JP2011213661A - １−アルキリデンインダン類の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高純度の１−アルキリデンインダン類を容易に製造する方法を提供。
【解決手段】インデンと、カルボニル化合物を反応させて、式（３）の１−ヒドロキシアルキルインデン類を得る第一の工程と、これを水素化して、１−ヒドロキシアルキルインダン類を得る第二の工程と、水酸基を脱離させて、式（１）の１−アルキリデンインダン類を得る第三の工程とを備える、１−アルキリデンインダン類の製造方法。

［式中、Ｒ^１及びＲ^２は水素原子又はメチル基を示す。］
【選択図】なし

Description

本発明は、１−アルキリデンインダン類の製造方法に関する。

１−メチレンインダン等の１−アルキリデンインダン類は、機能性樹脂の原料、医農薬中間体として有用な化学物質である。従来、１−メチレンインダンの製造方法としてはいくつか知られているが、工業的には１−インダノンを原料とする方法が一般的である。１−インダノンを原料とする方法としては、例えば、特許文献１には、１−インダノンにメチルマグネシウムハライド（グリニャール（Ｇｒｉｇｎａｒｄ）試薬）を作用させてアルコール体を得、当該アルコール体を脱水反応させて１−メチレンインダンを得る方法が開示されている。また、特許文献２には、アルカリを溶媒に溶解しアルカリ溶液を得る工程、上記アルカリ溶液に、アルキルトリフェニルホスホニウムハライドを添加し、該アルキルトリフェニルホスホニウムハライドをアルカリ処理する工程、次いで、１−インダノン類を加え、該１−インダノン類のカルボニル基をＣ＝Ｃ不飽和基に変換する工程を含む、１−メチレンインダン骨格を有する不飽和化合物の製造方法が開示されている。

また、１−インダノン以外の化合物を原料とする方法として、特許文献３には、インデン等の芳香族アルケンをヒドロホルミル化反応と脱水反応に供することにより、芳香族エキソメチレンを得る方法が開示されている。さらに、特許文献４には、（２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデニル）トリフェニルホスホニウムクロライドとアルカリを反応させてウィッティヒ試薬を生成した後、該ウィッティヒ試薬とカルボニル化合物を反応させて１−アルキリデンインダン類を製造する方法が開示されている。

特開２００３−２９５４４１号公報 特開２００８−２８０２８９号公報 特開２００９−２４２２５１号公報 特開２００８−２８５４４０号公報

しかしながら、特許文献１に記載の方法は、副生成物として１−メチルインデンが生成する場合があり、１−メチルインデンと１−メチレンインダンとの混合物から１−メチレンインダンを取り出す必要が生じ、高純度の１−メチレンインダンを得ることが困難である場合がある。

また、特許文献２及び４に記載の方法では、ウィッティヒ試薬から生じる化学量論量のトリフェニルホスフィンオキサイドが副生するため、多量のトリフェニルホスフィンオキサイドを含む反応混合物から１−アルキリデンインダン類を取り出す必要が生じ、高純度の１−アルキリデンインダン類を得るために煩雑な作業が必要となる場合がある。

さらに、特許文献３に記載の方法では、ヒドロホルミル化反応において、カルボニルクロロビス（トリフェニルホスフィン）ロジウムという高価な遷移金属錯体を用いる必要がある。また、一酸化炭素ガスを使用するための特殊な換気設備を必要とする等、反応が煩雑となる場合がある。

そこで本発明は、高純度の１−アルキリデンインダン類を容易に得ることが可能な、１−アルキリデンインダン類の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、酸又は塩基の存在下、インデンと、下記式（２）：

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。］
で表されるカルボニル化合物又はその等価体とを反応させて、下記式（３）：

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。］
で表される１−ヒドロキシアルキルインデン類を得る第一の工程と、
上記１−ヒドロキシアルキルインデン類を水素化して、下記式（４）：

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。］
で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類を得る第二の工程と、
上記１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を脱離させて、下記式（１）：

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。］
で表される１−アルキリデンインダン類を得る第三の工程と、を備える、１−アルキリデンインダン類の製造方法を提供する。

本発明に係る製造方法によれば、第一、第二及び第三の工程を備えることで、高純度の１−アルキリデンインダン類を容易に製造することができる。

本発明に係る１−アルキリデンインダン類の製造方法において、上記第三の工程は、上記１−ヒドロキシアルキルインダン類、トリフェニルホスフィン、並びに、四塩化炭素、四臭化炭素及びヨウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種のハロゲン化剤を反応させて、下記式（５）：

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、Ｘ^１は、クロロ基、ブロモ基又はヨード基を示す。］
で表されるハロゲン化アルキルインダン類を得る工程と、
上記ハロゲン化アルキルインダン類と塩基とを反応させて、上記１−アルキリデンインダン類を得る工程と、を含むことが好ましい。

また、本発明に係る１−アルキリデンインダン類の製造方法において、上記第三の工程は、上記１−ヒドロキシアルキルインダン類と、塩基と、アルキルスルホン酸無水物、アリールスルホン酸無水物、アルキルスルホン酸ハライド、アリールスルホン酸ハライド、アルキルハライド、ジアルキル硫酸及び有機スルホン酸アルキルエステルからなる群より選ばれる少なくとも１種とを反応させて、下記式（６）：

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、Ｘ^２は、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はアルキルオキシ基を示す。］
で表される脱離基含有アルキルインダン類を得る工程と、
上記脱離基含有アルキルインダン類と塩基とを反応させて、上記１−アルキリデンインダン類を得る工程と、を含むものとすることもできる。

本発明によれば、高純度の１−アルキリデンインダン類を容易に製造することができる。

本発明の１−アルキリデンインダン類の製造方法の好適な実施形態について、以下に説明する。

本実施形態に係る製造方法は、下記式（１）で表される１−アルキリデンインダン類の製造方法であって、後述する第一の工程と、第二の工程と、第三の工程とを含む。

Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。下記の式中でも同様である。

本実施形態に係る製造方法によれば、第一の工程と、第二の工程と、第三の工程とによって、高純度の１−アルキリデンインダン類を容易に得ることができる。また、本実施形態に係る製造方法によれば、第一の工程に供するカルボニル化合物を変更するだけで、同様の製造工程によって、Ｒ^１及びＲ^２が水素原子であるもの、Ｒ^１及びＲ^２はメチル基であるもの、並びに、Ｒ^１が水素原子でありＲ^２がメチル基であるものを、いずれも高純度で容易に得ることができる。

本実施形態に係る製造方法は、例えば、下記スキーム１で表すことができる。

スキーム１中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、Ｘは脱離基を示す。

（第一の工程）
第一の工程では、酸又は塩基の存在下、インデンと、下記式（２）で表されるカルボニル化合物又はその等価体とを反応させて、下記式（３）で表される１−ヒドロキシアルキルインデン類を得る。

式（２）で表されるカルボニル化合物は、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド又はアセトンである。

式（２）で表されるカルボニル化合物の等価体としては、式（２）で表されるカルボニル化合物の多量体等が挙げられる。多量体としては、鎖状又は環状の多量体が挙げられ、例えば、下記式（８）で表すことができる。

式中、ｎは２以上の整数を示す。ｎは３以上の整数であることが好ましく、また５００以下の整数であることが好ましい。

また、等価体としてより具体的には、パラホルムアルデヒド、メタホルムアルデヒド、パラアルデヒド、メタアルデヒド等が挙げられる。

第一の工程における酸としては、ブレンステッド酸、ルイス酸が挙げられる。ブレンテッド酸としては、例えば、ホウ酸、炭酸、硝酸、硫酸、亜硫酸、塩酸、過塩素酸、ケイ酸、リン酸、亜リン酸、リンモリブデン酸水和物及びカルボキシル基を有する酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸が使用できる。カルボキシル基を有する酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ラク酸、カプリル酸、ラウリン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、リノール酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロロ酢酸、ブロモ酢酸、グリコール酸、クエン酸、乳酸、α−ヒドロキシイソラク酸、グリオキシル酸、アセト酢酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、フェニル酢酸、安息香酸、フタル酸、サリチル酸、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、アスパラギン酸、グルタミン酸、リジン、アルギニン、フェニルアラニン、ニコチン酸、ピコリン酸、ピペリジンカルボン酸等が挙げられるが、それらに限定されるものではない。これらのブレンステッド酸のうち硫酸、リンモリブデン酸などが好ましい。

ルイス酸としては、例えば、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素のジエチルエーテル錯体等のハロゲン化ホウ素化合物；四塩化チタン、四臭化チタン、四ヨウ化チタン等のハロゲン化チタン化合物；四塩化スズ、四臭化スズ、四ヨウ化スズ等のハロゲン化スズ化合物；三塩化アルミニウム、アルキルジクロロアルミニウム、ジアルキルクロロアルミニウム等のハロゲン化アルミニウム化合物；五塩化アンチモン、五フッ化アンチモン等のハロゲン化アンチモン化合物；五塩化タングステン等のハロゲン化タングステン化合物；五塩化モリブデン等のハロゲン化モリブデン化合物；五塩化タンタル等のハロゲン化タンタル化合物；テトラアルコキシチタン等の金属アルコキシド、塩化ニオブ等のハロゲン化ニオブ化合物、臭化インジウム等のハロゲン化インジウム化合物などが挙げられるが、それらに限定されるものではない。これらのルイス酸のうち、三フッ化ホウ素、三塩化アルミニウム、エチルジクロロアルミニウム、塩化ニオブ、臭化インジウムなどが好ましい。

酸の使用量は、インデン１モルに対して、０．０５〜２０モルであることが好ましく、０．５〜２モルであることがより好ましい。

第一の工程における塩基としては、例えば、リチウムアルコキシド、ナトリウムアルコキシド、カリウムアルコキシド等のアルカリ金属アルコキシド；マグネシウムジアルコキシド、カルシウムジアルコキシド等のアルカリ土類金属アルコキシド；リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド等のアルカリ金属アミド；アルキルリチウム化合物；アルキルマグネシウムハライド化合物；炭酸リチウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩；水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；が挙げられる。アルカリ金属アルコキシド、アルカリ土類金属アルコキシドとしては、炭素数１〜６のアルコキシドが好ましい。

第一の工程における塩基としては、反応速度が速い、副反応が少ないという観点から、アルキルマグネシウムハライド化合物が好ましい。アルキルマグネシウムハライド化合物としては、エチルマグネシウムブロミド又はエチルマグネシウムクロリドがより好ましい。

塩基の使用量は、インデン１モルに対して、０．０５〜２０モルであることが好ましく、１〜２モルであることがより好ましい。

第一の工程において、酸と塩基とでは、反応が選択性良く進行する観点から、塩基を用いることが好ましい。

第一の工程における、インデンと式（２）で表されるカルボニル化合物（又はその等価体）との反応は、例えば、酸又は塩基の存在下、溶媒中で、反応温度−７８〜１６０℃で行うことができる。また、好ましくは、インデン、塩基及び溶媒を含有する反応溶液に、式（２）で表されるカルボニル化合物（又はその等価体）を添加して反応させることにより行うことができる。

第一の工程における溶媒としては、ｎ−へキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、ジエトキシメタン等のエーテル系溶媒；等が挙げられる。これらのうち、エーテル系溶媒と芳香族炭化水素系溶媒とを組み合わせて用いることが好ましく、テトラヒドロフラン又はジエチルエーテルとトルエンとの混合溶媒がより好ましい。

溶媒の使用量は、インデン１モルに対して、０．１Ｌ以上であることが好ましく、０．１〜１０Ｌであることがより好ましく、０．２〜２Ｌであることがさらに好ましい。

第一の工程における反応温度は、用いる酸又は塩基の種類等によって適宜変更し得る。反応温度は、塩基としてアルキルリチウムを用いた場合、−７８〜４０℃であることが好ましく、塩基としてアルキルマグネシウムハライド化合物を用いた場合は、０〜１００℃であることが好ましい。また、他の酸又は塩基を用いた場合には、０〜１００℃であることが好ましい。

このような反応条件を選択することにより、十分に速い反応速度を維持しつつ、副反応を抑制することができる。

第一の工程においては、インデンと式（２）で表されるカルボニル化合物（又はその等価体）との反応終了後、反応溶液を酸性水溶液、塩基性水溶液等で洗浄し、回収した有機層を必要に応じて硫酸マグネシウム又は硫酸ナトリウムで脱水し、回収した有機層を濃縮（必要に応じて減圧濃縮）することが好ましい。

そして、第一の工程においては、例えば、上記濃縮後、活性炭処理、蒸留又はカラムクロマトグラフィー等の精製操作を経て、高純度の式（３）で表される１−ヒドロキシアルキルインデン類を、収率良く得ることができる。

（第二の工程）
第二の工程では、式（３）で表される１−ヒドロキシアルキルインデン類を水素化して、下記式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類を得る。

上記水素化は、例えば、金属触媒存在下、溶媒中、水素雰囲気下において、１−ヒドロキシアルキルインデン類を反応させることにより行うことができる。また、好ましくは、１−ヒドロキシアルキルインデン類、金属触媒及び溶媒を含有する反応溶液が導入された反応容器中に水素を充填することにより、行うことができる。

水素化における水素圧力は、０．０５〜１０ＭＰａであることが好ましく、０．１〜３ＭＰａであることがより好ましく、０．１〜２ＭＰａであることがさらに好ましい。

水素化における反応温度は、０〜１５０℃であることが好ましく、１５〜１００℃であることがより好ましい。反応温度が上記範囲より高いと、芳香族の還元や水酸基の脱離等の副反応が併発する場合があり、上記範囲より低いと、反応速度が低下する場合がある。

第二の工程における金属触媒としては、接触水素化反応に一般に使用されるものを用いることができ、例えば、ＰｔＯ_２、ＰｔＯ、ラネーＮｉ、活性炭に担持されたＰｔ、活性炭に担持されたＰｄ、ＢａＳＯ_４に担持されたＰｄ、Ａｌ_２Ｏ_３に担持されたＰｄ、Ａｌ_２Ｏ_３に担持されたＰｔ、活性炭に担持されたＲｕ、等を用いることができる。これらのうち、活性炭に担持されたＰｄ、ラネーＮｉ、ＰｔＯ_２が好ましく、ＰｔＯ_２が特に好ましい。

金属触媒の使用量は、１−ヒドロキシアルキルインデン類１モルに対して、０．０００１〜０．５モルであることが好ましく、０．００１〜０．０２モルであることがより好ましい。

第二の工程における溶媒としては、炭素数１〜４のアルコール化合物、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等を用いることができる。溶媒としては、メタノール又はＴＨＦが好ましく、１−ヒドロキシアルキルインデン類の溶解性に優れる観点からは、ＴＨＦが好ましい。

溶媒の使用量は、１−ヒドロキシアルキルインデン類１モルに対して、０．０５〜５Ｌであることが好ましく、反応速度及び溶解性の観点から０．０５〜０．７Ｌであることがさらに好ましい。

このような反応条件を選択することにより、十分に速い反応速度を維持しつつ、副反応を抑制することができる。

第二の工程においては、１−ヒドロキシアルキルインデン類の水素化反応終了後、セライトを敷き詰めたガラスフィルターを用いるろ過操作により金属触媒を除去し、必要に応じてセライトを上記と同様の溶媒で洗浄し、ろ液を濃縮（必要に応じて減圧濃縮）することが好ましい。

そして、第二の工程においては、例えば、上記濃縮後、活性炭処理、蒸留又はカラムクロマトグラフィー等の精製操作を経て、高純度の式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類を、収率良く得ることができる。

（第三の工程）
第三の工程では、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を脱離させて、式（１）で表される１−アルキリデンインダン類を得る。このような第三の工程は、副反応が少なく、反応終了後に１−アルキリデンインダン類を容易に精製することができる。そのため、第三の工程を含む本実施形態に係る製造方法によれば、高純度の１−アルキリデンインダン類を容易に製造することができる。

第三の工程は、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を脱離基に変換する変換工程と、当該脱離基を脱離させて式（１）で表される１−アルキリデンインダン類を得る脱離工程と、を含むものであることが好ましい。このような第三の工程によれば、副反応を一層抑制することができ、且つ副生する化合物が１−アルキリデンインダン類と容易に分離できるものであることから、反応終了後の１−アルキリデンインダン類の精製が一層容易となる。

変換工程としては、例えば、下記工程ａ及び下記工程ｂが挙げられる。これらの工程によれば、容易且つ確実に、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を脱離基に変換することができる。

ここで、脱離基とは、水酸基と比較して脱離能が高い官能基をいい、例えば、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルオキシ基が挙げられる。アルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等が挙げられる。アリールスルホニルオキシ基としては、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等が挙げられる。アルキルオキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピロキシ基、ブトキシ等が挙げられる。これらのうち脱離基としては、調製の容易さと脱離能の高さの観点から、ブロモ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基が好ましい。

（変換工程）
（工程ａ）
すなわち第三の工程は、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類、トリフェニルホスフィン、並びに、四塩化炭素、四臭化炭素及びヨウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種のハロゲン化剤を反応させて、下記式（５）で表されるハロゲン化アルキルインダン類を得る工程ａを含んでいてもよい。

式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、Ｘ^１は、クロロ基、ブロモ基又はヨード基を示す。

工程ａによれば、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を、高効率で、クロロ基、ブロモ基又はヨード基に変換することができる。

工程ａは、例えば、１−ヒドロキシアルキルインデン類、トリフェニルホスフィン及び溶媒を含有する反応溶液に、ハロゲン化剤を添加して反応させることにより行うことができる。

トリフェニルホスフィンの使用量は、１−ヒドロキシアルキルインダン類１モルに対して、１〜１０モルであることが好ましい。また、生成物の精製が容易となる観点からは、１〜２モルであることが好ましい。

ハロゲン化剤の使用量は、１−ヒドロキシアルキルインダン類１モルに対して、１〜１０モルであることが好ましい。また、生成物の精製が容易となる観点からは、１〜２モルであることが好ましい。

工程ａにおける溶媒としては、ｎ−へキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、ジエトキシメタン等のエーテル系溶媒；ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；が挙げられる。これらのうち、反応速度が速くなり、且つ収率が良好となる観点から、ジクロロメタンが好ましい。

溶媒の使用量は、１−ヒドロキシアルキルインダン類１モルに対して、０．０５〜１０Ｌであることが好ましく、０．５〜４Ｌであることがより好ましい。

工程ａにおける反応温度は、−７８〜１００℃であることが好ましく、−２０〜６０℃であることがより好ましく、０〜４０℃であることがさらに好ましい。工程ａにおける反応時間は、１０分〜２４時間とすることができ、１時間〜１２時間が好ましく、２時間〜５時間がより好ましい。

このような反応条件を選択することにより、十分に速い反応速度を維持しつつ、副反応を抑制することができる。

工程ａにおいては、反応後の反応溶液を濃縮した後、ｎ−ヘプタン、ｎ−ヘキサン等の炭化水素系溶媒を加え、生じた固体をセライトを敷き詰めたガラスフィルターを用いたろ過により除去し、ろ液を濃縮することが好ましい。

そして、工程ａにおいては、例えば、上記濃縮後、活性炭処理、蒸留又はカラムクロマトグラフィー等の精製操作を経て、高純度の式（５）で表されるハロゲン化アルキルインダン類を、収率良く得ることができる。

（工程ｂ）
第三の工程はまた、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類と、塩基と、スルホニル化剤又はアルキル化剤とを反応させて、下記式（６）で表される脱離基含有アルキルインダン類を得る工程ｂを含んでいてもよい。

式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、Ｘ^２は、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はアルキルオキシ基を示す。ここで、アルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等が挙げられる。また、アリールスルホニルオキシ基としては、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等が挙げられる。また、アルキルオキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピロキシ基、ブトキシ等が挙げられる。

スルホニル化剤によれば、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を、アルキルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキシ基に変換することができる。すなわち、スルホニル化剤によれば、脱離基含有アルキルインダン類として、式（６）におけるＸ^２がアルキルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキシ基である１−スルホニルオキシアルキルインダン類が得られる。

スルホニル化剤としては、アルキルスルホン酸無水物、アリールスルホン酸無水物、アルキルスルホン酸ハライド、アリールスルホン酸ハライドが挙げられる。これらのスルホニル化剤によれば、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を、高効率でアルキルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキシ基に変換することができる。

アルキルスルホン酸無水物としては、メタンスルホン酸無水物、エタンスルホン酸無水物、プロパンスルホン酸無水物、ブタンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等が挙げられる。また、アリールスルホン酸無水物としては、ベンゼンスルホン酸無水物、ｐ−トルエンスルホン酸無水物等が挙げられる。

アルキルスルホン酸ハライドとしては、メタンスルホン酸クロライド、メタンスルホン酸ブロマイド、メタンスルホン酸アイオダイド、トリフルオロメタンスルホン酸クロライド、トリフルオロメタンスルホン酸ブロマイド、トリフルオロメタンスルホン酸アイオダイド、エタンスルホン酸クロライド、エタンスルホン酸ブロマイド、エタンスルホン酸アイオダイド、プロパンスルホン酸クロライド、プロパンスルホン酸ブロマイド、プロパンスルホン酸アイオダイド、ブタンスルホン酸クロライド、ブタンスルホン酸ブロマイド、ブタンスルホン酸アイオダイド等が挙げられる。また、アリールスルホン酸ハライドとしては、ベンゼンスルホン酸クロライド、ベンゼンスルホン酸ブロマイド、ベンゼンスルホン酸アイオダイド、ｐ−トルエンスルホン酸クロライド、ｐ−トルエンスルホン酸ブロマイド、ｐ−トルエンスルホン酸アイオダイド等が挙げられる。

アルキル化剤によれば、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を、アルキルオキシ基に変換することができる。すなわち、アルキル化剤によれば、脱離基含有アルキルインダン類として、式（６）におけるＸ^２がアルキルオキシ基である１−アルキルオキシアルキルインダン類が得られる。

アルキル化剤としては、アルキルハライド、ジアルキル硫酸、有機スルホン酸アルキルエステルが挙げられる。これらのアルキル化剤によれば、式（４）で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を、高効率でアルキルオキシ基に変換することができる。

アルキル化剤としては、水酸基を炭素数１〜６のアルキルオキシ基に変換し得るものが好ましく、炭素数１〜３に変換し得るものがより好ましい。すなわち、アルキル化剤としては、ハロゲン化低級アルキル、低級ジアルキル硫酸、有機スルホン酸低級アルキルエステルが好ましい。なお、ここで「低級」とは、アルキル基の炭素数が１〜３であることを示す。

低級ジアルキル硫酸としては、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ジノルマルプロピル硫酸、ジイソプロピル硫酸等が挙げられる。

有機スルホン酸低級アルキルエステルとしては、メタンスルホン酸メチル、メタンスルホン酸エチル、メタンスルホン酸ノルマルプロピル、メタンスルホン酸イソプロピル、パラトルエンスルホン酸メチル、パラトルエンスルホン酸エチル、パラトルエンスルホン酸ノルマルプロピル、パラトルエンスルホン酸イソプロピル、トリフルオロメタンスルホン酸メチル、トリフルオロメタンスルホン酸エチル、トリフルオロメタンスルホン酸ノルマルプロピル、トリフルオロメタンスルホン酸イソプロピル等が挙げられる。

ハロゲン化低級アルキルとしては、臭化メチル、ヨウ化メチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、臭化ノルマルプロピル、ヨウ化ノルマルプロピル、臭化イソプロピル、ヨウ化イソプロピル等が挙げられる。

工程ｂは、例えば、１−ヒドロキシアルキルインダン類、塩基及び溶媒を含有する反応溶液に、スルホニル化剤又はアルキル化剤を添加して反応させることにより行うことができる。

工程ｂにおける塩基としては、例えば、リチウムアルコキシド、ナトリウムアルコキシド、カリウムアルコキシド等のアルカリ金属アルコキシド；マグネシウムジアルコキシド、カルシウムジアルコキシド等のアルカリ土類金属アルコキシド；リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド等のアルカリ金属アミド；アルキルリチウム化合物；アルキルマグネシウムハライド化合物；炭酸リチウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩；水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；トリエチルアミン等の３級アミン；ピリジン、ピコリン等の芳香族塩基；等が挙げられる。アルカリ金属アルコキシド、アルカリ土類金属アルコキシドとしては、炭素数１〜６のアルコキシドが好ましい。工程ｂにおける塩基としては、取り扱いの容易さの観点から、３級アミン又は芳香族塩基が好ましい。

塩基の使用量は、１−ヒドロキシアルキルインダン類１モルに対して、１〜１０モルであることが好ましく、１〜３モルであることがより好ましい。

工程ｂにおける溶媒としては、ｎ−へキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、ジエトキシメタン等のエーテル系溶媒；ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；が挙げられる。これらのうち、反応速度が速くなり、且つ収率が良好となる観点から、ジクロロメタンが好ましい。

溶媒の使用量は、１−ヒドロキシアルキルインダン類１モルに対して、０．０５〜１０Ｌであることが好ましく、０．０５〜４Ｌであることがより好ましい。

スルホニル化剤の使用量は、１−ヒドロキシアルキルインダン類１モルに対して、１〜１０モルであることが好ましい。また、生成物の精製が一層容易となる観点からは、１〜３モルであることが好ましい。

工程ｂにおける反応温度は、−７８〜１００℃であることが好ましく、−２０〜６０℃であることがより好ましく、０〜４０℃であることがさらに好ましい。工程ｂにおける反応時間は、１０分〜２４時間とすることができ、１時間〜１２時間が好ましく、２時間〜５時間がより好ましい。

このような反応条件を選択することにより、十分に速い反応速度を維持しつつ、副反応を抑制することができる。

工程ｂにおいては、反応溶液を酸性水溶液、塩基性水溶液等で洗浄し、回収した有機層を必要に応じて硫酸マグネシウム又は硫酸ナトリウムで脱水し、回収した有機層を濃縮（必要に応じて減圧濃縮）することが好ましい。

そして、工程ｂにおいては、例えば、上記濃縮後、活性炭処理、蒸留又はカラムクロマトグラフィー等の精製操作を経て、高純度の式（６）で表される脱離基含有アルキルインダン類を、収率良く得ることができる。

（脱離工程）
以下、場合により、式（５）で表されるハロゲン化アルキルインダン類及び式（６）で表される脱離基含有アルキルインダン類を、「脱離基を有するアルキルインダン類」と総称する。

脱離工程では、脱離基を有するアルキルインダン類と塩基とを反応させて、式（１）で表される１−アルキリデンインダン類を得る。脱離工程は、例えば、脱離基を有するアルキルインダン類及び溶媒を含有する反応溶液に、塩基を添加して反応させることにより行うことができる。

脱離工程における塩基としては、例えば、リチウムアルコキシド、ナトリウムアルコキシド、カリウムアルコキシド等のアルカリ金属アルコキシド；マグネシウムジアルコキシド、カルシウムジアルコキシド等のアルカリ土類金属アルコキシド；リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド等のアルカリ金属アミド；アルキルリチウム化合物；アルキルマグネシウムハライド化合物；炭酸リチウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩；水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；トリエチルアミン等の３級アミン；ピリジン、ピコリン等の芳香族塩基；等が挙げられる。アルカリ金属アルコキシド、アルカリ土類金属アルコキシドとしては、炭素数１〜６のアルコキシドが好ましい。脱離工程における塩基としては、取り扱いの容易さ及び副反応の抑制の観点から、アルカリ金属水酸化物が好ましい。

塩基の使用量は、脱離基を有するアルキルインダン類１モルに対して、０．１〜５０モルとすることができ、１〜２０モルとすることが好ましく、２〜１０モルとすることがより好ましい。

脱離工程における溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、ジエトキシメタン等のエーテル系溶媒；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等のアルコール系溶媒；等が挙げられる。これらのうち、塩基の溶解性に優れ、反応の後処理が容易であるという観点から、メタノール、エタノールが好ましい。

溶媒の使用量は、脱離基を有するアルキルインダン類１モルに対して、０．１〜１０Ｌであることが好ましく、０．２〜５Ｌであることがより好ましく、０．５〜２Ｌであることがさらに好ましい。

脱離工程における反応温度は、０〜１００℃であることが好ましく、０〜７０℃であることがより好ましい。脱離工程における反応時間は、１０分〜２４時間とすることができ、３０分〜５時間が好ましく、１時間〜３時間がより好ましい。

このような反応条件を選択することにより、十分に速い反応速度を維持しつつ、副反応を抑制することができる。

脱離工程においては、反応終了後、反応溶液にヘプタン、ｎ−ヘキサン等の炭化水素系溶媒を加えた後、酸性水溶液、塩基性水溶液等で洗浄し、回収した有機層を必要に応じて硫酸マグネシウム又は硫酸ナトリウムで脱水し、回収した有機層を濃縮（必要に応じて減圧濃縮）することが好ましい。

そして、脱離工程においては、例えば、上記濃縮後、活性炭処理、蒸留又はカラムクロマトグラフィー等の精製操作を経ることにより、式（１）で表される１−アルキリデンインダン類を、高純度で、収率良く得ることができる。

脱離基を有するアルキルインダン類として式（５）で表されるハロゲン化アルキルインダン類を用いた場合、脱離工程において副生する化合物としては、塩基と塩酸との塩、塩基と臭化水素との塩、塩基とヨウ化水素との塩が挙げられる。また、脱離基を有するアルキルインダン類として式（６）で表される脱離基含有アルキルインダン類を用いた場合、脱離工程において副生する化合物としては、塩基とアルキルスルホン酸との塩、塩基とアリールスルホン酸との塩、塩基とアルコール化合物との塩等が挙げられる。これらの化合物は、上記の精製操作等により、式（１）で表される１−アルキリデンインダン類と容易に分離することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
＜工程１：１−ヒドロキシメチルインデンの製造＞
反応滴下口、反応温度指示計、還流管及びガス導入管を備えた５００ｍｌ三つ口フラスコをＡｒ（アルゴン）雰囲気下とし、当該三つ口フラスコに、３Ｍ−ＥｔＭｇＢｒ／エーテル溶液（１１３．３ｍｌ、０．３４ｍｏｌ）を加え、攪拌下、室温で、インデン（純度９８質量％、３９．５ｇ、０．３４ｍｏｌ）／脱水トルエン（１７０ｍｌ）溶液を添加した。その後、１００℃まで昇温し、１４時間攪拌した後、４０℃まで冷却した。

次いで、パラホルムアルデヒド（１３．３ｇ、０．４４２ｍｏｌ）を少量ずつ添加した。その際、激しい発熱が見られた。再び室温まで冷却した後に、脱水ＴＨＦ（５０ｍｌ）を添加し、７０℃で２．５時間攪拌した後、室温まで冷却した。

反応液を氷冷した飽和塩化アンモニウム水溶液（３００ｍｌ）に注入し、さらにイソプロピルエーテル（１７０ｍｌ）を加えて攪拌した後、セライトを敷き詰めたガラスフィルターにその混合溶液を注ぎ、減圧濾過することで、不溶物を除去した。そのろ液を分液漏斗を用いた分液操作によって水層と有機層に分離した後、さらに水層にイソプロピルエーテル（１７０ｍｌ）を加えて分液操作を行い、水層と有機層に分離した。得られた有機層を合わせ、２回水洗した後、無水硫酸マグネシウムで脱水し、セライトを敷き詰めたガラスフィルターに脱水した有機層を注ぎ込み、減圧ろ過することで固形物を除去した。ろ液を、ロータリーエバポレーターを用いて減圧下で濃縮した。

得られた濃縮残渣（４５．６ｇ）を、シリカゲルカラム（シリカゲル（球状）：６７５ｇ、展開液：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１→３／１→２／１）により精製することで、淡黄色の液体状の反応生成物Ａを３１．６ｇ得た。

得られた反応生成物Ａについて、ＮＭＲ分析によって構造解析を行った。

ＮＭＲ測定は、ＶＮＭＲＳ−５００（Ｖａｒｉａｎ製）を用いて行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ測定［４９９．７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、内部０標準ＴＭＳ］の結果、得られたケミカルシフトと、当該ケミカルシフトの分裂パターン、カップリング定数及びプロトン数と、当該ケミカルシフトから帰属されるプロトンの位置は、下記表１に示すとおりであった。なお、表中、分裂パターンとして、ｄはダブレット、ｍはマルチプレット、ｄｄはダブルダブレット、ｂｒｓはブロードシングレットを表す。また、表中、Ａｒは芳香族環を示す。

また、^１３Ｃ−ＮＭＲ測定［１２５．６７ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、内部０標準ＴＭＳ］の結果、得られたケミカルシフトは以下に示すとおりであった。
１４４．８０、１４４．３０、１３６．１６、１３２．８１、１２７．１１、１２４．９９、１２３．２３、１２１．２９、６３．６２、５３．２８

ＮＭＲスペクトルの解析結果から、反応生成物Ａが、１−ヒドロキシメチルインデンであることが確認された。また、インデンに対する１−ヒドロキシメチルインデンの対理論収率は６３．６％であった。

得られた１−ヒドロキシメチルインデンは、下記式（３−１）で表される化合物である。

＜工程２：１−ヒドロキシメチルインダンの製造＞
３００ｍｌオートクレーブ反応容器に、１−ヒドロキシメチルインデン（３１ｇ、０．２１２ｍｏｌ）、ＴＨＦ（１０６ｍｌ）及びＰｔＯ_２（４８１ｍｇ、２．１２ｍｍｏｌ）を加え、Ａｒ（アルゴン）置換した後、Ｈ_２（水素）を０．８ＭＰａまで充填した。Ｈ_２圧が０．２〜０．８ＭＰａになるように補充しながら、室温で１２時間攪拌した。オートクレーブ反応容器をＡｒ置換した後、セライトを敷き詰めたガラスフィルターに反応溶液を注ぎ込み、反応溶液中の固体残渣を除去した。セライトを含むガラスフィルターをＴＨＦで洗浄した後、ろ液をロータリーエバポレーターによって減圧濃縮し、得られた濃縮残渣（３４．０ｇ）を２回蒸留精製（ｂ．ｐ．：１０６〜１０８℃／３ｍｍＨｇ）することで、無色液体の反応生成物Ｂを１９．０ｇ得た。

得られた反応生成物Ｂについて、ＮＭＲ分析によって構造解析を行った。

ＮＭＲ測定は、ＶＮＭＲＳ−５００（Ｖａｒｉａｎ製）を用いて行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ測定［４９９．７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、内部０標準ＴＭＳ］の結果、得られたケミカルシフトと、当該ケミカルシフトの分裂パターン、カップリング定数及びプロトン数と、当該ケミカルシフトから帰属されるプロトンの位置は、下記表２に示すとおりであった。

また、^１３Ｃ−ＮＭＲ測定［１２５．６７ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、内部０標準ＴＭＳ］の結果、得られたケミカルシフトは以下に示すとおりであった。
１４４．７、１４３．７、１２６．９、１２６．２、１２４．７、１２４．０、６５．９、４７．５、３１．３、２８．４

ＮＭＲスペクトルの解析結果から、反応生成物Ｂが、１−ヒドロキシメチルインダンであることが確認された。また、１−ヒドロキシメチルインデンに対する１−ヒドロキシメチルインダンの対理論収率は６０．５％であった。

得られた１−ヒドロキシメチルインダンは、下記式（４−１）で表される化合物である。

＜工程３（変換工程）：１−ブロモメチルインダンの製造＞
反応滴下口、反応温度指示計、還流管及びガス導入管を備えた１０００ｍｌ三つ口フラスコ反応容器に、Ａｒ気流下、１−ヒドロキシメチルインダン（１９．０ｇ、０．１２８ｍｏｌ）、脱水ジクロロメタン（５００ｍｌ）及びトリフェニルホスフィン（３８．３ｇ、０．３２６ｍｏｌ）を仕込み、５℃まで冷却した。次に、四臭化炭素（４８．４ｇ、０．３２６ｍｏｌ）を２５分間で添加した後に室温まで昇温し、２．５時間攪拌した。

その後、ロータリーエバポレーターを用いて減圧濃縮することでジクロロエタンを除去し、得られた残渣（１０２ｇ）にヘプタン／ジクロロメタン＝５／１（２５０ｍｌ）を加えて約２０分間攪拌し、セライトを敷き詰めたガラスフィルターに混合溶液を注ぎ込むことで、混合溶液中の固体残渣を除去した。得られたろ液を、ロータリーエバポレーターを用いて減圧濃縮した後に、シリカゲルカラム（シリカゲル（球状）：１．５ｋｇ、展開液：ヘプタン／ジクロロメタン＝５／１）にて精製し、淡黄色液体の反応生成物Ｃを２７．１ｇ得た。

得られた反応生成物Ｃについて、ＮＭＲ分析によって構造解析を行った。

ＮＭＲ測定は、ＶＮＭＲＳ−５００（Ｖａｒｉａｎ製）を用いて行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ測定［４９９．７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、内部０標準ＴＭＳ］の結果、得られたケミカルシフトと、当該ケミカルシフトの分裂パターン、カップリング定数及びプロトン数と、当該ケミカルシフトから帰属されるプロトンの位置は、下記表３に示すとおりであった。

また、^１３Ｃ−ＮＭＲ測定［１２５．６７ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、内部０標準ＴＭＳ］の結果、得られたケミカルシフトは以下に示すとおりであった。
１４４．３、１４３．７、１２７．４、１２６．３、１２４．９、１２３．９、４７．３、３７．４、３１．２、３０．８

ＮＭＲスペクトルの解析結果から、反応生成物Ｃが、１−ブロモメチルインダンであることが確認された。また、１−ヒドロキシメチルインダンに対する１−ブロモメチルインダンの対理論収率は１００％であった。

得られた１−ブロモメチルインダンは、下記式（５−１）で表される化合物である。

＜工程４（脱離工程）：１−メチレンインダンの製造＞
反応滴下口、反応温度指示計、還流管を備えた５００ｍｌ反応容器に、１−ブロモメチルインダン（３０．８ｇ、０．１４６ｍｏｌ）、メタノール（２０４ｍｌ）、水（８．７６ｍｌ）を加え、氷水で冷却しながら水酸化カリウム（４９．２ｇ、０．８７６ｍｏｌ）を３０分間で添加した。反応溶液を７０℃まで昇温し１時間攪拌した後に、室温まで放冷し、氷水（１１６６ｍｌ）へ反応液を注入し、さらにヘキサン（６００ｍｌ）を加えて３０分間攪拌した。

分液漏斗を用いて混合溶液の有機層と水層を分離し、水層をヘキサン（６００ｍｌ）で再度抽出し、得られた有機層を合わせ、水洗し、無水硫酸マグネシウムで脱水した。セライトを敷き詰めたガラスフィルターに脱水後の混合溶液を注ぎ込むことで固体を除去し、そのろ液にｐ−メトキシフェノール（０．１ｇ）を添加した後に、ロータリーエバポレーターを用いて減圧濃縮した。得られた残渣（１５．６ｇ）をシリカゲルカラム（シリカゲル（球状）：１５６ｇ、展開液：ヘキサン）により精製し、無色液体の反応生成物Ｄを１３．５ｇ得た。

得られた反応生成物Ｄについて、ＮＭＲ分析によって構造解析を行った。

ＮＭＲ測定は、ＶＮＭＲＳ−５００（Ｖａｒｉａｎ製）を用いて行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ測定［４９９．７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、内部０標準ＴＭＳ］の結果、得られたケミカルシフトと、当該ケミカルシフトの分裂パターン及びプロトン数と、当該ケミカルシフトから帰属されるプロトンの位置は、下記表４に示すとおりであった。

また、^１３Ｃ−ＮＭＲ測定［１２５．６７ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、内部０標準ＴＭＳ］の結果、得られたケミカルシフトと当該ケミカルシフトから帰属される炭素の位置は、以下に示すとおりであった。
１５１．０（ＣＨ_２＝Ｃ）、１４７．２（Ａｒ）、１４１．５（Ａｒ）、１２８．７（Ａｒ）、１２６．８（Ａｒ）、１２５．８（Ａｒ）、１２１．０（Ａｒ）、１０２．８（ＣＨ_２＝Ｃ）、３１．６（Ｃ−ＣＨ_２−ＣＨ_２）、３０．５（Ｃ−ＣＨ_２−ＣＨ_２）

さらに、得られた反応生成物Ｄについて、ガスクロマトグラフ−質量スペクトル（ＧＣ−ＭＳ）測定を行った。測定は、ＧＣ−ＭＳ ＧＣ７８９０、ＭＳ５９７５Ｃ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いて行った。測定結果は、以下に示すとおりであった。
ＧＣ−ＭＳ：Ｍ／Ｚ＝１３０

ＮＭＲスペクトルの解析結果及びＧＣ−ＭＳ測定の結果から、反応生成物Ｄが、１−メチレンインダンであることが確認された。また、１−ブロモメチルインダンに対する１−メチレンインダンの対理論収率は７１．０％であった。

１−メチレンインダンは、下記式（１−１）で表される化合物である。

上記工程１〜４の全工程に関し、原料であるインデンに対する１−メチレンインダンの対理論収率は２７．３％であり、特許文献３に記載の方法と同等の収率で１−メチレンインダンが得られた。

また、得られた１−メチレンインダンの純度を、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ６８５０（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製））を用いて測定したところ、９９．７質量％と極めて高純度の１−メチレンインダンが得られたことが確認された。

本発明によれば、高純度の１−アルキリデンインダン類を容易に製造することができるため、機能性樹脂の原料や医農薬中間体の供給方法として有用である。

Claims (3)

1. 酸又は塩基の存在下、インデンと、下記式（２）：
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。］
   で表されるカルボニル化合物又はその等価体とを反応させて、下記式（３）：
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。］
   で表される１−ヒドロキシアルキルインデン類を得る第一の工程と、
   前記１−ヒドロキシアルキルインデン類を水素化して、下記式（４）：
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。］
   で表される１−ヒドロキシアルキルインダン類を得る第二の工程と、
   前記１−ヒドロキシアルキルインダン類の水酸基を脱離させて、下記式（１）：
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。］
   で表される１−アルキリデンインダン類を得る第三の工程と、
   を備える、１−アルキリデンインダン類の製造方法。
2. 前記第三の工程は、
   前記１−ヒドロキシアルキルインダン類と、トリフェニルホスフィンと、四塩化炭素、四臭化炭素及びヨウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種のハロゲン化剤とを反応させて、下記式（５）：
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、Ｘ^１は、クロロ基、ブロモ基又はヨード基を示す。］
   で表されるハロゲン化アルキルインダン類を得る工程と、
   前記ハロゲン化アルキルインダン類と塩基とを反応させて、前記１−アルキリデンインダン類を得る工程とを含む、請求項１に記載の１−アルキリデンインダン類の製造方法。
3. 前記第三の工程は、
   前記１−ヒドロキシアルキルインダン類と、塩基と、アルキルスルホン酸無水物、アリールスルホン酸無水物、アルキルスルホン酸ハライド、アリールスルホン酸ハライド、アルキルハライド、ジアルキル硫酸及び有機スルホン酸アルキルエステルからなる群より選ばれる少なくとも１種とを反応させて、下記式（６）：
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、Ｘ^２は、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はアルキルオキシ基を示す。］
   で表される脱離基含有アルキルインダン類を得る工程と、
   前記脱離基含有アルキルインダン類と塩基とを反応させて、前記１−アルキリデンインダン類を得る工程とを含む、請求項１に記載の１−アルキリデンインダン類の製造方法。