JP2011168569A5 - - Google Patents
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Claims (35)
- 下記の式(I)の縮合多環芳香族化合物に、二重結合を有する化合物(II)が前記二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する、付加化合物:
Ar1Ar2Ar3 (I)
(Ar1及びAr3はそれぞれ独立に、2〜5個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ar2は、1個の芳香族環からなる置換又は非置換の芳香族環部分、及び2〜5個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ar1とAr2は、少なくとも2つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成しており、且つ
Ar2とAr3は、少なくとも2つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成している)。 - 前記式(I)の縮合多環芳香族化合物が有機半導体化合物である、請求項1に記載の付加化合物。
- 二重結合を有する前記化合物(II)が求ジエン体として、式(I)の縮合多環芳香族化合物に脱離可能に付加する化合物である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の付加化合物。
- 二重結合を有する前記化合物(II)が、下記の式(II−A1)及び(II−B1)のいずれかの化合物である、請求項4に記載の付加化合物:
Ra及びRbは、互いに結合して環を形成していてもよく、且つ
Rc及びRdは、互いに結合して環を形成していてもよい)。 - 二重結合を有する前記化合物(II)が、下記の式(II−A2)及び(II−B2)のいずれかの化合物である、請求項5に記載の付加化合物:
Re及びRbは、互いに結合して環を形成していてもよく、且つ
Rc及びRdは、互いに結合して環を形成していてもよい)。 - 二重結合を有する前記化合物(II)が、下記の式(II−A3)及び(II−B3)のいずれかの化合物である、請求項6に記載の付加化合物:
Rc及びRdは、互いに結合して環を形成していてもよく、
nは、1〜5の整数であり、且つ
Zは、結合(−)、酸素(−O−)、メチレン性炭素(−C(Rr)2−)、エチレン性炭素(−C(Rr)=)、カルボニル基(−C(=O)−)、窒素(−N(Rr)−)、及び硫黄(−S−)からなる群より選択され、且つnが2又はそれよりも大きいときにはそれぞれ異なっていてもよい(Rrはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数2〜10のアルケニル基、炭素原子数2〜10のアルキニル基、炭素原子数1〜10のアルコキシ基、炭素原子数4〜10の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数1〜10のエステル基、炭素原子数1〜10のエーテル基、炭素原子数1〜10のケトン基、炭素原子数1〜10のアミノ基、炭素原子数1〜10のアミド基、炭素原子数1〜10のイミド基、及び炭素原子数1〜10のスルフィド基からなる群より選択される))。 - 二重結合を有する前記化合物(II)が、共役ジエン体として、式(I)の縮合多環芳香族化合物に脱離可能に付加する化合物である、請求項1に記載の付加化合物。
- 二重結合を有する前記化合物(II)が、環状部分を有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の付加化合物。
- 二重結合を有する前記化合物(II)が、下記の式(II−1)〜(II−12)のいずれかを有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の付加化合物:
- Ar1及びAr3がそれぞれ独立に、置換又は非置換の2〜4個のベンゼン環が縮合している縮合ベンゼン環部分から選択される、請求項1及び4〜11のいずれか一項に記載の付加化合物。
- 減圧及び/又は加熱によって、前記式(I)の縮合多環芳香族化合物から、二重結合を有する前記化合物(II)を脱離させることができる、請求項1〜13のいずれか一項に記載の付加化合物。
- 下記の式(III−1)を有する化合物又はその立体異性体である、請求項1に記載の付加化合物:
R及びRrはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数2〜10のアルケニル基、炭素原子数2〜10のアルキニル基、炭素原子数1〜10のアルコキシ基、炭素原子数4〜10の芳香族基、炭素原子数1〜10のエステル基、炭素原子数1〜10のエーテル基、炭素原子数1〜10のケトン基、炭素原子数1〜10のアミノ基、炭素原子数1〜10のアミド基、炭素原子数1〜10のイミド基、及び炭素原子数1〜10のスルフィド基からなる群より選択され、且つ
縮合ベンゼン環部分は、置換又は非置換である)。 - 下記の式(III−6)を有する化合物又はその立体異性体である、請求項1に記載の付加化合物:
Rはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数2〜10のアルケニル基、炭素原子数2〜10のアルキニル基、炭素原子数1〜10のアルコキシ基、炭素原子数4〜10の芳香族基、炭素原子数1〜10のエステル基、炭素原子数1〜10のエーテル基、炭素原子数1〜10のケトン基、炭素原子数1〜10のアミノ基、炭素原子数1〜10のアミド基、炭素原子数1〜10のイミド基、及び炭素原子数1〜10のスルフィド基からなる群より選択され、且つ
縮合ベンゼン環部分は、置換又は非置換である)。 - Exo付加体である、請求項16に記載の付加化合物。
- 前記芳香族環部分又は縮合芳香族環部分の置換が、それぞれ独立に、ハロゲン、炭素原子数1〜20のアルキル基、炭素原子数2〜20のアルケニル基、炭素原子数2〜20のアルキニル基、炭素原子数4〜20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2〜10のエステル基、炭素原子数1〜20のエーテル基、炭素原子数1〜20のケトン基、炭素原子数1〜20のアミノ基、炭素原子数1〜20のアミド基、炭素原子数1〜20のイミド基、及び炭素原子数1〜20のスルフィド基からなる群より選択される置換基によってなされている、請求項1〜17のいずれか一項に記載の付加化合物。
- 請求項1〜18のいずれか一項に記載の付加化合物が溶媒に溶解されてなる、付加化合物含有溶液。
- 請求項1〜18のいずれかに記載の付加化合物及び少なくとも1つのその立体異性体が溶媒に溶解されてなり、且つ前記付加化合物及びその立体異性体の合計に対する熱脱離温度が最も低い立体異性体の割合{前記付加化合物及びその立体異性体のうちの熱脱離温度が最も低い立体異性体/前記付加化合物及びその立体異性}が、50mol%超である、請求項19に記載の溶液。
- 請求項1〜18のいずれかに記載の付加化合物のExo体及びEndo体が溶媒に含有されてなり、且つ前記付加化合物のExo体とEndo体との合計に対する熱脱離温度が低い方の立体異性体の割合{Exo体及びEndo体のうちの熱脱離温度が低い方の立体異性体/(Exo体+Endo体)}が、50mol%超である、請求項20に記載の溶液。
- 請求項16に記載の付加化合物のExo体及びEndo体が溶媒に含有されてなり、且つ前記付加化合物のExo体とEndo体との合計に対するExo体の割合{Exo体/(Exo体+Endo体)}が、50mol%超である、請求項19に記載の溶液。
- 請求項19〜22のいずれか一項に記載の前記付加化合物含有溶液を、基材に塗布して、膜を作製するステップ、そして
前記膜に減圧及び/又は加熱を行って、前記付加化合物から二重結合を有する前記化合物(II)を脱離及び除去して、前記式(I)の縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体膜を得るステップ、
を含む、有機半導体膜の生成方法。 - 二重結合を有する前記化合物(II)の脱離及び除去を、100℃/分を超える加熱速度での加熱によって行う、請求項23に記載の方法。
- 前記加熱を、前記膜を有する前記基材を加熱された物体に直接に接触させること、前記膜を有する前記基材を加熱された領域に導入すること、及び/又は膜側又は基材側に電磁波を放射することによって行う、請求項23又は24に記載の方法。
- 前記有機半導体膜が、長軸径5μm超の前記式(I)の縮合多環芳香族化合物の結晶を有する、請求項24又は25に記載の方法。
- 前記脱離及び除去を大気下で行う、請求項23〜26のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項23〜27のいずれか一項に記載の方法によって有機半導体膜を生成するステップを含む、有機半導体デバイスの製造方法。
- 有機半導体膜を有する有機半導体デバイスであって、前記有機半導体膜が、請求項1〜18のいずれかに記載の付加化合物から二重結合を有する前記化合物(II)が脱離した構造を有する前記式(I)の縮合多環芳香族化合物で作られており、且つ前記有機半導体膜が、請求項1〜18のいずれか一項に記載の付加化合物を含有している、有機半導体デバイス。
- 有機半導体膜を有する有機半導体デバイスであって、前記有機半導体膜が、長軸径5μm超の下記の式(I)の縮合多環芳香族化合物の結晶を有する、有機半導体デバイス:
Ar1Ar2Ar3 (I)
(Ar1及びAr3はそれぞれ独立に、2〜5個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ar2は、1個の芳香族環からなる置換又は非置換の芳香族環部分、及び2〜5個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ar1とAr2は、少なくとも2つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成しており、且つ
Ar2とAr3は、少なくとも2つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成している)。 - 前記有機半導体膜が、溶液法によって得られた膜である、請求項30に記載の有機半導体デバイス。
- ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び前記有機半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜によって前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極とを絶縁し、且つ前記ゲート電極に印加される電圧によって前記ソース電極から前記ドレイン電極へと前記有機半導体を通って流れる電流を制御する薄膜トランジスタである、請求項29〜31のいずれか一項に記載の有機半導体デバイス。
- 前記式(I)の縮合多環芳香族化合物を、二重結合を有する前記化合物(II)と混合するステップを含む、請求項1〜18のいずれか一項に記載の有機化合物の合成方法。
- (a)請求項34に記載の付加化合物2分子を反応させて、下記の式の化合物を得ること:
式Ar1Q=QAr1
(Q=Qは、下記の構造を示す:
(b)前記式Ar1Q=QAr1の得られた化合物をヨウ素と反応させること、
を含む、下記の式(I(a1))の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する化合物(II)が前記二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する付加化合物の製造方法:
Ar1Ar2(a1)Ar1 (I(a1))
(Ar1は、2〜5個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ar2(a1)は、下記の式(a1)の縮合芳香族環部分であり、且つ
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