JP2000299268A - Stripping apparatus and method - Google Patents

Stripping apparatus and method

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JP2000299268A
JP2000299268A JP10493599A JP10493599A JP2000299268A JP 2000299268 A JP2000299268 A JP 2000299268A JP 10493599 A JP10493599 A JP 10493599A JP 10493599 A JP10493599 A JP 10493599A JP 2000299268 A JP2000299268 A JP 2000299268A
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聡 鈴木
Shin Ogino
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stripping apparatus which is capable of easily changing a processing time for a substrate, corresponding to the state of a film regardless of the size of a processing chamber and a transfer speed. SOLUTION: A wafer W is loaded into a stripping chamber 2 by a roller conveyer 1, and the wafer W is made to reciprocate cyclically. A control device 21 drives and controls a pump 19 provided in a liquid feed mechanism 10 through the intermediary of an inverter 20. When the wafer W is reciprocated, a stripping solution is supplied with a low pressure from a nozzle 11 to the wafer W, and a film formed on the surface of the wafer W swells up. After the stripping solution is fed at a low pressure to the substrate W for a prescribed time, then the stripping solution is supplied from the nozzle 11 with a high pressure to the wafer W, by which the swollen photoresist film is stripped off. After the stripping solution is fed at a high pressure to the wafer W for a prescribed time, the substrate W is transferred to a cleaning chamber 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルや
プラズマ表示パネルなどの製造に用いるガラス基板、半
導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板などの基板
の表面に形成された被膜を剥離するための剥離装置およ
び剥離方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for peeling off a film formed on the surface of a substrate such as a glass substrate used for manufacturing a liquid crystal display panel or a plasma display panel, a semiconductor wafer, and a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus. And a stripping method.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばフォトリソグラフィのプロセスに
おいては、処理すべき基板の表面にフォトレジストの被
膜を形成し、露光、現像、エッチング等のプロセス処理
を施して所望のパターニングを行なう。そしてしかる
後、基板上に残っているフォトレジストの被膜を剥離除
去する。かかる剥離処理を行なうための剥離装置として
は、図3に示すものが考えられる。この装置90は、第
1処理室91及び第2処理室92の2つの処理室を設
け、その2つの処理室を通過するようにローラコンベア
93を設けてある。ローラコンベア93は基板Wを水平
姿勢で図中の矢印方向に搬送する。第1処理室91内に
はローラコンベア93によって搬送される基板Wに対し
て剥離液を低圧でスプレーする低圧ノズル94が設けら
れている。第2処理室92内にはローラコンベア93に
よって搬送される基板Wに対して剥離液を高圧でスプレ
ーする高圧ノズル95が設けられている。
2. Description of the Related Art In a photolithography process, for example, a photoresist film is formed on the surface of a substrate to be processed, and a desired patterning is performed by performing a process such as exposure, development, and etching. Thereafter, the photoresist film remaining on the substrate is peeled off. FIG. 3 shows an example of a peeling device for performing such a peeling process. This apparatus 90 is provided with two processing chambers, a first processing chamber 91 and a second processing chamber 92, and is provided with a roller conveyor 93 so as to pass through the two processing chambers. The roller conveyor 93 conveys the substrate W in a horizontal posture in the direction of the arrow in the figure. The first processing chamber 91 is provided with a low-pressure nozzle 94 for spraying a stripping liquid at a low pressure on the substrate W transferred by the roller conveyor 93. In the second processing chamber 92, a high-pressure nozzle 95 for spraying a stripping liquid at a high pressure on the substrate W conveyed by the roller conveyor 93 is provided.

【0003】そしてかかる装置では、基板Wはまず第1
処理室91を通過するうちに低圧で供給される剥離液に
よってその表面が覆われ、その間にフォトレジストの被
膜が剥離液で膨潤される。続いて基板Wは第2処理室9
2へ入り、高圧でスプレーされる剥離液による物理的な
衝撃力が基板W表面のフォトレジスト被膜に加えられ
て、フォトレジスト被膜が剥離除去される。そして、続
いて基板Wは図中右側に設けられる洗浄処理室(図示せ
ず)へ搬送されて純水で洗浄処理され、さらに乾燥処理
室(図示せず)へ搬送されて乾燥処理される。
In such an apparatus, the substrate W is first
While passing through the processing chamber 91, the surface is covered with a stripping solution supplied at a low pressure, and during that time, the photoresist film is swollen with the stripping solution. Subsequently, the substrate W is placed in the second processing chamber 9.
2, the physical impact force of the stripping solution sprayed at a high pressure is applied to the photoresist coating on the surface of the substrate W, and the photoresist coating is stripped off. Subsequently, the substrate W is conveyed to a cleaning processing chamber (not shown) provided on the right side in the figure, is cleaned with pure water, and is further conveyed to a drying processing chamber (not shown) to be dried.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】図3の装置では、基板
Wはローラコンベア93によって一定速度で搬送される
ため、剥離液を供給して処理する処理時間は、処理室の
大きさと搬送速度によって決まってしまい、被膜の状態
などに応じて処理時間を変更することは困難である。本
発明は処理時間を容易に変更することができる剥離装置
を提供することを目的とする。
In the apparatus shown in FIG. 3, since the substrate W is transported at a constant speed by the roller conveyor 93, the processing time for supplying and processing the release liquid depends on the size of the processing chamber and the transport speed. It is difficult to change the processing time according to the state of the coating or the like. An object of the present invention is to provide a peeling device capable of easily changing a processing time.

【0005】また、図3の装置では、剥離液を低圧で吐
出する処理工程と、剥離液を高圧で吐出する処理工程の
それぞれの時間も決まっており、被膜の状態などに応じ
て時間を変更することが困難であった。本発明は低圧吐
出による処理工程の時間、高圧吐出による処理工程の時
間それぞれを自由に変更して設定することができる剥離
装置を提供することを目的とする。
In the apparatus shown in FIG. 3, the processing time for discharging the stripping liquid at a low pressure and the processing time for discharging the stripping liquid at a high pressure are also determined, and the time is changed according to the state of the film. It was difficult to do. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a peeling apparatus capable of freely changing and setting the time of a processing step by low-pressure discharge and the time of a processing step by high-pressure discharge.

【0006】また、図3の装置では、剥離液を低圧で吐
出する処理と高圧で吐出する処理を別の処理室で行なっ
ており、2つの処理室が必要であり、装置が大きなもの
であった。本発明は装置を小型化することができる剥離
装置を提供することを目的とする。
In the apparatus shown in FIG. 3, the processing for discharging the stripping liquid at a low pressure and the processing for discharging the stripping liquid at a high pressure are performed in separate processing chambers, and two processing chambers are required. Was. An object of the present invention is to provide a peeling device that can reduce the size of the device.

【0007】また、図3の装置では、低圧で供給した剥
離液によって被膜を膨潤させ、その後高圧で供給される
剥離液による物理的な衝撃力で被膜を剥離除去する。こ
こで、被膜の膨潤は剥離液と接している面から進行して
いくが、被膜の厚みが厚くなると、被膜の表面は容易に
膨潤するが、被膜の厚み方向への膨潤が進行しにくくな
り、被膜の除去が十分にできなかったり、処理にきわめ
て長時間を要するという欠点がある。本発明は厚い被膜
であっても効率よく短時間で膨潤と剥離除去が行なえる
剥離装置および剥離方法を提供することを目的とする。
In the apparatus shown in FIG. 3, the coating is swollen by a stripping solution supplied at a low pressure, and then the coating is stripped and removed by a physical impact force of the stripping solution supplied at a high pressure. Here, the swelling of the coating proceeds from the surface in contact with the stripper, but as the thickness of the coating increases, the surface of the coating easily swells, but swelling in the thickness direction of the coating does not easily progress. There are drawbacks in that the film cannot be sufficiently removed, or that the treatment takes a very long time. An object of the present invention is to provide a peeling device and a peeling method capable of efficiently swelling and peeling and removing a thick film even in a short time.

【0008】また本発明は、処理プロセスの選択自由度
が高い剥離装置を提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a peeling apparatus having a high degree of freedom in selecting a processing process.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を処理する処理室を構成する室構成体と、前記処理室内
に基板を支持する支持機構と、前記支持機構に支持され
た前記処理室内の基板に対して処理液を低圧及び高圧で
供給可能な液供給機構と、前記液供給機構の動作を制御
する制御手段と、前記液供給機構による前記基板への処
理液供給位置が時間的に変化するよう該液供給機構に対
して前記基板を相対的かつ周期的に移動させる相対移動
機構とを備えたことを特徴とする剥離装置である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a chamber constituting a processing chamber for processing a substrate, a supporting mechanism for supporting the substrate in the processing chamber, and the supporting mechanism supported by the supporting mechanism. A liquid supply mechanism capable of supplying a processing liquid to the substrate in the processing chamber at a low pressure and a high pressure, control means for controlling the operation of the liquid supply mechanism, and a position where the processing liquid is supplied to the substrate by the liquid supply mechanism. And a relative moving mechanism for moving the substrate relatively and periodically with respect to the liquid supply mechanism so as to change the liquid supply mechanism.

【0010】この構成によれば、基板は処理室内で処理
に必要な時間だけ往復移動してその間に処理が行なわれ
るので、処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜
の状態などに応じて処理時間を容易に変更することがで
きる。また、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離
液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に
変更して設定することができる。さらに、剥離液を低圧
で吐出する処理と高圧で吐出する処理とを一つの処理室
で行なっており、装置が小型化できる。
According to this structure, the substrate is reciprocated in the processing chamber only for the time required for the processing, and the processing is performed during the reciprocating operation. The processing time can be easily changed. Further, the respective times of the processing step of discharging the stripping liquid at a low pressure and the processing step of discharging the stripping liquid at a high pressure can be freely changed and set. Further, the process of discharging the stripper at a low pressure and the process of discharging the stripper at a high pressure are performed in one processing chamber, so that the apparatus can be downsized.

【0011】請求項2の発明は、請求項1の剥離装置に
おいて、前記液供給機構が、前記支持機構に支持された
基板に対して処理液を低圧で供給する低圧供給機構と、
前記支持機構に支持された基板に対して処理液を高圧で
供給する高圧供給機構とを備えたことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the stripping apparatus of the first aspect, the liquid supply mechanism supplies a processing liquid at a low pressure to a substrate supported by the support mechanism;
A high-pressure supply mechanism for supplying a processing liquid at a high pressure to the substrate supported by the support mechanism.

【0012】この構成によれば、低圧供給機構と高圧供
給機構とをそれぞれ別個に設けているので、それらを同
時に動作させることができ、処理プロセスの選択自由度
が高い。
According to this configuration, since the low-pressure supply mechanism and the high-pressure supply mechanism are separately provided, they can be operated at the same time, and the degree of freedom in selecting the processing process is high.

【0013】請求項3の発明は、請求項2の剥離装置に
おいて、前記制御手段が、前記低圧供給機構を動作させ
た後に前記高圧供給機構を動作させるよう制御するもの
であることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the stripping apparatus of the second aspect, the control means controls the high-pressure supply mechanism to operate after the low-pressure supply mechanism is operated. .

【0014】この構成によれば、剥離すべき被膜を先に
低圧で処理液を供給して膨潤させておき、その後に高圧
で処理液を供給して良好に剥離除去できる。
According to this structure, the film to be peeled can be swelled by first supplying the processing liquid at a low pressure and then supplying the processing liquid at a high pressure so that the film can be peeled and removed well.

【0015】請求項4の発明は、請求項2の剥離装置に
おいて、前記制御手段が、前記低圧供給機構と前記高圧
供給機構とを交互に動作させるよう制御するものである
ことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the peeling apparatus of the second aspect, the control means controls the low-pressure supply mechanism and the high-pressure supply mechanism to operate alternately.

【0016】この構成によれば、剥離すべき被膜に対し
て低圧の処理液供給による膨潤と高圧の処理液供給によ
る剥離を繰り返すことで、効率よく短時間で膨潤と剥離
除去が行なえる。
According to this configuration, the swelling and peeling removal can be efficiently performed in a short time by repeatedly swelling the coating film to be peeled by supplying a low-pressure processing liquid and peeling it by supplying a high-pressure processing liquid.

【0017】請求項5の発明は、請求項2の剥離装置に
おいて、前記低圧供給機構に備えられて前記基板に処理
液を吐出する低圧ノズルと、前記高圧供給機構に備えら
れて前記基板に処理液を吐出する高圧ノズルとが、前記
基板の表面上におけるそれぞれの液吐出領域が、前記相
対移動機構による相対移動方向に沿って交互に位置する
よう配置されており、前記制御手段は、前記低圧供給機
構と前記高圧供給機構とを同時に動作させるよう制御す
るものであることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the stripping apparatus of the second aspect, a low-pressure nozzle provided in the low-pressure supply mechanism for discharging a processing liquid onto the substrate, and a processing apparatus for the substrate provided in the high-pressure supply mechanism. A high-pressure nozzle for discharging a liquid, and the liquid discharge regions on the surface of the substrate are arranged so that the respective liquid discharge regions are alternately positioned along a relative movement direction by the relative movement mechanism; The supply mechanism and the high-pressure supply mechanism are controlled to operate simultaneously.

【0018】この構成によれば、基板の部分部分に対し
て低圧の処理液供給による膨潤と高圧の処理液供給によ
る剥離を繰り返すことで、効率よく短時間で膨潤と剥離
除去が行なえる。
According to this structure, swelling and peeling removal can be efficiently performed in a short time by repeating swelling by supplying a low-pressure processing liquid and peeling by supplying a high-pressure processing liquid to a portion of the substrate.

【0019】請求項6の発明は、請求項1の剥離装置に
おいて、前記液供給機構が、前記支持機構に支持された
前記処理室内の基板に対して処理液を低圧又は高圧で供
給可能なノズルと、 前記ノズルに対して処理液を供給
しかつその供給圧力を低圧と高圧とに切り替え可能な送
液機構とを備えたことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the stripping apparatus of the first aspect, the liquid supply mechanism can supply a processing liquid at a low pressure or a high pressure to a substrate in the processing chamber supported by the support mechanism. And a liquid feeding mechanism that supplies a processing liquid to the nozzle and that can switch the supply pressure between a low pressure and a high pressure.

【0020】この構成によれば、ノズルや送液機構を高
圧吐出と低圧吐出の両方に共用しており、装置を小型
化、低コスト化できる。
According to this configuration, the nozzle and the liquid sending mechanism are used for both high-pressure discharge and low-pressure discharge, and the apparatus can be reduced in size and cost.

【0021】請求項7の発明は、請求項6の剥離装置に
おいて、前記制御手段が、前記ノズルに処理液を低圧で
供給するよう前記送液機構を動作させた後に、前記ノズ
ルに処理液を高圧で供給するよう前記送液機構を動作さ
せるよう制御するものであることを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the stripping apparatus of the sixth aspect, after the control means operates the liquid feeding mechanism to supply the processing liquid to the nozzle at a low pressure, the processing liquid is supplied to the nozzle. The liquid supply mechanism is controlled to operate so as to supply at a high pressure.

【0022】この構成によれば、剥離すべき被膜を先に
低圧で処理液を供給して膨潤させておき、その後に高圧
で処理液を供給して良好に剥離除去できる。
According to this configuration, the film to be peeled can be swelled by first supplying the processing liquid at a low pressure and then supplying the processing liquid at a high pressure so that the film can be removed and satisfactorily removed.

【0023】請求項8の発明は、請求項6の剥離装置に
おいて、前記制御手段が、前記送液機構の動作を、前記
ノズルへの処理液の供給圧力が低圧と高圧とを交互にく
りかえすように制御するものであることを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, in the peeling apparatus of the sixth aspect, the control means alternately switches the operation of the liquid feeding mechanism between a low pressure and a high pressure of the supply pressure of the processing liquid to the nozzle. Characterized by the following:

【0024】この構成によれば、剥離すべき被膜に対し
て低圧の処理液供給による膨潤と高圧の処理液供給によ
る剥離を繰り返すことで、効率よく短時間で膨潤と剥離
除去が行なえる。
According to this structure, swelling and peeling removal can be efficiently performed in a short time by repeating swelling by supplying a low-pressure processing liquid and peeling by supplying a high-pressure processing liquid to the film to be peeled.

【0025】請求項9の発明は、基板の表面に付着した
被膜に対して剥離液を低圧で供給する第1工程と、基板
の表面に付着した被膜に対して剥離液を高圧で供給する
第2工程とからなる一組の工程を、複数回繰り返して実
行することを特徴とする剥離方法である。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a first step of supplying a stripper at a low pressure to a film adhered to the surface of the substrate, and a step of supplying a stripper at a high pressure to the film adhered to the surface of the substrate. This is a stripping method, wherein a set of two steps is repeatedly performed a plurality of times.

【0026】この構成によれば、剥離すべき被膜に対し
て低圧の処理液供給による膨潤と高圧の処理液供給によ
る剥離を繰り返すことで、効率よく確実に短時間で膨潤
と剥離除去が行なえる。
According to this configuration, the swelling and peeling removal of the film to be peeled can be performed efficiently and reliably in a short time by repeating the swelling by supplying the low-pressure processing liquid and the peeling by supplying the high-pressure processing liquid. .

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係る基板処理
装置の第1実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面
図である。この基板処理装置は、角型のガラス基板W
(以下、単に基板Wと称する)を水平姿勢または若干の
傾斜姿勢として図中左から右へ向って水平方向にローラ
コンベア1で搬送しつつ、処理液として剥離液を供給し
て基板Wに対して剥離処理を施し、かつ当該処理後に純
水を供給して洗浄処理する剥離装置である。この基板W
は、フォトレジストの被膜形成、露光、現像、エッチン
グ等のプロセス処理を経て、その表面に剥離すべきフォ
トレジストの被膜が付着しているものである。なお、図
示は省略しているが、さらにその後に基板Wに乾燥空気
を供給するかまたは基板Wを回転させるなどして乾燥処
理する乾燥処理部が、図1の右方に設けられる。この基
板処理装置は、剥離液により処理を施す剥離処理部と、
洗浄処理を施す洗浄処理部と、乾燥処理を施す乾燥処理
部とからなるが、図1では剥離処理部Cと洗浄処理部D
のみを示す。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of a main part of a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus has a rectangular glass substrate W
(Hereinafter, simply referred to as the substrate W) in a horizontal posture or a slightly inclined posture, while being conveyed horizontally from left to right in the figure by the roller conveyor 1, while supplying a stripping liquid as a processing liquid to the substrate W. This is a stripping apparatus for performing a stripping process and supplying pure water after the process to perform a cleaning process. This substrate W
Is a film in which a photoresist film to be peeled is adhered to the surface thereof through a process such as formation of a photoresist film, exposure, development, and etching. Although not shown, a drying processing unit for performing a drying process by supplying dry air to the substrate W or rotating the substrate W after that is provided on the right side of FIG. The substrate processing apparatus includes a release processing unit that performs processing using a release liquid,
The cleaning unit includes a cleaning unit for performing a cleaning process and a drying unit for performing a drying process.
Only shown.

【0028】基板Wに対して剥離処理を施すための剥離
処理室2および基板Wに対して洗浄処理を施すための洗
浄処理室4は、室構成体3により区画形成される。ま
た、室構成体3には、基板Wを剥離処理室2および洗浄
処理室4へ搬入搬出するための開口5が形成され、その
開口5を介して基板Wを剥離処理室2へ搬入し、さらに
洗浄処理室4へ搬入し、洗浄処理室4から搬出するため
のローラコンベア1が設けられている。基板Wは、剥離
処理室2および洗浄処理室4内において、ローラコンベ
ア1によって支持され、搬送される。
A separation processing chamber 2 for performing the separation processing on the substrate W and a cleaning processing chamber 4 for performing the cleaning processing on the substrate W are defined by the chamber components 3. Further, the chamber constituting body 3 is formed with an opening 5 for carrying the substrate W into and out of the separation processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4, and the substrate W is loaded into the separation processing chamber 2 through the opening 5, Further, a roller conveyor 1 for carrying in and out of the cleaning processing chamber 4 is provided. The substrate W is supported and transported by the roller conveyor 1 in the separation processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4.

【0029】剥離処理室2には、ローラコンベア1によ
って支持された剥離処理室2内の基板Wに対して処理液
を低圧又は高圧で供給可能な液供給機構10が付設され
る。液供給機構10において、剥離液タンク18は剥離
処理室2の下方の開口15と配管接続され、開口15か
ら排出される剥離液は剥離液タンク18に受け入れられ
て貯溜される。剥離液タンク18には、貯溜している剥
離液を所定温度に保つための温度調節機構14が付設さ
れている。また、剥離液タンク18は、ポンプ19、流
量調整可能な開閉弁22及びフィルタ23を介してノズ
ル11に配管接続されている。ポンプ19はインバータ
20の出力によって駆動され、インバータ20の出力は
制御装置21によって制御される。ポンプ19は、制御
装置21によってインバータ20の周波数を制御するこ
とにより、ノズル11側に向けた吐出圧力を低圧と高圧
とに任意に切り替えて駆動制御可能となっている。これ
により、ローラコンベア1の上方に設置されたノズル1
1は、ローラコンベア1上に支持された基板Wに対して
剥離液を低圧又は高圧で供給可能となっている。なお、
ノズル11は、図1の紙面奥行き方向に長いものを使用
するか、あるいは紙面奥行き方向に複数の同じノズル1
1を配列して配置することにより、紙面奥行き方向に等
しい状態で処理液が供給されるようにして、処紙面奥行
き方向に処理ムラが生じるのを防止している。
A liquid supply mechanism 10 capable of supplying a processing liquid at a low pressure or a high pressure to the substrate W in the separation processing chamber 2 supported by the roller conveyor 1 is additionally provided in the separation processing chamber 2. In the liquid supply mechanism 10, the stripping solution tank 18 is connected to the opening 15 below the stripping processing chamber 2 by piping, and the stripping solution discharged from the opening 15 is received and stored in the stripping solution tank 18. The release liquid tank 18 is provided with a temperature control mechanism 14 for keeping the stored release liquid at a predetermined temperature. The stripping liquid tank 18 is connected to the nozzle 11 via a pump 19, a flow rate adjustable on-off valve 22, and a filter 23. The pump 19 is driven by the output of the inverter 20, and the output of the inverter 20 is controlled by the control device 21. By controlling the frequency of the inverter 20 by the control device 21, the pump 19 can control the drive by arbitrarily switching the discharge pressure toward the nozzle 11 side between a low pressure and a high pressure. Thereby, the nozzle 1 installed above the roller conveyor 1
No. 1 is capable of supplying a stripping liquid to the substrate W supported on the roller conveyor 1 at a low pressure or a high pressure. In addition,
The nozzle 11 may be long in the depth direction of FIG. 1 or may be a plurality of the same nozzles 1 in the depth direction of the paper.
By arranging the 1s, the processing liquid is supplied in the same state in the depth direction of the paper surface, thereby preventing processing unevenness in the depth direction of the paper surface.

【0030】また、剥離処理室2内のローラコンベア1
の両端近く、すなわち両方の開口5近くの位置にはロー
ラコンベア1上の基板Wの有無を検出して信号を出力す
るセンサ16、17が設けられている。センサ16、1
7は制御装置21に接続されており、基板Wがローラコ
ンベア1上をセンサ16、17のところまで搬送されて
くると、制御装置21は当該センサ16、17からの出
力信号によりそれを検知する。また、ローラコンベア1
は後述のように制御装置21によってその動作が制御さ
れるが、ローラコンベア1のうち、特に剥離処理室2内
に位置する部分には他の部分とは独立した駆動源として
可逆転モータ(図示せず)が使用され、ローラコンベア
1に乗せられて運ばれてきた基板Wを剥離処理室2内で
センサ16とセンサ17との間を周期的に往復移動させ
ることができる。
The roller conveyor 1 in the separation processing chamber 2
Sensors 16 and 17 for detecting the presence or absence of the substrate W on the roller conveyor 1 and outputting a signal are provided near both ends of the roller conveyor 1, that is, near the openings 5. Sensor 16, 1
Reference numeral 7 is connected to a control device 21. When the substrate W is conveyed on the roller conveyor 1 to the sensors 16 and 17, the control device 21 detects the substrate W based on output signals from the sensors 16 and 17. . Roller conveyor 1
The operation is controlled by the control device 21 as described later. In the roller conveyor 1, in particular, a portion located in the separation processing chamber 2 has a reversible rotating motor (see FIG. (Not shown), and the substrate W carried on the roller conveyor 1 can be periodically reciprocated between the sensors 16 and 17 in the separation processing chamber 2.

【0031】なお、ノズル11は、剥離液が高圧で供給
されたときには基板Wに対しても高圧スプレー状で剥離
液を供給する高圧スプレーノズルであるが、剥離液が低
圧で供給されたときには、基板Wに対しても低圧スプレ
ー状で供給する。また、各ノズル11の周囲には、ノズ
ル11から高圧で吐出される剥離液がミストとなって周
囲に飛散するのを抑制する覆い部材9が設けられてい
る。
The nozzle 11 is a high-pressure spray nozzle that supplies the substrate W in a high-pressure spray form when the release liquid is supplied at a high pressure. It is supplied to the substrate W in the form of a low pressure spray. In addition, a cover member 9 is provided around each nozzle 11 to prevent the stripping liquid discharged from the nozzle 11 at high pressure from becoming mist and scattering around.

【0032】洗浄処理室4には、剥離処理室2からロー
ラコンベア1により運ばれてきた基板Wの上下両面に対
して純水をスプレー状で供給して洗浄するためのノズル
24が、ローラコンベア1の上下に設けられている。純
水供給源29からの純水はポンプ30によって加圧さ
れ、流量調整可能な開閉弁31及びフィルタ32を介し
てノズル24に配管接続されている。なお、洗浄処理室
4の上部には、周囲の下降気流を清浄にして取り入れる
ためのフィルタ33が設けられている。また、洗浄処理
室4の下部には、取り入れた下降気流を排出するととも
に使用後の純水を排出するための開口34が形成されて
いる。
A nozzle 24 for supplying pure water in a spray form to the upper and lower surfaces of the substrate W carried by the roller conveyor 1 from the separation processing chamber 2 for cleaning is provided in the cleaning processing chamber 4. 1 are provided above and below. Pure water from a pure water supply source 29 is pressurized by a pump 30 and connected to a nozzle 24 via an on-off valve 31 and a filter 32 that can adjust the flow rate. In addition, a filter 33 for cleaning and taking in the surrounding downdraft is provided at the upper part of the cleaning processing chamber 4. In addition, an opening 34 is formed in a lower portion of the cleaning processing chamber 4 for discharging the taken-down airflow and discharging the used pure water.

【0033】制御装置21は、上述したインバータ20
のほか、ポンプ30や開閉弁22、31、ローラコンベ
ア1等にも接続(図示省略)され、それらを制御するこ
とによって剥離液や純水の供給や基板の搬送などこの剥
離装置全体の動作をつかさどる。特に、剥離処理室2内
で剥離液を基板Wに供給する際において、制御装置21
は、基板Wが図中左から右方向に搬送されてセンサ17
の位置まで到達したことを検知するとその剥離処理室2
内のローラコンベア1の駆動源を逆回転させ、こんどは
基板Wを図中右から左方向に搬送する。そして、次に基
板がセンサ16の位置まで到達すると、今度は前記駆動
源を正回転させることにより、基板Wを図中左から右方
向に搬送する。制御装置21はかかる制御動作を繰り返
すことにより、基板Wを剥離処理室2内の所定の範囲で
周期的に往復移動させることができる。そして、かかる
往復移動によって基板Wへの剥離処理室2での処理が終
了すると、ローラコンベア1の前記駆動源を正回転させ
て基板Wをセンサ17の位置を越えて図中右方向へ搬送
し、洗浄処理室4へ送り込むことができる。
The control device 21 includes the inverter 20 described above.
In addition, it is also connected to the pump 30, the on-off valves 22 and 31, the roller conveyor 1 and the like (not shown). Take control. In particular, when the stripping solution is supplied to the substrate W in the stripping processing chamber 2,
Indicates that the substrate W is conveyed from left to right in the figure and the sensor 17
Is detected, the peeling processing chamber 2 is detected.
The drive source of the roller conveyor 1 is rotated in the reverse direction to convey the substrate W from right to left in the drawing. Then, when the substrate reaches the position of the sensor 16 next, the substrate W is transported from left to right in the drawing by rotating the driving source forward. The control device 21 can reciprocate the substrate W periodically within a predetermined range in the separation processing chamber 2 by repeating the control operation. Then, when the processing in the separation processing chamber 2 for the substrate W is completed by the reciprocating movement, the drive source of the roller conveyor 1 is rotated forward to convey the substrate W beyond the position of the sensor 17 to the right in the drawing. , Can be sent to the cleaning processing chamber 4.

【0034】つぎにこの第1の実施形態の剥離装置の動
作を説明する。まず第1工程として、剥離処理すべき基
板Wがローラコンベア1によって搬送されてきて剥離処
理室2へ搬入されたことがセンサ16により検出される
と、制御装置21はポンプ19を吐出圧力が低圧となる
ように駆動し、搬送されつつある基板Wに対してノズル
11から剥離液を低圧でスプレー状に供給する。この第
1工程においては、低圧で基板W上に供給された剥離液
は、高圧で供給されたときのように基板W表面に衝突し
て跳ね返って周囲に飛散したりすることなく、基板Wの
表面に液の膜を形成し、基板Wの表面に付着している剥
離されるべき被膜、すなわちフォトレジストの被膜と十
分に接触し、当該被膜を膨潤させる。この第1工程は、
かかる膨潤が十分に進行する所定時間の間継続され、そ
の間、剥離液の低圧状態での供給は継続される。この
間、基板Wに対しては温度調節された剥離液が継続して
供給されるので、工程の途中で基板Wに触れる剥離液の
温度が低下するといった不都合は生じない。
Next, the operation of the peeling apparatus according to the first embodiment will be described. First, as a first step, when it is detected by the sensor 16 that the substrate W to be subjected to the peeling process is conveyed by the roller conveyor 1 and loaded into the peeling processing chamber 2, the control device 21 causes the pump 19 to lower the discharge pressure. The stripper is supplied from the nozzle 11 to the substrate W being conveyed in a spray state at a low pressure. In the first step, the stripping solution supplied onto the substrate W at a low pressure does not collide with the surface of the substrate W and rebound and scatter around the substrate W as when supplied at a high pressure. A liquid film is formed on the surface, and sufficiently contacts the film to be peeled off, that is, the photoresist film adhered to the surface of the substrate W to swell the film. This first step is
The swelling is continued for a predetermined time during which the swelling sufficiently proceeds, and during that time, the supply of the stripping solution in a low pressure state is continued. During this time, the temperature-controlled stripping solution is continuously supplied to the substrate W, so that there is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that touches the substrate W during the process decreases.

【0035】また、この第1工程が終了しないうちに基
板Wがローラコンベア1によって剥離処理室2の図中右
側端部まで搬送されてしまったときには、センサ17に
より基板Wの位置が検出され、制御装置21はローラコ
ンベア1の駆動源を逆回転駆動し、今度は基板Wを図中
右から左方向へ搬送し、剥離処理室2内で第1工程を継
続して実行する。第1工程が終了しないうちに基板Wが
ローラコンベア1によって剥離処理室2の図中左側端部
まで搬送されてしまったときにも同様に、センサ16に
より基板Wの位置が検出され、制御装置21はローラコ
ンベア1の駆動源を正回転駆動し、今度は基板Wを図中
左から右方向へ搬送し、剥離処理室2内で第1工程を継
続して実行する。このように基板Wが剥離処理室2内を
周期的に往復移動し、その移動中に剥離液がスプレー供
給されるので、ノズル11から基板Wへの剥離液の供給
位置が時間的に変化し、基板Wの全面にむらなく剥離液
が供給される。制御装置21は内蔵しているタイマによ
り第1工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が
経過すると第1工程を終了する。
If the substrate W is conveyed by the roller conveyor 1 to the right end of the stripping chamber 2 in the drawing before the first step is completed, the sensor 17 detects the position of the substrate W, The control device 21 drives the drive source of the roller conveyor 1 in the reverse direction, and conveys the substrate W from right to left in the drawing, and continuously executes the first process in the separation processing chamber 2. Similarly, when the substrate W is transported by the roller conveyor 1 to the left end of the separation processing chamber 2 in the drawing before the first step is completed, the position of the substrate W is similarly detected by the sensor 16 and the control device is controlled. Reference numeral 21 drives the drive source of the roller conveyor 1 in the forward direction, and conveys the substrate W from left to right in the figure, and continuously executes the first process in the separation processing chamber 2. As described above, the substrate W periodically reciprocates in the stripping chamber 2 and the stripping liquid is spray-supplied during the movement, so that the supply position of the stripping liquid from the nozzle 11 to the substrate W changes with time. The stripper is supplied evenly to the entire surface of the substrate W. The control device 21 monitors the execution time of the first step by using a built-in timer, and ends the first step when the set predetermined time has elapsed.

【0036】剥離処理室2内で第1工程が終了すると、
引き続いて第2工程が実行される。第2工程において
は、制御装置21はポンプ19を吐出圧力が高圧となる
ように駆動し、搬送されつつある基板Wに対してノズル
11から剥離液を高圧でスプレー状に供給する。この第
2工程においては、基板W面上に剥離液が高圧で供給さ
れ、第1工程の間に十分に膨潤しているフォトレジスト
の被膜に剥離液が高圧で衝突することによる物理的衝撃
力が加わることになり、被膜が効果的に剥離除去され
る。この第2工程は、被膜の剥離除去が十分に行われる
所定時間の間継続され、その間、剥離液の高圧状態での
供給は継続される。この間、基板Wに対しては温度調節
された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で
基板Wに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合
は生じない。
When the first step is completed in the separation processing chamber 2,
Subsequently, the second step is performed. In the second step, the control device 21 drives the pump 19 so that the discharge pressure becomes high, and supplies the stripper at a high pressure from the nozzle 11 to the substrate W being conveyed in a spray form. In the second step, a stripping solution is supplied at a high pressure onto the surface of the substrate W, and a physical impact force caused by the stripping solution colliding at a high pressure with a sufficiently swollen photoresist film during the first step. Is added, and the film is effectively peeled and removed. This second step is continued for a predetermined time during which the film is sufficiently peeled and removed, and during that time, the supply of the peeling liquid under a high pressure is continued. During this time, the temperature-controlled stripping solution is continuously supplied to the substrate W, so that there is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that touches the substrate W during the process decreases.

【0037】また、この第2工程が終了しないうちに基
板Wがローラコンベア1によって剥離処理室2のどちら
かの端部まで搬送されてしまったときには、第1工程と
同様に、センサ16、17により基板Wの位置が検出さ
れ、制御装置21がローラコンベア1の駆動源の回転方
向を制御することにより基板Wを剥離処理室2内で周期
的に往復移動させ、剥離処理室2内で第2工程を継続し
て実行する。このように基板Wが剥離処理室2内を移動
中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル11から
基板Wへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板W
の全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置21は
内蔵しているタイマにより第2工程の実行時間を監視
し、設定された所定時間が経過すると第2工程を終了す
る。第2工程が終了すると、制御装置21はローラコン
ベア1を駆動して基板Wを洗浄処理室4へ送る。
If the substrate W is conveyed by the roller conveyor 1 to either end of the separation processing chamber 2 before the completion of the second step, the sensors 16 and 17 are carried out similarly to the first step. , The position of the substrate W is detected, and the control device 21 controls the rotation direction of the driving source of the roller conveyor 1 to periodically reciprocate the substrate W in the separation processing chamber 2. The two steps are continuously performed. Since the stripping liquid is spray-supplied while the substrate W is moving in the stripping processing chamber 2 as described above, the supply position of the stripping liquid from the nozzle 11 to the substrate W changes with time, and the substrate W
The stripper is supplied evenly over the entire surface of the substrate. The control device 21 monitors the execution time of the second step by using a built-in timer, and ends the second step when the set predetermined time has elapsed. When the second step is completed, the control device 21 drives the roller conveyor 1 to send the substrate W to the cleaning processing chamber 4.

【0038】洗浄処理室4内においては第3工程が実行
される。第3工程においては、制御装置21はポンプ3
0を駆動し、搬送されつつある基板Wに対してノズル2
4から純水スプレー状に供給して洗浄処理する。この第
3工程においては、基板Wの上面、下面に付着して残留
している剥離液や、剥離されたフォトレジスト被膜の破
片などが純水スプレーにより洗い流される。この第3工
程は、基板Wが洗浄処理室4の図中右側の開口5から搬
出されるまで行われる。
The third step is performed in the cleaning processing chamber 4. In the third step, the control device 21
0 to the nozzle W with respect to the substrate W being conveyed.
4 to supply a spray of pure water to perform a washing process. In the third step, the stripping solution remaining on the upper and lower surfaces of the substrate W, the fragments of the separated photoresist film, and the like are washed away by pure water spray. This third step is performed until the substrate W is carried out from the opening 5 on the right side of the cleaning processing chamber 4 in the drawing.

【0039】第3工程が終了して洗浄処理室4の図中右
側の開口5から搬出された基板Wは、図示しない搬送装
置により前記乾燥装置へ搬送され、第4工程が実行され
る。この第4工程においては、基板Wは周知の乾燥装
置、例えば基板を回転させることによる回転式乾燥装置
やエアを吹き付けることによるエアナイフ式乾燥装置に
よって乾燥処理される。乾燥処理後の基板Wは直ちに次
工程に送られるか、あるいは所定の容器に格納される。
After the third step is completed, the substrate W carried out from the opening 5 on the right side in the drawing of the cleaning processing chamber 4 is transferred to the drying apparatus by a transfer device (not shown), and the fourth step is executed. In the fourth step, the substrate W is dried by a known drying device, for example, a rotary drying device by rotating the substrate or an air knife type drying device by blowing air. The substrate W after the drying process is immediately sent to the next step or stored in a predetermined container.

【0040】この第1実施形態の剥離装置では、基板W
は剥離処理室内で処理に必要な時間だけ周期的に往復移
動してその間に処理が行なわれるので、処理室の大きさ
や搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理
時間を容易に変更することができる。特にこの実施形態
の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離
液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に
変更して設定することができる。また、この実施形態の
装置では、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出す
る処理とを一つの剥離処理室2で行なっており、装置が
小型化できる。特にこの実施形態の装置では、ノズル1
1やポンプ19などの液供給機構10を高圧吐出と低圧
吐出の両方に共用しており、装置の小型化、低コスト化
の効果が大きい。
In the peeling apparatus of the first embodiment, the substrate W
Is periodically reciprocated in the stripping chamber for the time required for processing, and processing is performed during that period. Therefore, regardless of the size of the processing chamber or the transport speed, the processing time can be easily changed according to the state of the coating etc. can do. In particular, in the apparatus of this embodiment, the respective times of the processing step of discharging the stripping liquid at a low pressure and the processing step of discharging the stripping liquid at a high pressure can be freely changed and set. Further, in the apparatus of this embodiment, the processing of discharging the release liquid at a low pressure and the processing of discharging the release liquid at a high pressure are performed in one release processing chamber 2, and the apparatus can be downsized. In particular, in the apparatus of this embodiment, the nozzle 1
The liquid supply mechanism 10 such as the pump 1 and the pump 19 is used for both high-pressure discharge and low-pressure discharge, and the effect of reducing the size and cost of the apparatus is great.

【0041】次に、上述した第1実施形態の変形例につ
いて説明する。この変形例においては、制御装置21を
のぞいた構成は上記と同一であり、制御装置21の制御
動作のみが異なる。すなわち、上記実施形態では、制御
装置21は第1工程、第2工程、第3工程、第4工程を
順に1回ずつ実行したが、この変形例においては、制御
装置21は上述と同じ第1工程と第2工程とを組とし
て、この組を複数回繰り返して行なった後に第3工程と
第4工程とを行なう。すなわち例えば、第1工程、第2
工程、第1工程、第2工程、第1工程、第2工程、第3
工程、第4工程の順序で処理を行なう。この例では第1
工程と第2工程との組を3回繰り返している。この場
合、例えば上記実施形態において第1工程の時間が30
秒、第2工程の時間が60秒であったとすると、この変
形例においては各第1工程は10秒、各第2工程は20
秒でよい。
Next, a modification of the first embodiment will be described. In this modification, the configuration excluding the control device 21 is the same as above, and only the control operation of the control device 21 is different. That is, in the above-described embodiment, the control device 21 executes the first step, the second step, the third step, and the fourth step once in order, but in this modified example, the control device 21 performs the same first step as described above. The third step and the fourth step are performed after the step and the second step are set as a set and the set is repeated a plurality of times. That is, for example, the first step, the second step
Step, first step, second step, first step, second step, third step
The processing is performed in the order of the step and the fourth step. In this example, the first
The set of the step and the second step is repeated three times. In this case, for example, in the above embodiment, the time of the first step is 30.
Assuming that the time of the second step is 60 seconds, the first step is 10 seconds and the second step is 20 seconds in this modification.
Seconds are fine.

【0042】かかる変形例でも各工程の合計時間は上記
実施形態と同一であるが、この変形例の剥離装置及び剥
離方法によれば、同一の処理時間であっても上記実施形
態の装置および方法と比べてより被膜の剥離除去を十分
に行なうことができる。すなわち、被膜の膨潤は剥離液
と接している面から進行していくが、被膜の厚み方向へ
の膨潤は進行しにくく、特にこれは被膜の厚みが厚いと
きに顕著であって、被膜の表面は容易に膨潤するが被膜
の基板側は膨潤が不充分であるといったことが起こる。
しかるに、この変形例であれば、短時間の第1工程で被
膜の表面を膨潤させてその膨潤部分を次の第2工程で剥
離除去できる。すると、次なる第1工程では薄くなった
残りの被膜の表面から再度膨潤がはじまることになり、
厚い被膜の表面から膨潤を徐々に進行させる場合と比べ
て膨潤がより円滑に行われる。これにより、同一の処理
時間であっても被膜の剥離除去をより十分に行なうこと
ができ、処理時間が短くてすみ、また厚い被膜であって
も効率よく確実に短時間で膨潤と剥離除去が行なえる。
In this modified example, the total time of each step is the same as that of the above-described embodiment. However, according to the peeling apparatus and the peeling method of this modified example, the apparatus and the method of the above-described embodiment can be used even if the processing time is the same. As a result, the peeling and removal of the film can be sufficiently performed. That is, although the swelling of the coating proceeds from the surface in contact with the stripping solution, the swelling in the thickness direction of the coating does not easily progress, especially when the thickness of the coating is large. Swells easily, but the swelling is insufficient on the substrate side of the coating.
However, according to this modification, the surface of the coating film can be swollen in the first step in a short time, and the swollen portion can be peeled and removed in the next second step. Then, in the next first step, swelling starts again from the surface of the remaining thin film,
Swelling is performed more smoothly than when swelling is gradually advanced from the surface of the thick film. As a result, even if the processing time is the same, the peeling and removal of the film can be performed more sufficiently, and the processing time can be shortened. Even if the film is thick, the swelling and peeling and removal can be performed efficiently and reliably in a short time. I can do it.

【0043】図2は本発明に係る基板処理装置の第2実
施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。こ
の基板処理装置は、基板Wを水平姿勢または若干の傾斜
姿勢として図中左から右へ向って水平方向にローラコン
ベア1で搬送しつつ、処理液として剥離液を供給して基
板Wに対して剥離処理を施し、かつ当該処理後に純水を
供給して洗浄処理する剥離装置である。この基板Wは、
フォトレジストの被膜形成、露光、現像、エッチング等
のプロセス処理を経て、その表面に剥離すべきフォトレ
ジストの被膜が付着しているものである。なお、図示は
省略しているが、さらにその後に基板Wに乾燥空気を供
給するかまたは基板Wを回転させるなどして乾燥処理す
る乾燥処理部が、図2の右方に設けられる。この基板処
理装置は、剥離液により処理を施す剥離処理部と、洗浄
処理を施す洗浄処理部と、乾燥処理を施す乾燥処理部と
からなるが、図2では剥離処理部Cと洗浄処理部Dのみ
を示す。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of a main part of a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus supplies a stripping liquid as a processing liquid to the substrate W while transporting the substrate W in a horizontal posture or a slightly inclined posture from the left to the right in the figure by a roller conveyor 1 in a horizontal direction. This is a stripping apparatus that performs a stripping process and supplies pure water after the stripping process to perform a cleaning process. This substrate W
A photoresist film to be peeled off is adhered to the surface of the photoresist film through process processes such as formation of a photoresist film, exposure, development, and etching. Although not shown, a drying processing unit for performing a drying process by supplying dry air to the substrate W or rotating the substrate W after that is provided on the right side of FIG. 2. This substrate processing apparatus includes a stripping section for performing a process with a stripping liquid, a cleaning section for performing a cleaning process, and a drying section for performing a drying process. Only shown.

【0044】基板Wに対して剥離処理を施すための剥離
処理室2および基板Wに対して洗浄処理を施すための洗
浄処理室4は、室構成体3により区画形成される。ま
た、室構成体3には、基板Wを剥離処理室2および洗浄
処理室4へ搬入搬出するための開口5が形成され、その
開口5を介して基板Wを剥離処理室2へ搬入し、さらに
洗浄処理室4へ搬入し、洗浄処理室4から搬出するため
のローラコンベア1が設けられている。基板Wは、剥離
処理室2および洗浄処理室4内において、ローラコンベ
ア1によって支持され、搬送される。
A separation processing chamber 2 for performing the peeling process on the substrate W and a cleaning processing chamber 4 for performing the cleaning process on the substrate W are defined by the chamber structure 3. Further, the chamber constituting body 3 is formed with an opening 5 for carrying the substrate W into and out of the separation processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4, and the substrate W is loaded into the separation processing chamber 2 through the opening 5, Further, a roller conveyor 1 for carrying in and out of the cleaning processing chamber 4 is provided. The substrate W is supported and transported by the roller conveyor 1 in the separation processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4.

【0045】剥離処理室2には、ローラコンベア1によ
って支持された剥離処理室2内の基板Wに対して処理液
を低圧で供給可能な低圧供給機構40と、ローラコンベ
ア1によって支持された剥離処理室2内の基板Wに対し
て処理液を高圧で供給可能な高圧供給機構50が付設さ
れる。
The separation processing chamber 2 includes a low-pressure supply mechanism 40 capable of supplying a processing liquid at a low pressure to the substrate W in the separation processing chamber 2 supported by the roller conveyor 1, and a separation supporting mechanism supported by the roller conveyor 1. A high-pressure supply mechanism 50 capable of supplying a processing liquid to the substrate W in the processing chamber 2 at a high pressure is provided.

【0046】低圧供給機構40において、剥離液タンク
18は剥離処理室2の下方の開口15と配管接続され、
開口15から排出される剥離液は剥離液タンク18に受
け入れられて貯溜される。剥離液タンク18には、貯溜
している剥離液を所定温度に保つための温度調節機構1
4が付設されている。また、剥離液タンク18は、低圧
で剥離液を吐出するポンプ49、流量調整可能な開閉弁
42及びフィルタ43を介してノズル41に配管接続さ
れている。ポンプ49は制御装置21によって駆動制御
される。ノズル41は、低圧で供給される剥離液を基板
Wに対して低圧スプレー状で供給する低圧スプレーノズ
ルである。
In the low-pressure supply mechanism 40, the stripping solution tank 18 is connected to the opening 15 below the stripping chamber 2 by piping.
The stripper discharged from the opening 15 is received and stored in the stripper tank 18. The temperature adjusting mechanism 1 for keeping the stored stripping solution at a predetermined temperature is provided in the stripping solution tank 18.
4 is attached. The stripper tank 18 is connected to the nozzle 41 via a pump 49 for discharging the stripper at a low pressure, an opening / closing valve 42 capable of adjusting the flow rate, and a filter 43. The drive of the pump 49 is controlled by the control device 21. The nozzle 41 is a low-pressure spray nozzle that supplies a stripping solution supplied at a low pressure to the substrate W in a low-pressure spray state.

【0047】高圧供給機構50において、剥離液タンク
18は低圧供給機構40と共用される。剥離液タンク1
8は、高圧で剥離液を吐出するポンプ59、流量調整可
能な開閉弁52及びフィルタ53を介してノズル51に
配管接続されている。ポンプ59は制御装置21によっ
て駆動制御される。ノズル51は、高圧で供給される剥
離液を基板Wに対して高圧スプレー状で供給する高圧ス
プレーノズルである。ノズル51の周囲には、ノズル5
1から高圧で吐出される剥離液がミストとなって周囲に
飛散するのを抑制する覆い部材9が設けられている。
In the high-pressure supply mechanism 50, the stripper tank 18 is shared with the low-pressure supply mechanism 40. Stripper tank 1
Numeral 8 is connected to the nozzle 51 via a pump 59 for discharging the stripper at a high pressure, an on-off valve 52 capable of adjusting the flow rate, and a filter 53. The drive of the pump 59 is controlled by the control device 21. The nozzle 51 is a high-pressure spray nozzle that supplies a stripping liquid supplied at a high pressure to the substrate W in a high-pressure spray state. Around the nozzle 51, the nozzle 5
A cover member 9 is provided to prevent the stripping liquid discharged from 1 from high pressure from becoming mist and scattering around.

【0048】低圧供給機構40のノズル41と、高圧供
給機構50のノズル51とは、剥離処理室2内におい
て、基板Wの搬送方向に沿って交互に配置され、かつそ
れらの配置の列の両端、すなわち両方の開口5に最も近
い位置には、ノズル41が配置されている。また、ノズ
ル41、51のそれぞれは、図2の紙面奥行き方向に長
いものを使用するか、あるいは紙面奥行き方向に複数の
同じノズル41、51を配列して配置することにより、
紙面奥行き方向に等しい状態で処理液が供給されるよう
にして、紙面奥行き方向に処理ムラが生じるのを防止し
ている。
The nozzles 41 of the low-pressure supply mechanism 40 and the nozzles 51 of the high-pressure supply mechanism 50 are alternately arranged in the peeling processing chamber 2 along the direction in which the substrate W is transported, and both ends of a row of the arrangement are arranged. That is, the nozzle 41 is arranged at a position closest to both the openings 5. In addition, each of the nozzles 41 and 51 may be long in the depth direction of the paper of FIG. 2 or may be arranged by arranging a plurality of the same nozzles 41 and 51 in the depth direction of the paper.
The processing liquid is supplied in a state equal to the depth direction of the paper surface, thereby preventing the occurrence of processing unevenness in the depth direction of the paper surface.

【0049】また、剥離処理室2内のローラコンベア1
の両端近く、すなわち両方の開口5近くの位置にはロー
ラコンベア1上の基板Wの有無を検出して信号を出力す
るセンサ16、17が設けられている。センサ16、1
7は制御装置21に接続されており、基板Wがローラコ
ンベア1上をセンサ16、17のところまで搬送されて
くると、制御装置21は当該センサ16、17からの出
力信号によりそれを検知する。また、ローラコンベア1
は後述のように制御装置21によってその動作が制御さ
れるが、ローラコンベア1のうち、特に剥離処理室2内
に位置する部分には他の部分とは独立した駆動源として
可逆転モータ(図示せず)が使用され、ローラコンベア
1に乗せられて運ばれてきた基板Wを剥離処理室2内で
センサ16とセンサ17との間を周期的に往復移動させ
ることができる。
The roller conveyor 1 in the separation processing chamber 2
Sensors 16 and 17 for detecting the presence or absence of the substrate W on the roller conveyor 1 and outputting a signal are provided near both ends of the roller conveyor 1, that is, near the openings 5. Sensor 16, 1
Reference numeral 7 is connected to a control device 21. When the substrate W is conveyed on the roller conveyor 1 to the sensors 16 and 17, the control device 21 detects the substrate W based on output signals from the sensors 16 and 17. . Roller conveyor 1
The operation is controlled by the control device 21 as described later. In the roller conveyor 1, in particular, a portion located in the separation processing chamber 2 has a reversible rotating motor (see FIG. (Not shown), and the substrate W carried on the roller conveyor 1 can be periodically reciprocated between the sensors 16 and 17 in the separation processing chamber 2.

【0050】なお、ノズル51は、剥離液が高圧で供給
されたときには基板Wに対しても高圧スプレー状で剥離
液を供給する高圧スプレーノズルである。また、各ノズ
ル51の周囲には、ノズル51から高圧で吐出される剥
離液がミストとなって周囲に飛散するのを抑制する覆い
部材9が設けられている。
The nozzle 51 is a high-pressure spray nozzle that supplies the substrate W in the form of a high-pressure spray when the release liquid is supplied at a high pressure. A cover member 9 is provided around each of the nozzles 51 to suppress the stripping liquid discharged from the nozzles 51 at high pressure from becoming mist and scattering around.

【0051】洗浄処理室4には、剥離処理室2からロー
ラコンベア1により運ばれてきた基板Wの上下両面に対
して純水をスプレー状で供給して洗浄するためのノズル
24が、ローラコンベア1の上下に設けられている。純
水供給源29からの純水はポンプ30によって加圧さ
れ、流量調整可能な開閉弁31及びフィルタ32を介し
てノズル24に配管接続されている。なお、洗浄処理室
4の上部には、周囲の下降気流を清浄にして取り入れる
ためのフィルタ33が設けられている。また、洗浄処理
室4の下部には、取り入れた下降気流を排出するととも
に使用後の純水を排出するための開口34が形成されて
いる。
A nozzle 24 for supplying pure water in the form of a spray to the upper and lower surfaces of the substrate W carried by the roller conveyor 1 from the separation processing chamber 2 for cleaning is provided in the cleaning processing chamber 4. 1 are provided above and below. Pure water from a pure water supply source 29 is pressurized by a pump 30 and connected to a nozzle 24 via an on-off valve 31 and a filter 32 that can adjust the flow rate. In addition, a filter 33 for cleaning and taking in the surrounding downdraft is provided at the upper part of the cleaning processing chamber 4. In addition, an opening 34 is formed in a lower portion of the cleaning processing chamber 4 for discharging the taken-down airflow and discharging the used pure water.

【0052】制御装置21は、ポンプ49、59のほ
か、開閉弁31、42、52、ローラコンベア1等にも
接続(図示省略)され、それらを制御することによって
剥離液や純水の供給や基板の搬送などこの剥離装置全体
の動作をつかさどる。特に、剥離処理室2内で剥離液を
基板Wに供給する際において、制御装置21は、基板W
が図中左から右方向に搬送されてセンサ17の位置まで
到達したことを検知するとその剥離処理室2内のローラ
コンベア1の駆動源を逆回転させ、こんどは基板Wを図
中右から左方向に搬送する。そして、次に基板がセンサ
16の位置まで到達すると、今度は前記駆動源を正回転
させることにより、基板Wを図中左から右方向に搬送す
る。制御装置21はかかる制御動作を繰り返すことによ
り、基板Wを剥離処理室2内の所定の範囲で周期的に往
復移動させることができる。そして、かかる往復移動に
よって基板Wへの剥離処理室2での処理が終了すると、
ローラコンベア1の前記駆動源を正回転させて基板Wを
センサ17の位置を越えて図中右方向へ搬送し、洗浄処
理室4へ送り込むことができる。
The control device 21 is connected (not shown) to the on-off valves 31, 42, 52, the roller conveyor 1 and the like in addition to the pumps 49 and 59, and by controlling these, the supply of the stripping liquid or pure water is performed. It controls the operation of the entire peeling apparatus such as the transfer of the substrate. In particular, when the stripping liquid is supplied to the substrate W in the stripping processing chamber 2, the control device 21
When it is detected that the substrate W has been conveyed from the left to the right in the drawing and has reached the position of the sensor 17, the driving source of the roller conveyor 1 in the separation processing chamber 2 is reversely rotated, and the substrate W is now moved from the right to the left in the drawing. Transport in the direction. Then, when the substrate reaches the position of the sensor 16 next, the substrate W is transported from left to right in the drawing by rotating the driving source forward. The control device 21 can reciprocate the substrate W periodically within a predetermined range in the separation processing chamber 2 by repeating the control operation. When the processing in the separation processing chamber 2 for the substrate W is completed by the reciprocating movement,
By rotating the drive source of the roller conveyor 1 forward, the substrate W can be transported rightward in the figure beyond the position of the sensor 17 and sent to the cleaning processing chamber 4.

【0053】つぎにこの第2実施形態の剥離装置の動作
を説明する。まず第1工程として、剥離処理すべき基板
Wがローラコンベア1によって搬送されてきて剥離処理
室2へ搬入されたことがセンサ16により検出される
と、制御装置21はポンプ49を駆動し、搬送されつつ
ある基板Wに対してノズル41から剥離液を低圧でスプ
レー状に供給する。この第1工程においては、低圧で基
板W上に供給された剥離液は基板Wの表面に液の膜を形
成し、基板Wの表面に付着している剥離されるべき被
膜、すなわちフォトレジストの被膜と十分に接触し、当
該被膜を膨潤させる。この第1工程は、かかる膨潤が十
分に進行する所定時間の間継続され、その間、剥離液の
低圧状態での供給は継続される。この間、基板Wに対し
ては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、
工程の途中で基板Wに触れる剥離液の温度が低下すると
いった不都合は生じない。
Next, the operation of the peeling apparatus according to the second embodiment will be described. First, as a first step, when it is detected by the sensor 16 that the substrate W to be subjected to the peeling process is transported by the roller conveyor 1 and loaded into the peeling processing chamber 2, the control device 21 drives the pump 49 to transport the substrate W. The stripper is supplied from the nozzle 41 to the substrate W being sprayed at a low pressure in a spray state. In the first step, the stripping solution supplied on the substrate W at a low pressure forms a liquid film on the surface of the substrate W, and the film to be stripped adhered to the surface of the substrate W, ie, the photoresist Sufficient contact with the coating to swell the coating. This first step is continued for a predetermined time during which the swelling sufficiently proceeds, and during that time, the supply of the stripping solution in a low pressure state is continued. During this time, the temperature-controlled release liquid is continuously supplied to the substrate W,
There is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that comes into contact with the substrate W decreases during the process.

【0054】また、この第1工程が終了しないうちに基
板Wがローラコンベア1によって剥離処理室2の図中右
側端部まで搬送されてしまったときには、センサ17に
より基板Wの位置が検出され、制御装置21はローラコ
ンベア1の駆動源を逆回転駆動し、今度は基板Wを図中
右から左方向へ搬送し、剥離処理室2内で第1工程を継
続して実行する。第1工程が終了しないうちに基板Wが
ローラコンベア1によって剥離処理室2の図中左側端部
まで搬送されてしまったときにも同様に、センサ16に
より基板Wの位置が検出され、制御装置21はローラコ
ンベア1の駆動源を正回転駆動し、今度は基板Wを図中
左から右方向へ搬送し、剥離処理室2内で第1工程を継
続して実行する。このように基板Wが剥離処理室2内を
周期的に往復移動し、その移動中に剥離液がスプレー供
給されるので、ノズル41から基板Wへの剥離液の供給
位置が時間的に変化し、基板Wの全面にむらなく剥離液
が供給される。制御装置21は内蔵しているタイマによ
り第1工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が
経過するとポンプ49の動作を停止させて第1工程を終
了する。
If the substrate W is transported by the roller conveyor 1 to the right end of the stripping chamber 2 in the drawing before the first step is completed, the sensor 17 detects the position of the substrate W, The control device 21 drives the drive source of the roller conveyor 1 in the reverse direction, and conveys the substrate W from right to left in the drawing, and continuously executes the first process in the separation processing chamber 2. Similarly, when the substrate W is transported by the roller conveyor 1 to the left end of the separation processing chamber 2 in the drawing before the first step is completed, the position of the substrate W is similarly detected by the sensor 16 and the control device is controlled. Reference numeral 21 drives the drive source of the roller conveyor 1 in the forward direction, and conveys the substrate W from left to right in the figure, and continuously executes the first process in the separation processing chamber 2. As described above, the substrate W periodically reciprocates in the stripping processing chamber 2 and the stripping liquid is spray-supplied during the movement, so that the supply position of the stripping liquid from the nozzle 41 to the substrate W changes with time. The stripper is supplied evenly to the entire surface of the substrate W. The control device 21 monitors the execution time of the first step by using a built-in timer, and stops the operation of the pump 49 and ends the first step when a set predetermined time elapses.

【0055】剥離処理室2内で第1工程が終了すると、
引き続いて第2工程が実行される。第2工程において
は、制御装置21はポンプ59を駆動し、搬送されつつ
ある基板Wに対してノズル51から剥離液を高圧でスプ
レー状に供給する。この第2工程においては、基板W面
上に剥離液が高圧で供給され、第1工程の間に十分に膨
潤しているフォトレジストの被膜に剥離液が高圧で衝突
することによる物理的衝撃力が加わることになり、被膜
が効果的に剥離除去される。この第2工程は、被膜の剥
離除去が十分に行われる所定時間の間継続され、その
間、剥離液の高圧状態での供給は継続される。この間、
基板Wに対しては温度調節された剥離液が継続して供給
されるので、工程の途中で基板Wに触れる剥離液の温度
が低下するといった不都合は生じない。
When the first step is completed in the separation processing chamber 2,
Subsequently, the second step is performed. In the second step, the control device 21 drives the pump 59 to supply the stripper at a high pressure from the nozzle 51 to the substrate W being conveyed in a spray state. In the second step, a stripping solution is supplied at a high pressure onto the surface of the substrate W, and a physical impact force caused by the stripping solution colliding at a high pressure with a sufficiently swollen photoresist film during the first step. Is added, and the film is effectively peeled and removed. This second step is continued for a predetermined time during which the film is sufficiently peeled and removed, and during that time, the supply of the peeling liquid under a high pressure is continued. During this time,
Since the temperature-controlled stripping solution is continuously supplied to the substrate W, there is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that touches the substrate W during the process decreases.

【0056】また、この第2工程が終了しないうちに基
板Wがローラコンベア1によって剥離処理室2のどちら
かの端部まで搬送されてしまったときには、第1工程と
同様に、センサ16、17により基板Wの位置が検出さ
れ、制御装置21がローラコンベア1の駆動源の回転方
向を制御することにより基板Wを剥離処理室2内で周期
的に往復移動させ、剥離処理室2内で第2工程を継続し
て実行する。このように基板Wが剥離処理室2内を移動
中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル51から
基板Wへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板W
の全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置21は
内蔵しているタイマにより第2工程の実行時間を監視
し、設定された所定時間が経過すると第2工程を終了す
る。第2工程が終了すると、制御装置21はローラコン
ベア1を駆動して基板Wを洗浄処理室4へ送る。
If the substrate W is conveyed by the roller conveyor 1 to either end of the separation processing chamber 2 before the completion of the second step, the sensors 16 and 17 are carried out similarly to the first step. , The position of the substrate W is detected, and the control device 21 controls the rotation direction of the driving source of the roller conveyor 1 to periodically reciprocate the substrate W in the separation processing chamber 2. The two steps are continuously performed. Since the stripping liquid is spray-supplied while the substrate W is moving in the stripping processing chamber 2 as described above, the supply position of the stripping liquid from the nozzle 51 to the substrate W changes with time, and the substrate W
The stripper is supplied evenly over the entire surface of the substrate. The control device 21 monitors the execution time of the second step by using a built-in timer, and ends the second step when the set predetermined time has elapsed. When the second step is completed, the control device 21 drives the roller conveyor 1 to send the substrate W to the cleaning processing chamber 4.

【0057】洗浄処理室4内においては第3工程が実行
される。第3工程においては、制御装置21はポンプ3
0を駆動し、搬送されつつある基板Wに対してノズル2
4から純水スプレー状に供給して洗浄処理する。この第
3工程においては、基板Wの上面、下面に付着して残留
している剥離液や、剥離されたフォトレジスト被膜の破
片などが純水スプレーにより洗い流される。この第3工
程は、基板Wが洗浄処理室4の図中右側の開口5から搬
出されるまで行われる。
The third step is performed in the cleaning processing chamber 4. In the third step, the control device 21
0 to the nozzle W with respect to the substrate W being conveyed.
4 to supply a spray of pure water to perform a washing process. In the third step, the stripping solution remaining on the upper and lower surfaces of the substrate W, the fragments of the separated photoresist film, and the like are washed away by pure water spray. This third step is performed until the substrate W is carried out from the opening 5 on the right side of the cleaning processing chamber 4 in the drawing.

【0058】第3工程が終了して洗浄処理室4の図中右
側の開口5から搬出された基板Wは、図示しない搬送装
置により前記乾燥装置へ搬送され、第4工程が実行され
る。この第4工程においては、基板Wは周知の乾燥装
置、例えば基板を回転させることによる回転式乾燥装置
やエアを吹き付けることによるエアナイフ式乾燥装置に
よって乾燥処理される。乾燥処理後の基板Wは直ちに次
工程に送られるか、あるいは所定の容器に格納される。
After the third step is completed, the substrate W carried out from the opening 5 on the right side of the cleaning processing chamber 4 in the drawing is transferred to the drying device by a transfer device (not shown), and the fourth step is executed. In the fourth step, the substrate W is dried by a known drying device, for example, a rotary drying device by rotating the substrate or an air knife type drying device by blowing air. The substrate W after the drying process is immediately sent to the next step or stored in a predetermined container.

【0059】なお、この第2実施形態の装置において
も、制御装置21の制御動作を上述した第1実施形態の
変形例と同様にすることもできる。それにより、第1実
施形態の変形例と同様の処理方法を実施することができ
る。
In the device of the second embodiment, the control operation of the control device 21 can be the same as that of the modification of the first embodiment. Thereby, the same processing method as the modification of the first embodiment can be performed.

【0060】この第2実施形態の剥離装置では、基板W
は剥離処理室内で処理に必要な時間だけ周期的に往復移
動してその間に処理が行なわれるので、処理室の大きさ
や搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理
時間を容易に変更することができる。特にこの実施形態
の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離
液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に
変更して設定することができる。また、この実施形態の
装置では、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出す
る処理とを一つの剥離処理室2で行なっており、装置が
小型化できる。特にこの実施形態の装置では、低圧供給
機構40のノズル41と、高圧供給機構50のノズル5
1とをそれぞれ別個に設けているので、制御装置の制御
動作を変更するだけで、次に説明するような処理方法を
実行することも可能である。
In the peeling apparatus of the second embodiment, the substrate W
Is periodically reciprocated in the stripping chamber for the time required for processing, and processing is performed during that period. Therefore, regardless of the size of the processing chamber or the transport speed, the processing time can be easily changed according to the state of the coating etc. can do. In particular, in the apparatus of this embodiment, the respective times of the processing step of discharging the stripping liquid at a low pressure and the processing step of discharging the stripping liquid at a high pressure can be freely changed and set. Further, in the apparatus of this embodiment, the processing of discharging the release liquid at a low pressure and the processing of discharging the release liquid at a high pressure are performed in one release processing chamber 2, and the apparatus can be downsized. In particular, in the apparatus of this embodiment, the nozzle 41 of the low-pressure supply mechanism 40 and the nozzle 5 of the high-pressure supply mechanism 50
1 are provided separately from each other, so that the processing method described below can be executed only by changing the control operation of the control device.

【0061】次に、上述した第2実施形態の変形例につ
いて説明する。この変形例においては、制御装置21を
のぞいた構成は上記第2実施形態と同一であり、制御装
置21の制御動作のみが異なる。すなわち、上記第2実
施形態では、制御装置21は第1工程、第2工程、第3
工程、第4工程を順に1回ずつ実行したが、この変形例
においては、制御装置21は低圧供給機構40と高圧供
給機構50とを同時に動作させる。すなわちノズル41
から剥離液を低圧スプレーで、ノズル51から剥離液を
高圧スプレーで、同時に基板Wに向けて吐出する。この
場合、基板Wが剥離処理室2に搬送されると、まず基板
Wの前端部が最初のノズル41の下方に到達し、基板W
の該当部分に剥離液が低圧で供給されて該当部分のフォ
トレジスト被膜が膨潤される。そして、基板Wが図1中
の右方向に搬送されるにつれて、該当部分はノズル51
の下方に達し、該当部分に剥離液が高圧で供給されて該
当部分のフォトレジスト被膜の特に膨潤された部分が除
去される。基板Wがさらに搬送されると、基板Wの該当
部分は次のノズル41の下方に到達し、該当部分に剥離
液が低圧で供給される。
Next, a modification of the above-described second embodiment will be described. In this modification, the configuration excluding the control device 21 is the same as that of the second embodiment, and only the control operation of the control device 21 is different. That is, in the second embodiment, the control device 21 performs the first step, the second step, and the third step.
The step and the fourth step are executed once in order, but in this modified example, the control device 21 operates the low-pressure supply mechanism 40 and the high-pressure supply mechanism 50 simultaneously. That is, the nozzle 41
, And the stripping liquid is discharged from the nozzle 51 toward the substrate W at the same time. In this case, when the substrate W is transported to the separation processing chamber 2, first, the front end of the substrate W reaches below the first nozzle 41, and the substrate W
The stripping solution is supplied at a low pressure to the corresponding portion, and the photoresist film in the corresponding portion swells. Then, as the substrate W is transported rightward in FIG.
And the stripping solution is supplied at a high pressure to the corresponding portion to remove the particularly swollen portion of the photoresist film in the corresponding portion. When the substrate W is further transported, the corresponding portion of the substrate W reaches below the next nozzle 41, and the stripping liquid is supplied to the corresponding portion at a low pressure.

【0062】このように、かかる変形例の剥離装置で
は、ノズル41とノズル51とが基板Wのローラコンベ
ア1による搬送進行方向に対して交互に設けられてお
り、この変形例の剥離方法では、基板W全体に対しては
上述の第1工程と第2工程とを同時に行なっているよう
に見えるが、基板Wの部分部分に対しては、上述した第
1実施形態の変形例の剥離方法と同一の方法、すなわち
第1工程と第2工程との組の工程を複数回繰り返して実
行する方法を実施していることになる。これにより、全
体として、同一の処理時間であっても被膜の剥離除去を
より十分に行なうことができ、処理時間が短くてすみ、
また厚い被膜であっても効率よく短時間で膨潤と剥離除
去が行なえる。なお、剥離処理室2の端部まで基板Wが
搬送された場合のローラコンベア1の逆回転動作や、第
3工程の洗浄処理や、第4工程の乾燥処理は、この変形
例においても上述と同様である。またこの変形例におい
ては、低圧供給機構40と高圧供給機構50の動作を同
時に開始したり、同時に終了することは必ずしも必要で
はない。例えば、低圧供給機構40を先行して動作開始
させて被膜の膨潤を予め進行させておいたり、高圧供給
機構50の動作停止後も低圧供給機構40の動作を所定
時間だけ継続させて剥離されたフォトレジスト被膜の破
片や汚れた剥離液等を予備的に洗い流すようにしてもよ
い。
As described above, in the peeling apparatus of this modified example, the nozzles 41 and the nozzles 51 are provided alternately in the direction in which the substrate W is transported by the roller conveyor 1, and in the peeling method of this modified example, Although it appears that the first step and the second step are performed simultaneously on the entire substrate W, the peeling method according to the modified example of the first embodiment described above is applied to a part of the substrate W. This means that the same method, that is, a method of repeatedly performing the set of steps of the first step and the second step a plurality of times is performed. Thereby, as a whole, the peeling and removal of the film can be performed more sufficiently even with the same processing time, and the processing time can be shortened.
In addition, even if the film is thick, swelling and peeling can be efficiently performed in a short time. The reverse rotation operation of the roller conveyor 1 when the substrate W is transported to the end of the separation processing chamber 2, the cleaning process in the third process, and the drying process in the fourth process are the same as described above in this modification. The same is true. In this modification, it is not always necessary to start or end the operations of the low-pressure supply mechanism 40 and the high-pressure supply mechanism 50 at the same time. For example, the low-pressure supply mechanism 40 is started in advance and the swelling of the film is advanced in advance, or the operation of the low-pressure supply mechanism 40 is continued for a predetermined time even after the operation of the high-pressure supply mechanism 50 is stopped. Debris of the photoresist film, dirty stripper, and the like may be preliminarily washed away.

【0063】なお、以上第1および第2実施形態の説明
では、ローラコンベア1は、剥離処理室2や洗浄処理室
4内で基板Wを水平姿勢または若干の傾斜姿勢として搬
送するものと説明したが、若干の傾斜姿勢で搬送するも
のとすることが、以下の理由により望ましい。すなわち
基板Wを例えば搬送方向にして対して左右いずれかに若
干傾斜させて支持することにより、剥離されたフォトレ
ジスト被膜の破片や汚れた剥離液、純水等がその傾斜に
そって速やかに流れ落ちて基板W表面から除去されるの
で、基板Wをより清浄に保つことができる。
In the above description of the first and second embodiments, it has been described that the roller conveyor 1 transports the substrate W in a horizontal position or a slightly inclined position in the separation processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4. However, it is desirable to convey the sheet in a slightly inclined posture for the following reasons. In other words, by supporting the substrate W with a slight inclination to the left or right with respect to, for example, the transport direction, fragments of the peeled photoresist film, dirty stripping solution, pure water, etc., quickly flow down along the slope. As a result, the substrate W can be kept clean.

【0064】なお、上記第1および第2実施形態におい
て、低圧での剥離液の供給とは、供給された剥離液が基
板W上で被膜を膨潤させるのに十分な液膜を形成できる
状態を実現できる程度であればよい。つまり、例えば供
給された液のかなりの部分が基板Wへの衝突で跳ね返っ
てしまうような液の供給状態では、被膜を十分に膨潤さ
せることはできないためである。また、高圧での剥離液
の供給とは、膨潤している被膜を剥離除去させるのに十
分な衝撃力を与えることができる程度であればよい。具
体的な圧力は剥離しようとする被膜と基板Wとの密着の
強さなどによって異なるが、例えば上記実施形態におい
て、低圧供給の場合はノズルへの配管内の圧力で例えば
1〜2kg/cm程度の圧力、高圧供給の場合は同じ
く10〜20kg/cm程度の圧力で行なっている。
低圧供給の場合であれば、例えば基板Wの幅と同等以上
の長さのスリット状の開口を有するノズルを用いて、基
板W表面に沿うようなカーテン状の液流でほとんど基板
Wに圧力を加えずに剥離液を供給するようなものでもよ
く、スプレー状に供給するものであれば、基板表面での
打力を例えば2g/cm程度以下の圧力とすることが
考えられる。また、高圧供給の場合は同じく基板表面で
の打力を50g/cm程度以上の圧力とすることが考
えられる。
In the first and second embodiments, the supply of the stripping solution at a low pressure means that the supplied stripping solution can form a liquid film sufficient to swell the film on the substrate W. What is necessary is just that it can be realized. That is, for example, in a state of supply of a liquid in which a considerable part of the supplied liquid rebounds upon collision with the substrate W, the film cannot be sufficiently swollen. The supply of the stripping solution at a high pressure may be sufficient as long as it can give an impact force sufficient to strip and remove the swollen coating. The specific pressure varies depending on the strength of adhesion between the film to be peeled and the substrate W. For example, in the above embodiment, in the case of low pressure supply, the pressure in the pipe to the nozzle is, for example, 1 to 2 kg / cm 2. In the case of a high pressure supply and a high pressure supply, the pressure is also about 10 to 20 kg / cm 2 .
In the case of low-pressure supply, for example, using a nozzle having a slit-shaped opening having a length equal to or greater than the width of the substrate W, a pressure is almost applied to the substrate W by a curtain-like liquid flow along the surface of the substrate W. It is also possible to supply the stripping liquid without adding the liquid, and if the liquid is supplied in the form of a spray, the impact force on the substrate surface may be, for example, a pressure of about 2 g / cm 2 or less. In the case of high-pressure supply, it is also conceivable to set the impact force on the substrate surface to a pressure of about 50 g / cm 2 or more.

【0065】また、上記各実施形態では、剥離液を低圧
での供給と高圧での供給の両方に使用したが、例えば高
圧での供給は、被膜に対して物理的な力を加えることを
考えれば、剥離液以外の処理液、例えば高温の純水やオ
ゾン水を用いることも考えられる。
In each of the above embodiments, the stripping solution is used for both low-pressure supply and high-pressure supply. For example, supply at a high pressure may involve applying a physical force to the coating. For example, it is conceivable to use a processing liquid other than the stripping liquid, for example, high-temperature pure water or ozone water.

【0066】[0066]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る剥離装置によれば、基板は処理室内で処理に必要
な時間だけ往復移動してその間に処理が行なわれるの
で、処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜の状
態などに応じて処理時間を容易に変更することができ
る。また、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液
を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に変
更して設定することができる。さらに、剥離液を低圧で
吐出する処理と高圧で吐出する処理とを一つの剥離処理
室で行なっており、装置が小型化できる。
As is apparent from the above description, according to the peeling apparatus of the present invention, the substrate is reciprocated in the processing chamber for the time required for the processing, and the processing is performed during that time. Regardless of the size or the transport speed, the processing time can be easily changed according to the state of the film. Further, the respective times of the processing step of discharging the stripping liquid at a low pressure and the processing step of discharging the stripping liquid at a high pressure can be freely changed and set. Furthermore, the process of discharging the stripping liquid at a low pressure and the process of discharging the stripping liquid at a high pressure are performed in one stripping chamber, so that the apparatus can be downsized.

【0067】また本発明に係る剥離装置および剥離方法
によれば、剥離すべき被膜に対して低圧の処理液供給と
高圧の処理液供給とを繰り返すことで、効率よく確実に
短時間で被膜の膨潤と剥離除去が行なえる。
According to the stripping apparatus and the stripping method of the present invention, the supply of the low-pressure processing liquid and the high-pressure processing liquid are repeatedly performed for the coating to be stripped, so that the coating can be efficiently and reliably removed in a short time. Can swell and peel off.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る剥離装置の第1実施形態の要部の
概略構成を示す模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of a main part of a first embodiment of a peeling device according to the present invention.

【図2】本発明に係る剥離装置の第2実施形態の要部の
概略構成を示す模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view illustrating a schematic configuration of a main part of a second embodiment of the peeling device according to the present invention.

【図3】従来の剥離装置の要部の概略構成を示す模式的
断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a main part of a conventional peeling device.

【符号の税明】[Tax of sign]

W・・・基板 1・・・ローラコンベア 2・・・剥離処理室 3・・・室構成体 10・・・液供給機構 11、41、51・・・ノズル 19、49、59・・・ポンプ 21・・・制御装置 40・・・低圧供給機構 50・・・高圧供給機構 W ... substrate 1 ... roller conveyor 2 ... peeling processing chamber 3 ... chamber constituent 10 ... liquid supply mechanism 11,41,51 ... nozzle 19,49,59 ... pump 21 ... Control device 40 ... Low pressure supply mechanism 50 ... High pressure supply mechanism

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C23F 1/00 104 C23F 1/00 104 5F046 G03F 7/42 G03F 7/42 H01L 21/304 643 H01L 21/304 643B 21/306 21/306 D Fターム(参考) 2H096 AA24 AA25 AA27 LA02 LA03 3F108 JA05 4D075 AA01 AA83 AA84 BB20Z DA06 DB14 DC22 EA45 4K057 DA19 DB17 DK03 DM36 DN02 DN03 WA19 WB17 WK01 WM04 WM06 WM18 WN02 WN04 WN06 5F043 AA40 BB30 CC12 CC16 DD06 DD30 EE07 EE08 EE22 EE24 EE28 EE29 EE33 EE36 GG10 5F046 MA01 MA10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C23F 1/00 104 C23F 1/00 104 5F046 G03F 7/42 G03F 7/42 H01L 21/304 643 H01L 21 / 304 643B 21/306 21/306 DF term (reference) 2H096 AA24 AA25 AA27 LA02 LA03 3F108 JA05 4D075 AA01 AA83 AA84 BB20Z DA06 DB14 DC22 EA45 4K057 DA19 DB17 DK03 DM36 DN02 DN03 WA19 WB17 W04W04N06 WK01 WM04A06 CC12 CC16 DD06 DD30 EE07 EE08 EE22 EE24 EE28 EE29 EE33 EE36 GG10 5F046 MA01 MA10

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を処理する処理室を構成する室構成
体と、 前記処理室内に基板を支持する支持機構と、 前記支持機構に支持された前記処理室内の基板に対して
処理液を低圧及び高圧で供給可能な液供給機構と、 前記液供給機構の動作を制御する制御手段と、 前記液供給機構による前記基板への処理液供給位置が時
間的に変化するよう該液供給機構に対して前記基板を相
対的に往復移動させる相対移動機構とを備えたことを特
徴とする剥離装置。
A chamber constituting a processing chamber for processing a substrate; a support mechanism for supporting the substrate in the processing chamber; and a low-pressure processing liquid for the substrate in the processing chamber supported by the support mechanism. And a liquid supply mechanism capable of supplying the liquid at a high pressure; control means for controlling the operation of the liquid supply mechanism; and a liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate by the liquid supply mechanism with time. A relative movement mechanism for relatively reciprocating the substrate.
【請求項2】 前記液供給機構は、 前記支持機構に支持された基板に対して処理液を低圧で
供給する低圧供給機構と、 前記支持機構に支持された基板に対して処理液を高圧で
供給する高圧供給機構とを備えたことを特徴とする請求
項1記載の剥離装置。
2. A liquid supply mechanism comprising: a low-pressure supply mechanism for supplying a processing liquid at a low pressure to a substrate supported by the support mechanism; and a high-pressure supply of the processing liquid to the substrate supported by the support mechanism. 2. The peeling device according to claim 1, further comprising a high-pressure supply mechanism for supplying.
【請求項3】 前記制御手段は、 前記低圧供給機構を動作させた後に前記高圧供給機構を
動作させるよう制御するものであることを特徴とする請
求項2記載の剥離装置。
3. The peeling apparatus according to claim 2, wherein the control unit controls the high-pressure supply mechanism to operate after the low-pressure supply mechanism is operated.
【請求項4】 前記制御手段は、 前記低圧供給機構と前記高圧供給機構とを交互に動作さ
せるよう制御するものであることを特徴とする請求項2
記載の剥離装置。
4. The control device according to claim 2, wherein the control unit controls the low-pressure supply mechanism and the high-pressure supply mechanism to operate alternately.
The peeling device according to claim 1.
【請求項5】 前記低圧供給機構に備えられて前記基板
に処理液を吐出する低圧ノズルと、前記高圧供給機構に
備えられて前記基板に処理液を吐出する高圧ノズルと
は、 前記基板の表面上におけるそれぞれの液吐出領域が、前
記相対移動機構による相対移動方向に沿って交互に位置
するよう配置されており、 前記制御手段は、 前記低圧供給機構と前記高圧供給機構とを同時に動作さ
せるよう制御するものであることを特徴とする請求項2
記載の剥離装置。
5. A low-pressure nozzle provided in the low-pressure supply mechanism for discharging a processing liquid to the substrate, and a high-pressure nozzle provided in the high-pressure supply mechanism for discharging a processing liquid to the substrate, wherein: The respective liquid discharge areas on the upper side are arranged alternately along the direction of relative movement by the relative movement mechanism, and the control means operates the low-pressure supply mechanism and the high-pressure supply mechanism simultaneously. 3. The method according to claim 2, wherein the control is performed.
The peeling device according to claim 1.
【請求項6】 前記液供給機構は、 前記支持機構に支持された前記処理室内の基板に対して
処理液を低圧又は高圧で供給可能なノズルと、 前記ノズルに対して処理液を供給しかつその供給圧力を
低圧と高圧とに切り替え可能な送液機構とを備えたこと
を特徴とする請求項1記載の剥離装置。
6. A nozzle capable of supplying a processing liquid at a low pressure or a high pressure to a substrate in the processing chamber supported by the support mechanism, a liquid supply mechanism supplying the processing liquid to the nozzle, 2. The peeling device according to claim 1, further comprising a liquid sending mechanism capable of switching the supply pressure between a low pressure and a high pressure.
【請求項7】 前記制御手段は、 前記ノズルに処理液を低圧で供給するよう前記送液機構
を動作させた後に、前記ノズルに処理液を高圧で供給す
るよう前記送液機構を動作させるよう制御するものであ
ることを特徴とする請求項6記載の剥離装置。
7. The control means operates the liquid feeding mechanism to supply the processing liquid to the nozzle at a low pressure, and then operates the liquid feeding mechanism to supply the processing liquid to the nozzle at a high pressure. The peeling device according to claim 6, wherein the peeling device is controlled.
【請求項8】 前記制御手段は、 前記送液機構の動作を、前記ノズルへの処理液の供給圧
力が低圧と高圧とを交互に複数回くりかえすように制御
するものであることを特徴とする請求項6記載の剥離装
置。
8. The control means controls the operation of the liquid sending mechanism so that the supply pressure of the processing liquid to the nozzle alternates between a low pressure and a high pressure a plurality of times. The peeling device according to claim 6.
【請求項9】 基板の表面に付着した被膜に対して剥離
液を低圧で供給する第1工程と、基板の表面に付着した
被膜に対して剥離液を高圧で供給する第2工程とからな
る一組の工程を、複数回繰り返して実行することを特徴
とする剥離方法。
9. A first step of supplying a stripper at a low pressure to a film adhered to a surface of a substrate, and a second step of supplying a stripper at a high pressure to a film adhered to a surface of the substrate. A peeling method, wherein one set of steps is repeatedly performed a plurality of times.
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