JP2011205101A - 半導体メモリ装置及びその製造方法 - Google Patents
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- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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Abstract
【解決手段】第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域を含む基板であって、第1ウェル領域は、第2ウェル領域と第3ウェル領域との間に配され、第1ウェル領域は、第1タイプ導電体を含み、第2ウェル領域及び第3ウェル領域は、第2タイプ導電体をそれぞれ含む基板;第1ウェル領域に一列に形成され、電源端子を共有する第1プルアップ素子及び第2プルアップ素子;第2ウェル領域に第1プルアップ素子と隣接するように配される第1プルダウン素子;第3ウェル領域に第2プルアップ素子と隣接するように配される第2プルダウン素子;第2ウェル領域に第2プルアップ素子と隣接するように配される第1アクセス素子;第3ウェル領域に第1プルアップ素子と隣接するように形成される第2アクセス素子;を含む半導体メモリ装置である。
【選択図】図1
Description
5 電子システム
10,30 基板
11,31 素子分離膜
12,32 シリサイド層
13,33 第1絶縁層
14,34 第2絶縁層
15,35 第3絶縁層
16,36 第4絶縁層
17,37 第5絶縁層
51 プロセッサ
52 メモリ
53 入出力装置
111,112,113,311,312,313 ソース領域及びドレイン領域
131,331 ゲート絶縁膜
132,332 キャッピング膜
133,333 スペーサ
511 記憶装置
Claims (59)
- 第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域を含む基板であって、前記第1ウェル領域は、前記第2ウェル領域と前記第3ウェル領域との間に配され、前記第1ウェル領域は、第1タイプ導電体を含み、前記第2ウェル領域及び第3ウェル領域は、第2タイプ導電体をそれぞれ含む基板と、
前記第1ウェル領域に一列に形成され、電源端子を共有する第1プルアップ素子及び第2プルアップ素子と、
前記第2ウェル領域に、前記第1プルアップ素子と隣接するように配される第1プルダウン素子と、
前記第3ウェル領域に、前記第2プルアップ素子と隣接するように配される第2プルダウン素子と、
前記第2ウェル領域に、前記第2プルアップ素子と隣接するように配される第1アクセス素子と、
前記第3ウェル領域に、前記第1プルアップ素子と隣接するように配される第2アクセス素子と、を含む半導体メモリ装置。 - 前記第1プルアップ素子及び第2プルアップ素子は、単一活性領域に配され、前記単一活性領域は、前記第1ウェル領域に含まれることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1プルアップ素子及び前記第1プルダウン素子は、第1インバータを構成し、
前記第2プルアップ素子及び前記第2プルダウン素子は、第2インバータを構成することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1アクセス素子は、前記第2インバータの入力端子と、前記第1インバータの出力端子と、に連結され、
前記第2アクセス素子は、前記第1インバータの入力端子と、前記第2インバータの出力端子と、に連結されることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1アクセス素子は、ワードラインに印加される電圧によって制御され、1対のビットラインのうち第1ビットラインを、前記第2インバータの入力端子と、前記第1インバータの出力端子と、に連結させる第1アクセス・トランジスタを含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第2アクセス素子は、前記ワードラインに印加される電圧によって制御され、前記1対のビットラインのうち第2ビットラインを、前記第1インバータの入力端子と、前記第2インバータの出力端子と、に連結させる第2アクセス・トランジスタを含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1アクセス素子及び前記第1プルダウン素子は、単一活性領域内に一列に配され、前記単一活性領域は、前記第2ウェル領域に含まれることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第2アクセス素子及び前記第2プルダウン素子は、単一活性領域内に一列に配され、前記単一活性領域は、前記第3ウェル領域に含まれることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1タイプ導電体は、N型導電体であって、前記第2タイプ導電体は、P型導電体であることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1プルアップ素子は、前記電源端子に連結されるソースを有するPチャネル・トランジスタを含み、
前記第1プルダウン素子は、前記Pチャネル・トランジスタのドレインに連結されるドレイン、前記Pチャネル・トランジスタのゲートに連結されるゲート、及び接地端子に連結されるソースを有するNチャネル・トランジスタを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第2プルアップ素子は、前記電源端子に連結されるソースを有するPチャネル・トランジスタを含み、
前記第2プルダウン素子は、前記Pチャネル・トランジスタのドレインに連結されるドレイン、前記Pチャネル・トランジスタのゲートに連結されるゲート、及び接地端子に連結されるソースを有するNチャネル・トランジスタを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1アクセス素子は、ワードラインに連結されるゲートを有するNチャネル・トランジスタを含み、
前記第2アクセス素子は、前記ワードラインに連結されるゲートを有するNチャネル・トランジスタを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、電子システムに含まれ、
前記電子システムは、バスを介して互いに通信するメモリ部、プロセッサ及び入出力装置を含み、
前記プロセッサは、前記半導体メモリ装置を含む記憶装置を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域を含む基板であって、前記第1ウェル領域は、前記第2ウェル領域と前記第3ウェル領域との間に配され、前記第1ウェル領域は、第1タイプ導電体を含み、前記第2ウェル領域及び第3ウェル領域は、第2タイプ導電体をそれぞれ含む基板と、
前記第1ウェル領域に含まれ、第1プルアップ素子及び第2プルアップ素子が一列に配される第1活性領域と、
前記第2ウェル領域に含まれ、前記第2プルアップ素子に隣接した第1アクセス素子、及び前記第1プルアップ素子に隣接した第1プルダウン素子が配される第2活性領域と、
前記第3ウェル領域に含まれ、前記第1プルアップ素子に隣接した第2アクセス素子、及び前記第2プルアップ素子に隣接した第2プルダウン素子が配される第3活性領域と、を含む半導体メモリ装置。 - 前記第1プルアップ素子及び第2プルアップ素子は、第1方向に沿って一列に配され、
前記第1プルアップ素子は、前記第1方向と垂直である第2方向に沿って、前記第1プルダウン素子及び前記第2アクセス素子と隣接するように配され、
前記第2プルアップ素子は、前記第2方向に沿って、前記第2プルダウン素子及び前記第1アクセス素子と隣接するように配されることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1活性領域及び第2活性領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される第1ゲート電極と、
前記第1活性領域及び第3活性領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される第2ゲート電極と、をさらに含み、
前記第1プルアップ素子と前記第1プルダウン素子は、前記第1ゲート電極に共通して連結されて第1インバータを構成し、前記第2プルアップ素子と前記第2プルダウン素子は、前記第2ゲート電極に共通して連結されて第2インバータを構成することを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1アクセス素子を、前記第2インバータの入力端子、及び前記第1インバータの出力端子に連結させる第1金属配線と、
前記第2アクセス素子を、前記第1インバータの入力端子、及び前記第2インバータの出力端子に連結させる第2金属配線と、をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1金属配線及び前記第2金属配線は、同一層に配されることを特徴とする請求項17に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1金属配線及び前記第2金属配線は、互いに異なる層に配されることを特徴とする請求項17に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第2活性領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される第3ゲート電極と、
前記第3活性領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される第4ゲート電極と、をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第3ゲート電極及び第4ゲート電極と平行な方向に伸張するように、前記基板の上部に形成され、前記第3ゲート電極及び第4ゲート電極に連結されるワードラインをさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1活性領域、第2活性領域及び第3活性領域と平行な方向に伸張するように、前記基板の上部に形成される1対のビットラインをさらに含み、
前記1対のビットラインのうち第1ビットラインは、前記第1アクセス素子に連結され、
前記1対のビットラインのうち第2ビットラインは、前記第2アクセス素子に連結されることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1活性領域、第2活性領域及び第3活性領域と平行な方向に伸張するように、前記基板の上部に形成される電源電極ラインをさらに含み、
前記電源電極ラインは、前記第1プルアップ素子と第2プルアップ素子との間に形成されたコンタクトプラグを介して、前記第1プルアップ素子及び第2プルアップ素子に連結されることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1タイプ導電体は、N型導電体であって、前記第2タイプ導電体は、P型導電体であることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。
- 第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域を含む基板を提供する段階であって、前記第1ウェル領域は、前記第2ウェル領域と前記第3ウェル領域との間に配され、前記第1ウェル領域は、第1タイプ導電体を含み、前記第2ウェル領域及び第3ウェル領域は、第2タイプ導電体をそれぞれ含む段階と、
前記第1ウェル領域上に含まれた第1活性領域に、第1プルアップ素子及び第2プルアップ素子を一列に形成する段階と、
前記第2ウェル領域上に含まれた第2活性領域に、前記第1プルアップ素子と隣接した第1プルダウン素子と、前記第2プルアップ素子と隣接した第1アクセス素子と、を形成する段階と、
前記第3ウェル領域上に含まれた第3活性領域に、前記第2プルアップ素子と隣接した第2プルダウン素子と、前記第1プルアップ素子と隣接した第2アクセス素子と、を形成する段階と、を含む半導体メモリ装置の製造方法。 - 前記第1プルアップ素子及び第2プルアップ素子は、第1方向に沿って一列に形成され、
前記第1プルアップ素子は、前記第1方向と垂直である第2方向に沿って、前記第1プルダウン素子及び前記第2アクセス素子と隣接するように配され、
前記第2プルアップ素子は、前記第2方向に沿って、前記第2プルダウン素子及び前記第1アクセス素子と隣接するように配されることを特徴とする請求項25に記載の半導体メモリ装置の製造方法。 - 前記第1活性領域、第2活性領域及び第3活性領域のうち少なくとも1つの領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される複数の導電性パターンを形成する段階をさらに含み、
前記第1プルアップ素子と前記第1プルダウン素子は、前記複数の導電性パターンのうち一つに共通して連結されて第1インバータを構成し、
前記第2プルアップ素子と前記第2プルダウン素子は、前記複数の導電性パターンのうち他の一つに共通して連結されて第2インバータを構成することを特徴とする請求項25に記載の半導体メモリ装置の製造方法。 - 前記第1アクセス素子を、前記第2インバータの入力端子と、前記第1インバータの出力端子と、に連結させる第1金属配線;前記第2アクセス素子を、前記第1インバータの入力端子と、前記第2インバータの出力端子と、に連結させる第2金属配線;を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項27に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
- 前記第1金属配線及び第2金属配線を形成する段階は、
前記基板の上部に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記第1絶縁膜の一部領域をエッチングして複数の第1コンタクトホールを形成し、前記複数の第1コンタクトホールに金属を充填して複数のコンタクトプラグを形成する段階と、
前記複数のコンタクトプラグが形成された前記第1絶縁膜上に、第2絶縁膜を形成する段階と、
前記第2絶縁膜の一部領域をエッチングして複数の第2コンタクトホールを形成し、前記複数の第2コンタクトホールに金属を充填し、前記第1金属配線及び第2金属配線を形成する段階と、を含み、
前記第1金属配線及び第2金属配線は、前記複数のコンタクトプラグを介して、前記第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域のうち少なくとも一つに連結されることを特徴とする請求項28に記載の半導体メモリ装置の製造方法。 - 前記第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域のうち少なくとも一つにシリサイド層を形成する段階をさらに含み、
前記複数のコンタクトプラグは、前記シリサイド層に連結されることを特徴とする請求項29に記載の半導体メモリ装置の製造方法。 - 第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域を含む基板であって、前記第1ウェル領域は、前記第2ウェル領域と前記第3ウェル領域との間に配され、前記第1ウェル領域は、第1タイプ導電体を含み、前記第2ウェル領域及び第3ウェル領域は、第2タイプ導電体をそれぞれ含む基板と、
前記第1ウェル領域に一列に形成されて接地端子を共有する第1プルダウン素子及び第2プルダウン素子と、
前記第2ウェル領域に、前記第1プルダウン素子と隣接するように配される第1プルアップ素子と、
前記第3ウェル領域に、前記第2プルダウン素子と隣接するように配される第2プルアップ素子と、
前記第2ウェル領域に、前記第2プルダウン素子と隣接するように配される第1アクセス素子と、
前記第3ウェル領域に、前記第1プルダウン素子と隣接するように配される第2アクセス素子と、を含む半導体メモリ装置。 - 前記第1プルダウン素子及び第2プルダウン素子は、単一活性領域に配され、前記単一活性領域は、前記第1ウェル領域に含まれることを特徴とする請求項31に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1プルダウン素子及び前記第1プルアップ素子は、第1インバータを構成し、
前記第2プルダウン素子及び前記第2プルアップ素子は、第2インバータを構成することを特徴とする請求項31に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1アクセス素子は、前記第2インバータの入力端子と、前記第1インバータの出力端子と、に連結され、
前記第2アクセス素子は、前記第1インバータの入力端子と、前記第2インバータの出力端子と、に連結されることを特徴とする請求項33に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1アクセス素子は、ワードラインに印加される電圧によって制御され、1対のビットラインのうち第1ビットラインを、前記第2インバータの入力端子と、前記第1インバータの出力端子と、に連結させる第1アクセス・トランジスタを含むことを特徴とする請求項33に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第2アクセス素子は、前記ワードラインに印加される電圧によって制御され、前記1対のビットラインのうち第2ビットラインを、前記第1インバータの入力端子と、前記第2インバータの出力端子と、に連結させる第2アクセス・トランジスタを含むことを特徴とする請求項35に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1アクセス素子及び前記第1プルアップ素子は、単一活性領域内に一列に配され、前記単一活性領域は、前記第2ウェル領域に含まれることを特徴とする請求項31に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第2アクセス素子及び前記第2プルアップ素子は、単一活性領域内に一列に配され、前記単一活性領域は、前記第2ウェル領域に含まれることを特徴とする請求項31に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1タイプ導電体は、P型導電体であって、前記第2タイプ導電体は、N型導電体であることを特徴とする請求項31に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1プルダウン素子は、前記接地端子に連結されるソースを有するNチャネル・トランジスタを含み、
前記第1プルアップ素子は、前記Nチャネル・トランジスタのドレインに連結されるドレイン、前記Nチャネル・トランジスタのゲートに連結されるゲート、及び電源端子に連結されるソースを有するPチャネル・トランジスタを含むことを特徴とする請求項39に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第2プルダウン素子は、前記接地端子に連結されるソースを有するNチャネル・トランジスタを含み、
前記第2プルアップ素子は、前記Nチャネル・トランジスタのドレインに連結されるドレイン、前記Nチャネル・トランジスタのゲートに連結されるゲート、及び電源端子に連結されるソースを有するPチャネル・トランジスタを含むことを特徴とする請求項39に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1アクセス素子は、ワードラインに連結されるゲートを有するPチャネル・トランジスタを含み、
前記第2アクセス素子は、前記ワードラインに連結されるゲートを有するPチャネル・トランジスタを含むことを特徴とする請求項39に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、電子システムに含まれ、
前記電子システムは、バスを介して互いに通信するメモリ部、プロセッサ及び入出力装置を含み、
前記プロセッサは、前記半導体メモリ装置を含む記憶装置を含むことを特徴とする請求項31に記載の半導体メモリ装置。 - 第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域を含む基板であって、前記第1ウェル領域は、前記第2ウェル領域と前記第3ウェル領域との間に配され、前記第1ウェル領域は、第1タイプ導電体を含み、前記第2ウェル領域及び第3ウェル領域は、第2タイプ導電体をそれぞれ含む基板と、
前記第1ウェル領域に含まれ、第1プルダウン素子及び第2プルダウン素子が一列に配される第1活性領域と、
前記第2ウェル領域に含まれ、前記第2プルダウン素子に隣接した第1アクセス素子、及び前記第1プルダウン素子に隣接した第1プルアップ素子が配される第2活性領域と、
前記第3ウェル領域に含まれ、前記第1プルダウン素子に隣接した第2アクセス素子、及び前記第2プルダウン素子に隣接した第2プルアップ素子が配される第3活性領域と、を含む半導体メモリ装置。 - 前記第1プルダウン素子及び第2プルダウン素子は、第1方向に沿って一列に配され、
前記第1プルダウン素子は、前記第1方向と垂直である第2方向に沿って、前記第1プルアップ素子及び前記第2アクセス素子と隣接するように配され、
前記第2プルダウン素子は、前記第2方向に沿って、前記第2プルアップ素子及び前記第1アクセス素子と隣接するように配されることを特徴とする請求項44に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1活性領域及び第2活性領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される第1ゲート電極と、
前記第1活性領域及び第3活性領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される第2ゲート電極と、をさらに含み、
前記第1プルダウン素子と前記第1プルアップ素子は、前記第1ゲート電極に共通して連結されて第1インバータを構成し、前記第2プルダウン素子と前記第2プルアップ素子は、前記第2ゲート電極に共通して連結されて第2インバータを構成することを特徴とする請求項44に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1アクセス素子を、前記第2インバータの入力端子、及び前記第1インバータの出力端子に連結させる第1金属配線と、
前記第2アクセス素子を、前記第1インバータの入力端子、及び前記第2インバータの出力端子に連結させる第2金属配線と、をさらに含むことを特徴とする請求項46に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1金属配線及び前記第2金属配線は、同一層に配されることを特徴とする請求項47に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1金属配線及び前記第2金属配線は、互いに異なる層に配されることを特徴とする請求項47に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第2活性領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される第3ゲート電極と、
前記第3活性領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される第4ゲート電極と、をさらに含むことを特徴とする請求項46に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第3ゲート電極及び第4ゲート電極と平行な方向に伸張するように、前記基板の上部に形成され、前記第3ゲート電極及び第4ゲート電極に連結されるワードラインをさらに含むことを特徴とする請求項50に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1活性領域、第2活性領域及び第3活性領域と平行な方向に伸張するように、前記基板の上部に形成される1対のビットラインをさらに含み、
前記1対のビットラインのうち第1ビットラインは、前記第1アクセス素子の一端に連結され、
前記1対のビットラインのうち第2ビットラインは、前記第2アクセス素子の他端に連結されることを特徴とする請求項44に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1活性領域、第2活性領域及び第3活性領域と平行な方向に伸張するように、前記基板の上部に形成される接地電極ラインをさらに含み、
前記接地電極ラインは、前記第1プルダウン素子と第2プルダウン素子との間に形成されたコンタクトプラグを介して、前記第1プルダウン素子及び第2プルダウン素子に連結されることを特徴とする請求項44に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1タイプ導電体は、P型導電体であって、前記第2タイプ導電体は、N型導電体であることを特徴とする請求項44に記載の半導体メモリ装置。
- 第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域を含む基板を提供する段階であって、前記第1ウェル領域は、前記第2ウェル領域と前記第3ウェル領域との間に配され、前記第1ウェル領域は、第1タイプ導電体を含み、前記第2ウェル領域及び第3ウェル領域は、第2タイプ導電体をそれぞれ含む段階と、
前記第1ウェル領域上に含まれた第1活性領域に、第1プルダウン素子及び第2プルダウン素子を一列に形成する段階と、
前記第2ウェル領域上に含まれた第2活性領域に、前記第1プルダウン素子と隣接した第1プルアップ素子及び前記第2プルダウン素子と隣接した第1アクセス素子を形成する段階と、
前記第3ウェル領域上に含まれた第3活性領域に、前記第2プルダウン素子と隣接した第2プルアップ素子と、前記第1プルダウン素子と隣接した第2アクセス素子と、を形成する段階と、を含む半導体メモリ装置の製造方法。 - 前記第1プルダウン素子及び第2プルダウン素子は、第1方向に沿って一列に形成され、
前記第1プルダウン素子は、前記第1方向と垂直である第2方向に沿って、前記第1プルアップ素子及び前記第2アクセス素子と隣接するように配され、
前記第2プルダウン素子は、前記第2方向に沿って、前記第2プルアップ素子及び前記第1アクセス素子と隣接するように配されることを特徴とする請求項55に記載の半導体メモリ装置の製造方法。 - 前記第1活性領域、第2活性領域及び第3活性領域のうち少なくとも1つの領域の上部を横切る方向に、前記基板の上部に形成される複数の導電性パターンを形成する段階をさらに含み、
前記第1プルダウン素子と前記第1プルアップ素子は、前記複数の導電性パターンのうち一つに共通して連結されて第1インバータを構成し、
前記第2プルダウン素子と前記第2プルアップ素子は、前記複数の導電性パターンのうち他の一つに共通して連結されて第2インバータを構成することを特徴とする請求項55に記載の半導体メモリ装置の製造方法。 - 前記第1アクセス素子を、前記第2インバータの入力端子と、前記第1インバータの出力端子と、に連結させる第1金属配線;前記第2アクセス素子を、前記第1インバータの入力端子と、前記第2インバータの出力端子と、に連結させる第2金属配線;を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項57に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
- 第1ウェル領域、第2ウェル領域及び第3ウェル領域を含む基板であって、前記第1ウェル領域は、前記第2ウェル領域と前記第3ウェル領域との間に配され、前記第1ウェル領域は、第1タイプ導電体を含み、前記第2ウェル領域及び第3ウェル領域は、第2タイプ導電体をそれぞれ含む基板を含み、
前記第1ウェル領域は、第1積層構造を含み、前記第1積層構造は、第1単一活性層上に連続して積層された第1コンタクトプラグ、第1金属絶縁層、ビアプラグ、及び電源電圧または接地電圧ラインを含み、
前記第2ウェル領域は、第2積層構造を含み、前記第2積層構造は、第2単一活性層上に連続して積層された第2コンタクトプラグ及び第2金属絶縁層を含み、
前記第3ウェル領域は、第3積層構造を含み、前記第3積層構造は、第3単一活性層上に連続して積層された第3コンタクトプラグ及び第3金属絶縁層を含むことを特徴とする半導体メモリ装置。
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