JP2011233743A - 切削溝のエッジ検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】2つの切削ブレードによって段階的にウェーハが切削されて第一の切削溝と第二の切削溝が形成される場合において、第二の切削溝のエッジを効率的かつ正確に検出する。
【解決手段】第一の切削ブレードにより切削した第一の切削溝100の溝底100aを第一の切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の切削ブレードによって切削して第二の切削溝を形成した場合において、半導体ウェーハWを保持する保持テープT又はチャックテーブル2の上面に含有された蛍光体の燐光を利用して、第二の切削溝200を白く、その周辺を黒くした状態で撮像し、画像処理により第二の切削溝200のエッジ200aを検出することにより、実際の切削により形成された第二の切削溝200のエッジ200aを効率的かつ正確に検出する。
【選択図】図9
【解決手段】第一の切削ブレードにより切削した第一の切削溝100の溝底100aを第一の切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の切削ブレードによって切削して第二の切削溝を形成した場合において、半導体ウェーハWを保持する保持テープT又はチャックテーブル2の上面に含有された蛍光体の燐光を利用して、第二の切削溝200を白く、その周辺を黒くした状態で撮像し、画像処理により第二の切削溝200のエッジ200aを検出することにより、実際の切削により形成された第二の切削溝200のエッジ200aを効率的かつ正確に検出する。
【選択図】図9
Description
本発明は、切削により半導体ウェーハに形成された切削溝のエッジを検出する方法に関するものである。
半導体デバイス製造工程においては、ウェーハに形成されたデバイスを区画するストリートの表面にウェーハを貫通しない第一の切削溝を形成した後、その第一の切削溝に沿ってさらに切削することによりウェーハを切断する場合がある。例えば、テストエレメントグループ(Teg)と称されるテスト用の金属パターンがストリートに部分的に配設されている半導体ウェーハについては、2つの切削ブレードを具備した切削装置を用い、第一の切削ブレードを用いて第一の切削溝を形成することによりTegを除去して半導体素材を露出させ、その後に第二の切削ブレードにより第一の切削溝に沿って半導体素材を切断して第二の切削溝を形成する方法が採用されている。
切削装置は、切削ブレードによるストリートに沿った切削を正確に行うために、所定時間装置稼働後に定期的に切削溝を撮像手段の直下に位置付け、撮像手段に形成された基準線と切削溝の中心とのズレを計測することにより切削ブレードの変位量を検出し、この切削ブレードの変位量に対応して切削ブレードの位置を調整する調整作業を実施している。切削溝の中心の検出方法としては、切削溝を撮像し画像処理にて両側のエッジを検出し、検出されたエッジから切削溝の中心を割り出す方法が採用されている。
ところが、第二の切削ブレードによって形成された第二の切削溝のエッジは第一の切削溝の底部に形成されるため、画像処理によって第二の切削溝のエッジを正確に検出することが困難であり、第二の切削溝の中心と撮像手段の基準線とのズレを計測することが難しいという問題がある。そのため、特許文献1記載のように、切削動作を一時中断し、未切削のストリートに第二の切削溝を形成し、その第二の切削溝のエッジを別途検出している。
しかし、切削動作を一時中断し未切削のストリートに第二の切削溝を形成して第二の切削溝のエッジを別途検出する方法では、第二の切削溝のエッジを検出するために半導体ウェーハの切削動作を中断し、第二の切削溝のエッジ検出用に半導体ウェーハを切削しなければならず、効率が悪かった。
本発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、2つの切削ブレードによって段階的にウェーハが切削されることにより、第一の切削溝と、第一の切削溝の底部に第一の切削溝より幅が狭い第二の切削溝とが形成される場合において、第二の切削溝のエッジを効率的かつ正確に検出できるエッジの検出方法を提供することにある。
本発明は、裏面側に保持テープが貼着された半導体ウェーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された半導体ウェーハに向けて光を照射する発光体を有し半導体ウェーハを撮像する撮像手段と、半導体ウェーハを切削する第一の切削ブレード及び第一の切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の切削ブレードとを少なくとも含む切削装置を使用し、半導体ウェーハの表面側に第一の切削ブレードによって形成された第一の切削溝に沿って、第二の切削ブレードによって第一の切削溝の底部から保持テープまで切削して第二の切削溝を形成した場合における、第一の切削溝の底部に形成された第二の切削溝のエッジを検出するためのエッジ検出方法に関するもので、切削装置における撮像手段による半導体ウェーハの撮像が行われる撮像領域は、外部からの光を遮蔽する遮光部材で覆われ、保持テープ又はチャックテーブルの上面に蛍光体が含有されており、半導体ウェーハに第二の切削溝を形成した後に、第二の切削溝の溝底に発光体からの光を照射し、保持テープ又はチャックテーブルの蛍光体を燐光させる光照射ステップと、光照射ステップの後に、発光体を消光して撮像領域を暗転させ、第二の切削溝の溝底において露出する保持テープの燐光により、又は、保持テープを透過したチャックテーブルの上面の蛍光体の燐光により、第二の切削溝のみが白く、その周辺は黒くなった状態で第二の切削溝を撮像し、第二の切削溝の該エッジを検出するエッジ検出ステップとから構成される。
第一の切削溝のエッジ検出後に、上記第二の切削溝のエッジの検出を行い、第一の切削溝と第二の切削溝のズレ量を検出してもよい。
本発明によれば、第一の切削ブレードにより切削した第一の切削溝の溝底を第一の切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の切削ブレードによって切削して第二の切削溝を形成した場合において、半導体ウェーハを保持する保持テープ又はチャックテーブルの上面に含有された蛍光体の燐光を利用して、第二の切削溝を白く、その周辺を黒くした状態で撮像し、画像処理により第二の切削溝のエッジを検出することができるため、実際の切削により形成された第二の切削溝のエッジを効率的かつ正確に検出することができる。
図1に示す切削装置1は、チャックテーブル2において保持した被加工物を第一の切削手段3a及び第二の切削手段3bを用いて切削する装置であり、チャックテーブル2と第一の切削手段3a、第二の切削手段3bとはX方向、Y方向及びZ方向に相対移動可能となっている。図示の例では、チャックテーブル2がX軸方向に移動可能に構成され、第一の切削手段3a、第二の切削手段3bがY方向及びZ方向に移動可能に構成されている。
第一の切削手段3aは、Y方向の回転軸を有するスピンドル30aの先端に第一の切削ブレード31aが装着されて構成されている。第二の切削手段3bも、図1においては表れていないが、Y方向の回転軸を有するスピンドルと、そのスピンドルの先端に装着された切削ブレードとを備えている。なお、第二の切削手段3bを構成するスピンドル及び切削ブレードについては、図2において符号30b、31bをそれぞれ付している。第二の切削ブレード31bは、第一の切削ブレード31aよりも刃厚が薄く形成されている。
チャックテーブル2は、ポーラスセラミックス等からなる吸引部20を有している。チャックテーブル2の移動経路の上方には、被加工物を撮像する撮像手段4a、4bがそれぞれ配設されている。撮像手段4aは第一の切削手段3aと連動して、撮像手段4bは第二の切削手段3bと連動して、それぞれY方向及びZ方向に移動可能となっている。図2に示すように、撮像手段4a、4bのレンズにはX方向にのびる基準線40が形成されており、この基準線40のX方向の延長線上に第一の切削ブレード31a、第二の切削ブレード31bがそれぞれ位置するように予め調整がなされている。
図1に示すように、撮像手段4a、4bによる被加工物の撮像が行われる領域である撮像領域4cには、外部からの光を遮蔽する遮光部材5が配設されている。遮光部材5は、図1の例では、チャックテーブル2の移動範囲全体を覆っている。
遮光部材5で覆われた領域の外側には、被加工物を収容するカセット6aが載置される領域であるカセット載置領域6と、カセット6aに対する被加工物の搬出入を行う搬出入手段7と、切削後の被加工物を洗浄する洗浄手段8と、切削後の被加工物をチャックテーブル2から洗浄手段8に搬送する搬送手段9とを備えている。カセット載置領域6には、カセット6aを昇降させる昇降手段6bを備えている。
カセット6に収容された半導体ウェーハWは、裏面W2が保持テープTに貼着されている。保持テープTの周縁部にはフレームFが貼着されており、半導体ウェーハWは、保持テープTを介してフレームFと一体となって支持されている。搬出入手段7は、フレームFを挟持する把持部70を備えており、把持部70がフレームFを把持した状態でY方向に移動することにより、半導体ウェーハWを搬出入する。
洗浄手段8は、半導体ウェーハWを保持して回転するスピンナーテーブル80と、スピンナーテーブル80に保持された半導体ウェーハWに対して高圧洗浄水を噴出するノズル81とを備えている。
搬送手段9は、Y方向に移動する移動部90と、移動部90に対して昇降する昇降部91とを備えており、昇降部91が下降してフレームFを保持し、昇降部91が上昇して移動部90がY方向に水平移動することにより半導体ウェーハWの搬送が行われる。
図3に示すように、撮像手段4a、4bは、撮像対象位置を照らす照明装置41と、照らされた領域の像を結像させる顕微鏡42と、CCD等の撮像素子43とから構成される。
照明装置41には、LED、ハロゲンランプ等の発光体410を備えており、この発光体410は、調光器411を介して電源に接続されている。
顕微鏡42には、対物レンズ420とハーフミラー421とを備えており、ハーフミラー421と照明装置41とはグラスファイバー44によって接続されている。ハーフミラー421の上方には、顕微鏡42に対して光軸が一致する撮像素子43が位置している。撮像素子43は、モニタ10及び画像処理手段11に接続されており、撮像素子43によって取得された画像情報は、モニタ10及び画像処理手段11に転送され、表示及び画像処理される。撮像時には、チャックテーブル2に保持された半導体ウェーハWに対して発光体410から光が照射される。
次に、このように構成される切削装置1を用いて、図4に示す半導体ウェーハWに対して2段階の切削を行う場合について説明する。図4に示す半導体ウェーハWは、表面W1に縦横に形成されたストリートによって区画されてデバイスDが形成されている。半導体ウェーハWが貼着された保持テープTは、蛍光体を含有している。
半導体ウェーハWは、図5に示すように、チャックテーブル2のポーラス部材からなる吸引部20の上に保持テープTを介して載置されて吸引保持される。そして、図6に示すように、刃厚の比較的厚い第一の切削ブレード31aを高速回転させ、半導体ウェーハWの表面W1のストリートSに沿って第一の切削ブレード31aを所定深さ切り込ませることにより、裏面W2まで貫通しない第一の切削溝100を形成する。そしてその後、第一の切削ブレード31aより刃厚の薄い第二の切削ブレード31bを高速回転させながら、第一の切削溝100に沿って第二の切削ブレード31bを第一の切削溝100の底部100aに切り込ませ、底部100aから保持テープTまで切削し、図7に示すように、半導体ウェーハWの裏面W2まで貫通する第二の切削溝200を形成する。このとき、第二の切削ブレード31bが保持テープTを貫通しないように、第二の切削ブレード31bの高さ方向の位置を制御する。このようにして2段階の切削を行うと、第一の切削溝100の底部100aには、第二の切削溝200への入口部分であるエッジ200aが形成される。
こうして2段階の切削溝が形成された後、図8に示すように、第二の切削溝200の上方に撮像手段4aまたは撮像手段4bを位置させ、図3に示した撮像手段4aまたは4bを構成する発光体410から第二の切削溝200の溝底、すなわち保持テープTに対して光410aを照射し、保持テープTの蛍光体を燐光させる(光照射ステップ)。
次に、発光体410を消光すると、撮像領域4cは図1に示した遮光部材5によって覆われているため、撮像領域4cが暗転する。そして、図9(A)に示すように、撮像手段4aまたは4bが第二の切削溝200の上方に位置した状態で、第二の切削溝200の溝底である保持テープTの露出部分を撮像すると、保持テープTに含まれる蛍光体の燐光によって、撮像手段4aまたは4bは、図9(B)に示すように、第二の切削溝200のみが明るく(白く)なるとともにその周囲が暗く(黒く)なった状態の画像を取得する。この画像において、明るくなった部分と暗くなった部分との境界が第二の切削溝200のエッジ200aであり、画像処理手段11では、画像の明暗により2つのエッジ200aを検出することができる(エッジ検出ステップ)。
上記の実施形態では、蛍光体を含有する保持テープTを使用することにより、保持テープTからの燐光を利用して第二の切削溝200のエッジ200aを検出することとしたが、蛍光体を含有する保持テープTに代えて、蛍光体を含有せず発光体からの光及び燐光を透過させる薄い塩化ビニル、ポリオレフィン等で形成された図10に示す保持テープT1を使用するとともに、ポーラス部材からなる吸引部20aの上面側が蛍光体を含有したセラミックスで形成された図10に示すチャックテーブル2aを使用してもよい。
この場合は、図10に示すように、発光体410から発光される光410bを透明または半透明の保持テープTを透過させてチャックテーブル2aの吸引部20aの上面に照射し、その吸引部20aに含まれる蛍光体を燐光させる(光照射ステップ)。
そしてその後、発光体410を消光し、撮像領域4cを暗転させ、図9(A)と同様に、撮像手段4aまたは4bが第二の切削溝200の上方に位置した状態で、第二の切削溝200の溝底である保持テープT1の露出部分を撮像すると、チャックテーブル2に含まれる蛍光体の燐光が保持テープT1を透過するため、撮像手段4aまたは4bは、図9(B)に示すように、第二の切削溝200のみが明るく(白く)なり、その周囲が暗く(黒く)なった状態の画像を取得することができる。この画像において、明るくなった部分と暗くなった部分との境界が第二の切削溝200のエッジ200aであり、画像処理手段11では、画像の明暗により2つのエッジ200aを画像処理によって検出することができる(エッジ検出ステップ)。
以上のように、蛍光体による燐光を用いて第二の切削溝200の2つのエッジ200aを検出することができるため、第二の切削溝のエッジ検出用に別途切削を行ったりする必要がなく、効率よくエッジ検出を行うことができる。
2つのエッジ200aを検出すると、それらの中間位置を第二の切削溝200の中心として求めることができる。そして、その中心が、図2に示した撮像手段4a、4bの基準線40と一致しない場合は、切削ブレード31のY方向の位置を調整することにより、所望の位置を高精度に切削できるようになる。
なお、第二の切削溝200のエッジを検出する前に、第一の切削溝100を撮像し、画像処理により第一の切削溝100のエッジ100bを検出しておけば、第一の切削溝100の中心を求めることもできる。そして、第一の切削溝100の中心と第二の切削溝200の中心とが一致していない場合は、第一の切削溝100と第二の切削溝200との間にズレがあると認識することができ、そのズレ量を画像処理によって求めることもできる。第一の切削溝100のエッジ100bについては、燐光を用いずに、通常の撮像によって検出することができる。
1:切削装置
2、2a:チャックテーブル 20、20a:吸引部
3a:第一の切削手段 3b:第二の切削手段
30a、30b:スピンドル
31a:第一の切削ブレード 31b:第二の切削ブレード
4a、4b:撮像手段 4c:撮像領域
40:基準線
41:照明装置 410:発光体 411:調光器
42:顕微鏡 420:対物レンズ 421:ハーフミラー
43:撮像素子
44:グラスファイバー
5:遮光部材
6:カセット載置領域 6a:カセット
7:搬出入手段 70:把持部
8:洗浄手段 80:スピンナーテーブル 81:ノズル
9:搬送手段 90:移動部 91:昇降部
10:モニタ 11:画像処理手段
W:半導体ウェーハ W1:表面 W2:裏面
S:ストリート D:デバイス T、T1:保持テープ フレーム:F
100:第一の切削溝 100a:底部 100b:エッジ
200:第二の切削溝 200a:エッジ
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Claims (2)
- 裏面側に保持テープが貼着された半導体ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該半導体ウェーハに向けて光を照射する発光体を有し該半導体ウェーハを撮像する撮像手段と、該半導体ウェーハを切削する第一の切削ブレード及び該第一の切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の切削ブレードとを少なくとも含む切削装置を使用し、該半導体ウェーハの表面側に該第一の切削ブレードによって形成された第一の切削溝に沿って、該第二の切削ブレードによって該第一の切削溝の底部から該保持テープまで切削して該第二の切削溝を形成した場合における、該第一の切削溝の該底部に形成された該第二の切削溝のエッジを検出するためのエッジ検出方法であって、
該切削装置における該撮像手段による該半導体ウェーハの撮像が行われる撮像領域は、外部からの光を遮蔽する遮光部材で覆われ、
該保持テープ又は該チャックテーブルの上面に蛍光体が含有されており、
該半導体ウェーハに該第二の切削溝を形成した後に、該第二の切削溝の溝底に該発光体からの光を照射し、該保持テープ又は該チャックテーブルの該蛍光体を燐光させる光照射ステップと、
該光照射ステップの後に、該発光体を消光して該撮像領域を暗転させ、該第二の切削溝の溝底において露出する該保持テープの燐光により、又は、該保持テープを透過した該チャックテーブルの上面の該蛍光体の燐光により、該第二の切削溝のみが白く、その周辺は黒くなった状態で該第二の切削溝を撮像し、該第二の切削溝の該エッジを検出するエッジ検出ステップと、
からなるエッジ検出方法。 - 該第一の切削溝のエッジ検出後に、請求項1記載の第二の切削溝の該エッジの検出を行い、該第一の切削溝と該第二の切削溝のズレ量を検出する、
エッジ検出方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150135910A (ko) * | 2014-05-26 | 2015-12-04 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지들을 지지하기 위한 테이블 조립체 |
JP2020181952A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及びチャックテーブルの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121403A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削溝検出方法 |
JP2008244007A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | ダイシング用テープとダイシング方法 |
JP2009021375A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | チッピング検出方法およびチッピング検出装置 |
JP2010010445A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | エッジ検出装置、切削装置およびエッジ検出プログラム |
-
2010
- 2010-04-28 JP JP2010103347A patent/JP2011233743A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121403A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削溝検出方法 |
JP2008244007A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | ダイシング用テープとダイシング方法 |
JP2009021375A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | チッピング検出方法およびチッピング検出装置 |
JP2010010445A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | エッジ検出装置、切削装置およびエッジ検出プログラム |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150135910A (ko) * | 2014-05-26 | 2015-12-04 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지들을 지지하기 위한 테이블 조립체 |
KR101627913B1 (ko) * | 2014-05-26 | 2016-06-07 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지들을 지지하기 위한 테이블 조립체 |
JP2020181952A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及びチャックテーブルの製造方法 |
JP7266456B2 (ja) | 2019-04-26 | 2023-04-28 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及びチャックテーブルの製造方法 |
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