JP2011225801A - 有機電界発光素子用材料、及び有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、有機ＥＬ素子に用いることができ、可視光下で安定に保存させることができ、また高輝度で素子を駆動させたときの効率に優れる有機電界発光素子用材料、及び該材料を用いた有機電界発光素子を提供することである。
【解決手段】燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む有機電界発光素子用材料であって、金属錯体Ａ及びＢはともに原子量４０以上の金属と配位子とを含む有機金属錯体であり、金属錯体Ａは特定の構造を有し、金属錯体Ｂは配位子骨格に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は金属錯体Ａと同一の構造を有し、金属錯体Ａに対する金属錯体Ｂの含有比が０．００５質量％以上２質量％以下であることを特徴とする有機電界発光素子用材料。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機電界発光素子用材料、及び有機電界発光素子に関する。

有機電界発光素子（以下、「素子」、「有機ＥＬ素子」ともいう）は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから、近年活発な研究開発が行われている。一般に有機電界発光素子は、発光層を含む有機層及び該層を挟んだ一対の電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。

近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。例えば、燐光発光材料としてイリジウム錯体や白金錯体などを用い、発光効率及び素子耐久性に優れる有機電界発光素子が提案されている。
また、発光材料をホスト材料中にドープした発光層を用いるドープ型素子が広く採用されている。
例えば、特許文献１には、縮環アゾール配位子を含み、高耐久性かつ青色発光可能なイリジウム錯体について記載されている。

また、従来、発光材料等の有機ＥＬ素子に用いられる材料は、不純物を含んでいると素子の耐久性などに悪影響を与えると考えられていた。したがって材料中の不純物を低減させ、材料の純度を高くする技術が提案されている。
例えば、特許文献２には、素子の耐久性を向上させることを目的として、有機化合物層の少なくとも１層が金属配位化合物を含有し、該有機化合物層中の金属配位化合物の分解生成物又は原料物の含有量が０．５質量％以下である発光素子が記載されている。

米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書 特開２００５−３４７００４号公報

特許文献１では青色純度が高く、耐久性の高い発光材料について記載されているが、特許文献１に記載の金属錯体は、特許文献１の５５ページに記載されている通り、錯体の合成から単離に至るまで遮光条件で扱わなければならないほど、可視光に弱く、容易に酸化されるものであり、製造工程が複雑になったり、生産性に劣るため改善が望まれていた。
また、前記特許文献２では、主に素子の耐久性向上等を目的として、発光材料の純度を高める技術が開示されている。しかしながら、特許文献２では発光材料の可視光下での安定性、及び高輝度で発光素子を駆動させたときの効率については検討されていない。

本発明の目的は、有機ＥＬ素子に用いることができ、可視光下で安定に保存させることができ、また高輝度で素子を駆動させたときの効率に優れる有機電界発光素子用材料、及び該材料を用いた有機電界発光素子を提供することである。

本発明者らは鋭意検討の結果、特定の燐光性金属錯体Ａと別途合成した燐光性金属錯体Ｂを混合する方法、又は燐光性金属錯体Ａを合成する際に燐光性金属錯体Ｂも生成するように合成する方法などにより、該金属錯体Ａと該金属錯体Ｂとを特定の範囲の含有比で含む有機電界発光素子用材料とすることで、可視光下での保存安定性、及び高輝度で素子を駆動させたときの効率に優れるという効果があることを見出し、本発明に至った。
すなわち、前記課題は下記手段により解決できる。

〔１〕
燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む有機電界発光素子用材料であって、該燐光性金属錯体Ａは下記一般式（１）で表される部分構造を含み、該燐光性金属錯体Ｂは一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２のうちの少なくとも１つの置換基において、Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は該燐光性金属錯体Ａと同一の構造を有し、該燐光性金属錯体Ａに対する該燐光性金属錯体Ｂの含有比が０．００５質量％以上２質量％以下である有機電界発光素子用材料。

（一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。複数のＲ^１及びＲ^２はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表し、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｑ^１及びＱ^２を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。Ｑ^１とＱ^２は連結基により連結し、環を形成してもよい。）
〔２〕
前記金属錯体Ａは前記一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２の少なくとも１つとしてフッ素原子を有し、前記金属錯体Ｂは金属錯体Ａの有するフッ素原子のうち少なくとも１つがフッ素原子以外のハロゲン原子に置き換えられている上記〔１〕に記載の有機電界発光素子用材料。
〔３〕
前記金属錯体Ｂにおけるフッ素原子以外のハロゲン原子が塩素原子である上記〔２〕に記載の有機電界発光素子用材料。
〔４〕
前記一般式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２が全てフッ素原子である上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
〔５〕
前記金属錯体Ａが下記一般式（２）で表される部分構造を含む上記〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。

（一般式（２）中、Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^２炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表す。Ｅ^１〜Ｅ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｅ^１〜Ｅ^３が全て窒素原子を表すことはない。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。環Ｑ^１及びＥ^１〜Ｅ^３を含む環を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。）
〔６〕
前記金属錯体Ａが下記一般式（３）で表される部分構造を含む上記〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。

（一般式（３）中、Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｅ^３は炭素原子又は窒素原子を表す。ｎ３は１〜４の整数を表す。ピリジン及びＥ^３を含む環を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。）
〔７〕
前記Ｅ^３が炭素原子である上記〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
〔８〕
前記ＭがＰｔである上記〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
〔９〕
前記一般式（１）が下記一般式（Ｃ−２）で表される上記〔１〕に記載の有機電界発光素子用材料。

（式中、Ｌ^２１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｚ^２１及びＺ^２２はそれぞれ独立に５員又は６員の含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２３及びＺ^２４はそれぞれ独立にベンゼン環又は５員又は６員の芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２１及びＺ^２３はそれぞれ独立に１〜４個の置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。ただし、Ｚ^２１及びＺ^２３のうち少なくともいずれかは１つ以上の置換基を有する。Ｚ^２２及びＺ^２４は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３及びＸ^２４はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。）
〔１０〕
前記ＭがＩｒである上記〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
〔１１〕
前記一般式（１）が下記一般式（Ａ１０）で表される上記〔１〕に記載の有機電界発光素子用材料。

（一般式（Ａ１０）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
〔１２〕
前記一般式（１）が下記一般式（Ｐ−１）で表される上記〔１〕に記載の有機電界発光素子用材料。

（一般式（Ｐ−１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
〔１３〕
基板上に、一対の電極と、該電極間に発光材料を含有する発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層のうち少なくともいずれかに上記〔１〕〜〔１２〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を含む有機電界発光素子。
〔１４〕
上記〔１〕〜〔１２〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を発光層に含む上記〔１３〕に記載の有機電界発光素子。
〔１５〕
燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む有機電界発光素子用材料であって、該燐光性金属錯体Ａは下記一般式（１）で表される部分構造を含み、該燐光性金属錯体Ｂは一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２のうちの少なくとも１つの置換基において、Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は該燐光性金属錯体Ａと同一の構造を有し、該燐光性金属錯体Ａに対する該燐光性金属錯体Ｂの含有比が０．００５質量％以上２質量％以下である組成物。

（一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表し、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｑ^１及びＱ^２を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。Ｑ^１とＱ^２は連結基により連結し、環を形成してもよい。）
〔１６〕
燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む有機電界発光素子用材料であって、該燐光性金属錯体Ａは下記一般式（１）で表される部分構造を含み、該燐光性金属錯体Ｂは一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２のうちの少なくとも１つの置換基において、Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は該燐光性金属錯体Ａと同一の構造を有し、該燐光性金属錯体Ａに対する該燐光性金属錯体Ｂの含有比が０．００５質量％以上２質量％以下である発光層。

（一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表し、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｑ^１及びＱ^２を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。Ｑ^１とＱ^２は連結基により連結し、環を形成してもよい。）
〔１７〕
上記〔１３〕又は〔１４〕に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
〔１８〕
上記〔１３〕又は〔１４〕に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
〔１９〕
上記〔１３〕又は〔１４〕に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。

本発明によれば、有機ＥＬ素子に用いることができ、可視光下で安定に保存させることができ、また高輝度で素子を駆動させたときの効率に優れる有機電界発光素子用材料、及び該材料を用いた有機電界発光素子を提供することができる。

本発明に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例（第１実施形態）を示す概略図である。 本発明に係る発光装置の一例（第２実施形態）を示す概略図である。 本発明に係る照明装置の一例（第３実施形態）を示す概略図である。 実施例における金属錯体Ａに対する金属錯体Ｂの含有率（質量％）と耐久性比（％）との関係をプロットしたグラフである。 実施例における金属錯体Ａに対する金属錯体Ｂの含有率（質量％）と耐久性比（％）との関係をプロットしたグラフである。 実施例における金属錯体Ａに対する金属錯体Ｂの含有率（質量％）と効率比との関係をプロットしたグラフである。 実施例における金属錯体Ａに対する金属錯体Ｂの含有率（質量％）と効率比との関係をプロットしたグラフである。

本発明の有機電界発光素子用材料は、本発明の有機電界発光素子用材料は、燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む有機電界発光素子用材料であって、該燐光性金属錯体Ａは下記一般式（１）で表される部分構造を含み、該燐光性金属錯体Ｂは一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２のうちの少なくとも１つの置換基において、Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は該燐光性金属錯体Ａと同一の構造を有し、該燐光性金属錯体Ａに対する該燐光性金属錯体Ｂの含有比が０．００５質量％以上２質量％以下である。

（一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。複数のＲ^１及びＲ^２はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表し、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｑ^１及びＱ^２を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。Ｑ^１とＱ^２は連結基により連結し、環を形成してもよい。）

前述のように、特許文献２では、金属錯体の分解物又は原料の含有量は少なければ少ないほど良く、一定量以下にしているが、本発明では、特定の燐光性金属錯体Ａと、別の燐光性金属錯体Ｂとを特定の範囲の含有比で用いる。すなわち、本発明と特許文献２とは全く異なる技術思想に基づくものである。また、本発明の材料を用いた素子は、極めて高輝度で駆動させた場合、効率が低下してしまういわゆるロールオフ現象を低減し、高い効率が維持される。

本発明における一般式（１）で表される部分構造を含む燐光性金属錯体を特定燐光性金属錯体とも呼ぶ。
なお、本明細書における各一般式の説明における水素原子は同位体（重水素原子等）も含み、また更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。

［燐光性金属錯体］
（燐光性金属錯体Ａ）
本発明の有機電界発光素子用材料は、燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む。金属錯体Ａは少なくとも１つの配位子中に、少なくとも１つの置換基を有する下記一般式（１）で表される部分構造を含み、金属錯体Ｂは一般式（１）のＲ^１及びＲ^２のうちの少なくとも１つの置換基において、Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は金属錯体Ａと同一の構造を有する。

（一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。複数のＲ^１及びＲ^２はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表し、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｑ^１及びＱ^２を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。Ｑ^１とＱ^２は連結基により連結し、環を形成してもよい。Ｘ^２とＸ^３、Ｘ^１と炭素原子を結ぶ線は一本の線で表されているが、結合種は問わず、それぞれ単結合でも二重結合でも良い。）

一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。複数のＲ^１及びＲ^２はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。前記置換基としては、下記置換基群Ａから選ばれることが好ましい。

（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）が挙げられる。
これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。

一般式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２として好ましくは、ハロゲン原子、炭化水素置換基（好ましくは置換又は無置換の、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基）、シアノ基、ＯＲ_２ａ、ＳＲ_２ａ、ＮＲ_２ａＲ_２ｂ、ＢＲ_２ａＲ_２ｂ、又はＳｉＲ_２ａＲ_２ｂＲ_２ｃであり、更に好ましくはハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、フルオロアルキル基、シアノ基、又はＯＲ_２ａである。該炭化水素置換基が有してもよい置換基としては、前記置換基群Ａとして記載したものが挙げられ、好ましい範囲はＲ^１及びＲ^２の好ましい範囲と同様である。Ｒ_２ａ〜Ｒ_２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基である。該へテロ原子としては酸素、窒素、リン、硫黄、セレン、砒素が挙げられ、好ましくは酸素、硫黄、窒素原子であり、より好ましくは窒素原子である。Ｒ_２ａ〜Ｒ_２ｃの好ましい範囲は前記Ｒ^１及びＲ^２が炭化水素置換基である場合と同じである。
Ｒ^１及びＲ^２が複数存在する場合は、Ｒ^１及びＲ^２のうちの２つが互いに結合し、飽和又は不飽和の、芳香族環又は非芳香族環を形成していても良い。
一般式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２としては耐久性を低下させずに発光波長を制御できるためハロゲン原子が特に好ましく、フッ素原子が最も好ましい。また、Ｒ^１及びＲ^２は金属錯体Ａの母骨格となるＱ^１又はＱ^２で表される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環のどの部分に置換されるかは限定されず、ほぼ同等の効果を与える。
また、一般式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２が全てフッ素原子であることが特に好ましい。

本発明において、上記アルキル基等の置換基の「炭素数」とは、アルキル基等の置換基が他の置換基によって置換されてもよい場合も含み、当該他の置換基の炭素数も包含する意味で用いる。

一般式（１）中、Ｍは原子量４０以上の金属であり、非放射性の金属であることが好ましい。該金属は、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、又はＡｕのいずれかであることがより好ましく、Ｏｓ、Ｉｒ、又はＰｔであることが更に好ましく、Ｉｒ又はＰｔであることが特に好ましく、高い発光効率、高い錯体安定性の観点からＰｔであることが最も好ましい。

一般式（１）中、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。
Ｘ^１は炭素原子であることが好ましい。
Ｘ^２は炭素原子であることが好ましい。
Ｘ^３は金属との結合手を有する原子であり、錯体の化学的安定性を保持するという理由から、窒素原子であることが好ましい。

一般式（１）中、Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表す。Ｑ^１として具体的にはピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、テトラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造が挙げられ、好ましくはピリジン、ピラジン、ピリミジン、イミダゾール、ピラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造であり、より好ましくはピリジン、イミダゾール、ピラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造である。該他の環が縮環した構造としては、インドリジン、プリン、プテリジン、β−カルボリン、ナフチリジン、キノキサリン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、イミダゾピリジン等が挙げられる。

一般式（１）中、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｑ^２として具体的にはベンゼン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、テトラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造が挙げられ、好ましくはベンゼン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、イミダゾール、ピラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造であり、より好ましくはベンゼン、ピリジン、イミダゾール、ピラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造である。該他の環が縮環した構造としては、インドリジン、プリン、プテリジン、β−カルボリン、ナフチリジン、キノキサリン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、イミダゾピリジン等が挙げられる。

一般式（１）において、Ｑ^１とＱ^２は連結基（好ましくはアリーレン基、より好ましくはフェニレン基）により連結し、環を形成してもよい。この環は共役しているためＱ^１、Ｑ^２と同じとみなすことができ、この環に結合している置換基において、該環に直接結合している原子が同族かつ原子量の大きい原子に置き換わったものも本発明における金属錯体Ｂとして含む。
すなわち一般式（１）において、Ｑ^１及びＱ^２は、Ｘ^１−Ｘ^２を介して全体で縮環を形成していても良い。このような例としては後述する一般式（Ａ１）〜（Ａ４）などが挙げられる。

一般式（１）において、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。ただし、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。ｎ１は好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎ２は好ましくは１〜３であり、より好ましくは１又は２である。

前記一般式（１）は下記一般式（２）で表されることが好ましい。

（一般式（２）中、Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^２炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表す。Ｅ^１〜Ｅ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｅ^１〜Ｅ^３が全て窒素原子を表すことはない。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。）

一般式（２）中、Ｍ、Ｘ^２、Ｑ^１、ｎ１及びｎ２の好ましい範囲は、前記一般式（１）におけるＭ、Ｘ^２、Ｑ^１、ｎ１及びｎ２の好ましい範囲と同様である。
一般式（２）中、Ｅ^１〜Ｅ^３のうち２つ以上が炭素原子であることが好ましく、Ｅ^１及びＥ^２が炭素原子であることがより好ましい。Ｅ^３は炭素原子又は窒素原子であるが、より短波長な発光を得る観点からは窒素原子であることが好ましい。また、化合物の化学的安定性及び素子耐久性の観点からは炭素原子である事もまた好ましい。

前記一般式（２）は下記一般式（３）で表されることが好ましい。

（一般式（３）中、Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｅ^３は炭素原子又は窒素原子を表す。ｎ３は１〜４の整数を表す。）

一般式（３）中、Ｍの好ましい範囲は、前記一般式（１）におけるＭの好ましい範囲と同様である。ｎ３は好ましくは１〜２である。

一般式（１）におけるＭがＰｔである金属錯体について説明する。
一般式（１）におけるＭがＰｔである金属錯体は下記一般式（Ｃ−１）で表されるものが好ましい。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。複数のＲ^１及びＲ^２はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表し、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｑ^３及びＱ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。Ｑ^３及びＱ^４は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｌ^１はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−１）について説明する。Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。この時、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４とＰｔの結合は、共有結合、イオン結合、配位結合などいずれであっても良い。Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４中のＰｔに結合する原子の内、少なくとも一つが炭素原子であることが好ましく、二つが炭素原子であることがより好ましく、二つが炭素原子で、二つが窒素原子であることが特に好ましい。
Ｘ^１は炭素原子であることが好ましい。
Ｘ^２は炭素原子であることが好ましい。
Ｘ^３は金属との結合手を有する原子であり、錯体の化学的安定性を保持するという理由から、窒素原子であることが好ましい。
炭素原子でＰｔに結合するＱ^３及びＱ^４としては、アニオン性の配位子でも中性の配位子でもよく、環状配位子であっても非環状配位子であってもよい。アニオン性の配位子としてはビニル配位子、芳香族炭化水素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントレン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。中性の配位子としてはカルベン配位子が挙げられる。
窒素原子でＰｔに結合するＱ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としては含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサゾール配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））、アミン配位子、ニトリル配位子、イミン配位子が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アミノ配位子、イミノ配位子、含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピロール配位子、イミダゾール配位子、トリアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えはインドール配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））が挙げられる。
酸素原子でＰｔに結合するＱ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはエーテル配位子、ケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子、含酸素ヘテロ環配位子（フラン配位子、オキサゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾオキサゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子などが挙げられる。
硫黄原子でＰｔに結合するＱ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはチオエーテル配位子、チオケトン配位子、チオエステル配位子、チオアミド配位子、含硫黄ヘテロ環配位子（チオフェン配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、ヘテロアリールメルカプト配位子などが挙げられる。
リン原子でＰｔに結合するＱ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはホスフィン配位子、リン酸エステル配位子、亜リン酸エステル配位子、含リンヘテロ環配位子（ホスフィニン配位子など）が挙げられ、アニオン性の配位子としては、ホスフィノ配位子、ホスフィニル配位子、ホスホリル配位子などが挙げられる。
Ｑ^３及びＱ^４は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い（Ｑ^３とＱ^４が連結した場合、環状四座配位子のＰｔ錯体になる）。

Ｑ^３及びＱ^４として好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、より好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アリールオキシ配位子であり、更に好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子である。

Ｑ^１としてはピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、テトラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造が挙げられ、好ましくはピリジン、ピラジン、ピリミジン、イミダゾール、ピラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造であり、より好ましくはピリジン、イミダゾール、ピラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造である。該他の環が縮環した構造としては、インドリジン、プリン、プテリジン、β−カルボリン、ナフチリジン、キノキサリン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、イミダゾピリジン等が挙げられる。

Ｑ^２としてはベンゼン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、テトラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造が挙げられ、好ましくはベンゼン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、イミダゾール、ピラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造であり、より好ましくはベンゼン、ピリジン、イミダゾール、ピラゾール及びこれらの環に他の環が縮環した構造である。該他の環が縮環した構造としては、インドリジン、プリン、プテリジン、β−カルボリン、ナフチリジン、キノキサリン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、イミダゾピリジン等が挙げられる。

一般式（Ｃ−１）において、Ｒ^１及びＲ^２が表す置換基としては前記一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４のいずれか１つ以上はフッ素置換基を有することが好ましい。フッ素置換基の数は特に限定されないが、層分離を抑制する観点から一つの配位子に対し３つ以下であることが好ましい。フッ素置換基はＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４のうち芳香族炭化水素環配位子、ヘテロ環配位子及びそれらを含む縮環体を表すものに置換されていることが化学的安定性の観点から好ましい。

Ｌ^１は、単結合又は二価の連結基を表す。Ｌ^１で表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、又はこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、更に置換基を有していてもよい。該置換基としては前記置換基群Ａから選択される置換基が挙げられ、好ましい範囲はＲ^１及びＲ^２と同様である。
錯体の安定性及び発光量子収率の観点から、Ｌ^１として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、更に好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基であり、更に好ましくは、単結合、メチレン基、フェニレン基であり、更に好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基であり、更に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基である。

一般式（Ｃ−１）において、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。ただし、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。ｎ１は好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎ２は好ましくは１〜３であり、より好ましくは１又は２である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましくは下記一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体である。

（式中、Ｌ^２１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｚ^２１及びＺ^２２はそれぞれ独立に５員又は６員の含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２３及びＺ^２４はそれぞれ独立にベンゼン環又は５員又は６員の芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２１及びＺ^２３はそれぞれ独立に１〜４個の置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。ただし、Ｚ^２１及びＺ^２３のうち少なくともいずれかは１つ以上の置換基を有する。Ｚ^２２及びＺ^２４は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３及びＸ^２４はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。）

一般式（Ｃ−２）について説明する。Ｌ^２１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３及びＸ^２４はそれぞれ前記一般式（Ｃ−１）中のＸ^１及びＸ^２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ｚ^２１、Ｚ^２２は、それぞれ独立に５員又は６員の含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２１、Ｚ^２２で表される含窒素芳香族ヘテロ環としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、キノリン環、イソキノリン環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環などが挙げられる。錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点から、Ｚ^２１、Ｚ^２２で表される環として好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環であり、より好ましくはピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環であり、更に好ましくはピリジン環、ピラゾール環であり、特に好ましくはピリジン環である。

前記Ｚ^２２で表される５員又は６員の含窒素芳香族ヘテロ環は置換基を有していてもよく、炭素原子上の置換基としては前記置換基群Ａが、窒素原子上の置換基としては下記置換基群Ｂが適用できる。
（置換基群Ｂ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル、ペンタフルオロフェニルなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）
炭素原子上の置換基として好ましくはアルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子である。置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、短波長化させる場合には電子供与性基、フッ素原子、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、フッ素原子、アリール基、芳香族ヘテロ環基などが選択される。また長波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばシアノ基、ポリフルオロアルキル基などが選択される。
窒素原子上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、アリール基が好ましい。前記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。

Ｚ^２３、Ｚ^２４は、それぞれ独立にベンゼン環又は５員又は６員の芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２３、Ｚ^２４で表される含窒素芳香族ヘテロ環としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点からＺ^２３、Ｚ^２４で表される環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラゾール環であり、更に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。

前記Ｚ^２４で表されるベンゼン環、５員又は６員の含窒素芳香族ヘテロ環は置換基を有していてもよく、炭素原子上の置換基としては前記置換基群Ａが、窒素原子上の置換基としては前記置換基群Ｂが適用できる。
炭素上の置換基として好ましくはアルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子である。置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、長波長化させる場合には電子供与性基、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリール基、芳香族ヘテロ環基などが選択される。また短波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばフッ素基、シアノ基、ポリフルオロアルキル基などが選択される。
窒素原子上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、アリール基が好ましい。前記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。

一般式（Ｃ−２）において、Ｚ^２１及びＺ^２３が有していてもよい置換基としては前記置換基群Ａから選択される置換基が挙げられ、好ましい範囲は前記一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２と同様である。また置換基の数の好ましい範囲も前記一般式（１）と同様である。
Ｚ^２１及びＺ^２３のいずれか１つ以上はフッ素置換基を有することが好ましい。フッ素置換基の数は特に限定されないが、層分離を抑制する観点から一つの環に対し３つ以下であることが好ましい。
Ｚ^２２及びＺ^２４が有していてもよい置換基の好ましい範囲はＺ^２１及びＺ^２３と同様である。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−３）で表される白金錯体である。

（式中、Ａ^３０１〜Ａ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^３１は単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−３）について説明する。Ｌ^３１は一般式（Ｃ−２）におけるＬ^２１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ａ^３０１〜Ａ^３０６はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
Ａ^３０１〜Ａ^３０６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。Ａ^３０１〜Ａ^３０６がＣ−Ｒである場合に、Ａ^３０２、Ａ^３０５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、フッ素基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基、フェニル基、キシリル基、フッ素基である。該アルキル基、アリール基は更に置換基を有しても良く、該置換基としてはアルキル基、アリール基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基（好ましくはトリフルオロメチル基）であり、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）である。Ａ^３０２、Ａ^３０５がＣ−Ｒである場合、該Ａ^３０２、Ａ^３０５のＲとしては、素子の耐久性向上の観点からはアリール基が好ましく、発光波長が短いという観点では水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、フッ素基、シアノ基が好ましい。
Ａ^３０１、Ａ^３０３、Ａ^３０４、Ａ^３０６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましくは水素原子であるが、１つ以上がフッ素原子を表すことが好ましい。
Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して縮環構造を形成してもよい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、Ａ^３０８が窒素原子であることが好ましい。

上記の如くＡ^３０７〜Ａ^３１０を選択した場合、２つの炭素原子とＡ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０から形成される６員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環が挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。前記６員環が、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環（特に好ましくはピリジン環）であることにより、ベンゼン環と比較して、金属−炭素結合を形成する位置に存在する水素原子の酸性度が向上する為、より金属錯体を形成しやすくなる点有利である。

Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３のうち少なくとも一つは窒素原子であることが好ましく、特にＡ^３１１が窒素原子であることが好ましい。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−４）で表される白金錯体である。
一般式（Ｃ−４）

（一般式（Ｃ−４）中、Ａ^４０１〜Ａ^４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^４１は単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−４）について説明する。
Ａ^４０１〜Ａ^４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表し、好ましい範囲は前記一般式（Ｃ−３）のＲと同様であるが、１つ以上がフッ素原子を表すことが好ましい。Ａ^４０１〜Ａ^４０６及びＬ^４１は、前記一般式（Ｃ−３）におけるＡ^３０１〜Ａ^３０６及びＬ^３１と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ａ^４０７〜Ａ^４１４としては、Ａ^４０７〜Ａ^４１０とＡ^４１１〜Ａ^４１４のそれぞれにおいて、窒素原子の数は、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、Ａ^４０８、Ａ^４１２が窒素原子であることが好ましく、Ａ^４０８とＡ^４１２が共に窒素原子であることが更に好ましい。
Ａ^４０７〜Ａ^４１４がＣ−Ｒを表す場合に、Ａ^４０８、Ａ^４１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくは、水素原子、ポリフルオロアルキル基、フッ素基、シアノ基である。Ａ^４０７、Ａ^４０９、Ａ^４１１、Ａ^４１３のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、フッ素基である。Ａ^４１０、Ａ^４１４のＲとして好ましくは水素原子、フッ素基であり、より好ましくは水素原子である。Ａ^４０７〜Ａ^４０９、Ａ^４１１〜Ａ^４１３のいずれかがＣ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−５）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−５）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^５１は単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−５）について説明する。Ａ^５０１〜Ａ^５０６及びＬ^５１は、前記一般式（Ｃ−３）におけるＡ^３０１〜Ａ^３０６及びＬ^３１と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ａ^５０１〜Ａ^５０６はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表し、好ましい範囲は前記一般式（Ｃ−３）のＲと同様であるが、１つ以上がフッ素原子を表すことが好ましい。

Ａ^５０７、Ａ^５０８及びＡ^５０９とＡ^５１０、Ａ^５１１及びＡ^５１２は、それぞれ独立に、一般式（Ｃ−３）におけるＡ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましい別の態様は下記一般式（Ｃ−６）で表される白金錯体である。

（式中、Ｌ^６１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｚ^６１及びＺ^６２はそれぞれ独立に５員又は６員の含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^６３はそれぞれ独立にベンゼン環又は５員又は６員の芳香族ヘテロ環を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。Ｚ^６１及びＺ^６３はそれぞれ独立に１〜４個の置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。ただし、Ｚ^６１及びＺ^６３のうち少なくともいずれかは１つ以上の置換基を有する。Ｚ^６２は置換基を有していてもよい。Ｘ^６１及びＸ^６２はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。）

一般式（Ｃ−６）について説明する。Ｌ^６１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ｘ^６１及びＸ^６２はそれぞれ前記一般式（Ｃ−１）中のＸ^１及びＸ^２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ｚ^６１、Ｚ^６２は、それぞれ前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ^２１、Ｚ^２２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ^６３は、前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ^２３と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。非環状配位子とはＰｔに結合する原子が配位子の状態で環を形成していないものである。Ｙ中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましく、窒素原子、酸素原子がより好ましく、酸素原子が最も好ましい。炭素原子でＰｔに結合するＹとしてはビニル配位子が挙げられる。窒素原子でＰｔに結合するＹとしてはアミノ配位子、イミノ配位子が挙げられる。酸素原子でＰｔに結合するＹとしては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子、カルボキシル配位子、リン酸配位子、スルホン酸配位子などが挙げられる。硫黄原子でＰｔに結合するＹとしては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、ヘテロアリールメルカプト配位子、チオカルボン酸配位子などが挙げられる。
Ｙで表される配位子は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い。

Ｙで表される配位子として好ましくは酸素原子でＰｔに結合する配位子であり、より好ましくはアシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、更に好ましくはアシルオキシ配位子である。

一般式（Ｃ−６）において、Ｚ^６１及びＺ^６３が有していてもよい置換基としては前記置換基群Ａから選択される置換基が挙げられ、好ましい範囲は前記一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２と同様である。また置換基の数の好ましい範囲も前記一般式（１）と同様である。
Ｚ^６１及びＺ^６３のいずれか１つ以上はフッ素置換基を有することが好ましい。フッ素置換基の数は特に限定されないが、層分離を抑制する観点から一つの環に対し３つ以下であることが好ましい。
Ｚ^６２が有していてもよい置換基、及びその好ましい範囲はＺ^６１及びＺ^６３と同様である。

一般式（Ｃ−６）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−７）で表される白金錯体である。

（式中、Ａ^７０１〜Ａ^７１０は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^７１は単結合又は二価の連結基を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。）

一般式（Ｃ−７）について説明する。Ｌ^７１は、前記一般式（Ｃ−６）中のＬ^６１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ａ^７０１〜Ａ^７１０は一般式（Ｃ−３）におけるＡ^３０１〜Ａ^３１０と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙは一般式（Ｃ−６）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ａ^７０１〜Ａ^７０６はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表し、好ましい範囲は前記一般式（Ｃ−３）のＲと同様であるが、１つ以上がフッ素原子を表すことが好ましい。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体として具体的には、特開２００５−３１０７３３の［０１４３］〜［０１５２］、［０１５７］〜［０１５８］、［０１６２］〜［０１６８］に記載の化合物、特開２００６−２５６９９９の［００６５］〜［００８３］に記載の化合物、特開２００６−９３５４２の［００６５］〜［００９０］に記載の化合物、特開２００７−７３８９１の［００６３］〜［００７１］に記載の化合物、特開２００７−３２４３０９の［００７９］〜［００８３］に記載の化合物、特開２００７−９６２５５の［００５５］〜［００７１］に記載の化合物、特開２００６−３１３７９６の［００４３］〜［００４６］が挙げられ、その他以下に例示する白金錯体が挙げられる。

一般式（１）におけるＭがＰｔである場合の、金属錯体Ａ及びＢの構造、及び金属錯体Ｂの含有量の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。下記表１〜表１０、表２１、表２２に金属錯体ＡとＢの種類、及び金属錯体Ａに対する金属錯体Ｂの含有量を示す。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体化合物は、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ５３，７８６，（１９８８） 、Ｇ．Ｒ．Ｎｅｗｋｏｍｅ ｅｔ ａｌ．）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法及びその組み合わせ、Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ １１３，２７４９（１９８０）、Ｈ．Ｌｅｘｙほか）の、２７５２頁、２６行〜３５行に記載の方法等、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、若しくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキシド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、若しくは、塩基非存在下、室温以下、若しくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。

一般式（１）におけるＭがＩｒである金属錯体（特定イリジウム錯体とも呼ぶ）について説明する。

特定イリジウム錯体は、下記一般式（Ａ１）、一般式（Ａ２）、一般式（Ａ３）、又は一般式（Ａ４）で表される２座配位子を有することが好ましい。なお、本発明における配位子の一般式中、＊はイリジウムへの配位部位であって、Ｅ_１ａとイリジウムの結合、及びＥ_１ｐとイリジウムの結合は、それぞれ独立に共有結合であっても配位結合であってもよい。

（一般式（Ａ１）〜（Ａ４）中、Ｅ_１ａ〜Ｅ_１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。ただし、一般式（Ａ１）及び（Ａ３）においては、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。一般式（Ａ２）及び（Ａ４）においては、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｈのうち少なくとも一つは置換基を表す。）

Ｅ_１ａ〜Ｅ_１ｑは炭素原子又はヘテロ原子から選ばれ、好ましくは炭素原子又は窒素原子から選ばれる。また、Ｅ_１ａとＥ_１ｐは異なる原子であることが好ましい。また、該骨格は１８π電子構造を有する。
なお、本発明における配位子の一般式中、＊は金属への配位部位であって、Ｅ_１ａと金属の結合、及びＥ_１ｑと金属の結合はそれぞれ独立に共有結合であっても、配位結合であっても良い。

該２座配位子は他の配位子と結合して３座、４座、５座、６座の配位子を形成しても良い。

ヘテロ原子とは、炭素原子又は水素原子以外の原子を指す。ヘテロ原子の例として、例えば酸素、窒素、リン、硫黄、セレン、砒素、塩素、臭素、ケイ素、又はフッ素が挙げられる。

Ｅ_１ａ〜Ｅ_１ｅから形成される５員環は、５員のヘテロ環を表す。５員のヘテロ環として、具体的にはオキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾールなどが挙げられる。好ましくはイミダゾール又はピラゾールであり、より好ましくはイミダゾールである。これらの５員環は他の環によって縮環されていても良い。
また、Ｅ_１ａ〜Ｅ_１ｅのうち少なくとも１つは窒素原子を表すことが好ましく、Ｅ_１ａ〜Ｅ_１ｅのうち２つ、又は３つが窒素原子を表すことが更に好ましく、Ｅ_１ａ〜Ｅ_１ｅのうち２つが窒素原子を表すことが特に好ましい。Ｅ_１ａ〜Ｅ_１ｅのうち２つが窒素原子を表す場合、Ｅ_１ａ、Ｅ_１ｄ、及びＥ_１ｅのうち２つが窒素原子を表すことが好ましく、Ｅ_１ａとＥ_１ｄ、又はＥ_１ａとＥ_１ｅが窒素原子を表すことがより好ましく、Ｅ_１ａとＥ_１ｄが窒素原子を表すことが更に好ましい。

Ｅ_１ｆ〜Ｅ_１ｋから形成される環は５員又は６員の芳香族炭化水素環又はヘテロ環であり、好ましくは６員環であり、より好ましくは６員の芳香族炭化水素環である。Ｅ_１ｆ〜Ｅ_１ｋから形成される環の具体例としては、ベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。好ましくはピリジン又はベンゼンであり、より好ましくはベンゼンである。

Ｅ_１ｌ〜Ｅ_１ｑから形成される環は、５員又は６員の芳香族炭化水素環又はヘテロ環であり、好ましくは６員環であり、より好ましくは６員の芳香族炭化水素環である。Ｅ_１ｌ〜Ｅ_１ｑから形成される環の具体例としては、ベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。好ましくはピリジン又はベンゼンであり、より好ましくはベンゼンである。

Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。該置換基は、好ましくは前記置換基群Ａから選ばれる基である。ただし、一般式（Ａ１）及び（Ａ３）においては、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。一般式（Ａ２）及び（Ａ４）においては、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｈのうち少なくとも一つは置換基を表す。
Ｒ_１ａ、Ｒ_１ｂ、Ｒ_１ｇ、Ｒ_１ｈ、及びＲ_１ｉのうち少なくとも一つが置換基を表すことが好ましい。
一般式（Ａ１）及び（Ａ３）において、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉが表す置換基としては前記一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（Ａ２）及び（Ａ４）において、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｈが表す置換基としては前記一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉは、好ましくは水素原子、ハロゲン原子、炭化水素置換基（好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基）、シアノ基、ＯＲ_２ａ、ＳＲ_２ａ、ＮＲ_２ａＲ_２ｂ、ＢＲ_２ａＲ_２ｂ、又はＳｉＲ_２ａＲ_２ｂＲ_２ｃである。Ｒ_２ａ〜Ｒ_２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基であり、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉ、Ｒ_２ａ〜Ｒ_２ｃのうちの２つが互いに結合し、飽和又は不飽和の、芳香族環又は非芳香族環を形成していても良い。窒素原子に結合している場合、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉは存在しない。

Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉは少なくとも１つが母骨格に対し２面角が７０度以上であるアリール基であることが好ましく、下記一般式ｓｓ−１で表される置換基であることがより好ましく、２，６−ジ置換アリール基であることが更に好ましく、Ｒ_１ｂが２，６−ジ置換アリール基であることが最も好ましい。

（一般式ｓｓ−１中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、又はアリール基のいずれかを表す。Ｒｃの数は０〜３個である。）

Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられ、メチル基、又はイソプロピル基が好ましい。

Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアリール基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、などが挙げられ、フェニル基、２，６−キシリル、メシチル、が好ましく、フェニル基がより好ましい。

Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基又はアリール基から選ばれることが好ましく、Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基から選ばれることがより好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にアルキル基であることが更に好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にメチル基、又はイソプロピル基であることが最も好ましい。
２，６−ジ置換アリール基として好ましくは２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリイソプロピルフェニル基、２，６−ジメチル−４−フェニルフェニル基、２，６−ジメチル−４−（２，６−ジメチルピリジン−４−イル）フェニル基、２，６−ジフェニルフェニル基、２，６−ジフェニル−４−イソプロピルフェニル基、２，４，６−トリフェニルフェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（４−イソプロピルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（ピリジン−４−イル）フェニル基、又は２，６−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基である。

Ｒｃの数は、好ましくは０又は１である。複数のＲｃは同一でも異なっても良い。

一方で、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉは、少なくとも１つがアルキル基であることが好ましい。特に、Ｒ_１ｅがアルキル基であることがより好ましい。アルキル基は４以上の炭素原子から成るベンジル位より離れた部位で分岐しているアルキル基であることが好ましく、メチル基又はネオペンチル基であることが好ましく、ネオペンチル基であることがより好ましい。
Ｒ_１ａ及びＲ_１ｂの少なくとも１つは電子供与性基であることが好ましく、Ｒ_１ａが電子供与性置換基であることが好ましく、Ｒ_１ａがメチル基であることがより好ましい。

炭化水素置換基とは、１価又は２価で、鎖状、分岐又は環状の置換基であり、炭素原子と水素原子のみからなるものを指す。
１価の炭化水素置換基の例としては、炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数６〜１８のアリール基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換されたアリール基等が挙げられる。
２価の炭化水素基の例としては、−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、１，２−フェニレン基等が挙げられる。

一般式（Ａ１）〜（Ａ４）のいずれかで表される２座配位子は、一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される２座配位子であることが好ましい。

一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される２座配位子は、下記一般式（Ａ１−１）又は（Ａ３−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。

（一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）中、Ｅ_１ａ、Ｅ_１ｄ、Ｅ_１ｅ〜Ｅ_１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。ただし、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。）

一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）中、Ｅ_１ａ、Ｅ_１ｄ、Ｅ_１ｅ〜Ｅ_１ｑ及びＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１）及び（Ａ３）におけるＥ_１ａ、Ｅ_１ｄ、Ｅ_１ｅ〜Ｅ_１ｑ及びＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉと同様である。

本発明においては、一般式（Ａ１−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子がより好ましい。

一般式（Ａ１−１）又は（Ａ３−１）で表される２座配位子は、下記一般式（Ａ１−２）又は（Ａ３−２）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。

（一般式（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）中、Ｅ_１ｆ〜Ｅ_１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。ただし、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。）

一般式（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）中、Ｅ_１ｌ〜Ｅ_１ｑ及びＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）におけるＥ_１ｌ〜Ｅ_１ｑ及びＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉと同様である。

一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、一般式（Ａ１−３）又は（Ａ３−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることがより好ましい。

（一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）中、Ｅ_１ｆ〜Ｅ_１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。ただし、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。）

一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）中、Ｅ_１ｌ〜Ｅ_１ｑ及びＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１−１）及び（Ａ２−１）におけるＥ_１ｌ〜Ｅ_１ｑ及びＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉと同様である。

一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、一般式（Ａ１−４）又は（Ａ３−４）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることがより好ましい。

（一般式（Ａ１−４）及び（Ａ３−４）中、Ｅ_１ｆ〜Ｅ_１ｋはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−４）及び（Ａ３−４）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。ただし、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。）

一般式（Ａ１−４）及び（Ａ３−４）中、Ｅ_１ｆ〜Ｅ_１ｋ及びＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１−１）及び（Ａ２−１）におけるＥ_１ｌ〜Ｅ_１ｑ及びＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉと同様である。
一般式（Ａ１−４）及び（Ａ３−４）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、下記一般式（Ａ１−５）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。

（一般式（Ａ１−５）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。）

一般式（Ａ１−５）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１−３）におけるＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉと同様である。

一般式（Ａ１−５）で表される２座配位子は下記一般式（Ａ１−６）で表される２座配位子であることが好ましい。

（一般式（Ａ１−６）中、Ｒ_１ａ、Ｒ_１ｇ、Ｒ_１ｈ、及びＲ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。ただし、Ｒ_１ａ〜、Ｒ_１ｇ、Ｒ_１ｈ、及びＲ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。）
一般式（Ａ１−６）中、Ｒ_１ａ、Ｒ_１ｇ、Ｒ_１ｈ、Ｒ_１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１−１）におけるＲ_１ａ、Ｒ_１ｇ、Ｒ_１ｈ、Ｒ_１ｉと同様である。また、Ｒｂ及びＲｃの好ましいものは、一般式ｓｓ−１におけるＲｂ及びＲｃと同様である。

本発明において、特定イリジウム錯体は、下記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体であることが好ましい。

（一般式（Ａ１０）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。ただし、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。）

一般式（Ａ１０）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１）におけるＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉの好ましいものと同様である。

（Ｘ−Ｙ）は、二座のモノアニオン性副配位子を示す。これらの副配位子は、発光特性に直接寄与するのではなく、分子の発光特性を制御することができると考えられている。「３−ｎ」は０、１又は２でありうる。発光材料において使用される二座のモノアニオン性配位子を、当業界で公知であるものから選択することができる。二座のモノアニオン性配位子は、例えばＬａｍａｎｓｋｙらのＰＣＴ出願ＷＯ０２／１５６４５号パンフレットの８９〜９０頁に記載されている配位子が挙げられるが、本発明はこれに限定されない。好ましい二座のモノアニオン性副配位子には、アセチルアセトネート（ａｃａｃ）及びピコリネート（ｐｉｃ）、及びこれらの誘導体が含まれる。

本発明において、一般式（Ａ１）〜（Ａ１−６）のいずれかで表される主配位子から成る金属錯体は、主配位子若しくはその互変異性体と副配位子若しくはその互変異性体の組み合わせで構成されるか、該金属錯体の配位子の全てが主配位子又はその互変異性体で表される部分構造のみで構成されていてもよい。

本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、錯体中の配位子の種類は１〜２種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは１種類である。錯体分子内に反応性基を導入する際には合成容易性という観点から配位子が２種類からなることも好ましい。

従来公知の金属錯体に用いられる副配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社 Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著 １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社 山本明夫著 １９８２年発行等に記載の配位子（例えば、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロアリール配位子（例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）が挙げられる。本発明の副配位子として好ましくは、ジケトン類あるいはピコリン酸誘導体である。

以下に、副配位子の例を具体的に挙げるが、これらに限定されない。

＊は金属への配位位置を表す。
上記Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。該置換基としては前記置換基群Ａから選ばれる置換基が挙げられる。
好ましくは、Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかであり、より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基、フッ素原子、置換されていても良いフェニル基であり、最も好ましくはメチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子、フェニル基である。Ｒｙは好ましくは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかであり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、置換されていても良いフェニル基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基のいずれかである。これら副配位子は素子中で電荷を輸送したり励起によって電子が集中する部位ではないと考えられるため、Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚは化学的に安定な置換基であれば良く、本発明の効果にも影響を及ぼさない。
上記のなかでも一般式（ｌ−１）、（ｌ−４）、又は（ｌ−５）がより好ましく、一般式（ｌ−１）、又は（ｌ−４）が更に好ましく一般式（ｌ−１）が特に好ましい。

本発明においては錯体の安定性、高い発光量子収率の観点から二座のモノアニオン性配位子はアセチルアセトネート（ａｃａｃ）であることが好ましい。

一般式（Ａ１０）において、合成の容易さの観点からはｎは３である事が好ましいが、ｎを１〜２として配位子を安価な副配位子に置き換える事もコスト削減の観点からまた好ましい。
ｎが３である場合、前記一般式（Ａ１０）は、下記一般式（Ａ１０−１）で表される。

（一般式（Ａ１０−１）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉのうち少なくとも一つは置換基を表す。）
一般式（Ａ１０−１）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１）におけるＲ_１ａ〜Ｒ_１ｉの好ましいものと同様である。

一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される２座配位子を有する特定イリジウム錯体の具体例を以下に示す。下記表１１及び１２に金属錯体ＡとＢの種類、及び金属錯体Ａに対する金属錯体Ｂの含有量を示す。

Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｉは一般式（Ａ１）におけるＲ^１ａ〜Ｒ^１ｉと同義であり、好ましいものも同様である。

一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体は、例えば、ＵＳ２００７／０１９０３５９やＵＳ２００８／０２９７０３３に記載の方法など、種々の手法で合成できる。

また、特定イリジウム錯体は、下記一般式（Ｐ−１）で表される化合物であることも好ましい。

（一般式（Ｐ−１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｅ^３は炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）

ｎは２〜３であることが好ましく、２であることがより好ましい。Ｅ^３は炭素原子であることが錯体の化学的安定性の向上という理由から好ましい。短波長発光させる観点からはＥ^３が窒素原子である事もまた好ましい。
Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ１及びｎ２は前記一般式（１）におけるＲ^１、Ｒ^２、ｎ１及びｎ２と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ｒ^１及びＲ^２としては前記置換基群Ａから選ばれる置換基が好ましく、ハロゲン原子、炭化水素置換基（好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基）、ＯＲ_２ａ、ＳＲ_２ａ、ＮＲ_２ａＲ_２ｂ、ＢＲ_２ａＲ_２ｂ、又はＳｉＲ_２ａＲ_２ｂＲ_２ｃである。Ｒ_２ａ〜Ｒ_２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基であり、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉ、Ｒ_２ａ〜Ｒ_２ｃのうちの２つが互いに結合し、飽和又は不飽和の、芳香族環又は非芳香族環を形成していても良い。

Ｒ^１、Ｒ^２がアルキル基を表す場合、更に置換基を有していてもよく、飽和であっても不飽和であってもよく、置換してもよい基としては、下記置換基Ｚを挙げることができる。アルキル基として、好ましくは総炭素原子数１〜８のアルキル基であり、より好ましくは総炭素原子数１〜６のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、シクロヘキシル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
置換基Ｚとしては、ハロゲン原子、−Ｒ’、−ＯＲ’、−Ｎ（Ｒ’）_２、−ＳＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｒ’、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ’）_２、−ＣＮ、−ＮＯ_２、−ＳＯ_２、−ＳＯＲ’、−ＳＯ_２Ｒ’、又は−ＳＯ_３Ｒ’が挙げられ、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。

Ｒ^１、Ｒ^２がシクロアルキル基を表す場合、更に置換基を有していてもよく、飽和であっても不飽和であってもよく、置換してもよい基としては、前述の置換基Ｚを挙げることができる。シクロアルキル基として、好ましくは環員数４〜７のシクロアルキル基であり、より好ましくは総炭素原子数５〜６のシクロアルキル基であり、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^１、Ｒ^２がアルケニル基を表す場合、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、１−プロペニル、１−イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。
Ｒ^１、Ｒ^２がアルキニル基を表す場合、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばエチニル、プロパルギル、１−プロピニル、３−ペンチニルなどが挙げられる。

Ｒ^１、Ｒ^２がヘテロアルキル基を表す場合、前記アルキル基の少なくとも１つの炭素がＯ、ＮＲ、又はＳに置き換わった基を挙げることができる。

Ｒ^１、Ｒ^２がアリール基を表す場合、好ましくは、炭素数６から３０の置換若しくは無置換のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。

Ｒ^１、Ｒ^２がヘテロアリール基を表す場合、好ましくは、炭素数５〜８のヘテロアリール基であり、より好ましくは、５又は６員の置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、例えば、ピリジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、ピロリル基、インドリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、ベンズオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イソチアゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、チアジアゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンズイソオキサゾリル基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、イミダゾリジニル基、チアゾリニル基、スルホラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、７ピリドインドリル基などが挙げられる。好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジニル基、イミダゾリル基、チエニル基であり、より好ましくは、ピリジル基、ピリミジニル基である。

Ｒ^１及びＲ^２として好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基、ペルフルオロアルキル基、ジアルキルアミノ基、アリール基、ヘテロアリール基、又はハロゲン原子であり、より好ましくはアルキル基、シアノ基、ペルフルオロメチル基、アリール基、又はハロゲン原子であり、更に好ましくは、アルキル基、アリール基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子であり、特に好ましくは、メチル基、イソブチル基、フェニル基、又はフッ素原子である。
置換基Ｚとしては、アルキル基、アルコキシ基、フルオロ基、シアノ基、ジアルキルアミノ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。

一般式（Ｐ−１）中、Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。該形成される環としては縮合４〜７員環が好ましく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル基、シクロヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましい。

（Ｘ−Ｙ）は、二座のモノアニオン性配位子を示す。「３−ｎ」は０、１又は２でありうる。発光材料において使用される二座のモノアニオン性配位子を、当業界で公知であるものから選択することができる。二座のモノアニオン性配位子は、例えばＬａｍａｎｓｋｙらのＰＣＴ出願ＷＯ０２／１５６４５号パンフレットの８９〜９０頁に記載されている配位子が挙げられるが、本発明はこれに限定されない。好ましい二座のモノアニオン性配位子には、アセチルアセトネート（ａｃａｃ）及びピコリネート（ｐｉｃ）、及びこれらの誘導体が含まれる。

本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、錯体中の配位子の種類は１〜２種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは１種類である。錯体分子内に反応性基を導入する際には合成容易性という観点から配位子が２種類からなることも好ましい。

従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社 Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著 １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社 山本明夫著 １９８２年発行等に記載の配位子（例えば、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロアリール配位子（例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）が挙げられる。（Ｘ−Ｙ）として好ましくは、ジケトン類あるいはピコリン酸誘導体である。
配位子の好ましい範囲としては前記一般式（Ａ１０）における（Ｘ−Ｙ）と同様である。

前記一般式（Ｐ−１）で表される化合物の好ましい形態の一つは、下記一般式（Ｐ−２）で表される化合物である。

（一般式（Ｐ−２）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、−ＣＮ、ペルフルオロアルキル基、−ＮＲ_２、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｒ^１及びＲ^２は隣り合う任意の２つが互いに結合して縮合環を形成しない。
置換基Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ’、−ＯＲ’、−Ｎ（Ｒ’）_２、−ＳＲ’又は−ＣＮを表し、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。
Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。
ｎは１〜３の整数を表す。）

一般式（Ｐ−２）において、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ１、ｎ２、Ｘ−Ｙ、ｎの好ましい範囲は一般式（Ｐ−１）と同様である。

前記一般式（Ｐ−２）で表される化合物は、好ましくは下記一般式（Ｐ−３）で表される化合物である。

（一般式（Ｐ−３）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４はそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、−ＣＮ、ペルフルオロアルキル基、−ＮＲ_２、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｒ^１、及びＲ^２は隣り合う任意の２つが互いに結合して縮合環を形成しない。
置換基Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ’、−ＯＲ’、−Ｎ（Ｒ’）_２、−ＳＲ’又は−ＣＮを表し、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。置換基を表す。
ｎ１、ｎ２、ｎ３、及びｎ４はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２とｎ３とｎ４の和が０になることはない。
ｎは１又は２を表す。）

一般式（Ｐ−３）において、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ１、ｎ２、ｎの好ましい範囲は一般式（Ｐ−１）と同様である。また、Ｒ^３、Ｒ^４の好ましい範囲はＲ^１、Ｒ^２と同様であり、ｎ３、ｎ４の好ましい範囲はｎ１、ｎ２と同様である。

前記一般式（Ｐ−１）で表される化合物の好ましい別の形態は、下記一般式（Ｐ−４）で表される化合物である。

（一般式（Ｐ−４）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^５はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^５は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１、Ｒ^２、及びＲ^５は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^５は複数存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。ｎ１は０〜２、ｎ２は０〜４、ｎ５は０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２とｎ５の和が０になることはない。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）

一般式（Ｐ−４）において、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ１、ｎ２、Ｘ−Ｙ、ｎの好ましい範囲は一般式（Ｐ−１）と同様である。また、Ｒ^５の好ましい範囲はＲ^１、Ｒ^２と同様であり、ｎ５の好ましい範囲はｎ２と同様である。

前記一般式（Ｐ−１）で表される化合物の好ましい別の形態は、下記一般式（Ｐ−５）で表される化合物である。

（一般式（Ｐ−５）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^５はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^５は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１、Ｒ^２、及びＲ^５は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^５は複数存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。ｎ１は０〜２、ｎ２は０〜４、ｎ５は０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２とｎ５の和が０になることはない。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）

一般式（Ｐ−５）において、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ１、ｎ２、Ｘ−Ｙ、ｎの好ましい範囲は一般式（Ｐ−１）と同様である。また、Ｒ^５の好ましい範囲はＲ^１、Ｒ^２と同様であり、ｎ５の好ましい範囲はｎ２と同様である。

一般式（Ｐ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、以下に限定されるものではない。下記表１３〜表１５、表２３に金属錯体ＡとＢの種類、及び金属錯体Ａに対する金属錯体Ｂの含有量を示す。

一般式（Ｐ−１）で表される化合物は、種々の公知の合成法を組み合わせて合成することが可能であり、例えば国際公開第２００９／０７３２４５号、国際公開弟２００９／０７３２４６号に記載の方法で合成できる。

（燐光性金属錯体Ｂ）
本発明の有機電界発光素子用材料は、特定燐光性金属錯体である金属錯体Ａと金属錯体Ｂとを少なくとも含み、金属錯体Ａに対する金属錯体Ｂの含有比が０．００５質量％以上２質量％以下である。素子の発光特性を変えない観点から、本発明の効果が得られる限りにおいて金属錯体Ｂはできるだけ少ないことが好ましく、０．００５質量％以上１質量％以下が好ましく、少なすぎると混合比を保つのが難しくなるため０．０１質量％以上１質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以上０．５質量％以下が最も好ましい。

本発明における金属錯体Ｂは一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２のうちの少なくとも１つの置換基において、Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は金属錯体Ａと同一の構造を有する。例えば、金属錯体Ａがフッ素原子を有する場合、金属錯体Ｂは金属錯体Ａの該フッ素原子がフッ素原子以外のフッ素原子よりハロゲン原子（例えば塩素原子）に置き換わったものである。前記Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子としては、周期表の１４族〜１７族より選ばれることが好ましい。１４族の原子としては炭素原子、ケイ素原子が好ましく、炭素原子がより好ましい。１５族の原子としては窒素原子、リン原子が好ましく、窒素原子がより好ましい。１６族の原子としては酸素原子、硫黄原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。素子にした時の発光波長を維持する観点から１７族原子、つまりハロゲン原子がより好ましい。金属錯体Ａは前記一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２の少なくとも１つとしてフッ素原子を有し、前記金属錯体Ｂは金属錯体Ａの有するフッ素原子のうち少なくとも１つがフッ素原子以外のハロゲン原子に置換されていることが好ましく、金属錯体Ｂが塩素原子で置換されていることが特に好ましい。

金属錯体Ａに置換基が複数存在する場合、金属錯体Ｂはこれら全ての置換基でＱ^１及びＱ^２に結合している原子が「該原子の同族かつ原子量の大きい原子」に置き換えられていても良いし、一部のみが置き換えられていても良い。

本発明の有機電界発光素子用材料が、可視光下の安定性に優れる理由については詳しくはわかっていないが、可視光によって光励起を受けた錯体はそのものが分解するのではなく、固体状態で点在する会合状態の錯体へとエネルギーを移動させ、その部分に光励起エネルギーが集中することで分解が起こると考えられる。本発明のように構造の異なる金属錯体Ｂを金属錯体Ａに対して特定の範囲の含有比で含有させると、固体状態での配列を乱す添加剤として働き、可視光下でのエネルギー負荷が分散するために安定性が向上すると考えられる。金属錯体Ｂの錯体の混合比率が大きすぎるとこの効果は弱くなると考えられる。この効果は、金属錯体Ｂが、結晶状態での排除体積が金属錯体Ａよりも大きい置換基を持つ場合に顕著に働くため、好ましい。一方で、置換基の排除体積が大きくても、金属錯体Ｂが金属錯体Ａの置換原子と同族でない原子を置換基中に持つ場合、置換基効果の違いにより２種の金属錯体間でのＴ１値や化学的安定性が大きく異なってくるため、素子内でエネルギーや電荷をトラップして発光効率を低下させたり、駆動時の耐久性悪化の原因になるため上記の効果は得られない。また、高輝度で素子を駆動させた時には一般的にＴ―Ｔ消滅と呼ばれる失活現象が起こり、錯体で形成された３重項エネルギーが失われてしまう。これは近接して励起状態にある錯体が存在する時に２分子衝突によるエネルギー移動が起こって他方が基底状態へと失活するためと考えられているが（金属錯体の光化学、三共出版（株）１６２ページ）、この時第２の錯体が存在する事によって近接する錯体との相対配置及び距離が変化し、Ｔ−Ｔ消滅が起こりにくくなるものと推測される。これは分子間相互作用を顕著に小さくするフッ素原子を他のハロゲンに置換した場合に最良の効果が見られる。

本発明は、前記特定燐光性金属錯体である燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む組成物にも関する。
本発明の組成物を用いることで、可視光下で安定に保存させることができ、また高輝度で素子を駆動させたときの効率に優れる有機電界発光素子用材料を得ることができる。
本発明の組成物には更に他の成分を添加することもできる。

本発明の組成物において、金属錯体Ａ及びＢの合計の含有量は、組成物中の全固形分に対して、１質量％以上３０質量％以下の範囲が好ましく、５質量％以上２０質量％以下の範囲がより好ましい。

〔有機電界発光素子〕
本発明の有機電界発光素子について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、該有機層のうち少なくとも一層に前記一般式（Ａ）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含む。

本発明の有機電界発光素子は、好ましくは発光層に前記特定燐光性金属錯体である金属錯体Ａ及びＢを含有する。

本発明の有機電界発光素子において、発光層は有機層であるが、更に複数の有機層を有していてもよい。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明若しくは半透明であることが好ましい。
図１は、本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示している。図１に示される本発明に係る有機電界発光素子１０は、支持基板２上において、陽極３と陰極９との間に発光層６が挟まれている。具体的には、陽極３と陰極９との間に正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、正孔ブロック層７、及び電子輸送層８がこの順に積層されている。

＜有機層の構成＞
前記有機層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機層は、前記透明電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機層の形状、大きさ、及び厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極。
有機電界発光素子の素子構成、基板、陰極及び陽極については、例えば、特開２００８−２７０７３６号公報に詳述されており、該公報に記載の事項を本発明に適用することができる。

＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。

＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。

＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。

基板、陽極、陰極については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔００７０〕〜〔００８９〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

＜有機層＞
本発明における有機層について説明する。

−有機層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、各有機層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、スピンコート法、バーコート法、インクジェット法、スプレー法等の溶液塗布プロセスによっても好適に形成することができる。液塗布プロセスを使用することで、生産性の向上、有機ＥＬ素子の大面積化などにつながることが考えられる。

乾式法としては蒸着法、スパッタ法等が使用でき、湿式法としてはディッピング法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が使用可能である。これらの成膜法は有機層の材料に応じて適宜選択できる。湿式法により製膜した場合は製膜した後に乾燥してもよい。乾燥は塗布層が損傷しないように温度、圧力等の条件を選択して行う。

上記湿式製膜法（塗布プロセス）で用いる塗布液は通常、有機層の材料と、それを溶解又は分散するための溶剤からなる。溶剤は特に限定されず、有機層に用いる材料に応じて選択すればよい。

有機電界発光素子用材料を塗布液として用いる場合、塗布液中の含有量は、全固形分を基準として、０．１〜５０質量％が好ましく、より好ましくは０．３〜４０質量％、更に好ましくは０．３〜３０質量％である。粘度は、一般的には１〜３０ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１．５〜２０ｍＰａ・ｓ、更に好ましくは１．５〜１５ｍＰａ・ｓである。

塗布液は、有機電界発光素子用材料を所定の有機溶媒に溶解し、フィルター濾過した後、所定の支持体又は層上に塗布して用いることが好ましい。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは２．０μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下、更に好ましくは０．３μｍ以下のポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）製、ポリエチレン製、又はナイロン製のものが好ましい。

溶媒としては、例えば、芳香族炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒等の公知の有機溶媒を挙げることができる。

芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、クメンエチルベンゼン、メチルプロピルベンゼン、メチルイソプロピルベンゼン、等が挙げられ、トルエン、キシレン、クメン、トリメチルベンゼンがより好ましい。芳香族炭化水素系溶媒の比誘電率は通常、３以下である。

アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、ブタノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール等が挙げられ、ブタノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノールがより好ましい。アルコール系溶媒の比誘電率は通常、１０〜４０である。

ケトン系溶媒としては、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、アセトン、４−ヘプタノン、１−ヘキサノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等が挙げられ、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレンカーボネートが好ましい。ケトン系溶媒の比誘電率は通常、１０〜９０である。

脂肪族炭化水素系溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等が挙げられ、オクタン、デカンが好ましい。脂肪族炭化水素系溶媒の比誘電率は通常、１．５〜２．０である。

アミド系溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル正孔ムアミド、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等が挙げられ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノンが好ましい。アミド系溶媒の比誘電率は通常、３０〜４０である。

上記溶剤を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。

また、芳香族炭化水素系溶媒（以下、“第一の溶媒”ともいう）と、第一の溶媒より比誘電率の高い第二の溶媒とを混合して使用してもよい。
第二の溶媒としては、アルコール系溶媒、アミド系溶媒、ケトン系溶媒を使用することが好ましく、アルコール系溶媒を使用することがより好ましい。
第一の溶媒と第二の溶媒との混合比（質量）は、１／９９〜９９／１、好ましくは１０／９０〜９０／１０、更に好ましくは２０／８０〜７０／３０である。第一の溶媒を６０質量％以上含有する混合溶媒が好ましい。

有機層形成用塗布液に、重合性基を有する化合物を含有し、該重合性基を有する化合物の重合反応により有機層を形成するポリマーを形成する場合には、有機膜の塗布後、加熱又は光照射することにより、重合反応が進行し、ポリマーを形成することができる。
塗布後の加熱温度及び時間は、重合反応が進行する限り特に限定されないが、加熱温度は一般的に１００℃〜２００℃であり、好ましくは１２０℃〜１６０℃がより好ましい。加熱時間は一般的に１分〜１２０分であり、１分〜６０分が好ましく、より好ましくは１分〜３０分である。

また、ＵＶ照射による重合反応、白金触媒による重合反応、塩化鉄などの鉄触媒による重合反応等が挙げられる。これら重合方法は、加熱による重合方法と併用してもよい。

（発光層）
＜発光材料＞
本発明における発光層には本発明の前記特定燐光性金属錯体である金属錯体Ａ及びＢを含む有機電界発光素子用材料を含むことが好ましい。また、発光層には発光材料を含むことが好ましく、発光材料は本発明の有機電界発光素子用材料であることが好ましい。

発光層中の発光材料は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物の質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることがより好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることが更に好ましい。
発光層中の特定燐光性金属錯体Ａ及びＢは、発光層中に耐久性、発光色相の観点から合計で１質量％〜３０質量％含有されることが好ましく、５質量％〜２０質量％含有されることがより好ましい。

発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。

本発明の素子における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは一種であっても二種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は一種であっても二種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は一層であっても二層以上の多層であってもよい。また、それぞれの発光層が異なる発光色で発光してもよい。

＜ホスト材料＞
本発明に用いられるホスト材料として、以下の化合物を含有していても良い。例えば、ピロール、インドール、カルバゾール（例えばＣＢＰ（４，４’−ジ（９−カルバゾイル）ビフェニル））、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体及びそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。

本発明における発光層において、前記ホスト材料三重項最低励起エネルギー（Ｔ_１エネルギー）が、前記燐光発光材料のＴ_１エネルギーより高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。

また、本発明におけるホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。

前記発光層は、前記特定燐光性金属錯体である金属錯体Ａ及びＢと、更にホスト材料を含む事が好ましい。ホスト材料としては、正孔輸送性ホスト材料であっても、電子輸送性ホスト材料であってもよいが、正孔輸送性ホスト材料を用いることができる。
本発明においては、発光層に前記特定燐光性金属錯体である金属錯体Ａ及びＢと、更に一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物の少なくとも１つ以上を含むことが好ましい。

一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物は発光層中に３０〜９９質量％含まれることが好ましく、４０〜９７質量％含まれることが好ましく、５０〜９５質量％含まれることが特に好ましい。また、一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。

一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物は、いずれかの有機層に、一種類のみを含有していてもよく、複数の一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物を任意の割合で組み合わせて含有していてもよい。

前記ホスト材料は下記一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物であることが好ましい。

（一般式（４−１）及び（４−２）中、ｄ、ｅは０〜３の整数を表し、少なくとも一方は１以上である。ｆは１〜４の整数を表す。Ｒ^８は置換基を表し、Ｒ_８は複数存在する場合、Ｒ_８は互いに異なっていても同じでも良い。また、Ｒ^８の少なくとも１つは下記一般式（５）で表されるカルバゾール基を表す。）

（一般式（５）中、Ｒ_９はそれぞれ独立に置換基を表す。ｇは０〜８の整数を表す。）

Ｒ_８はそれぞれ独立に置換基を表し、具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又は一般式（５）で表される置換基である。Ｒ_８が一般式（５）を表さない場合、好ましくは炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下の置換又は無置換のアリール基であり、更に好ましくは炭素数６以下のアルキル基である。

Ｒ_９はそれぞれ独立に置換基を表し、具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、好ましくは炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下の置換又は無置換のアリール基であり、更に好ましくは炭素数６以下のアルキル基である。
ｇは０〜８の整数を表し、電荷輸送を担うカルバゾール骨格を遮蔽しすぎない観点から０〜４が好ましい。また、合成容易さの観点から、カルバゾールが置換基を有する場合、窒素原子に対し、対称になるように置換基を持つものが好ましい。

一般式（４−１）において、電荷輸送能を保持する観点で、ｄとｅの和は２以上である事が好ましい。また、他方のベンゼン環に対しＲ_８がメタで置換することが好ましい。その理由として、オルト置換では隣り合う置換基の立体障害が大きいため結合が開裂しやすく、耐久性が低くなる。また、パラ置換では分子形状が剛直な棒状へと近づき、結晶化しやすくなるため高温条件での素子劣化が起こりやすくなる。具体的には以下の構造で表される化合物である事が好ましい。

上記式においてＲ_９はそれぞれ独立に置換基を表す。ｇは０〜８の整数を表す。

一般式４−２において、電荷輸送能を保持する観点で、ｆは２以上である事が好ましい。ｆが２又は３の場合、同様の観点からＲ^８が互いにメタで置換することが好ましい。具体的には以下の構造で表される化合物である事が好ましい。

上記式においてＲ_９はそれぞれ独立に置換基を表す。ｇは０〜８の整数を表す。

一般式（４−１）及び（４−２）が水素原子を有する場合、水素の同位体（重水素原子等）も含む。この場合化合物中の全ての水素原子が水素同位体に置き換わっていてもよく、また一部が水素同位体を含む化合物である混合物でもよい。好ましくは一般式（５）におけるＲ^９が重水素によって置換されたものであり、特に好ましくは以下の構造が挙げられる。

更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。

一般式（４−１）及び（４−２）で表される化合物は、種々の公知の合成法を組み合わせて合成することが可能である。 最も一般的には、カルバゾール化合物に関してはアリールヒドラジンとシクロヘキサン誘導体との縮合体のアザーコープ転位反応の後、脱水素芳香族化による合成（Ｌ．Ｆ．Ｔｉｅｚｅ，Ｔｈ．Ｅｉｃｈｅｒ著、高野、小笠原訳、精密有機合成、３３９頁（南江堂刊））が挙げられる。また、得られたカルバゾール化合物とハロゲン化アリール化合物のパラジウム触媒を用いるカップリング反応に関してはテトラヘドロン・レターズ３９巻６１７頁（１９９８年）、同３９巻２３６７頁（１９９８年）及び同４０巻６３９３頁（１９９９年）等に記載の方法が挙げられる。反応温度、反応時間については特に限定されることはなく、前記文献に記載の条件が適用できる。また、ｍＣＰなどのいくつかの化合物は市販されているものを好適に用いる事ができる。

本発明の一般式（４−１）及び（４−２）で表される化合物は、真空蒸着プロセスで薄層を形成することが好ましいが、溶液塗布などのウェットプロセスも好適に用いることが出来る。化合物の分子量は、蒸着適性や溶解性の観点から２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、８００以下であることが特に好ましい。また蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３００以上が特に好ましい。

一般式（４−１）及び（４−２）は、以下に示す構造若しくはその水素原子が１つ以上重水素原子で置換された化合物であることが好ましい。

上記式においてＲ_８及びＲ_９はそれぞれ独立に置換基を表す。

以下に、本発明における一般式（４−１）及び（４−２）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（蛍光発光材料）
本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の錯体やピロメテン誘導体の錯体に代表される各種錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。

（燐光発光材料）
本発明に使用できる燐光発光材料としては、例えば、ＵＳ６３０３２３８Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられ、中でも、更に好ましい発光性ドーパントとしては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、及びＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が特に好ましい。

燐光発光材料の含有量は、発光層中に、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上５０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上４０質量％以下の範囲が更に好ましく、５質量％以上３０質量％以下の範囲が最も好ましい。

本発明に用いることのできる燐光発光材料（特定燐光性金属錯体及び／又は併用する燐光発光材料）の含有量は、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、１質量％以上４０質量％以下の範囲がより好ましく、５質量％以上３０質量％以下の範囲が最も好ましい。特に５質量％以上３０質量％以下の範囲では、その有機電界発光素子の発光の色度は、燐光発光材料の添加濃度依存性が小さい。
本発明の有機電界発光素子は、上記特定燐光性金属錯体の少なくとも一種を該発光層の総質量に対して５〜３０質量％含有することが最も好ましい。

（炭化水素化合物）
有機電界発光素子は、有機層のいずれかの層が更に、炭化水素化合物、及びその誘導体を含むことが好ましく、発光層が炭化水素化合物を含むことがより好ましい。
また、炭化水素化合物は下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（ＶＩ）で表される化合物を発光材料とともに適切に用いることにより、材料分子間の相互作用を適切に制御し、隣接分子間のエネルギーギャップ相互作用を均一にすることで駆動電圧を更に低下させることが可能となる。
また、有機電界発光素子において用いられる、一般式（ＶＩ）で表される化合物は、化学的な安定性に優れ、素子駆動中における材料の分解等の変質が少なく、当該材料の分解物による、有機電界発光素子の効率低下や素子寿命の低下を防ぐことが出来る。
一般式（ＶＩ）で表される化合物について説明する。

一般式（ＶＩ）中、Ｒ_４、Ｒ_６、Ｒ_８、Ｒ_１０、Ｘ_４〜Ｘ_１５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。

一般式（ＶＩ）の、Ｒ_４、Ｒ_６、Ｒ_８、Ｒ_１０、Ｘ_４〜Ｘ_１５で表されるアルキル基は、アダマンタン構造、アリール構造で置換されていてもよく、炭素数１〜７０が好ましく、炭素数１〜５０がより好ましく、炭素数１〜３０が更に好ましく、炭素数１〜１０がより更に好ましく、炭素数１〜６が特に好ましく、炭素数２〜６の直鎖のアルキル基が最も好ましい。

一般式（ＶＩ）の、Ｒ_４、Ｒ_６、Ｒ_８、Ｒ_１０、Ｘ_４〜Ｘ_１５で表されるアルキル基としては、例えば、ｎ−Ｃ_５０Ｈ_１０１基、ｎ−Ｃ_３０Ｈ_６１基、３−（３，５，７−トリフェニルアダマンタン−１−イル）プロピル基（炭素数３１）、トリチル基（炭素数１９）、３−（アダマンタン−１−イル）プロピル基（炭素数１３）、９−デカリル基（炭素数１０）、ベンジル基（炭素数７）、シクロヘキシル基（炭素数６）、ｎ−ヘキシル基（炭素数６）、ｎ−ペンチル基（炭素数５）、ｎ−ブチル基（炭素数４）、ｎ−プロピル基（炭素数３）、シクロプロピル基（炭素数３）、エチル基（炭素数２）、メチル基（炭素数１）などが挙げられる。

一般式（ＶＩ）の、Ｒ_４、Ｒ_６、Ｒ_８、Ｒ_１０、Ｘ_４〜Ｘ_１５で表されるアリール基は、アダマンタン構造、アルキル構造で置換されていてもよく、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２０がより好ましく、炭素数６〜１５が更に好ましく、炭素数６〜１０が特に好ましく、炭素数６が最も好ましい。

一般式（ＶＩ）の、Ｒ_４、Ｒ_６、Ｒ_８、Ｒ_１０、Ｘ_４〜Ｘ_１５で表されるアリール基としては、例えば、１−ピレニル基（炭素数１６）、９−アントラセニル基（炭素数１４）、１−ナフチル基（炭素数１０）、２−ナフチル基（炭素数１０）、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基（炭素数１０）、２−ｍ−キシリル基（炭素数８）、５−ｍ−キシリル基（炭素数８）、ｏ−トリル基（炭素数７）、ｍ−トリル基（炭素数７）、ｐ−トリル基（炭素数７）、フェニル基（炭素数６）などが挙げられる。

一般式（ＶＩ）のＲ_４、Ｒ_６、Ｒ_８、Ｒ_１０は、水素原子であっても、アルキル基であっても、アリール基であってもよいが、前述の高いガラス転移温度が好ましい観点から、少なくともひとつはアリール基であることが好ましく、少なくともふたつはアリール基であることがより好ましく、３ないし４つがアリール基であることが特に好ましい。

一般式（ＶＩ）の、Ｘ_４〜Ｘ_１５は、水素原子であっても、アルキル基であっても、アリール基であってもよいが、水素原子、又はアリール基であることが好ましく、水素原子であることが特に好ましい。

本発明における一般式（ＶＩ）で表される化合物の分子量は、有機電界発光素子を真空蒸着プロセスや溶液塗布プロセスを用いて作成するので、蒸着適性や溶解性の観点から、２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、１０００以下であることが特に好ましい。また、蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３５０以上がより好ましく、４００以上が特に好ましい。

一般式（ＶＩ）で表される化合物は、室温（２５℃）において固体であることが好ましく、室温（２５℃）から４０℃の範囲において固体であることがより好ましく、室温（２５℃）から６０℃の範囲において固体であることが特に好ましい。
室温（２５℃）において固体を形成しない一般式（ＶＩ）で表される化合物を用いる場合は、他の材料と組み合わせることにより、常温で固相を形成させることができる。

一般式（ＶＩ）で表される化合物は、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に含有されてもよい。本発明における一般式（ＶＩ）で表される化合物の導入層としては、後述の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、若しくは複数に含有されるのが好ましく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれか、若しくは複数に含有されるのがより好ましく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層のいずれか、若しくは複数に含有されるのが特に好ましく、発光層に含むことが最も好ましい。

一般式（ＶＩ）で表される化合物を、有機層中で用いる場合は、一般式（ＶＩ）で表される化合物の含量は、電荷輸送性を抑制しない程度の量に制限して用いる必要があり、一般式（ＶＩ）で表される化合物は０．１〜７０質量％含まれることが好ましく、０．１〜３０質量％含まれることがより好ましく、０．１〜２５質量％含まれることが特に好ましい。
また、一般式（ＶＩ）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。

一般式（ＶＩ）で表される化合物は、いずれかの有機層に、一種類のみを含有していてもよく、複数の一般式（ＶＩ）で表される化合物を任意の割合で組み合わせて含有していてもよい。

本発明で用いることができる炭化水素化合物、及びその誘導体の具体例を以下に列挙するが、以下に限定されるものではない。

一般式（ＶＩ）で表される化合物は、アダマンタン、若しくは、ハロゲン化アダマンタンと、ハロゲン化アルキル若しくは、アルキルマグネシウムハライド（グリニヤー試薬）を適当に組み合わせることによって合成できる。例えば、インジウムを用いて、ハロゲン化アダマンタンと、ハロゲン化アルキルをカップリングすることができる（参考文献１）。又はロゲン化アルキルをアルキル銅試薬に変換し、芳香族化合物のグリニヤー試薬とカップリングすることもできる（参考文献２）。又はロゲン化アルキルを、適当なアリールホウ酸とパラジウム触媒を用いてカップリングすることもできる（参考文献３）。
参考文献１：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．３９，１９９８，９５５７−９５５８．
参考文献２：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．３９，１９９８，２０９５−２０９６．
参考文献３：Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２４，２００２，１３６６２−１３６６３．

アリール基を有するアダマンタン骨格は、アダマンタン、若しくは、ハロゲン化アダマンタンと、対応するアレーンやアリールハライドを適当に組み合わせることにより合成できる。

なお、上記に示した製造方法において、定義された置換基が、ある合成方法の条件下で変化するか、又は該方法を実施するのに不適切な場合、官能基の保護、脱保護（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ
Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、グリーン（Ｔ． Ｗ．
Ｇｒｅｅｎｅ）著、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ Ｉｎｃ．）（１９８１年）等）等の手段により容易に製造が可能である。また、必要に応じて適宜置換基導入等の反応工程の順序を変化させることも可能である。

〔芳香族炭化水素化合物〕
本発明の有機電界発光素子は、有機層に芳香族炭化水素化合物を含有することが好ましい。
芳香族炭化水素化合物は発光層と陰極の間の発光層に隣接する有機層に含有されることがより好ましいが、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に更に含有されてもよい。本発明にかかる芳香族炭化水素化合物の導入層としては、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、若しくは複数に含有することができる。
芳香族炭化水素化合物が含有される、発光層と陰極の間の発光層に隣接する有機層は電荷ブロック層又は電子輸送層であることが好ましく、電荷ブロック層であることがより好ましい。
芳香族炭化水素化合物を発光層に隣接する層に含有することで、素子の効率と耐久性が向上する。発光層が励起されると励起子が発光層と隣接層の界面に偏り、隣接層を破壊する現象が起こるが、芳香族炭化水素化合物は耐久性の高い構造を有しているため、励起子により破壊されにくいため、上記のような効果が得られると考えられる。

芳香族炭化水素化合物は合成容易さの観点から炭素原子と水素原子のみからなることが好ましい。
芳香族炭化水素化合物を発光層以外の層に含有させる場合は、７０〜１００質量％含まれることが好ましく、８５〜１００質量％含まれることがより好ましい。芳香族炭化水素化合物を発光層に含有させる場合は、発光層の全質量に対して０．１〜９９質量％含ませることが好ましく、１〜９５質量％含ませることがより好ましく、１０〜９５質量％含ませることが更に好ましい。

芳香族炭化水素化合物としては、下記一般式（Ｔｐ−１）で表される炭化水素化合物（以下単に「炭化水素化合物」と称する場合がある）が好ましい。
一般式（Ｔｐ−１）で表される炭化水素化合物は炭素原子と水素原子のみからなり、化学的安定性の点で優れるため、駆動耐久性が高く、高輝度駆動時の各種変化がおきにくいという効果を奏する。

一般式（Ｔｐ−１）で表される炭化水素化合物は、分子量が４００〜１２００の範囲であることが好ましく、より好ましくは４００〜１０００であり、更に好ましくは４００〜８００である。分子量が４００以上であれば良質なアモルファス薄膜が形成でき、分子量が１２００以下であると溶媒への溶解性や昇華及び蒸着適正の面で好ましい。

一般式（Ｔｐ−１）で表される炭化水素化合物はその用途が限定されることはなく、発光層に隣接する有機層だけでなく有機層内のいずれの層に更に含有されてもよい。

（一般式（Ｔｐ−１）において、Ｒ^１２〜Ｒ^２３はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアルキル基、フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、若しくはトリフェニレニル基で置換されていてもよいフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、若しくはトリフェニレニル基を表す。ただし、Ｒ^１２〜Ｒ^２３が全て水素原子になることはない。）

Ｒ^１２〜Ｒ^２３が表すアルキル基としては、置換基若しくは無置換の、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、又はｔｅｒｔ−ブチル基である。

Ｒ^１２〜Ｒ^２３として好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、若しくはトリフェニレニル基（これらは更にアルキル基、フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、若しくはトリフェニレニル基で置換されていてもよい）で置換されていてもよい、フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、若しくはトリフェニレニル基であることが更に好ましい。
フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、若しくはトリフェニレニル基（これらは更にアルキル基、フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、若しくはトリフェニレニル基で置換されていてもよい）で置換されていてもよい、ベンゼン環であることが特に好ましい。

一般式（Ｔｐ−１）におけるアリール環の総数は２〜８個であることが好ましく、３〜５個であることが好ましい。この範囲とすることで、良質なアモルファス薄膜が形成でき、溶媒への溶解性や昇華及び蒸着適正が良好になる。

Ｒ^１２〜Ｒ^２３は、それぞれ独立に、総炭素数が２０〜５０であることが好ましく、総炭素数が２０〜３６であることがより好ましい。この範囲とすることで、良質なアモルファス薄膜が形成でき、溶媒への溶解性や昇華及び蒸着適正が良好になる。

本発明の一の態様において、前記一般式（Ｔｐ−１）で表される炭化水素化合物は下記一般式（Ｔｐ−２）で表される炭化水素化合物であることが好ましい。

（一般式（Ｔｐ−２）中、複数のＡｒ^１は同一であり、アルキル基、フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、又はトリフェニレニル基で置換されていてもよいフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、又はトリフェニレニル基を表す。）

Ａｒ^１が表すアルキル基及びアルキル基、フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、又はトリフェニレニル基で置換されていてもよいフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、又はトリフェニレニル基としては、Ｒ^１２〜Ｒ^２３で挙げたものと同義であり、好ましいものも同様である。

本発明の他の態様において、前記一般式（Ｔｐ−１）で表される炭化水素化合物は、下記一般式（Ｔｐ−３）で表される炭化水素化合物であることが好ましい。

（一般式（Ｔｐ−３）中、Ｌはアルキル基、フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、又はトリフェニレニル基で置換されていてもよいフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、トリフェニレニル基又はこれらを組み合わせて成るｎ価の連結基を表す。ｎは１〜６の整数を表す。）

Ｌが表すｎ価の連結基を形成するアルキル基、フェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、又はトリフェニレニル基としては、Ｒ^１２〜Ｒ^２３で挙げたものと同義である。
Ｌとして好ましくは、アルキル基又はベンゼン環で置換されていてもよいベンゼン環、フルオレン環、又はこれらを組み合わせて成るｎ価の連結基である。
以下にＬの好ましい具体例を挙げるがこれらに限定されるものではない。なお具体例中＊でトリフェニレン環と結合する。

ｎは１〜５であることが好ましく、１〜４であることがより好ましい。

本発明の他の態様において、前記一般式（Ｔｐ−１）で表される炭化水素化合物は、下記一般式（Ｔｐ−４）で表される炭化水素化合物であることが好ましい。

（一般式（Ｔｐ−４）において、複数存在する場合のＡｒ^２は同一であり、Ａｒ^２はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリフェニレニル基で置換、又はこれらを組み合わせてなる基を表す。ｐ、及びｑはそれぞれ独立に０又は１を表すが、ｐとｑが同時に０になることはない。ｐ、及びｑが０を表す場合、Ａｒ^２は水素原子を表す。）

Ａｒ^２として好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリフェニレニル基を組み合わせてなる基であり、より好ましくは、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、トリフェニレニル基を組み合わせてなる基である。
Ａｒ^２は、メタ位が炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリフェニレニル基、又はこれらを組み合わせてなる基で置換されたベンゼン環であることが特に好ましい。

本発明にかかる炭化水素化合物を有機電界発光素子の発光層のホスト材料や発光層に隣接する層の電荷輸送材料として使用する場合、発光材料より薄膜状態でのエネルギーギャップ（発光材料が燐光発光材料の場合には、薄膜状態での最低励起三重項（Ｔ_１）エネルギー）が大きいと、発光がクエンチしてしまうことを防ぎ、効率向上に有利である。一方、化合物の化学的安定性の観点からは、エネルギーギャップ及びＴ_１エネルギーは大き過ぎない方が好ましい。一般式（Ｔｐ−１）で表される炭化水素化合物の膜状態でのＴ_１エネルギーは、５２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下であることが好ましく、５５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上６８ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることがより好ましく、５８ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上６３ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下であることが更に好ましい。特に、発光材料として燐光発光材料を用いる場合には、Ｔ_１エネルギーが上記範囲となることが好ましい。

Ｔ_１エネルギーは、材料の薄膜の燐光発光スペクトルを測定し、その短波長端から求めることができる。例えば、洗浄した石英ガラス基板上に、材料を真空蒸着法により約５０ｎｍの膜厚に成膜し、薄膜の燐光発光スペクトルを液体窒素温度下でＦ−７０００日立分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ）を用いて測定する。得られた発光スペクトルの短波長側の立ち上がり波長をエネルギー単位に換算することによりＴ_１エネルギーを求めることができる。

以下に、本発明にかかる芳香族炭化水素化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

上記本発明にかかる芳香族炭化水素化合物として例示した化合物は、国際公開第０５／０１３３８８号パンフレット、国際公開第０６／１３０５９８号パンフレット、国際公開第０９／０２１１０７号パンフレット、ＵＳ２００９／０００９０６５、国際公開第０９／００８３１１号パンフレット及び国際公開第０４／０１８５８７号パンフレットに記載の方法で合成できる。
合成後、カラムクロマトグラフィー、再結晶等による精製を行った後、昇華精製により精製することが好ましい。昇華精製により、有機不純物を分離できるだけでなく、無機塩や残留溶媒等を効果的に取り除くことができる。

本発明の発光素子において、芳香族炭化水素化合物は発光層と陰極の間の発光層に隣接する有機層に含有されるが、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に更に含有されてもよい。芳香族炭化水素化合物の導入層としては、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、若しくは複数に含有することができる。
芳香族炭化水素化合物が含有される発光層と陰極の間の発光層に隣接する有機層は電荷ブロック層又は電子輸送層であることが好ましく、電子輸送層であることがより好ましい。

有機電界発光素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対して安定して動作させる観点から、本発明にかかる芳香族炭化水素化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）は６０℃以上４００℃以下であることが好ましく、６５℃以上３００℃以下であることがより好ましく、８０℃以上１８０℃以下であることが更に好ましい。

本発明の有機電界発光素子は電極が陽極を含み、発光層と該陽極の間に有機層を有することが好ましい。発光層に隣接する有機層は、溶液における最低励起三重項（Ｔ_１）エネルギーは５８ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上である化合物を含むことが好ましく、６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ〜７５ｋｃａｌ／ｍｏｌである化合物を含むことがより好ましい。最低励起三重項（Ｔ_１）エネルギーが５８ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上である化合物としてはカルバゾール化合物を挙げることができる。

カルバゾール化合物は下記一般式（ａ）で表されるカルバゾール化合物であることが好ましい。

（一般式（ａ）中、Ｒは該骨格の水素原子に置換し得る置換基を表し、Ｒは複数存在する場合はそれぞれ同じでも異なってもよい。ｎは０〜８の整数を表す。）

一般式（ａ）で表される化合物を、電荷輸送層中で用いる場合は、一般式（ａ）で表される化合物は５０〜１００質量％含まれることが好ましく、８０〜１００質量％含まれることが好ましく、９５〜１００質量％含まれることが特に好ましい。
また、一般式（ａ）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。

一般式（ａ）で表される化合物は、いずれかの有機層に、一種類のみを含有していてもよく、複数の一般式（ａ）で表される化合物を任意の割合で組み合わせて含有していてもよい。

一般式（ａ）で表される化合物を含む電荷輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、該電荷輸送層は発光層に接して設けられている事が好ましい。
該電荷輸送層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

Ｒが表す置換基としては具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、芳香族複素環基が挙げられ、炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下の置換又は無置換のアリール基が好ましく、炭素数６以下のアルキル基である事がより好ましい。
ｎは０〜８の整数を表し、０〜４が好ましく、０〜２がより好ましい。

一般式（ａ）を構成する水素原子は、水素の同位体（重水素原子等）も含む。この場合化合物中の全ての水素原子が水素同位体に置き換わっていてもよく、また一部が水素同位体を含む化合物である混合物でもよい。

一般式（ａ）で表される化合物は、種々の公知の合成法を組み合わせて合成することが可能である。最も一般的には、カルバゾール化合物に関してはアリールヒドラジンとシクロヘキサン誘導体との縮合体のアザーコープ転位反応の後、脱水素芳香族化による合成（Ｌ．Ｆ．Ｔｉｅｚｅ，Ｔｈ．Ｅｉｃｈｅｒ著、高野、小笠原訳、精密有機合成、３３９頁（南江堂刊））が挙げられる。また、得られたカルバゾール化合物とハロゲン化アリール化合物のパラジウム触媒を用いるカップリング反応に関してはテトラヘドロン・レターズ３９巻６１７頁（１９９８年）、同３９巻２３６７頁（１９９８年）及び同４０巻６３９３頁（１９９９年）等に記載の方法が挙げられる。反応温度、反応時間については特に限定されることはなく、前記文献に記載の条件が適用できる。

一般式（ａ）で表される化合物は、真空蒸着プロセスで薄層を形成することが好ましいが、溶液塗布などのウェットプロセスも好適に用いることが出来る。化合物の分子量は、蒸着適性や溶解性の観点から２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、８００以下であることが特に好ましい。また蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３００以上が特に好ましい。

以下に、本発明における一般式（ａ）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（電荷輸送層）
電荷輸送層とは、有機電界発光素子に電圧を印加した際に電荷移動が起こる層をいう。具体的には正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層又は電子注入層が挙げられる。塗布法により形成される電荷輸送層が正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層又は発光層であれば、低コストかつ高効率な有機電界発光素子の製造が可能となる。

−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
本発明に関し、有機層として、電子受容性ドーパントを含有する正孔注入層又は正孔輸送層を含むことが好ましい。

−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。

正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６５〕〜〔０１６７〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）４−フェニルフェノレート（Ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−電子ブロック層−
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６９〕〜〔０１７０〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

＜封止容器＞
本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
封止容器については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１７１〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

（駆動）
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書等に記載の駆動方法を適用することができる。

本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。

本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆるトップエミッション方式であっても良い。

本発明における有機ＥＬ素子は、共振器構造を有しても良い。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平９−１８０８８３号明細書に記載されている。第２の態様の場合の計算式は特開２００４−１２７７９５号明細書に記載されている。

本発明の有機電界発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、７％以上がより好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、若しくは、２０℃で素子を駆動したときの１００〜３００ｃｄ／ｍ^２付近での外部量子効率の値を用いることができる。

本発明の有機電界発光素子の内部量子効率は、３０％以上であることが好ましく、５０％以上が更に好ましく、７０％以上が更に好ましい。素子の内部量子効率は、外部量子効率を光取り出し効率で除して算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能である。

本発明の有機電界発光素子は、３５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下に極大発光波長（発光スペクトルの最大強度波長）を有するものが好ましく、より好ましくは３５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、更に好ましくは４００ｎｍ以上５２０ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以上４７０ｎｍ以下である。

（本発明の発光素子の用途）
本発明の発光素子は、発光装置、ピクセル、表示素子、表示装置、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、照明装置、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、又は光通信等に好適に利用できる。特に、発光装置、照明装置、表示装置等の発光輝度が高い領域で駆動されるデバイスに好ましく用いられる。

次に、図２を参照して本発明の発光装置について説明する。
本発明の発光装置は、前記有機電界発光素子を用いてなる。
図２は、本発明の発光装置の一例を概略的に示した断面図である。
図２の発光装置２０は、透明基板（支持基板）２、有機電界発光素子１０、封止容器１１等により構成されている。

有機電界発光素子１０は、基板２上に、陽極（第一電極）３、有機層１１、陰極（第二電極）９が順次積層されて構成されている。また、陰極９上には、保護層１２が積層されており、更に、保護層１２上には接着層１４を介して封止容器１６が設けられている。なお、各電極３、９の一部、隔壁、絶縁層等は省略されている。
ここで、接着層１４としては、エポキシ樹脂等の光硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いることができ、例えば熱硬化性の接着シートを用いることもできる。

本発明の発光装置の用途は特に制限されるものではなく、例えば、照明装置のほか、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、電子ペーパ等の表示装置とすることができる。

（照明装置）
次に、図３を参照して本発明の実施形態に係る照明装置について説明する。
図３は、本発明の実施形態に係る照明装置の一例を概略的に示した断面図である。
本発明の実施形態に係る照明装置４０は、図３に示すように、前述した有機ＥＬ素子１０と、光散乱部材３０とを備えている。より具体的には、照明装置４０は、有機ＥＬ素子１０の基板２と光散乱部材３０とが接触するように構成されている。
光散乱部材３０は、光を散乱できるものであれば特に制限されないが、図３においては、透明基板３１に微粒子３２が分散した部材とされている。透明基板３１としては、例えば、ガラス基板を好適に挙げることができる。微粒子３２としては、透明樹脂微粒子を好適に挙げることができる。ガラス基板及び透明樹脂微粒子としては、いずれも、公知のものを使用できる。このような照明装置４０は、有機電界発光素子１０からの発光が散乱部材３０の光入射面３０Ａに入射されると、入射光を光散乱部材３０により散乱させ、散乱光を光出射面３０Ｂから照明光として出射するものである。

以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明の範囲は以下の実施例に制限されるものではない。

実施例及び比較例に用いた有機材料は全て昇華精製したものを用いた。実施例及び比較例で使用した化合物の構造を以下に示す。

化合物１２−ａは米国特許出願公開第２００８／２９７０３３号明細書５５ページ、第１２９段落以降に記載の方法を参照し合成した。また、化合物１５−ａは国際公開第０２／１５６４５号の３３頁に記載の方法にて合成した。化合物１７−ａは国際公開第２００８／１４０１１４号の１６９頁記載の方法を用いて合成した。化合物１６−ａはＰｏｌｙｈｅｄｒｏｎ ２００４年２３号、４１９ページ以降に記載の方法で合成を行った。化合物１３−ａ、１４−ａはＩｎｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ １９９１年３０号、１６８５ページ以降に記載の方法に従って合成を行った。なお、各化合物について、Ｘ−ａ以外で表される錯体（Ｘは化合物番号である１〜１９を表す）は、配位子合成の際に原料を変更することで同様に合成することができる。例えば、化合物１５−ｂの配位子である化合物はジフルオロフェニルホウ酸の代わりにクロロフルオロフェニルホウ酸を用いて下記のように合成することができる。下記白金錯体の場合も同様である。

白金錯体については、化合物９−ａ、９−ｂ、１１−ａ、１１−ｂは特開２００６−２５６９９９号公報を参照して合成した。化合物５−ａ、５−ｂ、ｒｅｆ−５−ｂは特開２００６−２６１６２３号公報を参照して合成した。化合物３−ａ〜３−ｄ、４−ａ、４−ｂ、ｒｅｆ−４−ｂ、７−ａ、７−ｂは特開２００６−０９３５４２号公報を参照して合成した。化合物２−ａは下記のように合成した。化合物２−ｂ〜２−ｄも同様に合成した。化合物１−ａ〜１−ｅ、ｒｅｆ−１−ｂ、６−ａ〜６−ｄ、ｒｅｆ−６−ｂ、８−ａ、８−ｂ、１０−ａ、１０−ｂ、１６−ａ、１６−ｂ、１９−ａ〜１９−ｃも種々の公知の方法により同様に合成した。（化合物２−ａの合成）

第一塩化白金（２．６６ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）及び化合物Ｍ２（３．４ｇ、７．３ｍｍｏｌ）をベンゾニトリル（７０ｍＬ）中、窒素雰囲気下加熱還流条件にて２時間半攪拌した。反応液を室温まで放冷し、析出した固体を濾過、メタノールで洗浄することで、化合物２−ａを黄色粉末として３．２ｇ得た。収率７５％。

なお、化合物１−ｂは下記方法で合成を行った際に、化合物１−ａとの混合物として得られ、ＨＰＬＣ及び質量分析法にて組成を確認した。２−ｂ、５−ｂも同様である。

（化合物１８−ａの合成）
１８−ａについては以下のように合成した。

二塩化白金（１．９６ｇ、４．２ｍｍｏｌ、１．２当量）及び化合物ａ（２．０ｇ、３．５ｍｍｏｌ、１．０当量）をメシチレン（１５ｍＬ）中、窒素雰囲気下１４５℃にて１時間半攪拌した。反応液を室温まで放冷し、析出した固体を濾過、メタノールで洗浄することで、白金錯体を黄色粉末として２．７ｇ得た。収率９９％。１８−ｂ及び１８−ｃも同様にして合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ （３００ＭＨｚ， ＣＤＣｌ_３）δ：溶媒に溶けず、解析不可であった。

なお、本実施例に用いた有機材料は全て昇華精製したものを用い、高速液体クロマトグラフィー（東ソーＴＳＫｇｅｌ ＯＤＳ−１００Ｚ）により分析し純度を算出した。

〔実施例１〕
（有機電界発光素子の作製）
１００μｍ厚み、２．５ｃｍ角の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。このとき、材料をるつぼに入れ、時間をおかずに蒸着した。
第１層：ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン），膜厚１２０ｎｍ
第２層：ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン），膜厚１０ｎｍ
第３層（発光層）：発光材料（１２質量％）、ｍＣＰ（１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン）（ホスト材料）（８８質量％）、膜厚３０ｎｍ
第４層：第一電子輸送材料（ＢＡｌｑ）：膜厚３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム１ｎｍ及び金属アルミニウム１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
得られた積層体を、大気に触れさせることなく、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、素子を作製した。このように、材料をるつぼに入れ、時間をおかずに蒸着し、作製した素子を「素子１」とする。各素子１と同じ材料を用い、材料をるつぼに添加した状態で白色光に３日間暴露し、その後同様に作製した素子を「素子２」とする。
発光層における発光材料としては、下記表１６に示した発光材料１及び２を表１６に記載の混合比で用いた。

なお、表１６における発光材料２である金属錯体の一部の含有量についてはＨＰＬＣ−ＭＳによる測定と並行して、三菱化学アナリテック製自動試料燃焼装置ＡＱＦ−１００を用いて、酸素気流中で試料を燃焼し、塩素成分を過酸化水素水にトラップさせ、ハロゲン成分を含む過酸化水素中の塩素、フッ素、臭素量をダイオネクス製イオンクロマトＩＣＳ−１５００により測定し、試料中のハロゲン濃度から発光材料２である金属錯体の正確な含有量を評価している。また、金属錯体中のヨウ素含有量は、上記装置を用いてトラップを過酸化水素水／炭酸ナトリウム水溶液とすることで同様に測定している。
これらの測定結果より、各々の材料の吸光度がほぼ等しく、ＨＰＬＣで得られた面積比をそのまま含有量として用いてもよいことを確認した。

（有機電界発光素子の性能評価）
（ａ）耐久性比（可視光に対する安定性）
上記のように作製した素子１と、該素子と同じ材料を用い、材料をるつぼに添加した状態で白色光に３日間暴露し、その後同様に作製した素子２について、それぞれ輝度が２０００ｃｄ／ｍ^２になるように直流電圧を印加して発光させ続け、輝度半減時間を測定した。素子２の輝度半減時間が素子１の輝度半減時間に対して何％であるかを算出し、表１６に「耐久性比」として記載した。該「耐久性比」が大きいほど、素子作製に用いた材料が可視光に対して安定であったといえる。

（ｂ）効率比（高輝度駆動時の効率）
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子１に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。これらを元に電流密度が１ｍＡ／ｃｍ^２の時の外部量子効率と２５０ｍＡ／ｃｍ^２の時の外部量子効率を輝度換算法により算出した。２５０ｍＡ／ｃｍ^２での効率の値を１ｍＡ／ｃｍ^２での効率の値で割って、比を算出し、表１６に「効率比」として記載した。該「効率比」が大きいほど、高輝度で素子を駆動した場合に効率に優れるといえる。

本発明の素子は、比較素子に対して、耐久性比及び効率比の値が大きくなった。このことから、本発明の素子は比較素子よりも、可視光下で安定性に優れ、かつ高輝度での効率に優れるということがわかる。
図４は、金属錯体Ａとして化合物１−ａ、金属錯体Ｂとして化合物１−ｂを用いた実施例である本発明の素子１−１〜１−１６、及び比較素子１−１〜１−３について、金属錯体Ｂの金属錯体Ａに対する含有量（質量％）と耐久性比（％）の関係をプロットしたグラフである。また、図５は金属錯体Ｂの含有量が少ない場合について、よりわかりやすくするために、本発明の素子１−１及び１−２、比較素子１−１及び１−２についての金属錯体Ｂの金属錯体Ａに対する含有量（質量％）と耐久性比（％）の関係をプロットしたグラフである。
図４及び５から、金属錯体Ｂの金属錯体Ａに対する含有量が、０．００５質量％以上２質量％以下である場合に耐久性比に優れることがわかる。
また、同様に、図６は金属錯体Ａとして化合物１−ａ、金属錯体Ｂとして化合物１−ｂを用いた実施例である本発明の素子１−１〜１−１６、及び比較素子１−１〜１−３について、金属錯体Ｂの金属錯体Ａに対する含有量（質量％）と効率比の関係をプロットしたグラフである。また、図７は金属錯体Ｂの含有量が少ない場合について、よりわかりやすくするために、本発明の素子１−１及び１−２、比較素子１−１及び１−２についての金属錯体Ｂの金属錯体Ａに対する含有量（質量％）と効率比の関係をプロットしたグラフである。
図６及び７から、金属錯体Ｂの金属錯体Ａに対する含有量が、０．００５質量％以上２質量％以下である場合に効率比に優れることがわかる。

〔実施例２〕
発光材料１及び２の種類、含有量、並びにホスト材料を下記表１７に示す材料とする以外は実施例１と同様に素子を作製し、以下の耐久性の評価を行った。（ｃ）耐久性比
上記のように作製した素子を、それぞれ輝度が２０００ｃｄ／ｍ^２になるように直流電圧を印加して発光させ続け、輝度半減時間を測定した。この輝度半減時間を、本発明の素子２−１〜２−７は本発明の素子２−１の値を１とした場合の、本発明の素子２−８〜２−１１は本発明の素子２−８の値を１とした場合のそれぞれ相対値として下記表１７に記載している。

表１７に示すとおり、ホスト材料としてＨ−１〜３及びＨ−５をホストとして用いた場合、他のホストを用いた時と比較して耐久性が向上している事がわかる。

〔実施例３〕
発光材料１及び２の種類、並びに含有量を下記表１８の通りとし、第２層と第３層の間に、表１８に示す材料からなる層を５ｎｍ設けた以外は実施例１と同様に素子を作製し、上記実施例２と同様の耐久性の評価を行った。結果は、本発明の素子３−１の輝度半減時間の値を１とした場合の相対値で著した。

表１８に示すとおり、第２層と第３層の間にＨＴ−１〜ＨＴ−３からなるカルバゾール材料を用いた層を設けた場合、該層がない場合と比較して耐久性が向上することが分かる。

〔実施例４〕
発光材料１及び２の種類、並びに含有量を下記表１９の通りとし、第３層と第４層の間に、表１９に示す材料からなる層を３ｎｍ設けた以外は実施例１と同様に素子を作製し、素子効率の評価を行った。ｄ）効率
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。これらを元に電流密度が１ｍＡ／ｃｍ^２の時の外部量子効率を輝度換算法により算出し、本発明の素子４−１の外部量子効率を１とした場合の相対値として下記表１９に記載している。

表１９に示すとおり、第３層と第４層の間にＥ−１〜Ｅ−５からなる炭化水素芳香族化合物を用いた層を設けた場合、効率が大幅に向上し、その効果はトリフェニレン骨格を有するＥ−１及びＥ−２を用いた時に顕著であった。

〔実施例５〕
＜発光層形成用塗布液の調製＞
ｍＣＰと、発光材料（下記表２０に示した発光材料１及び２を表２０に記載の混合比で用いた）とを、ｍＣＰ：発光材料が９５：５の質量比となるように、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解させ固形分濃度１．０質量％とした。これを０．２２μｍのポアサイズを有するＰＴＦＥフィルターでろ過して各発光層形成用塗布液を調製した。

厚み０．５ｍｍ、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上にＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）水溶液（ＢａｙｔｒｏｎＰ（標準品））をスピンコート（４０００ｒｐｍ、６０秒間）し、１２０℃で１０分間乾燥することにより、ホール輸送性バッファ層を形成させた。
次いで、前記各発光層形成用塗布液を先のホール輸送性バッファ層上にスピンコート（２０００ｒｐｍ、６０秒間）し、発光層を形成させた。この発光層の上に、電子注入層としてＢＡｌｑを真空蒸着法により２０ｎｍ蒸着した。更にフッ化リチウム０．１ｎｍ及び金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
この積層体を、大気に触れさせること無く、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、本発明の素子５−１〜５−８及び比較素子５−１〜５−５を得た。得られた素子に対して本発明の素子１−１と同様の評価を行った。結果を表２０に示す。

表２０に示すとおり、溶液塗布法を用いて素子を作製した場合においても、同様の効果が得られる事が分かる。

〔実施例６〕
＜発光層形成用塗布液の調製＞
ホスト化合物Ｈ−２と、発光材料（下記表２４に示した発光材料１及び２を表２４に記載の混合比で用いた）とを、Ｈ−２：発光材料が９５：５の質量比となるように、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解させ、固形分濃度１．０質量％とした。これを０．２２μｍのポアサイズを有するＰＴＦＥフィルターでろ過して、各発光層形成用塗布液を調製した。

＜正孔輸送層形成用塗布液Ａの調製＞
下記化合物Ａを電子工業用キシレンに溶解させ、全固形分濃度０．４質量％とし、これを０．２２μｍのポアサイズを有するＰＴＦＥフィルターでろ過して、正孔輸送層形成用塗布液Ａを調製した。

＜素子作製＞
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚みで蒸着し成膜したものを透明支持基板とした。この透明支持基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
このＩＴＯ付ガラス基板上に、下記構造式で表される化合物Ｂ（ＵＳ２００８／０２２０２６５記載）０．５質量部をシクロヘキサノン９９．５質量部に溶解し、厚みが約５ｎｍとなるようにスピンコート（４０００ｒｐｍ、３０秒間）した後、２００℃で３０分間乾燥することで、正孔注入層を成膜した。

前記正孔注入層上に、正孔輸送層形成用塗布液Ａを、厚みが約１０ｎｍとなるようにスピンコート（１５００ｒｐｍ、２０秒間）した後、１２０℃で３０分間乾燥することで、正孔輸送層を成膜した。
前記正孔輸送層上に、前記各発光層形成用塗布液をグローブボックス（露点−６８度、酸素濃度１０ｐｐｍ）内で厚みが約３０ｎｍとなるようにスピンコート（１５００ｒｐｍ、２０秒間）し、発光層とした。
次いで、発光層上に電子輸送層としてＢＡｌｑを真空蒸着法により２０ｎｍ蒸着した。更に、電子注入層としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を０．１ｎｍ、陰極として金属アルミニウムを１００ｎｍこの順に蒸着し、成膜した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止することで、実施例６−１〜６−７及び比較例６−１〜６−５の有機電界発光素子を作製した。得られた素子に対して本発明の素子１−１と同様の評価を行った。結果を下記表２４に示す。

以下に使用した化合物を記載する。

２・・・基板
３・・・陽極
４・・・正孔注入層
５・・・正孔輸送層
６・・・発光層
７・・・正孔ブロック層
８・・・電子輸送層
９・・・陰極
１０・・・有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）
１１・・・有機層
１２・・・保護層
１４・・・接着層
１６・・・封止容器
２０・・・発光装置
３０・・・光散乱部材
３０Ａ・・・光入射面
３０Ｂ・・・光出射面
３１・・・透明基板
３２・・・微粒子
４０・・・照明装置

Claims (19)

1. 燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む有機電界発光素子用材料であって、該燐光性金属錯体Ａは下記一般式（１）で表される部分構造を含み、該燐光性金属錯体Ｂは一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２のうちの少なくとも１つの置換基において、Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は該燐光性金属錯体Ａと同一の構造を有し、該燐光性金属錯体Ａに対する該燐光性金属錯体Ｂの含有比が０．００５質量％以上２質量％以下である有機電界発光素子用材料。
   

   

   （一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。複数のＲ^１及びＲ^２はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表し、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｑ^１及びＱ^２を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。Ｑ^１とＱ^２は連結基により連結し、環を形成してもよい。）
2. 前記金属錯体Ａは前記一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２の少なくとも１つとしてフッ素原子を有し、前記金属錯体Ｂは金属錯体Ａの有するフッ素原子のうち少なくとも１つがフッ素原子以外のハロゲン原子に置き換えられている請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
3. 前記金属錯体Ｂにおけるフッ素原子以外のハロゲン原子が塩素原子である請求項２に記載の有機電界発光素子用材料。
4. 前記一般式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２が全てフッ素原子である請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
5. 前記金属錯体Ａが下記一般式（２）で表される部分構造を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
   

   

   （一般式（２）中、Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^２炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表す。Ｅ^１〜Ｅ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｅ^１〜Ｅ^３が全て窒素原子を表すことはない。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。環Ｑ^１及びＥ^１〜Ｅ^３を含む環を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。）
6. 前記金属錯体Ａが下記一般式（３）で表される部分構造を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
   

   

   （一般式（３）中、Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｅ^３は炭素原子又は窒素原子を表す。ｎ３は１〜４の整数を表す。ピリジン及びＥ^３を含む環を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。）
7. 前記Ｅ^３が炭素原子である請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
8. 前記ＭがＰｔである請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
9. 前記一般式（１）が下記一般式（Ｃ−２）で表される請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
   

   

   （式中、Ｌ^２１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｚ^２１及びＺ^２２はそれぞれ独立に５員又は６員の含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２３及びＺ^２４はそれぞれ独立にベンゼン環又は５員又は６員の芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２１及びＺ^２３はそれぞれ独立に１〜４個の置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。ただし、Ｚ^２１及びＺ^２３のうち少なくともいずれかは１つ以上の置換基を有する。Ｚ^２２及びＺ^２４は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３及びＸ^２４はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。）
10. 前記ＭがＩｒである請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
11. 前記一般式（１）が下記一般式（Ａ１０）で表される請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
    

    

    （一般式（Ａ１０）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
12. 前記一般式（１）が下記一般式（Ｐ−１）で表される請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
    

    

    （一般式（Ｐ−１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
13. 基板上に、一対の電極と、該電極間に発光材料を含有する発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層のうち少なくともいずれかに請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を含む有機電界発光素子。
14. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を発光層に含む請求項１３に記載の有機電界発光素子。
15. 燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む有機電界発光素子用材料であって、該燐光性金属錯体Ａは下記一般式（１）で表される部分構造を含み、該燐光性金属錯体Ｂは一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２のうちの少なくとも１つの置換基において、Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は該燐光性金属錯体Ａと同一の構造を有し、該燐光性金属錯体Ａに対する該燐光性金属錯体Ｂの含有比が０．００５質量％以上２質量％以下である組成物。
    

    

    （一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表し、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｑ^１及びＱ^２を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。Ｑ^１とＱ^２は連結基により連結し、環を形成してもよい。）
16. 燐光性金属錯体Ａと燐光性金属錯体Ｂとを少なくとも含む有機電界発光素子用材料であって、該燐光性金属錯体Ａは下記一般式（１）で表される部分構造を含み、該燐光性金属錯体Ｂは一般式（１）におけるＲ^１及びＲ^２のうちの少なくとも１つの置換基において、Ｑ^１又はＱ^２に直接結合している原子の１つ以上が、該原子の同族かつ原子量の大きい原子に置き換えられていること以外は該燐光性金属錯体Ａと同一の構造を有し、該燐光性金属錯体Ａに対する該燐光性金属錯体Ｂの含有比が０．００５質量％以上２質量％以下である発光層。
    

    

    （一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合はそれぞれのＲ^１及びＲ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｍは原子量４０以上の金属を表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１〜Ｘ^３が全て窒素原子を表すことはない。Ｑ^１は５員又は６員の芳香族複素環を表し、Ｑ^２は５員又は６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、ｎ１とｎ２の和が０になることはない。Ｑ^１及びＱ^２を含む２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。Ｑ^１とＱ^２は連結基により連結し、環を形成してもよい。）
17. 請求項１３又は１４に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
18. 請求項１３又は１４に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
19. 請求項１３又は１４に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。

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