TWI601280B - 發光裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種發光裝置,尤關於一種應用於標準化供電系統下之半導體照明裝置。
隨著技術發展日新月異,發光二極體的應用範圍已遍及顯示裝置、交通號誌、照明裝置、醫療裝置以及各種電子產品。
使用發光二極體產生白光的方式可有下列幾種方式:一、混合藍色、紅色及綠色發光二極體所分別產生之藍光、紅光及綠光以產生白光。二、利用紫外光發光二極體(UV LED)激發螢光粉以產白光。三、利用藍色發光二極體激發黃色螢光粉,藉由互補色形成白光。
惟上述各種方式分別存在其問題點,市場上仍期待技術的推陳出新。
本發明之一目的,在提供一種多維度發光裝置,適於標準化供電系統,且能符合低製作成本、低電力損耗以及演色性佳等需求。
為達上述目的,本發明係提供一種多維度發光裝置,電性連接至一標準化供電系統,如:市電系統、網路系統、電話系統等。多維度發光裝置包含一載體、一第一光電元件以及複數個第二光電元件。載體之外表面可以劃分為一第一區域及複數個第二區域,第二區域配置於第一區域附近;第一光電元件設置於第一區域上,第二光電元件設置於第二區域上,其中各第二區域上之第二光電元件之材料、結構、數量、光色、色溫、強度、發光效率並不限於相同。標準化供電系統係與第一光電元件及第二光電元件電性連接,第一光電元件及複數個第二光電元件中至少其一分別產生一第一光線及一第二光線並可混合成一混合光。於一實施例中,第一光線、第二光線及混合光係分別為藍光、紅光及(暖)白光。於另一實施例中,第一光線或第二光線中至少其一即為多種色光混合而成之混合光,例如,第一光線係由藍光及黃光混合而成之混合光,且/或第二光線係由藍光及紅光混合而成之混合光。於又一實施例中,複數個第二光電元件中至少其二係分別產生不同色之第二光線,例如,一第二光電元件係產生紅光,另一第二光電元件係產生綠光或黃光。
於一實施例中,第一光電元件包含一藍光發光二極體陣列以及一第一波長轉換體,例如:螢光層、半導體層、染料。藍光發光二極體陣列包含複數個藍光發光二極體晶粒,且藍光發光二極體晶粒間係形成串聯、並聯或以上選擇之組合;第一波長轉換體覆蓋於藍光發光二極體陣列上。此外,第二光電元件亦可為紅光發光二極體晶粒、紅光發光二極體陣列、藍光發光二極體晶粒及紅色波長轉換體之組合、或藍光發光二極體陣列及紅色波長轉換體之組合。
本發明之另一實施例更提供一種多維度發光裝置,電性連接至一標準化供電系統。多維度發光裝置包含一載體、一藍光發光二極體陣列、一第一波長轉換體以及複數個第二波長轉換體。藍光發光二極體陣列設置於載體上,並包含複數個藍光發光二極體晶粒,且此些藍光發光二極體晶粒係彼此電性連接。藍光發光二極體陣列具有一中心區域及位於中心區域之外之複數個周邊區域,惟周邊區域與中心區域、及/或周邊區域與周邊區域之間亦可能有部分面積相重疊。第一波長轉換體覆蓋於中心區域之至少部分之上,各個第二波長轉換體則分別覆蓋於單一個周邊區域之至少部分之上,惟各個波長轉換體亦可能彼此重疊。各區域或波長轉換體之配置型態、位置、面積、厚度、濃度等可以為符合所需之色溫、色彩、光型、光強度、效率、或其他設計規範而進行適當之調整。標準化供電系統係與藍光發光二極體陣列電性連接並使藍光發光二極體陣列之中心區域及多個周邊區域中至少其一分別產生一第一光線及一第二光線以混合成一混合光,亦即,各個周邊區域可同時或分時點亮。
以下將透過實施例來解釋本發明之多維度發光裝置的各種變化,有關本發明的特徵與實施方式,茲配合圖式說明如下。需說明者,本發明之實施例並非用以限制本發明需在如實施例所述之環境、應用或方式下方能實施。且各實施例間除顯有衝突外當可彼此參照,任意組合以形成本發明之其他實施例。
此外,圖式僅為簡化之示意圖,其所顯示之元件、數量、形狀、或其他特徵並非用以限制具體之實施方式,於此合先敘明。
首先,請先參考第1A圖,其為本發明第一實施例之多維度發光裝置10之立體示意圖。多維度發光裝置10可電性連接至一標準化供電系統1,如市電系統、網路系統、電話系統、工業用電系統。多維度發光裝置10包含數條導線10a、二電極10b、一載體12、一第一光電元件14、四個第二光電元件16以及四個散熱結構18。
如第1B圖所示,載體12可劃分為一第一區域12a及四個第二區域12b,此四個第二區域12b以第一區域12a為中心而向外環繞分佈,其多維度分布型態係如隨機分佈、鏡面對稱、旋轉對稱、輻射對稱等。
第一光電元件14包含上下疊置之一藍光發光二極體陣列14a以及一第一波長轉換體14b,藍光發光二極體陣列14a包含數個藍光發光二極體晶粒(圖未示出),此些藍光發光二極體晶粒係以一多維度形態分布,如:Z字分布、交叉分布、ㄇ字型分布等,且為串聯、並聯或串並聯混合。藉此多維度形態分布可以使發光二極體陣列14a可承受大於單一晶粒之操作電壓、電流並可直接與標準化供電系統1相連接、或搭配第二光電元件16再與標準化供電系統1相連接。具體而言,一或多個發光二極體陣列14a串聯後再選擇性地(亦即可選擇連接或不連接)串聯、並聯、或串並聯第二光電元件16、電阻、電容、電感等其他電子元件後,即可以與標準化供電系統1直接相連,例如,標準化供電系統1可提供X伏特的電壓,一個發光二極體陣列14a可承受之電壓係等於或接近X/N(N係屬於任意正整數),串接N個發光二極體陣列14a即可直接承受X伏特的電壓。
藍光發光二極體陣列14a透過適當連接材料(圖未示出)安置於載體12的第一區域12a上。第一波長轉換體14b覆蓋設置於藍光發光二極體陣列14a之上,較佳地,第一波長轉換體14b係選用一種黃色波長轉換體,例如黃色螢光粉、黃色染料、黃色濾光器等。黃色螢光粉係如YAG、TAG、氮化物螢光粉、矽酸鹽類螢光粉等。
於本實施例中,第1A圖之四個第二光電元件16中至少其一係包含一紅光發光二極體陣列(亦即包含數個紅光發光二極體晶粒)或一紅光發光二極體晶粒,並以適當連接材料(圖未示出)安置於載體12的第二區域12b之上。較佳地,藍光發光二極體陣列14a與紅光發光二極體陣列應相隔一適當距離,以避免紅光發光二極體陣列吸收藍光發光二極體陣列14a之光線、或受到藍光發光二極體陣列14a的發熱影響而使效能劣化。此距離係如大於0.5mm、1mm、2.0 mm、3.0 mm、4.0 mm、5.0 mm、1.0cm、2.0cm、3.0cm、4.0cm、或5.0cm以上。此外,紅光發光二極體陣列或晶粒之操作電壓可以小於、等於、接近、或大於藍光發光二極體陣列14a之操作電壓。
標準化供電系統1可透過導線(圖未示出)分別與多維度發光裝置10之電極10b電性連接。如第1A圖所示,電極10b、第一光電元件14及第二光電元件16係以複數條導線10a電性連接,標準化供電系統1使第一光電元件14及各個第二光電元件16分別產生一第一光線及一第二光線以混合成一混合光。此混合光可相當於1500K~2500K之燭光、2500K~3500K之白熾燈、4500K~5000K之氙氣燈、5500K~5600K之閃光燈。其中3300K以下常稱為暖白光;3300K~5300K常稱為冷白光;5300K以上常稱為冷色光。藉由應用本發明之各實施例之設計原理可以產生多樣化色溫之混合光。
與藍光發光二極體相較,紅光發光二極體發光效率隨溫度上升而衰減的狀況較為顯著。因此,如第1圖所示,為降低紅光發光二極體陣列或晶粒的溫度,依據本發明另一實施例之第二光電元件16之紅光發光二極體陣列或晶粒下方更設置散熱結構18。散熱結構18係如鰭片、風扇、熱管、液體冷卻裝置、高熱導係數材料塊材、多孔材料、或上述選擇之組合等。
為使混合光呈現均勻的光色及/或高演色性,第一光電元件14與第二光電元件16可適應各個元件的電學特性(例:能源效率、功率因子)、光學特性(例:光場、光強度、冷熱係數(hot/cold factor))及/或幾何形狀進行適當的配置。本發明之一實施例之第一光電元件14與第二光電元件16之全部發光面積係以2:1至5:1之比例配置於載體12上,惟單一第一光電元件14與單一第二光電元件16間之發光面積比並不限於此。本發明之另一實施例係使第一光電元件14與第二光電元件16之全部發光功率比值介於2至5之間,惟單一第一光電元件14與單一第二光電元件16間之發光功率比並不限於此。此外,若元件所發出之光線、熱度、磁場、電場可能造成另一元件之特性劣化,則元件間之距離或配置圖案以能夠降低或消除此特性劣化尤佳。此特性劣化係如高能光為低能階材料吸收、冷熱係數大的材料易於溫昇下發光效率降低、逆向磁場阻礙電子電動結合等。例如,本發明一實施例之多維度發光裝置10之相鄰元件係相距一距離或彼此傾斜一角度使得元件之光場不會(或僅有少部分)重疊,以呈現出均勻的光色分布。
於一實施例中,第一光電元件14及第二光電元件16與標準化供電系統1以串聯模式電性接合,使得藍光發光二極體陣列14a及紅光發光二極體陣列或晶粒可在高電壓及低電流下操作(相對於非發光二極體陣列),達到低損耗的能量傳輸與轉換,同時簡化標準化供電系統1與多維度發光裝置間的電路。本發明之元件間亦可採並聯或串並聯混合方式,故不以上述說明態樣為限。
於一實施例中,載體12之材料選用上可以為一單晶體、一多晶體或一非晶體結構之載體,例如玻璃、藍寶石、碳化矽(SiC)、磷鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鋅(ZnS)、硒硫化鋂鋅(AmSSe)及氮化鋁所構成之群組中選出。
另外,在第一光電元件14中,藍光發光二極體陣列14a中可選用氮化鎵(gallium nitride, GaN)系列之晶粒來發出發光波長介於400nm~530nm(甚或介於455nm~465nm)之藍光,第一波長轉換體14b較佳可選用黃色螢光粉,例如含有釔與鋁之釔鋁石榴石(yttrium aluminum garnet, YAG)螢光粉。於其他實施態樣中,亦可採用其他種類之黃色螢光粉(如TAG、氮化物螢光粉、矽酸鹽類螢光粉等)、螢光板、半導體材料或染料。在第二光電元件16中,紅光發光二極體陣列可選用磷化鋁鎵銦(AlInGaP)系列晶粒來發出發光波段介於600nm~750nm(或620nm~625nm)的紅光。散熱結構係選用銅(copper, Cu)、鋁(aluminum, Al)、陶瓷材料(ceramic material)或矽(silicon, Si)等高熱導係數之材料。上述所列舉之材料僅為一例示,本發明並不以此為限。藉由調整藍光發光二極體陣列14a的數量或發光強度、波長轉換體厚度或材料密度、及/或藍光與紅光的比例,可以形成多種色溫之色光。
請參考第2圖,其係為依據本發明另一實施例之多維度發光裝置。多維度發光裝置20係電性連接至一標準化供電系統2。多維度發光裝置20包含一載體22、一第一光電元件24以及四個第二光電元件26。第一光電元件24包含藍光發光二極體陣列24a及第一波長轉換體24b。第二光電元件26包含一藍光發光二極體陣列26a及一第二波長轉換體26b。第一波長轉換體24b包含至少一種黃色波長轉換體,且第二波長轉換體26b包含至少一種紅色波長轉換體。
此外,本實施例中第一波長轉換體24b及第二波長轉換體26b可分開設置於相對應之元件上、或者可重疊於元件之上。由於第一光電元件24及第二光電元件26均採用藍光發光二極體陣列,故不會有光線被另一元件吸收的疑慮,因此各光電元件之藍光發光二極體陣列間,彼此距離可以儘可能地接近,藉以減小封裝體之使用面積。需說明的是,本實施態樣與前述說明相同之元件與相關操作機制在此不另贅述。
請參考第3圖,其為依據本發明之一實施例之多維度發光裝置30之立體示意圖。
本實施例之多維度發光裝置30同樣電性連接至一標準化供電系統3。多維度發光裝置30包含複數條導線30a、二電極30b、一載體32、一第一光電元件34以及四個第二光電元件36。與前述實施例相同或相似之元件於此不另贅述。
詳言之,本實施例之第一光電元件34係採用藍光發光二極體陣列34a激發具紅色螢光粉之第一波長轉換體34b,第二光電元件36係採用由多顆綠光發光二極體晶粒之一綠光發光二極體陣列,於其他實施態樣中亦可僅使用單一綠光發光二極體晶粒。
標準化供電系統3與多維度發光裝置30電性連接,藉以提供標準化電壓及/或電流。第一光電元件34及第二光電元件36分別產生一第一光線及一第二光線,第一光線與第二光線混合成一混合光並投射出。此混合光中可包含藍光、紅光、及綠光。適當調整此三色的比例可以搭配出各種色光,例如,可以得到燈泡色光(暖白光)、冷白光、或其他可以利用混合三原色得到的色光。此外,若大多數或全部的藍光被消費於產生紅光,則混合光中藍光的比值將接近於0、或小於5%、或小於1。
請參考第4圖,其係為依據本發明另一實施例之多維度發光裝置40之示意圖,多維度發光裝置40電性連接至一標準化供電系統4。本實施中,第一光電元件42係採用藍光發光二極體陣列42a激發具紅色螢光粉之第一波長轉換體42b,第二光電元件44係採用藍光發光二極體陣列44a,激發上方之綠色波長轉換體44b形成第二光線,以與第一光電元件42之第一光線混合成一混合光。在此種配置下,適當調整混合光中藍光、紅光、及綠光比例可以得各種變化之可見光。但是,若藍光被完全或幾乎耗盡用以產生紅光與綠光,則混合光中將幾乎察覺不到藍光。
本實施中第一螢光層42b及第二螢光層44b可分開設置於相對應之元件上、或者可重疊於元件之上。由於第一光電元件42及第二光電元件44均採用藍光發光二極體陣列,不會有光線被另一元件吸收的疑慮,故各光電元件之藍光發光二極體陣列間,彼此距離能盡可能地接近,以縮小封裝體的使用的面積。需說明的是,本實施態樣與前述說明相同之元件與相關操作機制在此不另贅述。
需另說明的是,於上述實施例中,若第一區域與第二區域均採用藍光發光二極體陣列,由於藍光發光二極體對其他長波長範圍之光線吸收率低,是故第一區域與第二區域間可相隔一較小間距,例如上述之兩種實施態樣。然而,設若第一區域與第二區域間採用不同色光之發光二極體陣列,例如藍光及紅光發光二極體陣列,抑或藍光及綠光發光二極體陣列,由於紅光及綠光發光二極體對其他波長範圍之光線吸收率高,是故則需採用一較大間距。需另說明的是,上述應用於第二區域之發光二極體陣列亦可採用單一晶粒。
請參考第5A圖,其為依據本發明又一實施例之多維度發光裝置50之立體示意圖。多維度發光裝置50電性連接至一標準化供電系統(圖未示出),多維度發光裝置50包含一載體52、一藍光發光二極體陣列54、一第一波長轉換體56及四個第二波長轉換體58。
藍光發光二極體陣列54設置於載體52上,包含複數個藍光發光二極體晶粒(圖未示出),此些藍光發光二極體晶粒係為串聯、並聯、或串並聯混合之多維度形態電性連接。如第5B圖所示,藍光發光二極體陣列54具有一中心區域54a及四個周邊區域54b,此些周邊區域54b分布於中心區域54a之外圍。是故如第5A圖所示,第一波長轉換體56覆蓋於中心區域54a上,四個第二波長轉換體58分別覆蓋於四個周邊區域54b上。
於本實施例中,載體52、藍光發光二極體陣列54、第一波長轉換體52a以及第二波長轉換體54a之材料選用及操作實施,敬請參考前述說明,於此不另贅述。
標準化供電系統係與藍光發光二極體陣列54串聯電性連接,標準化供電系統使藍光發光二極體陣列54之中心區域54a及周邊區域54b分別產生一第一光線及一第二光線,第一光線與第二光線混合成一混合光投射出。
如第6A圖所示,其為依據本發明之再一實施例之多維度發光裝置60之立體示意圖。多維度發光裝置60電性連接至一標準化供電系統6,多維度發光裝置60包含複數條導線60a、二個電極60b、一載體62、四個第一光電元件64、一個第二光電元件66以及一個散熱結構68。如第6B圖所示,載體62具有四個第一區域62a及一第二區域62b,此些第一區域係分布於第二區域62b之外圍。
參考第6A圖及第6B圖,各個第一光電元件64均包含一藍光發光二極體陣列64a(本實施例中,藍光發光二極體晶粒亦可用於全部或部分取代所有的藍光發光二極體陣列)以及一第一波長轉換體64b,其中藍光發光二極體陣列64a包含複數個藍光發光二極體晶粒(圖未示出),此些藍光發光二極體晶粒係以多維度方式(如:Z字分布、交叉分布、ㄇ字型分布等)串聯、並聯、或串並聯連接,藉以使發光二極體陣列64a可以承受高於一個半導體發光磊晶結構之順向電壓及/或操作電流。四個藍光發光二極體陣列64a透過固定材料(圖未示出)設置於載體62的四個第一區域62a上。第一波長轉換體64b覆蓋設置於藍光發光二極體陣列64a之上。第一波長轉換體64b之發射光係如黃色、紅色、或綠色。
如第6A圖所示,本實施例之第二光電元件66包含一紅光發光二極體陣列(亦可採用單一紅光發光二極體晶粒),設置於載體62的第二區域62b之上。藍光發光二極體陣列64a與紅光發光二極體陣列具有一適當間隔,藉以避免紅光發光二極體陣列吸收藍光發光二極體陣列64a之光源。此外,若藍光發光二極體陣列、紅光發光二極體陣列或其二者係設置於一個阻礙彼此間的光線傳遞的凹槽結構之中、或具有較大的邊緣以擴大與相鄰發光二極體陣列間的距離、或有遮光結構設置於紅藍發光二極體陣列之間,例如遮光板69亦可以避免紅光發光二極體陣列吸收藍光發光二極體陣列64a之光線。
標準化供電系統可透過導線(圖未示出)分別與多維度發光裝置60之電極60b電性連接。如第6A圖所示,電極60b、第一光電元件64及第二光電元件66係以複數條導線60a相串聯,第一光電元件64及第二光電元件66分別產生一第一光線及一第二光線並混合成一混合光。較佳者,此混合光的色溫之範圍約介於2500K至3800K;更佳者,可為具有3000K之色溫者,或者此混合光係屬於暖白光(warm white)。
由於紅光發光二極體發光效率隨溫度上升而衰減的狀況較為顯著。因此,如第6A圖所示,為冷卻紅光發光二極體陣列,解決發光功率因溫度升高而衰減的問題點,紅光發光二極體陣列下方設置散熱結構68,亦即散熱結構係位於第二光電元件66與載體62之間。散熱結構68係如鰭片、風扇、熱管、液體冷卻裝置、高熱導係數材料、多孔材料等。此外,散熱結構68更可以選擇性地使得第二光電元件66的位置高於一藍光發光二極體陣列64a,如此,當覆蓋一光學透鏡於多維度發光裝置60之上時,位於靠近光學透鏡之光學軸線位置的第二光電元件66可以達到較設置於多維度發光裝置60外圍位置(如第1A圖~第4圖之實施例)更佳的光摘出。而第一波長轉換體64b中若含有可以對光線造成散射的顆粒(如螢光粉、散射粒子等),即使將第一光電元件64設置於多維度發光裝置60的外圍位置,也可以藉由這些散射顆粒幫助第一光電元件64的光線向外射出。
為使混合光呈現均勻的光色及/或演色性,第一光電元件64與第二光電元件66之發光面積較佳係以2:1至5:1之比例配置於載體62上(相關圖式僅用以說明,是故並未繪示實際比例);選擇性地,於一實施例中,第一光電元件64之藍光發光功率與第二光電元件66之紅光發光功率比值介於2至5之間。
於一實施例中,第一光電元件64及第二光電元件66與標準化供電系統以串聯模式電性接合,使得藍光發光二極體陣列64a及紅光發光二極體陣列可在高電壓及低電流操作下,達到低能量損耗操作(相對於非發光二極體陣列),同時簡化標準化供電系統與多維度發光裝置間的電路。本發明之元件間亦可採並聯或串並聯混合方式,故不以上述說明態樣為限。
第6C圖係例示依據本發明另一實施例之多維度發光裝置60。如前所述,若第二光電元件66之組成材料會吸收來自第一光電元件64之光線,多維度發光裝置60之發光效率將因此降低。於本實施例中,載體62具有一凹槽結構70,第二光電元件66係設置於此凹槽結構70之中。凹槽結構70在第一光電元件64與第二光電元件66間形成光線行進的障礙,如此可以降低第一光電元件64之光線被第二光電元件66吸收之機率,進而提昇多維度發光裝置60整體之發光效率。凹槽結構70可為一單向開放之槽孔或多向開放之槽孔,例如:盲孔或溝道。
此外,凹槽結構70中更可以設置一反射層71。此反射層71可以反射第二光電元件66射向反射層之光線以提高其離開凹槽結構70之機率。換言之,第二光電元件66之光線較不易被局限於凹槽結構70之中。再者,凹槽結構70上更可以填入一透光材料72以覆蓋第二光電元件66。此透光材料72對於第二光電元件66所發出之光線係呈現透明,並且可以保護第二光電元件66免於受到外力、濕氣、溫度等之影響。透光材料72若形塑成一特定外型,亦可以作為一光學透鏡。此光學透鏡係如凸透鏡、凹透鏡、Fresnel透鏡等。
如第6D圖所示,於另一實施例中,第一光電元件64及第二光電元件66之上還可以設置一罩體結構73。罩體結構73可以保護其內之元件。且第一光電元件64及第二光電元件66所發出之光線可在罩體結構73內進行混光。罩體結構73係由透光材料構成,其內亦可以包含散光、光轉換等結構,相關說明請參照本案申請人之台灣申請案第099141373號,其並援引為本案之一部分。
如第6E圖所示,第一光電元件64及第二光電元件66之間尚可以形成一隔熱結構74。第一光電元件64及第二光電元件66之溫度係數(Temperature Coefficient)通常存有差異,例如,如前所述,相較於藍光發光二極體,紅光發光二極體發光效率隨溫度上升而衰減的狀況較為顯著。此隔熱結構74可以避免光電元件之間的溫度交互影響,特別是高溫元件將熱傳遞至低溫元件。隔熱結構74可以環繞其中一個或數個同類元件,例如,隔熱結構74可以環繞一個或數個第一光電元件64、或一個或數個第二光電元件66。隔熱結構74可以設置於載體62中使第一光電元件64及第二光電元件66彼此熱分離,如第6E所示。然而,隔熱結構74亦可以設置於光電元件之下以避免向下傳遞熱量或由下方接收熱量,例如,隔熱結構74可以設置於反射層71與載體62之間、或光電元件與載體62之間。
上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣,以及闡釋本發明之技術特徵,並非用來限制本發明之範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍,本發明之權利範圍應以申請專利範圍為準。
1‧‧‧標準化供電系統
10‧‧‧多維度發光裝置
10a‧‧‧複數條導線
10b‧‧‧電極
12‧‧‧載體
12a‧‧‧第一區域
12b‧‧‧第二區域
14‧‧‧第一光電元件
14a‧‧‧藍光發光二極體陣列
14b‧‧‧第一波長轉換體
16‧‧‧第二光電元件
18‧‧‧散熱結構
2‧‧‧標準化供電系統
20‧‧‧多維度發光裝置
22‧‧‧載體
24‧‧‧第一光電元件
24a‧‧‧藍光發光二極體陣列
24b‧‧‧第一波長轉換體
26‧‧‧第二光電元件
26a‧‧‧藍光發光二極體陣列
26b‧‧‧第二波長轉換體
3‧‧‧標準化供電系統
30‧‧‧多維度發光裝置
30a‧‧‧導線
30b‧‧‧電極
32‧‧‧載體
34‧‧‧第一光電元件
34a‧‧‧藍光發光二極體陣列
34b‧‧‧第一波長轉換體
36‧‧‧第二光電元件
4‧‧‧標準化供電系統
40‧‧‧多維度發光裝置
42‧‧‧第一光電元件
42a‧‧‧藍光發光二極體陣列
42b‧‧‧第一波長轉換體
44‧‧‧第二光電元件
44a‧‧‧藍光發光二極體陣列
44b‧‧‧綠色波長轉換體
50‧‧‧多維度發光裝置
52‧‧‧載體
54‧‧‧藍光發光二極體陣列
54a‧‧‧中心區域
54b‧‧‧周邊區域
56‧‧‧第一波長轉換體
58‧‧‧第二波長轉換體
6‧‧‧標準化供電系統
60‧‧‧多維度發光裝置
60a‧‧‧複數條導線
60b‧‧‧電極
62‧‧‧載體
62a‧‧‧第一區域
62b‧‧‧第二區域
64‧‧‧第一光電元件
64a‧‧‧藍光發光二極體陣列
64b‧‧‧第一波長轉換體
66‧‧‧第二光電元件
68‧‧‧散熱結構
69‧‧‧遮光板
70‧‧‧凹槽結構
71‧‧‧反射層
72‧‧‧透光材料
73‧‧‧罩體結構
74‧‧‧隔熱結構
10‧‧‧多維度發光裝置
10a‧‧‧複數條導線
10b‧‧‧電極
12‧‧‧載體
12a‧‧‧第一區域
12b‧‧‧第二區域
14‧‧‧第一光電元件
14a‧‧‧藍光發光二極體陣列
14b‧‧‧第一波長轉換體
16‧‧‧第二光電元件
18‧‧‧散熱結構
2‧‧‧標準化供電系統
20‧‧‧多維度發光裝置
22‧‧‧載體
24‧‧‧第一光電元件
24a‧‧‧藍光發光二極體陣列
24b‧‧‧第一波長轉換體
26‧‧‧第二光電元件
26a‧‧‧藍光發光二極體陣列
26b‧‧‧第二波長轉換體
3‧‧‧標準化供電系統
30‧‧‧多維度發光裝置
30a‧‧‧導線
30b‧‧‧電極
32‧‧‧載體
34‧‧‧第一光電元件
34a‧‧‧藍光發光二極體陣列
34b‧‧‧第一波長轉換體
36‧‧‧第二光電元件
4‧‧‧標準化供電系統
40‧‧‧多維度發光裝置
42‧‧‧第一光電元件
42a‧‧‧藍光發光二極體陣列
42b‧‧‧第一波長轉換體
44‧‧‧第二光電元件
44a‧‧‧藍光發光二極體陣列
44b‧‧‧綠色波長轉換體
50‧‧‧多維度發光裝置
52‧‧‧載體
54‧‧‧藍光發光二極體陣列
54a‧‧‧中心區域
54b‧‧‧周邊區域
56‧‧‧第一波長轉換體
58‧‧‧第二波長轉換體
6‧‧‧標準化供電系統
60‧‧‧多維度發光裝置
60a‧‧‧複數條導線
60b‧‧‧電極
62‧‧‧載體
62a‧‧‧第一區域
62b‧‧‧第二區域
64‧‧‧第一光電元件
64a‧‧‧藍光發光二極體陣列
64b‧‧‧第一波長轉換體
66‧‧‧第二光電元件
68‧‧‧散熱結構
69‧‧‧遮光板
70‧‧‧凹槽結構
71‧‧‧反射層
72‧‧‧透光材料
73‧‧‧罩體結構
74‧‧‧隔熱結構
第1A圖係為本發明第一實施例之立體示意圖;
第1B圖係為本發明第一實施例之基材區域分布圖;
第2圖係為本發明第一實施例之另一實施態樣立體示意圖;
第3圖係為本發明第二實施例之立體示意圖:
第4圖係為本發明第二實施例之另一實施態樣立體示意圖;
第5A圖係為本發明第三實施例之立體示意圖;
第5B圖係為本發明第三實施例之藍光發光二極體陣列區域分布圖;
第6A圖係為本發明第四實施例之立體示意圖;
第6B圖係為本發明第四實施例之載體區域分布圖;
第6C圖係例示本發明一實施例之剖面圖;
第6D圖係例示本發明一實施例之剖面圖;以及
第6E圖係例示本發明一實施例之剖面圖。
無
無
1‧‧‧標準化供電系統
10‧‧‧多維度發光裝置
10a‧‧‧導線
10b‧‧‧電極
12‧‧‧載體
14‧‧‧第一光電元件
14a‧‧‧藍光發光二極體陣列
14b‧‧‧第一螢光層
16‧‧‧第二光電元件
18‧‧‧散熱結構
Claims (10)
- 一發光裝置,包含:一載體,包含一凹槽結構;一第一光電元件,包含:一第一藍光發光二極體晶粒及一第二藍光發光二極體晶粒,分別設置於該凹槽結構的周圍;及一第一波長轉換體,覆蓋于該第一藍光發光二極體晶粒及該第二藍光發光二極體晶粒上,且未覆蓋該凹槽結構;以及一第二光電元件,設置於該凹槽結構之中,且介於該第一藍光發光二極體晶粒及該第二藍光發光二極體晶粒之間,該第一藍光發光二極體晶粒與該第二光電元件的溫度係數不同;其中,該第一光電元件及該第二光電元件分別產生一第一光線及一第二光線,該第一光線與該第二光線混合成一混合光。
- 如請求項1所述之發光裝置,其中該凹槽結構包含一單向開放的槽孔或一多向開放的槽孔。
- 如請求項1所述之發光裝置,其中該凹槽結構還包含一反射層。
- 如請求項1所述之發光裝置,其中該凹槽結構還包含一透光材料覆蓋該第二光電元件。
- 如請求項1所述之發光裝置,更包含一罩體結構,覆蓋該第一光電元件及該第二光電元件。
- 如請求項1所述之發光裝置,更包含一隔熱結構。
- 如請求項1所述之發光裝置,其中該第一波長轉換體包含一種黃色波長轉換體。
- 如請求項1所述之發光裝置,其中該第二光電元件至少包含一或多顆紅光發光二極體晶粒。
- 如請求項1所述之發光裝置,其中該第二光電元件包含一或多顆綠光發光二極體晶粒。
- 如請求項1所述之發光裝置,其中該混合光具有2500K至3800K的色溫。
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2011
- 2011-02-25 TW TW105130564A patent/TWI601280B/zh active
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