JP2011175958A - ヒューズ装置、ヒューズ装置用部品および電子装置 - Google Patents

ヒューズ装置、ヒューズ装置用部品および電子装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 ヒューズ装置の過電流状態における特性を向上させること。
【解決手段】 ヒューズ装置は、パッケージ1と、導体パターン2と、ヒューズ素子3とを含んでいる。パッケージ1は、ベース部11と、ベース部11上に設けられたフレーム部12とを含んでいる。フレーム部12は、互いに対向している複数の凹部121,122を有している。導体パターン2は、複数の凹部121,122の各々に設けられている。ヒューズ素子3は、複数の凹部121,122にはめ込まれた端部31,32を有しているとともに、導体パターン2に電気的に接続されている。
【選択図】 図5

Description

本発明は、ヒューズ素子を有するヒューズ装置に関するものである。
ヒューズ装置は、例えば、定格以上の電流から電気回路などを保護するものであり、定格以上の電流が流れるとその電流によって発生されたジュール熱により溶融および切断されるヒューズ素子を有している。
特開2001−15000号公報
ヒューズ装置は、電気的経路におけるヒューズ素子自体の抵抗値に対して他の構成部分の抵抗値を低減させることにより、過電流状態における特性をさらに向上させることが求められている。
本発明の一つの態様によれば、ヒューズ装置は、パッケージと、導体パターンと、ヒューズ素子とを含んでいる。パッケージは、ベース部と、ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでいる。フレーム部は、互いに対向している複数の凹部を有している。導体パターンは、複数の凹部の各々に設けられている。ヒューズ素子は、複数の凹部にはめ込まれた端部を有しているとともに、導体パターンに電気的に接続されている。
本発明の他の態様によれば、ヒューズ装置用部品は、パッケージと、導体パターンとを含んでいる。パッケージは、ベース部と、ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでいる。フレーム部は、互いに対向している複数のヒューズ素子実装用凹部を有している。導体パターンは、複数のヒューズ素子実装用凹部の各々に設けられている。
本発明の他の態様によれば、電子装置は、ヒューズ装置と、ヒューズ装置と電気的に接続された配線基板と、を備えている。
本発明の一つの態様によれば、ヒューズ装置は、パッケージと、導体パターンと、ヒューズ素子とを含んでいる。パッケージは、ベース部と、ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでいる。フレーム部は、互いに対向している複数の凹部を有している。導体パターンは、複数の凹部の各々に設けられている。ヒューズ素子は、複数の凹部にはめ込まれた端部を有しているとともに、導体パターンに電気的に接続されている。ヒューズ装置は、このような構成を含んでいることにより、過電流状態における特性に関して向上されている。
本発明の他の態様によれば、ヒューズ装置用部品は、パッケージと、導体パターンとを含んでいる。パッケージは、ベース部と、ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでいる。フレーム部は、互いに対向している複数のヒューズ素子実装用凹部を有している。導体パターンは、複数のヒューズ素子実装用凹部の各々に設けられている。ヒューズ装置用部品は、このような構成を含んでいることにより、過電流状態における特性が向上され
たヒューズ装置を実現することができる。
本発明の第1の実施形態におけるヒューズ装置の透視斜視図を示している。 図1に示されたヒューズ装置のA−Aにおける縦断面図を示している。 図1に示されたヒューズ装置のB−Bにおける縦断面図を示している。 図1に示されたヒューズ装置のC−Cにおける縦断面図を示している。 図1に示されたヒューズ装置の分解斜視図を示している。 図1に示されたヒューズ装置の平面透視図を示している。 図3に示されたヒューズ素子3の他の例を示している。 図1に示されたヒューズ装置の抵抗成分を示している。 本発明の第2の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。 図9に示されたヒューズ装置のA−Aにおける縦断面図を示している。 図9に示されたヒューズ装置のB−Bにおける縦断面図を示している。 図9に示されたヒューズ装置の平面透視図を示している。 本発明の第2の実施形態におけるヒューズ装置と比較形態におけるヒューズ装置とを示している。 図11に示されたヒューズ素子3の他の例を示している。 図11に示されたヒューズ装置の他の例を示している。 本発明の第3の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。 図16に示されたヒューズ装置の平面透視図を示している。 本発明の第4の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。 図18に示されたヒューズ装置のA−Aにおける縦断面図を示している。 本発明の第5の実施形態におけるヒューズ装置の平面透視図を示している。 図20に示されたヒューズ装置の縦断面図を示している。 本発明の第6の実施形態におけるヒューズ装置の平面透視図を示している。 図22に示されたヒューズ装置のB−Bにおける縦断面図を示している。 本発明の第7の実施形態におけるヒューズ装置の平面透視図を示している。 図24に示されたヒューズ装置を説明する図である。 本発明の第8の実施形態におけるヒューズ装置を説明する図である。 本発明の第9の実施形態におけるヒューズ装置の透視斜視図である。 本発明の第1−第9の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第1の例を示す図である。 図28に示された端子部分の第2の例を示す図である。 図28に示された端子部分の第3の例を示す図である。 図28に示された端子部分の第4の例を示す図である。 図28に示された端子部分の第5の例を示す図である。 図28に示された端子部分の第6の例を示す図である。
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態におけるヒューズ装置は、図1から図6までに示されているように、パッケージ1と、パッケージ1に設けられた複数の導体パターン2と、複数の導体
パターン2に電気的に接続されたヒューズ素子3と、パッケージ1に接合されたカバー部材4と、端子6,7とを含んでいる。図1において、ヒューズ装置は、仮想のxyz空間におけるxy平面に実装されている。図1において、上方向とは、仮想のz軸の正方向のことをいう。図1において、カバー部材4は、内部構造を示すことを目的に、透視された状態で示されている。図1において、内部構造が、破線によって示されている。
パッケージ1は、ベース部11と、ベース部11の上に設けられたフレーム部12とを含んでいる。ベース部11およびフレーム部12は、例えば、実質的にセラミックスからなるとともに、焼成によって一体的に形成されている。
フレーム部12は、互いに対向している複数の凹部121および122を有している。複数の凹部121および122は、キャビティ部13を挟むように設けられているとともに、パッケージ1のキャビティ部13を介して互いに対向している。複数の凹部121および122の各々は、下方向に窪んでいるとともに、ヒューズ素子3がはめ込まれるようにヒューズ素子3に対応する形状を有している。本実施形態における“凹部”とは、ヒューズ素子3がはめ込まれる空間を有している構造のことをいう。
複数の導体パターン2は、複数の凹部121および122の各々に設けられている。導体パターン2は、図4における拡大図に示されているように、例えば、縦断面において矩形状を有する凹部121を構成する側面および底面に設けられている。導体パターン2は、凹部122においても同様に設けられている。複数の導体パターン2は、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)またはマンガン(Mn)などの導電材料を含んでいる。
ヒューズ素子3は、パッケージ1のキャビティ部13に設けられているとともに、複数の凹部121および122にはめ込まれた端部31および32を有している。ヒューズ素子3は、四角柱形状を有している。図3および図4に示されているように、ヒューズ素子3は、長手方向に対して垂直に切断するような縦断面において四角形状を有している。図3において、ヒューズ素子3とベース部11との接点が符号14によって示されている。
ヒューズ素子3は、キャビティ部13におけるベース部11の上面に線状に接触している。図6において、ヒューズ素子3のベース部11に対する接触部分14が、点線によって模式的に示されている。“線状に接触している”とは、図3における拡大図に示されているように、縦断面において点接触していることをいう。
図4に示されているように、ヒューズ素子3は、導電性接合材10によって導体パターン2に固定されているとともに、導体パターン2に電気的に接続されている。導電性接合材10は、縦断面において、ヒューズ素子3を囲むようにヒューズ素子3の表面に設けられている。導電性接合材10は、ヒューズ素子3と導体パターン2との間の抵抗値に比べてヒューズ素子3の縦断面における抵抗値が大きくなるように設けられている。
カバー部材4は、パッケージ1の上端に接合されているとともに、ヒューズ素子3を覆っている。キャビティ部13は、カバー部材4によって気密封止されている。
端子6および7は、各々、対応している導体パターン2に電気的に接続されているとともに、パッケージ1のベース部11の下面に設けられている。端子6および7は、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)またはマンガン(Mn)などの導電材料を含んでいる導体パッドである。本実施形態におけるヒューズ装置は、表面実装型の装置である。
図7に示されているように、本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子3の他の例は、縦断面において円形状を有している。ヒューズ素子3は、縦断面において、ベース部11に点接触している。すなわち、ヒューズ素子3は、円柱形状を有しているとともに、ベース部11に線状に接触している。
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子3の端部31および32が、フレーム部12の凹部121および122にはめ込まれていることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子3の実装位置の精度に関して向上されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子3と導体パターン2との電気的接続に関して改善されており、過電流状態における特性に関して向上されている。
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子3がフレーム部12の凹部121および122にはめ込まれていることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子3の実装工程が簡略化されており、生産性に関して向上されている。
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子3が、ベース部11に線状に接触していることにより、本実施形態のヒューズ装置は、ヒューズ素子3からベース部11への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態のヒューズ装置は、ヒューズ素子3を流れる電流によって発生されたジュール熱の損失に関して低減されており、過電流状態における特性に関して向上されている。
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子3の端部31および32が、フレーム部12の凹部121および122にはめ込まれていることにより、本実施形態のヒューズ装置は、例えば、ヒューズ素子3が導電性接合材によってパッケージ1に実装されている構造であれば、適切な量の導電性接合材をヒューズ素子3の端部31および32に設けることができ、ヒューズ素子3と導体パターン2との電気的接続部分における抵抗値を低減させることができる。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態において適切な電圧がヒューズ素子3に加わることとなり、過電流状態における特性に関して向上されている。
図8に示されているように、ヒューズ装置は、ヒューズ素子3の抵抗成分R3に加えて、ヒューズ素子3と導体パターン2との接続部分における抵抗成分R10およびR20と、導体パターン2と端子6との間の電気的経路における抵抗成分R8と、導体パターン2と端子7との間の電気的経路における抵抗成分R9とを有している。ヒューズ素子3に加わる電圧は、抵抗成分R8、R9、R10およびR20に対するヒューズ素子3の抵抗成分R3の大きさによって決定される。本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子3の接続部分の抵抗成分R10Rおよび20を低減させることができ、端子6と端子7との間に加わる電圧に対するヒューズ素子3に加わる電圧を増大させることができる。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して改善されている。
(第2の実施形態)
図9から図14を参照して、本発明の第2の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第2の実施形態のヒューズ装置において第1の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、パッケージ1のベース部11の構造である。その他の構成は、第1の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
パッケージ1のベース部11は、伝熱抑制手段を有している。本実施形態において、伝熱抑制手段は、ベース部11の上面に設けられているとともにヒューズ素子3の直下に位置している溝15である。
“伝熱抑制”とは、図13に模式的に示されているように、比較形態におけるヒューズ素子30からベース部110への伝熱に比べて、本実施形態におけるヒューズ素子3からベース部11への伝熱が低減されていることをいう。比較形態は、例えば、ヒューズ素子30がベース部110に面接触している構造である。ヒューズ素子30がベース部110に面接触することにより、ヒューズ素子30によって発生された熱がベース部110に逃げやすくなり、ヒューズ素子30が、予め設計された過電流値によって破断しない可能性がある。本実施形態において、例えば、ヒューズ素子3が、比較形態におけるヒューズ素子30と同様の形状であったとしても、本実施形態のベース部11が、溝15を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子3からベース部11への伝熱に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して改善されている。
ヒューズ素子3は、図12に示されているように、平面透視において、ベース部11の上面に線状に接触している。図12において、ヒューズ素子3のベース部11に対する接触部分14が、点線によって模式的に示されている。ヒューズ素子3が、ベース部11に線状に接触していることにより、本実施形態のヒューズ装置は、ヒューズ素子3からベース部11への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態のヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
本実施形態のヒューズ装置において、ベース部11が溝15を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、溶断されたヒューズ素子3の一部分が溝15内において被着され得る構造を有している。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、信頼性に関して向上されている。
図14に示されているように、本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子3の他の例は、縦断面において円形状を有している。ヒューズ素子3は、縦断面において、ベース部11に2点で接触している。
図15を参照して、本実施形態の他の例におけるヒューズ装置について説明する。他の例におけるヒューズ装置は、溝15に設けられた金属パターン5をさらに含んでいる。金属パターン5は、ヒューズ素子3が溶断されたときに、ヒューズ素子3の一部分である溶融金属に関して比較的濡れ性の良いものである。他の例におけるヒューズ装置は、金属パターン5を含んでいることにより、溶断金属が溶断されたヒューズ素子3に再び付着する可能性に関して低減されている。従って、他の例におけるヒューズ装置は、信頼性に関して向上されている。
(第3の実施形態)
図16および図17を参照して、本発明の第3の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第3の実施形態のヒューズ装置において第2の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、溝18が設けられている領域である。その他の構成は、第2の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
溝18は、ヒューズ素子3の溶断箇所の直下に設けられているとともに、ヒューズ素子3より大きい幅を有している。ヒューズ素子3の“溶断箇所”とは、ヒューズ素子3に過電流が流れた場合に、溶融して切断される部分のことをいう。図17において、溶断箇所が、点線記号によって示されている。ヒューズ素子3の幅とは、ヒューズ素子3の太さのことをいい、溝18の幅とは、仮想のy軸方向における溝18の大きさのことをいう。
本実施形態のヒューズ装置において、ベース部11が、ヒューズ素子3の溶断箇所の直
下に設けられた溝18を有していることによって、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子3の溶断箇所からベース部11への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態のヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
(第4の実施形態)
図18および図19を参照して、本発明の第4の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第4の実施形態のヒューズ装置において第1の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、ヒューズ素子3のパッケージ1への取り付け構造である。その他の構成は、第1の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
ヒューズ素子3は、全体的にパッケージ1のベース部11から離間しており、両端部31および32においてパッケージ1のフレーム部12に固定されている。
本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子3が全体的にパッケージ1のベース部11から離間していることにより、本実施形態のヒューズ装置は、ヒューズ素子3からベース部11への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態のヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
(第5の実施形態)
図20および図21を参照して、本発明の第5の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第5の実施形態のヒューズ装置において第1の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、パッケージ1におけるベース部11の構造である。その他の構成は、第1の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
パッケージ1のベース部11は、伝熱抑制手段を有している。本実施形態において、伝熱抑制手段は、ベース部11の内部に設けられているとともにヒューズ素子3の直下に位置している空洞部16である。空洞部16は、減圧状態であることが好ましい。
本実施形態のヒューズ装置において、ベース部11が空洞部16を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子3からパッケージ1の下面への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
(第6の実施形態)
図22および図23を参照して、本発明の第6の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第6の実施形態のヒューズ装置において第1の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、パッケージ1におけるベース部11の上面の構造である。その他の構成は、第1の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
パッケージ1のベース部11は、伝熱抑制手段を有している。本実施形態において、伝熱抑制手段は、ベース部11の上面に設けられているとともにヒューズ素子3の配置方向に形成された溝17である。図22において、ヒューズ素子3の“配置方向”とは、仮想のx軸方向である。“配置方向に形成された”とは、図22において、仮想のx軸方向に延びるように形成されていることをいう。溝17は、平面視において、ヒューズ素子3の配置領域を挟むように設けられている。
本実施形態のヒューズ装置において、ベース部11が溝17を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子3によって発生される熱の伝導に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
(第7の実施形態)
図24および図25を参照して、本発明の第7の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第7の実施形態のヒューズ装置において第1の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、ヒューズ素子3の構成である。その他の構成は、第1の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
ヒューズ素子3は、互いに並列接続された複数のサブ素子31−34を含んでいる。図25の上段に示されているように、ヒューズ装置の全体における定格電流が、例えば、5アンペア(A)であるとする。複数のサブ素子31−34の各々が互いに同じ定格電流の場合、図25の下段に示されているように、複数のサブ素子31−34の各々は、1.25Aの定格電流を有している。
一般的に、例えば製造ばらつき等を考慮すると、より定格電流の小さなヒューズ素子の方が溶断電流に対する感度が高い。本実施形態のヒューズ装置において、装置全体の定格電流が、互いに並列接続された複数のサブ素子31−34によって実現されていることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流に対する感度に関して向上されている。
端子6から端子7に過電流が流れる場合、まず、複数のサブ素子31−34のいずれか一つが溶断される。ここでは、例えば、サブ素子31が溶断されるとする。サブ素子31が溶断されることにより、残りのサブ素子32−34の各々には、定格電流より遥かに大きな電流が流れることとなり、サブ素子32−34の各々は、短時間で溶断される。
(第8の実施形態)
図26を参照して、本発明の第8の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第8の実施形態のヒューズ装置において第1の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、ヒューズ素子3の構成である。その他の構成は、第1の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。
ヒューズ素子3は、互いに電気的に独立している複数のサブ素子31−33を含んでいる。複数のサブ素子31−33の各々は、互いに異なる定格電流を有している。
本実施形態のヒューズ装置において、複数のサブ素子31−33の各々が、互いに電気的に独立しているとともに、互いに異なる定格電流を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、選択性に優れている。
本実施形態のヒューズ装置を配線基板に実装した電子装置は、複数のサブ素子31−33のうち、電子装置の用途に応じて、配線基板の配線パターンを任意のパターンに形成することによって、作製することができる。このような電子装置は、パソコン、携帯端末または自動車のヒューズボックス等に用いることができる。そして、このヒューズ装置について、複数のサブ素子31−33を適当に選択するように、配線基板の配線パターンを設計することができる。配線基板を設計するものにとっては、配線基板の配線パターンと接続されるヒューズ装置の複数のサブ素子31−33を自由に選択して、配線基板の配線パターンを設計することができ、配線基板の設計の自由度を向上させることができる。
(第9の実施形態)
図27を参照して、本発明の第9の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第9の実施形態のヒューズ装置において第1の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、複数の実装脚部8を有している点である。その他の構成は、第1の実施形態におけるヒュ
ーズ装置と同様である。
複数の実装脚部8は、パッケージ1の下面に設けられているとともに、ヒューズ素子3に電気的に接続されている。複数の実装脚部8は、実質的に導電性材料からなる。
本実施形態におけるヒューズ装置は、複数の実装脚部8をさらに含んでいることにより、パッケージ1を介してヒューズ素子3から実装基板へ伝導される熱に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
(端子部分の例)
図28を参照して、本発明の第1−第9の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第1の例について説明する。図28においては、端子6について示されているが、端子7についても同様の構造である。導体パターン2と端子6とは、キャスタレーション導体91によって電気的に接続されている。
図29を参照して、本発明の第1−第9の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第2の例について説明する。導体パターン2と端子6とは、ビア導体92によって電気的に接続されている。
図30を参照して、本発明の第1−第9の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第3の例について説明する。導体パターン2と端子6とは、複数のビア導体93によって電気的に接続されている。
図31を参照して、本発明の第1−第9の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第4の例について説明する。図30に示された第3の例と異なる点は、複数のビア導体93に接続されている介在導体層94を有している点である。
図32を参照して、本発明の第1−第9の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第5の例について説明する。導体パターン2と端子6とは、キャスタレーション導体91およびビア導体92によって電気的に接続されている。
図33を参照して、本発明の第1−第9の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第6の例について説明する。端子6は、導体パターン2に電気的に接続された金属ポスト95の下端である。
1 パッケージ
11 ベース部
12 フレーム部
2 導体パターン
3 ヒューズ素子
4 カバー部材
6,7 端子

Claims (12)

  1. ベース部と前記ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでおり、前記フレーム部が、互いに対向している複数の凹部を有している、パッケージと、
    前記複数の凹部の各々に設けられた導体パターンと、
    前記複数の凹部にはめ込まれた端部を有しているとともに、前記導体パターンに電気的に接続されたヒューズ素子と
    を備えたヒューズ装置。
  2. 前記ヒューズ素子が、前記ベース部に線状に接触していることを特徴とする請求項1記載のヒューズ装置。
  3. 前記ベース部が、伝熱抑制手段を有していることを特徴とする請求項1記載のヒューズ装置。
  4. 前記伝熱抑制手段が、前記ベース部の上面に設けられているとともに前記ヒューズ素子の直下に位置していることを特徴とする請求項3記載のヒューズ装置。
  5. 前記溝に設けられた金属パターンをさらに備えていることを特徴とする請求項4記載のヒューズ装置。
  6. 前記伝熱抑制手段が、前記ベース部の内部に設けられているとともに前記ヒューズ素子の直下に位置している空洞であることを特徴とする請求項3記載のヒューズ装置。
  7. 前記伝熱抑制手段が、前記ベース部の上面に設けられているとともに平面視において前記ヒューズ素子の配置領域を挟むように設けられた複数の溝であることを特徴とする請求項3記載のヒューズ装置。
  8. 前記ヒューズ素子が、複数のサブ素子を含んでいることを特徴とする請求項1記載のヒューズ装置。
  9. 前記複数のサブ素子が並列接続されていることを特徴とする請求項8記載のヒューズ装置。
  10. 前記パッケージの下面に設けられているとともに前記ヒューズ素子に電気的に接続された複数の実装脚部をさらに備えていることを特徴とする請求項1記載のヒューズ装置。
  11. ベース部と前記ベース部上に設けられたフレーム部とを含んでおり、前記フレーム部が、互いに対向している複数のヒューズ素子実装用凹部を有している、パッケージと、
    前記複数のヒューズ素子実装用凹部の各々に設けられた導体パターンと
    を備えたヒューズ装置用部品。
  12. 請求項1から請求項11のいずれかに記載のヒューズ装置と、
    前記ヒューズ装置に電気的に接続された配線基板とを備えた電子装置。
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