JP2011222736A5 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011222736A5
JP2011222736A5 JP2010090131A JP2010090131A JP2011222736A5 JP 2011222736 A5 JP2011222736 A5 JP 2011222736A5 JP 2010090131 A JP2010090131 A JP 2010090131A JP 2010090131 A JP2010090131 A JP 2010090131A JP 2011222736 A5 JP2011222736 A5 JP 2011222736A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
insulating layer
insulating
conductive layer
channel formation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010090131A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011222736A (ja
JP5567886B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010090131A priority Critical patent/JP5567886B2/ja
Priority claimed from JP2010090131A external-priority patent/JP5567886B2/ja
Publication of JP2011222736A publication Critical patent/JP2011222736A/ja
Publication of JP2011222736A5 publication Critical patent/JP2011222736A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5567886B2 publication Critical patent/JP5567886B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (2)

  1. 絶縁表面の上方に第１の絶縁層を有し、
    前記絶縁表面の上方に第１の導電層を有し、
    前記絶縁表面の上方に第２の導電層を有し、
    前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
    前記第１の導電層の上方と前記第２の導電層の上方と前記第２の絶縁層の上方とに酸化物半導体層を有し、
    前記酸化物半導体層の上方に第３の絶縁層を有し、
    前記第３の絶縁層の上方に第３の導電層を有し、
    前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第２の絶縁層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第３の導電層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第１の絶縁層は、第１の水素濃度を有し、
    前記第２の絶縁層は、第２の水素濃度を有し、
    前記第２の水素濃度は、前記第１の水素濃度よりも小さく、
    前記第１の絶縁層の上面と前記第１の導電層の上面との高低差は５ｎｍ未満であり、
    前記第１の絶縁層の上面と前記第２の導電層の上面との高低差は５ｎｍ未満であることを特徴とする半導体装置。
  2. 絶縁表面の上方に第１の絶縁層を有し、
    前記絶縁表面の上方に第１の導電層を有し、
    前記絶縁表面の上方に第２の導電層を有し、
    前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
    前記第１の導電層の上方と前記第２の導電層の上方と前記第２の絶縁層の上方とに酸化物半導体層を有し、
    前記酸化物半導体層の上方に第３の絶縁層を有し、
    前記第３の絶縁層の上方に第３の導電層を有し、
    前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第２の絶縁層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第３の導電層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第１の絶縁層は、第１の水素濃度を有し、
    前記第２の絶縁層は、第２の水素濃度を有し、
    前記第２の水素濃度は、前記第１の水素濃度よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
JP2010090131A 2010-04-09 2010-04-09 半導体装置 Active JP5567886B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010090131A JP5567886B2 (ja) 2010-04-09 2010-04-09 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010090131A JP5567886B2 (ja) 2010-04-09 2010-04-09 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011222736A JP2011222736A (ja) 2011-11-04
JP2011222736A5 true JP2011222736A5 (ja) 2013-02-28
JP5567886B2 JP5567886B2 (ja) 2014-08-06

Family

ID=45039325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010090131A Active JP5567886B2 (ja) 2010-04-09 2010-04-09 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5567886B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54141581A (en) * 1978-04-26 1979-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin film transistor
US4389481A (en) * 1980-06-02 1983-06-21 Xerox Corporation Method of making planar thin film transistors, transistor arrays
JPS62216372A (ja) * 1986-03-18 1987-09-22 Fujitsu Ltd ａ−Ｓｉ薄膜トランジスタ
JPH05206166A (ja) * 1991-12-26 1993-08-13 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4356309B2 (ja) * 2002-12-03 2009-11-04 セイコーエプソン株式会社 トランジスタ、集積回路、電気光学装置、電子機器
JP5213422B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013077815A5 (ja) 半導体装置
JP2011129898A5 (ja) 半導体装置
JP2011129899A5 (ja) 半導体装置
JP2011086927A5 (ja) 半導体装置
JP2010219511A5 (ja) 半導体装置
JP2013038399A5 (ja) 半導体装置
JP2010157702A5 (ja) 半導体装置
JP2013077817A5 (ja)
JP2013102149A5 (ja)
JP2012195574A5 (ja) 半導体装置
JP2010135780A5 (ja) 半導体装置
JP2013030783A5 (ja)
JP2012033908A5 (ja)
JP2012248829A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012049513A5 (ja) 半導体装置
JP2010123935A5 (ja) 半導体装置
JP2012019207A5 (ja) 半導体装置
JP2014116588A5 (ja)
JP2012023360A5 (ja)
JP2014082390A5 (ja)
JP2012235103A5 (ja) 半導体装置の作製方法、及び半導体装置
JP2012235107A5 (ja) 半導体装置
JP2013038401A5 (ja)
JP2012114426A5 (ja) 半導体装置
JP2012164978A5 (ja) 半導体装置