JP2011171153A - カバー固定具及び誘導結合プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制でき、且つカバーを容易に着脱できるようにするとともに、ガス導入の設計自由度を高め得るカバー固定具を提供する。
【解決手段】誘電体カバー固定具１８は、第１の部分カバー１２Ａの一部及び第２の部分カバー１２Ｂの一部をそれぞれ支持する支持部１８ａと、基部１８ｂとを備えている。基部１８ｂの上部は、円筒状に突出した凸部１８ｂ１を有しており、この凸部１８ｂ１の周囲にはねじ山１８ｂ２が形成されている。基部１８ｂにおける凸部１８ｂ１の内部には、ガス導入路２１ｂに接続するガス導入路１０１が形成されている。ガス導入路１０１は、ガス流路の一部分を構成し、ガス導入路２１ｂと処理室５の内部とを連通させる。ガス孔１０１ａは基部１８ｂの底壁を貫通して設けられており、ガス導入路１０１の一部分を構成する。
【選択図】図５

Description

本発明は、誘導結合プラズマ処理装置において、処理室の天井部分を構成する窓部材の下面を覆うカバーを固定するためのカバー固定具および、これを備えた誘導結合プラズマ処理装置に関する。

ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造工程においては、ＦＰＤ用のガラス基板に対してプラズマエッチング、プラズマアッシング、プラズマ成膜等の種々のプラズマ処理が行われている。このようなプラズマ処理を行う装置として、高密度プラズマを発生させることができる誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）処理装置が知られている。

誘導結合プラズマ処理装置は、気密に保持され、被処理体である基板に対してプラズマ処理が行われる処理室と、処理室の外部に配置された高周波アンテナとを備えている。処理室は、その天井部分を構成する誘電体等の材質からなる窓部材を有し、高周波アンテナは窓部材の上方に配置されている。この誘導結合プラズマ処理装置では、高周波アンテナに高周波電力を印加することによって、窓部材を介して処理室内に誘導電界が形成され、この誘導電界によって、処理室内に導入された処理ガスがプラズマに転化され、このプラズマを用いて、基板に対して所定のプラズマ処理が行われる。

誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面が処理室に露出していると、この窓部材の下面がプラズマによる損傷を受ける。窓部材は、容易に着脱することができないため、損傷を受けても容易に交換したりクリーニングしたりすることができない。そこで、特許文献１に記載されているように、窓部材の下面を、容易に着脱可能なカバーで覆うことが行われている。これにより、窓部材の下面を保護でき、且つ、損傷を受けたカバーを容易に交換したりクリーニングしたりすることが可能になる。

特開２００１−２８２９９号公報

特許文献１に記載されているように、従来、カバーは、窓部材の支持部材に対して、複数のねじによって固定されていた。より詳しく説明すると、従来のカバーの固定方法では、カバーにおける周縁部の近傍部分に、それぞれねじの軸部が挿通される複数の貫通孔を形成し、各貫通孔にカバーの下面側から、ねじの軸部を挿入し、この軸部を、窓部材を支持する支持部材にねじ込んで、カバーを固定していた。しかし、この従来のカバーの固定方法では、以下のような問題が生じていた。

処理室でプラズマ処理が行われる際には、カバーの下面は、連続的にプラズマに晒されるため、その温度が上昇する。カバーの下面の温度が上昇する過程では、カバーの下面おいて不均一な温度分布が生じ、その結果、カバーに、伸びや反り等の微小な変形が生じる。このとき、カバーの材料（例えばセラミックス）と支持部材の材料（例えばアルミニウム）との熱膨張係数の違いから、カバーの変形量と支持部材の変形量とに差が生じる。そのため、カバーの貫通孔近傍部分が全く変位しないように、ねじによってカバーを支持部材に固定した場合には、カバーの貫通孔近傍部分に過度の応力が加わり、この部分からカバーが破損するおそれがある。

そこで、カバーの貫通孔の径を、ねじの軸部の径よりも十分大きくすると共に、カバーとねじが相対的に変位可能となる機構を設けることにより、カバーの貫通孔近傍部分に過度の応力が加わらないようにすることも考えられる。しかし、それでも、カバーが変形する際にカバーに加わる応力は、貫通孔近傍部分に集中しやすいため、貫通孔を起点としたクラックの発生によるカバーの破損が生じやすい。

また、従来のカバーの固定方法では、処理室の天井面において、複数のねじの頭部による複数の凸部が形成される。このような凸部には、プラズマ処理の際に発生する副生成物が付着しやすい。そのため、プラズマ処理中に、一旦、ねじの頭部に付着した副生成物がねじの頭部から剥がれてパーティクル（浮遊粒子）が生じ、このパーティクルがエッチング不良を引き起こすおそれがある。また、プラズマによってねじの頭部が消耗してパーティクルが生じ、このパーティクルがエッチング不良を引き起こすおそれもある。更に、従来のカバーの固定方法では、多くのねじを使用してカバーを固定するため、カバーの着脱の作業性が悪いという問題点がある。また、近年、ＦＰＤの大型化に対応して、誘導結合プラズマ処理装置の処理室も大型化している。大型の処理室を有する誘導結合プラズマ処理装置では、窓部材とカバーは、それぞれ、分割された複数の部分によって構成される場合がある。この場合には、カバーの固定のために、より多くのねじが使用されるため、カバーの着脱の作業性がより低下し、パーティクル発生の懸念も増加する。

また、従来の誘導結合プラズマ処理装置は、前記窓部材を支持する梁などの支持部材にガス導入路を形成しておき、カバーに設けた複数の小さなガス孔を介して処理室内にガスを導入する方法を採用していた。そのため、梁にガスを拡散させるための空隙部分を加工する必要があるとともに、カバーにも微細なガス孔を多数形成する必要があり、加工の手間とコストが大きな負担になっていた。また、支持部材の無い部位にはガス導入路を配設できなかったため、処理室へガスを導入する部位が支持部材の配設位置に限定されてしまい、処理室内に均一な分布でガスを供給し、均一な誘導結合プラズマを形成するという観点から改善の余地が残されていた。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制でき、且つカバーを容易に着脱できるようにするとともに、ガス導入の設計自由度を高め得るカバー固定具を提供することにある。

本発明の誘導結合プラズマ処理装置のカバー固定具は、誘導結合プラズマ処理装置に用いられる。この誘導結合プラズマ処理装置は、天井部分を構成する窓部材を有し、プラズマ処理が行われる処理室と、前記処理室へガスを供給するガス供給装置と、前記窓部材の上方に配置され、前記処理室内に誘導電界を形成する高周波アンテナと、前記窓部材を支持する支持部材と、前記窓部材の下面を覆うカバーとを備えている。本発明のカバー固定具は、前記カバーを固定するものである。

本発明のカバー固定具は、前記カバーを支持する支持部と、前記支持部に接続された基部と、を備えており、前記基部に、前記ガス供給装置から前記処理室へガスを供給するガス流路の一部分をなすガス導入路が設けられている。

また、本発明のカバー固定具において、前記ガス導入路は、前記ガス流路の他の部分よりもコンダクタンスの小さいガス絞り部を有していてもよい。この場合、前記ガス絞り部は、前記処理室に臨むガス孔であってもよい。

また、本発明のカバー固定具において、前記ガス導入路に、前記処理室内から前記ガス流路の上流側へ向けてプラズマが入り込むことを防止するプラズマ遮断部材が設けられていてもよい。この場合、前記プラズマ遮断部材は、本体と、該本体に形成され、ガスを通過させる複数の貫通開口と、を備えていてもよい。さらに、前記貫通開口と、前記ガス孔とが、直線的に重ならない位置に配設されていてもよい。また、前記貫通開口のコンダクタンスに対し、前記ガス孔のコンダクタンスが小さくてもよい。また、一又は複数の前記プラズマ遮断部材が、前記ガス導入路に着脱自在に配備されていてもよい。また、前記プラズマ遮断部材と前記カバー固定具とは、それぞれ独立して交換可能であってもよい。

また、本発明のカバー固定具において、前記ガス導入路にガス拡散空間が形成されていてもよい。

また、本発明のカバー固定具において、前記支持部材は、前記誘導結合プラズマ処理装置の本体容器の上壁部に連結された第１の部材を有しており、前記基部が、前記第１の部材に直接又は間接的に固定されていてもよい。この場合、前記第１の部材が、前記誘導結合プラズマ処理装置の本体容器の上壁部に機械的遊びを有して支持されていてもよい。

また、本発明のカバー固定具において、前記支持部材は、前記誘導結合プラズマ処理装置の本体容器の上壁部に連結された第１の部材と、該第１の部材に連結された第２の部材と、を有しており、前記基部が、前記第２の部材に直接又は間接的に固定されていてもよい。

また、本発明のカバー固定具において、前記支持部は、前記カバーの一部分をなす被支持部を、前記支持部材と前記窓部材のうちの少なくとも一方との間で直接的又は間接的に挟むようにして支持するものであってもよい。

また、本発明のカバー固定具において、前記支持部は、前記被支持部の下面を支持する上面と、前記基部から離れるに従って前記上面との距離が小さくなる下面とを有していてもよい。

本発明の誘導結合プラズマ処理装置は、上記のいずれかに記載のカバー固定具が１ないし複数個所に装着されている。

本発明の誘導結合プラズマ処理装置において、前記カバーは、前記カバー固定具を装着するための切り欠き部を有していてもよい。

本発明の誘導結合プラズマ処理装置においては、前記カバー固定具と交換可能に構成され、前記カバーを支持する支持部と、前記支持部に接続される基部と、を備え、該基部が前記ガス導入路と前記処理室の内部とのガスの流れを遮断する閉塞構造を有する交換用カバー固定具が、前記カバー固定具の少なくとも１つに代えて装着されていてもよい。

本発明のカバー固定具は、カバーを支持する支持部と支持部に接続された基部とを備えており、基部には、ガス供給装置から処理室へガスを供給するガス流路の一部分が設けられている。つまり、本発明のカバー固定具は、カバーを固定する機能とともに、カバー固定具を介して処理室内にガスを供給する機能を有している。

これにより、本発明の誘導結合プラズマ処理装置では、カバーにねじの軸部が挿通される複数の貫通孔を形成することなくカバーを固定することが可能になり、部品点数の削減及び、カバーの破損とパーティクルの発生を抑制でき、且つカバーを容易に着脱することが可能になる。また、支持部材にガス拡散のための空隙を設けたり、カバーに多数のガス孔を形成したりすることも必須ではなくなる。さらに、支持部材の無い部位からもガス供給を行うことが可能であり、処理室へガスを導入する部位の自由度が高まり、処理室内で均一な誘導結合プラズマを形成しやすい、という効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る誘導結合プラズマ処理装置を示す断面図である。 図１における誘電体壁およびサスペンダを示す斜視図である。 図１における誘電体壁および高周波アンテナを示す斜視図である。 図１における誘電体カバーおよび誘電体カバー固定具を示す底面図である。 図４における５−５線で示される位置の断面を示す断面図である。 プラズマ遮蔽部材を配備した誘電体カバー固定具の断面図である。 複数のプラズマ遮蔽部材を配備した誘電体カバー固定具の断面図である。 第２の実施の形態に係る誘導結合プラズマ処理装置を示す断面図である。 図８における誘電体カバーおよび誘電体カバー固定具を示す底面図である。 第３の実施の形態に係る誘導結合プラズマ処理装置における誘電体カバーおよび誘電体カバー固定具を示す底面図である。 図１０における１１−１１線で示される位置の断面を示す断面図である。 交換用誘電体カバー固定具の断面図である。 誘電体カバー固定具と交換用誘電体カバー固定具を配備した誘電体カバーを示す底面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１ないし図４を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る誘導結合プラズマ処理装置の構成について説明する。図１は、誘導結合プラズマ処理装置を示す断面図である。図２は、図１における「窓部材」としての誘電体壁および「支持部材」としてのサスペンダを示す斜視図である。図３は、図１における誘電体壁および高周波アンテナを示す斜視図である。図４は、図１における「カバー」としての誘電体カバーおよび「カバー固定具」としての誘電体カバー固定具を示す底面図である。

図１に示した誘導結合プラズマ処理装置１は、例えばＦＰＤ用のガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｓに対してプラズマ処理を行うものである。ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。

誘導結合プラズマ処理装置１は、本体容器２と、この本体容器２内に配置されて、本体容器２内の空間を上下の２つの空間に区画する「窓部材」としての誘電体壁６とによって構成されたアンテナ室４と処理室５とを備えている。アンテナ室４は本体容器２内における誘電体壁６の上側の空間を画定し、処理室５は本体容器２内における誘電体壁６の下側の空間を画定する。従って、誘電体壁６は、アンテナ室４の底部を構成すると共に、処理室５の天井部分を構成する。処理室５は、気密に保持され、そこで基板に対してプラズマ処理が行われる。

本体容器２は、上壁部２ａと底部２ｂと４つの側部２ｃとを有する角筒形状の容器である。なお、本体容器２は、円筒形状の容器であってもよい。本体容器２の材料としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の導電性材料が用いられる。本体容器２の材料としてアルミニウムを用いた場合には、本体容器２の内壁面から汚染物が発生しないように、本体容器２の内壁面にはアルマイト処理が施される。また、本体容器２は接地されている。

誘電体壁６は、略正方形形状の上面および底面と、４つの側面とを有する略直方体形状をなしている。誘電体壁６は、誘電体材料によって形成されている。誘電体壁６の材料としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３等のセラミックスや、石英が用いられる。一例として、誘電体壁６は、４つの部分に分割されている。すなわち、誘電体壁６は、第１の部分壁６Ａ、第２の部分壁６Ｂ、第３の部分壁６Ｃおよび第４の部分壁６Ｄを有している。なお、誘電体壁６は、４つの部分に分割されていなくてもよい。

誘導結合プラズマ処理装置１は、更に、誘電体壁６を支持する支持部材として、支持棚７と支持梁１６とを備えている。支持棚７は、本体容器２の側壁２ｃに取り付けられている。支持梁１６は、図２に示したように、十字形状をなしている。誘電体壁６の４つの部分壁６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄは、支持棚７と支持梁１６とによって支持されている。なお、支持棚７と支持梁１６を一体に形成しても良い。

誘導結合プラズマ処理装置１は、更に、それぞれ本体容器２の上壁部２ａに接続された上端部を有する円筒形状のサスペンダ８Ａおよび円柱形状のサスペンダ８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ，８Ｅを備えている。支持梁１６は、その上面の中央部分（十字の交差部分）においてサスペンダ８Ａの下端部に接続されている。本実施の形態において、サスペンダ８Ａ〜８Ｅ及び支持梁１６は、いずれも支持部材であって、サスペンダ８Ａは「第１の部材」、支持梁１６は「第２の部材」を構成している。また、支持梁１６は、その上面における中央部分と十字の４つの先端部分との中間の４箇所においてサスペンダ８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ、８Ｅの下端部に接続されている。このようにして、支持梁１６は、５つのサスペンダ８Ａ〜８Ｅによって本体容器２の上壁部２ａより吊り下げられて、本体容器２の内部における上下方向の略中央の位置において、水平状態を維持するように配置されている。サスペンダ８Ａの内部には、「第１のガス導入路」の一部を構成するガス導入路２１ａが形成されている。

支持梁１６の材料としては、例えばアルミニウム等の金属材料を用いることが好ましい。支持梁１６の材料としてアルミニウムを用いた場合には、表面から汚染物が発生しないように、支持梁１６の内外の表面にはアルマイト処理が施される。支持梁１６に内部には、「第１のガス導入路」の一部を構成するガス導入路２１ｂが形成されている。

誘導結合プラズマ処理装置１は、更に、アンテナ室４の内部、すなわち処理室５の外部であって誘電体壁６の上方に配置された高周波アンテナ（以下、単に「アンテナ」と記す。）１３を備えている。アンテナ１３は、図３に示したように、略正方形の平面角形渦巻き形状をなしている。アンテナ１３は、誘電体壁６の上面の上に配置されている。本体容器２の外部には、整合器１４と、高周波電源１５とが設置されている。アンテナ１３の一端は、整合器１４を介して高周波電源１５に接続されている。アンテナ１３の他端は、本体容器２の内壁に接続され、本体容器２を介して接地されている。

誘導結合プラズマ処理装置１は、更に、誘電体壁６の下面を覆う「カバー」としての誘電体カバー１２を備えている。誘電体カバー１２は、略正方形形状の上面および底面と、４つの側面とを有する板状をなしている。誘電体カバー１２は、誘電体材料によって形成されている。誘電体カバー１２の材料としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３等のセラミックスや、石英が用いられる。

一例として、誘電体カバー１２は、誘電体壁６と同様に４つの部分に分割されている。すなわち、図４に示したように、誘電体カバー１２は、第１の部分カバー１２Ａ、第２の部分カバー１２Ｂ、第３の部分カバー１２Ｃおよび第４の部分カバー１２Ｄを有している。第１ないし第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄは、それぞれ、誘電体壁６の第１ないし第４の部分壁６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄの下面を覆っている。なお、誘電体カバー１２は、４つの部分に分割されていなくてもよく、あるいは５つ以上の部分に分割されていても良い。

図４に示したように、誘導結合プラズマ処理装置１は、誘電体カバー１２を固定する本実施の形態に係る「カバー固定具」としての誘電体カバー固定具１８を備えている。誘導結合プラズマ処理装置１は、誘電体カバー固定具１８以外に、さらに、誘電体カバー固定具１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄを備えている。誘電体カバー１２は、誘電体カバー固定具１８，１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄによって固定されている。なお、誘電体カバー１２の周辺部の固定は、１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄによる４箇所には限らない。

基板Ｓに対してプラズマ処理が行われる際には、アンテナ１３に、高周波電源１５から誘導電界形成用の高周波電力（例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力）が供給される。これにより、アンテナ１３によって、処理室５内に誘導電界が形成される。この誘導電界は、後述する処理ガスをプラズマに転化させる。

本体容器２の外部には、更に、ガス供給装置２０が設置されている。ガス供給装置２０は、上記ガス流路を介してプラズマ処理に用いられる処理ガスを処理室５内へ供給する。ガス供給装置２０は、「ガス配管」としてのガス供給管２１を介してサスペンダ８Ａの中空部に形成されたガス導入路２１ａに接続されている。このガス導入路２１ａは、支持梁１６に形成されたガス導入路２１ｂに接続されている。本実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置１における「ガス流路」は、ガス配管としてのガス供給管２１、「第１のガス導入路」としてのガス導入路２１ａ及びガス導入路２１ｂ、並びに「第２のガス導入路」としてのガス導入路１０１（後述）により構成されている。プラズマ処理が行われる際には、処理ガスは、ガス供給管２１、サスペンダ８Ａ内に形成されたガス導入路２１ａ、支持梁１６内に形成されたガス導入路２１ｂ、誘電体カバー固定具１８のガス導入路１０１を介して、処理室５内に供給される。処理ガスとしては、例えばＳＦ_６ガスやＣｌ_２ガスなどが用いられる。なお、ガス流路には、図示しないバルブや流量制御装置が設けられていてもよいが、ここでは説明を省略する。

誘導結合プラズマ処理装置１は、更に、サセプタ２２と、絶縁体枠２４と、支柱２５と、ベローズ２６と、ゲートバルブ２７とを備えている。支柱２５は、本体容器２の下方に設置された図示しない昇降装置に接続され、本体容器２の底部に形成された開口部を通して、処理室５内に突出している。また、支柱２５は、中空部を有している。絶縁体枠２４は、支柱２５の上に設置されている。この絶縁体枠２４は、上部が開口した箱状をなしている。絶縁体枠２４の底部には、支柱２５の中空部に続く開口部が形成されている。ベローズ２６は、支柱２５を包囲し、絶縁体枠２４および本体容器２の底部内壁に気密に接続されている。これにより、処理室５の気密性が維持される。

サセプタ２２は、絶縁体枠２４内に収容されている。サセプタ２２は、基板Ｓを載置するための載置面２２Ａを有している。載置面２２Ａは、誘電体カバー１２に対向している。サセプタ２２の材料としては、例えば、アルミニウム等の導電性材料が用いられる。サセプタ２２の材料としてアルミニウムを用いた場合には、表面から汚染物が発生しないように、サセプタ２２の表面にアルマイト処理が施される。

本体容器２の外部には、更に、整合器２８と、高周波電源２９とが設置されている。サセプタ２２は、絶縁体枠２４の開口部および支柱２５の中空部に挿通された通電棒を介して整合器２８に接続され、更に、この整合器２８を介して高周波電源２９に接続されている。基板Ｓに対してプラズマ処理が行われる際には、サセプタ２２には、高周波電源２９からバイアス用の高周波電力（例えば、３.２ＭＨｚの高周波電力）が供給される。この高周波電力は、プラズマ中のイオンを、サセプタ２２上に載置された基板Ｓに効果的に引き込むために使用されるものである。

ゲートバルブ２７は、本体容器２の側壁に設けられている。ゲートバルブ２７は、開閉機能を有し、閉状態で処理室５の気密性を維持すると共に、開状態で処理室５と外部との間で基板Ｓの移送を可能する。

本体容器２の外部には、更に、真空装置３０が設置されている。真空装置３０は、本体容器２の底部に接続された排気管を介して、処理室５に接続されている。基板Ｓに対してプラズマ処理が行われる際には、真空装置３０は、処理室５内の空気を排気し、処理室５内を真空雰囲気に維持する。

次に、図４ないし図７を参照して、本実施の形態に係る誘電体カバー固定具について詳しく説明する。図４には、誘電体カバー１２および誘電体カバー固定具１８，１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄが示されている。図５は、図４における５−５線で示される位置の断面を示す断面図である。

前述のように、誘電体カバー１２は、第１ないし第４の部分カバー１２Ａ〜１２Ｄを有している。図４において、第１の部分カバー１２Ａは誘電体カバー１２全体の配置領域のうちの左上の領域に配置され、第２の部分カバー１２Ｂは誘電体カバー１２全体の配置領域のうちの右上の領域に配置され、第３の部分カバー１２Ｃは誘電体カバー１２全体の配置領域のうちの左下の領域に配置され、第４の部分カバー１２Ｄは誘電体カバー１２全体の配置領域のうちの右下の領域に配置されている。

誘電体カバー１２の中央部において、第１ないし第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄには、それらを合わせたときに円形の開口部となる弧状の切り欠き部１２１，１２２，１２３，１２４が形成されている。

誘電体カバー固定具１８，１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄは、いずれも、支持部と、基部とを備えている。支持部は、誘電体カバー１２の一部である被支持部の下側に配置されて、この被支持部を支持する部分である。

処理室５側から見た誘電体カバー固定具１８の形状は、誘電体カバー１２の中央部において切り欠き部１２１，１２２，１２３，１２４によって形成される円形の開口部よりもわずかに大きな円形である。そして、誘電体カバー固定具１８は、誘電体カバー１２の円形の開口部を覆うように配置されている。また、誘電体カバー固定具１８には、複数のガス孔１０１ａが形成されている。図４では、６個のガス孔１０１ａを図示しているが、ガス孔１０１ａの個数は任意である。なお、処理室５側から見た誘電体カバー固定具１８の形状は、円形に限らず、例えば四角形などの多角形状でもよい。

処理室５側から見た誘電体カバー固定具１９Ａ〜１９Ｄの形状は、いずれも長方形である。なお、本発明における「カバー固定具」は誘電体カバー固定具１８であり、誘電体カバー固定具１９Ａ〜１９Ｄについては詳しい説明を省略する。

次に、誘電体カバー固定具１８の構成および作用について詳しく説明する。誘電体カバー固定具１８は、第１〜第４の部分カバー１２Ａ〜１２Ｄの一部を支持する支持部１８ａと、この支持部１８ａに接続される基部１８ｂとを備えている。本実施の形態の誘電体カバー固定具１８において、環状の支持部１８ａは、基部１８ｂの周囲を囲むように一体に形成されている。

一方、図５に示したように、第１の部分カバー１２Ａは、被支持部１２Ａ１を有している。被支持部１２Ａ１は、下面１２Ａ１ａとこの下面１２Ａ１ａに続く側端１２Ａ１ｂとを有している。側端１２Ａ１ｂは、切り欠き部１２１の端縁でもある。図５に示した例では、被支持部１２Ａ１の上面は、支持梁１６の下面に当接しているが、被支持部１２Ａ１の上面は、支持梁１６と第１の部分壁６Ａの少なくとも一方の下面に当接していればよい。同様に、第２の部分カバー１２Ｂは、被支持部１２Ｂ１を有している。被支持部１２Ｂ１は、下面１２Ｂ１ａとこの下面１２Ｂ１ａに続く側端１２Ｂ１ｂとを有している。図５に示した例では、被支持部１２Ｂ１の上面は、支持梁１６と第２の部分壁６Ｂの両方の下面に当接しているが、被支持部１２Ｂ１の上面は、支持梁１６と第２の部分壁６Ｂの少なくとも一方の下面に当接していればよい。第３および第４の部分カバー１２Ｃ，１２Ｄも、それぞれ、上記の被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１と同様の被支持部を有している。誘電体カバー固定具１８の支持部１８ａは、これらの被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１等の下面１２Ａ１ａ，１２Ｂ１ａ等を支持する上面１８ａ１と、下面１８ａ２とを有している。支持部１８ａの下面１８ａ２は、基部１８ｂから離れるに従って支持部１８ａの上面１８ａ１との距離が小さくなるテーパー面になっている。支持部１８ａは、例えば第３の部材を介在させて誘電体カバー１２の被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１等を間接的に支持するようにしてもよい。

処理室５側から見た基部１８ｂの形状は、誘電体カバー１２の円形の開口部の形状よりもわずかに小さい形状である。誘電体カバー固定具１８の基部１８ｂの上部は、円筒状に突出した凸部１８ｂ１を有しており、この凸部１８ｂ１の周囲にはねじ山１８ｂ２が形成されている。基部１８ｂの凸部１８ｂ１は、誘電体カバー１２の円形の開口部内に挿入される。

基部１８ｂにおける凸部１８ｂ１の内部には、ガス導入路２１ｂに接続する「第２のガス導入路」であるガス導入路１０１が形成されている。ガス導入路１０１は、ガス流路の一部分を構成し、ガス導入路２１ｂと処理室５の内部とを連通させる部分である。基部１８ｂは、このガス導入路２１ｂの終端に隣接して支持梁１６に直接的又は間接的に固定されている。また、基部１８ｂには、「ガス絞り部」としてのガス孔１０１ａが複数個所に形成されている。ガス孔１０１ａは基部１８ｂの底壁を貫通して設けられており、ガス導入路１０１の一部分を構成するとともに、ガス流路の終端として、処理室５に臨んで開口している。

誘電体カバー固定具１８の基部１８ｂは、支持部材である支持梁１６との位置関係が変化しないように固定される。支持梁１６は、凹部１６ａを有しており、この凹部１６ａの内周には、ねじ溝１６ｂが形成されている。そして、誘電体カバー固定具１８は、ねじ山１８ｂ２とねじ溝１６ｂとを螺合させて、支持梁１６の凹部１６ａに基部１８ｂの凸部１８ｂ１をねじ込むことにより、支持梁１６に固定される。このように、誘電体カバー固定具１８は、凸部１８ｂ１において、ねじ等の別部品の固定手段を用いずに支持梁１６に固定できることから、部品点数の削減が可能になるとともに、プラズマに露出したねじの頭部からパーティクルが発生するおそれもなくすことができる。なお、図５では、誘電体カバー固定具１８の基部１８ｂのねじ山１８ｂ２を直接支持梁１６のねじ溝１６ｂに螺合する構成としたが、誘電体カバー固定具１８は、例えばねじ等の部品を用いて固定することを妨げるものではないし、さらに基部１８ｂと支持梁１６との間に第３の部材を介在させて固定してもよい。

図６に拡大して示すように、誘電体カバー固定具１８の基部１８ｂに設けられたガス導入路１０１には、プラズマ遮断部材２０１が配備されている。プラズマ遮断部材２０１は、円板状の本体２０１ａに複数の貫通開口２０１ｂを有している。プラズマ遮断部材２０１の材質としては、絶縁材料が望ましい。プラズマ遮断部材２０１は、ガス導入路１０１に着脱自在に嵌め込まれている。例えば、プラズマ遮断部材２０１の外径と基部１８ｂのガス導入路１０１の内径とを略等しく加工して嵌合させてもよいし、プラズマ遮断部材２０１の外周と基部１８ｂのガス導入路１０１の内周に、それぞれ螺合可能なねじ山、ねじ溝を設けて装着してもよい。また、プラズマ遮断部材２０１は、例えば図示しないスペーサーを介在させることによって、ガス孔１０１ａが形成された基部１８ｂの底壁から離間して配置することができる。プラズマ遮断部材２０１と基部１８ｂの底壁との間は、ガス導入路１０１におけるガス拡散空間１０３である。ガス拡散空間１０３は、ガス孔１０１ａからのガスの噴出圧を均一化する作用を有している。

また、プラズマ遮断部材２０１の貫通開口２０１ｂと、基部１８ｂのガス孔１０１ａとは、処理室５内からガス導入路２１ｂ内が見通せないように直線的に重ならない位置関係で配設されている。ガス孔１０１ａと貫通開口２０１ｂとが直線的に重ならない配置とすることによって、処理室５内のプラズマがガス孔１０１ａを介して侵入し、支持梁１６が該プラズマによって損傷したり、腐食したりすることを防止できる。図６では、処理室５内で発生したプラズマを矢印で示しており、該プラズマがガス孔１０１ａからガス導入路１０１に侵入した場合にプラズマ遮断部材２０１によってブロックされ、ガス流路の上流側であるガス導入路２１ｂ（図５参照）への侵入を防ぐ様子を示している。

また、本実施の形態では、プラズマ遮断部材２０１の貫通開口２０１ｂのコンダクタンスに比べて、基部１８ｂのガス孔１０１ａのコンダクタンスが小さくなるように、貫通開口２０１ｂ及びガス孔１０１ａの個数と開口面積を設定している。基部１８ｂのガス孔１０１ａのコンダクタンスをプラズマ遮断部材２０１の貫通開口２０１ｂのコンダクタンスよりも小さくすることによって、ガス孔１０１ａから処理室５へのガスの均一な噴出を促すことができる。

プラズマ遮断部材２０１と誘電体カバー固定具１８とは、それぞれ独立して交換可能である。なお、図５及び図６では１つのプラズマ遮断部材２０１を装着した状態を図示しているが、複数のプラズマ遮断部材２０１を配備することも可能である。図７では、プラズマ遮断部材２０１Ａとプラズマ遮断部材２０１Ｂの二つを上下に配備した状態を例示している。この場合も、プラズマ遮断部材２０１Ａとプラズマ遮断部材２０１Ｂの間、及び、プラズマ遮断部材２０１Ｂと基部１８ｂの底壁との間は、例えば図示しないスペーサーを介在させることによって離間させ、ガス拡散空間１０３が形成されるようにすることが好ましい。また、処理室５内からガス導入路２１ｂ内が見通せないように、プラズマ遮断部材２０１Ａ，２０１Ｂの各貫通開口２０１ｂとガス孔１０１ａとが直線的に重ならないように配置することが好ましい。図７では、処理室５内で発生したプラズマを矢印で示しており、該プラズマがガス孔１０１ａからガス導入路１０１に侵入した場合にプラズマ遮断部材２０１Ａ，２０１Ｂによってブロックされ、ガス流路の上流側であるガス導入路２１ｂへの侵入を防ぐ様子を示している。このように、複数のプラズマ遮断部材を配備することによって、ガス流路の上流側であるガス導入路２１ｂ（図５参照）への侵入をより確実に防ぐことができる。

［第２の実施の形態］
次に、誘電体カバー固定具の配設位置を変えた第２の実施の形態に係る誘導結合プラズマ処理装置について説明する。図１、図４等に示した第１の実施の形態では、誘電体カバー固定具１８は、誘電体壁６の中央で支持梁１６に固定した。しかし、誘電体カバー固定具１８は、誘電体壁６の下方において任意の位置で誘電体カバー１２を支持できる。

図８は、第２の実施の形態に係る誘導結合プラズマ処理装置１ａを示す断面図である。図９は、この誘導結合プラズマ処理装置１ａにおける誘電体カバー１２および誘電体カバー固定具１８を示す底面図である。なお、以下の説明では、第２の実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置１ａについて、第１の実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置１（図１）との相違点を中心に説明し、同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。

第２の実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置１ａでは、十字形状をなす支持梁１６の中央部分だけでなく、該中央部分から四方に向けて延在する支持梁１６の途中にも、それぞれ誘電体カバー固定具１８を配備した。従って、誘導結合プラズマ処理装置１ａには、合計５個の誘電体カバー固定具１８が配備されている。

図８に示すように、第１の変形例の誘導結合プラズマ処理装置１ａでは、支持梁１６の中央部に接続するサスペンダ８Ａに加え、支持梁１６の上面における中央部分と十字の４つの先端部分との中間の４箇所に接続するサスペンダ８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ、８Ｅの内部にも、ガス導入路を設けている。ガス供給管２１は、途中で５本に分岐し（図８では３本のみ図示）、各サスペンダ８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ、８Ｅの内部のガス導入路に接続している。なお、符号１４５は、ガス供給管２１の途中に設けられたガス流量制御のためのバルブである。

中央のサスペンダ８Ａの内部には、ガス導入路２１ａが設けられ、このガス導入路２１ａは支持梁１６の内部のガス導入路２１ｂに接続し、さらにガス導入路２１ｂは誘電体カバー固定具１８のガス導入路１０１に接続している。また、サスペンダ８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ、８Ｅの内部には、それぞれガス供給管２１から分岐したガス導入路が設けられている（図８では、サスペンダ８Ｂ，８Ｃのガス導入路１４１ａ、１４２ａのみを図示し、他は省略する）。これらのガス導入路は、支持梁１６の内部に形成されたガス導入路に接続し（図８では、ガス導入路１４１ｂ、１４２ｂのみを図示し、他は省略する）、さらに各誘電体カバー固定具１８に形成されたガス導入路１０１に接続している。このような構成により、誘電体壁６の中央部だけでなく、その周囲の４箇所においても、４つの誘電体カバー固定具１８によって誘電体カバー１２を確実に固定できるとともに、誘電体カバー固定具１８を介して、処理ガスを処理室５内に導入することが可能になる。従って、５箇所に配備された誘電体カバー固定具１８から、それぞれ独立して処理室５内にガス供給を行うことができる。なお、本実施の形態において、サスペンダ８Ａ〜８Ｅ及び支持梁１６はいずれも支持部材であって、サスペンダ８Ａ〜８Ｅは「第１の部材」、支持梁１６は「第２の部材」を構成している。

本実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置１ａにおける各誘電体カバー固定具１８の構成及び固定方法は、図１の誘導結合プラズマ処理装置１の場合と同様である。

また、本実施の形態では、誘電体カバー１２において各誘電体カバー固定具１８を配備する部位に、それらを合わせたときに円形の開口部となる弧状の切り欠き部を複数設けている。具体的には、図９に示すように、第１ないし第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄには、十字型の支持梁１６の中央部に装着される誘電体カバー固定具１８に対応して、弧状の切り欠き部１２１，１２２，１２３，１２４が形成されている。なお、この点は、第１の実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置１と同様である。本実施の形態では、さらに、中央部から四方に向けて延在する支持梁１６の途中に装着される４つの誘電体カバー固定具１８に対応して、第１の部分カバー１２Ａには切り欠き部１２５，１２６が、第２の部分カバー１２Ｂには切り欠き部１２７，１２８が、第３の部分カバー１２Ｃには切り欠き部１２９，１３０が、第４の部分カバー１２Ｄには切り欠き部１３１，１３２が、それぞれ設けられている。切り欠き部１２５〜１３２は、隣接する部分カバーの切り欠き部と合わせたときに、円形となる形状（半円形）を有している。

このように、本実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置１ａでは、サスペンダ８Ａの位置に加え、サスペンダ８Ｂ〜８Ｅの位置にも誘電体カバー固定具１８を装着することによって、より確実に誘電体カバー１２を固定することができる。また、サスペンダ８Ａの位置に加え、サスペンダ８Ｂ〜８Ｅの位置からも誘電体カバー固定具１８を介して処理室５内にガスを導入できる構成としたので、処理室５内におけるガスの均一な拡散により均一なプラズマを安定して生成させることができる。また、５つの誘電体カバー固定具１８は、バルブ１４５によって独立してガス流量を制御可能であるため、処理室５内でのプラズマの生成状況に応じて各誘電体カバー固定具１８から供給するガス流量を個別に調節することもできる。なお、図８では、単一のガス供給装置２０からガス供給管２１を分岐させてサスペンダ８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ、８Ｅ内のガス導入路へガスを導く構成としたが、複数のガス供給装置２０からサスペンダ８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ、８Ｅに個別にガス供給管を接続する構成でもよい。また、本実施の形態では、サスペンダ８Ａの位置に加え、十字型の支持梁１６の上面における中央部分と十字の４つの先端部分との中間の４箇所に接続するサスペンダ８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ、８Ｅの位置に誘電体カバー固定具１８を配備した形態を示したが、支持梁の形状やサスペンダの位置及び数が異なる構成においても、サスペンダの位置に対応して誘電体カバー固定具１８を配備することができる。

［第３の実施の形態］
次に、図１０及び図１１を参照しながら、本発明の第３の実施の形態に係る誘導結合プラズマ処理装置について説明する。なお、以下の説明では、第３の実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置について、第１及び第２の実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置との相違点を中心に説明し、同じ構成は説明を省略する。

誘電体カバー固定具１８は、支持梁１６や支持棚７などの支持部材のない部位にも装着できる。図１０は、第３の実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置における誘電体カバー１２および誘電体カバー固定具１８を示す底面図である。また、図１１は図１０における１１−１１線の位置の断面を示す断面図である。

図１０に示すように、第３の実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置では、誘電体カバー１２の中央に加え、第１ないし第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄのそれぞれの中央部分にも誘電体カバー固定具１８を配備している。第１ないし第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの各中央部分は、支持部材である支持梁１６が存在しない。そのため、誘電体カバー固定具１８は、図１１に示すように、支持部材としてのサスペンダ１１０に固定されている。なお、図１１では、代表的に、第１の部分カバー１２Ａを固定する誘電体カバー固定具１８を示しているが、第２〜第４の部分カバー１２Ｂ〜１２Ｄを固定する誘電体カバー固定具１８についても同様である。

サスペンダ１１０は、誘電体壁６を支持する支持部材であり、「第１の部材」を構成している。サスペンダ１１０は、サスペンダ８Ａ〜８Ｅ、支持梁１６や支持棚７などの他の支持部材とは独立して配設されている。サスペンダ１１０の内部には、ガス供給管２１に接続したガス導入路１５１が形成されている。また、サスペンダ１１０の下端は拡径した円筒形の拡張部分１１０ａを有している。この拡張部分１１０ａは、第１の部分壁６Ａと係合して、これを支持する部分である。

また、拡張部分１１０ａの下端には、凹部１１０ｂが形成されており、該凹部１１０ｂの内周には、ねじ溝１１０ｃが形成されている。このねじ溝１１０ｃに、誘電体カバー固定具１８の凸部１８ｂ１のねじ山１８ｂ２を螺合させることにより、誘電体カバー固定具１８をサスペンダ１１０に固定することができる。

サスペンダ１１０は、本体容器２の上壁部２ａに機械的遊びを有して支持されている。より具体的には、サスペンダ１１０の上部には、押え板１１１が設けられており、サスペンダ１１０は該押え板１１１と上壁部２ａとの間に緩衝部材１１２を介して連結されている。緩衝部材１１２は、例えばフッ素ゴム、シリコーンゴムなどの弾性材料や、スパイラルスプリングガスケットなどの弾性変形可能な部材によって構成されている。緩衝部材１１２を介在させることにより、サスペンダ１１０は本体容器２の上壁部２ａに対してわずかに変位可能な連結状態となり、本体容器２の上壁部２ａに若干の機械的遊びを有した状態で支持されている。これにより、熱などによって誘電体壁６が膨張や変形した場合でも、誘電体壁６や誘電体カバー１２に不必要な応力を加えずに済み、誘電体壁６や誘電体カバー１２の破損が防止される。

誘電体カバー固定具１８の構成は上記第１及び第２の実施の形態と同様である。すなわち、誘電体カバー固定具１８は、第１の部分カバー１２Ａの一部を支持する支持部１８ａと、基部１８ｂとを備えている。基部１８ｂにおける凸部１８ｂ１の内部には、ガス導入路１５１に接続するガス導入路１０１が形成されている。ガス導入路１５１は「第１のガス導入路」を構成し、ガス導入路１０１は「第２のガス導入路」を構成している。ガス導入路１０１は、ガス流路の一部分を構成し、ガス導入路１５１と処理室５の内部とを連通させる部分である。また、基部１８ｂの底壁には、ガス孔１０１ａが複数個所に形成されている。ガス孔１０１ａは基部１８ｂの底壁を貫通して設けられており、ガス導入路１０１の一部分を構成するとともに、ガス流路の終端として、処理室５に臨んで開口している。誘電体カバー固定具１８は、その基部１８ｂがガス導入路１５１の終端に隣接するように拡張部分１１０ａに装着されている。なお、誘電体カバー固定具１８は、他の部材を介して間接的にサスペンダ１１０に固定されていてもよい。

図示は省略するが、第２ないし第４の部分カバー１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの中央部分に装着された誘電体カバー固定具１８も上記と同様にサスペンダ１１０に固定されている。

また、本実施の形態では、誘電体カバー１２において各誘電体カバー固定具１８を配備する部位に、切り欠き部を設けている。具体的には、図１０に示したように、第１ないし第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄには、十字型の支持梁１６の中央部に装着される誘電体カバー固定具１８に対応して、弧状の切り欠き部１２１，１２２，１２３，１２４が形成されている。さらに、第１〜第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの中央部には、円形の切り欠き部（つまり、開口部）１３３，１３４，１３５，１３６が、それぞれ設けられている。円形の切り欠き部１３３，１３４，１３５，１３６は、誘電体カバー固定具１８の凸部１８ｂ１が挿入可能な大きさをなしている。

このように、本実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置では、誘電体壁６の中央の位置に加え、第１〜第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの各中央部からも、サスペンダ１１０のガス導入路１５１及び誘電体カバー固定具１８を介して処理室５内にガスを導入できる構成としたので、処理室５内におけるガスの均一な拡散により均一なプラズマを安定して生成させることができる。なお、サスペンダ１１０及び誘電体カバー固定具１８を配設する位置及び数は、第１〜第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの中央部にひとつとは限らす、任意の位置に、任意の数で配設できる。

また、５つの誘電体カバー固定具１８は、第２の実施の形態と同様に、ガス供給装置２０からのガス流量をバルブによって独立して制御可能であるため、処理室５内でのプラズマの生成状況に応じて各誘電体カバー固定具１８から供給するガス流量を個別に調節することもできる。なお、本実施の形態においても、複数のガス供給装置２０からサスペンダ８Ａ、及び４つのサスペンダ１１０に個別にガス供給管を接続する構成でもよい。

以上の第１から第３の各実施の形態において、誘電体カバー固定具１８は、着脱自在に装着されている。そのため、誘電体カバー１２とは別に誘電体カバー固定具１８のみを交換することが可能である。また、誘電体カバー固定具１８のガス孔１０１ａとして、開口径や開口面積（開口率）が異なるものを、数種類準備しておき、必要となるガスの噴出圧に応じて最適な誘電体カバー固定具１８を選択して装着することができる。この場合、誘電体カバー固定具１８の装着部位によって、ガス孔１０１ａ開口径や開口面積（開口率）が異なる誘電体カバー固定具１８を配備することによって、処理室５内へのガスの供給バランスを調整することも可能である。つまり、ガス供給装置２０からのガス流量をガス供給管２１の途中で制御しなくても、各誘電体カバー固定具１８のガス孔１０１ａのコンダクタンスによって個別にガスの噴出圧を調節できる。さらに、誘電体カバー固定具１８とともにプラズマ遮断部材２０１の配設数や貫通開口２０１ｂの個数、開口面積などを変化させることによっても、同様に各誘電体カバー固定具１８のガス孔１０１ａからのガスの噴出圧を調節できる。従って、簡易な構成で、処理室５内へのガス供給のバランスを最適化できる。

また、上記第２の実施の形態及び第３の実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置では、誘電体カバー固定具１８に変えて、ガス孔を有しない誘電体カバー固定具を用いることも可能である。例えば図１２は、誘導結合プラズマ処理装置において、誘電体カバー固定具１８に代えて装着可能な誘電体カバー固定具１８０の断面構造を示している。誘電体カバー固定具１８０は、ガス導入路１０１及びガス孔１０１ａを有しない点、並びにプラズマ遮断部材を配備していない点を除き、誘電体カバー固定具１８と同様の構成を有している。すなわち、誘電体カバー固定具１８０は、誘電体カバー１２（第１から第４の部分カバー）の一部を支持する支持部１８０ａと、この支持部１８ａに接続する基部１８０ｂとを備えている。支持部１８０ａは、基部１８０ｂを囲むようにその周囲に環状に一体形成されている。誘電体カバー固定具１８０の基部１８０ｂの上部は、円柱状に突出した凸部１８０ｂ１を有しており、この凸部１８０ｂ１の周囲にはねじ山１８０ｂ２が形成されている。基部１８０ｂにおける凸部１８０ｂ１の内部は、中実になっている。このように誘電体カバー固定具１８０は、誘電体カバー固定具１８における第２のガス導入路に相当する構成（ガス導入路１０１及びガス孔１０１ａ）を有しておらず、第１のガス導入路と処理室の内部のガス流れを遮断する閉塞構造を有している。

図１３は、誘電体カバー固定具１８とともに、ガス孔を有しない誘電体カバー固定具１８０を装着した状態を示す誘電体カバーおよび誘電体カバー固定具の底面図である。図１３に示す例では、第１ないし第４の部分カバー１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの中央部分の４箇所には、いずれも本発明のガス孔１０１ａを有する誘電体カバー固定具１８が装着されている。一方、誘電体壁６の中央部（支持梁１６の中央部分）には、ガス孔を有しない誘電体カバー固定具１８０が装着されている。このように、任意の位置の誘電体カバー固定具１８に代えて、ガス孔を有しない誘電体カバー固定具１８０を装着することによって、処理室５内へ供給されるガスの分布を調節することができる。なお、誘電体カバー固定具１８と誘電体カバー固定具１８０の装着位置は、図１３の配置に限るものではなく、種々の配置が可能である。

以上、いくつかの実施の形態を挙げて説明したように、誘電体カバー固定具１８は、誘電体カバー１２の一部であって下面とこの下面に続く側端とを有する被支持部（例えば図５における１２Ａ１，１２Ｂ１）における下面を支持部材（支持梁１６、サスペンダ１１０）と誘電体壁６のうちの少なくとも一方との間で挟むようにして支持する支持部（例えば図５における符号１８ａ）と、この支持部に接続され、一部が被支持部の側端の側方に配置され、支持部材との位置関係が変化しないように固定される基部（例えば図５における符号１８ｂ）とを備えている。

誘電体カバー固定具１８の支持部と、支持部材と誘電体壁６の少なくとも一方は、これらの間に、対応する誘電体カバー１２の被支持部を挟んで誘電体カバー１２を固定するクランプの機能を果たす。従って、本実施の形態によれば、誘電体カバー１２に、ねじの軸部が挿通される複数の貫通孔を形成することなく、誘電体カバー１２を固定することが可能になる。そのため、誘電体カバー１２に複数の貫通孔を形成した場合において貫通孔近傍部分に過度の応力が加わることによって生じる誘電体カバー１２の破損を防止することができる。

また、複数のねじを用いて誘電体カバー１２を直接支持部材に固定する従来の方法とはことなり、誘電体カバー固定具１８を用いるため、誘電体カバー１２を交換したりクリーニングしたりする際に容易に着脱することが可能になるとともに、ねじに起因するパーティクルが生じることが全くない。

また、誘電体カバー固定具１８の支持部１８ａの下面は、基部１８ｂから離れるに従って支持部１８ａの上面との距離が小さくなるテーパー面になっている。そのため、誘電体カバー固定具１８の支持部１８ａに起因してパーティクルが生じることを抑制することができる。

また、誘電体カバー固定具１８は、支持梁１６がない場所にも簡単に設置することが可能であるため、これを装着することによって誘電体カバー１２をより確実に固定できる。また、誘電体カバー固定具１８を介して処理室５内にガスを供給することもできる。そのため、支持梁１６にガスを拡散させるための加工を施すことは必須ではなく、誘電体カバー１２に微細なガス孔を多数形成する必要もなくなり、加工の手間とコストを大幅に節減できる。また、支持梁１６の無い部位からも誘電体カバー固定具１８を介してガス供給を行うことが可能になるため、処理室５内へガスを導入する部位の自由度が高まり、処理室５内で均一な誘導結合プラズマを形成する上で有効である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明において、カバー固定具を固定する手段は、各実施の形態に示したものに限らない。

１，１ａ…誘導結合プラズマ処理装置、２…本体容器、４…アンテナ室、５…処理室、６…誘電体壁、７…支持棚、１２…誘電体カバー、１２Ａ１，１２Ｂ１…被支持部、１３…アンテナ、１６…支持梁、１８…誘電体カバー固定具、１８ａ…支持部、１８ｂ…基部、２１ａ…ガス導入路、２１ｂ…ガス導入路、１０１…ガス導入路、１０１ａ…ガス孔。

Claims (18)

1. 天井部分を構成する窓部材を有し、プラズマ処理が行われる処理室と、前記処理室へガスを供給するガス供給装置と、前記窓部材の上方に配置され、前記処理室内に誘導電界を形成する高周波アンテナと、前記窓部材を支持する支持部材と、前記窓部材の下面を覆うカバーとを備えた誘導結合プラズマ処理装置に用いられ、前記カバーを固定する誘導結合プラズマ処理装置のカバー固定具であって、
   前記カバーを支持する支持部と、
   前記支持部に接続された基部と、を備えており、
   前記基部に、前記ガス供給装置から前記処理室へガスを供給するガス流路の一部分をなすガス導入路が設けられていることを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置のカバー固定具。
2. 前記ガス導入路は、前記ガス流路の他の部分よりもコンダクタンスの小さいガス絞り部を有していることを特徴とする請求項１に記載のカバー固定具。
3. 前記ガス絞り部は、前記処理室に臨むガス孔であることを特徴とする請求項２に記載のカバー固定具。
4. 前記ガス導入路に、前記処理室内から前記ガス流路の上流側へ向けてプラズマが入り込むことを防止するプラズマ遮断部材が設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のカバー固定具。
5. 前記プラズマ遮断部材は、
   本体と、
   該本体に形成され、ガスを通過させる複数の貫通開口と、
   を備えていることを特徴とする請求項４に記載のカバー固定具。
6. 前記貫通開口と、前記ガス孔とが、直線的に重ならない位置に配設されていることを特徴とする請求項５に記載のカバー固定具。
7. 前記貫通開口のコンダクタンスに対し、前記ガス孔のコンダクタンスが小さいことを特徴とする請求項５又は６に記載のカバー固定具。
8. 一又は複数の前記プラズマ遮断部材が、前記ガス導入路に着脱自在に配備されることを特徴とする請求項４から７のいずれか１項に記載のカバー固定具。
9. 前記プラズマ遮断部材と前記カバー固定具とは、それぞれ独立して交換可能であることを特徴とする請求項８に記載のカバー固定具。
10. 前記ガス導入路にガス拡散空間が形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のカバー固定具。
11. 前記支持部材は、前記誘導結合プラズマ処理装置の本体容器の上壁部に連結された第１の部材を有しており、前記基部が、前記第１の部材に直接又は間接的に固定されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のカバー固定具。
12. 前記第１の部材が、前記誘導結合プラズマ処理装置の本体容器の上壁部に機械的遊びを有して支持されていることを特徴とする請求項１１に記載のカバー固定具。
13. 前記支持部材は、前記誘導結合プラズマ処理装置の本体容器の上壁部に連結された第１の部材と、該第１の部材に連結された第２の部材と、を有しており、前記基部が、前記第２の部材に直接又は間接的に固定されていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載のカバー固定具。
14. 前記支持部は、前記カバーの一部分をなす被支持部を、前記支持部材と前記窓部材のうちの少なくとも一方との間で直接的又は間接的に挟むようにして支持するものであることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載のカバー固定具。
15. 前記支持部は、前記被支持部の下面を支持する上面と、前記基部から離れるに従って前記上面との距離が小さくなる下面と有することを特徴とする請求項１４に記載のカバー固定具。
16. 請求項１から１５のいずれか１項に記載のカバー固定具が１ないし複数個所に装着されたことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
17. 前記カバーは、前記カバー固定具を装着するための切り欠き部を有していることを特徴とする請求項１６に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
18. 前記カバー固定具と交換可能に構成され、前記カバーを支持する支持部と、前記支持部に接続される基部と、を備え、該基部が前記ガス導入路と前記処理室の内部とのガスの流れを遮断する閉塞構造を有する交換用カバー固定具が、前記カバー固定具の少なくとも１つに代えて装着されていることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の誘導結合プラズマ処理装置。

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