JP2011154951A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマ処理において照射領域を絞るマスクを用いないで、微小な領域のプラズマ処理を行うプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】プラズマ生成用細管6から試料11にプラズマ流15を照射し、照射されるプラズマ照射領域内に加熱用レーザ発振器30がレーザ光33を照射する。これにより、レーザ光33により局所的に加熱された被加工物上で反応させることで、限られた領域に薄膜を形成すること、または限られた領域をエッチングすることが可能となる。ガス供給口14からは反応性ガスが供給される。温度測定器31によりレーザ照射領域の温度を測定する。
【選択図】図1
【解決手段】プラズマ生成用細管6から試料11にプラズマ流15を照射し、照射されるプラズマ照射領域内に加熱用レーザ発振器30がレーザ光33を照射する。これにより、レーザ光33により局所的に加熱された被加工物上で反応させることで、限られた領域に薄膜を形成すること、または限られた領域をエッチングすることが可能となる。ガス供給口14からは反応性ガスが供給される。温度測定器31によりレーザ照射領域の温度を測定する。
【選択図】図1
Description
本発明はプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関し、たとえば、生成したプラズマジェットを用いて表示装置の電子回路パターン上に存在する欠陥箇所を修正処理することによって正常化するのに好適な技術に関する。
一般に、電子回路基板上に回路パターンを形成する場合、配線材料であるアルミニウムなどの導電性材料や、絶縁材料である窒化シリコンなどの絶縁膜などを基板全面に形成し、ホトリソグラフィ工程およびエッチング工程を用いて不要な領域を除去して所望の回路配線を形成してきた。しかしながら、これらの方法は多くのプロセス工程を経るため、回路基板上の極めて限られた領域のみに配線あるいは絶縁膜を形成する方法として適切な方法とは言えなかった。
一方、液晶表示装置等のパターン欠陥箇所に配線材料を形成する方法として、特許文献1にレーザCVD法と呼ばれ、回路基板上の所望領域に金属配線の原料となるガスを供給し、そこにレーザ光を照射することによって原料ガスを分解し、金属薄膜を析出する方法が開示されている。また、特許文献2に、局所的なプラズマの照射によって原料ガスを分解し、金属薄膜や絶縁膜を析出する方法が開示されている。
特許文献1に記載されたレーザCVD技術は、原料ガスの分解が照射したレーザ光の光吸収特性に大きく依存するため、形成可能な物質はタングステン(W)などの金属薄膜である場合が多く、シリコン酸化膜(SiO2)などの絶縁薄膜など原料ガスの光吸収が小さいものに対しては形成が困難であるという問題があった。
特許文献2に記載された局所プラズマによる成膜方法は、レーザとは異なりプラズマで直接ガスを分解することから、原料となるガス種の選択幅が広く、光吸収が小さいTEOS(tetraethoxysilane)などの原料ガスを用いてSiO2絶縁膜の形成も可能である。しかし、プラズマの照射領域を配線幅であるμmオーダーに微細化できないという問題があり、その解決手段として、小さな開口部をもつマスクを用いて照射領域を絞る方法が開示されている。前記マスクはプラズマによるダメージで形状寸法が劣化するため消耗品であり、またガス種の残渣が付着するため、ガス種交換の際にマスクを交換するための機構が必要である。そして、この方式では予めマスクの開口を設けておくため、成膜領域制御の自由度が小さいといった課題があった。
本発明の目的は、プラズマ処理において照射領域を絞るマスクを用いないで、微小な領域のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することにある。
本発明のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法は、プラズマ照射装置が被処理物にプラズマを照射し、加熱用光照射装置がプラズマ照射装置により照射されるプラズマ照射領域内に加熱用光を照射するものである。
本発明のプラズマ処理装置は、被処理物に反応性ガスを供給する反応性ガス供給装置と、被処理物の温度を計測する温度計測装置とを備えることができる。また、被処理物の被処理部および被処理部周辺の温度を制御する冷却装置を備えることもできる。加熱用光照射装置としては加熱用レーザ光照射装置が好適である。
上述した本発明のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法によれば、局所的に加熱された被加工物上で反応させることで、限られた領域に薄膜を形成すること、または限られた領域をエッチングすることが可能となる。上述した本発明のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法によれば、プラズマの照射領域よりも小さい箇所を、プラズマの照射領域を絞るマスクを用いずに修正することができる。
以下、本発明の最良の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
まず図1を用いて、本発明の第1の実施例であるプラズマ処理装置の構成を説明する。プラズマ処理装置は大別して、プラズマ生成部1と、ガス供給部2、3と、プラズマ反応部4と、加熱用レーザ発振器30と、温度計測器31と、制御部40と、で構成されている。本実施例のプラズマ処理装置は、局所プラズマによる処理(成膜やエッチング)に好適であり、たとえば、基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置のパターン欠損箇所を修正するために用いることができる。
プラズマ生成部1は、誘電体からなるプラズマ生成用細管6と、この細管6の外周領域に高周波電源7からマッチングネットワーク8を介して高周波電力を供給するための電極9で構成されている。ここでは、細管6には内径φ1mm、外径φ4mmの石英管を用い、高周波電源7(144MHz、200W電源)から所定の高周波電力を細管6に印加するための電極9として対向する2つの銅製の電極9を細管6の外周部に設けられている。なお、細管6に高周波電力を供給する際、高周波電源7からの反射波が最小になるようにマッチングネットワーク8を調整する。
ガス供給部は、第1のガス供給部2と第2のガス供給部3からなる。第1のガス供給部2の配管16は、マスフローコントローラー12aを介して、細管6の一方の端部に接続され、細管6の内部に第1のガスが供給される。ここで、第1のガスはAr、He等に代表される不活性ガスであって、高周波電源7から所定の高周波電力が印加された後、点火装置(図示せず)を用いてプラズマの着火が行なわれることによりプラズマ流15の形成に用いられるプラズマガスには、微量の酸素などを混入し、材料ガスの反応を促進させることも可能である。第2のガス供給部3の配管13は、マスフローコントローラー12bを介して供給口14に接続されている。供給口14は、細管6の延長線上であって試料11の表面と交差する領域に接近させてプラズマ反応部4の内部に挿入されている。ここで、第2のガスは、いわゆる反応性ガスであって、(CH3)3Al(トリメチルアルミニウム)やSiH2Cl2(ジクロロシラン)、TEOS等の原料である。原料が常温で液体の場合は、第1のガスである不活性ガスをバブリング用マスフローコントローラー17から第2ガスの供給部3に導入して第2のガスをバブリングする。バブリングされた第2のガスは、配管13を通って供給口14噴出される。また、第2のガスとしてCl(塩素)やCF4(フッ化炭素)等に代表されるエッチング用ガスを用いることでエッチング除去が可能である。
プラズマ反応部4はその一端に開放部5が設けられ、この開放部5の対面側からプラズマ反応部4の内部に前記細管6の一方の端部が挿入されている。この端部から細管6の内部で生成した第1のガスによるプラズマ流が上記の開放部5に向かって放出される。細管6の延長線上には、基板ステージ10上に搭載された試料11が配置されており、この領域に前記第2のガスである原料ガスが供給される。この原料ガスは、プラズマ反応部4に接続された圧力制御部20を介して排気される。また、ガスの一部が開放部5から散逸されることを防止するためにプラズマ反応部4内の圧力は大気圧より低くなるように圧力制御部20で調整される。
加熱用レーザ発振器30は、細管6の軸とは異なる軸方向から照射される。たとえば、細管6の軸に対して、45度の角度に配置することができる。加熱用レーザ発振器30から出射したレーザ光33は集光光学系32により試料11の所定の領域に照射される。集光光学系32は、レーザ照射領域を制御するためのマスク、マスクを投影するための結像レンズと対物レンズから構成されている(図示なし)。マスクは、矩形、円形などの複数の種類を備え修正箇所の形状と大きさに合わせて選択してもよい。また、レーザ照射領域の大きさは、光学的レンズで修正箇所の大きさに合わせて倍率の調整をしてもよい。レーザ照射領域の大きさは、プラズマ照射領域内すなわちプラズマ照射領域よりも小さければよい(詳細は実施例2において図9を用いて説明する)。加熱用レーザ発振器30を、試料11のレーザ光33の吸収特性によって選択する。たとえば、試料11がガラスの場合には炭酸ガスレーザ(波長10.6μm)を用いるとよい。レーザ光33は、波長1μm以上の赤外光かつパルス幅が10m秒以下が好適である。加熱用レーザ発振器30から照射されるレーザの物理量(光子量、パルス幅、波長)により、被加工部の温度を制御する。
温度計測器31は、非接触式の赤外線温度計測器であって、試料11のレーザ照射領域21の温度を計測できるように配置されている。温度計測器31は、試料から放射される赤外線(波長4〜15μm)を検出し、その温度を測定するものであり、計測精度を確保するために試料または基板上のそれぞれの材料に対して放射係数を予め補正してある。
制御部40には、高周波電源7と、マスフローコントローラー12a、マスフローコントローラー12bと、加熱用レーザ発振器30と、温度計測器31とが接続されて、それぞれの動作が制御される。
次に図2、3、4、5を用いて、本発明の第1の実施例であるプラズマ処理装置によって、液晶表示装置の配線の欠損箇所を修正する方法を説明する。
図2において、ガラス基板101上に導電体からなる配線102が形成されている。そして、配線102の上には絶縁膜103が形成され、更にその上に保護膜104が形成されている。ここで、配線102は、配線幅が数μm〜数十μmで、形成工程にて異物の付着を起因とした幅10μm程度の断線部105が生じている場合について、以下これを修正する手順について説明する。ここでは、配線102の断線部105にAl膜を形成し、絶縁膜103および保護膜104に酸化シリコン膜を形成する場合を例として手順を説明するが、ここで使用した原料ガスの種類はこれらに限定されるものではない。
まず図3に示すように、エッチング除去部106を形成する。第1のガスであるArガスをガス供給部2からマスフローコントローラー12aを介して細管6に供給し、高周波電源7から電極9に印加してプラズマ流15を発生させる。第2のガス供給部3からプラズマ反応部4の内部にCF4ガスを供給し、断線部105の上部を覆っている保護膜104及び絶縁膜103を順次エッチングし、エッチング除去部106を形成する。エッチング除去部106の大きさは、プラズマの照射領域に相当し直径数百μmとなる。
次に図4に示すように、配線再形成部107を形成する。第1のガスであるArガスをガス供給部2からマスフローコントローラー12aを介して細管6に供給し、高周波電源7から電極9に所定の高周波電圧を印加してプラズマを発生させる。この場合のプラズマ流15の先端温度を50〜100℃程度にするとよい。加熱用レーザ発振器30は、集光光学系32を介してレーザ光33を断線部105に照射して加熱する。照射領域21の温度を温度計測器31でモニタリングし、約300℃に到達したら、第2のガス供給部3からプラズマ反応部4の内部に(CH3)3Alガス(トリメチルアルミニウムガス)を供給し、配線102の一部が重なるようにして配線再形成部107を形成する。ここで、プラズマで分解されたAlの前駆体は、プラズマの先端温度である50〜100℃では温度が低いため堆積せず、加熱用レーザ発振器30で加熱した所望のレーザ照射領域21においてのみ堆積して膜を形成する。
次に図5に示すように、絶縁膜108を形成する。第1のガスであるArガスをガス供給部2からマスフローコントローラー12aを介して細管6に供給し、高周波電源7から電極9に所定の高周波電圧を印加してプラズマを発生させる。この場合のプラズマ流15の先端温度を200℃〜350℃にする。第2のガス供給部3からプラズマ反応部4の内部にTEOSガス(テトラテオシラン)を供給する。ここで、TEOSガスは常温において液体であるため、第1のガスであるArガスをバブリング用マスフローコントローラー17から導入し、第2のガスをバブリングしながら供給口14からプラズマ反応部4へ供給するとよい。上記した絶縁膜108は酸化シリコン膜であって、大きさはプラズマの照射領域18に相当し直径数百μmとなる。
このようにして液晶表示装置にとって致命的な欠陥である配線の断線部105を本発明の修正装置を用いて修復し、正常な機能を取り戻すことが可能となる。
以上、図2〜図5を用いて液晶表示装置の配線の欠損箇所のみを示して説明したが、以下、図6、7を用いて液晶表示装置の全体の構造を説明する。図6は液晶表示装置の構成を示す断面図である。図7は液晶のTFT画素部の平面図である。
まず図6に示すように一般に、液晶表示装置は一方のガラス基板301a上に形成された複数の画素部が形成されたTFT(Thin Film Transistor)基板311と他方のガラス基板301b上に形成された複数のカラーフィルター308が形成されたカラーフィルター基板312とを対向させて配置し、その間に液晶310を挟み込んだ構造である。TFT基板311は、ガラス基板301aにゲート配線305が形成され、その上にゲート絶縁層303が形成されている。そして、このゲート絶縁層303上であって、ゲート配線305に接続されたゲート電極の位置する領域にアイランド状の半導体層307(アモルファスシリコン膜)が形成されている。また図7において、この半導体層307の一方の端部に電極を介して接続されたドレイン配線304は、ゲート配線305と交差する方向に形成されている。半導体層307の他方の端部にはソース電極306が形成され、ソース電極306と透明導電膜からなる画素電極309とが接続されている。一対の隣接するゲート配線305と一対の隣接するドレイン配線304で囲まれた領域によって一画素の領域を構成している。
このように構成される画素部では、ゲート配線305からの信号によって薄膜トランジスタTFTがオンされ、このオンされた薄膜トランジスタTFTを通してドレイン配線304からの信号が画素電極309に供給されることになる。画素電極309は、カラーフィルター基板312側に形成された透明導電膜からなる対向電極313との間に電界を発生させ、液晶の分子310を駆動する。
液晶表示装置は、複数の成膜工程やエッチング工程を経て製造される。その過程で混入した異物やホトマスクなどの異常が配線間の短絡や配線の断線や膜の欠損や形状異常などが生じ、液晶表示装置の品質や、製造歩留りの低下を引き起こす。従って、液晶表示装置では、上記のような欠陥部を修正するための、極めて限られた領域のみを成膜またはエッチングすることが極めて重要であると考えられる。
本発明では、局所領域に成膜またはエッチングすることを可能とし、歩留り向上による製品コスト削減に寄与する。
以上、本実施例のプラズマ処理装置を詳細に説明したが、本実施例のプラズマ処理装置は、基本的には、被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、被処理物にプラズマを照射するプラズマ照射装置と、プラズマ照射装置により照射されるプラズマ照射領域内に加熱用光を照射する加熱用光照射装置と、を備えていればよい。
また、本実施例のプラズマ処理装置は、被処理物に反応性ガスを供給する反応性ガス供給装置と、被処理物の温度を計測する温度計測装置とを備えることができる。
本実施例のように加熱用光照射装置は加熱用レーザ光照射装置で加熱用光は加熱用レーザ光であることが好適であるが、実施例2において例示するようなランプを加熱用光照射装置として用いてもよい。
まず図8を用いて修正プロセスのフローを説明する。但し、第1の実施例で示した構成要素と共通する要素には同一の符号を付し、その説明を簡略化する。
まず、プラズマ反応部4の内部の圧力を圧力制御部20で制御しながら排気を開始する(201)。次に、プラズマ生成用の第1のガスを供給して、プラズマの着火を実施する(202)。次に、レーザ光33を試料11に照射して所定の温度まで加熱を実施する(203)。レーザ光33の照射の開始のタイミングは、温度計測器31を用いて試料11の表面の温度をモニタリングし、制御部40で制御するとよい。次に、第2のガスの供給を実施する(204)。ここで、原料ガスの供給中は、試料11にレーザ光33を出射し続けてレーザ光照射領域21の温度を保つようにする。プラズマで第2のガスは分解され堆積させる。また、第2のガス(原料ガス)を別のガスに切り替える変えることで材料をエッチングや積層することもできる。次に、第2のガス(原料ガス)の供給をとめる(205)。次に、レーザ照射を停止する(206)。次にプラズマをとめて、プラズマ生成用の第1のガスを供給も停止する(207)。次に、プラズマ反応部4の排気を止めて完了とする(208)。
次に図9を用いて、第2の実施例である修正方法について具体的な例にあげ説明する。なお、第2の実施例を実現する手段として図1に示す表示装置の修正装置を用いたが、本実施例における手段として限定されるものではない。
図9において、11は試料、15はプラズマ流、33はレーザ光、18はプラズマ照射領域、21はレーザ照射領域、22はプラズマ照射領域周辺である。
まず、試料11はガラス基板とし、第1のガスはArガスとし、第2のガスはTEOSガスとし、SiO2(酸化シリコン)膜の形成を試みた。高周波電源9の投入電力を50W、第1のガス供給部2から細管6に供給されるArガスの流量を1〜10L/分としてプラズマ流の先端温度を50〜100℃になるように調整した。また、第2のガス供給部3から試料11の表面近傍に供給されるTEOSガスの流量は0.15mL/分とした。ただし、TEOSの供給量はそのバブリングに用いたArガスの流量をマスフローコントローラー13bで制御した値である。細管6と試料11の表面までの距離は、Arプラズマ流15が試料11に接触するように約10mmに調整した。
はじめに、プラズマ生成用ガスであるArガスを第1のガス供給部2から供給し、次に第2のガス供給部3からTEOSガスをArのバブリングにより、細管6先端部付近に供給した。マスフローコントローラー12aの流量計および反応空間4に配置された圧力計の値が安定した後、プラズマ点火装置に10kVの高電圧を印加して、プラズマ流15を生成した。ここで、プラズマ照射領域18は、数mmであった。
次に、試料11を局所的に加熱するためのレーザ発振器30には、炭酸レーザ(波長10.6μm)のパルスレーザを用いた。繰り返しは数十kHzであり、パルス幅は5〜20nsecである。これは、基板上の局所にレーザ光33を照射した際に、過昇温や照射部周辺の温度上昇を抑制するためである。レーザ照射部の温度上昇は、温度計測器31で測定され、この温度測定値を制御部40で管理して、レーザ発振器のパラメータを指示することで、レーザ照射部の温度管理を行う。ここでは、SiO2(酸化シリコン)膜を形成するために成膜部温度を300±20℃で制御した。レーザの制御パラメータとしては、レーザの励起光源であるLED(Light Emitting Diode)の電流値、繰り返し周波数、レーザON/OFFがある。レーザ照射領域21の温度を温度計測器31で実時間計測し、LEDの電流値にフィードバックすることで安定したSiO2成膜を試みた。加熱用レーザ発振器30は、前記プラズマ着火前に成膜領域に照射し、所望の温度に到達させておく。ここでは、集光光学系32に設置された可変スリットと10倍の対物レンズを用いることで、レーザ照射領域21を50μm程度の大きさにした。レーザ照射領域21はプラズマ照射領域18内すなわちプラズマ照射領域18より小さければよい。試料11には、約60μm径の領域に500nm膜厚のSiO2(酸化シリコン)膜が形成されていることが、赤外分光法によって確認された。
試料11の表面上に到達した反応前駆体は、レーザ光33で昇温された部分で、不純物である水素Hや炭素Cの脱離反応が促進され、SiO2薄膜が形成される。しかし、プラズマで分解された前駆体は、レーザ照射領域21以外のプラズマ照射領域18およびその周辺にも堆積する可能性がある。そこで、当該領域に堆積した膜に対し、ピール試験による剥離評価と赤外分光法で確認したところ、密着力の低いポリマーが形成されていることを確認した。レーザ照射領域21以外のプラズマ照射領域18(50〜100℃以下)およびプラズマ照射領域周辺22(50℃以下)の温度が低く、SiO2薄膜を形成するために十分な温度がない(活性ではない)ためであり、ポリマー膜はブラシ洗浄処理を施すことで、前記ポリマー領域を除去し、レーザ照射領域21のSiO2(酸化シリコン)膜を選択的に残すことができた。
以上をまとめると局所加熱を用いた成膜プロセスでは、プラズマで分解された原料ガスの前駆体が、レーザ照射領域21の高温度領域に、堆積し、再結合して膜を形成する。その膜形成過程における、加熱による利点を以下に述べる。
(1)堆積前に試料11の表面を加熱することは、表面に存在する不純物である水素や炭素の脱離反応を促し、基板表面を清浄化することができる。このため試料11の表面には、本来の分子が活性化した状態で存在し、それらがプラズマで分解された前駆体と結合することができる。その結果、膜界面の密着力を高めることができる。
(2)プラズマで分解された前駆体は、試料11の表面上でマイグレーションし、他の前駆体とぶつかり結合する。このプロセスでは、試料11表面の温度が高いほど前駆体の動きが活発になり、衝突する確率が増加する。また、前駆体が表面エネルギーの高いところに密集する傾向がある。その結果、膜の密度を高めることができる。
(3)前駆体が試料11表面を覆った後も、加熱した領域は、既に堆積した膜のエネルギーが高いため、(2)と同様の作用が得られ、膜厚方向の気相成長が促進される。その結果、成膜速度を高めることができる。
よって、試料11の加熱された領域のみに密着性の良好でかつ緻密な膜を形成することが期待できる。また、レーザ照射領域21以外の十分な温度がない領域では、密着性の低いポリマー膜が形成される。
本実施例によれば、第2のガスの供給(204)を、プラズマを着火(202)し、レーザ光33を照射して加熱(203)をした後で行うことで、試料11の加熱された領域のみ密着性の良好でかつ緻密な膜を形成することが期待でき、修正成功率が向上する。また、エッチングを行う場合も、第2のガス供給前に試料11を加熱された領域のみエッチングの反応速度を速くすることができる。一般的に、温度を数十℃上げることで反応速度を数倍に向上させることができる。よって、エッチング時間を短くでき、タクトを短縮することができるため、修正コストを削減できる。また、本実施例によれば、加熱領域を小さくすることができ、正常部をあやまって破損してしまうおそれがない。そのため、修正成功率が高く、製品の歩留り向上に貢献できる。
ここで、本実施例の加熱手段には、レーザ光33を用いた。レーザ光は数nmに集光するもこともでき、局所領域に短い時間でエネルギーを与えて加温することができる。そのため、本実施例では好適な手段として用いたがそれに限定されるものではなく、赤外ランプや紫外ランプや可視光のランプで加熱してもよい。もちろん、他の実施例においても赤外ランプや紫外ランプや可視光のランプで加熱してもよい。
次に図10を用いて、本発明の第3の実施例を説明する。但し、第1の実施例で示した構成要素と共通する要素には同一の符号を付し、その説明を簡略化する。
第3の実施例が第1の実施例と異なる点は、加熱用レーザ発振器30のレーザ光33が、プラズマ流15と同軸で試料11に対して垂直に入射する点である。図10は、本実施例の表示装置の修正装置の構成を示している。加熱用レーザ発振器30は、細管6の内部をレーザ光33が通過するように配置され、レーザ光33は細管6を通過する前に集光光学系32を介して集光される。
すなわち、本実施例のプラズマ処理装置は、加熱用光照射装置から照射される加熱用光の光軸と、プラズマ照射装置から照射されるプラズマの射出軸が一致しているものである。
本実施例によれば、レーザ光33をプラズマ流15と同軸で試料11に垂直入射で照射することで、レーザ光33での加熱領域の温度分布が均一になり、高品質な膜形成が可能になる。また、プラズマ照射領域18とレーザ照射領域21の間の位置決めが不要であり、位置決め精度が向上することで、微細なパターン欠陥の修正も可能となり、製品の歩留り向上に貢献できる。
次に図11を用いて、本発明の第4の実施例を説明する。但し、第1の実施例で示した構成要素と共通する要素には同一の符号を付し、その説明を簡略化する。
第4の実施例が第1〜3の実施例と異なる点は、少なくとも2つの異なる波長のレーザ光33を照射する点である。すなわち、本実施例のプラズマ処理装置は、加熱用レーザ光照射装置から照射されるレーザ光が複数の波長を含むものである。
図11は、第1の加熱用レーザ発振器30と第2の加熱用レーザ発振器50がそれぞれ異なる経路で試料11に照射される構成を示した図である。第1の加熱用レーザ発振器30と第2の加熱用レーザ発振器50は、たとえば、試料11の照射領域に照射するように45度に対向して配置するとよい。第1の加熱用レーザ発振器30と第2の加熱用レーザ発振器50は、レーザ照射の開始と停止のタイミングの制御とレーザ種類を切り替え動作の制御をしている制御部40に接続されている。第1の加熱用レーザ発振器30は、集光光学系32を通過して試料11に照射する。第2の加熱用レーザ発振器50は、集光光学系52を通過して試料11に照射する。
本実施例によれば、異なる波長のレーザ光を照射可能とすることで、第1の加熱用レーザ発振器30で試料11を加熱後、膜が堆積し始めてレーザ光の吸収率が変化しても、異なる波長の第2の加熱用レーザ発振器50で、堆積した膜の光吸収率を高くすることができる。レーザ波長の切り替えに時間を要しないことから、局所領域の表面温度を保ったまま成膜を続行可能であり、高品質な膜を得ることができる。また、適用可能な成膜材料の選択肢が拡がり、修正可能な欠陥種類が増加する。よって、本実施例では一回の処理工程で多層構造の修正が可能であり、マスクを取り替える段取り時間が削減できる。
前述の実施例1では図3のエッチング除去部106の除去および図5の絶縁膜108の形成にはレーザ光を用いていないが、本実施例の複数の加熱用レーザ発振器を用いて、図3のエッチング除去部106の除去および図5の絶縁膜108の形成をレーザ波長の異なるレーザ光を用いて行ってもよい。もちろん、可能であれば一つの加熱用レーザ発振器を用いて図3のエッチング除去部106の除去および図5の絶縁膜108の形成を行ってもよい。
なお、レーザ波長およびレーザ種類の切り替えは試料11に合わせて行うことが好ましく、切り替えのタイミングや備え付けるレーザ種類、数量は限定されるものではない。
次に図12を用いて第5の実施例を説明する。但し、第1〜4の実施例で示した構成要素と共通する要素には同一の符号を付し、その説明を簡略化する。
第5の実施例が第1〜4の実施例と異なる点は、第1の加熱用レーザ発振器30と第2の加熱用レーザ発振器50の入射軸を同軸にして試料11にレーザ光を照射した点である。すなわち、本実施例のプラズマ処理装置は、加熱用レーザ光照射装置から照射されるレーザ光が複数の波長を含み、かつ、複数の波長のレーザ光発振器が同軸に配置されたものである。
図12は、第1の加熱用レーザ発振器30と第2の加熱用レーザ発振器50同じ経路で試料11にレーザ光を照射する構成を示した図である。第1の加熱用レーザ発振器30と第2の加熱用レーザ発振器50は、それぞれの集光光学系32、52で集光されて光路変更部60を通過して、試料11に同軸で照射することが可能な配置で構成されている。光路変更部60は、内部に第1の加熱用レーザ発振器30のレーザ光33を透過するフィルタと第2の加熱用レーザ発振器50のレーザ光53を反射するミラーなどで構成されている(図示なし)。光路変更部60は、第2の加熱用レーザ発振器50が第1の加熱用レーザの照射軸と同軸になるように光学調整しておく必要がある。また、第1の加熱用レーザ発振器30と第2の加熱用レーザ発振器50は、レーザ照射のONとOFFの制御、レーザを切り替える動作の制御をしている制御部40に接続されている。また、2つの加熱用レーザに対して発振源をそれぞれ配置した構成となっているが、YAGレーザのように1064nmとその半分の波長(532nm)や4分の1波長(262nm)をひとつの発振源で切り替えられる場合は、発振源はひとつでもよい。
本実施例によれば、同一方向から異なる波長のレーザ光が、試料11に照射されるため、レーザ光の切り替えによる軸ずれが小さく、レーザ照射領域21の位置決め精度が向上する。よって、レーザ照射領域の寸法形状が向上し、修正成功率の向上に貢献する。
次に図13を用いて、本発明の第6の実施例を説明する。但し、第1〜5の実施例で示した構成要素と共通する要素には同一の符号を付し、その説明を簡略化する。
第6の実施例が第1の実施例と異なる点は、試料11のプラズマ照射領域18とプラズマ照射領域周辺22を試料の裏面から冷却する機構を備えている点である。すなわち、本実施例のプラズマ処理装置は、被処理物の被処理部および被処理部周辺の温度を制御する冷却装置を備えるものである。
まず図13は、冷却媒体を通す配管802もつ基板ステージ上に配置された試料11を修正している様子を示した図であり、図13(a)は、試料11を正面からみた図であり、図13(b)は、試料11を上面からみた図である。基板ステージ801に、冷却媒体を通過させるための配管802が通っている。配管802は、新しい冷却媒体(図示なし)が供給する入り口804と排出するための出口805を備えている。冷却媒体として、水などの液体や圧縮空気、He、Arなどの不活性ガスを用いることができる。冷却媒体は装置の外部に設けられた熱交換器(図示なし)で一定の温度に調整された後、入り口804から供給し出口805から排出される。
配管802は入り口804から出口805まで貫通しており、基板ステージ801の試料11の全面を網羅するように蛇行して配置されている。基板ステージ801の内部には、熱電対などの温度計測器803が少なくともひとつ設置され、温度計測器803は制御部40に接続している。基板ステージ801は、熱伝達率の高いAlやFeやMoの金属材料で構成されることが好ましいがこれら材料に限定されない。また、基板ステージ801の表面には、試料11の裏面との熱の伝達効率上げるために基板ステージ801の表面にAuやAgをコーティングしてもよい。
以下、本実施例の装置を用いて修正する方法を説明する。まず、冷却媒体の入り口804から、25℃に温度調整された水を供給し、基板ステージ801の温度を25〜50℃以下にする。このときの温度計測は、基板ステージ801内部の熱電対803で測定し、基板ステージ内の温度分布が一定になったことがわかるようにする。その後、試料11をセッティングし、第1〜5の実施例で示した修正装置および修正方法を用いて修正をおこなう。
本実施例によれば、基板ステージ801の冷却を行うことで、プラズマ照射時間が累積することにより、プラズマ照射領域18とプラズマ照射領域周辺22が、蓄熱することを抑えることができる。前記蓄熱による試料11のそりや破損を防ぐことができ修正時の製品の品質が向上する。また、PETやポリカーボネイトなどの低融点材料を基板材料に用いるフレキシブルディスプレイや有機ELなどの表示装置回路パターンの欠損箇所の修正に好適である。
本発明の実施例では、試料11を全面的に冷却する例を示したが、プラズマ照射領域18やプラズマ照射領域周辺22の試料11の温度を調整することができるのであれば、冷却領域が試料11よりも小さくてよく、ペルチェ素子などを直接試料11の裏面に挿入し、押し当てて冷却してもよい。また、基板ステージ側に複数のペルチェ素子を配置しておいてもよい。
本実施例によれば、基板サイズが1mを超える大型パネルなどの表示装置のパターン欠陥を修正する場合でも、基板ステージに大規模な冷却装置を製作する必要がなく、冷却できるため製造コストが削減できる。
次に図14、図15を用いて、本発明の第7の実施例を説明する。但し、第1〜6の実施例で示した構成要素と共通する要素には同一の符号を付し、その説明を簡略化する。
第7の実施例が第6の実施例と異なる点は、試料11のプラズマ照射領域18やプラズマ照射領域周辺22をプラズマ照射側から部分的に冷却する点である。すなわち、本実施例のプラズマ処理装置も、被処理物の被処理部および被処理部周辺の温度を制御する冷却装置を備えるものであるが、第6の実施例とは冷却の方法が異なっている。
まず図14は、本実施例を実現する装置の全体構成を示している。図15はプラズマ流15と冷却媒体25とレーザ光33の位置関係を拡大して表している。図15(a)は、冷却媒体25および第2のガスを試料11にプラズマ流15とともに供給する様子を試料11の正面からみた断面図である。図15(b)は、冷却領域19とプラズマ照射領域18とレーザ照射領域21の位置関係を説明するための上面図である。
図14において、本装置の冷却機構の構成は、第3のガスを供給部23と第2のガス供給部3がそれぞれ開閉バルブ28a、28bを介してガス供給制御部27に接続されている。ガス供給制御部27には、細管6の外周に二重に配管された管24が出ており、試料11に対して垂直に第2のガスと第3のガスを供給するように配置されている。また、ガス供給制御部27は、それぞれのガスを単独で管24へ供給することができ、それぞれのガスを混合して所定の割合で管24へ供給することもできるマスクフローコントローラーを内蔵している。ここで、第3のガスは、試料11を冷却させるためのガスであってArやHeなどの不活性ガスが好ましい。ここで、第1のガスと第3のガス種が同じである場合は、第1のガス供給部2から配管を分岐して開閉バルブ28aとガス供給制御部27に供給する構成でもよい。非接触式の温度計測器34は、プラズマ照射領域18とプラズマ照射領域周辺22の温度を計測可能な位置に配置され、制御部40に接続されている。
図15(a)において、管24の大きさは、細管6の外径よりも数mm大きくする。細管6と管24の材質は、第2のガスの反応性に対して耐性のある材質であることが望ましく、フッ素系樹脂や石英を用いるとよい。ただし、管24の材質は石英に限定されず、供給する第2のガスの反応性に対して耐性のある材質であることが望ましい。細管6は、管24の内部に挿入し、管24の噴出し口よりも数mm長く突き出して配置ほうが好ましい。細管6は、管24よりも突き出しているため、この配置では管24の材質に依らず安定的にプラズマ流15を噴出できる。
次に本実施例の装置を用いて修正する方法を以下に説明する。まず、管24から第3のガスを供給し、大きさが直径数十mmの冷却領域19を形成する。次に、プラズマの着火を行い細管6からプラズマ流15を噴出し、プラズマ照射領域18を形成する。プラズマ照射領域18の大きさは直径数mmで先端温度は200℃〜300℃であっても、プラズマ照射領域18は、100℃以下に冷却することができ、レーザ照射領域21と十分な温度差を保つことができる。プラズマ照射領域18の温度は、温度計測器34で計測し、第3のガスの流量や流速などの冷却条件をガス供給制御部27で調整する。プラズマ照射領域18やプラズマ照射領域周辺22を冷却した領域19の温度の計測には、非接触式の赤外温度計などの温度計測器34を用いるとよい。次に、加熱用レーザ発振器30によりレーザ光33を照射し試料11の欠陥箇所を加熱する。試料11が所望の温度まで上昇したことを温度計測器31で確認後、開閉バルブ28bを開けて第2のガスをガス供給制御部27で第3のガスと混合して管24から供給する。この際、第2のガスと第3のガスを合わせた流量は、混合前と同じになるように、第2のガスを混合した分第3のガスの流量を少なくする。第2のガス供給時の流量の変化を小さくすることで、冷却領域19の温度変化を小さくすることができる。堆積後は、まず第2のガスの供給側の開閉バルブ28bを閉じて混合を停止してから第1のガスと第3のガスの供給を停止する。
本実施例によれば、プラズマ照射部側から第3のガスを噴出して冷却し、レーザ加熱後、第2のガスを供給して堆積およびエッチングすることで、レーザ照射領域21のみ所定の温度まで加温でき、プラズマ照射領域18、冷却領域19との温度差を保つことが期待できる。プラズマ照射領域18やプラズマ照射領域周辺22の蓄熱が抑えられ、レーザ照射領域21の修正形状精度が向上するため、より局所領域の修正が可能となり製品の歩留り向上に貢献できる。
以上、本発明の実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、表示装置の基板平面が重心方向に対して直交する位置に配置した例を示したが、配置方向はそれらに限定されるものでない。それぞれの実施例で説明した構成は、施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
本発明によるプラズマ処理装置により、たとえば、液晶表示装置などの電子回路パターンの欠損箇所の大きさに応じた修正が可能となり、これまで廃棄処分とされていた液晶表示装置などの製品を復活させることができるなど、工業利用上さらには環境維持の観点からその利するところは大きい。
1…プラズマ生成部、2…第1のガス供給部、3…第2のガス供給部、4…プラズマ反応部、5…開放部、6…細管、7…高周波電源、8…マッチングネットワーク、9…電極、10…基板ステージ、11…試料、16…配管、12a…マスフローコントローラー、 12b…マスフローコントローラー、13…配管、14…第2のガス供給口、15…プラズマ流、17…バブリング用マスフローコントローラー、18…プラズマ照射領域、19…冷却領域、20…圧力制御部、21…レーザ照射領域、22…プラズマ照射領域周辺、23…第3のガス供給部、24…管、25…ガス流、26…配管、27…ガス供給制御部、28a、28b…開閉バルブ、30…加熱用レーザ発振器、31…温度計測器、32…集光光学系、33…レーザ光、34…温度計測器、40…制御部、101…ガラス基板、102…配線、103…ゲート絶縁膜、104…保護膜、105…断線部、106…エッチング除去部、107…配線再形成部、108…絶縁膜形成部、50…加熱用レーザ発振器、52…集光光学系、53…レーザ光、201〜208…プロセスフロー、301a…ガラス基板、301b…ガラス基板、311…TFT基板、312…カラーフィルター基板、310…液晶の分子、308…カラーフィルター、305…ゲート配線、303…ゲート絶縁層、307…半導体層(アモルファスシリコン膜)、304…ドレイン配線、306…ソース電極、309…画素電極、313…対向電極、801…基板ステージ、802…配管、803…温度計測器、804…入り口、805…出口、
Claims (8)
- 被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記被処理物にプラズマを照射するプラズマ照射装置と、
前記プラズマ照射装置により照射されるプラズマ照射領域内に加熱用光を照射する加熱用光照射装置と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記被処理物に反応性ガスを供給する反応性ガス供給装置と、
前記被処理物の温度を計測する温度計測装置と
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記加熱用光照射装置は加熱用レーザ光照射装置であり、前記加熱用光は加熱用レーザ光であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置であって、
前記加熱用レーザ光照射装置から照射される加熱用レーザ光は、波長1μm以上の赤外光かつパルス幅が10m秒以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3または4に記載のプラズマ処理装置であって、
前記加熱用レーザ光照射装置から照射されるレーザ光は複数の波長を含むこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1ないし5のうちいずれか1項に記載のプラズマ処理装置であって、
前記加熱用光照射装置から照射される加熱用光の光軸と、前記プラズマ照射装置から照射されるプラズマの射出軸が一致すること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1ないし6のうちいずれか1項に記載のプラズマ処理装置であって、
前記被処理物の被処理部および被処理部周辺の温度を制御する冷却装置
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
プラズマ照射装置が、前記被処理物にプラズマを照射し、
加熱用光照射装置が、前記プラズマ照射装置により照射されるプラズマ照射領域内に加熱用光を照射する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
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