JP2011249335A - 金属配線 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Ag粒子、またはAgを50原子%以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部2における、基材の表面方向の、想定される外形線4からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が50nm以下、前記縁部2における、基材3の表面方向の、想定される外形線4と直交し、かつ金属配線1の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材3の表面と接する部分の、前記基材3の表面との交差角度が70°以下で、かつ抵抗率が14μΩ・cm以下である。
【選択図】図1
Description
前記金属粒子はAg粒子、またはAgを50原子%以上の割合で含む合金からなる合金粒子であり、
前記金属配線の縁部における、基材の表面方向の、想定される外形線からの、前記表面方向の凹入量の最大値と、突出量の最大値との和は50nm以下、
前記金属配線の縁部における、基材の表面方向の、想定される外形線と直交する方向で、かつ金属配線の厚み方向の断面のうち、前記縁部の、金属配線の厚み方向の外形線の、前記基材の表面と接する部分の、前記基材の表面との交差角度は70°以下で、かつ
金属配線の抵抗率は14μΩ・cm以下
であることを特徴とする金属配線である。
前記金属粒子はAg粒子、またはAgを50原子%以上の割合で含む合金からなる合金粒子であり、
前記金属配線の縁部における、基材の表面方向の、想定される外形線からの、前記表面方向の凹入量の最大値と、突出量の最大値との和は50nm以下、
前記金属配線の縁部における、基材の表面方向の、想定される外形線と直交する方向で、かつ金属配線の厚み方向の断面のうち、前記縁部の、金属配線の厚み方向の外形線の、前記基材の表面と接する部分の、前記基材の表面との交差角度は70°以下で、かつ
金属配線の抵抗率は14μΩ・cm以下
であることを特徴とする。
前記本発明の金属配線を、前記工程を経て形成するためには、例えば平均粒径Φ1がΦ1≦100nm以下、である金属粒子を含む分散液を基材の表面に塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を、乾燥後の塗膜における平均結晶粒径Φ2がΦ2≦500の範囲を維持する条件で乾燥し、さらにエッチングによってパターン形成した塗膜を、250℃以上、550℃以下の温度で焼成するのが好ましい。
(Ag粒子の合成)
金属化合物としての硝酸銀(I)を純水に溶解させ、アンモニア水を加えて液のpHを11に調整し、次いで、高分子分散剤としてのポリアクリル酸(分子量5000)を加えて完全に溶解させた後、還元剤としてのアスコルビン酸を純水に溶解した溶液を添加して、液相の反応系を調製した。反応系における、各成分の濃度は、硝酸銀(I):25g/リットル、ポリアクリル酸:5g/リットル、アスコルビン酸:26g/リットルとした。
前記反応系を、ホットバスを用いて70℃に加熱して、Ag粒子の濃度が60重量%になるまで濃縮した後、エチルアルコールを加えてかく拌して、分散液を調製した。前記分散液における、各成分の含有割合は、Ag粒子100重量部あたり、水が45重量部、エチルアルコールが150重量部、ポリアクリル酸が20重量部であった。また、前記分散液における、Ag粒子の濃度は32重量%であった。
前記分散液を、基材としての、5インチ角の無アルカリガラス基板の表面に、スピンコート法(基材の回転速度1000rpm)によって塗布して塗膜を形成し、次いで、前記塗膜を、100℃で10分間、加熱して乾燥させた。乾燥後の塗膜における平均結晶粒径Φ2を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2万倍)に撮影された、実際の寸法が5×6.3μmの範囲内の結晶粒を画像処理して求めたところ30nmであった。
前記塗膜の表面に、感光性のレジスト剤を塗布して硬化させることで、前記塗膜上に、レジスト層を積層した後、露光し、現像して、塗膜の、形成するパターンに対応した領域を覆うレジストマスクを形成した。次いで、レジストマスクで覆われずに露出した塗膜を、リン酸と硝酸と酢酸とを含有するAg用のエッチング液を用いて、30℃で60秒間、選択的に、エッチングして除去することで、前記塗膜を、所定の平面形状にパターン形成した。パターンは、線幅が5μmの直線を、複数本、平行に配列した形状とした。
パターン形成した塗膜を、大気中で、250℃に加熱して30分間、焼成して金属配線を形成した。形成した金属配線の厚みを、表面粗さ形状測定機〔(株)東京精密製のサーフコム(登録商標)130A〕を用いて測定したところ、平均膜厚は0.15μmであった。また、形成した金属配線の抵抗率を、先に説明した抵抗率計を用いて測定したところ5μΩ・cmであって、導電性に優れることが確認された。
(合金粒子の合成)
金属化合物としての硝酸銀(I)と硝酸パラジウム(II)硝酸溶液とを純水に溶解させ、アンモニア水を加えて液のpHを11に調整し、次いで、高分子分散剤としてのポリアクリル酸(分子量5000)を加えて完全に溶解させた後、還元剤としてのアスコルビン酸を純水に溶解した溶液を添加して、液相の反応系を調製した。反応系における、各成分の濃度は、硝酸銀(I):25/リットル、硝酸パラジウム(II)硝酸溶液:40/リットル、ポリアクリル酸:8/リットル、アスコルビン酸:26/リットルとした。また、AgとPdの配合比率(原子数比)は、Ag:Pd=90:10であった。
前記反応系を、ホットバスを用いて70℃に加熱して、合金粒子の濃度が60重量%になるまで濃縮した後、2−プロパノールを加えてかく拌して、分散液を調製した。前記分散液における、各成分の含有割合は、合金粒子100重量部あたり、水が27重量部、2−プロパノールが200重量部、ポリアクリル酸が40重量部であった。また、前記分散液における、合金粒子の濃度は27重量%であった。
前記分散液を、基材としての、5インチ角の無アルカリガラス基板の表面に、ディップコート法(基材の引き上げ速度4mm/s)によって塗布して塗膜を形成し、次いで、前記塗膜を、180℃で30分間、加熱して乾燥させた。乾燥後の塗膜における平均結晶粒径Φ2を、先に説明した測定装置を用いて測定したところ100nmであった。
前記塗膜の表面に、感光性のレジスト剤を塗布して硬化させることで、前記塗膜上に、レジスト層を積層した後、露光し、現像して、塗膜の、形成するパターンに対応した領域を覆うレジストマスクを形成した。次いで、レジストマスクで覆われずに露出した塗膜を、リン酸と硝酸と酢酸とを含有するAg用のエッチング液を用いて、40℃で90秒間、選択的に、エッチングして除去することで、前記塗膜を、所定の平面形状にパターン形成した。パターンは、線幅が5μmの直線を、複数本、平行に配列した形状とした。
パターン形成した塗膜を、大気中で、400℃に加熱して30分間、焼成して金属配線を形成した。形成した金属配線の厚みを、先に説明した表面粗さ形状測定機を用いて測定したところ、平均膜厚は0.3μmであった。また、形成した金属配線の抵抗率を、先に説明した抵抗率計を用いて測定したところ14μΩ・cmであって、導電性に優れることが確認された。また、金属配線の組成を、誘導結合高周波プラズマ発光分析装置〔(株)リガク製の商品名CIROS−120〕を用いて測定したところ、AgとPdの配合比率(原子数比)と等しい、Ag:Pd=90:10であることが確認された。
(合金粒子の合成)
金属化合物としての硝酸銀(I)と硝酸銅(II)とを純水に溶解させ、アンモニア水を加えて液のpHを12に調整し、次いで、高分子分散剤としてのポリビニルピロリドン(分子量30000)を加えて完全に溶解させた後、還元剤としてのアスコルビン酸を純水に溶解した溶液を添加して、液相の反応系を調製した。反応系における、各成分の濃度は、硝酸銀(I):10g/リットル、硝酸銅(II):0.008g/リットル、ポリビニルピロリドン:1.2g/リットル、アスコルビン酸:15g/リットルとした。また、AgとCuの配合比率(原子数比)は、Ag:Cu=99.5:0.5であった。
前記反応系を、ホットバスを用いて70℃に加熱して、合金粒子の濃度が60重量%になるまで濃縮した後、エチルアルコールを加えてかく拌して、分散液を調製した。前記分散液における、各成分の含有割合は、合金粒子100重量部あたり、水が52重量部、エチルアルコールが833重量部、ポリビニルピロリドンが15重量部であった。また、前記分散液における、合金粒子の濃度は10重量%であった。
前記分散液を、基材としての、5インチ角の無アルカリガラス基板の表面に、スプレーコート法(噴霧量3ml/min)によって塗布して塗膜を形成し、次いで、前記塗膜を、150℃で60分間、加熱して乾燥させた。乾燥後の塗膜における平均結晶粒径Φ2を、先に説明した測定装置を用いて測定したところ80nmであった。
前記塗膜の表面に、感光性のレジスト剤を塗布して硬化させることで、前記塗膜上に、レジスト層を積層した後、露光し、現像して、塗膜の、形成するパターンに対応した領域を覆うレジストマスクを形成した。次いで、レジストマスクで覆われずに露出した塗膜に、Arイオンビームを、加速電圧300Vの条件で20分間、照射することで、前記塗膜を、選択的に、エッチング除去して、所定の平面形状にパターン形成した。パターンは、線幅が5μmの直線を、複数本、平行に配列した形状とした。
パターン形成した塗膜を、大気中で、350℃に加熱して60分間、焼成して金属配線を形成した。形成した金属配線の厚みを、先に説明した表面粗さ形状測定機を用いて測定したところ、平均膜厚は0.15μmであった。また、形成した金属配線の抵抗率を、先に説明した抵抗率計を用いて測定したところ2.5μΩ・cmであって、導電性に優れることが確認された。また、金属配線の組成を、先に説明した誘導結合高周波プラズマ発光分析装置を用いて測定したところ、AgとCuの配合比率(原子数比)と等しい、Ag:Cu=99.5:0.5であることが確認された。
(Ag粒子の合成)
金属化合物としての硝酸銀(I)を純水に溶解させ、アンモニア水を加えて液のpHを12に調整し、次いで、高分子分散剤としてのポリビニルアルコール(分子量2000)を加えて完全に溶解させた後、還元剤としてのアスコルビン酸を純水に溶解した溶液を添加して、液相の反応系を調製した。反応系における、各成分の濃度は、硝酸銀(I):50g/リットル、ポリビニルアルコール:8g/リットル、アスコルビン酸:52g/リットルとした。
前記反応系を、ホットバスを用いて70℃に加熱して、Ag粒子の濃度が60重量%になるまで濃縮した後、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを加えてかく拌して、分散液を調製した。前記分散液における、各成分の含有割合は、Ag粒子100重量部あたり、水が42重量部、ジエチレングリコールモノブチルエーテルが230重量部、ポリビニルアルコールが25重量部であった。また、前記分散液における、Ag粒子の濃度は25重量%であった。
前記分散液を、基材としての、5インチ角の無アルカリガラス基板の表面に、ディップコート法(基材の引き上げ速度1mm/s)によって塗布して塗膜を形成し、次いで、前記塗膜を、130℃で90分間、加熱して乾燥させた。乾燥後の塗膜における平均結晶粒径Φ2を、先に説明した測定装置を用いて測定したところ80nmであった。
前記塗膜の表面に、感光性のレジスト剤を塗布して硬化させることで、前記塗膜上に、レジスト層を積層した後、露光し、現像して、塗膜の、形成するパターンに対応した領域を覆うレジストマスクを形成した。次いで、レジストマスクで覆われずに露出した塗膜に、Arイオンビームを、加速電圧330Vの条件で5分間、照射することで、前記塗膜を、選択的に、エッチング除去して、所定の平面形状にパターン形成した。パターンは、線幅が3μmの直線を、複数本、平行に配列した形状とした。
パターン形成した塗膜を、大気中で、250℃に加熱して30分間、焼成して金属配線を形成した。形成した金属配線の厚みを、先に説明した表面粗さ形状測定機を用いて測定したところ、平均膜厚は0.08μmであった。また、形成した金属配線の抵抗率を、先に説明した抵抗率計を用いて測定したところ5μΩ・cmであって、導電性に優れることが確認された。
(Ag粒子の合成)
金属化合物としての硝酸銀(I)を純水に溶解させ、アンモニア水を加えて液のpHを11に調整し、次いで、高分子分散剤としてのポリアクリル酸(分子量5000)を加えて完全に溶解させた後、還元剤としてのアスコルビン酸を純水に溶解した溶液を添加して、液相の反応系を調製した。反応系における、各成分の濃度は、硝酸銀(I):50g/リットル、ポリアクリル酸:16g/リットル、アスコルビン酸:52g/リットルとした。
前記反応系を、ホットバスを用いて70℃に加熱して、Ag粒子の濃度が60重量%になるまで濃縮した後、エチルアルコールを加えてかく拌して、分散液を調製した。前記分散液における、各成分の含有割合は、Ag粒子100重量部あたり、水が17重量部、エチルアルコールが133重量部、ポリアクリル酸が50重量部であった。また、前記分散液における、Ag粒子の濃度は33重量%であった。
前記分散液を、基材としての、5インチ角の無アルカリガラス基板の表面に、スピンコート法(基材の回転速度1000rpm)によって塗布して塗膜を形成し、次いで、前記塗膜を、200℃で10分間、加熱して乾燥させた。乾燥後の塗膜における平均結晶粒径Φ2を、先に説明した測定装置を用いて測定したところ350nmであった。
前記塗膜の表面に、感光性のレジスト剤を塗布して硬化させることで、前記塗膜上に、レジスト層を積層した後、露光し、現像して、塗膜の、形成するパターンに対応した領域を覆うレジストマスクを形成した。次いで、レジストマスクで覆われずに露出した塗膜を、リン酸と硝酸と酢酸とを含有するAg用のエッチング液を用いて、30℃で60秒間、選択的に、エッチングして除去することで、前記塗膜を、所定の平面形状にパターン形成した。パターンは、線幅が20μmの直線を、複数本、平行に配列した形状とした。
パターン形成した塗膜を、大気中で、300℃に加熱して30分間、焼成して金属配線を形成した。形成した金属配線の厚みを、先に説明した表面粗さ形状測定機を用いて測定したところ、平均膜厚は0.2μmであった。また、形成した金属配線の抵抗率を、先に説明した抵抗率計を用いて測定したところ2μΩ・cmであって、導電性に優れることが確認された。
実施例1において、基材の表面に形成した塗膜を、パターン形成前に、250℃で30分間、焼成して金属被膜を形成した。形成した金属被膜を、走査型電子顕微鏡を用いて観察して、平均結晶粒径を求めたところ800nmであった。次に、前記金属被膜の表面に、感光性のレジスト剤を塗布して硬化させることで、レジスト層を積層した後、露光し、現像して、金属被膜の、形成するパターンに対応した領域を覆うレジストマスクを形成した。次いで、レジストマスクで覆われずに露出した金属被膜を、リン酸と硝酸と酢酸とを含有するAg用のエッチング液を用いて、30℃で60秒間、選択的に、エッチングして除去することで、前記金属被膜を、所定の平面形状にパターン形成して金属配線を形成した。パターンは、線幅が5μmの直線を、複数本、平行に配列した形状とした。
実施例2において、基材の表面に形成した塗膜を、パターン形成前に、400℃で30分間、焼成して金属被膜を形成した。形成した金属被膜を、走査型電子顕微鏡を用いて観察して、平均結晶粒径を求めたところ600nmであった。次に、前記金属被膜の表面に、感光性のレジスト剤を塗布して硬化させることで、レジスト層を積層した後、露光し、現像して、金属被膜の、形成するパターンに対応した領域を覆うレジストマスクを形成した。次いで、レジストマスクで覆われずに露出した金属被膜を、リン酸と硝酸と酢酸とを含有するAg用のエッチング液を用いて、40℃で90秒間、選択的に、エッチングして除去することで、前記金属被膜を、所定の平面形状にパターン形成して金属配線を形成した。パターンは、線幅が5μmの直線を、複数本、平行に配列した形状とした。
2 縁部
3 基材
4 外形線
5 外形線
6 表面
7 接点
8 接線
Claims (1)
- 金属粒子を含む分散液を、基材の表面に塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を乾燥後、所定の平面形状にパターン形成したのち焼成して形成された金属配線であって、
前記金属粒子はAg粒子、またはAgを50原子%以上の割合で含む合金からなる合金粒子であり、
前記金属配線の縁部における、基材の表面方向の、想定される外形線からの、前記表面方向の凹入量の最大値と、突出量の最大値との和は50nm以下、
前記金属配線の縁部における、基材の表面方向の、想定される外形線と直交する方向で、かつ金属配線の厚み方向の断面のうち、前記縁部の、金属配線の厚み方向の外形線の、前記基材の表面と接する部分の、前記基材の表面との交差角度は70°以下で、かつ
金属配線の抵抗率は14μΩ・cm以下
であることを特徴とする金属配線。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016103510A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 日本テクノリード株式会社 | 透明基板上にパターニングされた導電性高分子層を有する積層基板の製造方法及びメタルメッシュ基板の製造方法 |
JPWO2021059812A1 (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62145744A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003141948A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 微細金属構造体の形成方法とそれを用いたセラミックパッケージ、マルチチップ用基板およびプラズマディスプレイパネル用基板 |
JP2004039792A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 |
JP2005149913A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銀ペースト及びその銀ペーストの製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62145744A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003141948A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 微細金属構造体の形成方法とそれを用いたセラミックパッケージ、マルチチップ用基板およびプラズマディスプレイパネル用基板 |
JP2004039792A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 |
JP2005149913A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銀ペースト及びその銀ペーストの製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016103510A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 日本テクノリード株式会社 | 透明基板上にパターニングされた導電性高分子層を有する積層基板の製造方法及びメタルメッシュ基板の製造方法 |
JPWO2021059812A1 (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | ||
JP7324299B2 (ja) | 2019-09-25 | 2023-08-09 | 富士フイルム株式会社 | めっき液、めっきセット、導電性基板の製造方法 |
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