JP2011216516A - Apparatus and method of processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示パネルやプラズマ表示パネル、太陽電池、磁気ディスク、光ディスクなどの製造に用いるガラス基板、半導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板などの各種基板の表面に処理液を供給して処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention supplies a treatment liquid to the surface of various substrates such as glass substrates, semiconductor wafers, mask substrates for semiconductor manufacturing apparatuses used for manufacturing liquid crystal display panels, plasma display panels, solar cells, magnetic disks, optical disks, etc. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing processing.
従来より、液晶表示パネルなどの製造に用いるガラス基板等の対象物に配線パターンを形成する方法の1つとして、配線パターンに対応するレジスト膜のパターン(すなわち、レジストパターン)を基板の導電層上に形成し、レジストパターンを介してエッチング液を導電層に付与することにより導電層のレジスト膜から露出している部位を除去し、その後、不要となったレジスト膜を剥離して配線パターンを形成するフォトリソグラフィによる方法が知られている。そして、この種のフォトリソグラフィ工程では、レジスト膜の現像、エッチング、剥離、洗浄等、種々の処理液を使った処理工程が必要となる。 Conventionally, as one method for forming a wiring pattern on an object such as a glass substrate used for manufacturing a liquid crystal display panel or the like, a resist film pattern (that is, a resist pattern) corresponding to the wiring pattern is formed on a conductive layer of the substrate. The part exposed from the resist film of the conductive layer is removed by applying an etching solution to the conductive layer through the resist pattern, and then the unnecessary resist film is removed to form a wiring pattern A photolithography method is known. In this type of photolithography process, processing steps using various processing solutions such as development, etching, peeling, and washing of the resist film are required.
この種の処理を実施するための基板処理装置として、基板をローラコンベアによって処理室内を搬送しながら、スプレーノズル等によってコンベア上の基板に処理液を供給する装置が周知である。ところで、一般的なこの種の処理装置は、ローラコンベアに接続される前後の工程の装置との関係でローラコンベアの搬送速度が決められるので、処理時間は搬送速度と処理室の大きさによってほぼ決まってしまう。そのため、例えば処理時間を長くするためには、処理室の長さを長くしたり複数の処理室を直列に設けることが必要となり、装置を設置する面積が増大してクリーンルーム内の面積を多く要し、運用コストが増大し、また装置自身のコストも上昇する。 As a substrate processing apparatus for performing this type of processing, an apparatus that supplies a processing liquid to a substrate on a conveyor by a spray nozzle or the like while a substrate is transported in a processing chamber by a roller conveyor is well known. By the way, in this type of general processing apparatus, the conveying speed of the roller conveyor is determined in relation to the apparatus of the process before and after being connected to the roller conveyor, so that the processing time is almost dependent on the conveying speed and the size of the processing chamber. It will be decided. Therefore, for example, in order to increase the processing time, it is necessary to increase the length of the processing chamber or to provide a plurality of processing chambers in series, which increases the area for installing the apparatus and requires a large area in the clean room. However, the operation cost increases and the cost of the device itself increases.
装置の設置面積を増大させることなく処理時間を変更するために、例えば特許文献1においては、1枚の基板を処理室内において往復移動させることで処理時間を長くすることを提案している。しかしこのようにすると1つの処理室を1枚の基板が長時間占有することになり、単位時間当たりの処理能力が低下してしまう。
In order to change the processing time without increasing the installation area of the apparatus, for example,
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、装置の設置面積を増大させることなくまた単位時間当たりの処理能力を低下させることなく、長時間の処理が可能であり、また処理時間を容易に変更できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and can perform long-time processing without increasing the installation area of the apparatus and without reducing the processing capacity per unit time, and facilitates processing time. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can be changed to
かかる課題を解決する為に、請求項1に係わる発明は、処理室に基板を搬入する搬入機構と、前記処理室から基板を搬出する搬出機構と、前記処理室内で基板を支持して搬送する複数の搬送機構と前記複数の搬送機構が支持する基板に処理液を供給する処理液供給機構と、前記複数の搬送機構を移動させて、いずれかの搬送機構を選択的に前記搬入機構と前記搬出機構とに接続する移動機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置である。
In order to solve this problem, the invention according to
請求項2に係わる発明は、請求項1記載の基板処理装置において、前記搬入機構と前記搬出機構はパスライン高さに位置し、前記処理室の搬送機構は前記パスライン高さにおいて前記搬入機構と前記搬出機構とに接続されることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, the carry-in mechanism and the carry-out mechanism are positioned at a pass line height, and the transfer mechanism of the processing chamber is located at the pass line height. And the unloading mechanism.
請求項3に係わる発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置において、前記複数の搬送機構のそれぞれは、搬送方向への駆動力の入力部に磁気従動部材を設け、また前記搬入機構と前記搬出機構への接続位置に配置された搬送機構の前記磁気従動部材に対して磁気的に結合する磁気駆動部材を設け、前記磁気駆動部材を駆動する駆動源を設けたことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, each of the plurality of transport mechanisms is provided with a magnetic driven member at an input portion for driving force in the transport direction, and the transport mechanism. And a magnetic drive member that is magnetically coupled to the magnetic driven member of the transport mechanism disposed at a connection position to the carry-out mechanism, and a drive source that drives the magnetic drive member is provided. .
請求項4に係わる発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬送機構は基板を傾斜姿勢で支持して搬送するよう傾斜して設けられることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the transport mechanism is provided to be inclined so as to support and transport the substrate in an inclined posture.
請求項5に係わる発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理装置において、前記複数の搬送機構は1つのフレームに取り付けられ、前記移動機構は前記フレームを移動させるものであることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the plurality of transport mechanisms are attached to one frame, and the moving mechanism moves the frame. It is characterized by.
請求項6に係わる発明は、請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理装置において、前記移動機構は、前記搬送機構を、当該搬送機構が支持する基板の面に対して垂直方向に移動させるものであることを特徴とする。
The invention according to
請求項7に係わる発明は、請求項1乃至6のいずれかに記載の基板処理装置において、前記移動機構は、前記搬送機構を、水平方向に移動させるものであることを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, the moving mechanism moves the transport mechanism in a horizontal direction.
請求項8に係わる発明は、請求項1乃至7のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬送機構はローラコンベアであることを特徴とする。 According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, the transport mechanism is a roller conveyor.
請求項9に係わる発明は、請求項4に記載の基板処理装置において、前記処理液供給機構は、前記基板の傾斜の上側から処理液を供給するものであることを特徴とする。 A ninth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, wherein the processing liquid supply mechanism supplies a processing liquid from an upper side of the inclination of the substrate.
請求項10に係わる発明は、請求項1乃至9のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬入機構および/または搬出機構において基板に処理液を供給する副供給機構を備えたことを特徴とする。 A tenth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to ninth aspects, further comprising a sub supply mechanism for supplying a processing liquid to the substrate in the loading mechanism and / or the unloading mechanism. To do.
請求項11に係わる発明は、請求項10に記載の基板処理装置において、前記副供給機構は処理液を高圧で基板に吹き付けるものであることを特徴とする。 According to an eleventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the tenth aspect, the sub supply mechanism sprays a processing liquid onto the substrate at a high pressure.
請求項12に係わる発明は、請求項1乃至11のいずれかに記載の基板処理装置において、処理液供給機構により供給される処理液は剥離液であることを特徴とする。 According to a twelfth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to eleventh aspects, the processing liquid supplied by the processing liquid supply mechanism is a stripping liquid.
請求項13に係わる発明は、処理室に基板を搬入する搬入機構と、前記処理室から基板を搬出する搬出機構と、前記処理室内で基板を支持する複数の支持部材と、前記複数の支持部材が支持する基板に処理液を供給する処理液供給機構と、前記複数の支持部材を移動させて、いずれかの支持部材を選択的に前記搬入機構と前記搬出機構とに接続する移動機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置である。
The invention according to
請求項14に係わる発明は、処理室内に移動可能に設けた複数のコンベアのうち、第一のコンベアを処理装置のパスラインに位置させる工程と、パスラインに位置している前記第一のコンベアに第一の基板を搬入して支持させる工程と、前記第一の基板を支持した前記第一のコンベアをパスラインから他の位置に移動させた後、第二のコンベアをパスラインに位置させる工程と、前記第一のコンベアが支持している第一の基板に処理液を供給して処理する工程と、パスラインに位置している前記第二のコンベアに第二の基板を搬入して支持させる工程と、前記第二の基板を支持した前記第二のコンベアをパスラインから他の位置に移動させた後、前記第一の基板を支持している第一のコンベアをパスラインに位置させる工程と、前記第二のコンベアが支持している第二の基板に処理液を供給して処理する工程と、パスラインに位置している前記第一のコンベアから処理済みの前記第一の基板を搬出する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法である。
The invention according to
本発明によれば、装置の設置面積を増大させることなくまた単位時間当たりの処理能力を低下させることなく、長時間の処理が可能であり、また処理時間の変更が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することができる。
請求項3の発明では、複雑な駆動力切り替え機構を設けることなく簡単な機構で必要なレーンに駆動力を供給でき、処理液の漏洩などのおそれもない。
請求項4の発明では、基板を傾斜姿勢で支持しているので、処理液供給機構を基板の上端側に設けるだけで処理液を基板全体に供給できる。
According to the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate capable of processing for a long time without changing the processing area per unit time without increasing the installation area of the apparatus and changing the processing time. A processing method can be provided.
According to the third aspect of the present invention, a driving force can be supplied to a required lane with a simple mechanism without providing a complicated driving force switching mechanism, and there is no fear of leakage of the processing liquid.
In the invention of claim 4, since the substrate is supported in an inclined posture, the processing liquid can be supplied to the entire substrate only by providing the processing liquid supply mechanism on the upper end side of the substrate.
〔装置の全体構成〕 [Overall configuration of the device]
図1は、本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置である剥離装置100の構成を模式的に示す側面図である。この剥離装置100は液晶表示パネル製造に用いるガラス基板(以下単に基板と称する)をローラコンベアによって後述のような若干の傾斜姿勢で水平方向に搬送しつつ、その基板の上面に剥離液を供給して基板上の不要なレジスト膜を剥離するものである。一般的にこの剥離装置100には、レジスト膜を塗布し、パターンを露光し、現像してレジスト膜のパターンを形成し、さらに基板表面のレジスト膜がない部分をエッチング処理した基板が供給される。したがって剥離装置100の上流側にはエッチング装置またはエッチング処理後の基板をカセットから供給する基板供給装置が接続される。そして、この剥離装置100によって剥離処理された基板には、さらに水洗、乾燥等の処理が施される。従って、この剥離装置100の下流には水洗装置等が接続される。
FIG. 1 is a side view schematically showing a configuration of a
剥離装置100は、基板搬送の上流側から第1剥離帯1、第2剥離帯2、第3剥離帯3を備えている。第1剥離帯1は、上流側に接続されるエッチング装置等から供給される基板Wを受け入れて剥離液を高圧スプレーにより吹き付けてその打力によりあらかたの剥離処理をするものである。第2剥離帯2は第1剥離帯1での処理後の基板Wを受け入れて、所定時間だけ基板Wの傾斜姿勢の上流側からその表面にそって剥離液をかけ流して、基板Wに付着しているレジスト膜を十分に膨潤させるものである。第3剥離帯3は第2剥離帯2での処理後の基板Wを受け入れて剥離液を高圧スプレーにより吹き付けて、膨潤されたレジスト膜をその打力により剥離除去するものである。
The
〔第1剥離帯の詳細構成〕 [Detailed configuration of first strip]
第1剥離帯1は第1剥離帯壁1aの内部に形成され、基板Wは、図1の左側から第1剥離帯壁1aに形成された搬入口11からローラコンベア12によって搬入される(なお、このローラコンベア12の高さ位置をパスライン高さと称する)。第1剥離帯1には、搬入される基板Wに対して、その幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状に吐出して供給する入口液カーテンノズル13、基板Wの幅方向全体にわたって剥離液を高圧スプレー状で吹き付ける高圧スプレーノズル14、基板Wの幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状で搬送方向上流側に向けて吐出して供給し、この第1剥離帯1からの剥離液の持ち出しを抑制する出口液カーテンノズル15が設けられている。第1剥離帯1で使用された剥離液は第1剥離帯1の下部に溜まり、第1剥離帯壁1aの底に形成された廃液口1bから剥離液タンク16に回収される。回収された剥離液は、ポンプ17からバルブ群18を介して再度入口液カーテンノズル13、高圧スプレーノズル14、出口液カーテンノズル15へ供給されて再使用される。なお、この第1剥離帯1における各ノズルは、基板Wの幅方向に均一に吐出するものであれば他のノズルに代えてもよい。
The
〔第2剥離帯の詳細構成〕
処理室となる第2剥離帯2は第1剥離帯1の下流側すなわち搬入口11の反対側に設けられ、基板Wは図1の左側の第1剥離帯1から第2剥離帯2へ搬入される。第2剥離帯2は第2剥離帯壁2aの内部に形成され、第1剥離帯1とは上部で連通しているが、下部では第2剥離帯壁2aによって第1剥離帯1とは区画され、第1剥離帯1で使った剥離液が第2剥離帯2で使った剥離液に混入するのを抑制している。
第2剥離帯2には、基板Wの処理中に1枚の基板Wを支持しながら、その基板Wに対して剥離液を供給して剥離処理するための3つのレーンL1〜L3が設けられる。これらのレーンL1〜L3につき詳細に説明する。第2剥離帯2には上下および前後(第1剥離帯1側および第3剥離帯3側)が開放されたフレームFが設けられる。フレームFは第2剥離帯壁2aの天井の四隅に設けられた昇降移動機構21によって昇降可能(詳細は後述する)に支持される。フレームFの内部には、レーンL1、レーンL2、レーンL3が上からこの順序で積層して組み込まれている。それぞれのレーンL1、L2、L3は1枚の基板Wを保持しうる長さ(搬送方向)を有しており、剥離処理中に基板Wを若干の傾斜姿勢で支持するとともに、各レーンL1〜L3への基板Wの搬入の際に基板Wを水平方向に搬送する機能を果たすローラコンベアL11、L21、L31と、各ローラコンベアL11、L21、L31が支持している基板Wの上端側(詳細は後述する)に対して剥離液を供給する上側液カーテンノズルL12、L22、L32が設けられる。
[Detailed configuration of the second peeling zone]
A
The second stripping
第2剥離帯2に設けられるレーンL1、L2、L3の各ローラコンベアL11、L21、L31は、フレームF内において互いに平行に設けられる。フレームFは、第2剥離帯壁2aの天井壁2aCの四隅に設けられたボールネジあるいはベルト等を用いた昇降移動機構21によって第2剥離帯2内に昇降可能に支持されている。また、第2剥離帯壁2aは水平な床FLに台座Pを介して設置されている。台座Pは第2剥離帯壁2aが若干傾くように構成され、その結果、レーンL1、L2、L3の各ローラコンベアL11、L21、L31は、図5および図6に示すように、基板Wの搬送方向上流側に向って左側(図5および図6中では左側、図1〜4では紙面手前側)が低くなるように、水平面に対して5〜15度程度の角度θだけ傾けて設けられる。各ローラ軸L14、L24、L34に取り付けられるローラL15、L25、L35の大きさは全て等しい。したがってこれらのローラコンベアL11、L21、L31は、基板Wを同じ角度θだけ傾斜した姿勢で支持し、またその姿勢で搬送する。フレームFの左右の側板FWは、各ローラ軸L14、L24、L34と直交する面内でかつ基板Wの搬送方向に平行に設けられ、各ローラ軸L14、L24、L34は側板FWにベアリングL16、L26、L36を介して回転自在かつ等間隔に並んで支持される。また各基板Wの下側端縁は、回転自在に設けられるサイドガイドローラL18、L28、L38によって支持される。
The roller conveyors L11, L21, L31 of the lanes L1, L2, L3 provided in the
なお、第1剥離帯1におけるローラコンベア12も、第2剥離帯2に設けられるレーンL1、L2、L3の各ローラコンベアL11、L21、L31と同じ向き、同じ角度で傾斜して設けられる。また、フレームFの昇降の範囲は、通常の装置使用においては、最も下降したとき(図1、図4、図6)に最上位のレーンL1のローラコンベアL11がパスライン高さに位置し、最も上昇したとき(図3、図5)に最下位のレーンL3のローラコンベアL31がパスライン高さに位置するようになっており、フレームFを昇降させることで全てのレーンL1〜L3に対してローラコンベア12から基板Wを円滑に搬送することが可能となっている。
図5および図6に示すように、基板Wの搬送方向上流側に向って右側(図5および図6中では右側、図1〜4では紙面奥側)すなわち各ローラ軸L14、L24、L34の傾斜方向上側では、フレームFは第2剥離帯壁2aの側壁2aWと平行に設けられる。また各ローラ軸L14、L24、L34の全ての端部には、その回転駆動力の入力部として、それぞれ磁石を含む円盤状の磁気従動部材L17、L27、L37が、側壁2aWと接近して取り付けられている。また、パスライン高さに位置するローラコンベアの全てのローラ軸(すなわち図6ではローラコンベアL11のローラ軸L14、図5ではローラコンベアL31のローラ軸L34)に対応する位置であって、第2剥離帯壁2aの側壁2aWの外側には、それら各ローラ軸の磁気従動部材と側壁2aWを透して磁気的に結合し、その全てのローラ軸を回転駆動するための複数の磁気駆動部材22が回転自在に設けられる。第2剥離帯壁2aの側壁2aWは、磁気を通過させかつ剥離液に対する耐性を有する素材、例えばステンレス鋼によって作られる。磁気駆動部材22は図示を省略しているベアリングにより支持され、モータ等の駆動源25により回転駆動される。
第2剥離帯2に設けられるレーンL1、L2、L3において、各ローラコンベアL11、L21、L31の高い側(図5および図6に示す、基板Wの搬送方向上流側に向って右側、図1〜4では紙面奥側)に、それぞれのローラコンベアL11、L21、L31が基板Wを支持した場合に、その基板Wの上端側に剥離液をカーテン状に供給する上側液カーテンノズルL12、L22、L32が設けられる。これらにより供給され基板Wにかけ流された剥離液は基板Wの傾斜にそって下方側に流れながら基板W表面に液層を形成して、基板Wに付着しているレジスト膜を十分に膨潤させる。なお、上側液カーテンノズルL12、L22、L32は、基板Wの上端に処理液を供給すればよいので、各レーンL1、L2、L3の間の狭い空間に設ける必要はなく、その外側に設けられる。すなわちローラL15、L25、L35のうち最も上端側のものよりも外側であり、処理される基板Wよりも外側に設けられる。なお、この第2剥離帯2における各ノズルは、基板Wの搬送方向に均一に吐出するものであれば他のノズルに代えてもよい。
第2剥離帯2で使用された剥離液は基板Wの下端から第2剥離帯2の下部に流下して溜まり、第2剥離帯壁2aの底に形成された廃液口2bから剥離液タンク26に回収される。回収された剥離液は、ポンプ27からバルブ28を介して再度上側液カーテンノズルL12、L22、L32へ供給されて再使用される。
In addition, the roller conveyor 12 in the 1st peeling belt | band |
As shown in FIGS. 5 and 6, the right side (the right side in FIGS. 5 and 6 and the back side in FIGS. 1 to 4) toward the upstream side in the transport direction of the substrate W, that is, the roller shafts L14, L24, and L34. On the upper side in the inclination direction, the frame F is provided in parallel with the side wall 2aW of the second
In the lanes L1, L2, and L3 provided in the second stripping
The stripping liquid used in the second stripping
〔第3剥離帯の詳細構成〕 [Detailed configuration of the third peeling zone]
第3剥離帯3は第2剥離帯2の下流側すなわち第1剥離帯1の反対側に設けられ、基板Wは図1の左側の第2剥離帯2から第3剥離帯3へ搬入される。第3剥離帯3は第3剥離帯壁3aの内部に形成され、第2剥離帯2とは上部で連通しているが、下部では第2剥離帯壁2aによって第2剥離帯2とは区画され、第2剥離帯2で使った剥離液が第3剥離帯3で使った剥離液に混入するのを抑制している。
基板Wは、図1の左側の第2剥離帯2のいずれかのレーンのうちパスライン高さに置かれているレーンのローラコンベアから、第3剥離帯壁3aのローラコンベア32へ搬送され、第3剥離帯3での剥離処理後、第2剥離帯2の逆側に形成される搬出口31から搬出される。
The
The substrate W is conveyed from the roller conveyor of the lane placed at the pass line height among the lanes of the
第3剥離帯3におけるローラコンベア32はパスライン高さに設けられ、かつ、第1剥離帯1、第2剥離帯2に設けられる各ローラコンベア12、L11、L21、L31と同じ向き、同じ角度で傾斜して設けられる。したがって、第2剥離帯2においてパスライン高さに位置するレーンのローラコンベアとの間で基板Wを円滑に搬送することができる。
第3剥離帯3には、搬入される基板Wに対して、その幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状に吐出して供給する入口液カーテンノズル33、基板Wの幅方向全体にわたって剥離液を高圧スプレー状で吹き付ける高圧スプレーノズル34、基板Wの幅方向全体にわたって上下両面にエアを吹き付けて基板W表面から剥離液を液切り除去するエアナイフ35が設けられている。エアナイフ35には図示しない配管を介してエアが供給される。第3剥離帯3で使用された剥離液はエアナイフ35によるエアの噴き付けによって基板Wから除去され、第3剥離帯3の下部に溜まり、第3剥離帯壁3aの底に形成された廃液口3bから剥離液タンク36に回収される。回収された剥離液は、ポンプ37からバルブ群38を介して再度入口液カーテンノズル33、高圧スプレーノズル34へ供給されて再使用される。なお、この第1剥離帯1における各ノズルは、基板Wの幅方向に均一に吐出するものであれば他のノズルに代えてもよい。
The roller conveyor 32 in the
In the third stripping
〔装置全体の制御〕
各ローラコンベア12、L11、L21、L31、32の搬送動作や、バルブ群18、38、バルブ28、ポンプ17、27、37、昇降移動機構21等の動作は、剥離装置100全体の動作を司るいわゆるマイクロコンピュータからなる制御装置(図示せず)によって制御される。制御装置はローラコンベア12、L11、L21、L31、32の各部適所に配置された基板センサ(図示せず)の基板位置検出情報や、剥離液タンク16、26、36に設けられた液量計、液温計等の情報に基づき、剥離装置100全体を制御する。
[Control of the entire device]
The conveying operation of each roller conveyor 12, L11, L21, L31, 32, the operation of the
〔装置全体の動作および処理方法〕
次に、本実施形態の剥離装置100を用いた基板処理の制御と動作について順に説明する。まず剥離装置100の上流側の装置からエッチング処理後の1枚目の基板W1が搬入口11からローラコンベア12によって第1剥離帯1に搬入される。第1剥離帯1では、入口液カーテンノズル13によって基板W1の幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状に吐出して供給し、レジスト膜の剥離処理を開始する。次に高圧スプレーノズル14で剥離液を高圧スプレー状で吹き付けてその剥離液の衝撃力も伴ってレジスト膜を大雑把に剥離除去する。この段階でこの第1剥離帯1での剥離液には剥離されたレジスト膜成分が多量に混入する。基板W1は続いて次工程の第2剥離帯2へ搬送されるが、基板W1は前述の通り傾斜姿勢となっており、剥離液はその傾斜に沿って横に円滑に流れ落ちるので、その際の剥離液の持ち出しは少ない。しかしその持ち出し量をさらに低減するため、出口液カーテンノズル15によって基板W1の幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状で搬送方向上流側に向けて吐出して、剥離液の第2剥離帯2への持ち出し量を低減している。
[Operation and processing method of entire apparatus]
Next, control and operation of substrate processing using the
第1剥離帯1での処理後、基板W1はローラコンベア12によって第2剥離帯2へ搬入搬送される。図示の例では第1剥離帯1の長さより基板W1の長さのほうが長いので、基板W1は第1剥離帯1での処理と第2剥離帯2とでまたがって処理される。図1はこの状態を示しており、ここではフレームFは最も下の位置まで下がった状態であり、ローラコンベア12の搬送高さであるパスライン高さには最も上位のレーンL1が位置しており、基板W1はローラコンベア12からレーンL1のローラコンベアL11へ搬送される。このとき、ローラコンベアL11の全てのローラ軸L14の磁気従動部材L17が側壁2aWをはさんで磁気駆動部材22と接近して磁気的に結合し、磁気駆動部材22に結合された駆動源25により回転駆動されて搬送動作を行う。
そしてそのローラコンベアL11へ搬送される基板W1に対して、上端液カーテンノズルL12が基板W1の上端側に剥離液をカーテン状に供給し基板W1の傾斜にそって下方側にかけ流す。これによって剥離液は基板W1表面に液層を形成して、基板Wに付着しているレジスト膜を十分に膨潤させる。基板W1の全体が第2剥離帯2へ入ったことを基板センサが検出すると、駆動源25の駆動は停止され、基板W1はレーンL1のローラコンベアL11上で支持されたままの状態で停止する。そしてフレームFを上昇させるように昇降移動機構21が駆動され、レーンL2のローラコンベアL21がパスライン高さに位置するように駆動される。なお、このとき以後も上端液カーテンノズルL12による剥離液の供給は継続される。
次に、基板W1に続いて、剥離装置100に2枚目の基板W2が搬入される。基板W2に対しても1枚目の基板W1と同様に第1剥離帯1および第2剥離帯2での処理が行われるが、基板W2は第2剥離帯2のレーンL2に搬送されて処理されることが異なっている。この状態を図2に示す。このとき、レーンL2のローラコンベアL21の全てのローラ軸L24の磁気従動部材L27が側壁2aWをはさんで磁気駆動部材21と接近して磁気的に結合し、磁気駆動部材21に結合された駆動源25により回転駆動されて搬送動作を行う。基板W2の全体が第2剥離帯2へ入ったことを基板センサが検出すると、駆動源25の駆動は停止され、基板W2はレーンL2のローラコンベアL21上で支持されたままの状態で停止する。そしてフレームFを上昇させるように昇降移動機構21が駆動され、レーンL3のローラコンベアL31がパスライン高さに位置するように駆動される。なお、このとき以後も上端液カーテンノズルL12、L22による剥離液の基板W1、W2への供給は継続される。
続いて、基板W2に続いて、剥離装置100に3枚目の基板W3が搬入される。基板W3に対しても1枚目の基板W1、2枚目の基板W2と同様に第1剥離帯1および第2剥離帯2での処理が行われるが、基板W3は第2剥離帯2のレーンL3に搬送されて処理されることが異なっている。このとき、レーンL3のローラコンベアL31の全てのローラ軸L34の磁気従動部材L37が側壁2aWをはさんで磁気駆動部材21と接近して磁気的に結合し、磁気駆動部材21に結合された駆動源25により回転駆動されて搬送動作を行う。基板W3の全体が第2剥離帯2へ入ったことを基板センサが検出すると、駆動源25の駆動は停止され、基板W3はレーンL3のローラコンベアL31上で支持されたままの状態で停止する。この状態を図3に示す。この図3に示すように、第2剥離帯2においては同時に3枚の基板Wの処理が可能となり、剥離に長時間を要するようなプロセス用途にも単位時間当たりの処理能力を下げることなく対応することが可能である。そして次に、フレームFを下降させるように昇降移動機構21が駆動され、レーンL1のローラコンベアL11がパスライン高さに位置するように駆動される。なお、このとき以後も上端液カーテンノズルL12、L22、L32による剥離液の基板W1、W2、W3への供給は継続される。
続いて、1枚目の基板W1について、第2処理帯2における必要な処理時間が経過すると、レーンL1のローラコンベアL11が駆動され、それとともにローラコンベア32が駆動されて第2処理帯2から1枚目の基板W1を搬出搬送して第3処理帯3に送る。第3剥離帯3では、基板W1に対して、入口液カーテンノズル33で幅方向全体にわたって剥離液を均一なカーテン状に吐出して供給し、さらに高圧スプレーノズル34により基板W1の幅方向全体にわたって剥離液を高圧スプレー状で吹き付ける。これらの処理の特に高圧スプレーによる衝撃力により、第2剥離帯2において十分に膨潤したレジスト膜が容易に剥離除去される。この状態を図4に示す。その後、基板W1にはエアナイフ35によって幅方向全体にわたって上下両面にエアを吹き付けて剥離液が液切り除去され、搬出口31から搬出されて、後続の洗浄装置等へ搬送される。
また、1枚目の基板W1が第2処理帯2から搬出されると同時に、レーンL1には次なる4枚目の基板W4の受け入れが可能となる。実際の剥離装置100の制御においては、基板W1が第2処理帯2から搬出されるのとほぼ同じタイミングで、次なる基板W4が第2処理帯に搬入されるように制御することができ、このようにすると剥離装置100の利用効率の点では望ましい。そして以後同様に、2枚目の基板W2の第2処理帯2からの搬出、5枚目の基板W5の受け入れ、と続けて多数の基板Wを処理することができる。
なお、各ローラコンベア12、L11、L21、L31、32の搬送速度は独立して任意に設定することができる。例えばレジスト膜の表面が硬い場合には、ローラコンベア12の搬送速度を遅くして第1処理帯1での高圧スプレーが長時間作用するようにして、剥離しやすくすることができ、またレジスト膜と基板との密着性が高い場合には、ローラコンベア32の速度を遅くして第3剥離帯3での高圧スプレーが長時間作用するようにして、剥離しやすくすることができる。
After the processing in the
And with respect to the board | substrate W1 conveyed to the roller conveyor L11, the upper end liquid curtain nozzle L12 supplies stripping liquid to the upper end side of the board | substrate W1 in the shape of a curtain, and pours it down below along the inclination of the board | substrate W1. As a result, the stripping solution forms a liquid layer on the surface of the substrate W1 and sufficiently swells the resist film attached to the substrate W. When the substrate sensor detects that the entire substrate W1 has entered the
Next, following the substrate W1, the second substrate W2 is carried into the
Subsequently, following the substrate W2, the third substrate W3 is carried into the
Subsequently, when the necessary processing time in the
At the same time as the first substrate W1 is unloaded from the
In addition, the conveyance speed of each roller conveyor 12, L11, L21, L31, 32 can be set arbitrarily independently. For example, when the surface of the resist film is hard, it can be easily peeled off by slowing the conveying speed of the roller conveyor 12 so that the high-pressure spray in the
〔昇降移動機構の詳細構成〕
図7は第2剥離帯壁2aの天井の四隅に設けられた昇降移動機構21の例を示す模式図である。ここでは上側液カーテンノズル等の図示は省略し、また左右2組を図示しているが構造は同一であるので、右側の1組にのみ符号を付与している。これについて説明すると、第2剥離帯壁2aの天井2aCには支柱21bが立設固定されており、その側面には直動案内機構21cを介して移動台21dが設けられ、移動台21dにはモータ21eが取り付けられる。モータ21eの回転軸には所定長さのボールネジ21fが取り付けられ、そのボールネジ21fは第2剥離帯壁2aの天井に取り付け固定されたナット21gと螺合して第2剥離帯2内へ至る。一方、フレームFの上面には、軸受け21iが取り付け固定されており、ボールネジ21fの先端の非ネジ部21hを回転自在に軸支している。第2剥離帯2内に位置するボールネジ21fの先端の非ネジ部21hや軸受け21iは剥離液雰囲気を分離するために、剥離液に耐性を有する伸縮自在な蛇腹21jに覆われている。係る構成により、昇降移動機構21は各レーンL1、L2、L3を、それらに支持される基板Wの表面に対して垂直方向に移動させる。
図7はフレームFが最も上昇した状態を示しており、この状態からフレームFを下降させる場合には、モータ21eによりボールネジ21fを回転させて、ボールネジ21fを第2剥離帯2内側へ移動させる。これにより、ボールネジ21fの下降に伴ってフレームFが下降する。このとき同時にモータ21eも直動案内機構21cの案内により下降する。
[Detailed configuration of lifting mechanism]
FIG. 7 is a schematic diagram showing an example of the lifting / lowering moving
FIG. 7 shows a state in which the frame F is raised most. When the frame F is lowered from this state, the
〔第二の実施形態〕 [Second Embodiment]
図8は第2剥離帯2の第二の実施形態を示す。この例では、レーンL1とレーンL2の2つが図中左側を中心に回動可能に設けられており、図中の実線で示したレーンL2がパスライン高さである。上側液カーテンノズルおよびレーンL1、L2を移動させる移動機構の図示は省略している。レーンL2への基板Wの搬出入を行う際には各レーンL1、L2を図中の実線で示した位置におく。また、レーンL1への基板Wの搬出入を行う際にはレーンL2を図中の破線の位置まで、またレーンL1を図中の実線で示したレーンL2の位置まで、それぞれ回動させ、レーンL1をパスライン高さに位置させる。
FIG. 8 shows a second embodiment of the second stripping
〔第三の実施形態〕 [Third embodiment]
図9は第2剥離帯2の第三の実施形態を示す。この例では、レーンL1〜L3の傾斜角度が直角に近い第一の実施形態よりも大きい角度の場合であり、この場合には第2剥離帯2の底部に沿った方向に直動案内部材29を設けてフレームFを水平方向に移動可能とした。なお、フレームFの駆動源およびローラコンベアを駆動する磁気駆動部材等の機構は図示を省略している。この場合、第1剥離帯1、第3剥離帯3においても、第2剥離帯2の各レーンL1〜L3と同様の傾斜角度で基板を搬送するようにする。
〔変形例〕
上記の第一および第三の実施形態ではレーンの数は3、第二の実施形態ではレーンの数は2であったが、このレーンの数は第2剥離帯2における必要な処理時間によって決めればよい。レーンを多く設けることで、単位時間当たりの処理能力を低下させることなく、長時間の処理が可能になり、また装置の設置面積を増大させることもない。そして例えば第一の実施形態で、「レーンL1、L2のみを使用し、レーンL3を使用しない」などのように使用するレーンの数を変えることにより、処理時間を短く変更することも容易にできる。
また、磁気従動部材と磁気駆動部材による駆動力の伝達を行っているので、パスライン高さに位置させるレーンを切り替える場合でも、複雑な駆動力切り替え機構を設けることなく、必要なレーンに駆動力を供給でき、また第2剥離帯壁2aに駆動力伝達のための孔を設ける必要がないので処理液の漏洩などのおそれもない。
また、基板は各レーンにおいて傾斜姿勢で支持されているので、処理液供給機構を基板の上端側にのみ設ければ処理液を供給すれば基板全体にいきわたらせることができる。したがって、必要に応じてレーンとレーンとの間を狭くすることも可能となる。
また、第1剥離帯1、第2剥離帯2、第3剥離帯3はそれぞれ個別の剥離液供給系統を備えているので、例えば剥離液タンク16、26、36にそれぞれ濃度の異なる剥離液を使用するなどの処理が可能である。
FIG. 9 shows a third embodiment of the second stripping
[Modification]
In the first and third embodiments, the number of lanes is 3, and in the second embodiment, the number of lanes is 2. The number of lanes is determined by the required processing time in the second stripping
In addition, since the driving force is transmitted by the magnetic driven member and the magnetic driving member, even if the lane positioned at the pass line height is switched, the driving force is applied to the required lane without providing a complicated driving force switching mechanism. Since there is no need to provide a hole for transmitting the driving force in the second
Further, since the substrate is supported in an inclined posture in each lane, if the processing liquid supply mechanism is provided only on the upper end side of the substrate, the entire substrate can be spread by supplying the processing liquid. Therefore, it is possible to narrow the space between lanes as necessary.
Further, since the first stripping
100 剥離装置
1 第1剥離帯
2 第2剥離帯
3 第3剥離帯
12、L11、L21、L31、32 ローラコンベア
13 入口液カーテンノズル
14 高圧スプレーノズル
15 出口液カーテンノズル
21 昇降移動機構
L12、L22、L32 上側液カーテンノズル
33 入口液カーテンノズル
34 高圧スプレーノズル
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記処理室から基板を搬出する搬出機構と、
前記処理室内で基板を支持して搬送する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構が支持する基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記複数の搬送機構を移動させて、いずれかの搬送機構を選択的に前記搬入機構と前記搬出機構とに接続する移動機構と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 A loading mechanism for loading the substrate into the processing chamber;
An unloading mechanism for unloading the substrate from the processing chamber;
A plurality of transport mechanisms for supporting and transporting the substrate in the processing chamber;
A processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to a substrate supported by the plurality of transport mechanisms;
A movement mechanism that moves the plurality of conveyance mechanisms and selectively connects any of the conveyance mechanisms to the carry-in mechanism and the carry-out mechanism;
A substrate processing apparatus comprising:
前記搬入機構と前記搬出機構はパスライン高さに位置し、
前記処理室の搬送機構は前記パスライン高さにおいて前記搬入機構と前記搬出機構とに接続されることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The carry-in mechanism and the carry-out mechanism are located at a pass line height,
A substrate processing apparatus, wherein a transfer mechanism of the processing chamber is connected to the carry-in mechanism and the carry-out mechanism at the height of the pass line.
前記複数の搬送機構のそれぞれは、搬送方向への駆動力の入力部に磁気従動部材を設け、
また前記搬入機構と前記搬出機構への接続位置に配置された搬送機構の前記磁気従動部材に対して磁気的に結合する磁気駆動部材を設け、
前記磁気駆動部材を駆動する駆動源を設けたことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
Each of the plurality of transport mechanisms is provided with a magnetic driven member at the input portion of the driving force in the transport direction,
In addition, a magnetic drive member that is magnetically coupled to the magnetic driven member of the transport mechanism disposed at a connection position to the carry-in mechanism and the carry-out mechanism is provided,
A substrate processing apparatus comprising a drive source for driving the magnetic drive member.
前記搬送機構は基板を傾斜姿勢で支持して搬送するよう傾斜して設けられることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1 thru | or 3,
The substrate processing apparatus, wherein the transport mechanism is provided to be inclined so as to support and transport the substrate in an inclined posture.
前記複数の搬送機構は1つのフレームに取り付けられ、前記移動機構は前記フレームを移動させるものであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the plurality of transport mechanisms are attached to a single frame, and the moving mechanism moves the frame.
前記移動機構は、前記搬送機構を、当該搬送機構が支持する基板の面に対して垂直方向に移動させるものであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing apparatus, wherein the moving mechanism moves the transport mechanism in a direction perpendicular to the surface of the substrate supported by the transport mechanism.
前記移動機構は、前記搬送機構を、水平方向に移動させるものであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the moving mechanism moves the transport mechanism in a horizontal direction.
前記搬送機構はローラコンベアであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the transport mechanism is a roller conveyor.
前記処理液供給機構は、前記基板の傾斜の上側から処理液を供給するものであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4,
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid supply mechanism supplies a processing liquid from an upper side of the inclination of the substrate.
前記搬入機構および/または搬出機構において基板に処理液を供給する副供給機構を備えたことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9,
A substrate processing apparatus comprising a sub supply mechanism for supplying a processing liquid to a substrate in the carry-in mechanism and / or the carry-out mechanism.
前記副供給機構は処理液を高圧で基板に吹き付けるものであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein
The substrate processing apparatus is characterized in that the sub supply mechanism sprays a processing liquid onto the substrate at a high pressure.
処理液供給機構により供給される処理液は剥離液であることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
A substrate processing apparatus, wherein the processing liquid supplied by the processing liquid supply mechanism is a stripping liquid.
前記処理室から基板を搬出する搬出機構と、
前記処理室内で基板を支持する複数の支持部材と
前記複数の支持部材が支持する基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記複数の支持部材を移動させて、いずれかの支持部材を選択的に前記搬入機構と前記搬出機構とに接続する移動機構と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 A loading mechanism for loading the substrate into the processing chamber;
An unloading mechanism for unloading the substrate from the processing chamber;
A plurality of support members for supporting a substrate in the processing chamber; a treatment liquid supply mechanism for supplying a treatment liquid to the substrate supported by the plurality of support members;
A moving mechanism that moves the plurality of support members and selectively connects any of the support members to the carry-in mechanism and the carry-out mechanism;
A substrate processing apparatus comprising:
パスラインに位置している前記第一のコンベアに第一の基板を搬入して支持させる工程と、
前記第一の基板を支持した前記第一のコンベアをパスラインから他の位置に移動させた後、第二のコンベアをパスラインに位置させる工程と、
前記第一のコンベアが支持している第一の基板に処理液を供給して処理する工程と、
パスラインに位置している前記第二のコンベアに第二の基板を搬入して支持させる工程と、
前記第二の基板を支持した前記第二のコンベアをパスラインから他の位置に移動させた後、前記第一の基板を支持している第一のコンベアをパスラインに位置させる工程と、
前記第二のコンベアが支持している第二の基板に処理液を供給して処理する工程と、
パスラインに位置している前記第一のコンベアから処理済みの前記第一の基板を搬出する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 Of the plurality of conveyors provided movably in the processing chamber, the step of positioning the first conveyor in the pass line of the processing device;
Carrying and supporting the first substrate on the first conveyor located in the pass line;
Moving the first conveyor supporting the first substrate from the pass line to another position, and then positioning the second conveyor on the pass line;
Supplying and processing a processing liquid to the first substrate supported by the first conveyor;
Carrying and supporting the second substrate on the second conveyor located in the pass line;
Moving the second conveyor supporting the second substrate from the pass line to another position, and then positioning the first conveyor supporting the first substrate on the pass line;
Supplying a processing liquid to the second substrate supported by the second conveyor and processing the second substrate;
Unloading the processed first substrate from the first conveyor located on the pass line;
A substrate processing method comprising:
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