JP2011138586A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が2H/m以上、100H/m以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは0.5nm以上2.0nm以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【選択図】図3
Description
前記非記録領域は、透磁率が2H/m以上、100H/m以下であり、
さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは0.5nm以上2.0nm以下である
ことを特徴とする磁気記録媒体。
前記非記録領域は、セミハード磁性を持ち、
さらに、前記非記録領域は、前記磁気記録領域の表面に対して深さ1.0nm以上5.0nm以下の凹部を形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体、とすることもできる。
前記磁気記録層の上に炭素を主成分とする剥離層を成膜する剥離層成膜工程と、
前記剥離層成膜工程の後に、前記剥離層の上にSOG(スピン・オン・グラス)からなるレジストマスク層を成膜するレジストマスク層成膜工程と、
前記レジストマスク層成膜工程の後に、前記レジストマスク層の厚さを部分的に変化させて所定のパターンの凸部と凹部を形成するパターニング工程と、
前記パターニング工程の後に、ドライエッチングで前記凹部において剥離層が露出するまで前記レジストマスク層を除去する底出し工程と、
前記底出し工程の後に、前記凹部の磁気記録層の一部を除去するエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に前記レジストマスク層の上からイオンを照射し前記非記録領域を形成するイオン照射工程と、
前記イオン照射工程の後に前記レジストマスク層をアルカリ系溶剤により除去する、レジストマスク層除去工程と、
前記レジストマスク層除去工程の後に、前記剥離層を除去することで、前記磁気記録層の表面を露出させる剥離層除去工程と、
前記剥離層除去工程の後に、前記磁気記録層の上に保護層を成膜する保護層成膜工程
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
前記磁気記録層の上に炭素を主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程と、
前記保護層成膜工程の後に、前記保護層の上にSOG(スピン・オン・グラス)からなるレジストマスク層を成膜するレジストマスク層成膜工程と、
前記レジストマスク層成膜工程の後に、前記レジストマスク層に、所定のパターンの、前記イオン照射したときにイオンを透過させない厚さを有する凸部と、イオンが透過するのに十分薄い厚さの凹部を形成するパターニング工程と、
前記パターニング工程の後に前記レジストマスク層の上からイオンを照射し前記非記録領域を形成するイオン照射工程と、
前記イオン照射工程の後にアルカリ系溶剤で前記レジストマスク層を除去するとともに、非記録領域が前記磁気記録領域の表面に対して深さ1.0nm以上5.0nm以下の凹部を形成するように非記録領域を溶解させる、凹部形成工程
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
11 データ領域
12 サーボ領域
13 サーボパターン
31 ガラス基板
32 軟磁性層
33 中間層
34 磁気記録層
35 非記録領域
36 保護層
37 剥離層
41 レジストマスク層
41a レジストマスク層の、イオンを遮蔽する部分
41b レジストマスク層の、イオンを透過させる部分
42 スタンパ
43 イオン
71 非記録領域(セミハード磁性領域)
72 磁気記録領域
Claims (6)
- 基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、
前記非記録領域は、透磁率が2H/m以上、100H/m以下であり、
さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは0.5nm以上2.0nm以下である
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 請求項1に記載の磁気記録媒体を製造する方法であって、
前記磁気記録層の上に炭素を主成分とする剥離層を成膜する剥離層成膜工程と、
前記剥離層成膜工程の後に、前記剥離層の上にSOG(スピン・オン・グラス)からなるレジストマスク層を成膜するレジストマスク層成膜工程と、
前記レジストマスク層成膜工程の後に、前記レジストマスク層の厚さを部分的に変化させて所定のパターンの凸部と凹部を形成するパターニング工程と、
前記パターニング工程の後に、ドライエッチングで前記凹部において剥離層が露出するまで前記レジストマスク層を除去する底出し工程と、
前記底出し工程の後に、前記凹部の磁気記録層の一部を除去するエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に前記レジストマスク層の上からイオンを照射し前記非記録領域を形成するイオン照射工程と、
前記イオン照射工程の後に前記レジストマスク層をアルカリ系溶剤により除去する、レジストマスク層除去工程と、
前記レジストマスク層除去工程の後に、前記剥離層を除去することで、前記磁気記録層の表面を露出させる剥離層除去工程と、
前記剥離層除去工程の後に、前記磁気記録層の上に保護層を成膜する保護層成膜工程
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項1に記載の磁気記録媒体を製造する方法であって、
前記磁気記録層の上に炭素を主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程と、
前記保護層成膜工程の後に、前記保護層の上にSOG(スピン・オン・グラス)からなるレジストマスク層を成膜するレジストマスク層成膜工程と、
前記レジストマスク層成膜工程の後に、前記レジストマスク層に、所定のパターンの、前記イオン照射したときにイオンを透過させない厚さを有する凸部と、イオンが透過するのに十分薄い厚さの凹部を形成するパターニング工程と、
前記パターニング工程の後に前記レジストマスク層の上からイオンを照射し前記非記録領域を形成するイオン照射工程と、
前記イオン照射工程の後にアルカリ系溶剤で前記レジストマスク層を除去するとともに、非記録領域が前記磁気記録領域の表面に対して深さ1.0nm以上5.0nm以下の凹部を形成するように非記録領域を溶解させる、凹部形成工程
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記イオン照射工程におけるイオン照射は、B、P、Si、F、C、In、Bi、Kr、Ar、Xe、W、As、Ge、Mo、Sn、N2、O2、Ne、He、H2から選択した1種又は2種以上の非磁性イオンを照射エネルギー1keV以上、50keV以下、ドーズ量1×1015atoms/cm2以上、1×1017atoms/cm2以下で照射することを特徴とする請求項2又は3に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記パターニング工程において、ナノインプリント法で、前記レジストマスク層へ所定のパターンの凸部と凹部を形成することを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- さらに、前記保護層の上に潤滑層を成膜する潤滑層成膜工程を有することを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
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