JP2011140421A5 - - Google Patents

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  1. 少なくとも、原料融液を収容するルツボと、該ルツボが囲繞される円筒状発熱部を有するヒータと、該ヒータを格納するメインチャンバーと、前記ヒータを支持して電流を供給するヒータ電極と、前記ヒータの円筒状発熱部の下方に配置される断熱板とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶製造装置であって、
    前記断熱板が前記ヒータ電極に絶縁性固定部材を介して固定支持され、前記断熱板の上面の前記円筒状発熱部の下端に対応する位置に絶縁性支持部材が配置されたものであることを特徴とする単結晶製造装置。
  2. 前記絶縁性支持部材の上端と前記ヒータの円筒状発熱部の下端との間の距離が0〜5mmであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶製造装置。
  3. 前記ヒータの円筒状発熱部の内径が、850mm以上であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶製造装置。
  4. 前記ヒータ電極が前記ヒータを2か所で支持するものであり、前記断熱板の上面の前記絶縁性支持部材が配置される位置が、前記円筒状発熱部の下端の前記ヒータ電極が前記ヒータを支持する位置の90度回転した位置に対応する位置であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2589687A1 (en) 2011-11-04 2013-05-08 Vesuvius France (S.A.) Crucible and method for the production of a (near ) monocrystalline semiconductor ingot
EP2604728A1 (en) 2011-12-12 2013-06-19 Vesuvius France S.A. Crucible for the production of crystalline semiconductor ingots and process for manufacturing the same
JP5660019B2 (ja) * 2011-12-13 2015-01-28 信越半導体株式会社 単結晶引上げ装置
KR101658284B1 (ko) * 2014-08-05 2016-09-20 주식회사 엘지실트론 잉곳성장장치
KR102017080B1 (ko) * 2017-12-05 2019-09-02 웅진에너지 주식회사 잉곳 성장장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2630461B1 (fr) 1988-04-20 1990-08-31 Inst Textile De France Procede et dispositif d'alimentation automatique d'une machine a coudre
JP3402041B2 (ja) * 1995-12-28 2003-04-28 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造装置
JPH09263491A (ja) 1996-03-27 1997-10-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の製造装置
JP3482979B2 (ja) 1996-04-09 2004-01-06 三菱住友シリコン株式会社 単結晶引上装置におけるヒーター電極溶損防止装置
JPH10167876A (ja) * 1996-11-29 1998-06-23 Super Silicon Kenkyusho:Kk Cz結晶製造装置
JP3428624B2 (ja) * 1998-06-12 2003-07-22 三菱住友シリコン株式会社 シリコン単結晶の引上げ方法
JP2002137997A (ja) * 2000-10-31 2002-05-14 Super Silicon Kenkyusho:Kk 単結晶引き上げ装置
JP2009274925A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Sumco Corp 単結晶引上げ装置およびこれを用いた単結晶の引上げ方法
CN101581542B (zh) * 2009-06-16 2012-06-13 重庆大全新能源有限公司 多晶硅还原炉高压启动绝缘电极

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