JP2001284206A - Device and method for treating substrate - Google Patents

Device and method for treating substrate

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JP2001284206A
JP2001284206A JP2000092660A JP2000092660A JP2001284206A JP 2001284206 A JP2001284206 A JP 2001284206A JP 2000092660 A JP2000092660 A JP 2000092660A JP 2000092660 A JP2000092660 A JP 2000092660A JP 2001284206 A JP2001284206 A JP 2001284206A
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Takayuki Toshima
孝之 戸島
Takehiko Orii
武彦 折居
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Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make the developing capacity of a developer supplied onto a substrate uniform on the surface of the substrate. SOLUTION: The developer and a rinsing solution are simultaneously supplied onto a wafer W from a developer supply nozzle 40 and a rinsing solution supply nozzle 11 by moving the nozzles 40 and 11 while the wafer W is rotated. Since the nozzle 11 is positioned in the direction in which the rinsing solution dropped onto the wafer W is diffused, the diffused developer already used for development is immediately removed by the rinsing solution. Consequently, a new developer having a high developing power is supplied over the whole surface of the wafer W and, accordingly, no development blur occurs on the surface of the wafer W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ等
の被処理基板の表面に現像液や洗浄液等の処理液を塗布
する基板処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for applying a processing liquid such as a developing solution or a cleaning liquid to a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体デバイス(ICチップ)やLCD
の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィー技術
を利用することで、半導体ウエハやガラス基板等の被処
理基板の表面に微細なパターンを高精度かつ高密度に形
成する。
2. Description of the Related Art Semiconductor devices (IC chips) and LCDs
In the manufacturing process, a fine pattern is formed with high precision and high density on the surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate by utilizing a photolithography technique.
【0003】例えば、半導体デバイスの製造において
は、半導体ウエハの表面にレジスト液を塗布した後、こ
れを所定のパターンに露光し、さらに現像処理・エッチ
ング処理することにより所定の回路パターンを形成する
ようにしている。
In the manufacture of semiconductor devices, for example, a resist solution is applied to the surface of a semiconductor wafer, and then the resist solution is exposed to a predetermined pattern, and then subjected to a development process and an etching process to form a predetermined circuit pattern. I have to.
【0004】近年、フォトリソグラフィ技術によって形
成するべき半導体回路の線幅がますます微細化する傾向
にあり、これに伴い現像処理時における現像処理の被処
理基板面内均一性が厳しく要求されている。
In recent years, the line width of a semiconductor circuit to be formed by the photolithography technique has been increasingly miniaturized, and accordingly, there has been a strict demand for uniformity of the development processing in the surface of the substrate during the development processing. .
【0005】現像液の塗布は、例えばスピンコーティン
グ法で行うことができ、このスピンコーティング法で
は、ウエハの中央付近に現像液を滴下し、ウエハを回転
させることにより、現像液を遠心力により拡散する。現
像液がウエハ全面に塗布された後、ウエハの中央付近に
リンス液を滴下、拡散することによりウエハ上の現像液
を除去する。
The application of the developing solution can be performed by, for example, a spin coating method. In this spin coating method, the developing solution is dropped near the center of the wafer, and the developing solution is diffused by centrifugal force by rotating the wafer. I do. After the developing solution is applied to the entire surface of the wafer, the developing solution on the wafer is removed by dropping and diffusing a rinsing solution near the center of the wafer.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このような現像液塗布
の場合、現像液が滴下されるウエハの中心部では、新鮮
な現像液が塗布されるものの、ウエハの周縁部では、現
像処理が済んだ現像液を含む液が塗布される。このた
め、ウエハの中心部と周縁部とでは、現像処理能力が異
なり、面内で均一に現像処理することが困難であった。
In the case of such a developing solution application, a fresh developing solution is applied at the center of the wafer where the developing solution is dropped, but the developing process is not completed at the peripheral portion of the wafer. A solution containing a developer is applied. For this reason, the developing ability differs between the central part and the peripheral part of the wafer, and it has been difficult to perform uniform developing processing in the plane.
【0007】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、被処理基板上に常に新鮮な処理液を供給
し、基板全面を高い現像処理能力の現像液で処理するこ
とができる基板処理装置及び基板処理方法を提供するこ
とを目的とする。
[0007] The present invention has been made in view of such circumstances, and a substrate capable of constantly supplying a fresh processing solution onto a substrate to be processed and treating the entire surface of the substrate with a developing solution having a high developing processing capability. It is an object to provide a processing apparatus and a substrate processing method.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、本発明の基板処理装置は、基板を水平に保持する基
板保持機構と、前記基板を水平面内で回転させる回転機
構と、前記回転機構により前記基板が回転した状態で、
前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動し
て前記基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記基板上に供給された処理液の拡散方向に位置するよ
うに前記処理液供給ノズルに隣接して配置され、前記処
理液の供給と同時に前記基板上にリンス液を供給するリ
ンス液供給ノズルと、を具備することを特徴とする。
To achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention comprises a substrate holding mechanism for holding a substrate horizontally, a rotating mechanism for rotating the substrate in a horizontal plane, and a rotating mechanism for rotating the substrate in a horizontal plane. In a state where the substrate is rotated by a mechanism,
A processing liquid supply nozzle that moves along a direction connecting an outer edge portion and a center portion of the substrate to supply a processing liquid onto the substrate,
A rinsing liquid supply nozzle disposed adjacent to the processing liquid supply nozzle so as to be positioned in a diffusion direction of the processing liquid supplied on the substrate, and a rinsing liquid supply nozzle for supplying a rinsing liquid onto the substrate simultaneously with the supply of the processing liquid; , Is provided.
【0009】本発明のこのような構成によれば、処理液
ノズルより滴下された直後の処理液は新しく、滴下され
た領域では新しい処理液により処理される。そして、こ
の処理済みの液は基板の回転により拡散するが、この拡
散された処理済の液はリンス液供給ノズルから供給され
るリンス液によりただちに除去される。このため、基板
上には常に新しい処理液が供給されることとなり、基板
全面に高い処理能力の処理液が供給される。従って、基
板全面で処理むらがなく、効率良く処理が行われる。
According to such a configuration of the present invention, the processing liquid immediately after being dropped from the processing liquid nozzle is new, and the area where the processing liquid is dropped is treated with the new processing liquid. The processed liquid is diffused by the rotation of the substrate, and the diffused processed liquid is immediately removed by the rinsing liquid supplied from the rinsing liquid supply nozzle. Therefore, a new processing liquid is always supplied onto the substrate, and a processing liquid having a high processing capability is supplied to the entire surface of the substrate. Therefore, there is no processing unevenness on the entire surface of the substrate, and the processing is performed efficiently.
【0010】また、本発明の基板処理装置は、基板を水
平に保持する基板保持機構と、前記基板を水平面内で回
転させる回転機構と、前記回転機構により前記基板が回
転した状態で、前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向
に沿って移動して前記基板上に処理液を供給する処理液
供給ノズルと、前記基板上に供給された前記処理液が処
理に使用された後の処理済み液を除去するリンス液を、
前記処理液の供給と同時に前記基板に供給するリンス液
供給ノズルと、を具備することを特徴とする。
Further, the substrate processing apparatus of the present invention includes a substrate holding mechanism for holding the substrate horizontally, a rotating mechanism for rotating the substrate in a horizontal plane, and a method for rotating the substrate in a state where the substrate is rotated by the rotating mechanism. A processing solution supply nozzle that moves along a direction connecting an outer edge portion and a center portion of the substrate to supply a processing solution onto the substrate; and a process after the processing solution supplied onto the substrate is used for the process. Rinse solution to remove
A rinsing liquid supply nozzle for supplying the processing liquid to the substrate simultaneously with the supply of the processing liquid.
【0011】本発明のこのような構成によれば、処理液
ノズルより滴下された直後の処理液は新しく、滴下され
た領域では新しい処理液により処理される。そして、こ
の処理済みの液は直ちにリンス液により除去されるの
で、基板上には常に新しい処理液が供給されることとな
り、基板全面に高い処理能力の処理液が供給される。従
って、基板全面で処理むらがなく、効率良く処理が行わ
れる。
According to such a configuration of the present invention, the processing liquid immediately after being dropped from the processing liquid nozzle is new, and the area where the processing liquid is dropped is treated with the new processing liquid. Then, the processed liquid is immediately removed by the rinsing liquid, so that a new processing liquid is always supplied onto the substrate, and a processing liquid having a high processing capability is supplied to the entire surface of the substrate. Therefore, there is no processing unevenness on the entire surface of the substrate, and the processing is performed efficiently.
【0012】本発明の基板処理方法は、水平保持された
基板を回転させ、処理液供給ノズル及びリンス液供給ノ
ズルを前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って
移動させながら、前記処理液供給ノズル及び前記リンス
液供給ノズルからそれぞれ処理液及びリンス液を前記基
板に対し供給する基板処理方法であって、前記リンス液
供給ノズルは、前記基板上に供給された前記処理液が拡
散する方向に位置することを特徴とする。
In the substrate processing method of the present invention, the substrate held horizontally is rotated, and the processing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle are moved along a direction connecting an outer edge portion and a center portion of the substrate. A substrate processing method for supplying a processing liquid and a rinsing liquid to the substrate from a processing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle, respectively, wherein the rinsing liquid supply nozzle diffuses the processing liquid supplied onto the substrate. In the direction in which
【0013】本発明のこのような構成によれば、処理液
ノズルより滴下された直後の処理液は新しく、滴下され
た領域では新しい処理液により処理される。そして、こ
の処理済みの液は基板の回転により拡散するが、この拡
散された処理済の液はリンス液供給ノズルから供給され
るリンス液によりただちに除去される。このため、基板
上には常に新しい処理液が供給されることとなり、基板
全面に高い処理能力の処理液が供給される。従って、基
板全面で処理むらがなく、効率良く処理が行われる。
According to such a configuration of the present invention, the processing liquid immediately after being dropped from the processing liquid nozzle is new, and the area where the processing liquid is dropped is treated with the new processing liquid. The processed liquid is diffused by the rotation of the substrate, and the diffused processed liquid is immediately removed by the rinsing liquid supplied from the rinsing liquid supply nozzle. Therefore, a new processing liquid is always supplied onto the substrate, and a processing liquid having a high processing capability is supplied to the entire surface of the substrate. Therefore, there is no processing unevenness on the entire surface of the substrate, and the processing is performed efficiently.
【0014】また、本発明の基板処理方法は、水平保持
された基板を回転させ、処理液供給ノズル及びリンス液
供給ノズルを前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に
沿って移動させながら、前記処理液供給ノズル及び前記
リンス液供給ノズルからそれぞれ処理液及びリンス液を
前記基板に対し供給する基板処理方法であって、前記リ
ンス液は、前記基板上に供給された前記処理液が処理に
使用された後の処理済み液を除去することを特徴とす
る。
Further, according to the substrate processing method of the present invention, the horizontally held substrate is rotated, and the processing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle are moved along a direction connecting the outer edge and the center of the substrate. A substrate processing method for supplying a processing liquid and a rinsing liquid to the substrate from the processing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle, respectively, wherein the rinsing liquid is processed by the processing liquid supplied to the substrate; It is characterized in that the treated liquid after used in the above is removed.
【0015】本発明のこのような構成によれば、処理液
ノズルより滴下された直後の処理液は新しく、滴下され
た領域では新しい処理液により処理される。そして、こ
の処理済みの液は直ちにリンス液により除去されるの
で、基板上には常に新しい処理液が供給されることとな
り、基板全面に高い処理能力の処理液が供給される。従
って、基板全面で処理むらがなく、効率良く処理が行わ
れる。
According to such a configuration of the present invention, the processing liquid immediately after being dropped from the processing liquid nozzle is new, and the area where the processing liquid is dropped is processed by the new processing liquid. Then, the processed liquid is immediately removed by the rinsing liquid, so that a new processing liquid is always supplied onto the substrate, and a processing liquid having a high processing capability is supplied to the entire surface of the substrate. Therefore, there is no processing unevenness on the entire surface of the substrate, and the processing is performed efficiently.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下この発明の一実施形態を図面
を参照して説明する。図1は、この発明を、半導体ウエ
ハ(以下「ウエハW」という)の表面に処理液として洗
浄液を供給する洗浄処理装置に適用した例を示す概略構
成図である。また、図2は、この装置を上方から見た平
面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example in which the present invention is applied to a cleaning processing apparatus that supplies a cleaning liquid as a processing liquid to a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer W”). FIG. 2 is a plan view of the device as viewed from above.
【0017】更に、図3は、この発明を、ウエハWの表
面に処理液としての現像液を供給する現像処理装置に適
用した例を示す概略構成図である。また、図4は、この
装置を上方から見た平面図である。
FIG. 3 is a schematic structural view showing an example in which the present invention is applied to a developing apparatus for supplying a developing solution as a processing solution to the surface of a wafer W. FIG. 4 is a plan view of the device as viewed from above.
【0018】図1に示すように、洗浄処理装置は、基板
保持機構としてその上面にウエハWを水平に吸着保持
し、かつこのウエハWを回転駆動及び昇降駆動するスピ
ンチャック110を有する。このスピンチャック110
の上方には、このウエハWに対向位置決め可能に保持さ
れ、ウエハW上に洗浄液を滴下するための洗浄液供給ノ
ズル140と、リンス液としての純水を滴下するための
リンス液供給ノズル111とが隣接して配置されてい
る。洗浄液供給ノズル140は、供給管141及びエア
ーオペレーティドバルブや電磁弁などの制御弁142を
介して洗浄液タンク143に接続されている。リンス液
供給ノズル111は、供給管112及びエアーオペレー
ティドバルブや電磁弁などの制御弁113を介してリン
ス液タンク114に接続されている。
As shown in FIG. 1, the cleaning apparatus has, as a substrate holding mechanism, a spin chuck 110 for horizontally sucking and holding a wafer W on an upper surface thereof, and for rotating and raising and lowering the wafer W. This spin chuck 110
Above the wafer W, a cleaning liquid supply nozzle 140 for dropping a cleaning liquid onto the wafer W and a rinsing liquid supply nozzle 111 for dropping pure water as a rinsing liquid are held. They are located adjacent to each other. The cleaning liquid supply nozzle 140 is connected to the cleaning liquid tank 143 via a supply pipe 141 and a control valve 142 such as an air operated valve or a solenoid valve. The rinse liquid supply nozzle 111 is connected to a rinse liquid tank 114 via a supply pipe 112 and a control valve 113 such as an air operated valve or a solenoid valve.
【0019】また、洗浄液供給ノズル140及びリンス
液供給ノズル111は、図に示すようにL字状に構成さ
れたZ駆動機構115の先端にホルダ117を介して保
持されている。Z駆動機構115の基端部は、Y駆動機
構116によって保持されている。図2に示すように、
このY駆動機構116は、Y方向に沿って前記カップ1
24の外側にまで延出されたYレール120を有し、洗
浄液供給ノズル140とリンス液供給ノズル111をウ
エハW上とノズル待機部121との間で移動できるよう
になっている。このノズル待機部121は、洗浄液供給
ノズル140及びリンス液供給ノズル111を収納でき
るように構成されていると共に、これらノズルの先端部
を洗浄できるように構成されている。
The cleaning liquid supply nozzle 140 and the rinsing liquid supply nozzle 111 are held via a holder 117 at the tip of an L-shaped Z drive mechanism 115 as shown in the figure. The base end of the Z drive mechanism 115 is held by a Y drive mechanism 116. As shown in FIG.
The Y drive mechanism 116 moves the cup 1 along the Y direction.
The cleaning liquid supply nozzle 140 and the rinsing liquid supply nozzle 111 have a Y rail 120 extending to the outside of the wafer 24 and can be moved between the position above the wafer W and the nozzle standby unit 121. The nozzle standby section 121 is configured to accommodate the cleaning liquid supply nozzle 140 and the rinsing liquid supply nozzle 111, and is configured to be capable of cleaning the tips of these nozzles.
【0020】洗浄液供給ノズル140及びリンス液供給
ノズル111は、図2に示すように、ウエハWの外縁部
と中心部を結ぶ方向、すなわちウエハWの半径に沿った
矢印A方向に沿って移動し、洗浄液供給ノズル140は
矢印A上に常に位置するように移動する。一方、リンス
液供給ノズル111は、矢印A上からはややはずれて位
置し、移動方向(矢印方向)に向かって見て、洗浄液供
給ノズル140の後方に位置する。リンス液供給ノズル
111の位置は、滴下された洗浄液の拡散方向(矢印
B)によって決定され、ウエハW上に滴下された洗浄液
が拡散する領域に、少なくともリンス液が供給されるよ
うに設定すれば良い。尚、洗浄液の塗布はウエハWの回
転とノズルの移動により行われ、洗浄液の拡散方向は、
ウエハWの回転方向によって決定される。
As shown in FIG. 2, the cleaning liquid supply nozzle 140 and the rinsing liquid supply nozzle 111 move in the direction connecting the outer edge and the center of the wafer W, that is, in the direction of arrow A along the radius of the wafer W. The cleaning liquid supply nozzle 140 moves so as to be always positioned on the arrow A. On the other hand, the rinsing liquid supply nozzle 111 is positioned slightly off the arrow A, and is located behind the cleaning liquid supply nozzle 140 when viewed in the moving direction (the direction of the arrow). The position of the rinsing liquid supply nozzle 111 is determined by the diffusion direction (arrow B) of the dropped cleaning liquid, and is set so that at least the rinsing liquid is supplied to a region where the cleaning liquid dropped on the wafer W is diffused. good. The application of the cleaning liquid is performed by rotation of the wafer W and movement of the nozzle.
It is determined by the rotation direction of the wafer W.
【0021】また、前記スピンチャック110の周囲に
は、ウエハWが回転駆動されている最中に飛散する余分
な洗浄液を受けるカップ124が設けられている。
Around the spin chuck 110, there is provided a cup 124 for receiving excess cleaning liquid scattered during rotation of the wafer W.
【0022】図3に示すように、現像処理装置は、上述
の洗浄処理装置と同じ構成をしており、ノズルから供給
される液が違う点で異なる。現像処理装置は、基板保持
機構としてその上面にウエハWを吸着保持し、かつこの
ウエハWを回転駆動及び昇降駆動するスピンチャック1
0を有する。このスピンチャック10の上方には、この
ウエハWに対向位置決め可能に保持され、ウエハW上に
現像液を滴下するための現像液供給ノズル40と、リン
ス液としての例えば純水を滴下するためのリンス液供給
ノズル11とが配置されている。現像液供給ノズル40
は、供給管41及び制御弁42を介して現像液タンク4
3に接続されている。リンス液供給ノズル11は、供給
管12及びエアーオペレーティドバルブや電磁弁などの
制御弁13を介してリンス液タンク14に接続されてい
る。
As shown in FIG. 3, the developing apparatus has the same configuration as the above-mentioned cleaning apparatus, and differs in that the liquid supplied from the nozzle is different. The development processing apparatus includes a spin chuck 1 serving as a substrate holding mechanism that sucks and holds a wafer W on an upper surface thereof, and drives the wafer W to rotate and vertically move.
Has zero. Above the spin chuck 10, a developer supply nozzle 40 that is held so as to be opposed to the wafer W and that allows a developer to be dropped onto the wafer W, and a developer supply nozzle 40 that allows a pure water as a rinse liquid to be dropped, for example. A rinsing liquid supply nozzle 11 is provided. Developer supply nozzle 40
Is connected to the developer tank 4 via the supply pipe 41 and the control valve 42.
3 is connected. The rinsing liquid supply nozzle 11 is connected to a rinsing liquid tank 14 via a supply pipe 12 and a control valve 13 such as an air operated valve or a solenoid valve.
【0023】また、現像液供給ノズル40及びリンス液
供給ノズル11は、図に示すようにL字状に構成された
Z駆動機構15の先端にホルダ17を介して保持されて
いる。Z駆動機構15の基端部は、Y駆動機構16によ
って保持されている。図4に示すように、このY駆動機
構16は、Y方向に沿ってカップ24の外側にまで延出
されたYレール20を有し、現像液供給ノズル40とリ
ンス液供給ノズル11をウエハW上とノズル待機部21
との間で移動できるようになっている。このノズル待機
部21は、現像液供給ノズル40及びリンス液供給ノズ
ル11を収納できるように構成されていると共に、これ
らノズルの先端部を洗浄できるように構成されている。
The developing solution supply nozzle 40 and the rinsing solution supply nozzle 11 are held via a holder 17 at the tip of a Z drive mechanism 15 formed in an L shape as shown in the figure. The base end of the Z drive mechanism 15 is held by a Y drive mechanism 16. As shown in FIG. 4, the Y driving mechanism 16 has a Y rail 20 extending to the outside of the cup 24 along the Y direction, and connects the developing solution supply nozzle 40 and the rinsing solution supply nozzle 11 to the wafer W. Top and nozzle standby unit 21
You can move between them. The nozzle standby section 21 is configured to accommodate the developer supply nozzle 40 and the rinsing liquid supply nozzle 11 and to be able to clean the tips of these nozzles.
【0024】現像液供給ノズル40及びリンス液供給ノ
ズル11は、図4に示すように、ウエハWの外縁部と中
心部を結ぶ方向、すなわちウエハWの半径に沿った矢印
C方向に沿って移動し、現像液供給ノズル40は矢印C
上に常に位置するように移動する。一方、リンス液供給
ノズル11は、矢印C上からはややはずれて位置し、移
動方向(矢印方向)に向かって見て、現像液供給ノズル
40の後方に位置する。リンス液供給ノズル11の位置
は、滴下されたリンス液の拡散方向(矢印D)によって
決定され、ウエハW上に滴下された現像液が拡散する領
域に、少なくともリンス液が供給されるように設定すれ
ば良い。尚、現像液の塗布は、ウエハWの回転及びノズ
ルの移動により行われ、現像液の拡散方向は、ウエハW
の回転方向によって決定される。
As shown in FIG. 4, the developing solution supply nozzle 40 and the rinsing solution supply nozzle 11 move along the direction connecting the outer edge portion and the center portion of the wafer W, ie, along the arrow C direction along the radius of the wafer W. Then, the developer supply nozzle 40 has an arrow C
Move so that it is always on top. On the other hand, the rinsing liquid supply nozzle 11 is located slightly off the arrow C, and is located behind the developer supply nozzle 40 when viewed in the moving direction (the direction of the arrow). The position of the rinsing liquid supply nozzle 11 is determined by the diffusion direction (arrow D) of the dropped rinsing liquid, and is set so that at least the rinsing liquid is supplied to a region where the developing liquid dropped on the wafer W is diffused. Just do it. The application of the developing solution is performed by rotating the wafer W and moving the nozzle.
Is determined by the direction of rotation.
【0025】また、前記スピンチャック10の周囲に
は、ウエハWが回転駆動されている最中に飛散する余分
な現像液を受けるカップ24が設けられている。
Around the spin chuck 10, there is provided a cup 24 for receiving excess developer scattered while the wafer W is being driven to rotate.
【0026】本実施形態の洗浄処理装置によれば、洗浄
工程時に、ウエハW上に洗浄液が滴下された直後にリン
ス液が供給される。このリンス液は、使用済みの汚れた
洗浄液を直ちに除去するので、ウエハW上には、常に新
しい洗浄液が供給されることになる。従って、ウエハW
の全面において、新しい洗浄液により洗浄が行われるの
で、面内における洗浄むらがなく、また洗浄能力が非常
に高い。
According to the cleaning apparatus of this embodiment, the rinsing liquid is supplied immediately after the cleaning liquid is dropped onto the wafer W during the cleaning step. Since the rinse liquid immediately removes the used dirty cleaning liquid, a new cleaning liquid is always supplied onto the wafer W. Therefore, the wafer W
Since the entire surface is cleaned with a new cleaning liquid, there is no unevenness in cleaning in the surface and the cleaning ability is very high.
【0027】本実施形態の現像処理装置によれば、現像
洗浄工程時に、ウエハW上に現像液が滴下された直後に
リンス液が供給される。このリンス液は、使用済みの汚
れた現像液を直ちに除去するので、ウエハW上には常に
新しい現像液が供給されることになる。従って、ウエハ
Wの全面において、新しい現像液により現像が行われる
ので、面内における現像むらがなく、また現像能力が非
常に高い。
According to the developing apparatus of the present embodiment, the rinsing liquid is supplied immediately after the developing liquid is dropped onto the wafer W during the developing and cleaning step. Since the rinse liquid immediately removes the used dirty developer, a new developer is always supplied onto the wafer W. Accordingly, the entire surface of the wafer W is developed with a new developing solution, so that there is no uneven development in the surface and the developing capability is very high.
【0028】上記の現像処理装置は、図5〜図7に示す
塗布現像処理システムに適用される。また、上記の洗浄
処理装置は、この塗布現像処理システムに投入される前
にウエハWを洗浄する投入前洗浄工程において使用され
る。
The above-mentioned developing apparatus is applied to the coating and developing system shown in FIGS. Further, the above-described cleaning apparatus is used in a pre-loading cleaning step of cleaning the wafer W before being loaded into the coating and developing processing system.
【0029】図5に示すように、この塗布現像処理シス
テムは、ウエハWが収容されたカセットCRからウエハ
Wを順次取り出すカセット部60と、カセット部60に
よって取り出されたウエハWに対しレジスト液塗布及び
現像液塗布や熱処理などの一連のプロセス処理を行なう
プロセス処理部61と、レジスト液が塗布されたウエハ
Wを図示しない露光装置に受け渡すインタフェース部6
2とを備えている。
As shown in FIG. 5, the coating and developing system includes a cassette section 60 for sequentially taking out wafers W from a cassette CR in which wafers W are stored, and a resist solution coating process for the wafer W taken out by the cassette section 60. And a processing unit 61 for performing a series of processing processes such as application of a developing solution and heat treatment, and an interface unit 6 for transferring a wafer W coated with a resist solution to an exposure apparatus (not shown).
2 is provided.
【0030】カセット部60には、カセットCRを位置
決め保持するための4つの突起部70aと、この突起部
70aによって保持されたカセット内からウエハWを取
り出す第1のサブアーム機構71とが設けられている。
このサブアーム機構71は、ウエハWを取り出したなら
ば、θ方向に回転して向きを変え、このウエハWをプロ
セス処理部61に設けられたメインアーム機構72に受
け渡すことができるようになっている。
The cassette section 60 is provided with four projections 70a for positioning and holding the cassette CR, and a first sub-arm mechanism 71 for taking out the wafer W from the cassette held by the projections 70a. I have.
When the sub-arm mechanism 71 takes out the wafer W, the sub-arm mechanism 71 rotates in the θ direction to change the direction, and can transfer the wafer W to the main arm mechanism 72 provided in the process unit 61. I have.
【0031】カセット部60とプロセス処理部61間で
のウエハWの受け渡しは第3の処理ユニット群G3を介
して行われる。この第3の処理ユニット群G3は、図7
に示すように複数のプロセス処理ユニットを縦形に積み
上げて構成したものである。すなわち、この処理ユニッ
ト群G3は、ウエハWを冷却処理するクーリングユニッ
ト(COL)、ウエハWに対するレジスト液の定着性を
高める疎水化処理を行なうアドヒージョンユニット(A
D)、ウエハWの位置合わせをするアライメントユニッ
ト(ALIM)、ウエハWを待機させておくためのエク
ステンションユニット(EXT)、レジスト塗布後のシ
ンナー溶剤を乾燥させる2つのプリベーキングユニット
(PREBAKE)、及び露光処理後の加熱処理を行な
うポストエキスポージャーベークユニット(PEB)と
現像処理後の水分除去に使うポストベーキングユニット
(POBAKE)を順次下から上へと積み上げて構成さ
れている。
The transfer of the wafer W between the cassette section 60 and the processing section 61 is performed via the third processing unit group G3. This third processing unit group G3 corresponds to FIG.
As shown in Fig. 7, a plurality of process processing units are vertically stacked. That is, the processing unit group G3 includes a cooling unit (COL) for cooling the wafer W, and an adhesion unit (A) for performing a hydrophobic process for improving the fixability of the resist solution to the wafer W.
D), an alignment unit (ALIM) for positioning the wafer W, an extension unit (EXT) for holding the wafer W on standby, two pre-baking units (PREBAKE) for drying a thinner solvent after resist application, and A post-exposure bake unit (PEB) for performing heat treatment after exposure processing and a post-baking unit (POBAKE) for removing moisture after development processing are sequentially stacked from bottom to top.
【0032】そして、前記ウエハWのメインアーム機構
72への受け渡しは、前記エクステンションユニット
(EXT)及びアライメントユニット(ALIM)を介
して行われる。
The transfer of the wafer W to the main arm mechanism 72 is performed via the extension unit (EXT) and the alignment unit (ALIM).
【0033】また、図5に示すように、このメインアー
ム機構72の周囲には、前記第3の処理ユニット群G3
を含む第1〜第5の処理ユニット群G1〜G5がこのメ
インアーム機構72を囲むように設けられている。前述
した第3の処理ユニット群G3と同様に、他の処理ユニ
ット群G1,G2,G4,G5も各種の処理ユニットを
上下方向に積み上げ的に構成されている。
As shown in FIG. 5, around the main arm mechanism 72, the third processing unit group G3
The first to fifth processing unit groups G1 to G5 are provided so as to surround the main arm mechanism 72. Similarly to the third processing unit group G3 described above, the other processing unit groups G1, G2, G4, and G5 are configured by stacking various processing units in the vertical direction.
【0034】前記第1、第2の処理ユニット群G1、G
2には、現像処理装置(DEV)及びこの実施形態のレ
ジスト液塗布装置(COT)が設けられている。図6に
示すように、この第1、第2の処理ユニット群G1,G
2は、レジスト塗布装置(COT)と現像処理装置(D
EV)とを上下方向に積み上げ構成したものである。
The first and second processing unit groups G1, G
2 is provided with a development processing device (DEV) and a resist liquid coating device (COT) of this embodiment. As shown in FIG. 6, the first and second processing unit groups G1, G
2 is a resist coating device (COT) and a developing device (D
EV) in the vertical direction.
【0035】一方、前記メインアーム機構72は、図7
に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド79
と、ガイド79に沿って上下駆動されるメインアーム7
8を備えている。また、このメインアーム78は平面方
向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されてい
る。したがって、このメインアーム78を、上下方向に
駆動することで、ウエハWを前記各処理ユニット群G1
〜G5の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせる
ことができるようになっている。
On the other hand, the main arm mechanism 72 is
As shown in the figure, a cylindrical guide 79 extending vertically
And a main arm 7 driven up and down along a guide 79
8 is provided. The main arm 78 is configured to rotate in a plane direction and to be driven forward and backward. Therefore, by driving the main arm 78 in the up-down direction, the wafer W is transferred to each of the processing unit groups G1.
To G5 can be arbitrarily accessed.
【0036】以下に、塗布現像処理システムにおけるウ
エハWの処理方法について説明する。
Hereinafter, a method of processing the wafer W in the coating and developing system will be described.
【0037】まず、上述した図1に示す洗浄処理装置内
にウエハWを搬送する。ウエハWは、塗布現像処理シス
テムにおいて露光パターンを形成する面を上方に向け
て、スピンチャック110により水平に吸引保持され
る。
First, the wafer W is transferred into the cleaning apparatus shown in FIG. The wafer W is horizontally suction-held by the spin chuck 110 with the surface on which the exposure pattern is formed facing upward in the coating and developing processing system.
【0038】次に、図2に示すように、ウエハWを時計
回りに回転させた状態で、洗浄液及びリンス液をウエハ
W上に同時に供給しながら、ウエハWの外縁部からウエ
ハ中心部に向かって、Y駆動機構116を駆動すること
により洗浄液供給ノズル140及びリンス液供給ノズル
111を矢印A方向に沿って移動させる。これにより、
洗浄液によるウエハWの洗浄及び洗浄液のリンスを行う
ことができる。この際、ウエハWの回転速度は一定と
し、ノズルの移動速度は、ウエハWの中心部に近くなる
につれて徐々に遅くなるように設定する。これにより、
ウエハW面内で供給される洗浄液の量を均一化するこが
できる。具体的には、200mmの直径を有するウエハ
Wを処理する場合には、ウエハWの回転速度を例えば1
0〜200rpm、より好ましくは30〜150rpm
とし、ノズルの移動速度は、はじめ例えば30mm/s
に設定し、徐々に一定の減速率にて減速させ、ウエハW
の中心部付近で例えば5mm/sとなるように設定し
た。尚、ノズルの移動速度を一定とし、ウエハWの回転
速度を変化させても良く、ノズルの移動速度が、ウエハ
Wの回転速度に対してノズルの位置がウエハWの中心部
に近くなるほど相対的に遅くなるように設定すれば良
い。
Next, as shown in FIG. 2, while the cleaning liquid and the rinsing liquid are simultaneously supplied onto the wafer W while the wafer W is rotated clockwise, from the outer edge of the wafer W toward the center of the wafer W. Then, the cleaning liquid supply nozzle 140 and the rinse liquid supply nozzle 111 are moved in the direction of arrow A by driving the Y drive mechanism 116. This allows
The cleaning of the wafer W with the cleaning liquid and the rinsing of the cleaning liquid can be performed. At this time, the rotational speed of the wafer W is set to be constant, and the moving speed of the nozzle is set to gradually decrease as it approaches the center of the wafer W. This allows
The amount of the cleaning liquid supplied in the plane of the wafer W can be made uniform. Specifically, when processing a wafer W having a diameter of 200 mm, the rotation speed of the wafer W is set to, for example, 1
0 to 200 rpm, more preferably 30 to 150 rpm
And the moving speed of the nozzle is initially 30 mm / s, for example.
And gradually decelerate at a constant deceleration rate,
Was set to be, for example, 5 mm / s in the vicinity of the center portion. The rotational speed of the wafer W may be changed while keeping the moving speed of the nozzle constant, and the moving speed of the nozzle may be changed relative to the rotational speed of the wafer W as the position of the nozzle becomes closer to the center of the wafer W. It may be set to be slower.
【0039】このように洗浄されたウエハWは乾燥処理
され、塗布現像処理システムのカセット部60のカセッ
トCR内に載置される。
The wafer W thus cleaned is dried and placed in the cassette CR of the cassette section 60 of the coating and developing system.
【0040】次に、カセット部60から第3の処理ユニ
ット群G3のエクステンションユニット(EXT)を介
してウエハWを受け取ったメインアーム機構72は、先
ず、このウエハWを第3の処理ユニット群G3のアドヒ
ージョンユニット(AD)に搬入し、疎水化処理を行な
う。ついで、アドヒージョンユニット(AD)からウエ
ハWを搬出し、クーリングユニット(COL)で冷却処
理する。
Next, the main arm mechanism 72, which has received the wafer W from the cassette unit 60 via the extension unit (EXT) of the third processing unit group G3, first transfers the wafer W to the third processing unit group G3. And carried into a hydrophobic treatment. Next, the wafer W is unloaded from the adhesion unit (AD) and cooled by the cooling unit (COL).
【0041】冷却処理されたウエハWは、前記メインア
ーム機構72によって第1の処理ユニット群G1(若し
くは第2の処理ユニット群G2)のレジスト液塗布装置
(COT)に対向位置決めされ、搬入される。このレジ
スト液塗布装置(COT)によりレジスト液が塗布され
たウエハWは、メインアーム機構72によってアンロー
ドされ、第4の処理ユニット群G4を介して前記インタ
フェース部62に受け渡される。
The cooled wafer W is positioned by the main arm mechanism 72 so as to face the resist liquid coating apparatus (COT) of the first processing unit group G1 (or the second processing unit group G2), and is carried in. . The wafer W coated with the resist liquid by the resist liquid coating device (COT) is unloaded by the main arm mechanism 72 and transferred to the interface unit 62 via the fourth processing unit group G4.
【0042】この第4の処理ユニット群G4は、図7に
示すように、クーリングユニット(COL)、イクステ
ンション・クーリングユニット(EXT・COL)、イ
クステンションユニット(EXT)、クーリングユニッ
ト(COL)、2つのプリベーキングユニット(PRE
BAKE)、及び2つのポストベーキングユニット(P
OBAKE)を下から上へと順次積み上げて構成したも
のである。
As shown in FIG. 7, the fourth processing unit group G4 includes a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXT · COL), an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), Two pre-baking units (PRE
BAKE) and two post-baking units (P
OBAKE) are sequentially stacked from bottom to top.
【0043】レジスト液塗布装置(COT)から取り出
されたウエハWは、先ず、プリベーキングユニット(P
REBAKE)に挿入され、レジスト液から溶剤(シン
ナー)を飛ばして乾燥される。
The wafer W taken out of the resist liquid coating device (COT) is first loaded into the pre-baking unit (P
REBAKE), and the resist solution is dried by removing the solvent (thinner) from the resist solution.
【0044】また、このプリベーキングユニットはレジ
スト液塗布装置(COT)と別に設置しても良いし、レ
ジスト液塗布装置内に設置されていても良い。
The pre-baking unit may be installed separately from the resist liquid application device (COT), or may be installed in the resist liquid application device.
【0045】次に、このウエハWはクーリングユニット
(COL)で冷却された後、エクステンションユニット
(EXT)を介して前記インタフェース部62に設けら
れた第2のサブアーム機構64に受け渡される。
Next, after being cooled by the cooling unit (COL), the wafer W is transferred to the second sub arm mechanism 64 provided in the interface section 62 via the extension unit (EXT).
【0046】ウエハWを受け取った第2のサブアーム機
構64は、受け取ったウエハWを順次カセットCR内に
収納する。このインターフェース部は、前記ウエハWを
カセットCRに収納した状態で図示しない露光装置に受
け渡し、露光処理後のウエハWが収納されたカセットC
Rを受け取る。
The second sub-arm mechanism 64 having received the wafer W sequentially stores the received wafer W in the cassette CR. The interface unit transfers the wafer W stored in the cassette CR to an exposure device (not shown) and stores the wafer W in the cassette C in which the exposed wafer W is stored.
Receive R.
【0047】露光処理された後のウエハWは、前記とは
逆に第4の処理ユニット群G4を介してメインアーム機
構72に受け渡され、このメインアーム機構72は、こ
の露光後のウエハWをポストエキスポージャーベーキン
グユニット(PEBAKE)に挿入した後、所定の温度
にてクーリングユニット(COL)にて冷却し、その
後、現像処理装置(DEV)に挿入し現像処理を行なわ
せる。現像処理後のウエハWは、ポストベーキングユニ
ット(POBAKE)に搬送され、加熱乾燥した後、こ
の第3の処理ユニット群G3のエクステンションユニッ
ト(EXT)を介してカセット部60に排出される。
The wafer W after the exposure processing is transferred to the main arm mechanism 72 via the fourth processing unit group G4, and the main arm mechanism 72 reverses the above processing. Is inserted into a post-exposure baking unit (PEBAKE), cooled at a predetermined temperature by a cooling unit (COL), and then inserted into a developing device (DEV) to perform a developing process. The wafer W after the development processing is transported to a post-baking unit (POBAKE), heated and dried, and then discharged to the cassette unit 60 via the extension unit (EXT) of the third processing unit group G3.
【0048】現像処理装置内では、ウエハWは、スピン
チャック10により水平に吸引保持される。次に、図4
に示すように、ウエハWを時計回りに回転させた状態
で、現像液及びリンス液を同時にウエハW上に供給しな
がら、ウエハWの外縁部からウエハ中心部に向かって、
Y駆動機構16を駆動することにより現像液供給ノズル
40及びリンス液供給ノズル11を矢印C方向に沿って
移動させる。これにより、現像及びリンスを行うことが
できる。この際、ウエハWの回転速度は一定とし、ノズ
ルの移動速度は、ウエハWの中心部に近くなるにつれて
徐々に遅くなるように設定した。これにより、現像処理
の終了のタイミングをウエハW面内で均一化することが
できる。具体的には、200mmの直径を有するウエハ
Wを処理する場合には、ウエハWの回転速度を例えば1
0〜200rpm、より好ましくは30〜150rpm
とし、ノズルの移動速度は、はじめ例えば30mm/s
に設定し、徐々に一定の減速率にて減速させ、ウエハW
の中心部付近で例えば5mm/sとなるように設定し
た。尚、ノズルの移動速度を一定とし、ウエハWの回転
速度を変化させても良く、ノズルの移動速度が、ノズル
の位置がウヘハWの中心部に近くなるほど相対的に遅く
なるように設定すれば良い。また、本実施形態では、ウ
エハWの回転速度に対するノズルの移動速度を、ノズル
の位置がウヘハWの中心部に近くなるに従って、ノズル
がウヘハWの周縁部付近に位置する場合の回転速度に対
するノズルの移動速度に対して、相対的に遅くなるよう
に設定することにより、ウエハW面内での現像処理終了
のタイミングを均一にすることができるが、ノズルの移
動速度をノズルの位置がウヘハWの中心部に近くなるほ
ど速くなるように設定しても良い。この場合、例えばウ
エハWの回転速度を一定とし、ノズルうの移動速度をノ
ズルの位置がウエハWの中心部に近くなるに従って速く
することにより、ウエハWと現像液との接触時間をウエ
ハW面内で均一化することができる。これは、ウエハW
の中心部にノズルの位置が近くなるほど面積的に塗布領
域が小さくなっていくためである。
In the developing apparatus, the wafer W is horizontally suction-held by the spin chuck 10. Next, FIG.
As shown in FIG. 5, while the developer W and the rinsing liquid are simultaneously supplied onto the wafer W in a state where the wafer W is rotated clockwise, from the outer edge of the wafer W
By driving the Y drive mechanism 16, the developer supply nozzle 40 and the rinse liquid supply nozzle 11 are moved in the direction of arrow C. Thereby, development and rinsing can be performed. At this time, the rotational speed of the wafer W was set to be constant, and the moving speed of the nozzle was set to gradually decrease as approaching the center of the wafer W. Thus, the timing of the end of the development processing can be made uniform within the surface of the wafer W. Specifically, when processing a wafer W having a diameter of 200 mm, the rotation speed of the wafer W is set to, for example, 1
0 to 200 rpm, more preferably 30 to 150 rpm
And the moving speed of the nozzle is initially 30 mm / s, for example.
And gradually decelerate at a constant deceleration rate,
Was set to be, for example, 5 mm / s in the vicinity of the center portion. Note that the moving speed of the nozzle may be fixed and the rotating speed of the wafer W may be changed. If the moving speed of the nozzle is set so as to become relatively slower as the position of the nozzle is closer to the center of the wafer W, good. Further, in the present embodiment, the moving speed of the nozzle with respect to the rotational speed of the wafer W is set such that, as the position of the nozzle approaches the center of the wafer W, the nozzle moves with respect to the rotational speed when the nozzle is located near the peripheral edge of the wafer W Is set relatively slow with respect to the moving speed of the wafer W, the timing of the end of the developing process in the plane of the wafer W can be made uniform. May be set so as to be faster as it is closer to the center of the. In this case, for example, by keeping the rotation speed of the wafer W constant and increasing the moving speed of the nozzle as the nozzle position approaches the center of the wafer W, the contact time between the wafer W and the developing solution can be reduced. Within it. This is the wafer W
This is because the closer the position of the nozzle to the center of the area, the smaller the area of application becomes.
【0049】なお、前記第5の処理ユニット群G5は、
選択的に設けられるもので、この例では前記第4の処理
ユニット群G4と同様に構成されている。また、この第
5の処理ユニット群G5はレール65によって移動可能
に保持され、前記メインアーム機構72及び前記第1〜
第4の処理ユニット群G1〜G4に対するメンテナンス
処理を容易に行ない得るようになっている。
The fifth processing unit group G5 includes:
This is selectively provided, and in this example, is configured similarly to the fourth processing unit group G4. Further, the fifth processing unit group G5 is movably held by rails 65, and the main arm mechanism 72 and the first to
Maintenance processing can be easily performed on the fourth processing unit groups G1 to G4.
【0050】ここで、本実施形態における洗浄処理装置
及び現像処理装置による洗浄処理及び現像処理の効果に
ついて、現像処理装置を例に挙げて、図10及び図11
を用いて説明する。図10は従来の実施形態、図11は
本実施形態を説明する図である。図10(a)はウエハ
W上に現像液300を塗布している状態を示す図であ
る。図10(b)は、横軸が図10(a)に対応したウ
エハW上の位置、縦軸がそのウエハWの位置における現
像液の現像液の現像能力を示している。図11(a)は
ウエハW上に現像液300及びリンス液301を塗布し
ている状態を示す図である。図11(b)は、横軸が図
11(a)に対応したウエハWの位置、縦軸がそのウエ
ハWの位置における現像液の現像液の現像能力を示して
いる。
Here, the effects of the cleaning processing and the developing processing by the cleaning processing apparatus and the developing processing apparatus in the present embodiment will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a diagram illustrating a conventional embodiment, and FIG. 11 is a diagram illustrating the present embodiment. FIG. 10A is a diagram illustrating a state in which the developing solution 300 is applied on the wafer W. 10B, the horizontal axis indicates the position on the wafer W corresponding to FIG. 10A, and the vertical axis indicates the developing ability of the developing solution at the position of the wafer W. FIG. 11A is a diagram illustrating a state in which the developing solution 300 and the rinsing solution 301 are applied on the wafer W. In FIG. 11B, the horizontal axis indicates the position of the wafer W corresponding to FIG. 11A, and the vertical axis indicates the developing ability of the developing solution at the position of the wafer W.
【0051】従来では、ウエハW全面に現像液が供給さ
れた後、リンス液が供給される。図10(a)、(b)
に示すように、現像液供給ノズル40より滴下された直
後の現像液300aは新しいため、領域A−Bで区切ら
れた領域での現像処理は、新しい現像液により現像処理
される。これに対し、領域B−Cで区切られた領域で
は、領域A−Bで既に現像処理に使われた汚れた現像液
300bが拡散し、ウエハW表面に接触することにな
る。この結果、領域B−Cにおける現像液300bの現
像処理能力は、領域A−Bにおける現像液300aの現
像処理能力と比較し、著しく劣ってしまう。
Conventionally, a rinsing liquid is supplied after the developing liquid is supplied to the entire surface of the wafer W. FIGS. 10A and 10B
As shown in (2), since the developer 300a immediately after being dropped from the developer supply nozzle 40 is new, the development processing in the area divided by the areas AB is performed with the new developer. On the other hand, in the area divided by the area BC, the dirty developer 300b already used for the development processing in the area AB is diffused and comes into contact with the surface of the wafer W. As a result, the developing ability of the developing solution 300b in the region BC is significantly inferior to the developing ability of the developing solution 300a in the region AB.
【0052】これに対し、本実施形態においては、現像
処理で既に使われた汚れた現像液はリンス液により除去
されるため、常に新しい現像液がウエハW上に供給され
る。すなわち、図11(a)に示すように、現像液供給
ノズル40より滴下された直後の現像液300aは新し
く、滴下された領域では新しい現像液により現像処理さ
れる。更に、現像処理で既に使われた現像液は、リンス
液301によって直ちに除去されるので、ノズルの移動
及びウエハWの回転により、常にウエハW上には新しい
現像液300aが供給されることになる。従って、図1
1(b)に示すように領域D−Eには新しい現像液が常
に供給されることとなり、ウエハW面内で高い現像処理
能力を得ることができる。なお、この効果は、洗浄処理
装置においても同じことが言え、洗浄処理装置において
は、常に新しい洗浄液がウエハW全面に供給されること
になる。
On the other hand, in the present embodiment, since the dirty developing solution already used in the developing process is removed by the rinsing solution, a new developing solution is always supplied onto the wafer W. That is, as shown in FIG. 11A, the developer 300a immediately after being dropped from the developer supply nozzle 40 is new, and the region where the developer 300a is dropped is developed with the new developer. Further, since the developing solution already used in the developing process is immediately removed by the rinsing liquid 301, a new developing solution 300a is always supplied onto the wafer W by moving the nozzle and rotating the wafer W. . Therefore, FIG.
As shown in FIG. 1B, a new developing solution is always supplied to the area DE, and a high developing capacity can be obtained in the plane of the wafer W. This effect can be said to be the same in the cleaning processing apparatus. In the cleaning processing apparatus, a new cleaning liquid is always supplied to the entire surface of the wafer W.
【0053】上述の実施形態においては、処理液ノズル
としての洗浄液供給ノズルとリンス液供給ノズルとの位
置関係、処理液ノズルとしての現像液供給ノズルとリン
ス液供給ノズルとの位置関係は、それぞれ固定されてい
るが、処理液ノズルとリンス液供給ノズルとの位置関係
を可変するように設定しても良い。例えば、図8及び図
9に示すように、処理液供給ノズル240に対して、リ
ンス液供給ノズル211の位置が可変可能となるように
設定することができる。尚、図8はノズル周辺部を横か
ら見た図、図9は図8のノズルを上方から見た場合の平
面図である。また、Z駆動機構215は、上述の実施形
態のZ駆動機構15または115に相当する。
In the above-described embodiment, the positional relationship between the cleaning liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle as the processing liquid nozzle, and the positional relationship between the developing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle as the processing liquid nozzle are fixed. However, the positional relationship between the processing liquid nozzle and the rinsing liquid supply nozzle may be set to be variable. For example, as shown in FIGS. 8 and 9, the position of the rinsing liquid supply nozzle 211 can be set to be variable with respect to the processing liquid supply nozzle 240. FIG. 8 is a view of the periphery of the nozzle viewed from the side, and FIG. 9 is a plan view of the nozzle of FIG. 8 viewed from above. Further, the Z drive mechanism 215 corresponds to the Z drive mechanism 15 or 115 of the above-described embodiment.
【0054】図8及び図9に示すように、処理液供給ノ
ズル240は、Z駆動機構215の先端にホルダ217
を介して保持されている。更に、リンス液供給ノズル2
11は、ホルダ217と軸230により接続されたホル
ダ242に保持されている。処理液供給ノズル240及
びリンス液供給ノズル211は、それぞれ図示しない処
理液タンク、リンス液タンクに、供給管241、212
を介して接続されている。ホルダ242は、軸230を
中心に、図9に示すように、360度回転可能に設定さ
れている。このような構造とすることにより、処理液ノ
ズルに対してリンス液供給ノズルの位置を任意に設定す
ることができるので、ウエハW上に滴下された処理液の
拡散状態に応じて、リンス液供給ノズルの位置を好まし
い位置に設定することができる。また、この位置の設定
は、ノズルがウエハW上を移動している間に行えるよう
に設定しても良い。更に、図8及び図9に示す構造に加
え、処理液ノズルとリンス液供給ノズルとの距離を任意
に設定可能な構造とすることにより、ウエハWの大き
さ、ウエハWの回転速度やノズルの移動速度などの設計
範囲の幅が更に広がる。
As shown in FIGS. 8 and 9, the processing liquid supply nozzle 240 has a holder 217 at the tip of the Z drive mechanism 215.
Is held through. Further, the rinsing liquid supply nozzle 2
11 is held by a holder 242 connected to the holder 217 by a shaft 230. The processing liquid supply nozzle 240 and the rinsing liquid supply nozzle 211 are respectively connected to supply pipes 241 and 212 to a processing liquid tank and a rinsing liquid tank (not shown).
Connected through. The holder 242 is set to be rotatable around the shaft 230 by 360 degrees as shown in FIG. With such a structure, the position of the rinsing liquid supply nozzle can be arbitrarily set with respect to the processing liquid nozzle, so that the rinsing liquid supply nozzle can be supplied in accordance with the diffusion state of the processing liquid dropped on the wafer W. The position of the nozzle can be set to a preferred position. Further, the position may be set so that the position can be set while the nozzle is moving on the wafer W. Further, in addition to the structure shown in FIGS. 8 and 9, the distance between the processing liquid nozzle and the rinsing liquid supply nozzle can be set arbitrarily, so that the size of the wafer W, the rotation speed of the wafer W, The range of design range such as moving speed is further expanded.
【0055】また、上述の実施形態において、ノズル
は、ウエハWの半径上を片道移動しているが、例えば、
ウエハWの半径上を往復移動しても良く、ウエハWの直
径上を移動しても良い。ウエハWの直径上をノズルが移
動する場合では、ウエハWの中心部を境にリンス液供給
ノズルの位置を変える必要があり、処理液ノズルから滴
下される処理液の拡散方向にリンス液供給ノズルが位置
するように設定すれば良い。
In the above embodiment, the nozzle moves one way on the radius of the wafer W.
The wafer W may be reciprocated on the radius thereof or may be moved on the diameter of the wafer W. When the nozzle moves on the diameter of the wafer W, it is necessary to change the position of the rinsing liquid supply nozzle around the center of the wafer W, and the rinsing liquid supply nozzle moves in the diffusion direction of the processing liquid dropped from the processing liquid nozzle. May be set to be located.
【0056】なお、この実施形態は、その他発明の要旨
を変更しない範囲で種々変形可能である。例えば、上記
実施形態では、半導体ウエハに現像液を供給する現像処
理装置を例にとって説明したが、半導体ウエハに限定さ
れるものではなく、LCD製造に用いる矩形状のガラス
基板に現像液を塗布する装置であってもよい。また、上
述の洗浄液供給装置においても、LCD製造に用いる矩
形状のガラス基板の洗浄工程に用いることができる。ま
た、上記実施形態では、処理液として現像液や洗浄液を
例に挙げているが、レジスト材の剥離液などであっても
良く、変形可能である。
This embodiment can be variously modified without changing the gist of the invention. For example, in the above embodiment, the development processing apparatus for supplying the developer to the semiconductor wafer has been described as an example. However, the present invention is not limited to the semiconductor wafer, and the developer is applied to a rectangular glass substrate used for LCD manufacturing. It may be a device. Further, the above-described cleaning liquid supply device can also be used in a cleaning step of a rectangular glass substrate used for LCD manufacturing. Further, in the above-described embodiment, a developing solution or a cleaning solution is taken as an example of the processing solution, but a stripping solution of a resist material or the like may be used and may be modified.
【0057】[0057]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、被処理基板全面に新しい処理液を供給することがで
きるので、基板面内における処理むらがなく、更に処理
能力を高くすることができる。
As described above, according to the present invention, a new processing liquid can be supplied to the entire surface of the substrate to be processed, so that there is no processing unevenness in the substrate surface and the processing capacity can be further increased. it can.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】この発明の一実施例に係る洗浄処理装置を示す
概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1の洗浄処理装置の上面図である。FIG. 2 is a top view of the cleaning apparatus of FIG. 1;
【図3】この発明の一実施形態に係る現像処理装置を示
す概略構成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating a development processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図4】図3の洗浄処理装置の上面図である。FIG. 4 is a top view of the cleaning apparatus of FIG. 3;
【図5】この発明に係わる現像処理装置を適用した塗布
現像処理装置の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of a coating and developing apparatus to which the developing apparatus according to the present invention is applied.
【図6】図5の塗布現像処理装置の側面図である。FIG. 6 is a side view of the coating and developing apparatus shown in FIG. 5;
【図7】図5の塗布現像処理装置の正面図である。FIG. 7 is a front view of the coating and developing apparatus of FIG. 5;
【図8】他の実施形態に係るノズルの構造を示す側面図
である。
FIG. 8 is a side view showing a structure of a nozzle according to another embodiment.
【図9】図8の上面図である。FIG. 9 is a top view of FIG. 8;
【図10】図10(a)は、従来の現像液塗布の状態を
示す図であり、図10(b)は、横軸が現像液滴下位置
と現像液の現像能力との関係を示す図である。
FIG. 10 (a) is a diagram showing a state of conventional developer application, and FIG. 10 (b) is a diagram in which a horizontal axis shows a relationship between a developing liquid drop position and a developing ability of the developer. It is.
【図11】図11(a)は、一実施形態における現像液
塗布の状態を示す図であり、図11(b)は、横軸が現
像液滴下位置と現像液の現像能力との関係を示す図であ
る。
FIG. 11A is a diagram illustrating a state of application of a developer in one embodiment, and FIG. 11B is a graph in which a horizontal axis indicates a relationship between a position below a developing droplet and a developing ability of the developer. FIG.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
W…ウエハ(被処理基板) 10、110…スピンチャック 11、111、211…リンス液供給ノズル 15、115…Z駆動機構 16、116…Y駆動機構 40…現像液供給ノズル 140…洗浄液供給ノズル 240…処理液供給ノズル 242…ホルダ 300…現像液 W: Wafer (substrate to be processed) 10, 110: Spin chuck 11, 111, 211: Rinse liquid supply nozzle 15, 115: Z drive mechanism 16, 116: Y drive mechanism 40: Developer supply nozzle 140: Cleaning liquid supply nozzle 240 ... processing solution supply nozzle 242 ... holder 300 ... developer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H096 AA24 AA25 AA27 GA17 GA30 GA31 5F043 CC12 CC14 DD30 EE07 EE08 EE40 GG10 5F046 LA03 LA04 LA14  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H096 AA24 AA25 AA27 GA17 GA30 GA31 5F043 CC12 CC14 DD30 EE07 EE08 EE40 GG10 5F046 LA03 LA04 LA14

Claims (9)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】 基板を水平に保持する基板保持機構と、 前記基板を水平面内で回転させる回転機構と、 前記回転機構により前記基板が回転した状態で、前記基
    板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動して前記
    基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルと、 前記基板上に供給された処理液の拡散方向に位置するよ
    うに前記処理液供給ノズルに隣接して配置され、前記処
    理液の供給と同時に前記基板上にリンス液を供給するリ
    ンス液供給ノズルと、 を具備することを特徴とする基板処理装置。
    1. A substrate holding mechanism for holding a substrate horizontally, a rotation mechanism for rotating the substrate in a horizontal plane, and an outer edge and a center of the substrate in a state where the substrate is rotated by the rotation mechanism. A processing liquid supply nozzle that moves along the connecting direction and supplies a processing liquid onto the substrate; and is disposed adjacent to the processing liquid supply nozzle so as to be positioned in a diffusion direction of the processing liquid supplied onto the substrate. A rinsing liquid supply nozzle for supplying a rinsing liquid onto the substrate simultaneously with the supply of the processing liquid.
  2. 【請求項2】 基板を水平に保持する基板保持機構と、 前記基板を水平面内で回転させる回転機構と、 前記回転機構により前記基板が回転した状態で、前記基
    板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動して前記
    基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルと、 前記基板上に供給された前記処理液が処理に使用された
    後の処理済み液を除去するリンス液を、前記処理液の供
    給と同時に前記基板に供給するリンス液供給ノズルと、 を具備することを特徴とする基板処理装置。
    2. A substrate holding mechanism for holding a substrate horizontally, a rotating mechanism for rotating the substrate in a horizontal plane, and an outer edge and a center of the substrate in a state where the substrate is rotated by the rotating mechanism. A processing liquid supply nozzle that moves along the connecting direction to supply a processing liquid onto the substrate, and a rinsing liquid that removes a processed liquid after the processing liquid supplied to the substrate is used for processing. A rinsing liquid supply nozzle for supplying the processing liquid to the substrate simultaneously with the supply of the processing liquid.
  3. 【請求項3】 前記基板上には露光処理されたパターン
    が形成され、 前記処理液は現像液からなることを特徴とする請求項1
    または請求項2記載の基板処理装置。
    3. The method according to claim 1, wherein an exposed pattern is formed on the substrate, and the processing liquid is a developing liquid.
    Alternatively, the substrate processing apparatus according to claim 2.
  4. 【請求項4】 前記処理液は洗浄液からなることを特徴
    とする請求項1または請求項2記載の基板処理装置。
    4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid comprises a cleaning liquid.
  5. 【請求項5】 前記基板の回転速度に対する前記処理液
    供給ノズルの移動速度は、前記処理液供給ノズルの位置
    が前記基板の中心部に近いほど、前記処理液供給ノズル
    が前記基板の周縁部付近に位置する場合の前記回転速度
    に対する前記移動速度に対して、相対的に遅いことを特
    徴とする請求項1から請求項4いずれか一項に記載の基
    板処理装置。
    5. The moving speed of the processing liquid supply nozzle with respect to the rotation speed of the substrate is such that the closer the position of the processing liquid supply nozzle is to the center of the substrate, the closer the processing liquid supply nozzle is to the periphery of the substrate. 5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is relatively slow with respect to the moving speed with respect to the rotation speed in a case where the substrate processing device is located at the position.
  6. 【請求項6】 前記基板の回転速度に対する前記処理液
    供給ノズルの移動速度は、供給ノズルの位置が前記基板
    の中心部に近いほど、前記処理液供給ノズルが前記基板
    の周縁部付近に位置する場合の前記回転速度に対する前
    記移動速度に対して、相対的に速いことを特徴とする請
    求項1から請求項4いずれか一項に記載の基板処理装
    置。
    6. The moving speed of the processing liquid supply nozzle with respect to the rotation speed of the substrate is such that the closer the position of the supply nozzle is to the center of the substrate, the closer the processing liquid supply nozzle is located to the periphery of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the moving speed is relatively higher than the moving speed with respect to the rotation speed in the case.
  7. 【請求項7】 前記リンス液供給ノズルと前記処理液供
    給ノズルとの位置関係を可変する可変機構を更に有する
    ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項
    に記載の基板処理装置。
    7. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a variable mechanism that changes a positional relationship between the rinsing liquid supply nozzle and the processing liquid supply nozzle. apparatus.
  8. 【請求項8】 水平保持された基板を回転させ、処理液
    供給ノズル及びリンス液供給ノズルを前記基板の外縁部
    と中心部とを結ぶ方向に沿って移動させながら、前記処
    理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルからそれぞ
    れ処理液及びリンス液を前記基板に対し供給する基板処
    理方法であって、 前記リンス液供給ノズルは、前記基板上に供給された前
    記処理液が拡散する方向に位置することを特徴とする基
    板処理方法。
    8. The processing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle are rotated while rotating the substrate held horizontally, and the processing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle are moved along a direction connecting an outer edge portion and a center portion of the substrate. A substrate processing method for supplying a processing liquid and a rinsing liquid to the substrate from a rinsing liquid supply nozzle, wherein the rinsing liquid supply nozzle is located in a direction in which the processing liquid supplied on the substrate is diffused. A substrate processing method characterized by the above-mentioned.
  9. 【請求項9】 水平保持された基板を回転させ、処理液
    供給ノズル及びリンス液供給ノズルを前記基板の外縁部
    と中心部とを結ぶ方向に沿って移動させながら、前記処
    理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルからそれぞ
    れ処理液及びリンス液を前記基板に対し供給する基板処
    理方法であって、 前記リンス液は、前記基板上に供給された前記処理液が
    処理に使用された後の処理済み液を除去することを特徴
    とする基板処理方法。
    9. The processing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle are moved while moving the substrate held horizontally, and the processing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle are moved along a direction connecting an outer edge portion and a center portion of the substrate. A substrate processing method for supplying a processing liquid and a rinsing liquid to the substrate from a rinsing liquid supply nozzle, wherein the rinsing liquid is processed after the processing liquid supplied on the substrate is used for processing. A substrate processing method comprising removing a liquid.
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