JP2011239841A - 粒子線照射装置、粒子線照射方法、及び粒子線照射プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】スポット切替の安定性・確実性を有するとともに、スポットの切替指示の出力遅延を短縮してスポット切替の高速化を実現する粒子線照射技術を提供する。
【解決手段】粒子線照射装置１０において、自然数ｍで表される被検体内の複数の第ｍスポットの各々に対応するパラメータを蓄積する蓄積部２１と、各々の前記パラメータを目標として偏向磁場付与手段１２に出力する電流を切り替えて前記複数の第ｍスポットに対し荷電粒子線を順番に入射させる励磁部３０と、第ｍ−１スポットに入射した荷電粒子線の線量が規定値に達したところで第１信号ｓ１を出力する線量積算部１４と、前記第１信号ｓ１の出力に同期して蓄積部２１から第ｍ＋１スポットに対応する前記パラメータを取得する取得部２２と、先に取得部２２で取得されている第ｍスポットに対応する前記パラメータを第１信号ｓ１に同期して励磁部３０に出力する切替指示部２３と、を備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、荷電粒子線をがん等の患部に照射して治療を行う粒子線照射技術に関する。

がん等の悪性腫瘍に対し、高い治療効果、少ない副作用、及び身体への負担軽減等の優れた特徴により、炭素や陽子の荷電粒子線を用いた粒子線照射治療法が注目されている。この治療法によれば、加速器から出射された荷電粒子線でがん細胞を狙い撃ちし、正常細胞への影響を最小限にとどめ、がん細胞を死滅させることができる。
この治療法において、従来から適用される拡大ビーム法と呼ばれる粒子線照射方法は、荷電粒子線径を患部サイズ以上に拡大し、患部形状に合致するように照射領域をコリメータで制限している。
しかし、この拡大ビーム法は、３次元的な患部形状に照射領域を厳密に合致させることが困難で、患部周りの正常細胞への影響を小さくするのに限界がある。

そこで、３次元スキャニング照射法と呼ばれる、患部領域を３次元格子点に切り分けたスポットに対し、高精度で荷電粒子線を入射させる技術が開発された。この３次元照射方法によれは、照射領域を患部領域に高精度に合致させることが可能になり、正常細胞への被曝を抑制することができる（例えば、特許文献１）。

特開２００８−２３７６８７号公報

３次元スキャニング照射法においては、スポットの切替を高速化することが望まれる。スポットの切替速度を向上させるには、偏向磁場付与手段を励磁させる電流の速度を向上させる方法が考えられる。しかし、この励磁電流の速度を上げすぎると、スポットの目標到達点に対するオーバーシュートが大きくなりスポット切替の正確性が低下するために、その速度向上には限界がある。

一方で、一つのスポットに入射する荷電粒子線の線量が規定値に達した後、次のスポットに荷電粒子線を照準させる切替指示の出力が遅延することも、スポット切替の高速化を妨げる要因として挙げられる。

本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、スポット切替の安定性・確実性を有するとともに、スポットの切替指示の出力遅延を短縮してスポット切替の高速化を実現する粒子線照射技術を提供することを目的とする。

粒子線照射装置において、自然数ｍで表される被検体内の複数の第ｍスポットの各々に対応するパラメータを蓄積する蓄積部と、各々の前記パラメータを目標として偏向磁場付与手段に出力する電流を切り替えて前記複数の第ｍスポットに対し荷電粒子線を順番に入射させる励磁部と、第ｍ−１スポットに入射した荷電粒子線の線量が規定値に達したところで第１信号を出力する線量積算部と、前記第１信号の出力に同期して前記蓄積部から第ｍ＋１スポットに対応する前記パラメータを取得する取得部と、先に前記取得部で取得されている第ｍスポットに対応する前記パラメータを前記第１信号に同期して前記励磁部に出力する切替指示部と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、スポット切替の安定性・確実性を有するとともに、スポットの切替指示の出力遅延を短縮してスポット切替の高速化を実現する粒子線照射技術が提供される。

本発明に係る荷電粒子線照射装置の実施形態を示す構成図。 第ｍスポット（ｍ：自然数）の各々に対応するパラメータを示すテーブル。 本発明に係る荷電粒子線照射装置の構成要素の動作を示すタイミングチャート。 本発明に係る荷電粒子線照射装置の構成要素の動作を示すタイミングチャート。 本発明に係る荷電粒子線照射装置の構成要素の動作を示すタイミングチャート。 本発明に係る荷電粒子線照射装置の動作を示すフローチャート。

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
図１に示すように荷電粒子線照射装置１０（以下、単に装置１０という）は、Ｚ軸方向に荷電粒子を出射する荷電粒子銃１１と、この荷電粒子をＸ方向に偏向させる第１偏向磁場付与手段１２ｘ（１２）と、この荷電粒子をＹ方向に偏向させる第２偏向磁場付与手段１２ｙ（１２）と、この荷電粒子の線量を検出する線量検出部１３と、線量積算部１４と、荷電粒子銃１１から出射される荷電粒子のエネルギーを制御する銃制御部１５と、第１偏向磁場付与手段１２ｘに励磁電流を出力する第１励磁部３０ｘ（３０）と、第２偏向磁場付与手段１２ｙに励磁電流を出力する第２励磁部３０ｙ（３０）と、これら励磁部３０が出力する励磁電流の強度・タイミングを制御する制御部２０と、から構成される。
なお、第２励磁部３０ｙの構成は、第１励磁部３０ｘと同じであるために、図面において詳細な記載が省略されている。

このように構成される装置１０は、被検体（図示略）の患部領域４０の各スライス面４１，４２，４３に設定されたスポット（１〜ｎ）に対して、荷電粒子線を順番に入射させるものである。
ここで、全照射スポット数をｎ個とし、１≦ｍ≦ｎで表される自然数ｎは、任意のスポットを示す変数とする。そして、照射開始時のスポットを第１スポットとして、荷電粒子線が入射する順番に従って、第ｍスポット（ｍ：自然数）のように連番を割り振る。

次に、荷電粒子線が侵入する患部領域４０の深さと荷電粒子線のエネルギーとの関係を説明する。
荷電粒子線は、被検体内を通過する際に運動エネルギーを失って速度を低下させるとともに、速度の二乗にほぼ反比例する抵抗を受けてある一定の速度まで低下すると急激に停止する。そして、荷電粒子線の停止点近傍では、ブラッグピークと呼ばれる大線量が発生する。

各々の第ｍスポットは、荷電粒子線のブラッグピークの位置になるように設定される。このブラッグピークの位置は、荷電粒子線のエネルギーに依存する。
このために、患部領域４０を荷電粒子線の出射方向（Ｚ軸）に対して直交するＸ−Ｙ面に複数のスライス面４１，４２，４３が設定される。そして、銃制御部１５により、荷電粒子銃１１から出射されるエネルギーを変えることによって、荷電粒子線が入射するスライス面４１，４２，４３の位置を変える。なお、このスライス面４１，４２，４３の位置を変えるその他の方法として、被検体の前にプラスチック板等を挿入して荷電粒子線のエネルギーを落とす方法等もある。

荷電粒子銃１１は、図示略のイオン源、荷電粒子線発生装置（ライナック）及び加速器（シンクロトロン）から構成されている。
このイオン源で発生したイオン（例えば、陽子イオン（または炭素イオン））はライナックで加速される、さらにシンクロトロンでエネルギーを与えられて加速される。
そして、荷電粒子線は、エネルギーが例えば１００〜２００ＭｅＶまでに高められた後、被検体に出射される。

なお、詳細な説明を省略するが、銃制御部１５は、荷電粒子銃１１から出射される荷電粒子線のエネルギーを可変するための手段や、被検体に対する荷電粒子線の出射を停止させる手段を有している。
荷電粒子銃１１は、図３の最上段に示されるように、スポット１に安定した荷電粒子線が入射する前からスポットｎに荷電粒子線が入射し終わるまで、連続的に荷電粒子線を出射している。
さらに、図示では、荷電粒子線のエネルギー出力は、全期間に亘って一定に記載されているが、スポット毎に異なる最適値に設定してもよい。

偏向磁場付与手段１２（図１）は、対向する一対のコイルに励磁部３０から電流を印加することによりその間に磁場を形成する。そして、この磁場を通過する荷電粒子線は、ローレンツ力によりＸ軸方向及びＹ軸方向に曲げられて、スライス面４１上の任意の位置のスポットに入射する。
そして、この励磁部３０に印加する電流の強度を変化させて磁場強度を変化させることにより、荷電粒子線を入射させるスポットの照準を切り替える。

ここで、図３の最下段に示される曲線は、荷電粒子線を各々のスポット（ｍ−２，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，ｍ＋２）に切り替えて入射させる場合の、偏向磁場付与手段１２に供給される電流の応答を示している。
スポットを素早く切り替えることにより、荷電粒子線の強度を上げて短時間で患部領域４０への照射を完了することができ、患者への負担を減らすことができ、治療人数を増やすことが可能となる。

さらに、荷電粒子線の照射中は、呼吸等により患部の位置が常に変化しているが、スポットの切り替えを素早くすることにより、患部領域４０と現実の照射位置のズレを小さくすることができる。
このような、スポットの素早い切り替えを実現するには、電流の応答が破線のプロファイルを示すことが望ましいが、現実には図示されるような応答遅れや過渡応答を示すものである。

線量積算部１４（図１）は、図３の二段目に示すように、線量検出部１３で検出された荷電粒子線の線量を積算し、照準されたスポットに入射した荷電粒子線の線量が規定値ｑに達したところで第１信号ｓ１を制御部２０に出力する。
そして、この第１信号ｓ１の出力と同時に、積算をリセットして再び荷電粒子線の線量が規定値ｑに到達するまで積算を繰り返す。
この荷電粒子線の線量の規定値ｑは、図２の二段目に示されるように、各スポット毎に規定され、パラメータの蓄積部２１（図１）に収められている。

このように、線量積算部１４が動作することにより、荷電粒子線の強度等が変動しても、照準された各々のスポットに入射される線量を所望する値にすることができる。また、スポット毎に規定値ｑを設定することができるので、患部領域４０に照射する荷電粒子線に強度分布を与えることができる。

制御部２０は、パラメータの蓄積部２１と、パラメータの取得部２２と、パラメータの切替指示部２３と、切替の可否の判定部２４と、電流値表示部２５とから構成されている。
また第１励磁部３０ｘ及び第２励磁部３０ｙ（以下、単に励磁部３０という）は、偏向磁場付与手段１２に電流を供給する電流発生器３３と、この供給される電流値を検出する電流検出器３５と、供給される電流値と目標値とを対比する比較部３６と、供給される電流値を表示用の信号に置き換えるＡＤ変換部３７とから構成されている。

このように制御部２０が構成されることにより、線量積算部１４から出力された第１信号ｓ１をトリガにして、荷電粒子線を入射させるスポットの照準を切り替える指示が、励磁部３０に与えられる。
そして、励磁部３０は、偏向磁場付与手段１２に供給する電流を、照準のスポットに対応するパラメータの電流目標値（図２）に切り替える。

このような動作を繰り返すことにより、図１に示される患部領域４０内の複数のスポットに対し荷電粒子線を順番に入射させる。そして、あるスライス４１上の全てのスポットに対する荷電粒子線の照射を完了したら、銃制御部１５により荷電粒子線のエネルギーを変更し次のスライス４２にブラッグピークが位置するようにする。このように、患部領域４０を深さ方向に切り分けたすべてのスライス４１，４２，４３に対してこのような照射を繰り返し、患部全体の照射が完了する。

蓄積部２１には、図２に示されるように、自然数ｍで表される被検体内の複数の第ｍスポットの各々に対応するパラメータが蓄積されている。このパラメータは、後述するように、縦一列分の電流目標値及び制御定数が一つのまとまった送信信号ｐとなって、最終的に励磁部３０に送られ、線量の規定値は線量積算部１４に送られる。また、これらパラメータは、患者毎の治療計画で作成された荷電粒子線の照射位置、照射量、照射エネルギー、照射装置の特性等のデータに基づいて定められる。

本実施形態においてパラメータは、励磁部３０が偏向磁場付与手段１２に供給する電流の電流目標値（図２の三、四段目）の他に、この励磁部３０の制御定数（図２の五、六段目）又は荷電粒子線の線量の規定値ｑ（図２の二段目）が含まれる。
ここで、励磁部３０の制御定数とは、図３の最下段に示される電流プロファイルにおける立ち上がりの応答遅れや、目標値に到達した後の過渡応答を解消させることを目的にしている。

取得部２２（図１）は、図３を参照して、第ｍ−１スポットに入射する荷電粒子線の線量が規定値ｑに達し、照準を第ｍスポットに切り替えることを指示する第１信号ｓ１の出力に同期して、蓄積部２１から第ｍ＋１スポットに対応するパラメータを取得する。
そして、取得部２２は、蓄積部２１から取得したパラメータを、その後、切替指示部２３が励磁部３０に送信するための送信信号ｐ＊に演算し、切替指示部２３に送信する。

切替指示部２３は、先に取得部２２で取得されている第ｍスポットに対応するパラメータの送信信号ｐを、線量積算部１４から受信した第１信号ｓ１に同期して励磁部３０に出力する。
このように、パラメータの取得部２２及び切替指示部２３が連係することで、スポット照準の切替指示の遅れが解消される。つまり、この取得部２２を用い無い場合、取得部２２で第１信号ｓ１を受信してから演算を実行して送信信号ｐ＊を送信するまでの期間だけ、励磁部３０における実際の電流供給が遅延することになる。
本実施形態によれば、切替指示部２３においてパラメータを送信信号ｐに演算する必要がないために、線量積算部１４から第１信号ｓ１を受信すると、即座にパラメータの送信信号ｐを励磁部３０に送信することができ、スポットの照準の高速切替に貢献する。

電流発生器３３は、切替指示部２３からパラメータの送信信号ｐを受信して、次のスポットに荷電粒子線を移動させるための電流を偏向磁場付与手段１２に供給する。
この偏向磁場付与手段１２に供給される電流の切り替えは、電流発生器３３を構成するスイッチング素子（図示略）の動作により行われる。

電流検出器３５は、電流発生器３３から偏向磁場付与手段１２に供給される電流の値を検出するもので、具体的に図４の四段目に示されるプロファイルを出力する。
比較部３６は、この図４の五段目に示されるように、電流検出器３５で検出される電流値が、パラメータの送信信号ｐに含まれる電流目標値（図２）の前後に到達すると、第２信号ｓ２を出力する。

判定部２４は、図１に示すように、線量積算部１４からの第１信号ｓ１と、比較部３６からの第２信号ｓ２を受信して、切替指示部２３におけるパラメータの送信信号ｐの出力の可否を判定するものである。
具体的には、図４に示すように、切替指示部２３から第ｍスポットに対するパラメータの送信信号ｐが出力された後、比較部３６からの第２信号ｓ２よりも先に、次の第ｍ＋１スポットに対する第１信号ｓ１が出力された場合がある。

このような場合、荷電粒子線は、現実には第ｍスポットに入射されていないために、この第ｍ＋１スポットに対する第１信号ｓ１よりも後に出力される第２信号ｓ２に同期して、第ｍ＋１スポットに対する送信信号ｐを切替指示部２３は励磁部３０に出力する。
このような動作は、図４の六段目に示すように、判定部２４において、第１信号ｓ１又は第２信号ｓ２のいずれかを入力する度に、真／偽を交互に示す二値信号を出力し、真の信号に同期してパラメータの送信信号ｐを励磁部３０に出力するようにする。
または、このような場合（第２信号ｓ２よりも先に第１信号ｓ１が出力される場合）は、図面の記載を省略するが、銃制御部１５に対し、荷電粒子線の被検体への入射を停止させてもよい。
これにより、照準したスポットに対し的確に荷電粒子線を入射させることができるとともに、患者の被曝量が増すことが懸念される場合は、治療を中断することができる。

さらに、図４の最下段に示されるように、切替指示部２３から前回のパラメータの送信信号ｐが出力された後に、励磁部３０における電流切替の安定動作が保障される間隔ｖよりも短い間隔で次回の送信信号ｐが出力される場合がある。
このような場合、判定部２４は、この次回のパラメータの出力に同期して励磁部３０が電流の切り替えを実行しないようにするとともに、銃制御部１５に対し、荷電粒子線の被検体への入射を停止させる。

これは、電流発生器３３から供給される電流の切替頻度が高い状態が続くと、スイッチング素子への負荷が大きくなり発熱、劣化、損傷に至る場合がある。本実施形態によれば、電流発生器３３における電流の切替頻度を制限し、さらに荷電粒子線の出射を中止することによりスイッチング素子の性能を越える動作を防止し、電流の高速切替の健全性を維持することができる。
なお、切り替えをする前後の電流目標値が同じである場合や、その他、電流の切り替えがスイッチング素子の負荷を増加させないことが明らかな場合は、必ずしもこの判定を実施する必要はない。また、電流切替の安定動作が保障される間隔ｖは、スイッチング素子の発熱等の状態に応じて決めたり、適宜変更したりすることができる。

ＡＤ変換部３７は、図５の最下段に示すように、切替指示部２３からパラメータの送信信号ｐが出力されるのに同期して電流値を示すアナログ信号をデジタル信号に変換する。ここで、ＡＤ変換部３７は、送信信号ｐの送信時点における電流検出器３５のアナログ値をホールドし、これをデジタル変換する。期間ｕは、このデジタル変換に要する時間であり、変換後の電流値ｒを電流値表示部２５に送信する。
これによれば、電流の高速変換を妨げることなく電流値の読み取りが可能になるとともに、電流の正確な到達値を把握することができる。そして、照準したスポットに対し、荷電粒子線が正確に入射しているか否かを判断することができる。

図６に基づいて（適宜図１参照）、装置１０の動作を説明する。
まず、被検体の患部領域４０を確定し、荷電粒子線を入射させるスポットを設定する（Ｓ１１）。そして、各々のスポットに対し、荷電粒子線の線量の規定値ｑ、励磁部３０の電流目標値等のパラメータ（図２）を設定し蓄積部２１に収める（Ｓ１２）。

次に、偏向磁場付与手段１２に供給する電流を励磁部３０において調整して荷電粒子線の照準を第ｍスポットに合わせ（Ｓ１３）、荷電粒子銃１１を動作させて荷電粒子線を被検体に入射させる（Ｓ１４；Ｙｅｓ，Ｓ１５）。このとき、励磁部３０は、短時間のうちにパラメータの電流目標値に収束するように、偏向磁場付与手段１２に供給する電流を制御する。
そして、この照準したスポットに入射した荷電粒子線の線量が線量積算部１４において規定値ｑに到達するまで、励磁部３０は電流を供給し続ける（Ｓ１６：Ｎｏ）。

そして、荷電粒子線の線量が規定値ｑに到達したところで、線量積算部１４は、第１信号ｓ１を出力する（Ｓ１７）。このとき、励磁部３０から第２信号ｓ２がすでに出力されていれば、励磁部３０が供給する電流がすでに目標値に到達していることが明らかなため、次の判断に進む（Ｓ１８：Ｙｅｓ）。
さらに、第１信号ｓ１の出力される間隔が、電流発生器３３の安定動作が保障される間隔ｖを満たしていれば（Ｓ１９：Ｙｅｓ）、切替指示部２３から次のスポットに対するパラメータの送信信号ｐが励磁部３０に送られる（Ｓ２０）。

なお、第２信号ｓ２が出力されず連続して第１信号ｓ１が出力されたり（Ｓ１８：Ｎｏ実線）、励磁部３０の切替頻度が高く動作が不安定と判定されたりすると（Ｓ１９：Ｎｏ実線）、荷電粒子銃１１からの荷電粒子線の入射を停止させる（Ｓ２３）。若しくは、時間を待ってから（Ｓ１８，Ｓ１９：Ｎｏ破線）、スポットの切替指示を行う（Ｓ２０）。

次に、荷電粒子線の入射した位置が、照準したスポットに一致していたか否かを判断するために、パラメータの送信信号ｐが切替指示部２３から送信されたタイミングにおいて、電流検出器３５で検出されているアナログ信号をデジタル信号に変換して表示する（Ｓ２１）。
そして、荷電粒子線の照準を次のスポットに合わせ（Ｓ２２：Ｎｏ，Ｓ１４：Ｎｏ）、全てのスポットの照射が終わるまで繰り返す（Ｓ２２：Ｙｅｓ）。

以上の説明において、本発明は上述した実施形態に限定されるものでなく、共通する技術思想の範囲内において、適宜変形して実施することができる。
例えば、荷電粒子線照射装置１０は、コンピュータによって各手段を各機能プログラムとして実現することも可能であり、各機能プログラムを結合して粒子線照射プログラムとして機能させることも可能である。

１０…荷電粒子線照射装置、１１…荷電粒子銃、１２（１２ｘ，１２ｙ）…偏向磁場付与手段、１３…線量検出部、１４…線量積算部、１５…銃制御部、２０…制御部、２１…蓄積部、２２…取得部、２３…切替指示部、２４…判定部、２５…電流値表示部、３０ｘ（３０）…第１励磁部（励磁部）、３０ｙ（３０）…第２励磁部（励磁部）、３３…電流発生器、３５…電流検出器、３６…比較部、３７…ＡＤ変換部、４０…患部領域、４１，４２，４３…スライス面、ｓ１…第１信号、ｓ２…第２信号、ｐ…送信信号。

Claims (9)

1. 自然数ｍで表される被検体内の複数の第ｍスポットの各々に対応するパラメータを蓄積する蓄積部と、
   各々の前記パラメータを目標として偏向磁場付与手段に出力する電流を切り替えて前記複数の第ｍスポットに対し荷電粒子線を順番に入射させる励磁部と、
   第ｍ−１スポットに入射した荷電粒子線の線量が規定値に達したところで第１信号を出力する線量積算部と、
   前記第１信号の出力に同期して前記蓄積部から第ｍ＋１スポットに対応する前記パラメータを取得する取得部と、
   先に前記取得部で取得されている第ｍスポットに対応する前記パラメータを前記第１信号に同期して前記励磁部に出力する切替指示部と、を備えることを特徴とする粒子線照射装置。
2. 請求項１に記載の粒子線照射装置において、
   前記励磁部は、前記出力する電流が入力した前記パラメータに到達したことを示す第２信号を出力する比較部を有し、
   前記切替指示部から前回のパラメータが出力された後、前記第２信号よりも先に前記第１信号が出力された場合は、この第１信号よりも後に出力される第２信号に同期して次回のパラメータを出力させる判定部を備えることを特徴とする粒子線照射装置。
3. 請求項２に記載の粒子線照射装置において、
   前記判定部は、前記第２信号よりも先に前記第１信号が出力された場合は、前記荷電粒子線の前記被検体への入射を停止させることを特徴とする粒子線照射装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の粒子線照射装置において、
   前記励磁部は、切替指示部から前記パラメータが出力されるのに同期して前記電流の値を示すアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換部を備えることを特徴とする粒子線照射装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の粒子線照射装置において、
   前記切替指示部から前回のパラメータが出力された後に、前記励磁部における電流切替の安定動作が保障される間隔よりも短い間隔で次回のパラメータが出力される場合、前記励磁部はこの次回のパラメータの出力に同期した前記電流の切り替えを実行しないことを特徴とする粒子線照射装置。
6. 請求項５に記載の粒子線照射装置において、
   さらに、荷電粒子線の被検体への入射を停止させることを特徴とする粒子線照射装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の粒子線照射装置において、
   前記パラメータは、前記励磁部が出力する前記電流の目標値の他に、この励磁部の制御定数又は前記荷電粒子線の線量の規定値が含まれることを特徴とする粒子線照射装置。
8. 自然数ｍで表される被検体内の複数の第ｍスポットの各々に対応するパラメータを蓄積するステップと、
   各々の前記パラメータを目標として偏向磁場付与手段に出力する電流を切り替えて前記複数の第ｍスポットに対し荷電粒子線を順番に入射させるステップと、
   第ｍ−１スポットに入射した荷電粒子線の線量が規定値に達したところで第１信号を出力するステップと、
   前記第１信号の出力に同期して前記蓄積部から第ｍ＋１スポットに対応する前記パラメータを取得するステップと、
   先に取得されている第ｍスポットに対応する前記パラメータを前記第１信号に同期して前記励磁部に出力するステップと、を含むことを特徴とする粒子線照射方法。
9. コンピュータを、
   自然数ｍで表される被検体内の複数の第ｍスポットの各々に対応するパラメータを蓄積させる手段、
   各々の前記パラメータを目標として偏向磁場付与手段に出力する電流を切り替えて前記複数の第ｍスポットに対し荷電粒子線を順番に入射させる手段、
   第ｍ−１スポットに入射した荷電粒子線の線量が規定値に達したところで第１信号を出力する手段、
   前記第１信号の出力に同期して前記蓄積部から第ｍ＋１スポットに対応する前記パラメータを取得する手段、
   先に取得されている第ｍスポットに対応する前記パラメータを前記第１信号に同期して前記励磁部に出力する手段、として機能させることを特徴とする粒子線照射プログラム。

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