JP2011176819A - 温度補償型弾性表面波デバイスとインタディジタル・トランスデューサー、改善された挿入損失及び品質の値を提供するための埋め込み方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧電基板12の表面に金属電極16を有するSAWデバイス10は、表面に堆積した誘電体層18を含む。誘電体層18を堆積すると、基体の表面上に拡張する金属電極16から上方に拡張する縫い目20、22が得られる。誘電体層18内の隣接する金属電極16aから拡張する第二の縫い目20と結合する金属電極16bから拡張する第一の縫い目22からは別の縫い目が得られ、この縫い目は一般に金属電極16の高さより高く形成される。誘電体層18は、所望の金属電極16上に誘電体層18の厚さを提供するために、更に平坦化してよい。
【選択図】図1
Description
実際に、SAW共振器の挿入損失が低下することを開示しています。一度酸化層が
SAWトランスデューサー・パターン上に置かれれば、平坦化プロセス損失の低下を改善することに役立つことは技術的に知られています。フィルターのパフォーマンスを改善するには、2つの SiO2レイヤーの使用をNishiyamaは教示しています。SiO2 の最初のレイヤーは、金属電極の厚さに大幅に等しい層の厚さの圧電基板上の金属電極間に破棄されます。SiO2 の2番目のレイヤーをカバーするには、最初の酸化層と金属電極を提供します。Nishiyamaは改善された挿入損失を提供するために電極金属の同じ厚さになるよう、最初のSiO2レイヤーを必要とするデバイスを強調しています。
「x」は、現実な数と積極的な数。
けます。さらに、結合係数とTCF SiOx などのシリコン酸化物の埋蔵共振器かを確
認SiOxレイヤーの厚さにより決定される。
ダブル‐エッチバック(etchback) コートでSiOx後に1つの平坦化SiOxレイヤーを排除またはSiOx、即ちこのような空隙を大幅に削減し、平坦化とコートSiOx共振器中の品質が大幅に向上します。これは、品質係数と共振器の結合係数の両方が向上します。ダブル‐エッチバック(etchback) 平坦では、SiOxの最初のレイヤーは、電極の厚さよりも遥かに厚いです。これは、よく知られているデバイスと方法からの発明の実施例を区別する機能の1つです。
誘電体層内電極16を埋め、そしてここに説明した継続的な参照を図1にし、デバイス 10 は、図表イラストによれば最初に持つものとして示されており、第2番目の縫い目20と、24、26 の隣接電極16 a、16 bの22拡張上方からと、反対する1番目と2番目にエッジします。さらに、より詳細に説明をしますと20縫い目、22は、18誘電体層のアプリケーション間に形成され、通常よりも一般的に形成された全体のレイヤーの密度が低い誘電体層内にその領域があります。
結果としての電極、近傍での空隙28に記載されているデバイスのエッジなど、酸化がよく知られているデバイスを層にて観測されています。これらの空隙の説明と図6に例示の方法で、図の上部分は酸化トレースか、全体の層に比較すると望ましくない低密度材料を展示します。さらに、これらの空隙 28 は大幅に、共振器の品質の値が低下します。通常、空隙28が実質的にすることはできません技術では、既知のデバイスまたは有効な削除をする空隙とは異なり、本発明デバイスと酸化層18の方法で生産されたデバイス10、残り空隙 28を提供します。したがって、改善された挿入損失と品質の値の方法などの共振器を提供します。
したがって、それらの発明を明らかにし、特定の実施例に限定されるのものではなく、変更や改変が、請求の範囲内で行われることを意味しています。
Claims (23)
- 圧電基板を提供する工程、
圧電基板の表面に複数の金属電極を配置する工程;
圧電基板の表面に該電極を被覆するのに十分な誘電体層を堆積する工程であって、前記堆積は電極から上方に拡張する縫い目を形成し、第一の電極から拡張する第一の縫い目は、隣接する電極から拡張する第二の縫い目と結合して、誘電体層内に、かつ一般に電極上に第三の縫い目を形成する該工程;及び
誘電体層から第三の縫い目を実質的に除去する工程;
を含むSAWデバイスの製造方法。 - 前記第三縫い目の実質的な除去工程が、誘電体層に対し、第三縫い目を実質的に除去するのに十分な電極上の距離まで平坦化を適用する工程を含む請求項1に記載の方法。
- 第二の層を堆積する工程を更に含み、該第二の層の堆積工程が平坦化適用工程の前及び/又は後で起こる工程を含む請求項2に記載の方法。
- 前記第三縫い目の実質的な除去工程が、誘電体層を形成する誘電体の少なくとも1種で第三縫い目を充填すると共に、第二の誘電体で第三縫い目を充填する工程を含む請求項1に記載の方法。
- 第二の層を堆積する工程を更に含み、該第二の層の堆積工程が平坦化適用工程の前及び/又は後で起こる工程を含み、該第二層の堆積工程が第三縫い目の充填工程を含む請求項4に記載の方法。
- 前記誘電体層が第一の誘電体層を含み、前記第二層の堆積工程が第二の誘電体層を堆積する工程を含む請求項5に記載の方法。
- 第二誘電体層の表面、並びに基板及び電極上に形成された得られるオーバーコート層の平坦化の少なくとも1つを行なうため、第二誘電体層を平坦化する工程を更に含む請求項6に記載の方法。
- 前記第三縫い目の実質的除去工程が、誘電体層に対し、第三縫い目を少なくとも部分的に除去するのに十分な電極上の距離まで平坦化を適用する工程;及び
誘電体層を形成する誘電体の少なくとも1種で第三縫い目を充填すると共に、第二の誘電体で第三縫い目を充填する工程;
を含む請求項1に記載の方法。 - 前記縫い目の形成工程が、実質的に誘電体層全体に亘る密度範囲よりも低い密度を有する誘電体層内に領域を形成する工程を含み、第三の縫い目が誘電体のない空隙から第一及び第二の縫い目中の誘電体の密度よりも低い密度を有する誘電体までの範囲の誘電体量を含む請求項1に記載の方法。
- 前記誘電体層の堆積工程が、酸化物層を堆積する工程を含む請求項1に記載の方法。
- 前記誘電体層の堆積工程が、複数の誘電体層を堆積する工程を含む請求項1に記載の方法。
- 表面を有する圧電基板;
圧電基板表面上の複数の金属電極;及び
圧電基板表面上に金属電極を被覆するのに十分な誘電体層を堆積して得られる誘電体層;
を含むSAWデバイスであって、前記堆積は、電極から上方に拡張する縫い目を形成し、隣接する電極から誘電体層内に、かつ一般に電極上に拡張する第二の縫い目と結合する第一の電極から拡張する第一の縫い目から得られる第三の縫い目は誘電体層から実質的に除去される該デバイス。 - 前記第三縫い目の除去は、誘電体層に対する第三縫い目を完全に除去するのに十分な電極上の距離までの平坦化、誘電体層に対する第三縫い目を少なくとも部分的に除去するのに十分な電極上の距離までの平坦化、誘電体層を形成する誘電体及び第二の誘電体の少なくとも1つによる第三縫い目への充填、及びそれらの組合わせの少なくとも1つで生じる請求項12に記載のSAWデバイス。
- 前記第一、第二及び第三の縫い目が、実質的に誘電体層全体に亘る密度よりも一般に低い密度を有する誘電体層内の領域を含み、第三の縫い目が、第三縫い目の除去前に、誘電体のない所から第一及び第二の縫い目中の誘電体の密度よりも低い密度を有する誘電体までの範囲の密度を含む請求項12に記載のSAWデバイス。
- 前記誘電体層が第一及び第二の誘電体層を含む請求項12に記載のSAWデバイス。
- 前記第二誘電体層が、第一誘電体層上に堆積され、該第二層が、表面の平坦性、並びに基体及び電極上に形成されたオーバーコート層の得られる厚さの少なくとも1つを付与するために平坦化される請求項15に記載のSAWデバイス。
- 前記誘電体層が、酸化物層を含む請求項15に記載のSAWデバイス。
- 表面を有する圧電基板;
圧電基板表面上の複数の金属電極;及び
圧電基板表面上に金属電極を被覆するのに十分な誘電体層を堆積して得られる誘電体層;
を含む音響波デバイスであって、前記堆積は、基体の表面上に拡張する電極から上方に拡張する縫い目を形成する該デバイス。 - 誘電体層内で一般に電極上の隣接する電極から拡張する第二の縫い目と結合する第一の電極から拡張する第一の縫い目から得られる第三の縫い目は、誘電体層から十分に除去される請求項18に記載の音響波デバイス。
- 前記第三縫い目の除去は、誘電体層に対する第三縫い目を部分的に除去するのに十分な電極上の距離までの平坦化、誘電体層に対する第三縫い目を完全に除去するのに十分な電極上の距離までの平坦化、誘電体層を形成する誘電体及び第二の誘電体の少なくとも1つによる第三縫い目への充填、及びそれらの組合わせの少なくとも1つで生じる請求項19に記載のSAWデバイス。
- 前記誘電体層が、基体及び電極上に拡張する誘電体層の厚さを提供するのに十分に平坦化されている請求項18に記載の音響波デバイス。
- 前記誘電体層が少なくとも1つの酸化物層を含む請求項18に記載の音響波デバイス。
- 圧電基体の表面上で電極上の前記誘電体層が、複数の誘電体層の堆積で得られる請求項18に記載の音響波デバイス。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004260625A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2005065050A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法および電子機器 |
JP2005348139A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP2008067289A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
WO2008087836A1 (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2004357094A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Fujitsu Media Device Kk | 電子部品及びパッケージ |
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US7622365B2 (en) | 2008-02-04 | 2009-11-24 | Micron Technology, Inc. | Wafer processing including dicing |
JP2010045533A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | 弾性波デバイスの製造方法 |
-
2010
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-
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- 2011-02-22 JP JP2011036028A patent/JP5065505B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004260625A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2005065050A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法および電子機器 |
JP2005348139A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP2008067289A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
WO2008087836A1 (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置の製造方法 |
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