JP2011176085A - Substrate treating method, and substrate treating apparatus - Google Patents

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夏木 牧野
Masaaki Kato
正明 加藤
Masayoshi Kondo
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating method and a substrate treating apparatus that stably process the substrate. <P>SOLUTION: The treating apparatus 1 includes a tank 11 into which a liquid L is supplied and in which the substrate 2 is dipped in the supplied liquid L, and a holding portion 13 configured to hold the substrate 2 arranged in the tank 11 with a substrate surface of the substrate 2 substantially parallel to a perpendicular direction. The treating apparatus 1 is configured such that when the liquid L is made to flow from a supply port 111 to a drain port 112 of the tank 11, the liquid L flows perpendicularly from an upper side to a lower side along the substrate surface. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板の処理方法および処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing method and a processing apparatus.

従来、回路基板は、以下のようにして製造されている。
基材の両面に銅箔が貼り付けられた両面銅貼積層板を用意する。この両面銅貼積層板にビアホールを形成し、さらに、ビアホールおよび両面銅貼積層板上にめっきを行う。その後、両面銅貼積層板を加工して回路を形成する（たとえば、特許文献１参照）。 Conventionally, circuit boards are manufactured as follows.
A double-sided copper-clad laminate with copper foil attached to both sides of the substrate is prepared. Via holes are formed in the double-sided copper-clad laminate, and plating is further performed on the via holes and the double-sided copper-clad laminate. Thereafter, the double-sided copper-clad laminate is processed to form a circuit (see, for example, Patent Document 1).

特開平１１−１８６７３７号公報JP 11-186737 A

従来の基板の製造方法では、めっきを行う際に、両面銅貼積層板をめっき液に浸漬させている。しかしながら、この製造方法では、所望のめっき膜を安定的に得ることが難しかった。
所望のめっき膜が得られない原因としては、めっき液の滞留や、異物の付着等が考えられる。
めっき液をバブリング等で撹拌することも行われているが、めっき槽は比較的大きいため、バブリング等で撹拌しても、めっき液の滞留や、異物の付着を確実に抑制することは非常に困難であった。
なお、このように、滞留が生じるという課題、異物が付着するという課題は、めっきを行う場合のみならず、両面銅貼積層板を水に浸して水洗する場合や、エッチング液に両面銅貼積層板を浸してエッチングを行う場合等にも生じる。 In the conventional method for manufacturing a substrate, a double-sided copper-clad laminate is immersed in a plating solution when plating. However, with this manufacturing method, it has been difficult to stably obtain a desired plating film.
Possible causes for the failure to obtain the desired plating film include retention of the plating solution and adhesion of foreign matter.
Stirring the plating solution by bubbling, etc. is also performed, but the plating tank is relatively large, so it is extremely difficult to reliably retain the plating solution and prevent foreign matter from adhering even if it is stirred by bubbling. It was difficult.
In addition, in this way, the problem that retention occurs and the problem that foreign matter adheres are not only when performing plating, but also when immersing a double-sided copper-clad laminate in water and washing it with water, or laminating double-sided copper in an etching solution This also occurs when etching is performed by immersing the plate.

本発明によれば、基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行または、鉛直方向に対し傾斜するように、槽内に前記基板を配置する工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す工程と、
前記基板面に沿って流れた前記液体を前記槽から排出する工程とを含む基板の処理方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a substrate processing method for processing a substrate by bringing a liquid into contact with the substrate,
Arranging the substrate in the tank so that the substrate surface of the substrate is parallel to or inclined with respect to the vertical direction;
Immersing the substrate in the liquid in the tank, and flowing the liquid along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side;
And a step of discharging the liquid flowing along the substrate surface from the tank.

この発明によれば、基板を槽内の液体中に浸漬させた状態で、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板の基板面に沿って流している。
これにより基板表面付近で液体が滞留してしまうことが防止され、基板に対し、所望の処理を安定的に実施することができる。
さらに、本発明では、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。液体が重力に従って流れることとなるので、液体をスムーズに流すことができる。
また、本発明では、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板の基板面に沿って流すことで、液体中の異物を槽から排出することができる。これにより、基板に異物が付着することを抑制でき、所望の処理を安定的に実施することができる。 According to this invention, with the substrate immersed in the liquid in the tank, the liquid in the tank is allowed to flow along the substrate surface of the substrate from the upper side in the vertical direction toward the lower side.
As a result, the liquid is prevented from staying near the substrate surface, and desired processing can be stably performed on the substrate.
Furthermore, in the present invention, the liquid in the tank flows from the upper side in the vertical direction toward the lower side. Since the liquid flows according to gravity, the liquid can flow smoothly.
Moreover, in this invention, the foreign material in a liquid can be discharged | emitted from a tank by flowing the liquid in a tank along the board | substrate surface of a board | substrate from a perpendicular direction upper side toward a downward side. Thereby, it can suppress that a foreign material adheres to a board | substrate, and can perform a desired process stably.

さらに、本発明によれば、基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸積させる槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行あるいは、鉛直方向に対し傾斜するように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記液体を前記槽の供給口から前記排出口に向かって前記液体を流すと、前記液体が、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板面に沿って流れるように構成される基板の処理装置も提供することができる。 Furthermore, according to the present invention, in the substrate processing apparatus for processing the substrate by bringing a liquid into contact with the substrate,
A tank in which the liquid is supplied and the substrate is immersed in the supplied liquid;
A holding portion for holding the substrate so that the substrate surface of the substrate disposed in the tank is parallel to the vertical direction or inclined with respect to the vertical direction;
The liquid supply port of the tank is vertically above the substrate held by the holding unit,
The liquid outlet of the tank is vertically lower than the substrate held by the holding part,
Processing of a substrate configured such that when the liquid flows from the supply port of the tank toward the discharge port, the liquid flows along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side. An apparatus can also be provided.

本発明によれば、所望の処理を安定的に実施することができる基板の処理方法および処理装置が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the processing method and processing apparatus of a board | substrate which can implement desired processing stably are provided.

本発明の実施形態にかかる処理装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the processing apparatus concerning embodiment of this invention. 本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the processing apparatus of this invention. 本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the processing apparatus of this invention. フレキシブル回路基板の製造工程を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing process of a flexible circuit board. フレキシブル回路基板の製造工程を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing process of a flexible circuit board. 本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the processing apparatus of this invention. 本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the processing apparatus of this invention. 本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the processing apparatus of this invention. 本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the processing apparatus of this invention. 本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the processing apparatus of this invention. 本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the processing apparatus of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
はじめに、図１を参照して、本実施形態の基板の処理装置１の概要について説明する。
処理装置１は、基板２に対し液体Ｌを接触させて、基板２を処理する装置である。処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように前記基板２を保持する保持部１３とを備える。
槽１１の液体Ｌの供給口１１１は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向上方にあり、槽１１の液体Ｌの排出口１１２は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向下方にある。
処理装置１は、槽１１の供給口１１１から排出口１１２に向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, the outline of the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment will be described with reference to FIG.
The processing apparatus 1 is an apparatus that processes the substrate 2 by bringing the liquid L into contact with the substrate 2. In the processing apparatus 1, the liquid L is supplied to the inside, and the tank 11 that immerses the substrate 2 in the supplied liquid L, and the substrate surface of the substrate 2 disposed inside the tank 11 is substantially parallel to the vertical direction. The holding part 13 holding the substrate 2 is provided.
The supply port 111 of the liquid L in the tank 11 is vertically above the substrate 2 held by the holding unit 13, and the discharge port 112 of the liquid L in the tank 11 is higher than the substrate 2 held by the holding unit 13. Located vertically below.
The processing apparatus 1 is configured such that when the liquid L flows from the supply port 111 to the discharge port 112 of the tank 11, the liquid L flows along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side. .

次に、処理装置１について詳細に説明する。
液体Ｌは薬液、本実施形態では、電解めっき液Ｌである。すなわち、処理装置１は、本実施形態では電解めっき装置である。
槽１１は、たとえば、硬質塩ビ槽である。
槽１１には、電解めっき液Ｌが供給される。槽１１の側面には、電解めっき液Ｌの供給口１１１が形成されている。この供給口１１１は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向上方に位置する。
また、槽１１の底面には、電解めっき液Ｌの排出口１１２が形成されている。排出口１１２は、本実施形態では、槽１１の底面に複数個形成されている。このように複数個排出口１１２を形成することで、電解めっき液Ｌを基板２の基板面に沿ってスムーズに排出することができる。ただし、排出口１１２は一つであってもよい。
排出口１１２は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向下方側に位置する。また、排出口１１２は、供給口１１１よりも鉛直方向下方側に位置している。
なお、必要に応じて、図２に示すように、排出口１１２に、配管１７およびポンプＰ２を接続し、ポンプＰ２で電解めっき液Ｌを吸引することで、排出口１１２から排出される電解めっき液Ｌの流速を調整してもよい。
なお、本実施形態では、排出口１１２と、第二槽１４とは配管で接続されておらず、排出口１１２から排出される電解めっき液Ｌは、第二槽１４内に自然落下する。
また、必要に応じて、槽１１から排出される電解めっき液Ｌの量を調整する調整手段を設けてもよい。たとえば、一部の排出口１１２をふさぐ栓を前記調整手段として設けてもよく、また、排出口１１２の大きさを調整する調整手段（たとえば、排出口１１２の一部をふさぎ、排出口１１２の開口度合いを調整する板材）を設けてもよい。
なお、本実施形態では、電解めっきを行う際、槽１１内には、基板２が一枚配置される。 Next, the processing apparatus 1 will be described in detail.
The liquid L is a chemical solution, and in this embodiment, the electrolytic plating solution L. That is, the processing apparatus 1 is an electrolytic plating apparatus in this embodiment.
The tank 11 is, for example, a hard PVC tank.
An electrolytic plating solution L is supplied to the tank 11. A supply port 111 for the electrolytic plating solution L is formed on the side surface of the tank 11. The supply port 111 is positioned above the substrate 2 arranged in the tank 11 in the vertical direction.
A discharge port 112 for the electrolytic plating solution L is formed on the bottom surface of the tank 11. In the present embodiment, a plurality of discharge ports 112 are formed on the bottom surface of the tank 11. By forming a plurality of discharge ports 112 in this way, the electrolytic plating solution L can be discharged smoothly along the substrate surface of the substrate 2. However, the number of the discharge ports 112 may be one.
The discharge port 112 is located on the lower side in the vertical direction than the substrate 2 disposed in the tank 11. Further, the discharge port 112 is located on the lower side in the vertical direction than the supply port 111.
In addition, as shown in FIG. 2, the piping 17 and the pump P2 are connected to the discharge port 112 as needed, and the electroplating discharged from the discharge port 112 by sucking the electrolytic plating solution L with the pump P2. The flow rate of the liquid L may be adjusted.
In this embodiment, the discharge port 112 and the second tank 14 are not connected by piping, and the electrolytic plating solution L discharged from the discharge port 112 naturally falls into the second tank 14.
Moreover, you may provide the adjustment means which adjusts the quantity of the electroplating liquid L discharged | emitted from the tank 11, as needed. For example, a plug that blocks a part of the discharge ports 112 may be provided as the adjusting means, and an adjusting unit that adjusts the size of the discharge ports 112 (for example, a part of the discharge ports 112 is blocked to A plate member for adjusting the degree of opening may be provided.
In the present embodiment, one substrate 2 is disposed in the tank 11 when performing electrolytic plating.

この槽１１内には、複数の陽極１２が設置されている。本実施形態では、陽極１２は２つ設置されている。一方の陽極１２は、槽１１内に配置された基板２の一方の基板面と対向するように配置され、他方の陽極１２は、槽１１内に配置された基板２の他方の基板面と対向するように配置されている。陽極１２は、たとえば、含リン銅である。   A plurality of anodes 12 are installed in the tank 11. In the present embodiment, two anodes 12 are installed. One anode 12 is disposed to face one substrate surface of the substrate 2 disposed in the tank 11, and the other anode 12 is opposed to the other substrate surface of the substrate 2 disposed in the tank 11. Are arranged to be. The anode 12 is, for example, phosphorous copper.

保持部１３は、基板２を保持するとともに、基板２表面の金属膜２２（図４（Ｂ）参照）を図示しない陰極に接続するものである。保持部１３は、たとえば、基板２の上端部を挟む挟持部を備えたものであり、金属等の導電性材料で構成される。保持部１３は、基板２を保持し上下方向に駆動可能であり、槽１１内に基板２を配置したり、槽１１から基板２を除去したりする。
保持部１３に保持された基板２は、基板面が鉛直方向と略平行となるように槽１１内に配置されることとなる。 The holding unit 13 holds the substrate 2 and connects the metal film 22 (see FIG. 4B) on the surface of the substrate 2 to a cathode (not shown). The holding unit 13 includes, for example, a clamping unit that sandwiches the upper end of the substrate 2 and is made of a conductive material such as metal. The holding unit 13 holds the substrate 2 and can be driven in the vertical direction, and arranges the substrate 2 in the tank 11 or removes the substrate 2 from the tank 11.
The board | substrate 2 hold | maintained at the holding part 13 will be arrange | positioned in the tank 11 so that a board | substrate surface may become substantially parallel to a perpendicular direction.

処理装置１は、槽１１へ供給するための電解めっき液Lが充填された第二槽（調整槽）１４を備える。第二槽１４は、槽１１からオーバーフローした電解めっき液Lを受ける役割も果たすため、第二槽１４は槽１１の鉛直方向下方側に配置される。
ここで、図３に示すように、第二槽１４内の電解めっき液Ｌを撹拌するために、バブリング装置１５を第二槽１４に接続してもよい。このようにすることで、第二槽１４内の電解めっき液Ｌの濃度を均一なものとすることができる。なお、バブリング装置１５は、図２に示す処理装置１に設けてもよい。
第二槽１４の電解めっき液の排出口と、槽１１の供給口１１１とは、配管１６で接続されている。配管１６および配管１６に接続されているポンプＰ１を介して電解めっき液Ｌが第二槽１４から槽１１へと供給される。
なお、配管１６には、フィルターＦが設けられている。配管１６を通る電解めっき液Ｌ中の異物をフィルターＦで除去することができる。 The processing apparatus 1 includes a second tank (conditioning tank) 14 that is filled with an electrolytic plating solution L to be supplied to the tank 11. Since the second tank 14 also serves to receive the electrolytic plating solution L overflowed from the tank 11, the second tank 14 is disposed on the lower side in the vertical direction of the tank 11.
Here, as shown in FIG. 3, a bubbling device 15 may be connected to the second tank 14 in order to stir the electrolytic plating solution L in the second tank 14. By doing in this way, the density | concentration of the electroplating liquid L in the 2nd tank 14 can be made uniform. The bubbling device 15 may be provided in the processing device 1 shown in FIG.
The discharge port of the electrolytic plating solution in the second tank 14 and the supply port 111 of the tank 11 are connected by a pipe 16. The electrolytic plating solution L is supplied from the second tank 14 to the tank 11 through the pipe 16 and the pump P1 connected to the pipe 16.
The pipe 16 is provided with a filter F. Foreign matter in the electrolytic plating solution L passing through the pipe 16 can be removed by the filter F.

次に、処理装置１を使用した基板２の処理方法について説明する。
はじめに、図４（Ａ）に示すような基材２０を用意する。
この基材２０は、絶縁層２１と、この絶縁層２１の表裏面に貼り付けられた金属膜２２（たとえば、銅膜）とを有する。絶縁層２１の厚みは、たとえば、５μｍ以上、１００μｍ以下であり、金属膜２２の厚みは、たとえば、１μｍ以上、５０μｍ以下である。基材２０全体の厚みは、たとえば、１０μｍ以上、２００μｍ以下である。 Next, a method for processing the substrate 2 using the processing apparatus 1 will be described.
First, a base material 20 as shown in FIG. 4 (A) is prepared.
The base material 20 includes an insulating layer 21 and a metal film 22 (for example, a copper film) attached to the front and back surfaces of the insulating layer 21. The thickness of the insulating layer 21 is, for example, 5 μm or more and 100 μm or less, and the thickness of the metal film 22 is, for example, 1 μm or more and 50 μm or less. The thickness of the whole base material 20 is 10 micrometers or more and 200 micrometers or less, for example.

次に、図４（Ｂ）に示すように、一方の金属膜２２および絶縁層２１を貫通する孔２０１を形成する。一方の金属膜２２を貫通する孔は、エッチングにより形成し、その後、絶縁層２１を貫通する孔をレーザで形成してもよい。
次に、金属膜２２上および孔２０１内部に無電解めっきを施す。これにより、基板２が得られる。 Next, as shown in FIG. 4B, a hole 201 penetrating one metal film 22 and the insulating layer 21 is formed. The hole penetrating one metal film 22 may be formed by etching, and then the hole penetrating the insulating layer 21 may be formed by laser.
Next, electroless plating is performed on the metal film 22 and inside the hole 201. Thereby, the substrate 2 is obtained.

その後、基板２上に金属膜２２の一部を被覆するマスクＭを配置し、処理装置１を使用して、孔２０１内部および金属膜２２上に電解めっきを施す（図５（Ａ）参照）。
はじめに、第二槽１４から槽１１へ、配管１６およびポンプＰ１を介して、電解めっき液Ｌを供給する。槽１１内を電解めっき液Ｌで満たしておく。
その後、基板２を保持部１３に保持させて、基板２を槽１１内に配置し、基板２を電解めっき液Ｌ中に浸漬させる。このとき、基板２の基板面が鉛直方向と略平行方向となるように、基板２が槽１１内に配置される。その後、陰極（図示略）および陽極１２間を通電することで、基板２に対する電解めっきが開始される。電解めっきを行う際、第二槽１４から槽１１へは随時電解めっき液Lが供給される。これにより、槽１１内の電解めっき液Lは、鉛直方向上側から、鉛直方向下側に向かって、流れることとなる（矢印Ｙ１参照）。鉛直方向上側から鉛直方向下側に向かって流れる電解めっき液Ｌは、基板２の一対の基板面に沿って流れ、さらには、孔２０１内部にも供給される。
また、電解めっきを行う間、基板２全体が電解めっき液Ｌ中に浸漬した状態となる。 Thereafter, a mask M that covers a part of the metal film 22 is disposed on the substrate 2 and electrolytic plating is performed on the inside of the hole 201 and on the metal film 22 using the processing apparatus 1 (see FIG. 5A). .
First, the electrolytic plating solution L is supplied from the second tank 14 to the tank 11 through the pipe 16 and the pump P1. The inside of the tank 11 is filled with the electrolytic plating solution L.
Thereafter, the substrate 2 is held by the holding unit 13, the substrate 2 is placed in the tank 11, and the substrate 2 is immersed in the electrolytic plating solution L. At this time, the substrate 2 is placed in the tank 11 so that the substrate surface of the substrate 2 is substantially parallel to the vertical direction. Thereafter, electroplating on the substrate 2 is started by energizing between the cathode (not shown) and the anode 12. When performing electrolytic plating, the electrolytic plating solution L is supplied from the second tank 14 to the tank 11 as needed. Thereby, the electrolytic plating solution L in the tank 11 flows from the upper side in the vertical direction toward the lower side in the vertical direction (see arrow Y1). The electrolytic plating solution L that flows from the upper side in the vertical direction toward the lower side in the vertical direction flows along the pair of substrate surfaces of the substrate 2 and is also supplied into the holes 201.
Further, during the electrolytic plating, the entire substrate 2 is immersed in the electrolytic plating solution L.

さらに、電解めっきを行う際、第二槽１４から槽１１へは随時電解めっき液Lが供給されており、電解めっき液Ｌの第二槽１４から槽１１への供給量は、槽１１から排出される電解めっき液Ｌの量よりも多い。従って、槽１１の上部からは、電解めっき液Ｌがオーバーフローする。オーバーフローした電解めっき液Ｌは、矢印Ｙ２方向に流れ、第二槽１４で回収される。
さらに、第二槽１４には、槽１１の排出口１１２からの電解めっき液Ｌが供給される。
第二槽１４内の電解めっき液Ｌは、配管１６およびポンプＰ１を介して再度槽１１に供給されることとなる。
なお、必要に応じて、第二槽１４内の電解めっき液Ｌの金属濃度等を分析し、第二槽１４内の電解めっき液Ｌの金属濃度等を調整してもよい。 Furthermore, when performing electroplating, the electrolytic plating solution L is supplied from the second tank 14 to the tank 11 at any time, and the supply amount of the electrolytic plating solution L from the second tank 14 to the tank 11 is discharged from the tank 11. More than the amount of electrolytic plating solution L applied. Therefore, the electrolytic plating solution L overflows from the upper part of the tank 11. The overflowed electrolytic plating solution L flows in the direction of the arrow Y2 and is collected in the second tank 14.
Further, the electrolytic plating solution L from the discharge port 112 of the tank 11 is supplied to the second tank 14.
The electrolytic plating solution L in the second tank 14 is supplied again to the tank 11 via the pipe 16 and the pump P1.
If necessary, the metal concentration or the like of the electrolytic plating solution L in the second tank 14 may be analyzed to adjust the metal concentration or the like of the electrolytic plating solution L in the second tank 14.

以上のような電解めっきの工程により、図５（Ａ）に示すように、孔２０１内にビアとなる導電体２６が形成されるとともに、金属膜２２上に電解めっきによる金属膜が形成される（金属膜２３は、金属膜２２と金属膜２２上のめっき膜を示す）。   By the electrolytic plating process as described above, as shown in FIG. 5A, a conductor 26 serving as a via is formed in the hole 201 and a metal film by electrolytic plating is formed on the metal film 22. (The metal film 23 indicates a metal film 22 and a plating film on the metal film 22).

次に、槽１１から電解めっきが施された基板２を取り出し、洗浄する。
その後、マスクＭが形成されていた部分の金属膜２２をフラッシュエッチングにより除去し、図５（Ｂ）に示すように、第一回路層２５、第二回路層２４を形成する。
以上の工程により、基板２に対し電解めっき処理したフレキシブル回路基板２７を得ることができる。 Next, the substrate 2 that has been subjected to electrolytic plating is taken out of the tank 11 and cleaned.
Thereafter, the portion of the metal film 22 on which the mask M has been formed is removed by flash etching, and a first circuit layer 25 and a second circuit layer 24 are formed as shown in FIG.
Through the above steps, the flexible circuit board 27 obtained by subjecting the substrate 2 to electrolytic plating can be obtained.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、基板２を槽１１内の電解めっき液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流している。
これにより基板２表面付近で電解めっき液Ｌが滞留してしまうことが防止され、基板２には、常に新鮮な電解めっき液Ｌが接触することとなる。これにより、基板２に対し所望のめっき膜を安定的に成膜することができる。 Next, the effect of this embodiment is demonstrated.
In this embodiment, with the substrate 2 immersed in the electrolytic plating solution L in the tank 11, the electrolytic plating solution L in the tank 11 is moved from the upper side in the vertical direction toward the lower side on the substrate surface of the substrate 2. It is flowing along.
Thus, the electrolytic plating solution L is prevented from staying near the surface of the substrate 2, and the fresh electrolytic plating solution L is always in contact with the substrate 2. Thereby, a desired plating film can be stably formed on the substrate 2.

また、本実施形態では、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。電解めっき液Ｌが重力に従って流れることとなるので、電解めっき液Ｌをスムーズに流すことができる。また、電解めっき液Ｌを重力に従って流すことで、電解めっき液Ｌの流れが安定したものとなる。
さらに、電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって重力に従って流すことで、処理装置１の装置構成の複雑化を抑制できる。図２に示すような、電解めっき液Ｌを槽１１から排出するためのポンプＰ２を使用した場合であっても、ポンプＰ２を吸引力が比較的大きいポンプとしなくても、槽１１から電解めっき液Ｌを排出させることができる。 In the present embodiment, the electrolytic plating solution L in the tank 11 is made to flow from the upper side in the vertical direction toward the lower side. Since the electroplating solution L flows according to gravity, the electroplating solution L can be flowed smoothly. Moreover, the flow of the electrolytic plating solution L is stabilized by flowing the electrolytic plating solution L according to gravity.
Furthermore, complication of the apparatus configuration of the processing apparatus 1 can be suppressed by flowing the electrolytic plating solution L from the upper side in the vertical direction toward the lower side according to gravity. Even when the pump P2 for discharging the electrolytic plating solution L from the tank 11 as shown in FIG. 2 is used, the electrolytic plating is performed from the tank 11 without using the pump P2 as a pump having a relatively large suction force. The liquid L can be discharged.

さらに、本実施形態では、基板２を槽１１内の電解めっき液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流し、排出している。
これにより、電解めっき液Ｌ中に異物が混入していても、槽１１内から異物を排出することができる。そのため基板２に異物が付着することを抑制することができる。 Furthermore, in this embodiment, the substrate 2 is immersed in the electrolytic plating solution L in the tank 11 and the substrate 2 of the substrate 2 is moved from the upper side in the vertical direction toward the lower side. It flows along the surface and is discharged.
Thereby, even if the foreign matter is mixed in the electrolytic plating solution L, the foreign matter can be discharged from the tank 11. For this reason, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the substrate 2.

また、本実施形態では、基板２はフレキシブル回路基板用の基板であり、その厚みが１０〜２００μｍと比較的薄いものとなっている。
このような基板２を電解めっきＬ中に浸漬させた場合、電解めっき液Ｌ中で基板２がふらついてしまう。そのため、基板２が陽極に近づいたり、離れたりすることで、基板２に対し所望の電解めっきを施すことが難しいことがある。
これに対し、本実施形態では、基板２を電解めっき液Ｌ中で浸漬させた状態で、電解めっき液Ｌを流している。基板２の一方の基板面側および他方の基板面側で、電解めっき液Ｌが鉛直方向上方側から、下方側に向かって流れるため、基板２が電解めっき液Ｌ中でふらつくことが防止される。これにより、基板２に対し所望の電解めっきを施すことができる。また、基板２のふらつきを防止できるので、基板２にしわが発生したり、基板２が破損してしまうことを抑制することができる。 Moreover, in this embodiment, the board | substrate 2 is a board | substrate for flexible circuit boards, and the thickness is comparatively thin with 10-200 micrometers.
When such a board | substrate 2 is immersed in the electroplating L, the board | substrate 2 will float in the electroplating liquid L. FIG. For this reason, it may be difficult to apply desired electrolytic plating to the substrate 2 when the substrate 2 approaches or separates from the anode.
On the other hand, in this embodiment, the electrolytic plating solution L is allowed to flow while the substrate 2 is immersed in the electrolytic plating solution L. Since the electrolytic plating solution L flows from the upper side in the vertical direction toward the lower side on the one substrate surface side and the other substrate surface side of the substrate 2, the substrate 2 is prevented from fluctuating in the electrolytic plating solution L. . Thereby, desired electrolytic plating can be applied to the substrate 2. In addition, since the wobbling of the substrate 2 can be prevented, it is possible to prevent the substrate 2 from being wrinkled or damaged.

さらに、本実施形態では、槽１１から電解めっき液Ｌをオーバーフローさせて電解めっきを行っている。オーバーフローさせることで、基板２が電解めっき液Ｌに浸漬した状態を確実に維持しながら電解めっきを基板２に対し施すことができる。   Furthermore, in this embodiment, the electrolytic plating solution L is overflowed from the tank 11 to perform electrolytic plating. By making it overflow, electroplating can be performed with respect to the board | substrate 2, maintaining the state which the board | substrate 2 immersed in the electroplating liquid L reliably.

また、本実施形態では、槽１１内に基板２を一枚配置して、電解めっきを行っている。そのため、槽１１は、基板２を配置でき、基板２の基板面側で電解めっき液Ｌを流すことができる程度の大きさでよい。これにより、処理装置１の大型化を抑制することができる。   In the present embodiment, one substrate 2 is disposed in the tank 11 and electrolytic plating is performed. Therefore, the tank 11 may have a size that allows the substrate 2 to be disposed and allows the electrolytic plating solution L to flow on the substrate surface side of the substrate 2. Thereby, the enlargement of the processing apparatus 1 can be suppressed.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、本発明の処理装置は、電解めっき装置１であるとしたが、これに限られるものではない。図６に示すように、処理装置１の陽極を取り除き、本発明の処理装置を無電解めっき装置１Ａとしてもよい。
図６に示す処理装置１Ａは、処理装置１から陽極を取り除いた点以外は、処理装置１と同じである。第二槽１４、槽１１内には、無電解めっき液Ｌが充填されている。
また、図６に示す処理装置１Ａを基板表面の金属層等をエッチングするエッチング装置としてもよい。さらに、処理装置１Ａを現像装置としてもよい。基板表面の感光性樹脂層に光を照射し、未露光部分を除去するための現像液を第二槽１４、槽１１内に充填し、処理装置１Ａにより、基板表面の感光性樹脂層の未露光部分を除去してもよい。
さらに、処理装置１Ａを、基板に形成されたマスク等を剥離処理する剥離装置としてもよい。この場合には、マスク等を剥離するための剥離液を第二槽１４、槽１１内に充填すればよい。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in the said embodiment, although the processing apparatus of this invention was the electroplating apparatus 1, it is not restricted to this. As shown in FIG. 6, the anode of the processing apparatus 1 may be removed, and the processing apparatus of the present invention may be an electroless plating apparatus 1A.
The processing apparatus 1A shown in FIG. 6 is the same as the processing apparatus 1 except that the anode is removed from the processing apparatus 1. The second tank 14 and the tank 11 are filled with an electroless plating solution L.
Further, the processing apparatus 1A shown in FIG. 6 may be an etching apparatus for etching a metal layer or the like on the substrate surface. Furthermore, the processing apparatus 1A may be a developing device. The photosensitive resin layer on the substrate surface is irradiated with light, and a developing solution for removing unexposed portions is filled into the second tank 14 and the tank 11, and the photosensitive resin layer on the substrate surface is uncoated by the processing apparatus 1A. The exposed part may be removed.
Furthermore, the processing apparatus 1A may be a peeling apparatus that peels off a mask or the like formed on the substrate. In this case, what is necessary is just to fill the 2nd tank 14 and the tank 11 with the peeling liquid for peeling a mask etc.

また、図７に示すように、本発明の処理装置を水洗装置１Ｂとしてもよい。水洗装置１Ｂは、処理装置１の陽極を取り除くとともに、槽１４Ａ〜１４Ｃを設けた点以外は、処理装置１と同じ構成である。
水洗装置１Ｂの第二槽１４Ａ内には基板洗浄前の水が充填されている。
第二槽１４Ａから槽１１へ水が供給され、槽１１内で水が鉛直方向上方側から下方側にむかって流れ、基板２が洗浄される。
その後、排出口１１２からは洗浄後の水が排出され第三槽１４Ｂに供給される。
第三槽１４Ｂ内の水は、第四槽（浄化槽）１４Ｃに供給され、第四槽１４Ｃ内で水が清浄化され、金属等の不純物が除去される。第四槽１４Ｃ内で清浄化された水は、第二槽１４Ａに供給される。第二槽１４Ａに供給された水は、再度槽１１に供給されることととなる。
このような水洗装置１Ｂにおいては、基板２には常にきれいな水が接触することとなり、基板２が汚染されてしまうことを防止できる。
さらには、基板を水槽に単に浸漬させて水洗する方法では、一つの水槽で確実に洗浄することが難しく、水槽を複数設けて、多段階で水洗する必要がある。
これに対し、水洗装置１Ｂを使用すれば、基板２には常にきれいな水が接触するため、多段階で水洗を行う必要がなく、基板２の処理プロセスを簡略化することができる。
なお、水洗装置１Ｂにおいて、第三槽１４Ｂ内の水を第四槽１４Ｃにて清浄化せずに、廃棄してもよい。
また、処理装置１Ａ、１Ｂにおいて、図２と同様に、排出口１１２に配管１７およびポンプＰ２を接続してもよい。 Moreover, as shown in FIG. 7, it is good also considering the processing apparatus of this invention as the water washing apparatus 1B. The water washing apparatus 1B has the same configuration as the processing apparatus 1 except that the anode of the processing apparatus 1 is removed and the tanks 14A to 14C are provided.
The second tank 14A of the water washing apparatus 1B is filled with water before substrate cleaning.
Water is supplied from the second tank 14 </ b> A to the tank 11, and the water flows in the tank 11 from the upper side in the vertical direction to the lower side, and the substrate 2 is cleaned.
Thereafter, the washed water is discharged from the discharge port 112 and supplied to the third tank 14B.
The water in the third tank 14B is supplied to the fourth tank (purification tank) 14C, and the water is purified in the fourth tank 14C to remove impurities such as metals. The water cleaned in the fourth tank 14C is supplied to the second tank 14A. The water supplied to the second tank 14A will be supplied to the tank 11 again.
In such a water washing apparatus 1B, clean water always comes into contact with the substrate 2, and the substrate 2 can be prevented from being contaminated.
Furthermore, in the method of simply immersing the substrate in the water tank and washing with water, it is difficult to reliably wash with one water tank, and it is necessary to provide a plurality of water tanks and perform water washing in multiple stages.
On the other hand, when the water washing apparatus 1B is used, clean water always comes into contact with the substrate 2, so that it is not necessary to perform water washing in multiple stages, and the processing process of the substrate 2 can be simplified.
In the washing apparatus 1B, the water in the third tank 14B may be discarded without being purified in the fourth tank 14C.
Further, in the processing apparatuses 1A and 1B, the piping 17 and the pump P2 may be connected to the discharge port 112 as in FIG.

さらに、図８に示すように、処理装置１Ａの槽１１の開口を蓋材１８（加圧手段）で塞ぎ、槽１１内の液に対し、上方から圧力をかけて、排出口から排出される液体Ｌの流速を調整してもよい。この場合、保持部１３Ｂで基板２を保持する。
処理装置１Ｂや処理装置１においても、同様に、槽１１の開口を蓋材で塞ぎ、槽１１内の液体に対し、上方から圧力をかけて、排出口から排出される液体の流速を調整してもよい。
この場合においても、図２と同様に、排出口１１２に配管１７およびポンプＰ２を接続してもよい。 Further, as shown in FIG. 8, the opening of the tank 11 of the processing apparatus 1 </ b> A is closed with a lid 18 (pressurizing means), and the liquid in the tank 11 is pressurized from above and discharged from the discharge port. The flow rate of the liquid L may be adjusted. In this case, the substrate 2 is held by the holding unit 13B.
Similarly, in the processing apparatus 1B and the processing apparatus 1, the opening of the tank 11 is closed with a lid, and the liquid in the tank 11 is pressurized from above to adjust the flow rate of the liquid discharged from the discharge port. May be.
Also in this case, the piping 17 and the pump P2 may be connected to the discharge port 112 as in FIG.

さらに、図９に示すように、処理装置１Ａ内の基板２に対し、基板２の処理中（液体Ｌを基板上方側から下方側に向かって基板面に沿って流す際）に振動（超音波振動）を加えてもよい。符号１９は超音波振動発生装置であり、矢印Ｙ３は、超音波振動発生装置からの超音波を意味する。
このようにすることで、基板２に付着した気泡を除去することができる。この場合においても、図２と同様に、排出口１１２に配管１７およびポンプＰ２を接続してもよい。
なお、処理装置１、１Ｂにおいても、超音波振動発生装置１９を設けてもよい。 Further, as shown in FIG. 9, the substrate 2 in the processing apparatus 1A is vibrated (ultrasonic wave) during the processing of the substrate 2 (when the liquid L flows along the substrate surface from the upper side to the lower side of the substrate). (Vibration) may be added. Reference numeral 19 denotes an ultrasonic vibration generator, and an arrow Y3 means an ultrasonic wave from the ultrasonic vibration generator.
In this way, bubbles attached to the substrate 2 can be removed. Also in this case, the piping 17 and the pump P2 may be connected to the discharge port 112 as in FIG.
Note that the ultrasonic vibration generator 19 may also be provided in the processing apparatuses 1 and 1B.

さらに、前記実施形態では、処理装置１の槽１１内に一枚の基板２を配置し、基板２の一対の基板面に対し電解めっき処理したが、これに限られるものではない。
たとえば、図１０に示すように、板状の保持部１３Ａの表裏面にそれぞれ基板２を配置して、一対の基板２それぞれの一方の基板面に電解めっきを施してもよい。なお、処理装置１Ａ、１Ｂ等においても、保持部１３にかえて、保持部１３Ａを使用し、一対の基板２それぞれの一方の基板面に電解めっきを施してもよい。 Furthermore, in the said embodiment, although the board | substrate 2 of 1 sheet was arrange | positioned in the tank 11 of the processing apparatus 1, and it electroplated with respect to a pair of board | substrate surface of the board | substrate 2, it is not restricted to this.
For example, as shown in FIG. 10, the substrates 2 may be disposed on the front and back surfaces of the plate-shaped holding portion 13 </ b> A, and electrolytic plating may be performed on one substrate surface of each of the pair of substrates 2. In the processing apparatuses 1A, 1B, etc., instead of the holding unit 13, a holding unit 13A may be used to perform electrolytic plating on one substrate surface of each of the pair of substrates 2.

また、前記実施形態では、基板２の孔２０１内にも電解めっきを施したが、孔２０１が形成されていない基板表面に電解めっきを施してもよい。処理装置１Ａ、１Ｂにおいても同様であり、孔２０１が形成されていない基板表面を処理してもよい。
さらに、前記実施形態では、基板２をフレキシブル回路基板用の基板としたが、これに限らず、リジッド回路基板用の基板を使用してもよい。
また、前記実施形態では、基板２の基板面が鉛直方向と平行となるように、基板２が槽内に配置されていたが、これに限らず、たとえば、図１１に示すように、基板２の基板面が鉛直方向に対し傾斜するように基板２を配置してもよい。このように基板２を傾斜して配置した場合であっても、前記実施形態と同様の効果を奏することができる。 Moreover, in the said embodiment, although electroplating was performed also in the hole 201 of the board | substrate 2, you may electroplate on the board | substrate surface in which the hole 201 is not formed. The same applies to the processing apparatuses 1A and 1B, and the surface of the substrate on which the hole 201 is not formed may be processed.
Furthermore, in the said embodiment, although the board | substrate 2 was used as the board | substrate for flexible circuit boards, it is not restricted to this, You may use the board | substrate for rigid circuit boards.
Moreover, in the said embodiment, although the board | substrate 2 was arrange | positioned in the tank so that the board | substrate surface of the board | substrate 2 might become parallel to a perpendicular direction, it is not restricted to this, For example, as shown in FIG. The substrate 2 may be arranged so that the substrate surface of the substrate is inclined with respect to the vertical direction. Even when the substrate 2 is disposed in an inclined manner as described above, the same effects as those of the embodiment can be obtained.

１ 処理装置
１Ａ 処理装置
１Ｂ 処理装置
２ 基板
１１ 槽
１２ 陽極
１３ 保持部
１３Ａ 保持部
１３Ｂ 保持部
１４ 第二槽
１４Ａ 第二槽
１４Ｂ 第三槽
１４Ｃ 第四槽
１５ バブリング装置
１６ 配管
１７ 配管
１８ 蓋材
１９ 超音波振動発生装置
２０ 基材
２１ 絶縁層
２２ 金属膜
２３ 金属膜
２４ 第二回路層
２５ 第一回路層
２６ 導電体
２７ フレキシブル回路基板
１１１ 供給口
１１２ 排出口
２０１ 孔
Ｌ 液体
Ｍ マスク
Ｐ１ ポンプ
Ｐ２ ポンプ
Ｙ１ 矢印
Ｙ２ 矢印
Ｙ３ 矢印
Ｆ フィルター DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing apparatus 1A Processing apparatus 1B Processing apparatus 2 Substrate 11 Tank 12 Anode 13 Holding part 13A Holding part 13B Holding part 14 Second tank 14A Second tank 14B Third tank 14C Fourth tank 15 Bubbling apparatus 16 Pipe 17 Pipe 18 Lid 19 ultrasonic vibration generator 20 base material 21 insulating layer 22 metal film 23 metal film 24 second circuit layer 25 first circuit layer 26 conductor 27 flexible circuit board 111 supply port 112 discharge port 201 hole L liquid M mask P1 pump P2 Pump Y1 Arrow Y2 Arrow Y3 Arrow F Filter

Claims (19)

基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行または鉛直方向に対し傾斜するように、槽内に前記基板を配置する工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す工程と、
前記基板面に沿って流れた前記液体を前記槽から排出する工程とを含む基板の処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate by bringing a liquid into contact with the substrate,
Arranging the substrate in the tank so that the substrate surface of the substrate is parallel to or inclined with respect to the vertical direction;
Immersing the substrate in the liquid in the tank, and flowing the liquid along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side;
Discharging the liquid flowing along the substrate surface from the tank. 請求項１に記載の基板の処理方法において、
前記液体は薬液であり、
前記槽から排出された前記薬液を調整槽にて回収する工程と、
前記調整槽中で前記薬液の濃度を調整し、再度、前記槽内に前記薬液を供給し、
前記薬液を前記基板の基板面に沿って流す前記工程と、
前記基板面に沿って流れた前記薬液を前記槽から排出する前記工程とを再度実施する基板の処理方法。 In the processing method of the board | substrate of Claim 1,
The liquid is a chemical solution;
Recovering the chemical solution discharged from the tank in an adjustment tank;
Adjust the concentration of the chemical in the adjustment tank, and again supply the chemical in the tank,
The step of flowing the chemical solution along the substrate surface of the substrate;
The substrate processing method which implements again the said process of discharging | emitting the said chemical | medical solution which flowed along the said substrate surface from the said tank. 請求項２に記載の基板の処理方法において、
前記薬液は、めっき液であり、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記薬液を前記基板の基板面に沿って流すことで、前記基板にめっき処理を行う基板の処理方法。 The substrate processing method according to claim 2,
The chemical solution is a plating solution,
In the step of flowing the liquid along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side,
A substrate processing method for performing plating on the substrate by flowing the chemical solution along the substrate surface of the substrate. 請求項１に記載の基板の処理方法において、
前記液体は水であり、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記水を前記基板の基板面に沿って流すことで、前記基板の洗浄を行い、
前記基板面に沿って流れた前記水を前記槽から排出する前記工程の後段で、
前記水を回収して、再度、前記槽内に供給する基板の処理方法。 In the processing method of the board | substrate of Claim 1,
The liquid is water;
In the step of flowing the liquid along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side,
The substrate is cleaned by flowing the water along the substrate surface of the substrate,
In the latter stage of the step of discharging the water flowing along the substrate surface from the tank,
A method for treating a substrate, wherein the water is collected and supplied again into the tank. 請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記基板を振動させる基板の処理方法。 In the processing method of the board | substrate in any one of Claims 1 thru | or 4,
In the step of flowing the liquid along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side,
A substrate processing method for vibrating the substrate. 請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記槽内に設置された前記基板よりも鉛直方向下方側に位置する部分に形成された排出口に液体排出用のポンプを接続し、
前記ポンプにより、前記槽内の液体を吸引して、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す基板の処理方法。 In the processing method of the board | substrate in any one of Claims 1 thru | or 5,
In the step of flowing the liquid along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side,
Connect a liquid discharge pump to a discharge port formed in a portion located on the lower side in the vertical direction than the substrate installed in the tank,
A method for treating a substrate, wherein the pump sucks the liquid in the tank and causes the liquid to flow from the upper side in the vertical direction toward the lower side along the substrate surface. 請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記槽内の前記液体を鉛直方向上方側から下方側に向かって加圧して、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す基板の処理方法。 In the processing method of the board | substrate in any one of Claims 1 thru | or 6,
In the step of flowing the liquid along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side,
A method of processing a substrate, wherein the liquid in the tank is pressurized from the upper side in the vertical direction toward the lower side, and the liquid flows along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side. 請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程において、
前記槽から前記液体をオーバーフローさせながら、前記液体を前記基板の基板面に沿って前記槽内で前記液体を流す基板の処理方法。 In the processing method of the board | substrate in any one of Claims 1 thru | or 6,
In the step of flowing the liquid along the substrate surface from the vertical upper side toward the lower side,
A substrate processing method for flowing the liquid in the tank along the substrate surface of the substrate while allowing the liquid to overflow from the tank. 請求項１乃至８のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記基板は、厚みが１０〜２００μｍである基板の処理方法。 In the processing method of the board | substrate in any one of Claims 1 thru | or 8,
The said board | substrate is a processing method of the board | substrate whose thickness is 10-200 micrometers. 基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸積させるための槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行あるいは、鉛直方向に対し傾斜するように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記液体を前記槽の供給口から前記排出口に向かって前記液体を流すと、前記液体が、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板面に沿って流れるように構成される基板の処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate by bringing a liquid into contact with the substrate,
A tank for immersing the substrate in the supplied liquid while the liquid is supplied therein;
A holding portion for holding the substrate so that the substrate surface of the substrate disposed in the tank is parallel to the vertical direction or inclined with respect to the vertical direction;
The liquid supply port of the tank is vertically above the substrate held by the holding unit,
The liquid outlet of the tank is vertically lower than the substrate held by the holding part,
Processing of a substrate configured such that when the liquid flows from the supply port of the tank toward the discharge port, the liquid flows along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side. apparatus. 請求項１０に記載の基板の処理装置において、
前記液体は、薬液であり、
前記槽から排出された薬液を回収し、前記薬液の濃度を調整するための調整槽と、
前記調整槽内の薬液を前記槽内に供給する供給手段とを備える基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 10,
The liquid is a chemical liquid,
An adjustment tank for recovering the chemical liquid discharged from the tank and adjusting the concentration of the chemical liquid;
A substrate processing apparatus comprising supply means for supplying a chemical solution in the adjustment tank into the tank. 請求項１１に記載の基板の処理装置において、
前記薬液はめっき液であり、
当該基板の処理装置はめっき装置である基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 11,
The chemical solution is a plating solution,
The substrate processing apparatus is a plating apparatus. 請求項１０に記載の基板の処理装置において、
前記液体は水であり、
前記槽の排出口から排出された水を回収する回収手段と、
回収した水を浄化する浄化手段とを備える処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 10,
The liquid is water;
Recovery means for recovering water discharged from the outlet of the tank;
A treatment device comprising purification means for purifying collected water. 請求項１０乃至１３のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽内の前記基板を振動させるための振動手段を備える基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 10 to 13,
A substrate processing apparatus comprising a vibrating means for vibrating the substrate in the tank. 請求項１０乃至１４のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記排出口に液体排出用のポンプを接続し、
前記ポンプにより、前記槽内の液体を吸引する基板の処理装置。 15. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein
A liquid discharge pump is connected to the discharge port;
A substrate processing apparatus for sucking a liquid in the tank by the pump. 請求項１０乃至１５のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽内の前記液体を鉛直方向上方側から下方に向かって加圧する加圧手段を備え、
前記加圧手段により、前記液体を加圧して、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 10 to 15,
A pressurizing unit that pressurizes the liquid in the tank from the upper side to the lower side in the vertical direction;
The substrate processing apparatus which pressurizes the liquid by the pressurizing means and causes the liquid to flow along the substrate surface from the upper side in the vertical direction toward the lower side. 請求項１０乃至１５のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽はオーバーフロー槽である基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 10 to 15,
The said tank is a substrate processing apparatus which is an overflow tank. 請求項１０乃至１７のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽から排出される液体の量を調整する調整手段が設けられている基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 10 to 17,
A substrate processing apparatus provided with an adjusting means for adjusting an amount of liquid discharged from the tank. 請求項１０乃至１８のいずれかに記載の基板の処理装置において、
処理対象となる前記基板は、厚みが１０〜２００μｍである基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 10 to 18,
The substrate to be processed is a substrate processing apparatus having a thickness of 10 to 200 μm.
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