JP2011217315A5 - - Google Patents

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また、以上の説明では、図４のステップＳ１において、フォトダイオード１４１に蓄積されている不要電荷Ｎ０を、浮遊拡散領域１４５まで転送してすぐに排出する例を示したが、必ずしもすぐに排出しなくてもよい。すなわち、信号電荷Ｓ１の転送および蓄積の邪魔にならない範囲で、不要電荷Ｎ０を、第１ＣＣＤ１４２のメモリ部１７２、第２ＣＣＤ１４３のメモリ部１７４、または、浮遊拡散領域１４５にしばらく蓄積してから排出するようにすることが可能である。
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