JP2011159707A - 被加工物の研削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 被加工物を破損させることのない研削方法を提供することである。
【解決手段】 被加工物の研削方法であって、基材上に粘着層が形成された粘着シート上に、表面側を該粘着層に当接させて被加工物を配設する配設ステップと、該粘着シートを冷却して該粘着層を硬化させつつ、該粘着シート上に配設された被加工物の裏面を研削して所定の厚みへと薄化する薄化ステップと、薄化された被加工物を該粘着シートから取り外す取り外しステップと、を具備しことを特徴とする。
【選択図】図5
【解決手段】 被加工物の研削方法であって、基材上に粘着層が形成された粘着シート上に、表面側を該粘着層に当接させて被加工物を配設する配設ステップと、該粘着シートを冷却して該粘着層を硬化させつつ、該粘着シート上に配設された被加工物の裏面を研削して所定の厚みへと薄化する薄化ステップと、薄化された被加工物を該粘着シートから取り外す取り外しステップと、を具備しことを特徴とする。
【選択図】図5
Description
本発明は、被加工物の研削方法に関する。
光デバイスや半導体デバイスの製造プロセスでは、サファイアウエーハやシリコンウエーハ等のウエーハ表面にそれぞれ光デバイスや半導体デバイスを複数形成する。その後、ウエーハの裏面を研削装置で研削して所定の厚みへと薄化した後、切削装置等を用いてウエーハを個々のデバイスに分割することで各種のデバイスを形成している。そして、このようにして製造された光デバイスや半導体デバイスは、携帯電話やパソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
尚、研削に際しては、ウエーハ表面に形成されたデバイスを保護するため、ウエーハ表面に例えば特開2000−223453号公報で開示されたような基材上に粘着層が形成された保護テープ(粘着シート)が貼着される。ウエーハは保護テープを介して研削装置のチャックテーブルで保持され、露出したウエーハ裏面を研削砥石が回転しつつ押圧することで研削加工が施される。
しかし、保護テープの粘着層は比較的軟らかいため、保護テープを研削装置のチャックテーブルで吸引保持しながら被加工物を研削すると、被加工物が保護テープ上で動き、割れてしまうという問題があった。特に被加工物がサファイアやSiC、石英ガラス等、硬質材からなる場合には被加工物が保護テープ上で動き易く、割れてしまう恐れが高かった。
一方、例えばサファイア基板上に光デバイスとなる窒化ガリウム等のエピタキシャル層を形成した光デバイスウエーハでは、ウエーハの最外周部においてエピタキシャル層が形成されず他の領域と比べて高低差がある凹部が形成されてしまうことがある。
また、半導体デバイスのパッドと、リードフレームのリードとを直接接着接合するフリップチップボンディング法が適用される半導体デバイスには、予めパッド上に接着接合のためのバンプと呼ばれる高さが10〜100μm程度の金属突起物(凸部)が複数形成されている。
これら表面に凹凸を有するウエーハの表面に保護テープを貼着してウエーハの裏面を研削すると、研削時に研削砥石がウエーハを押圧することで凹凸に生じる応力によってウエーハが割れてしまうことがある。
そこで、粘着層が十分に厚い保護テープをウエーハ表面に貼着することで粘着層に凹凸を埋め込ませ、凹凸をなくした状態とした後、研削加工を施す手法が考えられる。ところが、粘着層が厚い保護テープでは、より一層被加工物が保護テープ上で動き易く割れてしまう恐れが高い。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物を破損させることのない被加工物の研削方法を提供することである。
本発明によると、被加工物の研削方法であって、基材上に粘着層が形成された粘着シート上に、表面側を該粘着層に当接させて被加工物を配設する配設ステップと、該粘着シートを冷却して該粘着層を硬化させつつ、該粘着シート上に配設された被加工物の裏面を研削して所定の厚みへと薄化する薄化ステップと、薄化された被加工物を該粘着シートから取り外す取り外しステップと、を具備しことを特徴とする被加工物の研削方法が提供される。
好ましくは、研削ステップでは、被加工物に低温の研削水を供給することで粘着シートを冷却して粘着層を硬化させつつ研削を実施する。
本発明によると、研削中に粘着シートが冷却されて粘着層が硬化されるため、被加工物が粘着シート上で動くことがなく、研削中に被加工物が破損することがない。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1(A)を参照すると、本発明の研削方法が適用されるのに適した半導体ウエーハ11の断面図が示されている。半導体ウエーハ11は例えばシリコンから構成され、その表面にはリードフレームのリードと直接接着接合するためのバンプ(金属突起物)13が形成されている。これらのバンプ13の高さは10〜100μm程度である。
図1(B)を参照すると、本発明の研削方法が適用されるのに適した光デバイスウエーハ15の断面図が示されている。光デバイスウエーハ15は、サファイア基板17上に窒化ガリウム(GaN)等のエピタキシャル層19が形成されており、このエピタキシャル層19中にLED、LD等の複数の光デバイスが形成されている。
このような光デバイスウエーハ15では、ウエーハの最外周部においてエピタキシャル層が形成されず、エピタキシャル層19が形成された領域と比べて高低差がある凹部21が形成されてしまうことがある。
次に、図2を参照して本発明の研削方法を実施するのに適した研削装置2について説明する。4は研削装置2のベース(ハウジング)であり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)8が固定されている。
この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット(研削手段)10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。
研削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモータ22と、スピンドルの先端に固定されたホイールマウント24と、ホイールマウント24に装着された先端部に研削砥石26を有する研削ホイール25とを含んでいる。
研削ユニット10は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される研削ユニット送り機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。
ベース4の中間部分にはチャックテーブル50を有するチャックテーブル機構28が配設されており、チャックテーブル機構28は図示しないチャックテーブル移動機構によりY軸方向に移動される。30はチャックテーブル機構28をカバーする蛇腹である。
ベース4の前側部分には、第1のウエーハカセット32と、第2のウエーハカセット34と、ウエーハ搬送用ロボット36と、複数の位置決めピン40を有する位置決め機構38と、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)42と、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)44と、スピンナユニット46が配設されている。
また、ベース4の概略中央部には、チャックテーブル50を洗浄する洗浄水噴射ノズル48が設けられている。この洗浄水噴射ノズル48は、チャックテーブル50が装置手前側のウエーハ搬入・搬出領域に打ち付けられた状態において、チャックテーブル50に向かって洗浄水を噴射する。
52は研削水供給ノズルであり、先端の水噴出口53から低温の研削水を噴出してウエーハ11の表面に貼着された保護テープを冷却し、保護テープ上の粘着層を硬化させる。研削水としては、例えば低温の純水が使用される。
図3を参照すると、本発明研削方法の一実施形態のフローチャートが示されている。図4乃至図6は半導体ウエーハ上に複数のバンプが形成された被加工物について本発明の研削方法を適用した例について示している。
本発明の研削方法では、まず図3のステップS10で紫外線硬化型粘着シート上に被加工物を配設する配設ステップを実施する。即ち、図4(A)に示すように、基材27上に紫外線硬化型粘着層29が形成された粘着シート(保護テープ)23上にウエーハ11のバンプ13が形成された表面側を貼付し、図4(B)に示すようにウエーハ11の表面を粘着シート23で保護する。
粘着層29の厚みはバンプ13の高さよりも厚いのが好ましい。このような厚い粘着層29を採用すると、図4(B)に示すようにウエーハ11の表面側を粘着シート23に貼着したとき、バンプ13が粘着層29中に埋め込まれ、粘着層19でウエーハ11表面の高低差を吸収することができる。
次いで、図3のステップS11で低温の研削水を被加工物へ供給しつつ、被加工物を研削して所定の厚みへと薄化する研削ステップを実施する。この研削ステップを図5を参照して詳細に説明する。
研削ユニット10のスピンドル31の先端にはホイールマウント24が固定されており、このホイールマウント24に下端部に複数の研削砥石26が固定された研削ホイール25が装着されている。
この研削ステップでは、ウエーハ11を吸引保持したチャックテーブル50を矢印A方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール25を矢印B方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構18を作動して研削砥石26をウエーハ11の裏面に接触させる。
そして、研削水供給ノズル52の水噴出口53から例えば5℃程度の低温の研削水55を噴出しながら、研削ホイール25を所定の研削送り速度(例えば0.1〜5.0μm/s)で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11の裏面を研削する。研削水供給ノズル52から低温の研削水が供給されるため、粘着シート23は冷却されて粘着層29は硬化される。
このように厚い粘着層29は低温の研削水により硬化されるため、ウエーハ11が粘着シート3上で動くことが防止され、更に、バンプ13は粘着層29中に埋め込まれているため、研削時の応力によりウエーハ11が割れることがない。
研削水供給ノズル52から供給する研削水の温度は低温であるほうが好ましく、例えば10℃以下の温度が好ましい。この時、研削装置内の結露を防止するために、研削装置を載置する雰囲気も低温にすることが好ましい。更に研削水に不凍液を用いることで0℃以下にすることもできる。本実施形態では、研削水を研削ホイール25の外側に供給しているが、研削ホイール25の内側から低温の研削水を供給してウエーハ11を研削するようにしてもよい。
このような研削ステップ実施後、図3のステップS12で粘着シートに紫外線を照射して粘着層の粘着力を低下させる。即ち、図6(A)に示すように、紫外線ランプ33で粘着シート23に紫外線を照射して、粘着層29の粘着力を低下させる。
このように粘着シート23の粘着力を低下させてから、ステップS13に進んで図6(B)に示すように、粘着シート23上からウエーハ11を取り外す取り外しステップを実施する。
上述した説明では、本発明の研削方法をバンプ付きウエーハに適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、サファイアウエーハ等の硬質ウエーハや通常のシリコンウエーハ等の研削に同様に適用することができる。
図1(B)に示したサファイアウエーハでは、エピタキシャル層形成領域とエピタキシャル層未形成領域との間に段差が形成されているが、本発明の研削方法ではこの段差を粘着シートの粘着層で吸収し、粘着層が低温に冷却されて硬化するため、研削中にサファイアウエーハが粘着シート上で動くことがないため、サファイアウエーハを破損させることなく研削することができる。
尚、硬質のサファイアウエーハ研削時には、チャックテーブル50を矢印A方向に例えば600〜700pmで回転し、研削ホイール25を矢印B方向に例えば700〜800rpmで回転しながら研削を実施するのが好ましい。
エピタキシャル層形成領域と外周のエピタキシャル層未形成領域との間に30〜50μmの段差が形成されたφ4インチのサファイアウエーハの表面に、厚さ100μmの基材上に厚さ210μmの粘着層が形成された粘着シートを貼付した。
粘着シート側をチャックテーブルで吸引保持し、5℃の研削水を供給しながらチャックテーブルを650rpmで回転させ、研削ホイールを750rpmで回転させてサファイアウエーハの研削を実施したところ、サファイアに割れを起こすことなく100μmの厚さまでサファイアウエーハを研削することができた。
2 研削装置
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
13 バンプ
15 光デバイスウエーハ(サファイアウエーハ)
19 エピタキシャル層
23 粘着シート(保護テープ)
26 研削ホイール
27 基材
29 粘着層
33 紫外線ランプ
50 チャックテーブル
52 研削水供給ノズル
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
13 バンプ
15 光デバイスウエーハ(サファイアウエーハ)
19 エピタキシャル層
23 粘着シート(保護テープ)
26 研削ホイール
27 基材
29 粘着層
33 紫外線ランプ
50 チャックテーブル
52 研削水供給ノズル
Claims (3)
- 被加工物の研削方法であって、
基材上に粘着層が形成された粘着シート上に、表面側を該粘着層に当接させて被加工物を配設する配設ステップと、
該粘着シートを冷却して該粘着層を硬化させつつ、該粘着シート上に配設された被加工物の裏面を研削して所定の厚みへと薄化する薄化ステップと、
薄化された被加工物を該粘着シートから取り外す取り外しステップと、
を具備しことを特徴とする被加工物の研削方法。 - 前記研削ステップでは、被加工物に低温の研削水を供給することで該粘着シートを冷却して該粘着層を硬化させる請求項1記載の被加工物の研削方法。
- 被加工物は表面に複数の凹凸を有しており、
前記配設ステップでは、該凹凸の高低差より大きい厚みを有している粘着層を備えた粘着シート上に被加工物を配設する請求項1又は2記載の被加工物の研削方法。
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JP2010018590A JP2011159707A (ja) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | 被加工物の研削方法 |
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JP2018190833A (ja) * | 2017-05-08 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03239345A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2008053297A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Nitto Denko Corp | 半導体ウェハ加工用材料、およびそれを用いた半導体ウェハの加工方法 |
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2010
- 2010-01-29 JP JP2010018590A patent/JP2011159707A/ja active Pending
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