pending JP2011501466A (ja) | 2007-10-26 | 2008-01-22 | 1つまたは複数の発光体を有する照明デバイス、およびその製作方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090108269A1 (ja) |
EP (1) | EP2203938A1 (ja) |
JP (1) | JP2011501466A (ja) |
KR (1) | KR101525274B1 (ja) |
CN (1) | CN101836297A (ja) |
TW (1) | TW200919696A (ja) |
WO (1) | WO2009055079A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014045089A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
JP2016532295A (ja) * | 2013-08-21 | 2016-10-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法 |
JP2017504216A (ja) * | 2014-01-23 | 2017-02-02 | 中国科学院蘇州納米技術与納米▲ファン▼生研究所 | ウエハレベル半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2020021936A (ja) * | 2018-07-19 | 2020-02-06 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 半導体ダイ |
Families Citing this family (101)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355284B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-04-08 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element |
US8125137B2 (en) | 2005-01-10 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same |
US7564180B2 (en) | 2005-01-10 | 2009-07-21 | Cree, Inc. | Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors |
US8278846B2 (en) * | 2005-11-18 | 2012-10-02 | Cree, Inc. | Systems and methods for calibrating solid state lighting panels |
WO2007061815A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-31 | Cree, Inc. | Solid state lighting device |
US8514210B2 (en) | 2005-11-18 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements |
US7821194B2 (en) * | 2006-04-18 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
US8998444B2 (en) * | 2006-04-18 | 2015-04-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
US8258682B2 (en) * | 2007-02-12 | 2012-09-04 | Cree, Inc. | High thermal conductivity packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods |
US7848468B2 (en) * | 2007-03-08 | 2010-12-07 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Adaptive pilot symbol allocation method and apparatus |
EP2153112B1 (en) | 2007-05-08 | 2016-05-04 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
EP2469151B1 (en) | 2007-05-08 | 2018-08-29 | Cree, Inc. | Lighting devices and methods for lighting |
US20090039375A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same |
US7863635B2 (en) * | 2007-08-07 | 2011-01-04 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials |
US7994524B1 (en) * | 2007-09-12 | 2011-08-09 | David Yaunien Chung | Vertically structured LED array light source |
US8946987B2 (en) * | 2007-11-07 | 2015-02-03 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device and fabricating method thereof |
US8350461B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-01-08 | Cree, Inc. | Apparatus and methods for combining light emitters |
KR101448153B1 (ko) * | 2008-06-25 | 2014-10-08 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자 |
JP2010103522A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 遅延蛍光体を備える交流駆動型の発光素子及び発光素子モジュール |
US8858032B2 (en) * | 2008-10-24 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device, heat transfer structure and heat transfer element |
US8445824B2 (en) * | 2008-10-24 | 2013-05-21 | Cree, Inc. | Lighting device |
US10197240B2 (en) | 2009-01-09 | 2019-02-05 | Cree, Inc. | Lighting device |
AU2010211671A1 (en) * | 2009-02-05 | 2011-09-01 | Ccs Inc. | LED light emitting device |
US8563963B2 (en) * | 2009-02-06 | 2013-10-22 | Evergrand Holdings Limited | Light-emitting diode die packages and methods for producing same |
US8333631B2 (en) * | 2009-02-19 | 2012-12-18 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
US7967652B2 (en) | 2009-02-19 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
TWI466266B (zh) * | 2009-02-24 | 2014-12-21 | Epistar Corp | 陣列式發光元件及其裝置 |
US8950910B2 (en) | 2009-03-26 | 2015-02-10 | Cree, Inc. | Lighting device and method of cooling lighting device |
JP2012526394A (ja) | 2009-05-05 | 2012-10-25 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Ledとともに使用するための再発光半導体キャリア素子及び製造方法 |
EP2427921A1 (en) | 2009-05-05 | 2012-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor devices grown on indium-containing substrates utilizing indium depletion mechanisms |
US8337030B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-25 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods |
US9841162B2 (en) | 2009-05-18 | 2017-12-12 | Cree, Inc. | Lighting device with multiple-region reflector |
US8921876B2 (en) * | 2009-06-02 | 2014-12-30 | Cree, Inc. | Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements |
EP2449609A1 (en) | 2009-06-30 | 2012-05-09 | 3M Innovative Properties Company | Cadmium-free re-emitting semiconductor construction |
WO2011002686A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 3M Innovative Properties Company | White light electroluminescent devices with adjustable color temperature |
CN102473816B (zh) * | 2009-06-30 | 2015-03-11 | 3M创新有限公司 | 基于电流拥挤调节颜色的电致发光装置 |
US8273588B2 (en) * | 2009-07-20 | 2012-09-25 | Osram Opto Semiconductros Gmbh | Method for producing a luminous device and luminous device |
US8716952B2 (en) * | 2009-08-04 | 2014-05-06 | Cree, Inc. | Lighting device having first, second and third groups of solid state light emitters, and lighting arrangement |
US8648546B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-02-11 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more saturated light emitters, and method of lighting |
US9605844B2 (en) | 2009-09-01 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Lighting device with heat dissipation elements |
FI20095967A (fi) | 2009-09-18 | 2011-03-19 | Valoya Oy | Valaisinsovitelma |
US9713211B2 (en) | 2009-09-24 | 2017-07-18 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof |
US10264637B2 (en) | 2009-09-24 | 2019-04-16 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus with compensation bypass circuits and methods of operation thereof |
US8901845B2 (en) | 2009-09-24 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods |
US9353933B2 (en) | 2009-09-25 | 2016-05-31 | Cree, Inc. | Lighting device with position-retaining element |
US8602579B2 (en) | 2009-09-25 | 2013-12-10 | Cree, Inc. | Lighting devices including thermally conductive housings and related structures |
US9464801B2 (en) | 2009-09-25 | 2016-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device with one or more removable heat sink elements |
US9285103B2 (en) | 2009-09-25 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Light engines for lighting devices |
US8777449B2 (en) | 2009-09-25 | 2014-07-15 | Cree, Inc. | Lighting devices comprising solid state light emitters |
US8845137B2 (en) * | 2009-09-25 | 2014-09-30 | Cree, Inc. | Lighting device having heat dissipation element |
US9068719B2 (en) | 2009-09-25 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light engines for lighting devices |
CN102630288B (zh) | 2009-09-25 | 2015-09-09 | 科锐公司 | 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备 |
WO2011037876A1 (en) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | Cree, Inc. | Lighting device having heat dissipation element |
US9217542B2 (en) | 2009-10-20 | 2015-12-22 | Cree, Inc. | Heat sinks and lamp incorporating same |
US9030120B2 (en) | 2009-10-20 | 2015-05-12 | Cree, Inc. | Heat sinks and lamp incorporating same |
US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
US8508116B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-08-13 | Cree, Inc. | Lighting device with multi-chip light emitters, solid state light emitter support members and lighting elements |
US10147850B1 (en) * | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US8905588B2 (en) * | 2010-02-03 | 2014-12-09 | Sorra, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US9175811B2 (en) | 2010-02-12 | 2015-11-03 | Cree, Inc. | Solid state lighting device, and method of assembling the same |
WO2011100193A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Cree, Inc. | Lighting device with heat dissipation elements |
EP2534407A2 (en) | 2010-02-12 | 2012-12-19 | Cree, Inc. | Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters |
US8773007B2 (en) | 2010-02-12 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters |
US9518715B2 (en) * | 2010-02-12 | 2016-12-13 | Cree, Inc. | Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters |
JP2011171557A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Toshiba Corp | 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置 |
EP2367203A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-21 | Samsung LED Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same |
KR101665932B1 (ko) * | 2010-02-27 | 2016-10-13 | 삼성전자주식회사 | 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치 |
US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
US20110220920A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | Brian Thomas Collins | Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices |
US8643038B2 (en) * | 2010-03-09 | 2014-02-04 | Cree, Inc. | Warm white LEDs having high color rendering index values and related luminophoric mediums |
US8476836B2 (en) | 2010-05-07 | 2013-07-02 | Cree, Inc. | AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments |
US8684559B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Solid state light source emitting warm light with high CRI |
TWI601280B (zh) * | 2010-07-19 | 2017-10-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
TWI557875B (zh) * | 2010-07-19 | 2016-11-11 | 晶元光電股份有限公司 | 多維度發光裝置 |
US9648673B2 (en) | 2010-11-05 | 2017-05-09 | Cree, Inc. | Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters |
US8556469B2 (en) | 2010-12-06 | 2013-10-15 | Cree, Inc. | High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires |
US8530909B2 (en) * | 2010-12-27 | 2013-09-10 | Micron Technology, Inc. | Array assemblies with high voltage solid state lighting dies |
US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
WO2013101280A2 (en) | 2011-04-11 | 2013-07-04 | Cree, Inc. | Solid state lighting device including green shifted red component |
US9839083B2 (en) | 2011-06-03 | 2017-12-05 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus and circuits including LED segments configured for targeted spectral power distribution and methods of operating the same |
JP5970161B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2016-08-17 | ローム株式会社 | フォトカプラ装置 |
JP5869237B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2016-02-24 | ローム株式会社 | フォトカプラ装置 |
DE102011077644A1 (de) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | Osram Ag | Leuchtvorrichtung mit Metallisierungsbereich bestückt mit Halbleiterleuchtchip |
US8742671B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-06-03 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry |
US8884508B2 (en) | 2011-11-09 | 2014-11-11 | Cree, Inc. | Solid state lighting device including multiple wavelength conversion materials |
DE102012101393A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102012217521A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US20140209961A1 (en) * | 2013-01-30 | 2014-07-31 | Luxo-Led Co., Limited | Alternating current light emitting diode flip-chip |
US9324692B2 (en) * | 2013-02-18 | 2016-04-26 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Transparent LED layer between phosphor layer and light exit surface of lamp |
TWM458672U (zh) * | 2013-04-10 | 2013-08-01 | Genesis Photonics Inc | 光源模組 |
WO2015052616A1 (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-16 | Koninklijke Philips N.V. | Monolithic led arrays for uniform and high-brightness light sources |
KR102145208B1 (ko) * | 2014-06-10 | 2020-08-19 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 제조방법 |
US10257901B2 (en) * | 2014-09-03 | 2019-04-09 | Osram Gmbh | LED dental light source with variable chromaticity and method |
KR102415331B1 (ko) * | 2015-08-26 | 2022-06-30 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치 |
JP6114842B2 (ja) * | 2016-01-07 | 2017-04-12 | ローム株式会社 | フォトカプラ |
US10222681B2 (en) | 2016-11-07 | 2019-03-05 | Limileds LLC | Segmented light or optical power emitting device with fully converting wavelength converting material and methods of operation |
US10600385B2 (en) * | 2016-11-11 | 2020-03-24 | Dell Products, Lp | System and method for contextually managing digital display blue light intensity |
US11404610B2 (en) * | 2019-05-22 | 2022-08-02 | Electronic Theatre Controls, Inc. | Light fixture with broadband and narrow band emitters |
KR102242007B1 (ko) * | 2019-08-13 | 2021-04-19 | 아이디씨코리아 주식회사 | 발광소자 다이 어레이를 이용한 조명 장치 및 그 제조방법 |
CN113571625B (zh) * | 2021-06-08 | 2022-09-30 | 广东省大湾区华南理工大学聚集诱导发光高等研究院 | 一种聚集诱导发光荧光粉封装led光源及其制备方法 |
US11547063B1 (en) * | 2022-05-18 | 2023-01-10 | Creeled, Inc. | Light-emitting devices for horticulture applications |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111109A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2002359402A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Lumileds Lighting Us Llc | 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列ledアレイ |
JP2003124528A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led照明装置およびカード型led照明光源 |
JP2005229037A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Kankyo Shomei:Kk | 発光ダイオード点灯回路 |
JP2007034680A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Fujitsu Ltd | システムシミュレーション方法 |
JP2008523583A (ja) * | 2004-12-06 | 2008-07-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | コンパクトな色可変光源としてのシングルチップled |
JP2009509326A (ja) * | 2005-09-19 | 2009-03-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 可変色の発光装置及びその制御方法 |
Family Cites Families (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4918497A (en) * | 1988-12-14 | 1990-04-17 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
US5027168A (en) * | 1988-12-14 | 1991-06-25 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
US4966862A (en) * | 1989-08-28 | 1990-10-30 | Cree Research, Inc. | Method of production of light emitting diodes |
US5210051A (en) * | 1990-03-27 | 1993-05-11 | Cree Research, Inc. | High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride |
US5416342A (en) * | 1993-06-23 | 1995-05-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency |
US5338944A (en) * | 1993-09-22 | 1994-08-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with degenerate junction structure |
US5393993A (en) * | 1993-12-13 | 1995-02-28 | Cree Research, Inc. | Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices |
US6958093B2 (en) * | 1994-01-27 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same |
US5604135A (en) * | 1994-08-12 | 1997-02-18 | Cree Research, Inc. | Method of forming green light emitting diode in silicon carbide |
US5523589A (en) * | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
US5631190A (en) * | 1994-10-07 | 1997-05-20 | Cree Research, Inc. | Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures |
US5739554A (en) * | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
JP3146237B2 (ja) * | 1995-11-10 | 2001-03-12 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
US5779924A (en) * | 1996-03-22 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Ordered interface texturing for a light emitting device |
CN1264228C (zh) * | 1996-06-26 | 2006-07-12 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 发光半导体器件、全色发光二极管显示装置及其应用 |
DE19640594B4 (de) * | 1996-10-01 | 2016-08-04 | Osram Gmbh | Bauelement |
US6043509A (en) * | 1996-12-13 | 2000-03-28 | Hitachi Cable, Ltd. | Light-emitting diode having moisture-proof characteristics and high output power |
US6201262B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-03-13 | Cree, Inc. | Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure |
US6071795A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
US6294800B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-09-25 | General Electric Company | Phosphors for white light generation from UV emitting diodes |
US6278135B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-08-21 | General Electric Company | Green-light emitting phosphors and light sources using the same |
US6504180B1 (en) * | 1998-07-28 | 2003-01-07 | Imec Vzw And Vrije Universiteit | Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom |
US5959316A (en) * | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
DE69937993C5 (de) * | 1998-09-28 | 2019-01-10 | Koninklijke Philips N.V. | Beleuchtungsanordnung |
US6429583B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-08-06 | General Electric Company | Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors |
US6373188B1 (en) * | 1998-12-22 | 2002-04-16 | Honeywell International Inc. | Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output |
US20010042866A1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-22 | Carrie Carter Coman | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
US6320206B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks |
US6597179B2 (en) * | 1999-11-19 | 2003-07-22 | Gelcore, Llc | Method and device for remote monitoring of LED lamps |
US6513949B1 (en) * | 1999-12-02 | 2003-02-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED/phosphor-LED hybrid lighting systems |
US6350041B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-02-26 | Cree Lighting Company | High output radial dispersing lamp using a solid state light source |
US6885035B2 (en) * | 1999-12-22 | 2005-04-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Multi-chip semiconductor LED assembly |
US6577073B2 (en) * | 2000-05-31 | 2003-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led lamp |
US6737801B2 (en) * | 2000-06-28 | 2004-05-18 | The Fox Group, Inc. | Integrated color LED chip |
US6642666B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-11-04 | Gelcore Company | Method and device to emulate a railway searchlight signal with light emitting diodes |
US6888529B2 (en) * | 2000-12-12 | 2005-05-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Control and drive circuit arrangement for illumination performance enhancement with LED light sources |
AT410266B (de) * | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
US6791119B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
US6958497B2 (en) * | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
DE10137042A1 (de) * | 2001-07-31 | 2003-02-20 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Planare Lichtquelle auf LED-Basis |
US7858403B2 (en) * | 2001-10-31 | 2010-12-28 | Cree, Inc. | Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices |
US6635503B2 (en) * | 2002-01-28 | 2003-10-21 | Cree, Inc. | Cluster packaging of light emitting diodes |
US6841802B2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-01-11 | Oriol, Inc. | Thin film light emitting diode |
ATE543221T1 (de) * | 2002-09-19 | 2012-02-15 | Cree Inc | Leuchtstoffbeschichtete leuchtdioden mit verjüngten seitenwänden und herstellungsverfahren dafür |
US7009199B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current |
US7213942B2 (en) * | 2002-10-24 | 2007-05-08 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
DE10306767A1 (de) * | 2003-02-18 | 2004-08-26 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Halbleitermodul |
US7005679B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
US7268370B2 (en) * | 2003-06-05 | 2007-09-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phosphor, semiconductor light emitting device, and fabrication method thereof |
US7029935B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
US20050133808A1 (en) * | 2003-09-11 | 2005-06-23 | Kyocera Corporation | Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus |
CA2545628A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-26 | Cree, Inc. | Methods of processing semiconductor wafer backsides having light emitting devices (leds) thereon and leds so formed |
US20050116635A1 (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-02 | Walson James E. | Multiple LED source and method for assembling same |
TW200531315A (en) * | 2004-01-26 | 2005-09-16 | Kyocera Corp | Wavelength converter, light-emitting device, method of producing wavelength converter and method of producing light-emitting device |
US7250715B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-07-31 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength converted semiconductor light emitting devices |
EP1571715A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-07 | Nan Ya Plastics Corporation | Method for producing white light emission by means of secondary light exitation and its product |
US7202181B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-04-10 | Cres, Inc. | Etching of substrates of light emitting devices |
US7419912B2 (en) * | 2004-04-01 | 2008-09-02 | Cree, Inc. | Laser patterning of light emitting devices |
WO2005104247A1 (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led照明光源の製造方法およびled照明光源 |
JP2006086469A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法 |
US7217583B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-05-15 | Cree, Inc. | Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension |
US7372198B2 (en) * | 2004-09-23 | 2008-05-13 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor |
JP4959127B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2012-06-20 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置用基板 |
US7344902B2 (en) * | 2004-11-15 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Overmolded lens over LED die |
US20060113548A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Ching-Chung Chen | Light emitting diode |
US8125137B2 (en) * | 2005-01-10 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same |
US7195944B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-03-27 | Semileds Corporation | Systems and methods for producing white-light emitting diodes |
US7221044B2 (en) * | 2005-01-21 | 2007-05-22 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter |
US7341878B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-03-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
US7358954B2 (en) * | 2005-04-04 | 2008-04-15 | Cree, Inc. | Synchronized light emitting diode backlighting systems and methods for displays |
TW200704283A (en) * | 2005-05-27 | 2007-01-16 | Lamina Ceramics Inc | Solid state LED bridge rectifier light engine |
JP2007049114A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 発光装置とその製造方法 |
JP2007067326A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP4858444B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2012-01-18 | 株式会社村田製作所 | Led照明装置 |
DE102005046450A1 (de) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil |
US7718449B2 (en) * | 2005-10-28 | 2010-05-18 | Lumination Llc | Wafer level package for very small footprint and low profile white LED devices |
US7213940B1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-05-08 | Led Lighting Fixtures, Inc. | Lighting device and lighting method |
JP4931628B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2012-05-16 | セイコーインスツル株式会社 | 照明装置及びこれを備える表示装置 |
KR101236238B1 (ko) * | 2006-03-15 | 2013-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 엘이디 백라이트 구동회로 |
US20080074583A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-03-27 | Intematix Corporation | Photo-luminescence color liquid crystal display |
US7959341B2 (en) * | 2006-07-20 | 2011-06-14 | Rambus International Ltd. | LED color management and display systems |
JP2008071796A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR100803162B1 (ko) * | 2006-11-20 | 2008-02-14 | 서울옵토디바이스주식회사 | 교류용 발광소자 |
EP2095438B1 (en) * | 2006-11-30 | 2017-08-30 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US20080198572A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Medendorp Nicholas W | LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors |
KR20080081837A (ko) * | 2007-03-05 | 2008-09-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
US8783887B2 (en) * | 2007-10-01 | 2014-07-22 | Intematix Corporation | Color tunable light emitting device |
US7915627B2 (en) * | 2007-10-17 | 2011-03-29 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
-
2008
- 2008-01-22 WO PCT/US2008/051633 patent/WO2009055079A1/en active Application Filing
- 2008-01-22 JP JP2010531079A patent/JP2011501466A/ja active Pending
- 2008-01-22 EP EP08728041A patent/EP2203938A1/en not_active Withdrawn
- 2008-01-22 TW TW097102415A patent/TW200919696A/zh unknown
- 2008-01-22 KR KR1020107011335A patent/KR101525274B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-01-22 US US12/017,676 patent/US20090108269A1/en not_active Abandoned
- 2008-01-22 CN CN200880114686.XA patent/CN101836297A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111109A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2002359402A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Lumileds Lighting Us Llc | 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列ledアレイ |
JP2003124528A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led照明装置およびカード型led照明光源 |
JP2005229037A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Kankyo Shomei:Kk | 発光ダイオード点灯回路 |
JP2008523583A (ja) * | 2004-12-06 | 2008-07-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | コンパクトな色可変光源としてのシングルチップled |
JP2007034680A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Fujitsu Ltd | システムシミュレーション方法 |
JP2009509326A (ja) * | 2005-09-19 | 2009-03-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 可変色の発光装置及びその制御方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014045089A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
JP2016532295A (ja) * | 2013-08-21 | 2016-10-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法 |
US9876001B2 (en) | 2013-08-21 | 2018-01-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic semiconductor chip |
US9985011B2 (en) | 2013-08-21 | 2018-05-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic semiconductor chip |
JP2017504216A (ja) * | 2014-01-23 | 2017-02-02 | 中国科学院蘇州納米技術与納米▲ファン▼生研究所 | ウエハレベル半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2020021936A (ja) * | 2018-07-19 | 2020-02-06 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 半導体ダイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200919696A (en) | 2009-05-01 |
CN101836297A (zh) | 2010-09-15 |
KR20100101572A (ko) | 2010-09-17 |
EP2203938A1 (en) | 2010-07-07 |
KR101525274B1 (ko) | 2015-06-02 |
US20090108269A1 (en) | 2009-04-30 |
WO2009055079A1 (en) | 2009-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011501466A (ja) | 1つまたは複数の発光体を有する照明デバイス、およびその製作方法 | |
US7221044B2 (en) | Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter | |
US8390021B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, light-emitting module, and illumination device | |
US9661716B2 (en) | Full color LED module having integrated driver transistors | |
KR101517244B1 (ko) | 조명 기기 및 조명 방법 | |
KR100704094B1 (ko) | 혼색 발광 다이오드 | |
US8450748B2 (en) | Solid state light emitting device | |
CN105051899B (zh) | 将晶体管晶片接合到发光二极管晶片以形成有源发光二极管模块 | |
US20120306370A1 (en) | Lighting devices with individually compensating multi-color clusters | |
US20080315217A1 (en) | Semiconductor Light Source and Method of Producing Light of a Desired Color Point | |
KR20140116536A (ko) | 조명 장치 및 조명 방법 | |
WO2014151012A2 (en) | Active led module with led and transistor formed on same substrate | |
JP2010129583A (ja) | 照明装置 | |
EP1649514A2 (en) | Semiconductor light emitting device, light emitting module, and lighting apparatus | |
EP2672513B1 (en) | Multichip package structure for generating a symmetrical and uniform light-blending source | |
US9559083B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
US20230335538A1 (en) | Chip-on-board design with color mixing | |
KR101884599B1 (ko) | 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 조명 장치 및 조명 시스템 | |
US20200053852A1 (en) | Light emitting device | |
US20130001636A1 (en) | Light-emitting diode and method for forming the same | |
US20230207758A1 (en) | Led-based device | |
KR20090044788A (ko) | 교류용 백색 발광 소자 | |
TW201403877A (zh) | 多光色發光二極體的製作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110329 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120702 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120704 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120928 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121228 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131112 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131119 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141119 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150611 |