JPH03239345A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03239345A JPH03239345A JP2035472A JP3547290A JPH03239345A JP H03239345 A JPH03239345 A JP H03239345A JP 2035472 A JP2035472 A JP 2035472A JP 3547290 A JP3547290 A JP 3547290A JP H03239345 A JPH03239345 A JP H03239345A
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- wafer
- tape
- cut
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要」
ウェーハの切断方法に関し、
ウェーハのフルカット時においてチップの欠け、割れ、
マイクロクラックか発生しない半導体装置の製造方法を
提供することを目的とし、ウェーハをＵＶテープに貼付
し、前記ウェーハをフルカッｌ〜するダイシング工程を
有する半導体装置の製造方法において、前記ウェーハの
切断前に前記ＬＩＶテープを冷却することにより、前記
ＵＶテープの粘着剤を硬化させてフル力・ソＩ−するよ
うに構成する。
マイクロクラックか発生しない半導体装置の製造方法を
提供することを目的とし、ウェーハをＵＶテープに貼付
し、前記ウェーハをフルカッｌ〜するダイシング工程を
有する半導体装置の製造方法において、前記ウェーハの
切断前に前記ＬＩＶテープを冷却することにより、前記
ＵＶテープの粘着剤を硬化させてフル力・ソＩ−するよ
うに構成する。
［産業上の利用分野１
本発明はウェーハの切断方法に関する。
［従来の技術］
近年、ウェーハプロセスにおけるウェーハの切断方法と
して、フルカットか多用されるようになってきた。
して、フルカットか多用されるようになってきた。
ウェーハの切断は、フレームに張られた粘着テープにウ
ェーハを貼付し、ダイヤモンドカッターの付いたブレー
ドを高速回転でウェーハに接触させることにより行われ
る。ウェーハのフルカットは、粘着テープの粘着剤の部
分まで切り込むものである。切断されたチップは粘着デ
ーブ上に固定され、切断中に飛散しないようにされてい
る。
ェーハを貼付し、ダイヤモンドカッターの付いたブレー
ドを高速回転でウェーハに接触させることにより行われ
る。ウェーハのフルカットは、粘着テープの粘着剤の部
分まで切り込むものである。切断されたチップは粘着デ
ーブ上に固定され、切断中に飛散しないようにされてい
る。
ウェーハを貼付する粘着テープの一つにＵＶテープがあ
る。基材はポリエチレンやポリプロピレンなとである。
る。基材はポリエチレンやポリプロピレンなとである。
ウェーハの切断工程の終了後、このＵＶテープに紫外線
を照射しＵＶテープの粘着剤を化学変化により変化させ
て粘着性を除去し、その後チップをＵＶテープからピッ
クアップする。
を照射しＵＶテープの粘着剤を化学変化により変化させ
て粘着性を除去し、その後チップをＵＶテープからピッ
クアップする。
Ｅ発明が解決しようとする課題Ｊ
しかしながら、ウェーハを切断する場合、切断時の振動
やＵＶテープの粘着剤の粘性により、粘着剤上のチップ
が動いてしまうため、チップの欠け、割れ、マイクロク
ラックが発生してしまうという問題かあった。
やＵＶテープの粘着剤の粘性により、粘着剤上のチップ
が動いてしまうため、チップの欠け、割れ、マイクロク
ラックが発生してしまうという問題かあった。
本発明の目的は、ウェーハのフルカット時においてチッ
プの欠け、割れ、マイクロクラックが発生しない半導体
装置の製造方法を提供することにある。
プの欠け、割れ、マイクロクラックが発生しない半導体
装置の製造方法を提供することにある。
１課題を解決するための手段ｊ
上記目的は、ウェーハをＵＶテープに貼付し、前記ウェ
ーハをフルカットするダイシンク工程を有する半導体装
置の製造方法において、前記ｆ７ ：ｆ。
ーハをフルカットするダイシンク工程を有する半導体装
置の製造方法において、前記ｆ７ ：ｆ。
−ハの切断前に前記ＵＶテープを冷却することにより、
前記ＵＶテープの粘着剤を硬化させてフルカッ１〜する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって遠吠さ
れる。
前記ＵＶテープの粘着剤を硬化させてフルカッ１〜する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって遠吠さ
れる。
［作用］
本発明によれば、ウェーハのフルカッ）−時においてチ
ップの欠け、割れ、マイクロクラックの発生を防止する
ことができる。
ップの欠け、割れ、マイクロクラックの発生を防止する
ことができる。
［実施例］
本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を第１図
及び第２図を用いて説明する。
及び第２図を用いて説明する。
フレーム４に張られたＵ■デーフ゛６．ｉ二にウェーハ
２がＵＶテープ６の粘着剤によって貼１＝ｊされている
。
２がＵＶテープ６の粘着剤によって貼１＝ｊされている
。
フレーム４のＵＶテープ６は、タイシング装置のチャッ
クテーブル８に真空吸着されウェーハ２をタイシング装
置上に固定する。
クテーブル８に真空吸着されウェーハ２をタイシング装
置上に固定する。
ウェーハ２を切断するブレード１０の上部はフランジカ
バー１２により保護されている。
バー１２により保護されている。
フランジカバー１２を介して、ウェーハに冷却水を散水
するノズル１４が、ブレード１０下部の両側面に配置さ
れている。
するノズル１４が、ブレード１０下部の両側面に配置さ
れている。
一７エーハ２の切断は、ウェーハ２のダイジンクライン
に沿って、所定の切り込み量で高速回転するブレード１
０を移動させ行う。フルカッ１〜の場合の切り込み量は
粘着剤の部分に切り込みが入る程度まで行う。
に沿って、所定の切り込み量で高速回転するブレード１
０を移動させ行う。フルカッ１〜の場合の切り込み量は
粘着剤の部分に切り込みが入る程度まで行う。
ノズル１４は、ウェーハ２切断時に発生ずる熱を吸収し
、ウェーハ２の品質を保持するために、通常１５〜１６
°Ｃ程度の温度の純水をウェーハ２上に散布する。
、ウェーハ２の品質を保持するために、通常１５〜１６
°Ｃ程度の温度の純水をウェーハ２上に散布する。
このノズル１４の水の温度を１０°Ｃ程度にすると、ウ
ェーハ２の切断箇所下部のＵＶテープ６の粘着剤も冷却
され、切断時に一時的に硬化する。
ェーハ２の切断箇所下部のＵＶテープ６の粘着剤も冷却
され、切断時に一時的に硬化する。
このため、切断してもチップが動かず、切断箇所以外の
他の部分むよ本来の粘着性を保持しているので剥がれる
ことがない。
他の部分むよ本来の粘着性を保持しているので剥がれる
ことがない。
また、硬化した部分も、ある程度の粘着性を有している
のでヒ１用１Ｊ１シてできたチ・ツブが剥がれることは
ない。
のでヒ１用１Ｊ１シてできたチ・ツブが剥がれることは
ない。
このように、ウェーハの冷却水の温度を一トけることに
より、ＵＶテープの粘着剤を一時的に硬化させ、切断時
に発生ずる粘着剤の振動などによるチップのずれか防止
できる。
より、ＵＶテープの粘着剤を一時的に硬化させ、切断時
に発生ずる粘着剤の振動などによるチップのずれか防止
できる。
以上の通り、本発明によれは、ウェーハのフルカット時
においてチップの欠け、割れ、マイクロクラックの発生
を防止することができ、半導体装置の品質の向上を図る
ことができる。
においてチップの欠け、割れ、マイクロクラックの発生
を防止することができ、半導体装置の品質の向上を図る
ことができる。
第１図は本発明の−・実施例による半導体装置の製造方
法の説明図、 第２図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
の説明図 である。 図において、 ２・・・ウェーハ ４・・・フレーム ６・・・Ｕｖテープ ８・・・チャックテーブル ］Ｏ・・・ブレード １２・・・フランジカバー １４・・・ノズル
法の説明図、 第２図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
の説明図 である。 図において、 ２・・・ウェーハ ４・・・フレーム ６・・・Ｕｖテープ ８・・・チャックテーブル ］Ｏ・・・ブレード １２・・・フランジカバー １４・・・ノズル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハをＵＶテープに貼付し、前記ウェーハをフ
ルカットするダイシング工程を有する半導体装置の製造
方法において、 前記ウェーハの切断前に前記ＵＶテープを冷却すること
により、前記ＵＶテープの粘着剤を硬化させてフルカッ
トすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035472A JPH03239345A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035472A JPH03239345A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03239345A true JPH03239345A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12442719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2035472A Pending JPH03239345A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03239345A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049591A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハに貼着された接着フィルムの破断方法および破断装置 |
| JP2011159707A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の研削方法 |
| JP2012016779A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Disco Corp | リチウムタンタレートの加工方法 |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP2035472A patent/JPH03239345A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049591A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハに貼着された接着フィルムの破断方法および破断装置 |
| JP2011159707A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の研削方法 |
| JP2012016779A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Disco Corp | リチウムタンタレートの加工方法 |
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