JP3628919B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP3628919B2 JP3628919B2 JP27974999A JP27974999A JP3628919B2 JP 3628919 B2 JP3628919 B2 JP 3628919B2 JP 27974999 A JP27974999 A JP 27974999A JP 27974999 A JP27974999 A JP 27974999A JP 3628919 B2 JP3628919 B2 JP 3628919B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- developer
- processing
- slit nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置用角形ガラス基板、プリント基板、プラズマディスプレイ用基板等の板状の基板(以下、基板と呼ぶ)に対し、処理液を供給して処理をおこなう基板処理装置に関し、さらに詳しくは、基板の表面に現像液、エッチング液、剥離液、リンス液、等の処理液を供給して基板上に液層を形成し、形成された液層の処理液により基板を処理する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、基板表面に処理液の液層を形成して基板処理をおこなう装置として、搬送される基板上にスプレーを用いて処理液を供給し、基板上に液層を形成して処理をおこなうとともに、基板処理が終了すると、基板上の処理液を液切りローラで除去しながらリンス部へ搬送してリンスをおこなう基板処理装置が知られている。
【0003】
このように基板を水平方向に搬送しながら処理をおこなう装置では、連続して基板処理が行えるので処理能力が高い反面、基板処理を終了して疲労した処理液を液切りローラで液切りすると、液切りローラに付着した疲労液が、濃縮化や固形化し、次に処理される基板表面に付着して、処理品質が劣化する問題があった。さらに、リンス部へ搬送された基板表面には、疲労した処理液が残留しており、疲労した処理液をリンス処理するため、リンス液が短時間で汚染されるので頻繁にリンス液を取り替える必要があった。
【0004】
このような問題点を解決する手段として、回転台上に載置された基板表面に、スリットノズルを平行移動させながら処理液を供給してパドルを形成し、基板の処理が終了後に回転台を回転させて液切りをおこない、その後、回転台を回転させつつ、基板上にリンス液を供給して洗浄をおこなう基板処理装置が提案されている。図5はこのような従来装置を示した模式図である。
【0005】
図5において、基板Wは、ロボット等の搬送手段により、回転台40上に載置され、図示しない吸引機構により回転台40上に固定される。次にスリットノズル42が、基板W表面に処理液を供給しながら、図示右方向から左方向へと平行移動し、基板W表面に処理液の液層43を形成する。
【0006】
基板W上に形成された処理液層43により基板Wの処理が終了すると、回転軸41が高速回転して基板W上の処理液を遠心力により除去する。液切りが終了して回転軸41の回転が停止すると、リンスノズル44が実線位置から破線位置まで移動し、リンスノズル44の処理液供給口からリンス液を基板Wの表面に供給する。リンス液の供給と同時に、回転軸41が低速回転を開始して、基板Wの表面がリンス処理される。リンス処理が終了すると、リンスノズル44はリンス液の供給を停止し、リンスノズル44が破線位置から実線位置へと待避するとともに、回転軸41が高速回転し、基板Wの表面に残留したリンス液を遠心力により除去する。液切りが終了すると、回転軸41は回転を停止し、基板Wは図示しないロボットにより後工程へと搬送されて基板処理を終了する。
【0007】
このように、上記の従来装置では、基板Wに供給する処理液やリンス液の使用量が節約できるとともに、処理により疲労した処理液は、回転台の回転によりきれいに除去できる等の優れた効果を奏する。
【0008】
しかし、上記の従来装置はこのような優れた効果を奏する反面、基板Wを1枚毎にしか処理できないため、処理枚数を増加させるには処理装置を複数台用意しなければならないという問題があった。
【0009】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、液切りローラやリンス液の汚染を防止できるとともに、処理能力が高い基板処理装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板を所定の方向に搬送して処理をおこなう基板処理装置において、基板を搬送する搬送手段と、水平姿勢で搬送される基板表面に現像液を供給して基板表面上に現像液の液層を形成する液層形成手段と、現像液により処理された基板表面にさらに現像液を供給して現像液の液層を液置換する液置換手段と、液置換された基板表面の現像液を除去する処理液除去手段と、を備え、液置換手段は、搬送手段により搬送される基板を、水平姿勢から傾斜姿勢に変更する姿勢変更手段と、傾斜姿勢で搬送される基板の搬送方向と直交する方向の上部位置に配置され、基板表面に現像液を供給するノズルと、を備えたことを特徴とする。
【0011】
請求項2に記載の発明は、液層形成手段は、基板の搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口が延設されるとともに、処理液供給口が基板の搬送方向に向けて傾斜配置されたスリットノズルであることを特徴とする。
【0013】
請求項3に記載の発明は、液置換手段が備えるノズルは、搬送方向に沿って処理液供給口が形成されたスリットノズルからなることを特徴とする。
【0014】
請求項4に記載の発明は、処理液除去手段は、基板の搬送方向と直交する方向に配置された液切りローラからなることを特徴とする。
【0015】
請求項5に記載の発明は、処理液除去手段は、液切り後の液切りローラ表面に処理液を供給する処理液供給手段を備えることを特徴とする。
請求項6に記載の発明は、液切りローラは、傾斜姿勢で搬送される基板に合わせた傾斜姿勢で配置されることを特徴とする。
【0016】
請求項7に記載の発明は、所定方向に搬送される基板表面に現像液の液層を形成して処理をおこなう基板処理方法において、水平姿勢で搬送される基板表面に現像液を供給して液層を形成し基板を処理する工程と、搬送される基板を、水平姿勢から傾斜姿勢に変更する工程と、傾斜姿勢で搬送される基板の搬送方向と直交する方向の上部位置から、現像液の液層により処理された基板表面にさらに現像液を供給して基板表面に形成された現像液の液層を液置換する工程と、液置換された基板表面の現像液を除去する工程と、からなることを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を液晶用角形ガラス基板の現像処理をおこなう基板処理装置に適用した場合を例として、図面に基づいて実施の形態を説明する。
【0018】
図1は本発明に係る基板処理装置1の一実施形態を示す概略構成図である。図1において、基板処理装置100は、前工程から搬送されてきた基板Aを受け入れる基板導入部1と、基板導入部1から水平姿勢で搬送されてきた基板Aの表面に現像液を供給して現像処理をおこなう処理部2と、現像処理された基板表面にシャワーノズル8からリンス液を供給してリンス処理をおこなうリンス部3と、リンス処理された基板Aの表面に高圧エア(または窒素ガス)を吹き付けて乾燥処理をおこなう乾燥部4とが直列に配設されて構成されている。
【0019】
そして基板処理装置1は、基板導入部1、処理部2、リンス部3、乾燥部4の順に基板Aを搬送しつつ基板Aに所定の処理を施すものである。
【0020】
また、処理部2の下には現像液槽9が配置されており、現像液槽9に貯留された現像液は、送液ポンプ11により液層形成手段となるスリットノズル5へと送られ、スリットノズル5に設けられた処理液供給口より、基板Aの表面へ現像液を供給して液層20を形成する。また、現像液槽9にはもう1つの送液ポンプ13が設けられており、送液ポンプ13により送られた現像液は、3方電磁弁により液置換用のスリットノズル6、または処理液除去手段である上下1対の液切りローラ15に向けて処理液供給口が形成された処理液供給ノズル7、のいずれかに現像液を切替供給するように構成されている。処理部2において、基板Aまたは液切りローラ15に供給された現像液は、処理部2の底部に設けられたドレン12から、現像液槽9へ回収されて循環使用されるようになっている。
【0021】
同様に、リンス部3の下にはリンス液槽16が設けられており、リンス液槽16に貯留されたリンス液は、リンス液送液ポンプ17によりシャワーノズル8を介して基板A表面へと供給され、基板Aの表面がリンス処理される。基板Aの表面に供給されたリンス液は、リンス部3の底部に設けられたドレン18から、リンス液槽16へ回収されて循環使用されるようになっている。また、本実施形態ではシャワーノズル8を基板Aの上部面側のみに設けているが、基板Aの下部面側にも設けて、基板Aの両面をリンス処理するように構成してもよい。
【0022】
次に、本実施形態では、基板Aを搬送する基板搬送手段としてローラコンベアーが適用されている。このローラコンベアーは、基板Aの搬送方向(図1の左方から右方に向かう方向)と直交する方向に支持軸を配した複数の搬送ローラ10が、等ピッチで搬送方向に並設配置されている。
【0023】
そして、回転駆動している複数の搬送ローラ10上に基板Aを載置することにより、基板Aは各搬送ローラ10の同期回転に伴って搬送方向(図1の右方)に向けて搬送されるようになっている。
【0024】
基板Aは、前工程からコンベアあるいはロボット等の上流側引継手段を介して基板導入部1に移され、ついで搬送ローラ10の駆動によって、基板導入部1から処理部2へと移送される。処理部2では、スリットノズル5から基板A表面に現像液が供給されて所定の処理が施された後に、リンス部3に移送されて基板Aに付着した現像液がリンス処理される。リンス処理された基板Aは乾燥部4へと移送され、乾燥部4で基板Aを搬送ローラ10により搬送しながら、乾燥部4に設けられたエアーナイフ19によって、基板Aの表面に付着したリンス液を乾燥させる。その後、乾燥部4の下流側で、コンベアあるいはロボット等からなる下流側引継手段を介して、次行程に向けて導出されるようになっている。
【0025】
次に図2は、本発明に係る基板処理装置1の処理部2の詳細を説明するための模式図であり、図2の(a)は基板Aの表面に現像液の液層20を形成する様子を表し、図2(b)は基板表面に形成された液層20に、さらに現像液を供給して液置換を行っている様子を表したものである。
【0026】
図2の(a)において、処理部2には、搬送方向と直交する方向に複数の搬送ローラ10が並設配置されている。基板導入部1から処理部2へと搬送されてきた基板Aは、搬送ローラ10上に載置されて、搬送ローラ10の同期回転により、処理部2内を搬送される。処理部2の基板搬入口上部には、基板表面に現像液を供給して、現像液の液層20を形成するためのスリットノズル5が設けられている。スリットノズル5には、搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口が設けられており、スリットノズル5は、処理液供給口が基板Aの搬送方向に向くように傾斜配置されている。
【0027】
また、スリットノズル5の下流位置であって、基板Aの搬送方向長さより下流位置には、現像処理された基板A表面の液層20に向けて現像液を供給し、基板A上の現像液を液置換するためのスリットノズル6が設けられている。スリットノズル6には、搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口が設けられており、スリットノズル6は、処理液供給口が基板Aの搬送方向と対向する方向に傾斜配置されている。
【0028】
また、スリットノズル6の下流には、液置換された基板A上に残留する現像液を除去するための液切りローラ15が設けられている。液切りローラ15は、搬送方向と直交する方向に設けられた上下一対の液切りローラ15a、15bとで構成されており、搬送ローラ10によって搬送されてきた基板Aが、この液切りローラ15の間を搬送されることにより、基板Aの表面に残留した現像液が除去されるように構成されている。
【0029】
液切りローラ15aの上部と、液切りローラ15bの下部には、基板A表面から現像液を除去した後に、液切りローラ15a、15bに向けて現像液を供給して、液切りローラ15a、15bに付着し、疲労した現像液を洗い流すための処理液ノズル7a、7bが配置されている。処理液ノズル7a、7bは、基板Aの搬送方向と直交する方向に沿って、液切りローラ15a、15bと平行に配置されたパイプからなり、パイプに設けられた処理液供給口から、液切りローラ15a、15bに向けて処理液を供給するように構成されている。
【0030】
基板導入部1に基板Aが搬入されると、処理部2の送液ポンプ11(図1参照)が運転を開始し、現像液槽9の現像液をスリットノズル5に供給する。基板導入部1から処理部2へ搬送ローラ10により基板Aが搬送されてくると、基板Aの搬送方向先端部から後端部まで、スリットノズル5から現像液が供給され、基板Aの表面に現像液の液層20が形成される。
【0031】
この時、スリットノズル5は、基板Aの搬送方向に傾斜姿勢で配置されているので、スリットノズル5から基板Aの表面へと供給された現像液は、基板Aの搬送方向への移動と、スリットノズル5から供給される現像液の流速とが同期して、基板Aの表面に静的に供給される。そのため、現像液が基板Aの表面からこぼれ落ちにくくなり、現像液の表面張力によって基板Aの表面に均一な現像液の液層20が形成される。
【0032】
基板Aの表面に現像液の液層20が形成されると、図示しない制御手段により送液ポンプ11が停止して、スリットノズル5からの現像液供給が停止するとともに、搬送ローラ10の駆動が停止し、基板Aはその表面に形成された現像液の液層20により現像処理が行われる。
【0033】
次に図2(b)を用いて、現像処理後に、基板表面に形成された液層20を液置換する様子を説明する。所定の処理時間が経過して基板Aの現像処理が終了すると、制御手段により送液ポンプ13が運転を開始するとともに、電磁弁14が切り替えられて、現像液槽9の現像液はスリットノズル6へと供給を開始する。それと同時に、制御手段により搬送ローラ10の駆動が開始され、基板Aがスリットノズル6に向けて搬送される。基板Aの先端がスリットノズル6の現像液供給位置まで達すると、スリットノズル6から供給された現像液により、基板Aの表面に形成された現像液の液層20は基板Aの表面から洗い流され、現像処理により疲労した現像液が現像液槽9に貯留されていた現像液に液置換される。
【0034】
この時、スリットノズル6は基板Aの搬送方向と対向する方向に傾斜して配置されているので、スリットノズル6から供給される現像液の流れと、基板Aの搬送方向への移動との相互作用により、基板Aの表面は短時間で疲労した現像液が洗い流されて液置換される。
【0035】
基板A表面の液置換が終了すると、基板Aは搬送ローラ10により液切りローラ15へと搬送され、液切りローラ15a、15bにより、基板Aの表面に残留した現像液が除去される。液切りローラ15に搬送されてきた時点で、基板Aの表面に残留した現像液は、現像槽9に貯留されていた疲労していない現像液に液置換されているので、液切りローラの汚染をかなり軽減することができる。また液切り後の基板表面に残留した現像液も、疲労していない現像液に液置換されているので、リンス部3におけるリンス液の汚染が少なくなり、リンス液の寿命を延ばすことができる。
【0036】
次に図3は、液切りローラ15を洗浄している様子を表した模式図である。図3において、液切りローラ15により、基板Aに残留した現像液の除去が終了すると、図示しない制御手段により、送液ポンプ13が運転を開始するとともに、電磁弁14が切り替えられて、現像液槽9の現像液は処理液ノズル7a、7bへと供給を開始する。所定時間現像液が供給されて、液切りローラ15の表面が洗浄されると、制御手段により送液ポンプ13が停止して、液切りローラ15の洗浄処理を終了する。この洗浄処理により、液切りローラ15の表面に現像液が濃縮されて固形化し、基板A表面に液切り時のムラや傷が発生するのを防止することができる。
【0037】
次に図4は、本実施形態における処理液置換手段の、他の実施形態を説明するための模式図である。
【0038】
図4の実施形態では、処理部2における基板Aを載置搬送する複数の搬送ローラ10の後半部分、すなわち現像処理後の液置換をおこなう部分が、図示しない駆動手段により水平姿勢から傾斜姿勢に姿勢変更可能に設けられているとともに、姿勢変更後に傾斜姿勢で搬送される基板Aの、搬送方向と直交する方向の上部位置に、搬送方向に沿って処理液供給口が形成されたスリットノズル6が配置されている点が、前述の実施形態と異なる。本実施形態では前述の実施形態と異なるところのみを説明する。
【0039】
スリットノズル6は前述の実施形態と同様に、現像液槽9に貯留された現像液が、送液ポンプ11により供給されるようになっている。 基板Aは、搬送ローラ10に設けられた中央支持ローラ130上に載置されるとともに、基板Aの下端縁部を支持する支持ローラ150の周面に、基板Pの下端縁部を支持されながら処理部2内を搬送するように構成されている。
【0040】
水平姿勢で搬送されてきた基板Aの現像処理が終了し、基板Aが処理部2の後半部へ到達すると、一旦搬送を停止し、図示しない制御手段により、搬送ローラ10が水平姿勢から傾斜姿勢へと姿勢変更される。姿勢変更が完了すると図示しない制御手段により搬送ローラ10による搬送を開始するとともに、基板Aの上部に配置されたスリットノズル6から現像液の供給を開始する。これにより、基板A上に残留していた疲労現像液が基板上から流れ落ちるとともに、基板表面の液置換がおこなわれる。このように本実施形態では、液置換時に基板Aを傾斜させるようにしたので、より短時間に液置換をおこなうことができる。
【0041】
また、本実施形態においては、液切りローラ15も傾斜姿勢で配置されており、リンス部3も傾斜姿勢でリンス処理が行われるように構成されているが、リンス終了後は、基板Aを水平姿勢に姿勢変更してエアーナイフ19により乾燥処理がおこなわれるように構成されている。
【0042】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下の内容をも包含するものである。
【0043】
(1)本実施形態においては、基板Aの表面に液層20を形成後、搬送ローラ10を停止して現像処理をおこなったが、スリットノズル5とスリットノズル6との搬送方向における配置間隔を長くとり、基板Aの表面に現像液の液層20が形成された時点で搬送ローラ10の搬送速度を低速に切替て、基板Aがスリットノズル6の配置位置に達するまでに現像処理を終了するようにすれば、基板Aの搬送を停止することなく処理することができる。
【0044】
(2)本実施形態においては、現像液槽9に貯留された現像液を、送液ポンプ11及び、送液ポンプ13と電磁弁14との組み合わせにより、スリットノズル5及び、スリットノズル6、処理液ノズル7a、7bへと供給するように構成したが、単一の送液ポンプと、3組の電磁弁を用いて、電磁弁の切替により供給するようにしても良い。また、電磁弁を用いずに3組の送液ポンプにより供給するようにしても良い。
【0045】
(3)本実施形態においては、基板Aの液切りの都度、処理液ノズル7a、7bに現像液を供給して、液切りローラ15を洗浄するように構成したが、基板Aを複数枚処理する毎に洗浄しても良く、また、基板Aの連続処理が終了して、基板処理装置100を停止する前と、基板Aの連続処理を開始する前のみ洗浄するようにしても良い。
【0046】
(4)本実施形態においては、基板Aの処理終了毎にスリットノズル5及び、スリットノズル6への現像液供給を停止していたが、基板Aを連続で処理する場合は現像液供給を停止せずに、連続処理を終了するときに現像液の供給を停止するようにしても良い。
【0047】
(5)本実施形態においては、基板Aを処理する処理液として、現像液による現像処理を例に説明したが、剥離液、エッチング液、リンス液、等による基板処理にも適用できる。
【0048】
【発明の効果】
請求項1から6に記載の発明によれば、基板を処理し疲労した現像液の液層に、液置換手段によりさらに現像液を供給して、基板上の現像液を液置換するとともに、液置換された現像液を、処理液除去手段で除去するように構成したので、処理液除去手段やリンス部におけるリンス液の汚染を防止することができる。また、液置換時に基板を傾斜姿勢で搬送するようにしたので、より短時間に液置換することができる。
【0049】
請求項2に記載の発明によれば、液層形成手段の処理液供給口を、基板の搬送方向に向けて配置したので、基板上に静的に現像液供給が可能となり、短時間で基板上に均一な現像液の液層を形成できる。
【0052】
請求項4に記載の発明によれば、基板上に残留した現像液を除去する処理液除去手段を設けたので、リンス部へ持ち込まれる現像液量を減少させ、リンス液の寿命を延ばすことができる。
【0053】
請求項5に記載の発明によれば、処理液除去手段に処理液を供給する処理液供給手段を設けたので、処理液除去手段表面に残留した現像液が、濃縮化や固形化することにより、液切り時に基板の汚れや傷が発生するのを防止することができる。
【0054】
請求項7に記載の発明によれば、基板を処理し疲労した現像液の液層に、さらに現像液を供給して、基板上の現像液を液置換するとともに、液置換された現像液は基板上から除去するように構成したので、疲労した現像液による、現像液を除去する工程やリンス工程での汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図2】本発明に係る基板処理装置1の処理部2の詳細を説明するための模式図である。
【図3】本発明に係る基板処理装置の液切りローラ15を洗浄している様子を表した模式図である。
【図4】本実施形態における処理液置換手段の、他の実施形態を説明するための模式図である。
【図5】従来装置を示した模式図である。
【符号の説明】
A 基板
100 基板処理装置
1 基板導入部
2 処理部
3 リンス部
4 乾燥部
5 スリットノズル
6 スリットノズル
7 処理液ノズル
9 現像液槽
10 搬送ローラ
11 送液ポンプ
13 送液ポンプ
14 電磁弁
15 液切りローラ
16 リンス液槽
130 中央支持ローラ
150 支持ローラ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a plate-like substrate (hereinafter referred to as a substrate) such as a square glass substrate for a liquid crystal display device, a printed substrate, or a plasma display substrate, and further processing. Specifically, a substrate that forms a liquid layer on the substrate by supplying a processing solution such as a developing solution, an etching solution, a stripping solution, or a rinsing solution to the surface of the substrate, and processes the substrate with the processing solution of the formed liquid layer The present invention relates to a processing apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a device for processing a substrate by forming a liquid layer of a processing liquid on the substrate surface, the processing liquid is supplied using a spray onto the substrate to be transported, and the liquid layer is formed on the substrate to perform the processing. There is known a substrate processing apparatus that, after completion of substrate processing, transports to a rinsing section while removing the processing liquid on the substrate with a liquid removing roller and performs rinsing.
[0003]
In the apparatus that performs processing while transporting the substrate in the horizontal direction as described above, since the substrate processing can be performed continuously, the processing capability is high.On the other hand, when the processing liquid that has been exhausted after finishing the substrate processing is drained by the liquid removal roller, There is a problem that the fatigue liquid adhering to the liquid draining roller is concentrated or solidified and adheres to the surface of the substrate to be processed next, and the processing quality deteriorates. Furthermore, since the exhausted processing liquid remains on the substrate surface transferred to the rinsing section and the exhausted processing liquid is rinsed, the rinsing liquid is contaminated in a short time, so it is necessary to change the rinsing liquid frequently. was there.
[0004]
As a means for solving such problems, a processing liquid is supplied to the surface of the substrate placed on the turntable while the slit nozzle is moved in parallel to form a paddle. There has been proposed a substrate processing apparatus that performs liquid cutting by rotating, and then supplies a rinse liquid onto the substrate to perform cleaning while rotating a turntable. FIG. 5 is a schematic view showing such a conventional apparatus.
[0005]
In FIG. 5, the substrate W is placed on the
[0006]
When the processing of the substrate W is completed by the
[0007]
As described above, in the above-described conventional apparatus, the amount of processing liquid and rinsing liquid supplied to the substrate W can be saved, and the processing liquid fatigued by the processing can be effectively removed by rotating the turntable. Play.
[0008]
However, while the above-described conventional apparatus has such an excellent effect, since the substrate W can be processed only one by one, there is a problem that a plurality of processing apparatuses must be prepared in order to increase the number of processed sheets. It was.
[0009]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can prevent contamination of a liquid removing roller and a rinsing liquid and has high processing capability.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing processing by transporting a substrate in a predetermined direction, and supplying a developing solution to the transporting means for transporting the substrate and the surface of the substrate transported in a horizontal posture. and a liquid layer forming means for forming a liquid layer of the developer on the surface, a liquid replacement means further developing solution is supplied to liquid replacement liquid layer of the developer to the treated substrate surface by a developer, is liquid replacement And a processing liquid removing unit that removes the developer on the surface of the substrate . The liquid replacement unit is transported in an inclined posture and a posture changing unit that changes the substrate conveyed by the conveying unit from a horizontal posture to an inclined posture. And a nozzle for supplying a developing solution to the substrate surface .
[0011]
According to the second aspect of the present invention, in the liquid layer forming means, the processing liquid supply port extends along a direction orthogonal to the substrate transport direction, and the processing liquid supply port is inclined toward the substrate transport direction. The slit nozzle is arranged.
[0013]
According to a third aspect of the invention, the nozzle provided in the liquid replacement unit may or Surittonozu le the processing liquid supply ports are formed along the transport direction Ranaru.
[0014]
The invention described in claim 4 is characterized in that the processing liquid removing means comprises a liquid draining roller arranged in a direction orthogonal to the substrate transport direction.
[0015]
The invention according to
The invention according to
[0016]
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for performing processing by forming a developer liquid layer on a substrate surface conveyed in a predetermined direction, and supplying the developer to the substrate surface conveyed in a horizontal posture. The step of forming a liquid layer and processing the substrate, the step of changing the substrate to be conveyed from the horizontal posture to the inclined posture, and the developer from the upper position in the direction perpendicular to the conveyance direction of the substrate conveyed in the inclined posture A step of further supplying a developing solution to the substrate surface treated with the liquid layer to replace the liquid layer of the developing solution formed on the substrate surface, a step of removing the developing solution on the substrate surface after the liquid replacement, It is characterized by comprising.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the drawings, taking as an example the case where the present invention is applied to a substrate processing apparatus for developing a square glass substrate for liquid crystal.
[0018]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. In FIG. 1, a substrate processing apparatus 100 supplies a developing solution to a substrate introduction unit 1 that receives a substrate A conveyed from the previous process, and a surface of the substrate A conveyed in a horizontal posture from the substrate introduction unit 1. The
[0019]
The substrate processing apparatus 1 performs a predetermined process on the substrate A while transporting the substrate A in the order of the substrate introduction unit 1, the
[0020]
Further, a developing
[0021]
Similarly, a rinsing
[0022]
Next, in the present embodiment, a roller conveyor is applied as a substrate conveying means for conveying the substrate A. In this roller conveyor, a plurality of
[0023]
Then, by placing the substrate A on the plurality of rotationally driven
[0024]
The substrate A is transferred from the previous process to the substrate introducing unit 1 via the upstream transfer means such as a conveyor or a robot, and then transferred from the substrate introducing unit 1 to the
[0025]
Next, FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the details of the
[0026]
In FIG. 2A, the
[0027]
Further, a developer is supplied toward the
[0028]
Further, a
[0029]
After removing the developer from the surface of the substrate A, the developer is supplied to the upper part of the
[0030]
When the substrate A is carried into the substrate introduction unit 1, the liquid feeding pump 11 (see FIG. 1) of the
[0031]
At this time, since the
[0032]
When the
[0033]
Next, a state in which the
[0034]
At this time, since the
[0035]
When the liquid replacement on the surface of the substrate A is completed, the substrate A is transported to the
[0036]
Next, FIG. 3 is a schematic diagram showing a state in which the
[0037]
Next, FIG. 4 is a schematic view for explaining another embodiment of the treatment liquid replacement means in this embodiment.
[0038]
In the embodiment of FIG. 4, the latter half of the plurality of
[0039]
The
[0040]
When the development processing of the substrate A that has been transported in the horizontal posture is completed and the substrate A reaches the latter half of the
[0041]
Further, in the present embodiment, the
[0042]
The present invention is not limited to the above embodiment, and includes the following contents.
[0043]
(1) In this embodiment, after forming the
[0044]
(2) In the present embodiment, the developer stored in the
[0045]
(3) In this embodiment, each time the liquid is drained from the substrate A, the developer is supplied to the
[0046]
(4) In this embodiment, the supply of the developing solution to the
[0047]
(5) In the present embodiment, as an example of the processing solution for processing the substrate A, a developing process using a developing solution has been described. However, the present invention can also be applied to a substrate processing using a stripping solution, an etching solution, a rinsing solution, or the like.
[0048]
【The invention's effect】
According to the invention described in claims 1 6, the liquid layer was treated substrates fatigued developing solution, and further supplying a developing solution by the liquid replacement unit, as well as liquid replacement developing solution on the substrate, the liquid Since the replaced developing solution is removed by the processing solution removing unit, contamination of the rinsing solution in the processing solution removing unit and the rinsing portion can be prevented. Further, since the substrate is transported in an inclined posture during the liquid replacement, the liquid replacement can be performed in a shorter time.
[0049]
According to the second aspect of the present invention, since the processing liquid supply port of the liquid layer forming means is disposed in the substrate transport direction, the developer can be supplied statically on the substrate, and the substrate can be quickly formed. A uniform developer layer can be formed thereon.
[0052]
According to the fourth aspect of the present invention, since the processing solution removing means for removing the developing solution remaining on the substrate is provided, the amount of the developing solution brought into the rinsing portion can be reduced and the life of the rinsing solution can be extended. it can.
[0053]
According to the invention described in
[0054]
According to the invention described in
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining details of a
FIG. 3 is a schematic view showing a state in which a
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining another embodiment of a treatment liquid replacement unit in the present embodiment.
FIG. 5 is a schematic diagram showing a conventional apparatus.
[Explanation of symbols]
A Substrate 100 Substrate processing apparatus 1
Claims (7)
基板を搬送する搬送手段と、
水平姿勢で搬送される基板表面に現像液を供給して基板表面上に現像液の液層を形成する液層形成手段と、
現像液により処理された基板表面にさらに現像液を供給して現像液の液層を液置換する液置換手段と、
液置換された基板表面の現像液を除去する処理液除去手段と、
を備え、
前記液置換手段は、
搬送手段により搬送される基板を、水平姿勢から傾斜姿勢に変更する姿勢変更手段と、
傾斜姿勢で搬送される基板の搬送方向と直交する方向の上部位置に配置され、基板表面に現像液を供給するノズルと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。In a substrate processing apparatus for processing by transferring a substrate in a predetermined direction,
Transport means for transporting the substrate;
A liquid layer forming means for supplying a developer to the substrate surface conveyed in a horizontal posture to form a developer liquid layer on the substrate surface;
A liquid replacement means further developing solution is supplied to liquid replacement liquid layer of the developer to the treated substrate surface by a developer,
A processing liquid removing means for removing the developer on the substrate surface after liquid substitution;
Equipped with a,
The liquid replacement means includes
Attitude changing means for changing the substrate conveyed by the conveying means from a horizontal attitude to an inclined attitude;
A nozzle that is disposed at an upper position in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate transported in an inclined posture, and that supplies a developer to the substrate surface;
A substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a.
水平姿勢で搬送される基板表面に現像液を供給して液層を形成し基板を処理する工程と、
搬送される基板を、水平姿勢から傾斜姿勢に変更する工程と、
傾斜姿勢で搬送される基板の搬送方向と直交する方向の上部位置から、現像液の液層により処理された基板表面にさらに現像液を供給して基板表面に形成された現像液の液層を液置換する工程と、
液置換された基板表面の現像液を除去する工程と、
からなる基板処理方法。In a substrate processing method for performing processing by forming a liquid layer of a developer on a substrate surface conveyed in a predetermined direction,
Supplying a developing solution to the substrate surface conveyed in a horizontal posture to form a liquid layer and processing the substrate;
Changing the substrate to be transported from a horizontal posture to an inclined posture;
From the direction of the upper position orthogonal to the transport direction of the substrate to be transported in an inclined position, the liquid layer of the further processed substrate surface by a liquid layer of the developer developer developer formed on the substrate surface by supplying the A liquid replacement step;
Removing the developer on the surface of the substrate after liquid replacement;
A substrate processing method comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27974999A JP3628919B2 (en) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27974999A JP3628919B2 (en) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001102289A JP2001102289A (en) | 2001-04-13 |
JP3628919B2 true JP3628919B2 (en) | 2005-03-16 |
Family
ID=17615380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27974999A Expired - Fee Related JP3628919B2 (en) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3628919B2 (en) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI226077B (en) * | 2001-07-05 | 2005-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP4244176B2 (en) * | 2002-10-25 | 2009-03-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
DE102004017680B4 (en) * | 2004-04-10 | 2008-01-24 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Process for the treatment of substrates with prestructured zinc oxide layers |
JP4805195B2 (en) * | 2007-03-13 | 2011-11-02 | 富士フイルム株式会社 | Bearing body, liquid draining device, and apparatus for producing film with plating film |
JP4997080B2 (en) * | 2007-11-28 | 2012-08-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
KR100889953B1 (en) | 2007-12-10 | 2009-03-20 | 삼성전기주식회사 | Apparatus for etching |
JP5202400B2 (en) | 2009-03-16 | 2013-06-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN101718963B (en) * | 2010-01-14 | 2011-10-05 | 友达光电股份有限公司 | Developing outfit |
CN104282598A (en) * | 2014-09-23 | 2015-01-14 | 安徽省大富光电科技有限公司 | Etching, developing, cleaning and film removing equipment, spraying processing equipment and method |
JP7419320B2 (en) | 2021-09-30 | 2024-01-22 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing equipment |
-
1999
- 1999-09-30 JP JP27974999A patent/JP3628919B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001102289A (en) | 2001-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI344173B (en) | ||
JP3628919B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2008028247A (en) | Method and device for processing substrate | |
JP4022288B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JPH08321536A (en) | Substrate conveying equipment of liquid treatment equipment | |
TWI364069B (en) | Apparatus for treating substrates | |
JP3552187B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
JP3550277B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR20150030641A (en) | Chemical polishing apparatus | |
JP4762850B2 (en) | Rotating roll cleaning mechanism and rotating roll cleaning method | |
JP3579348B2 (en) | Inclined drainer | |
JP4674904B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3866856B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP3481416B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
JP4908316B2 (en) | Cleaning apparatus, flat panel display manufacturing apparatus and flat panel display | |
JP2824031B2 (en) | Substrate surface treatment equipment | |
JPH11300300A (en) | Method and device for treatment of substrate | |
JPH11216433A (en) | Substrate treating device | |
JPH11307493A (en) | Substrate processing device | |
JP2001102283A5 (en) | ||
JP6552363B2 (en) | Substrate drying apparatus and substrate processing apparatus | |
JP2004153033A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP4206178B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing system | |
JP2001284310A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
JP4308856B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071217 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |