JP2011171614A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レジスト残滓の発生を防止し歩留まりが改善される半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスウエハ１０の上面に形成された再配線１９と、再配線１９のランドに形成された柱状電極２１と、再配線１９を被覆する第１の熱可塑性樹脂層４１と、第１の熱可塑性樹脂層を被覆すると共に、柱状電極２１の上部側面を被覆し且つ柱状電極２１の上面を露出させるフィラー含有熱硬化性樹脂層４２と、を備える。第１の熱可塑性樹脂層／フィラー含有熱硬化性樹脂層／第２の熱可塑性樹脂層の３層構造からなるフィルムを減圧環境下で加熱加圧し貼り付けた後に、第２の熱可塑性樹脂層を除去してなる。レジスト剥離工程がないため、レジスト残滓の発生を防止できる。配線上に第１の熱可塑性樹脂層を貼り付け、加熱することにより第１の熱可塑性樹脂層が柔らかくなり沈むことで、配線間に行き渡り、密着して被覆できる。
【選択図】図２

Description

本発明は、ＷＬＰ（Wafer Level Package）等の半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置には、図２０に示すような構造のものがある。半導体デバイスウエハ１１０は、半導体ウエハ１１１、接続パッド１１２、パッシベーション膜１１３を有している。半導体ウエハ１１１上の接続パッド１１２が設けられた面にパッシベーション膜１１３が設けられ、パッシベーション膜１１３の接続パッド１１２の中央部に対応する部分には、開口１１３ａが設けられている。パッシベーション膜１１３上の絶縁膜１１４の接続パッド１１２の中央部に対応する部分には、開口１１４ａが設けられている。絶縁膜１１４の表面及び開口１１４ａ内には電解めっき用シード層１１６が設けられ、電解めっき用シード層１１６の上部に再配線１１９が形成されている。再配線１１９は電解めっき用シード層１１６を介して接続パッド１１２に接続される。再配線１１９の一端部のランドに柱状電極１２１が設けられ、再配線１１９及び絶縁膜１１４が封止膜１２２により封止される。柱状電極１２１は封止膜１２２から露出し、柱状電極１２１の表面に半田端子１２３が設けられる。半田端子１２３を介して半導体装置１０１は図示しない回路基板に接続される（例えば、特許文献１参照）。

また、シート状のエポキシ変性ポリイミド樹脂フィルムを加熱・圧着する方法により封止膜を形成する方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００８−２１８７３１号公報 特開２００１−１４４１１８号公報

ところで、柱状電極を電解めっきにより形成するときに、柱状電極の形成領域以外にレジストを設け、柱状電極の形成後にレジストを剥離する。
しかし、再配線等が設けられた基板には微細な凹凸があるため、レジストが完全に剥離されず残滓が残る場合がある。残滓が残った場合には、残滓の下部の電解めっき用シード層が除去されないため、隣接する再配線や柱状電極間のショート不良の原因となる。また、残滓が残ったまま封止膜により封止した場合には、耐湿信頼性低下の恐れがある。これを防ぐために最終外観検査において残滓が残っている半導体装置を除去するので、歩留まりが低下するという問題がある。

また、シート状のエポキシ変性ポリイミド樹脂フィルムを加熱・圧着する方法では、フィルム全体が軟化し、硬化収縮するため、圧着後のフィルムの残留応力が大きくなるという問題がある。

本発明の課題は、レジスト残滓の発生を防止し歩留まりが改善される半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することである。

以上の課題を解決するため、本発明の第１の態様によれば、半導体ウエハと、前記半導体ウエハ上の接続パッドと、前記接続パッドと電気的に接続された配線と、前記配線のランド上に設けられた外部接続用電極と、少なくとも前記配線を被覆すると共に、前記配線のランドを露出する第１の熱可塑性樹脂層と、前記第１の熱可塑性樹脂層上に、前記第１の熱可塑性樹脂層を被覆すると共に、前記外部接続用電極の側面の一部を被覆しかつ前記外部接続用電極の上面を露出した熱硬化性樹脂層と、を備えることを特徴とする半導体装置が提供される。

好ましくは、前記熱硬化性樹脂層上に、該熱硬化性樹脂層を被覆すると共に、前記外部接続用電極の側面の一部を被覆しかつ前記外部接続用電極の上面を露出した第２の熱可塑性樹脂層を備える。
好ましくは、前記第１の熱可塑性樹脂層及び前記熱硬化性樹脂層は、前記第１の熱可塑性樹脂層／熱硬化性樹脂層／第２の熱可塑性樹脂層の３層構造からなるフィルムを、前記配線を含む前記半導体ウエハ上に貼り付けた後、前記第２の熱可塑性樹脂層を除去してなる。
好ましくは、前記第１の熱可塑性樹脂層及び前記第２の熱可塑性樹脂層は、熱可塑性ポリイミドからなる。
好ましくは、前記熱硬化性樹脂層は、シリカ等のフィラーを含有している。
好ましくは、前記熱硬化性樹脂層は、熱硬化性ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂のいずれかからなる。

本発明の他の態様によれば、半導体ウエハ上に、接続パッドと、前記接続パッドと電気的に接続された配線と、前記配線のランド上の外部接続用電極と、が設けられた半導体装置の製造方法において、少なくとも前記配線を被覆する、熱可塑性樹脂層及び熱硬化性樹脂層を含むフィルムを貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

好ましくは、前記フィルムに前記配線のランドを露出させる開口を形成し、開口内に外部接続用電極を形成する。
好ましくは、前記熱硬化性樹脂層と前記外部接続用電極とがほぼ面一となるまで前記フィルムの上面から研削する。
好ましくは、前記フィルムは、第１の熱可塑性樹脂層／熱硬化性樹脂層／第２の熱可塑性樹脂層の３層構造からなる。
または、好ましくは、前記フィルムは、第１の熱可塑性樹脂層／熱硬化性樹脂層／第２の熱可塑性樹脂層の３層構造からなるフィルムを、前記配線を含む前記半導体ウエハ上に貼り付けた後、前記第２の熱可塑性樹脂層を除去してなる。
好ましくは、前記熱硬化性樹脂層は、熱硬化性ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂のいずれかからなる。
好ましくは、前記熱硬化性樹脂層は、シリカ等のフィラーを含有している。
好ましくは、前記第１の熱可塑性樹脂層及び前記第２の熱可塑性樹脂層は、熱可塑性ポリイミドからなる。
好ましくは、前記フィルムに前記配線のランドを露出させる開口を形成する工程は、高密度酸素プラズマエッチャーを用いる。

本発明によれば、レジスト残滓の発生を防止し歩留まりが改善される半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。また、配線上に第１の熱可塑性樹脂層を貼り付け、加熱することにより第１の熱可塑性樹脂層が柔らかくなり沈むことで、配線間に行き渡り、密着して被覆できる。

本発明の実施形態に係る半導体装置１を示す平面図である。 図１のII−II矢視断面図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 半導体装置１の製造方法の説明図である。 従来の半導体装置１０１を示す断面図である。

図１は本発明の実施形態に係る半導体装置１を示す平面図であり、図２は図１のII−II矢視断面図である。図１、図２に示すように、半導体装置１は、半導体デバイスウエハ１０の上面に再配線１９、柱状電極２１、半田端子２３等を形成してなる。
半導体デバイスウエハ１０は、図１に示すように、シリコン等からなる半導体基板（半導体ウエハ）１１と、金属等の導電性材料からなる複数の接続パッド１２と、酸化シリコンまたは窒化シリコン等の絶縁性材料からなるパッシベーション膜１３と、等を備える。

半導体基板１１の上面には、ＬＳＩや配線等が形成されている。接続パッド１２はシリコン基板１１上の配線と接続されている。パッシベーション膜１３は半導体基板１１の上面に形成され、ＬＳＩや配線等を被覆する。また、パッシベーション膜１３には、接続パッド１２を露出させる開口１３ａが設けられている。図１、図２に示すように、開口１３ａは接続パッド１２よりも小さい。

パッシベーション膜１３の上面には、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる絶縁膜１４が形成されている。絶縁膜１４には、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、等の高機能プラスチック材料、エポキシ系、フェノール系、シリコン系等のプラスチック材料、またはこれらの複合材料等を用いることができる。

絶縁膜１４には、接続パッド１２を露出させる開口１４ａが設けられている。開口１４ａは絶縁膜１４が感光性樹脂であれば、半導体デバイスウエハ１０上に塗布−露光−現像−硬化することで開口１４ａを一括形成することができる。また、開口１４ａは、例えばレーザにより形成することができる。図１、図２に示すように、絶縁膜１４の開口１４ａは、パッシベーション膜１３の開口１３ａよりも小さく、開口１４ａの外周部で接続パッド１２と絶縁膜１４とが密着している。

絶縁膜１４の上面の一部、及び、開口１４ａから露出した接続パッド１２の上部には、銅等からなる第１の電解めっき用シード層１６Ａが形成されている。第１の電解めっき用シード層１６Ａは、２００ｎｍ〜２０００ｎｍの厚さが好ましい。第１の電解めっき用シード層１６Ａの一端部は、開口１３ａ、１４ａを介して接続パッド１２に接続されている。

第１の電解めっき用シード層１６Ａの上面には銅等の導電性材料からなる再配線１９が形成されている。再配線１９は５μｍ〜１５μｍの厚さが好ましい。再配線１９の接続パッド１２とは反対側の端部のランド上面には、第２の電解めっき用シード層１６Ｂを介して銅等の導電性材料からなる柱状電極２１が形成されている。柱状電極２１の直径は５０〜５００μｍである。柱状電極２１の高さは４５〜８５μｍ程度であり、再配線１９の厚さと合わせて５０〜１００μｍ程度である。
柱状電極２１の底面及び周側面は、第２の電解めっき用シード層１６Ｂにより覆われている。第２の電解めっき用シード層１６Ｂは、厚さ１００〜５００ｎｍの無電解ニッケルめっきからなる。

第１の電解めっき用シード層１６Ａ及び再配線１９の積層体は、対応する１つ又は複数の接続パッド１２と１つ又は複数の柱状電極２１とを接続している。また、第１の電解めっき用シード層１６Ａ及び再配線１９の積層体は、それぞれ隣接する他の第１の電解めっき用シード層１６Ａ及び再配線１９の積層体と電気的に絶縁されるように配列されている。

再配線１９及び絶縁膜１４の表面は、第１の熱可塑性樹脂層４１により被覆されている。第１の熱可塑性樹脂層４１には、柱状電極２１の部分に開口４１ａが形成されている。熱可塑性樹脂層の厚さは、再配線１９の厚さよりも厚く、１０〜３０μｍであることが好ましい。第１の熱可塑性樹脂層４１は、再配線１９及び絶縁膜１４をその上面から保護する。第１の熱可塑性樹脂層４１を形成する熱可塑性樹脂材料には、再配線（配線）１９及び柱状電極（外部接続用電極）２１を形成する金属のマイグレーション現象が生じない熱可塑性樹脂材料であることが求められる。このような熱可塑性樹脂材料には、熱可塑性ポリイミドがある。

第１の熱可塑性樹脂層４１の上部には、熱硬化性樹脂中にシリカ等のフィラーを含有したフィラー含有熱硬化性樹脂層４２が、その上面が柱状電極２１の上面と略面一となることで柱状電極２１の上面が露出されるように設けられている。フィラー含有熱硬化性樹脂層４２には、柱状電極２１の形成領域に開口４２ａが形成されている。フィラー含有熱硬化性樹脂層４２は、第１の熱可塑性樹脂層４１を上部から保護するとともに、柱状電極２１を側面から保護する。フィラー含有熱硬化性樹脂層４２は、熱硬化性ポリイミド、エポキシ系樹脂やフェノール系樹脂等の熱硬化性樹脂と、シリカ等のフィラーとのコンポジット（複合材料）からなる。ただし、フィラー含有熱硬化性樹脂層４２は、フィラーを含有していない熱硬化性樹脂層でも良い。また、フィラー含有熱硬化性樹脂層４２上に第２の熱可塑性樹脂層４５が、その上面が柱状電極２１の上面と面一となることで柱状電極２１の上面が露出されるように設けられていても良い。 各柱状電極２１の上部には半導体基板１１の接続パッド１２と接続するための略球形状の半田端子２３がそれぞれ設けられている。半田端子２３は、柱状電極２１の円形の上面に接することによって相互に電気的に接続している。

次に、半導体装置１の製造方法について図３〜図１９を用いて説明する。
まず、図３に示すように、半導体基板（半導体ウエハ）１１上に、接続パッド１２と、パッシベーション膜１３と、を備える半導体デバイスウエハ１０の表面に、絶縁膜１４を形成する。
次に、図４に示すように、スパッタ等の気相堆積法により絶縁膜１４の全面及び接続パッド１２の全面を覆う第１の電解めっき用シード層１６Ａを形成する。

次に、図５に示すように、第１の電解めっき用シード層１６Ａ上の再配線１９形成領域以外に、再配線レジスト１７を形成する。
次に、図６に示すように、第１の電解めっき用シード層１６Ａを陰極とする電解めっきにより再配線レジスト１７が形成されていない部分に再配線１９を形成する。
その後、図７に示すように、再配線レジスト１７を除去する。

次に、図８に示すように、エッチングにより再配線１９が形成されていない領域の第１の電解めっき用シード層１６Ａを除去する。なお、この時、再配線１９の表面もエッチングされるが、再配線１９は第１の電解めっき用シード層１６Ａと比較して充分に厚いため、影響はない。

次に、外観検査により再配線１９の断線や半導体デバイスウエハ１０上の異物の有無を確認する。次に、絶縁膜１４の表面を酸素プラズマにより処理することで、表面の炭化物を除去する。

次に、図９に示すように、第１の熱可塑性樹脂層４１／フィラー含有熱硬化性樹脂層４２／第２の熱可塑性樹脂層４５の３層構造からなるフィルム４０を、半導体デバイスウエハ１０の絶縁膜１４及び再配線１９が形成された面に載置し、これらを一対の熱盤１０３，１０４の間に挟み込み、減圧環境下でホットプレスする。例えばフィルム４０が熱可塑性ポリイミド／シリカフィラーを含有する熱硬化性ポリイミド／熱可塑性ポリイミドの３層構造からなる場合には、０．１３〜１３．３ｋＰａの減圧環境下において、温度１５０〜３００℃、圧力１０〜２００ｋｇ／ｃｍ^２で５〜２０分間、加熱加圧し貼り付ける。
なお、中央にフィラー含有熱硬化性樹脂層４２を配置し、両面に第１の熱可塑性樹脂層４１、第２の熱可塑性樹脂層４５の３層構造からなるフィルム４０を配置することで、各層の収縮率の差による反りを防止することができる。ただし、フィラー含有熱硬化性樹脂層４２と第１の熱可塑性樹脂層４１の２層構造からなるフィルム４０を配置しても良い。

加熱加圧によって再配線１９及び絶縁膜１４と当接する第１の熱可塑性樹脂層４１が再配線１９及び絶縁膜１４を封止し、半導体デバイスウエハ１０とフィルム４０とが一体化する。また、フィラー含有熱硬化性樹脂層４２は硬化する。

次に、熱盤１０３，１０４の間からフィルム４０が一体化した半導体デバイスウエハ１０を取り外し、図１０に示すように、再配線１９及び絶縁膜１４と第２の熱可塑性樹脂層４５の表面に、スパッタ法によりＴｉ膜４３を形成する。

次に、図１１に示すように、Ｔｉ膜４３の表面に感光性樹脂を塗布し、露光、現像してフォトレジスト４４を形成する。フォトレジスト４４には、柱状電極２１の形成領域に開口４４ａが形成される。
次に、図１２に示すように、開口４４ａ内のＴｉ膜４３をエッチングし、Ｔｉ膜４３に開口４３ａを形成する。
次に、図１３に示すように、フォトレジスト４４を除去する。

次に、図１４に示すように、Ｔｉ膜４３をマスクとして、フィルム４０を一括孔加工することで、開口４３ａの部分に開口４１ａ、４２ａ、４５ａを形成する。この時、柱状電極２１を形成する部分の再配線１９が露出する。

一括孔加工には、高密度酸素プラズマエッチャーを用いることができる。例えばフィルム４０が熱可塑性ポリイミド／シリカフィラーを含有する熱硬化性ポリイミド／熱可塑性ポリイミドの３層構造からなる場合には、真空度を０．１３〜１．３Ｐａ、酸素流量を１０〜１００ｓｃｃｍとし、エッチングレートを１〜１０μｍ／ｍｉｎとしてエッチングを行うことができる。

レーザーで孔加工をする場合には、１つ１つの開口４１ａ、４２ａ、４５ａを形成するのに作業時間がかかるが、高密度酸素プラズマエッチャーを用いることで短時間で一括加工できる。また、レーザーで孔加工すると加工後の孔周辺にデラミネーション（層間剥離）が発生する恐れがあるが、高密度酸素プラズマエッチャーを用いた場合には、デラミネーションが生じる恐れがない。

次に、図１５に示すように、無電解メッキ法により、露出した再配線１９、開口４１ａ、４２ａ、４３ａ、４５ａの内面、Ｔｉ膜４３の上面を覆う第２の電解めっき用シード層１６Ｂを形成する。

次に、第２の電解めっき用シード層１６Ｂの上部にドライフィルムを貼り付け、露光、現像することで、図１６に示すように、柱状電極形成用レジスト２０を形成する。なお、柱状電極形成用レジスト２０には、開口４１ａ、４２ａ、４３ａ、４５ａの位置に開口２０ａが形成される。

次に、図１７に示すように、第２の電解めっき用シード層１６Ｂを陰極とする電解めっきにより開口４１ａ、４２ａ、４３ａ、４５ａ内に柱状電極２１を形成する。柱状電極２１の中央部の高さがフィルム４０の厚さの５０〜９０％程度となった時点で電解めっきを終了する。
次に、図１８に示すように、柱状電極形成用レジスト２０を除去する。

次に、グラインダーで第２の電解めっき用シード層１６Ｂの上面から研削することにより、Ｔｉ膜４３、第２の熱可塑性樹脂層４５が研削され、図１９に示すように、フィラー含有熱硬化性樹脂層４２と柱状電極２１の上面とが略面一となるように柱状電極２１の上面を露出させる。この時、フィラー含有熱硬化性樹脂層４２も若干研削される。このように、上面にフィラー含有熱硬化性樹脂層４２を露出させることで、半田端子２３を２５０〜２６０℃の環境下でリフローを行ったとしても、フィラー含有熱硬化性樹脂層４２は軟化することはない。なお、第２の熱可塑性樹脂層４５のすべてを研削して除去せずに、第２の熱可塑性樹脂層４５と柱状電極２１の上面とが面一となった時点で研削を止めることで、第２の熱可塑性樹脂層４５の一部を残しても良い。この場合、上面に第２の熱可塑性樹脂層４５が露出することで、半田端子２３を２５０〜２６０℃の環境下でリフローを行った際、第２の熱可塑性樹脂層４５は若干軟化するが、短時間であるため、殆ど影響を受けることはない。これにより、柱状電極２１の上面が平坦となる。なお、この時、第２の電解めっき用シード層１６Ｂの上面も露出する。
その後、柱状電極２１の上面に略球形状の半田端子２３を形成し、必要に応じて半導体基板（半導体ウエハ）１１をグラインダーにて研削して薄くした後、ダイシングする。以上により、図２に示すような半導体装置１が形成される。

このように、本発明によれば、第１の熱可塑性樹脂層４１／フィラー含有熱硬化性樹脂層４２／第２の熱可塑性樹脂層４５の３層構造（または第１の熱可塑性樹脂層４１／フィラー含有熱硬化性樹脂層４２の２層構造）からなるフィルム４０を貼り付けた後、少なくとも第１の熱可塑性樹脂層４１は剥離しないため、再配線１９間にレジスト残滓が残ることがない。よって歩留まりを改善することができ、製造コストを抑えることができる。

また、再配線１９及び柱状電極２１が第１の熱可塑性樹脂層４１により被覆されているため、再配線１９及び柱状電極２１とフィラー含有熱硬化性樹脂層４２とが接触しない。そのため、再配線１９及び柱状電極２１を形成する金属のマイグレーション現象が生じず、再配線１９及び柱状電極２１のショートを防ぐことができる。このため、再配線１９及び柱状電極２１の配線密度を高くすることができる。

１ 半導体装置
１０ 半導体デバイスウエハ
１１ 半導体基板（半導体ウエハ）
１４ 絶縁膜
１９ 再配線（配線）
２１ 柱状電極（外部接続用電極）
４０ フィルム
４１ 第１の熱可塑性樹脂層
４２ フィラー含有熱硬化性樹脂層（熱硬化性樹脂層）
４５ 第２の熱可塑性樹脂層

Claims (15)

1. 半導体ウエハと、
   前記半導体ウエハ上の接続パッドと、
   前記接続パッドと電気的に接続された配線と、
   前記配線のランド上に設けられた外部接続用電極と、
   少なくとも前記配線を被覆すると共に、前記配線のランドを露出する第１の熱可塑性樹脂層と、
   前記第１の熱可塑性樹脂層上に、前記第１の熱可塑性樹脂層を被覆すると共に、前記外部接続用電極の側面の一部を被覆しかつ前記外部接続用電極の上面を露出した熱硬化性樹脂層と、
   を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 前記熱硬化性樹脂層上に、該熱硬化性樹脂層を被覆すると共に、前記外部接続用電極の側面の一部を被覆しかつ前記外部接続用電極の上面を露出した第２の熱可塑性樹脂層を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１の熱可塑性樹脂層及び前記熱硬化性樹脂層は、前記第１の熱可塑性樹脂層／熱硬化性樹脂層／第２の熱可塑性樹脂層の３層構造からなるフィルムを、前記配線を含む前記半導体ウエハ上に貼り付けた後、前記第２の熱可塑性樹脂層を除去してなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記第１の熱可塑性樹脂層及び前記第２の熱可塑性樹脂層は、熱可塑性ポリイミドからなることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
5. 前記熱硬化性樹脂層は、シリカ等のフィラーを含有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記熱硬化性樹脂層は、熱硬化性ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂のいずれかからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 半導体ウエハ上に、接続パッドと、前記接続パッドと電気的に接続された配線と、前記配線のランド上の外部接続用電極と、が設けられた半導体装置の製造方法において、
   少なくとも前記配線を被覆する、熱可塑性樹脂層及び熱硬化性樹脂層を含むフィルムを貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 前記フィルムに前記配線のランドを露出させる開口を形成し、開口内に外部接続用電極を形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記熱硬化性樹脂層と前記外部接続用電極とがほぼ面一となるまで前記フィルムの上面から研削することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記フィルムは、第１の熱可塑性樹脂層／熱硬化性樹脂層／第２の熱可塑性樹脂層の３層構造からなることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記フィルムは、第１の熱可塑性樹脂層／熱硬化性樹脂層／第２の熱可塑性樹脂層の３層構造からなるフィルムを、前記配線を含む前記半導体ウエハ上に貼り付けた後、前記第２の熱可塑性樹脂層を除去してなることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記熱硬化性樹脂層は、熱硬化性ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂のいずれかからなることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記熱硬化性樹脂層は、シリカ等のフィラーを含有していることを特徴とする請求項７〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記第１の熱可塑性樹脂層及び前記第２の熱可塑性樹脂層は、熱可塑性ポリイミドからなることを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記フィルムに前記配線のランドを露出させる開口を形成する工程は、高密度酸素プラズマエッチャーを用いることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。

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