JP4674904B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、フォトリソグラフィ工程により形成されエッチングマスクとして使用されたレジストパターンを溶解し、新たなレジストパターンを形成するリフロー工程において、前記溶解前の処理を実施する基板処理装置及び基板処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a process before dissolution in a reflow process in which a resist pattern formed by a photolithography process and used as an etching mask is dissolved to form a new resist pattern.

例えばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）製造工程におけるアモルファスＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）の形成においては、複数回のエッチング処理が必要とされる。このため従来は、複数回のフォトリソグラフィ工程、即ち露光・現像処理を行い、フォトレジストパターンを形成している。
しかしながら、ＴＦＴ形成工程において、エッチングで得たいパターン毎に塗布現像装置と露光装置とが必要となり、装置にかかるコストが高くなるという課題があった。 For example, in the formation of an amorphous Si TFT (amorphous silicon thin film transistor) in an LCD (liquid crystal display) manufacturing process, a plurality of etching processes are required. For this reason, conventionally, a photoresist pattern is formed by performing a plurality of photolithography processes, that is, exposure and development processes.
However, in the TFT forming process, a coating and developing apparatus and an exposure apparatus are required for each pattern desired to be obtained by etching, and there is a problem that the cost for the apparatus increases.

このような課題に対し、一度エッチングマスクとして使用したレジストパターンを溶解し変形することにより、新たなレジストパターンを形成するリフロー処理が注目されている。このリフロー処理によれば、二度目のレジストパターン形成において、塗布現像装置及び露光装置を用いた処理を必要とせず、装置コストを低減し、製造効率を向上することができる。このリフロー処理を用いたＴＦＴ形成工程について図を用いて説明する。   For such a problem, reflow processing for forming a new resist pattern by dissolving and deforming a resist pattern once used as an etching mask has attracted attention. According to this reflow process, a process using a coating and developing apparatus and an exposure apparatus is not required in the second resist pattern formation, and the apparatus cost can be reduced and the production efficiency can be improved. A TFT formation process using this reflow process will be described with reference to the drawings.

アモルファスＳｉＴＦＴを形成する場合、図７（ａ）に示すように、ガラス基板２００に形成されたゲート電極２０１上に、絶縁層２０２、ａ−Ｓｉ層（ノンドープアモルファスＳｉ層）２０３ａとｎ+ａ−Ｓｉ層（リンドープアモルファスＳｉ層）２０３ｂからなるＳｉ層２０３、ドレイン・ソース電極を形成するためのメタル層２０５が順に積層される。 In the case of forming an amorphous Si TFT, as shown in FIG. 7A, an insulating layer 202, an a-Si layer (non-doped amorphous Si layer) 203a and n + a− are formed on a gate electrode 201 formed on a glass substrate 200. An Si layer 203 made of an Si layer (phosphorus-doped amorphous Si layer) 203b and a metal layer 205 for forming a drain / source electrode are sequentially laminated.

そして、メタル層２０５をエッチングするため、フォトリソグラフィ工程により、メタル層２０５上にフォトレジストが成膜され、露光、現像処理によりレジストパターン２０６が形成される。但し、このレジストパターン２０６は、光の透過率に差が設けられたハーフトーンマスクを用いるハーフ露光処理により、異なる膜厚（厚膜部と薄膜部）を有するものとなされる。尚、ハーフ露光技術については、特許文献１に開示されている。
レジストパターン２０６は、メタル層２０５をエッチングするためのマスクとして使用され、エッチング後は図７（ｂ）に示すようにメタル層２０５の非マスク部分がエッチングされる。 In order to etch the metal layer 205, a photoresist is formed on the metal layer 205 by a photolithography process, and a resist pattern 206 is formed by exposure and development processing. However, the resist pattern 206 has different film thicknesses (thick film portion and thin film portion) by a half exposure process using a halftone mask having a difference in light transmittance. The half exposure technique is disclosed in Patent Document 1.
The resist pattern 206 is used as a mask for etching the metal layer 205. After the etching, the non-mask portion of the metal layer 205 is etched as shown in FIG.

メタルエッチングによりレジスト層２０６の表面には、エッチング液の影響によりレジストが変質した変質層２０７が形成される。そこで、リフロー処理の前処理として、この変質層２０７を除去する処理を行う。   Due to the metal etching, an altered layer 207 in which the resist is altered by the influence of the etching solution is formed on the surface of the resist layer 206. Therefore, a process for removing the altered layer 207 is performed as a pre-process for the reflow process.

この前処理においては、アルカリ溶液がエッチング液として変質層２０７に滴下され、これにより図７（ｃ）に示すように変質層２０７が除去される。
次いで再現像処理により、図７（ｄ）に示すように次のレジストパターン形成においてマスクが不要な薄膜部のレジスト２０６を除去し、マスクしたいターゲットＴｇ周辺のレジスト（厚膜部）のみを残す処理が行われる。 In this pretreatment, an alkaline solution is dropped as an etching solution onto the altered layer 207, whereby the altered layer 207 is removed as shown in FIG.
Next, as shown in FIG. 7D, a re-development process removes the thin film portion resist 206 that does not require a mask in the next resist pattern formation, and leaves only the resist (thick film portion) around the target Tg to be masked. Is done.

次いで図７（ｄ）に示すようにレジスト２０６が残された状態から、レジスト２０６に溶解雰囲気を曝すことによりレジスト２０６の溶解、拡散処理（リフロー処理）が行われ、図７（ｅ）に示すようにターゲットＴｇ上にレジスト層が形成される。
尚、このレジスト層形成後は、図８（ａ）に示すようにメタル層２０５をマスクとしてＳｉ層２０３のエッチングを行い、図８（ｂ）に示すようにレジスト層２０６を除去する。そして、図８（ｃ）に示すように、チャネル領域におけるｎ+ａ−Ｓｉ層２０３ｂのエッチングが行われ、ＴＦＴが形成される。
特開２００５−１０８９０４号公報 Next, as shown in FIG. 7D, from the state in which the resist 206 is left, the resist 206 is dissolved and diffused (reflowed) by exposing the resist 206 to a dissolving atmosphere, as shown in FIG. 7E. Thus, a resist layer is formed on the target Tg.
After this resist layer is formed, the Si layer 203 is etched using the metal layer 205 as a mask as shown in FIG. 8A, and the resist layer 206 is removed as shown in FIG. 8B. Then, as shown in FIG. 8C, the n + a-Si layer 203b in the channel region is etched to form a TFT.
JP 2005-108904 A

前記したようにリフロー処理の前処理では、変質層２０７をアルカリ溶液からなるエッチング液により剥離して除去する処理が行われる。
より詳しくは、先ず変質層２０７上にエッチング液が滴下され、所定時間放置することにより変質層２０７がフォトレジスト２０６から剥離される。 As described above, in the pretreatment for the reflow treatment, the altered layer 207 is peeled and removed by the etching solution made of an alkaline solution.
More specifically, an etching solution is first dropped on the altered layer 207, and the altered layer 207 is peeled off from the photoresist 206 by being left for a predetermined time.

そして、例えばスピンチャックにより水平保持された基板を高速回転させ、回転する基板上に例えば純水からなるリンス液を吐出し、フォトレジスト２０６から分離した変質層２０７及びエッチング液をリンス液により排除する洗浄処理（リンス工程）がなされる。
さらに、基板上に残るリンス液は、スピンドライ、即ち、基板を高速回転させることにより振り切られ、基板が乾燥状態になされる（乾燥工程）。 Then, for example, a substrate held horizontally by a spin chuck is rotated at a high speed, and a rinse liquid made of pure water, for example, is discharged onto the rotating substrate, and the altered layer 207 and the etching liquid separated from the photoresist 206 are removed by the rinse liquid. A cleaning process (rinse process) is performed.
Further, the rinse liquid remaining on the substrate is spun off by spin drying, that is, by rotating the substrate at a high speed, and the substrate is brought into a dry state (drying process).

しかしながら、前記前処理において、リンス液で洗浄を行うリンス工程にあってはフォトレジスト２０６から分離した変質層２０７の断片を基板上から完全に排除できず、乾燥工程で基板表面を乾燥させると、基板上に残った変質層２０７の断片がメタル層２０５やフォトレジスト２０６に固着する虞があった。
その場合、基板上に固着した変質層２０７の断片は、その後の工程である再現像処理によっても除去されず、パターン不良を引き起こすという課題があった。 However, in the pretreatment, in the rinsing step of cleaning with the rinsing liquid, the fragment of the altered layer 207 separated from the photoresist 206 cannot be completely removed from the substrate, and when the substrate surface is dried in the drying step, There is a possibility that fragments of the altered layer 207 remaining on the substrate adhere to the metal layer 205 and the photoresist 206.
In that case, the fragment of the deteriorated layer 207 fixed on the substrate is not removed even by the re-development process which is a subsequent process, and there is a problem that a pattern defect is caused.

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー工程において、エッチング処理後にレジスト表面に形成された変質層を剥離後、レジスト溶解前に前記剥離された変質層を基板から効果的に排除することによりパターン不良の発生を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made under the circumstances as described above, and is formed on the resist surface after the etching process in a reflow process in which a photoresist pattern used as an etching mask is dissolved to form a desired resist pattern. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing the occurrence of pattern defects by effectively excluding a degenerated layer from the substrate after the degenerated layer is removed and before dissolving the resist. To do.

前記課題を解決するために、本発明にかかる基板処理装置は、エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し、基板に新たなフォトレジストパターンを形成するリフロー工程において、前記溶解前の処理を実施する基板処理装置であって、前記エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンに形成された変質層を剥離するためのエッチング液を基板に供給する第一の処理液供給手段と、前記変質層が剥離されたフォトレジストパターンから不要なレジストを除去するための薬液を基板に供給する第二の処理液供給手段と、前記第一または第二の処理液供給手段により基板上に供給されたエッチング液または薬液を除去するためのリンス液を基板に供給する第三の処理液供給手段と、基板上のリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う乾燥手段と、前記乾燥手段の動作制御を行う制御手段とを備え、前記乾燥手段が前記エッチング液の除去に使用されたリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段は、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で乾燥処理を停止させることに特徴を有する。   In order to solve the above problems, a substrate processing apparatus according to the present invention performs a process before the dissolution in a reflow process in which a photoresist pattern used as an etching mask is dissolved and a new photoresist pattern is formed on the substrate. A substrate processing apparatus to be implemented, comprising: a first processing liquid supply means for supplying an etching liquid for peeling off a deteriorated layer formed on a photoresist pattern used as the etching mask to the substrate; Second processing liquid supply means for supplying a chemical solution for removing unnecessary resist from the peeled photoresist pattern to the substrate, and an etching liquid supplied on the substrate by the first or second processing liquid supply means Alternatively, a third processing liquid supply means for supplying a rinsing liquid for removing the chemical liquid to the substrate, and the rinsing liquid on the substrate as the substrate A drying means for performing a drying process so as to be removed, and a control means for controlling the operation of the drying means, and the drying means performs a drying process so as to remove the rinse liquid used for removing the etching liquid from the substrate. When performing, the control means is characterized in that the drying process is stopped with at least the rinse liquid remaining on the entire surface of the substrate.

このように、前記乾燥手段は、前記エッチング液の除去に使用したリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段の制御により、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で乾燥処理を停止する。したがって、リンス液によるエッチング液の除去により基板上から排除しきれなかった変質層の断片を基板表面に固着しないようにすることができる。
これにより、再現像処理での基板洗浄において、基板上の変質層の断片を容易に除去することが可能となり、変質層の残存に起因するパターン不良を抑制することができる。 As described above, when performing the drying process so that the rinsing liquid used for removing the etching liquid is removed from the substrate, the drying means is dried in a state where the rinsing liquid remains at least on the entire surface of the substrate under the control of the control means. Stop processing. Therefore, it is possible to prevent the fragment of the altered layer that cannot be completely removed from the substrate by removing the etching solution with the rinse solution from being fixed to the substrate surface.
Thereby, in the substrate cleaning in the redevelopment processing, it is possible to easily remove the fragment of the deteriorated layer on the substrate, and it is possible to suppress the pattern defect due to the remaining of the deteriorated layer.

また、この構成によれば、前処理と再現像処理とを同一ハウジング内で行うことができるため、前処理後に基板をハウジング外に搬出する必要がない。即ち、ハウジング外に形成されるダウンフローの影響を受けないため、前処理後の基板表面の乾燥状態の制御を容易にすることができる。   Further, according to this configuration, since the pretreatment and the redevelopment treatment can be performed in the same housing, it is not necessary to carry the substrate out of the housing after the pretreatment. That is, since it is not affected by the downflow formed outside the housing, it is possible to easily control the dry state of the substrate surface after the pretreatment.

また、前記乾燥手段は、水平状態に保持した前記基板を鉛直軸周りに回転することにより前記リンス液を基板から振りきり除去する手段であって、前記乾燥手段が前記エッチング液の除去に使用されたリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段は、１２００ｒｐｍ以下の基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間、基板を回転させる処理を実行させることが望ましい。
このようにすれば、前処理工程での基板洗浄後の乾燥処理において、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態にすることができる。 The drying means is means for removing the rinse liquid from the substrate by rotating the substrate held in a horizontal state around a vertical axis, and the drying means is used for removing the etching liquid. When the drying process is performed so as to remove the rinse liquid from the substrate, it is preferable that the control unit execute a process of rotating the substrate for 15 to 20 seconds at a substrate rotation speed of 1200 rpm or less.
In this way, the rinsing liquid can remain in at least the entire surface of the substrate in the drying process after the substrate cleaning in the pretreatment process.

また、前記課題を解決するために、本発明にかかる基板処理方法は、エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し、基板に新たなフォトレジストパターンを形成するリフロー工程前に実施される基板処理方法であって、前記エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンに形成された変質層を剥離するためのエッチング液を基板に塗布するステップと、前記基板上のエッチング液をリンス液により除去するステップと、前記基板の乾燥処理を実施し、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止するステップと、前記変質層が剥離されたフォトレジストパターンから不要なレジストを除去するための薬液を基板に塗布するステップと、前記基板上の薬液をリンス液により除去するステップと、前記基板の乾燥処理を実施し、基板上のリンス液を除去するステップとを実行することに特徴を有する。   In order to solve the above-mentioned problem, a substrate processing method according to the present invention is a substrate which is implemented before a reflow process for dissolving a photoresist pattern used as an etching mask and forming a new photoresist pattern on the substrate. A processing method, the step of applying an etching solution for peeling the altered layer formed on the photoresist pattern used as the etching mask to the substrate, and the step of removing the etching solution on the substrate with a rinsing solution And a step of performing a drying process on the substrate, stopping the process in a state in which a rinsing liquid remains on at least the entire surface of the substrate, and a chemical solution for removing unnecessary resist from the photoresist pattern from which the deteriorated layer has been peeled off. Applying to the substrate, and removing the chemical on the substrate with a rinsing liquid , Was performed a drying treatment of the substrate, characterized in that the run and removing the rinse liquid on the substrate.

このような方法によれば、リンス液によるエッチング液の除去により基板上から排除しきれなかった変質層の断片を基板表面に固着しないようにすることができる。
これにより、再現像処理での基板洗浄において、基板上の変質層の断片を容易に除去することが可能となり、変質層の残存に起因するパターン不良を抑制することができる。 According to such a method, it is possible to prevent the fragment of the altered layer that cannot be completely removed from the substrate by removing the etching solution with the rinse solution from being fixed to the substrate surface.
Thereby, in the substrate cleaning in the redevelopment processing, it is possible to easily remove the fragment of the deteriorated layer on the substrate, and it is possible to suppress the pattern defect due to the remaining of the deteriorated layer.

また、前記基板の乾燥処理を実施し、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止するステップにおいて、水平状態に保持した前記基板を鉛直軸周りに１２００ｒｐｍ以下の基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間回転させる処理を実行することが望ましい。
このようにすれば、前処理工程での基板洗浄後の乾燥処理において、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態にすることができる。 Further, in the step of carrying out the drying process of the substrate and stopping the process with at least the rinsing liquid remaining on the entire surface of the substrate, the substrate held in a horizontal state is rotated at a substrate rotation speed of 1200 rpm or less around the vertical axis. It is desirable to execute a process of rotating for 20 seconds.
In this way, the rinsing liquid can remain in at least the entire surface of the substrate in the drying process after the substrate cleaning in the pretreatment process.

本発明によれば、エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー工程において、エッチング処理後にレジスト表面に形成された変質層を剥離後、レジスト溶解前に前記剥離された変質層を基板から効果的に排除することによりパターン不良の発生を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。   According to the present invention, in the reflow process of dissolving a photoresist pattern used as an etching mask to form a desired resist pattern, after removing the altered layer formed on the resist surface after the etching process, the peeling is performed before the resist is dissolved. By effectively removing the altered layer from the substrate, it is possible to obtain a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can suppress the occurrence of pattern defects.

以下、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法につき、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置としてのリムーバ・再現像ユニットを有するリフローパターン形成装置のレイアウトを示す平面ブロック図である。   Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present invention will be described based on the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 is a plan block diagram showing a layout of a reflow pattern forming apparatus having a remover / re-development unit as a substrate processing apparatus according to the present invention.

図１に示すリフローパターン形成装置１は、例えばＴＦＴ形成のため、塗布現像処理装置（ＣＯＴ／ＤＥＶ）５０及び露光装置（Ｅｘｐ）５１においてレジストパターン形成、エッチング装置（Ｅｔｃｈｉｎｇ）５２によりエッチング処理が施された基板Ｇに対し、レジストパターンのリフロー処理を行い、レジストパターンを再形成するための装置である。   The reflow pattern forming apparatus 1 shown in FIG. 1 performs a resist pattern forming and etching apparatus (Etching) 52 in a coating / development processing apparatus (COT / DEV) 50 and an exposure apparatus (Exp) 51 to form TFTs, for example. It is an apparatus for performing a reflow process of a resist pattern on the substrate G that has been formed, and re-forming the resist pattern.

このリフローパターン形成装置１は、複数の基板Ｇをカセット単位で外部（エッチング装置）から搬入出したり、カセットに対して基板Ｇを搬入出したりするカセットステーション（Ｃ／Ｓ）２を備える。
また、カセットステーション２に隣接して基板処理部３が設けられ、この基板処理部３は、各ユニット間での基板Ｇの搬送及び各ユニットに対する基板Ｇの搬入出を行うアーム装置を有する基板搬送部（Ｍ／Ａ）４を有する。そして、図中矢印で示す基板処理方向に沿って基板搬送部４の左右には、基板Ｇを処理するための複数の処理ユニットが配置されている。 The reflow pattern forming apparatus 1 includes a cassette station (C / S) 2 for loading / unloading a plurality of substrates G from the outside (etching apparatus) in a cassette unit and loading / unloading the substrates G to / from the cassette.
In addition, a substrate processing unit 3 is provided adjacent to the cassette station 2, and the substrate processing unit 3 has a substrate transfer device having an arm device for transferring the substrate G between the units and carrying the substrate G in and out of the units. Part (M / A) 4. A plurality of processing units for processing the substrate G are arranged on the left and right of the substrate transport unit 4 along the substrate processing direction indicated by the arrows in the drawing.

処理ユニットとして、図中、矢印で示す処理方向に沿って基板搬送部４の右側には、フォトレジストに生じた変質層を除去するための前処理と、不要なレジストを除去するための再現像処理とを同一ハウジング内で続けて行うリムーバ・再現像ユニット（ＲＭ／ＲＤＶ）５が配置される。
さらに、リムーバ・再現像ユニット５に隣接して、フォトレジストを溶解するリフローユニット（ＲＦ）７が配置される。このリフローユニット（ＲＦ）７においては、チャンバ内（図示せず）に基板Ｇが載置され、チャンバ内を溶剤雰囲気に置換することによりフォトレジストが溶剤により溶解されて新たなパターンが形成される。
また図中、基板処理方向に沿って基板搬送部４の左側には、複数のホットプレート及びクールプレートからなる熱処理装置（ＨＰ／ＣＯＬ）８が配置される。 As a processing unit, on the right side of the substrate transport section 4 along the processing direction indicated by an arrow in the figure, pre-processing for removing the altered layer generated in the photoresist and redevelopment for removing unnecessary resist are performed. A remover / re-development unit (RM / RDV) 5 that performs processing in the same housing is disposed.
Further, a reflow unit (RF) 7 for dissolving the photoresist is disposed adjacent to the remover / re-development unit 5. In the reflow unit (RF) 7, a substrate G is placed in a chamber (not shown), and the photoresist is dissolved by a solvent by replacing the inside of the chamber with a solvent atmosphere to form a new pattern. .
Further, in the drawing, a heat treatment apparatus (HP / COL) 8 including a plurality of hot plates and cool plates is disposed on the left side of the substrate transfer unit 4 along the substrate processing direction.

次に、本発明に係る基板処理装置としてのリムーバ・再現像ユニット５についてさらに説明する。図２は、リムーバ・再現像ユニット５の概略構成を示す断面図、図３はその平面図である。
図示するように、リムーバ・再現像ユニット５は、アウターカップ１０と、このアウターカップ１０内に設けられ基板Ｇを保持する基板保持部１１と、２つのリニアノズル１２、１３をスキャン駆動し、いずれかのノズルから前記基板Ｇ上に処理液を供給する処理液供給部１４とを備える。 Next, the remover / re-development unit 5 as the substrate processing apparatus according to the present invention will be further described. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the remover / re-development unit 5, and FIG. 3 is a plan view thereof.
As shown in the figure, the remover / re-development unit 5 scans and drives an outer cup 10, a substrate holding part 11 that is provided in the outer cup 10 and holds a substrate G, and two linear nozzles 12 and 13. And a processing liquid supply unit 14 for supplying a processing liquid onto the substrate G from the nozzle.

尚、リニアノズルとは、多数の液吐出孔を一直線上に所定の間隔を配列してなる構造を有するノズルのことである。
また、この処理液供給部１４において、リニアノズル１２（第一の処理液供給手段）はリフロー処理の前処理において変質層を剥離するためのウェットエッチング液を塗布するノズルであり、リニアノズル１３（第二の処理液供給手段）は再現像処理において不要なフォトレジストを除去するための薬液を塗布するノズルである。即ち、リニアノズル１２には図示しないエッチング液タンクに接続され、リニアノズル１３には図示しない薬液タンクに接続されている。そして、これらタンク内の処理液を不活性ガス例えばＮ2ガスで加圧することにより、処理液を夫々のノズルから吐出できるようになされている。 The linear nozzle is a nozzle having a structure in which a large number of liquid discharge holes are arranged in a straight line at a predetermined interval.
Further, in the processing liquid supply unit 14, the linear nozzle 12 (first processing liquid supply means) is a nozzle for applying a wet etching liquid for removing the deteriorated layer in the pre-processing of the reflow process, and the linear nozzle 13 ( The second processing solution supply means) is a nozzle for applying a chemical solution for removing unnecessary photoresist in the redevelopment processing. That is, the linear nozzle 12 is connected to an etching liquid tank (not shown), and the linear nozzle 13 is connected to a chemical liquid tank (not shown). The processing liquid in these tanks is pressurized with an inert gas, for example, N 2 gas, so that the processing liquid can be discharged from each nozzle.

またリムーバ・再現像ユニット５は、前処理または再現像処理後の基板Ｇをリンス処理するためのリンスノズル１５を備えたリンス液供給部１６（第三の処理液供給手段）と、これら各機構を制御する制御部１７（制御手段）とを備えている。   The remover / re-development unit 5 includes a rinse liquid supply unit 16 (third process liquid supply means) including a rinse nozzle 15 for rinsing the pre-processed or re-developed substrate G, and each of these mechanisms. And a control unit 17 (control means) for controlling.

前記アウターカップ１０の上部開口は、図３に示すように、例えば矩形状に形成されている。また、前記基板保持部１１は、図２に示すように、基板Ｇを水平状態に吸着保持するスピンチャック１８と、このスピンチャック１８を鉛直軸周りに回転駆動すると共に昇降駆動するスピンチャック駆動機構１９とを備えている。
この基板保持部１１は、処理液供給部１４によって供給された処理液をリンス処理する際に基板Ｇを高速で回転させ、遠心力により処理液を振り切る機能を有する（即ち乾燥手段として機能する）。基板Ｇの縁部から振り切られた処理液は、アウターカップ１０により受け止められ、このカップ１０の下端部に設けられた図示しない排液路から外部に排出されるようになされている。 As shown in FIG. 3, the upper opening of the outer cup 10 is formed in a rectangular shape, for example. Further, as shown in FIG. 2, the substrate holding unit 11 includes a spin chuck 18 that sucks and holds the substrate G in a horizontal state, and a spin chuck drive mechanism that drives the spin chuck 18 to rotate around the vertical axis and to move up and down. 19.
The substrate holding unit 11 has a function of rotating the substrate G at a high speed when rinsing the processing liquid supplied by the processing liquid supply unit 14 and shaking off the processing liquid by centrifugal force (that is, functions as a drying unit). . The processing liquid shaken off from the edge of the substrate G is received by the outer cup 10 and is discharged to the outside from a drainage path (not shown) provided at the lower end of the cup 10.

また、処理液供給部１４は、リニアノズル１２、１３を保持し、夫々独立に上下移動の制御が可能な例えばエアシリンダ等の上下動駆動機構２０と、この上下動駆動機構２０を例えばＸ方向に沿って設けられたレールに沿ってスキャン駆動するリニアガイド機構２１とを有する。
この処理液供給部１４は、前記リニアノズル１２、１３を図５に実線で示す待機部２２、２３から上下駆動し且つ、Ｘ方向に移動させることで、リニアノズル１２、１３のいずれかを、アウターカップ１０内のＢＥＧＩＮ位置に位置させる。そして、リニアガイド機構２１を作動させることで、リニアノズル１２または１３を基板Ｇの表面に沿って図にＥＮＤで示す位置までＸ方向にスキャン駆動する。 Further, the processing liquid supply unit 14 holds the linear nozzles 12 and 13 and can control the vertical movement independently, for example, the vertical movement drive mechanism 20 such as an air cylinder, and the vertical movement drive mechanism 20 in the X direction, for example. And a linear guide mechanism 21 that scans along a rail provided along the rail.
The processing liquid supply unit 14 drives the linear nozzles 12 and 13 up and down from the standby units 22 and 23 indicated by solid lines in FIG. It is located at the BEGIN position in the outer cup 10. Then, by operating the linear guide mechanism 21, the linear nozzle 12 or 13 is scan-driven in the X direction along the surface of the substrate G to the position indicated by END in the drawing.

また、リンス液供給部１６は、リンスノズル１５を保持する上下駆動機構２４と、この上下駆動機構２４をＸ方向に駆動するリニアガイド機構２５とを有する。このリンスノズル１５は、前記リニアノズル１２、１３の待機部２２、２３と前記アウターカップ１０を挟んだ逆側の位置に配置されている。前記リンスノズル１５は、図示しないリンス液タンクに接続されており、このリンス液タンク内のリンス液を不活性ガス例えばＮ2ガスで加圧することにより、リンス液を吐出できるようになされている。 The rinsing liquid supply unit 16 includes a vertical drive mechanism 24 that holds the rinse nozzle 15 and a linear guide mechanism 25 that drives the vertical drive mechanism 24 in the X direction. The rinse nozzle 15 is disposed at a position on the opposite side between the standby portions 22 and 23 of the linear nozzles 12 and 13 and the outer cup 10. The rinse nozzle 15 is connected to a rinse liquid tank (not shown). The rinse liquid can be discharged by pressurizing the rinse liquid in the rinse liquid tank with an inert gas such as N 2 gas.

続いて、リフローパターン形成装置１による処理工程及びリムーバ・再現像ユニット５での処理工程について夫々説明する。先ず、図４のフローに従い、図１のブロック図及び既に説明した図７の基板断面図を用いて、リフロー処理全体の流れについて説明する。   Subsequently, a processing process by the reflow pattern forming apparatus 1 and a processing process by the remover / re-development unit 5 will be described. First, according to the flow of FIG. 4, the overall flow of the reflow process will be described using the block diagram of FIG. 1 and the already described substrate cross-sectional view of FIG.

先ず、エッチング装置５２より搬送された基板Ｇが収容されたカセットステーション２から、１枚の基板Ｇが基板搬送部４によりリムーバ・再現像ユニット５に搬送される。尚、図７（ａ）に示すように、この基板Ｇに形成されたフォトレジストパターン２０６は、塗布現像処理装置５０及び露光装置５１において、リフロー処理で必要なフォトレジストを厚膜に形成し、不要なフォトレジストを薄膜に形成するハーフ露光処理が施されている。   First, one substrate G is transported to the remover / re-development unit 5 by the substrate transport unit 4 from the cassette station 2 in which the substrate G transported by the etching apparatus 52 is accommodated. As shown in FIG. 7A, the photoresist pattern 206 formed on the substrate G is formed by forming a thick photoresist necessary for reflow processing in the coating and developing apparatus 50 and the exposure apparatus 51. The half exposure process which forms an unnecessary photoresist in a thin film is performed.

リムーバ・再現像ユニット５において、先ず基板Ｇは、図７（ｂ）に示すように、エッチング処理によりフォトレジスト２０６の表面に生じた変質層２０７を、例えばアルカリ溶液からなるエッチング液に曝すことにより除去する前処理が行われる（図４のステップＳ１）。
前記前処理後、図７（ｃ）に示す状態の基板Ｇは、不要な薄膜部分のレジストを除去するために再現像処理が行われ、図７（ｄ）に示すように厚膜部分のレジストが残る状態となされる（図４のステップＳ２）。即ち、マスクすべき所定エリアであるターゲットＴｇの周囲にレジスト２０６が残る状態になされる。 In the remover / re-development unit 5, first, as shown in FIG. 7B, the substrate G is exposed to an altered layer 207 formed on the surface of the photoresist 206 by etching, for example, by an etching solution made of an alkaline solution. Preprocessing for removal is performed (step S1 in FIG. 4).
After the pretreatment, the substrate G in the state shown in FIG. 7C is subjected to a redevelopment process in order to remove the unnecessary thin-film resist, and the thick-film resist shown in FIG. Is left (step S2 in FIG. 4). That is, the resist 206 is left around the target Tg, which is a predetermined area to be masked.

次いで基板Ｇは基板搬送部４により熱処理装置８に搬送されて所定の熱処理が行われた後、基板搬送部４によりリフローユニット７に搬送され、そこでレジスト２０６を溶解するリフロー処理が行われる（図４のステップＳ３）。そして処理レシピに定められた所定時間の間、フォトレジストの溶解処理を行うことにより、ターゲットＴｇをマスクするレジストパターンが形成される。   Next, the substrate G is transferred to the heat treatment apparatus 8 by the substrate transfer unit 4 and subjected to a predetermined heat treatment, and then transferred to the reflow unit 7 by the substrate transfer unit 4, where reflow processing for dissolving the resist 206 is performed (FIG. 4 step S3). A resist pattern for masking the target Tg is formed by dissolving the photoresist for a predetermined time set in the processing recipe.

また、リフローユニット７でのレジストパターン形成がなされた基板Ｇは、基板搬送部４により熱処理装置８に搬送され、加熱によるレジストパターンの定着処理が行われる。そして、再び基板搬送部４によりカセットステーション２のカセットに戻され、その後、エッチング装置５２に搬送される。   The substrate G on which the resist pattern is formed in the reflow unit 7 is transported to the heat treatment apparatus 8 by the substrate transport unit 4 and a resist pattern fixing process is performed by heating. Then, the substrate is again returned to the cassette of the cassette station 2 by the substrate transfer unit 4 and then transferred to the etching apparatus 52.

次に、図５のフロー図に従い、さらに図２、図３のリムーバ・再現像ユニット５の断面図、平面図を用いて、前記前処理及び再現像処理の工程について詳細に説明する。
リムーバ・再現像ユニット５に搬入された基板Ｇは、スピンチャック１８により水平状態に吸着保持される。即ち、スピンチャック１８がアウターカップ１０の上方まで上昇駆動され、基板Ｇが図示しないアームによりスピンチャック１８上に受け渡される。そして、スピンチャック１８が下降駆動され、基板Ｇはアウターカップ１０内に収容される。 Next, according to the flowchart of FIG. 5, the steps of the pretreatment and the redevelopment treatment will be described in detail with reference to cross-sectional views and plan views of the remover / redevelopment unit 5 of FIGS. 2 and 3.
The substrate G carried into the remover / redevelopment unit 5 is sucked and held in a horizontal state by the spin chuck 18. That is, the spin chuck 18 is driven up to above the outer cup 10, and the substrate G is transferred onto the spin chuck 18 by an arm (not shown). Then, the spin chuck 18 is driven downward, and the substrate G is accommodated in the outer cup 10.

アウターカップ１０内に収容された基板Ｇに対しては、先ずフォトレジスト２０６表面の変質層２０７を剥離して除去する前処理が行われる。即ち、リニアノズル１２、１３が上下駆動機構２０によりＺ方向（鉛直方向）に上昇移動され、さらにリニアガイド機構２１によりアウターカップ２０上方に移動される。そして、上下駆動機構２０によりリニアノズル１２のみが下降移動され、リニアノズル１２がカップ１０内のＢＥＧＩＮ位置に位置される。   The substrate G accommodated in the outer cup 10 is first subjected to a pretreatment for peeling off and removing the altered layer 207 on the surface of the photoresist 206. That is, the linear nozzles 12 and 13 are moved upward in the Z direction (vertical direction) by the vertical drive mechanism 20, and are further moved above the outer cup 20 by the linear guide mechanism 21. Then, only the linear nozzle 12 is moved downward by the vertical drive mechanism 20, and the linear nozzle 12 is positioned at the BEGIN position in the cup 10.

次いでリニアノズル１２にアルカリ溶液からなるエッチング液が供給されてノズル先端から基板Ｇ上に吐出されると共に、リニアノズル１２はリニアガイド機構２１によりＸ方向にスキャン駆動され、ＥＮＤ位置で停止する。これにより基板Ｇ上には一様にエッチング液が塗布される（図５のステップＳ１）。
基板Ｇ上にエッチング液が塗布されると、リニアノズル１２は上下駆動機構２０及びリニアガイド機構２１の駆動によりリニアノズル１３と共に再び待機部２２、２３に戻される。 Next, an etching solution made of an alkaline solution is supplied to the linear nozzle 12 and discharged onto the substrate G from the nozzle tip, and the linear nozzle 12 is scan-driven in the X direction by the linear guide mechanism 21 and stops at the END position. As a result, the etching solution is uniformly applied onto the substrate G (step S1 in FIG. 5).
When the etching liquid is applied onto the substrate G, the linear nozzle 12 is returned to the standby units 22 and 23 together with the linear nozzle 13 by driving the vertical drive mechanism 20 and the linear guide mechanism 21.

一方、エッチング液が塗布された基板Ｇは、所定時間放置され、これにより変質層２０７がフォトレジスト２０６から剥離し、分離状態になされる（図５のステップＳ２）。
次いで、リンスノズル１５が上下動機構２４によりＺ方向に上昇移動され、リニアガイド機構２５により基板Ｇの中央上方まで移動される。そして、リンスノズル１５に例えば純水からなるリンス液が供給され、ノズル先端から基板Ｇ上にリンス液が吐出される。尚、このリンス液吐出の際には、スピンチャック駆動機構１９によりスピンチャック１８が軸周りに所定の回転数（例えば１２００ｒｐｍ）で高速回転し、これにより回転される基板Ｇ上にリンス液が供給されて、基板Ｇ全体が洗浄処理され、フォトレジスト２０６から分離した変質層２０７の大部分がエッチング液と共に基板上から流し落とされる（図５のステップＳ３）。 On the other hand, the substrate G to which the etching solution is applied is left for a predetermined time, whereby the altered layer 207 is peeled off from the photoresist 206 to be separated (step S2 in FIG. 5).
Next, the rinse nozzle 15 is moved upward in the Z direction by the vertical movement mechanism 24 and is moved to the upper center of the substrate G by the linear guide mechanism 25. Then, a rinse liquid made of pure water, for example, is supplied to the rinse nozzle 15, and the rinse liquid is discharged onto the substrate G from the nozzle tip. When the rinse liquid is discharged, the spin chuck drive mechanism 19 rotates the spin chuck 18 at a high speed around the axis at a predetermined rotation speed (for example, 1200 rpm), so that the rinse liquid is supplied onto the substrate G rotated by the spin chuck 18. Then, the entire substrate G is cleaned, and most of the altered layer 207 separated from the photoresist 206 is washed off from the substrate together with the etching solution (step S3 in FIG. 5).

このリンス工程の後、リンスノズル１５が待機位置に戻される一方、スピンチャック１８は、制御部１７の制御により、例えば１２００ｒｐｍの基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間のみ基板Ｇを回転し、その遠心力によりリンス液を振り切る乾燥処理を行う。即ち、基板上のリンス液の大部分は除去されるが、少なくとも基板全面にリンス液が残る状態（生乾き状態）で基板回転を停止する制御がなされる（図５のステップＳ４）。
これは、例えば基板上からリンス液を全て排除し、完全に乾燥した状態にした場合、基板上から排除しきれずに残った変質層２０７の断片が、基板表面に固着し、その後の再現像処理での変質層２０７の排除が困難となるためである。 After this rinsing step, the rinsing nozzle 15 is returned to the standby position, while the spin chuck 18 rotates the substrate G only for 15 to 20 seconds at a substrate rotation speed of 1200 rpm, for example, under the control of the control unit 17, Dry the rinse solution by force. That is, most of the rinsing liquid on the substrate is removed, but at least the rinsing liquid remains on the entire surface of the substrate (raw dry state), and the substrate rotation is controlled (step S4 in FIG. 5).
This is because, for example, when all of the rinsing liquid is removed from the substrate and the substrate is completely dried, fragments of the altered layer 207 remaining without being completely removed from the substrate are fixed to the substrate surface, and then re-development processing is performed. This is because it is difficult to eliminate the deteriorated layer 207 in the above.

前記のように前処理が行われた後、次いで、不要なレジスト２０６（薄膜部）を除去する再現像処理が行われる。再現像処理では先ず、待機部２２、２３に位置するリニアノズル１２、１３が上下駆動機構２０によりＺ方向に上昇移動され、さらにリニアガイド機構２１によりアウターカップ２０上方に移動される。そして、上下駆動機構２０によりリニアノズル１３のみが下降移動され、リニアノズル１３がカップ１０内のＢＥＧＩＮ位置に位置される。   After the pretreatment is performed as described above, a redevelopment treatment is then performed to remove unnecessary resist 206 (thin film portion). In the re-development process, first, the linear nozzles 12 and 13 positioned in the standby portions 22 and 23 are moved upward in the Z direction by the vertical drive mechanism 20 and further moved above the outer cup 20 by the linear guide mechanism 21. Then, only the linear nozzle 13 is moved downward by the vertical drive mechanism 20, and the linear nozzle 13 is positioned at the BEGIN position in the cup 10.

次いでリニアノズル１３に薬液が供給されてノズル先端から基板Ｇ上に吐出されると共に、リニアノズル１３はリニアガイド機構２１によりＸ方向にスキャン駆動され、ＥＮＤ位置で停止する。これにより基板Ｇ上には一様に薬液が塗布される（図５のステップＳ５）。
基板Ｇ上に薬液が塗布されると、リニアノズル１３は上下駆動機構２０及びリニアガイド機構２１の駆動により再び待機部２２、２３に戻される。 Next, a chemical solution is supplied to the linear nozzle 13 and discharged onto the substrate G from the tip of the nozzle, and the linear nozzle 13 is scan-driven in the X direction by the linear guide mechanism 21 and stops at the END position. Thereby, a chemical | medical solution is uniformly apply | coated on the board | substrate G (step S5 of FIG. 5).
When the chemical solution is applied onto the substrate G, the linear nozzle 13 is returned to the standby units 22 and 23 again by driving the vertical drive mechanism 20 and the linear guide mechanism 21.

一方、薬液が塗布された基板Ｇは、所定時間放置され、これによりレジスト薄膜部分がエッチング除去される。
次いで、リンスノズル１５が上下動機構２４によりＺ方向に上昇移動され、リニアガイド機構２５により基板Ｇの中央上方まで移動される。そして、リンスノズル１５に純水からなるリンス液が供給され、ノズル先端から基板Ｇ上にリンス液が吐出される。 On the other hand, the substrate G to which the chemical solution is applied is left for a predetermined time, and the resist thin film portion is removed by etching.
Next, the rinse nozzle 15 is moved upward in the Z direction by the vertical movement mechanism 24 and is moved to the upper center of the substrate G by the linear guide mechanism 25. Then, a rinse liquid made of pure water is supplied to the rinse nozzle 15, and the rinse liquid is discharged onto the substrate G from the nozzle tip.

尚、このリンス液吐出の際には、スピンチャック駆動機構１９によりスピンチャック１８が鉛直軸周りに所定の回転数（例えば１２００ｒｐｍ）で高速回転し、これにより回転される基板Ｇ上にリンス液が供給されて、基板Ｇ全体が洗浄処理され、薬液が基板上から流し落とされる（図５のステップＳ７）。   When discharging the rinse liquid, the spin chuck drive mechanism 19 causes the spin chuck 18 to rotate at a high speed around the vertical axis at a predetermined rotation speed (for example, 1200 rpm), so that the rinse liquid is applied onto the substrate G rotated by the rotation. Then, the entire substrate G is cleaned, and the chemical solution is poured off from the substrate (step S7 in FIG. 5).

また、このリンス液による洗浄処理により、前処理で排除しきれずに残った変質層２０７の断片が基板上から略排除される。即ち、前処理後においては少なくとも基板全面にリンス液が残存し、その中に排除されずに残った変質層２０７の断片が基板表面に固着せずに存在するため、その後の薬液を除去する基板洗浄の際に容易に基板上から流し落とされる。   In addition, the rinse treatment with the rinse solution substantially eliminates the fragments of the altered layer 207 that cannot be completely removed in the pretreatment from the substrate. That is, after the pretreatment, the rinsing liquid remains at least on the entire surface of the substrate, and the fragments of the altered layer 207 that remain without being removed are present in the substrate surface without adhering to the substrate surface. It is easily washed off from the substrate during cleaning.

このリンス工程の後、リンスノズル１５が待機位置に戻される一方、スピンチャック１８は、例えば１２００ｒｐｍの回転数で基板を所定時間（例えば４０ｓｅｃ）回転し、その遠心力によりリンス液を完全に振り切る工程が行われる（図５のステップＳ８）。   After the rinsing step, the rinsing nozzle 15 is returned to the standby position, while the spin chuck 18 rotates the substrate for a predetermined time (for example, 40 sec) at, for example, 1200 rpm, and completely shakes off the rinsing liquid by the centrifugal force. Is performed (step S8 in FIG. 5).

以上の本発明に係る基板処理装置の実施の形態によれば、前記前処理の工程において、フォトレジストから変質層が剥離された基板をリンス液により洗浄後、乾燥処理を行う際、基板を完全に乾燥せず、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態になされる。
即ち、前処理での基板洗浄により基板上から排除されなかった変質層の断片が、基板表面に固着しないようになされる。このようになされることにより、再現像処理での基板洗浄において、基板上の変質層の断片を容易に除去することが可能となり、変質層の残存に起因するパターン不良を抑制することができる。 According to the above-described embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention, in the preprocessing step, the substrate from which the deteriorated layer has been peeled off from the photoresist is washed with a rinse solution and then subjected to a drying process. The rinsing liquid remains at least on the entire surface of the substrate without drying.
That is, the fragment of the altered layer that has not been removed from the substrate by the substrate cleaning in the pretreatment is prevented from adhering to the substrate surface. By doing so, it becomes possible to easily remove the fragment of the deteriorated layer on the substrate in the substrate cleaning in the redevelopment process, and it is possible to suppress the pattern defect due to the remaining of the deteriorated layer.

また、前記リムーバ・再現像処理ユニット５の構成によれば、前処理と再現像処理とを同一ハウジング内で行うため、前処理後に基板Ｇをハウジング外に搬出する必要がない。即ち、ハウジング外に形成されるダウンフローの影響を受けないため、前処理後の基板表面の乾燥状態の制御を容易にすることができる。   Further, according to the configuration of the remover / re-development processing unit 5, since the pre-processing and the redevelopment processing are performed in the same housing, it is not necessary to carry the substrate G out of the housing after the pre-processing. That is, since it is not affected by the downflow formed outside the housing, it is possible to easily control the dry state of the substrate surface after the pretreatment.

尚、前記実施の形態においては、図２、図３に示したようにリニアノズル１２、１３を共通の上下駆動機構２０及びリニアガイド機構２１によりスキャン駆動等を行うようにしたが、それに限定されず、夫々独立した駆動機構を有する構成であってもよい。
また、エッチング液を供給するリニアノズル１２、薬液を供給するリニアノズル１３、リンス液を供給するリンスノズル１５の３つのノズルを有する構成としたが、ノズルの数を限定する必要はなく、３種類の処理液を切り換えて供給可能な構成であればよい。 In the above embodiment, the linear nozzles 12 and 13 are scanned and driven by the common vertical drive mechanism 20 and linear guide mechanism 21 as shown in FIGS. 2 and 3, but the present invention is not limited to this. Instead, a structure having independent drive mechanisms may be used.
Moreover, although it was set as the structure which has three nozzles, the linear nozzle 12 which supplies etching liquid, the linear nozzle 13 which supplies chemical | medical solution, and the rinse nozzle 15 which supplies rinse liquid, it is not necessary to limit the number of nozzles, and three types Any configuration can be used as long as the processing liquid can be switched and supplied.

また、前記実施の形態においては、リムーバ・再現像処理ユニット５は、スピンチャックにより基板を保持した状態で処理工程を実施する例を示したが、本発明に係る基板処理装置においては、その形態に限定されるものではない。
例えば、図６に概略構成を示すように、コロ機構により搬送される基板Ｇに対し連続して処理を行うように構成してもよい。
その場合、図６に示すように、リムーバ・再現像ユニット５は、一つのハウジング内に前処理部３０と再現像処理部３１とを有し、コロ搬送装置３２により基板Ｇが前処理部３０から再現像処理部３１に向けて搬送され、その搬送経路において各処理工程が行われる。 In the above-described embodiment, the remover / re-development processing unit 5 performs the processing step while holding the substrate by the spin chuck. However, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the configuration is shown. It is not limited to.
For example, as shown in a schematic configuration in FIG. 6, the substrate G conveyed by the roller mechanism may be continuously processed.
In this case, as shown in FIG. 6, the remover / re-development unit 5 has a pre-processing unit 30 and a redevelopment processing unit 31 in one housing, and the substrate G is transferred to the pre-processing unit 30 by the roller transport device 32. To the redevelopment processing unit 31, and each processing step is performed in the transport path.

即ち、前処理部３０では、コロ搬送される基板Ｇに対し、フォトレジスト表面の変質層を剥離するウェットエッチング液を吐出するリニアノズル３３（第一の処理液供給手段）、剥離された変質層及びウェットエッチング液を洗い流すためのリンス液を吐出するリンスノズル３４（第三の処理液供給手段）、さらに基板Ｇ上に対し送風することによりリンス液を除去するブロー装置３５（乾燥手段）が、処理方向に沿って順に設けられる。   That is, in the pretreatment unit 30, the linear nozzle 33 (first treatment liquid supply means) that discharges the wet etching liquid for peeling the altered layer on the photoresist surface to the substrate G to be transported, and the peeled altered layer And a rinsing nozzle 34 (third processing liquid supply means) for discharging a rinsing liquid for washing away the wet etching liquid, and a blower 35 (drying means) for removing the rinsing liquid by blowing air over the substrate G, They are provided in order along the processing direction.

また再現像処理部３１では、コロ搬送される基板Ｇに対し、不要なフォトレジスト薄膜部を除去するための薬液を吐出するリニアノズル３６（第二の処理液供給手段）、除去されたレジスト及び薬液を洗い流すためのリンス液を吐出するリンスノズル３７（第三の処理液供給手段）、さらに基板Ｇ上に対し送風することによりリンス液を除去するブロー装置３８（乾燥手段）が、処理方向に沿って順に設けられる。   Further, in the redevelopment processing section 31, a linear nozzle 36 (second processing liquid supply means) that discharges a chemical solution for removing an unnecessary photoresist thin film portion on the roller-conveyed substrate G, the removed resist, A rinsing nozzle 37 (third processing liquid supply means) for discharging a rinsing liquid for washing away the chemical liquid, and a blow device 38 (drying means) for removing the rinsing liquid by blowing air over the substrate G are provided in the processing direction. Are provided in order.

この場合、リムーバ・再現像処理ユニット５では、先ず前処理部３０において変質層２０７がフォトレジスト２０６から剥離され除去されるが、ブロー装置３５による乾燥処理においては、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理が停止される。即ち、前処理での基板洗浄により基板上から排除されなかった変質層の断片が、基板表面に固着しないようになされる。   In this case, in the remover / re-development processing unit 5, the deteriorated layer 207 is first peeled off and removed from the photoresist 206 in the preprocessing unit 30. The process is stopped while That is, the fragment of the altered layer that has not been removed from the substrate by the substrate cleaning in the pretreatment is prevented from adhering to the substrate surface.

そして、基板Ｇはその全面にリンス液が残存する状態で再現像処理部３１にコロ搬送され、薬液による再現像処理後、リンスノズル３７から吐出されるリンス液によって洗浄される。ここで、前処理後に基板上に残された変質層２０７の断片は、基板表面に固着していないため、薬液や不要なレジストと共に基板から容易に洗い流され排除される。   Then, the substrate G is transferred to the re-development processing unit 31 in a state where the rinse liquid remains on the entire surface, and is washed with the rinse liquid discharged from the rinse nozzle 37 after the redevelopment process with the chemical liquid. Here, since the fragment of the altered layer 207 left on the substrate after the pretreatment is not fixed to the substrate surface, it is easily washed away from the substrate together with the chemical solution and unnecessary resist.

このようにリムーバ・再現像処理ユニット５は、コロ搬送により搬送される基板を枚葉処理する形態であってもよく、この場合、連続的に複数の基板を処理可能であるため、図２、３に示した形態よりも基板搬送時間の短縮、装置コストの低減といった効果を得ることができる。   In this way, the remover / re-development processing unit 5 may be configured to perform single wafer processing on the substrate conveyed by roller conveyance. In this case, since a plurality of substrates can be processed continuously, FIG. Compared with the configuration shown in FIG. 3, it is possible to obtain effects such as shortening the substrate transport time and reducing the apparatus cost.

続いて、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、図２、図３に示した構成を用いて前処理及び再現像処理を行い、本発明の効果について検証した。
具体的には、前処理でのリンス液の乾燥処理において、スピンドライによる振り切り時間の変化とブロー処理の有無とが、再現像処理での乾燥処理後における変質層の有無にどのように影響するのかを検証した。また、処理液による斑の発生の有無についても検査した。この斑が生じた場合、製品となったディスプレイ上で斑となって見える不良となる。 Subsequently, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention will be further described based on examples. In this example, pre-processing and redevelopment processing were performed using the configuration shown in FIGS. 2 and 3, and the effects of the present invention were verified.
Specifically, in the drying treatment of the rinse liquid in the pretreatment, how the change in the sprinkling time by spin drying and the presence or absence of the blow treatment affect the presence or absence of the altered layer after the drying treatment in the redevelopment treatment. I verified it. In addition, the presence or absence of spots caused by the treatment liquid was also examined. When this spot occurs, it becomes a defect that appears as a spot on the product display.

実験条件は、前処理工程において、リンス液振り切り時の基板回転数を１２００ｒｐｍ、振り切り時間を１０、１５、２０ｓｅｃの３パターン、リンス量７Ｌ／ｍｉｎを２０ｓｅｃ供給、ブロー流量を３０Ｌ／ｍｉｎとした。
実験結果を表１に示す。 In the pretreatment step, the experimental conditions were that the substrate rotation speed at the time of rinsing liquid shaking was 1200 rpm, the shaking time was 3 patterns of 10, 15, and 20 sec, the rinsing amount was 7 L / min for 20 sec, and the blow flow rate was 30 L / min.
The experimental results are shown in Table 1.

Figure 0004674904
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この表１に示される結果から、ブロー乾燥を併用することにより乾燥状態が強くなると変質層の残りが生じ、乾燥状態が弱いとリンス液とエッチング液（アルカリ溶液）との混合による斑が生じやすいと考察された。また、ブロー乾燥無しで１５〜２０ｓｅｃの振り切り処理が最適であることを確認した。
したがって、この実施例の結果、前処理工程におけるリンス液の乾燥処理において、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止すれば、その後の再現像処理において変質層を排除することができ、変質層残りに起因するパターン不良を抑制することができることを確認した。 From the results shown in Table 1, when the dry state becomes stronger by using blow drying together, the altered layer remains, and when the dry state is weak, spots due to mixing of the rinse solution and the etching solution (alkaline solution) are likely to occur. It was considered. Further, it was confirmed that the shake-off treatment for 15 to 20 seconds without blow drying was optimal.
Therefore, as a result of this embodiment, in the rinsing liquid drying process in the pretreatment process, if the process is stopped with at least the rinsing liquid remaining on the entire surface of the substrate, the deteriorated layer can be eliminated in the subsequent re-development process. It was confirmed that pattern defects caused by the altered layer residue can be suppressed.

本発明は、複数回に亘りフォトレジストパターンを形成する工程に適用することができ、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。   The present invention can be applied to a process of forming a photoresist pattern a plurality of times, and can be suitably used in the electronic device manufacturing industry and the like.

図１は、本発明に係る基板処理装置としてのリムーバ・再現像処理ユニットを具備するリフローパターン形成装置のレイアウトを示す平面ブロック図である。FIG. 1 is a plan block diagram showing a layout of a reflow pattern forming apparatus including a remover / re-development processing unit as a substrate processing apparatus according to the present invention. 図２は、リムーバ・再現像処理ユニットの概略構成を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the remover / re-development processing unit. 図３は、リムーバ・再現像処理ユニットの平面図である。FIG. 3 is a plan view of the remover / re-development processing unit. 図４は、リフローパターン形成装置による処理工程を示すフローである。FIG. 4 is a flow showing processing steps by the reflow pattern forming apparatus. 図５は、リムーバ・再現像処理ユニットの処理工程を示すフローである。FIG. 5 is a flowchart showing the processing steps of the remover / re-development processing unit. 図６は、リムーバ・再現像処理ユニットの他の形態を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing another embodiment of the remover / re-development processing unit. 図７は、リフロー処理によりガラス基板に形成されるＴＦＴの形成過程を説明するための基板の状態を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the state of the substrate for explaining the formation process of the TFT formed on the glass substrate by the reflow process. 図８は、リフロー処理によりガラス基板に形成されるＴＦＴの形成過程を説明するための基板の状態を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing the state of the substrate for explaining the formation process of the TFT formed on the glass substrate by the reflow process.

符号の説明Explanation of symbols

１ リフローパターン形成装置
２ カセットステーション
３ 基板処理部
４ 基板搬送部
５ リムーバ・再現像処理ユニット（基板処理装置）
７ リフローユニット
８ 熱処理装置
１１ 基板保持部（乾燥手段）
１２ リニアノズル（第一の処理液供給手段）
１３ リニアノズル（第二の処理液供給手段）
１５ リンスノズル（第三の処理液供給手段）
１７ 制御部（制御手段）
Ｇ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reflow pattern formation apparatus 2 Cassette station 3 Substrate processing part 4 Substrate conveyance part 5 Remover and redevelopment processing unit (substrate processing apparatus)
7 Reflow unit 8 Heat treatment apparatus 11 Substrate holder (drying means)
12 Linear nozzle (first treatment liquid supply means)
13 Linear nozzle (second processing liquid supply means)
15 Rinse nozzle (third treatment liquid supply means)
17 Control unit (control means)
G substrate

Claims (4)

エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し、基板に新たなフォトレジストパターンを形成するリフロー工程において、前記溶解前の処理を実施する基 板処理装置であって、
前記エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンに形成された変質層を剥離するためのエッチング液を基板に供給する第一の処理液供給手段と、前記変質層が剥離されたフォトレジストパターンから不要なレジストを除去するための薬液を基板に供給する第二の処理液供給手段と、前記第一または第二の処理液供給手段により基板上に供給されたエッチング液または薬液を除去するためのリンス液を基板に供給する第三の処理液供給手段と、基板上のリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う乾燥手段と、前記乾燥手段の動作制御を行う制御手段とを備え、
前記乾燥手段が前記エッチング液の除去に使用されたリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段は、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で乾燥処理を停止させることを特徴とする基板処理装置。 In a reflow process for dissolving a photoresist pattern used as an etching mask and forming a new photoresist pattern on a substrate, a substrate processing apparatus for performing the process before the dissolution,
Unnecessary from the first processing liquid supply means for supplying the substrate with an etching solution for peeling the altered layer formed on the photoresist pattern used as the etching mask, and the altered pattern. A second processing liquid supply means for supplying a chemical solution for removing the resist to the substrate; and a rinsing liquid for removing the etching liquid or chemical solution supplied onto the substrate by the first or second processing liquid supply means. A third treatment liquid supply means for supplying the substrate to the substrate, a drying means for performing a drying process so as to remove the rinse liquid on the substrate from the substrate, and a control means for controlling the operation of the drying means,
When the drying means performs a drying process so as to remove the rinsing liquid used to remove the etching liquid from the substrate, the control means stops the drying process with at least the rinsing liquid remaining on the entire surface of the substrate. A substrate processing apparatus. 前記乾燥手段は、水平状態に保持した前記基板を鉛直軸周りに回転することにより前記リンス液を基板から振りきり除去する手段であって、
前記乾燥手段が前記エッチング液の除去に使用されたリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段は、１２００ｒｐｍ以下の基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間、基板を回転させる処理を実行させることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。 The drying means is a means for removing the rinse liquid from the substrate by rotating the substrate held in a horizontal state around a vertical axis,
When the drying means performs a drying process so as to remove the rinse liquid used for removing the etching liquid from the substrate, the control means rotates the substrate for 15 to 20 seconds at a substrate rotation speed of 1200 rpm or less. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein: エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し、基板に新たなフォトレジストパターンを形成するリフロー工程前に実施される基板処理方法であって、
前記エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンに形成された変質層を剥離するためのエッチング液を基板に塗布するステップと、
前記基板上のエッチング液をリンス液により除去するステップと、
前記基板の乾燥処理を実施し、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止するステップと、
前記変質層が剥離されたフォトレジストパターンから不要なレジストを除去するための薬液を基板に塗布するステップと、
前記基板上の薬液をリンス液により除去するステップと、
前記基板の乾燥処理を実施し、基板上のリンス液を除去するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing method that is performed before a reflow process of dissolving a photoresist pattern used as an etching mask and forming a new photoresist pattern on a substrate,
Applying an etchant to the substrate to remove the altered layer formed on the photoresist pattern used as the etching mask;
Removing the etchant on the substrate with a rinse solution;
Performing a drying process on the substrate, and stopping the process in a state in which the rinse liquid remains on at least the entire surface of the substrate;
Applying a chemical to the substrate to remove unnecessary resist from the photoresist pattern from which the altered layer has been peeled;
Removing the chemical on the substrate with a rinse solution;
Performing a drying process on the substrate and removing a rinse liquid on the substrate. 前記基板の乾燥処理を実施し、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止するステップにおいて、
水平状態に保持した前記基板を鉛直軸周りに１２００ｒｐｍ以下の基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間回転させる処理を実行することを特徴とする請求項３に記載された基板処理方法。 In the step of carrying out the drying treatment of the substrate and stopping the treatment with the rinse liquid remaining at least on the entire surface of the substrate,
4. The substrate processing method according to claim 3, wherein a process of rotating the substrate held in a horizontal state around the vertical axis at a substrate rotation speed of 1200 rpm or less for 15 to 20 seconds is performed.
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