JP2009252281A - 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】磁性層等で発生する腐食を防ぎ、耐環境性の向上を可能とした磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、そのような磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】基板１の上に、少なくとも磁性層２と、磁性層２を覆うカーボン保護層９とを備え、磁性層２の表面には、磁気記録領域である凸部７と、磁気記録領域を分離する境界領域である凹部６とが設けられ、磁性層２の凹部６とカーボン保護層９との間には、Ｃｒ又はＴｉを主として含むバリア層８が設けられている。
【選択図】図１１

Description

本発明は、磁気記録再生装置（ハードディスクドライブ）等に用いられる磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置に関するものである。

近年、磁気記録の分野では、例えば磁気記録再生装置や、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置など、その適用範囲は著しく増大しており、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体についても、その記録密度の著しい向上が図られつつある。

特に、ＭＲヘッド、及びＰＲＭＬ技術の導入以来、面記録密度の上昇は、更に激しさを増しており、近年ではＧＭＲヘッドやＴＭＲヘッドなども導入されて、１年に約１００％ものペースで増加を続けている。

したがって、磁気記録媒体については、今後更に高記録密度を達成することが要求されており、具体的には磁性層の高保磁力化、高信号対雑音比(ＳＮＲ)、高分解能等を達成することが要求されている。また、近年では、線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられている。

また、最新の磁気記録再生装置においては、トラック密度が１１０ｋＴＰＩにも達している。しかしながら、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮＲを損なうという問題が生じやすくなる。このことはそのままＢｉｔ Ｅｒｒｏｒ ｒａｔｅの低下につながるため、記録密度の向上に対して障害となっている。

ここで、面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚とを確保する必要がある。しかしながら、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。

一方、磁気記録再生装置では、トラック密度を上げていくと、トラック間距離が近づくために、極めて高精度のトラックサーボ技術が必要となる。このため、記録は幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために、記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。しかしながら、この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることができず、その結果、十分なＳＮＲを確保することが困難となるという問題がある。

そこで、上述した熱揺らぎの問題を解決し、十分なＳＮＲ及び出力の確保を達成する方法の一つとして、磁気記録媒体の表面に記録トラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的に分離することによって、トラック密度を上げようとする試みがなされている（以下、このような技術をディスクリートトラック法と呼び、このディスクリートトラック法によって製造された磁気記録媒体のことをディスクリートトラック媒体と呼ぶ。）。また、同一トラック内のデータ領域を更に分割した、いわゆるパターンドメディアを製造しようとする試みもある。

ディスクリートトラック媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板上に磁性層を形成して、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなる磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

この磁気記録媒体は、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層を形成し、その表面に保護膜を形成したものである。この磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と物理的に分断された磁気記録領域が形成されている。この磁気記録媒体によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。

ディスクリートトラック法には、何層かの薄膜からなる磁気記録層を形成した後に、物理的にトラックを形成する方法と、基板表面に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録層の薄膜形成を行う方法とがある（例えば、特許文献２，３を参照。）。

また、ディスクリートトラック媒体の磁気トラック間を物理的に分離する方法としては、予め形成した連続した磁性層に、窒素や酸素等のイオンを注入する、又は、レーザを照射することにより、その部分の磁気的な特性を変化させて分離する方法が開示されている（例えば、特許文献４〜６参照。）。
特開２００４−１６４６９２号公報 特開２００４−１７８７９３号公報 特開２００４−１７８７９４号公報 特開平５−２０５２５７号公報 特開２００６−２０９９５２号公報 特開２００６−３０９８４１号公報

上述したように、ディスクリートトラック媒体やパターンドメディアの製造工程においては、物理的に分離された磁気記録領域を形成するため、酸素やハロゲンを用いた反応性プラズマ若しくは反応性イオンに晒すことにより磁性層に分離された磁気記録パターンを形成する方法や、磁性層にイオン注入を行うことによって分離された磁気記録領域を形成する方法が用いられている（以下、磁性層改質法と呼ぶ。）。

これらの製造方法は、磁性層の表面にマスク層を形成し、このマスク層をフォトリソグラフィー技術によりパターニングし、磁気記録領域の境界領域にイオン注入等を行い、当該箇所の磁気特性を低下させる若しくは非磁性化することにより、ディスクリートトラック媒体及びパターンドメディアを製造する方法である。

これらの製造方法は、磁性層を物理的に加工して境界領域に非磁性材料を埋め込み、その後、表面を平滑化する製造方法（以下、磁性層加工法と呼ぶ。）に比べて、製造プロセスを簡略化でき、また、製造プロセスにおける磁気記録媒体の汚染の影響を減らせる点で優れている。

一方、これらの方法で製造された磁気記録媒体では、連続した磁性層に対して部分的にイオン照射やイオン注入を行った箇所が、他の箇所に対してわずかに削られる（エッチングされる）ため、磁気記録領域とその周囲の境界領域との間で段差が生ずることになる。この場合、段差部分に他の物質を充填し、その表面を平滑化することも可能ではあるが、このような方法を用いると、磁性層加工法に対する磁性層改質法のメリットが無くなってしまう。

ところで、磁気記録媒体では、その表面に高度な平滑性が求められる一方で、若干の凹凸は許容されるとの観点に基づき、上述した磁性層の磁気記録領域とその境界領域との間に凹凸を残存させた状態で、この磁性層上にＣＶＤ法でカーボン膜を形成してみたところ、カーボン膜の成膜条件にもよるが、イオン注入等を行った凹部におけるカーボン膜の膜厚が、イオン注入等を行わなかった凸部に比べて薄くなることがわかった。これは、ＣＶＤ法で形成したカーボンラジカルが基板表面の凸部に集中し、その箇所でのカーボンの核形成が優先的になされ、凸部のカーボン膜厚が、他の箇所に比べ厚くなるためと考えられる。

上述した磁気記録媒体の表面に形成されるカーボン保護層は、磁気記録媒体を磁気ヘッドの接触から保護する働きに加えて磁性層等が大気中の水分等によって腐食（酸化）するのを防ぐ働きがある。

一方、本発明者の研究によると、基板上に少なくとも磁性層とカーボン保護層とを有する磁気記録媒体において、磁性層の表面に凹凸があると、磁性層の凹部を覆うカーボン保護層の層厚が薄くなり、その箇所から磁性層の腐食が進行しやすくなることが明らかになった。これは、単に磁性層の凹部のカーボン保護層が薄いために、この領域の腐食が進行したことに加え、カーボン保護層の層厚が磁性層の表面において差を持っていることが原因であると考えられる。すなわち、カーボン保護層が厚み方向に分布を持ち、且つ、カーボン保護層の薄い箇所の下に腐食されやすい材料があると、その箇所での腐食が加速されることが明らかになった。

本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、上述した磁性層等で発生する腐食を防ぎ、耐環境性の向上を可能とした磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、そのような磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

本発明は、以下の手段を提供する。
（１） 基板の上に、少なくとも磁性層と、前記磁性層を覆うカーボン保護層とを備え、
前記磁性層の表面には、磁気記録領域である凸部と、前記磁気記録領域を分離する境界領域である凹部とが設けられ、
前記境界領域である凹部と前記カーボン保護層との間には、Ｃｒ又はＴｉを主として含むバリア層が設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
（２） 前記境界領域は、前記磁性層の一部を改質することにより形成されていることを特徴とする前項（１）に記載の磁気記録媒体。
（３） 前記カーボン保護層の前記磁気記録領域上における層厚が前記境界領域上における層厚に比べて厚いことを特徴とする前項（１）又は（２）に記載の磁気記録媒体。
（４） 前記バリア層の層厚が０．３〜５ｎｍであることを特徴とする前項（１）〜（３）の何れか一項に記載の磁気記録媒体。
（５） 基板の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層の表面に磁気記録領域を分離する境界領域である凹部を形成する工程と、
前記凹部にＣｒ又はＴｉを主として含むバリア層を形成する工程と、
前記磁性層及び前記バリア層を覆うカーボン保護層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（６） 前記磁性層を形成した後に、
前記磁性層の上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の前記境界領域に対応する位置に凹部を形成する工程と、
前記凹部に対応する部分のマスク層を除去する工程と、
前記マスク層を除去した箇所の前記磁性層の露出した表面を反応性プラズマ又は反応性イオンに晒して、当該箇所の磁性層を改質する工程とを経ることによって、
前記磁性層の表面に前記境界領域である凹部を形成することを特徴とする前項（５）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（７） 前記レジスト層に凹部を形成する際に、前記レジスト層にスタンプを押し付けた状態で放射線を照射し、当該レジスト層に前記スタンプの形状を転写することを特徴とする前項（６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（８） 前記マスク層を除去した箇所の前記磁性層の一部をイオンミリングにより除去することを特徴とする前項（６）又は（７）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（９） 前記磁性層の表面に前記境界領域である凹部を形成した後に、
前記磁性層の表面及び前記レジスト層の上にバリア層を形成する工程と、
前記レジスト層及びマスク層を除去すると共に、前記レジスト層上の前記バリア層をリフトオフにより除去する工程とを経ることによって、
前記境界領域である凹部に前記バリア層を埋め込み形成することを特徴とする前項（５）又は（６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１０） 前記磁性層の磁気記録領域上に形成されたバリア層を選択的に除去する際に、前記磁気記録領域の表面に対して斜めの方向からイオンビームを照射することを特徴とする前項（９）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１１） 前項（１）〜（４）の何れか一項に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動手段と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理手段とを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。

以上のように、本発明によれば、磁性層の耐食性に優れ、特に高温高湿環境下において耐環境性の高い、なお且つ生産性に優れた磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、そのような磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供することが可能である。

以下、本発明を適用した磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

（磁気記録媒体）
本発明を適用した磁気記録媒体は、基板上に少なくとも磁性層とカーボン保護層とを有するものであって、磁性層の表面に、磁気記録領域である凸部と、磁気記録領域を分離する境界領域である凹部とが設けられ、磁性層の境界領域とカーボン保護層との間に、Ｃｒ又はＴｉを主として含むバリア層が設けられていることを特徴とする。

具体的に、この磁気記録媒体の表面側から見た場合、連続した磁性層に非磁性化等した境界領域を形成することによって、分離した磁気記録領域が形成されている。また、本発明では、磁性層を表面側から見て、磁気記録領域が境界領域によって分離されていればよく、磁性層の底部において分離されていなくとも、本発明の分離した磁気記録領域として本発明の目的を達成することが可能である。（なお、磁性層の表面（おもてめん）とは、磁性層の磁気ヘッド側の面（磁性層の基板側の面の反対側）を指し、磁性層の表面（ひょうめん）がカーボン保護層で覆われている場合も、以下の説明において磁性層の表面と表すものとする。）

すなわち、本発明は、磁性層の表面に記録トラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的に分離することによって、トラック密度を上げようとするディスクリートトラック型の磁気記録媒体に適用可能である。また、この場合の磁気記録領域は、磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成する。さらに、本発明は、磁気記録領域が１ビットごとに一定の規則性をもって配置されたパターンドメディアや、磁気記録領域がトラック状に配置されたメディア、その他のサーボ信号パターン等を含む磁気記録媒体に適用可能である。その中でも、ディスクリート型の磁気記録媒体は、その製造における簡便性から、本発明を適用するのに好適である。

ここで、本発明を適用した磁気記録媒体の特徴部分である磁性層に説明すると、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、各磁気記録媒体の磁性層１００の表面には、磁気記録領域Ｍである凸部１０１と、この磁気記録領域Ｍを分離する境界領域Ｓである凹部１０２とが設けられている。

このうち、図１（ａ）に示す磁気記録媒体の場合、連続した磁性層１００の境界領域Ｓとなる箇所に、イオン照射やイオン注入等を行うことによって、その箇所が僅かにエッチングされた複数の凹部１０２が形成され、これら複数の凹部１０２の間に、磁気記録領域Ｍである凸部１０１が形成されている。また、これら複数の凹部１０２は、連続した磁性層１００の境界領域Ｓとなる箇所に、後述するイオンミリングを行うことによって形成することもできる。

そして、このような凸部１０１及び凹部１０２（凹凸）が形成された磁性層１００の上には、ＰＶＤ法（物理蒸着法）を用いることによって、カーボン保護層１０３が形成されている。この場合、カーボン保護層１０３は、凸部１０１と凹部１０２との面上において同じ層厚となっており、カーボン保護層１０３の表面には、磁性層１００の表面に形成された凸部１０１及び凹部１０２とほぼ同一の高さ（深さ）の凹凸が形成されている。

一方、図１（ｂ）に示す磁気記録媒体の場合、凸部１０１及び凹部１０２が形成された磁性層１００の上に、ＣＶＤ法（化学蒸着法）を用いることによって、カーボン保護層１０３が形成されている。この場合、カーボン保護層１０３は、イオン注入等を行った境界領域Ｓ（凹部１０２）の面上における層厚が、イオン注入等を行わなかった磁気記録領域Ｍ（凸部１０１）の面上における層厚に比べて、厚くなることがある。

これは、磁性層１００でイオン注入等を行った箇所は、その表面に極微小な凹凸が形成され、その箇所における反応性ラジカルの付着確率が高まり、この箇所でカーボンの核形成が優先的になされ、イオン注入箇所のカーボン保護層１０３の層厚が他の箇所に比べて厚くなるためと考えられる。このような傾向は、磁性層１００の表面に形成された凸部１０１及び凹部１０２を緩和する方向に作用するため、磁気記録媒体の表面の平滑性を高める上では好ましい。

しかしながら、本発明は、このような凹凸形状を有する磁気記録媒体には不適である。すなわち、この磁気記録媒体の場合、磁気記録領域Ｍの周辺部においてカーボン保護層１０３の層厚が厚いために、この箇所から磁性層１００の腐食が発生することがないからである。また、このような凹凸形状を有する磁気記録媒体では、磁性層１００の磁気記録領域Ｍとカーボン保護層１０３との間にバリア層を設けることが考えられるが、このような構成を採用すると、磁気記録領域Ｍと磁気ヘッドとの距離が長くなり、磁気記録媒体の電磁変換特性を悪化させることになる。

これに対して、本発明は、図１（ｃ）に示すように、カーボン保護層１０３の磁気記録領域Ｍ（凸部１０１）の面上における層厚が境界領域Ｓ（凹部１０２）の面上における層厚に比べて厚くなる磁気記録媒体に適用される。すなわち、この磁気記録媒体の場合、磁性層１００の磁気記録領域Ｍにおける耐食性はカーボン保護層１０３で確保し、加えて、境界領域Ｓの表面をバリア層で覆うことによって、この境界領域Ｓの酸化を防止することができる。

なお、本発明では、カーボン保護層１０３の磁気記録領域Ｍの面上における層厚と境界領域Ｓの面上における層厚とを同一とすることも考えられるが、そのような構造を採用すると、磁気記録媒体の製造条件の僅かな変化によりカーボン保護層が厚み方向に分布を持ち、磁気記録媒体の耐環境特性がばらつく可能性が高まる。

バリア層は、磁性層１００の境界領域Ｓとカーボン保護層１０３との間に設けるが、磁気記録領域Ｍとカーボン保護層１０３との間にも設けることも可能である。しかしながら、磁気記録領域Ｍとカーボン保護層１０３との間にバリア層を設けた場合、Ｃｒ又はＴｉを主として含む材料は非磁性材料である場合が多いため、磁気記録再生装置における磁気ヘッドと磁性層との距離が広がり、磁気記録媒体の磁気記録再生特性が低下する。したがって、本発明では、磁性層１００が凸部１０１と凹部１０２とを有することから、この凹部１０２を埋めるようにバリア層を設けることが、磁気記録媒体の電磁変換特性を低下させることがなく、また、磁性層１００の表面を平滑化する観点からも望ましい。

以上のような構造を有する磁気記録媒体では、カーボン保護層の薄部から侵入した水分や酸素がバリア層により遮断されることから、磁性層が腐食するのを防ぐことができる。したがって、本発明によれば、磁性層の耐食性に優れ、特に高温高湿環境下において耐環境性の高い、なお且つ生産性に優れた磁気記録媒体を提供することが可能である。

（磁気記録媒体の製造方法）
次に、本発明を適用した磁気記録媒体の具体的な製造工程について、図２〜１２を参照しながら説明する。
本発明を適用して製造される磁気記録媒体は、例えば図１１に示すように、非磁性基板の表面に、軟磁性層、中間層、磁気パターンが形成された磁性層、及びカーボン保護層をこの順で積層した構造を有し、さらに最表面に潤滑膜が形成されてなる。

なお、この磁気記録媒体では、非磁性基板、磁性層、及びカーボン保護層以外の構成要素については、その材料や寸法等を含めて本発明の要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。したがって、図２〜１２においては、軟磁性層、中間層、及び潤滑膜の図示を省略するものとする。

この磁気記録媒体を製造する際は、先ず、図２に示すように、非磁性基板１の上に連続した磁性層２を形成する（以下、工程Ａという。）。
非磁性基板１については、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、結晶化ガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。その中でも、Ａｌ合金基板や結晶化ガラス等からなるガラス製の基板、又はシリコン基板を用いることが好ましい。
また、非磁性基板１の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下、さらには０．５ｎｍ以下であることが好ましく、その中でも０．１ｎｍ以下であることが特に好ましい。

磁性層２については、酸化物を０．５原子％〜６原子％の範囲内で含む磁性材料を用いることができる。具体的には、主としてＣｏを主成分として含む磁性合金を用いることが好ましく、そのような磁性合金として、例えば、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｘ、ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｘ−Ｙに酸化物を添加した合金や、ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ_２、ＣｏＣｒＰｔ−ＺｒＯ_２、ＣｏＣｒＰｔ−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＣｏＣｒＰｔ−Ｔａ_２Ｏ_５、ＣｏＣｒＰｔ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｏＣｒＰｔ−Ｂ_２Ｏ_３、ＣｏＣｒＰｔ−ＷＯ_２、ＣｏＣｒＰｔ−ＷＯ_３などのＣｏ系合金を挙げることができる。なお、上記の構成材料中のＸは、Ｒｕ、Ｗ等を示しており、Ｙは、Ｃｕ、Ｍｇ等を示している。

磁性層２は、再生の際に一定以上の出力を得るにはある程度以上の厚みが必要であり、一方で記録再生特性を表す諸パラメーターは出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、最適な厚みに設定する必要がある。具体的には、磁性層２の層厚を３ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。このように、磁性層２は、使用する磁性合金の種類と積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。

次に、図３に示すように、磁性層２の上にマスク層３を形成する（以下、工程Ｂという。）。マスク層３は、Ｔａ、Ｗ、Ｔａ窒化物、Ｗ窒化物、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｎｉからなる群から選ばれた何れか一種以上を含む材料で形成することができる。その中でも、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｇａを用いることが好ましく、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂを用いることがより好ましく、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗを用いることが最も好ましい。また、マスク層３の層厚は、一般的には１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲が好ましい。

このような材料を用いることにより、マスク層３のミリングイオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層３による磁気記録領域の形成特性を向上させることができる。さらに、これらの物質は、反応性ガスを用いたドライエッチングが容易であるため、後述する図９に示す工程Ｈにおいて、残留物を減らし、磁気記録媒体表面の汚染を減少させることができる。

次に、図４に示すように、マスク層３の上にレジスト層４を形成する（以下、工程Ｃという。）。レジスト層４には、放射線照射により硬化するレジスト材として、ノボラック系樹脂や、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ類などの紫外線硬化樹脂などを用いることができる。

次に、図５に示すように、マスク層３をパターニングする（以下、工程Ｄという。）。
具体的には、紫外線に対して透過性の高いガラス若しくは樹脂からなるスタンプ５を用いて、レジスト層４にネガパターンを転写する。ネガパターンは、磁気記録領域（記録トラック）を分離する境界領域に対応した磁性層２上のレジスト層４に凹部４ａを形成したものである。

スタンプ５は、例えば、金属プレートに電子線描画などの方法を用いて記録トラックに対応した微細なトラックパターン（凹部）を有するスタンパを用いて、そのトラックパターンに対応する凸部５ａが転写されたものからなる。スタンパの材料としては、プロセスに耐え得る硬度、耐久性が要求されるため、例えばＮｉなどが用いられるが、上記目的に合致するものであれば、このような材料に特に限定されるものではない。また、スタンパには、通常のデータを記録するための記録トラックに対応したトラックパターンの他にも、バーストパターンや、グレイコードパターン、プリアンブルパターンといったサーボ信号に対応するパターンを形成して、これらのパターンをスタンプ５に転写してもよい。

このようなスタンプ５を用いてレジスト層４にネガパターンを転写する際には、レジスト層４の流動性が高い状態で、図５中の矢印で示すように、スタンプ５をレジスト層４に押し付ける。そして、スタンプ５をレジスト層４に押し付けた状態で、このレジスト層４に放射線を照射し、レジスト層４を硬化させた後、スタンプ５をレジスト層４から離間させる。これにより、境界領域に対応した磁性層２上のレジスト層４に凹部４ａを形成することができる。

このような製造方法を用いることにより、レジスト層４にスタンプ５の形状を精度良く転写することが可能となり、後述するマスク層３のエッチング工程において、マスク層３のエッジの部分のダレを無くし、マスク層３の注入イオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層３による磁気記録領域の形成特性を向上させることができる。

レジスト層４にスタンプ５を押し付けた状態で、レジスト層４に放射線を照射する方法としては、スタンプ５の反対側、すなわち非磁性基板１側から放射線を照射する方法や、スタンプ５の材料として放射線を透過できる物質を選択し、スタンプ５側から放射線を照射する方法、スタンプ５の側面側から放射線を照射する方法などがある。また、熱線のように固体に対して伝導性の高い放射線を用いて、スタンプ５又は非磁性基板１側から熱伝導により放射線を照射する方法を用いることもできる。また、スタンプ５を用いてレジスト層４にネガパターンを転写する際は、パターン転写後にレジスト層４に対して放射線を照射することも可能である。

なお、ここで言う放射線とは、熱線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等の広い概念の電磁波のことである。また、放射線照射により硬化する材料としては、例えば、熱線に対しては熱硬化樹脂、紫外線に対しては紫外線硬化樹脂がある。

レジスト層４に形成される凹部４ａの厚みは、０〜１０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。凹部４ａの厚みを上記範囲とすることにより、後述するマスク層３のエッチング工程において、マスク層３のエッジの部分のダレを無くし、マスク層３のミリングイオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層３による磁気記録領域の形成特性を向上させることができる。なお、レジスト層４の層厚は、一般的には１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。

次に、図６に示すように、レジスト層４の凹部４ａに対応する部分のマスク層３を除去することによって、凹部３ａを形成する。（以下、工程Ｅという。）。この工程Ｅにおいて、凹部４ａの底部にレジスト層４が残存している場合は、この残存したレジスト層４もマスク層３と共に除去される。

次に、図７に示すように、磁性層２の表層の一部をイオンミリングにより除去することによって、凹部２ａを形成する。（以下、工程Ｆという。）。
凹部２ａの深さｄは、０．１〜１５ｎｍの範囲とすることが好ましく、より好ましくは１〜１０ｎｍの範囲である。この凹部２ａの深さｄが０．１ｎｍ未満であると、上記磁性層２の除去効果が現れず、一方、この凹部２ａの深さｄが１５ｎｍを超えると、磁気記録媒体の表面平滑性が悪化し、磁気記録再生装置を製造した際の磁気ヘッドの浮上特性が悪くなる。

なお、上記工程Ｆは省略することもできる。この場合、後述する工程Ｇにおいて、磁性層２の露出した面を反応性プラズマや反応性イオンに晒すことによって、磁性層２にエッチングされた凹部２ａを形成することができる。したがって、上記イオンミリングと反応性プラズマや反応性イオンに晒す工程を設けた場合、上記凹部２ａの深さｄは、それらの合計の深さとなる。

次に、図８に示すように、磁性層２のイオンミリングにより除去した箇所（凹部２ａ）を反応性プラズマや反応性イオンに晒して、当該箇所の磁性層２の磁気特性を改質する。これにより、磁性層２の改質された境界領域６によって磁気記録領域７を分離することができる。（以下、工程Ｇという。）。

本発明において、磁性層２の磁気特性の改質とは、磁性層２の磁気記録領域７を分離するために境界領域６を非磁性化することの他に、磁性層２の保磁力、残留磁化等を部分的に変化させることを指し、その変化とは、保磁力を下げ、残留磁化等を下げることを指す。
また、磁性層２の磁気特性を改質する方法の一つとして、成膜された磁性層２を反応性プラズマや反応性イオンに晒して磁性層２を非晶質化することが挙げられる。すなわち、磁性層２の磁気特性の改質は、磁性層２の結晶構造の改変によって実現することも含む。
本発明において、磁性層を非晶質化するとは、磁性層の原子配列を、長距離秩序を持たない不規則な原子配列の形態とすることを指し、より具体的には、２ｎｍ未満の微結晶粒がランダムに配列した状態とすることを指す。そして、この原子配列状態を分析手法により確認する場合は、Ｘ線回折又は電子線回折により、結晶面を表すピークが認められず、また、ハローが認められるのみの状態とする。

本発明では、成膜された磁性層２を反応性プラズマや反応性イオンに晒すことによって磁性層２を改質するが、この改質は、磁性層２を構成する磁性金属と反応性プラズマ中の原子又はイオンとの反応により実現することが好ましい。なお、ここで言う反応とは、磁性金属に反応性プラズマ中の原子等が侵入し、磁性金属の結晶構造が変化すること、磁性金属の組成が変化すること、磁性金属が酸化すること、磁性金属か窒化すること、磁性金属が珪化すること等を挙げることができる。

反応性プラズマとしては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）や、反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｐｌａｓｍａ）などを挙げることができる。
また、反応性イオンとしては、例えば、誘導結合プラズマや、反応性イオンプラズマ内に存在する反応性のイオンなどを挙げることができる。

誘導結合プラズマは、気体に高電圧をかけることによってプラズマ化し、さらに高周波数の変動磁場によってそのプラズマ内部に渦電流によるジュール熱を発生させることによって得られる高温のプラズマである。誘導結合プラズマは、電子密度が高く、従来のイオンビームを用いてディスクリートトラック媒体を製造する場合に比べ、広い面積の磁性層において、高い効率で磁気特性の改質を実現することができる。

反応性イオンプラズマは、プラズマ中にＯ_２、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、ＣＦ_４、ＣＣｌ_４等の反応性ガスを加えた反応性の高いプラズマである。このようなプラズマを本発明の反応性プラズマとして用いることにより、磁性層２の磁気特性の改質をより高い効率で実現することが可能となる。

本発明では、反応性プラズマ又は反応性イオンが、ハロゲンイオンを含有することが好ましい。また、ハロゲンイオンが、ＣＦ_４、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、ＣＣｌ_４、ＫＢｒからなる群から選ばれた何れか１種以上のハロゲン化ガスを反応性プラズマ中に導入して形成したハロゲンイオンであることが、磁性層２とプラズマとの反応性を高め、また、形成するパターンをシャープにする上で好ましい。
この理由の詳細は明らかではないが、反応性プラズマ中のハロゲン原子が、磁性層２の表面に形成している異物をエッチングし、これにより磁性層２の表面が清浄化し、磁性層２の反応性が高まることが考えられる。また、清浄化した磁性層２の表面とハロゲン原子とが高い効率で反応することが考えられる。

また、本発明では、磁性層２の表層の一部を除去し、その後に、表面を反応性プラズマや反応性イオンに晒して磁性層２の磁気特性を改質させた方が、磁性層２の一部を除去しなかった場合に比べ、磁気記録領域のコントラストがより鮮明になり、また磁気記録媒体のＳ／Ｎが向上した。
この理由としては、磁性層２の表層の一部を除去することにより、その表面の清浄化・活性化が図られ、反応性プラズマや反応性イオンとの反応性が高まったこと、また磁性層２の表層に空孔等の欠陥が導入され、その欠陥を通じて磁性層２に反応性イオンが侵入しやすくなったことが考えられる。

次に、図９に示すように、改質された磁性層２の境界領域６及びレジスト層４の表面に、Ｃｒ又はＴｉを主として含むバリア層８を形成する（以下、工程Ｈという。）。
バリア層８は、Ｃｒ又はＴｉを主として含む材料として、ＣｒやＴｉの他に、例えばＣｒＭｏや、ＣｒＷ、ＣｒＣｏ、ＣｒＴｉ、ＴｉＮ、ＴｉＣｏなどのＣｒ又はＴｉを主として含む合金を用いることができる。なお、Ｃｒ又はＴｉを主として含む合金とは、その原子比率の第一の構成元素がＣｒ又はＴｉであることを意味する。ＣｒやＴｉは、耐食性が高く、また結晶構造が緻密であるため大気中の水分や酸素の拡散を遮断するのに適した材料である。また、バリア層８の形成方法としては、スパッタ法等を用いることができる。

バリア層８の層厚は、０．３〜５ｎｍの範囲にあることが好ましい。バリア層８の層厚を上記範囲とすることにより、大気中の水分や酸素の磁性層への拡散を遮断することが可能となり、また、磁気記録媒体の表面を平滑な面とすることが可能となる。

次に、図１０に示すように、レジスト層４及びマスク層３を除去する（以下、工程Ｊという。）この工程Ｊでは、レジスト層４及びマスク層３を除去すると同時に、レジスト層４の上のバリア層８もリフトオフにより除去される。また、レジスト層４及びマスク層３の除去には、ドライエッチングや、反応性イオンエッチング、イオンミリング、湿式エッチングなどを用いることができる。

また、磁気記録領域７の表面に形成されたバリア層８を除去する際は、この磁気記録領域７の表面に対して斜めの方向からイオンビームを照射する方法を採用することができる。これは、図１２に示すように、磁気記録領域７の表面に対して斜めの方向からイオンビームＢを照射することにより、境界領域（凹部）６を有する磁性層２の表面で磁気録領域（凸部）７に形成したバリア層８を選択的にエッチングして、境界領域（凹部）６にのみバリア層８を埋め込み形成する方法である。

レジスト層４及びマスク層３を除去した後は、上記工程Ｆ、Ｇ、Ｈで活性化した磁性層２に不活性ガスを照射する工程を設けることが好ましい。このような工程を設けることにより、磁性層２が安定化し、高温多湿環境下においても磁性粒子のマイグレーション等の発生が抑制される。なお、この理由については明らかではないものの、磁性層２の表面に不活性元素が侵入することにより磁性粒子の移動が抑制されること、或いは不活性ガスの照射により、磁性層２の活性な表面が除去され、磁性粒子のマイグレーション等が抑制されることなどが考えられる。

不活性ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅからなる群から選ばれた何れか１種以上のガスを用いることが好ましい。これらの元素は安定であり、磁性粒子のマイグレーション等の抑制効果が高いからである。また、不活性ガスの照射には、イオンガン、ＩＣＰ，ＲＩＥからなる群から選ばれた何れかの方法を用いることが好ましい。この中で特に、照射量の多さの点で、ＩＣＰやＲＩＥを用いることが好ましい。

次に、図１１に示すように、磁性層２及びバリア層８の表面を覆うカーボン保護層９を形成する（以下、工程Ｋという。）カーボン保護層９には、特にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）薄膜をＣＶＤ法を用いて成膜することが好ましい。本発明に用いるＣＶＤ法及びＣＶＤ成膜装置は公知であるが、磁性層２の磁気記録領域７上におけるカーボン保護層９の層厚を境界領域６上における層厚より厚くするため、例えば以下のようなＣＶＤ成膜装置を用いることが好ましい。

すなわち、ＣＶＤ成膜装置については、ディスクを収容するチャンバと、チャンバの両側壁内面に相対向するように設置された電極と、これら電極に高周波電力を供給する高周波電源と、チャンバ内のディスクに接続可能なバイアス電源と、ディスク上に形成するべきカーボン保護層９の原料となる反応ガスの供給源とを備えたものとする。

チャンバには、反応ガスをチャンバ内に導入する導入管と、チャンバ内のガスを系外に排出する排気管を接続する。排気管には、排気量調節バルブを設け、排気量を調節することによって、チャンバの内圧を任意の値に設定することができるようにする。
高周波電源としては、カーボン保護層９の成膜時に電極に５０〜２０００Ｗの電力を供給することができるものを用いることが好ましい。
バイアス電源としては、磁気記録領域７の凸部にプラズマを集中させ、凸部のラジカル密度を高め、凸部の成膜速度を高めるために、高周波電源又はパルス直流電源を用いることが好ましい。
高周波電源としては、１０〜３００Ｗの高周波電力をディスクに印加できるものが好ましい。また、パルス直流電源としては、パルス幅は１０〜５００００ｎｓ、周波数は１０ｋＨｚ〜１ＧＨｚの範囲内で、−４００〜−１０Ｖの電圧（平均電圧）をディスクに印加することが可能なものを用いることが好ましい。

その後、カーボン保護層９の上には、潤滑層を形成することが好ましい。潤滑層に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等を挙げることができ、通常１〜４ｎｍの厚さで潤滑層を形成する。

以上のような製造工程を経ることにより作製された磁気録媒体では、磁気層２の境界領域６の磁気特性を低下させる、例えば保磁力や残留磁化を極限まで低減させることによって、磁気記録の際の書き滲みを無くして、高い面記録密度を得ることが可能である。そして、本発明によれば、そのような磁気記録媒体を簡便な製造プロセスにより製造することが可能である。

（磁気記録再生装置）
次に、本発明を適用した磁気記録再生装置（ＨＤＤ）の一構成例を図１３に示す。
本発明を適用した磁気記録再生装置は、図１３に示すように、上記本発明を適用した磁気ディスク（磁気記録媒体）３１と、この磁気ディスク３１を回転駆動する回転駆動部（磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部）３２と、磁気ディスク３１に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド３３と、磁気ヘッド３３を磁気ディスク３１の径方向に移動させるヘッド駆動部（磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動手段）３４と、磁気ヘッド３３への信号入力と磁気ヘッド３３から出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系（記録再生信号処理手段）３５とを備えている。

この磁気記録再生装置では、上記本発明を適用した磁気記録媒体を用いることで記録密度の高い磁気記録再生装置を構成することが可能となる。また、磁気記録媒体の記録トラックを磁気的に不連続に加工したことによって、従来はトラックエッジ部の磁化遷移領域の影響を排除するために再生ヘッド幅を記録ヘッド幅よりも狭くして対応していたものを、両者をほぼ同じ幅にして動作させることができる。これにより十分な再生出力と高いＳＮＲを得ることができるようになる。

さらに、磁気ヘッド３３の再生部をＧＭＲヘッド又はＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記録再生装置を実現することができる。またこの磁気ヘッド３３の浮上量を０．００５μｍ〜０．０２０μｍの範囲内とし、従来より低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置ＳＮＲが得られ、大容量で高信頼性の磁気記録再生装置を提供することができる。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度１００ｋトラック／インチ以上、線記録密度１０００ｋビット／インチ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳＮＲが得られる。

以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。

（実施例１）
実施例１では、ＨＤ用ガラス基板をセットした真空チャンバを予め１．０×１０^−５Ｐａ以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板はＬｉ_２Ｓｉ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３−Ｋ_２Ｏ、Ａｌ_２Ｏ_３−Ｋ_２Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ_２Ｏ_５、Ｓｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）は２オングストロームである。

このガラス基板にＤＣスパッタリング法を用いて、軟磁性層として６５Ｆｅ−３０Ｃｏ−５Ｂ、中間層としてＲｕ、磁性層として、グラニュラ構造の垂直配向の磁性層を形成した。磁性層の合金組成は、Ｃｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−８（ＳｉＯ_２）（これらはモル比。）とし、膜厚は１５０Åとした。他の層の膜厚は、ＦｅＣｏＢ軟磁性層は６００Å、Ｒｕ中間層は１００Åとした。その上に、スパッタ法を用いてマスク層を形成した、マスク層にはＴａを用いて膜厚は６０ｎｍとした。その上に、レジストをスピンコート法により塗布した。レジストには、紫外線硬化樹脂であるノボラック系樹脂を用いた。また膜厚は１００ｎｍとした。

その上に、磁気記録領域のネガパターンを有するガラス製のスタンプを用いて、スタンプを１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ^２）の圧力で、レジスト層に押圧した。その状態で、波長２５０ｎｍの紫外線を、紫外線の透過率が９５％以上であるガラス製のスタンプの上部から１０秒間照射し、レジストを硬化させた。その後、スタンプをレジスト層から分離し、磁気記録領域を転写した。レジスト層に転写した磁気記録領域は、レジストの凸部が幅１２０ｎｍの円周状、レジストの凹部が幅６０ｎｍの円周状であり、レジスト層の層厚は８０ｎｍ、レジスト層の凹部の厚さは 約５ｎｍであった。また、レジスト層凹部の基板面に対する角度は、ほぼ９０度であった。

その後、レジスト層の凹部の箇所、及びその下のＴａ層をドライエッチングで除去した。ドライエッチング条件は、レジスト層のエッチングに関しては、Ｏ_２ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ、高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間１０秒とし、Ｔａ層のエッチングに関しては、ＣＦ_４ガスを５０ｓｃｃｍ、圧力０．６Ｐａ、高周波プラズマ電力５００Ｗ、ＤＣバイアス６０Ｗ、エッチング時間３０秒とした。

その後、磁性層でマスク層に覆われていな箇所について、その表面をイオンミリングにより除去した。イオンミリングにより除去した深さは、４ｎｍとした。イオンミリングにはＡｒイオンを用いた。イオンミリングの条件は、高周波放電力８００Ｗ、加速電圧５００Ｖ、圧力０．０１４Ｐａ、Ａｒ流量５ｓｃｃｍ、電流密度０．４ｍＡ／ｃｍ^２とした。イオンミリングを施した表面を反応性プラズマにさらし、その箇所の磁性層について磁気特性の改質を行った。磁性層の反応性プラズマ処理は、アルバック社の誘導結合プラズマ装置ＮＥ５５０を用いた。プラズマの発生に用いるガスおよび条件としては、ＣＦ_４を９０ｃｃ／分を用い、プラズマ発生のための投入電力は２００Ｗ、装置内の圧力は０．５Ｐａとし、磁性層を３００秒間処理した。その後、ＣＦ4を酸素ガスに変え、磁性層を５０秒間処理した。磁性層では、磁気特性の改質を行った表面にバリア層としてＣｒを４ｎｍの厚さで成膜した。

その後、レジスト層及びマスク層をドライエッチングにより除去した。ドライエッチングの条件は、ＳＦ_６ガスを１００ｓｃｃｍ、圧力２．０Ｐａ、高周波プラズマ電力４００Ｗ、処理時間、３００秒とした。その後、磁性層の表面にアルゴンイオン注入を行った。アルゴンイオン注入の条件は、アルゴンガス５ｓｃｃｍ、圧力０．０１４Ｐａ、加速電圧３００Ｖ、電流密度 ０．４ｍＡ／ｃｍ^２、処理時間１０秒とした。レジスト層及びマスク層をドライエッチングにより除去した。

その表面にＣＶＤ法にてカーボン（ＤＬＣ：ダイヤモンドライクカーボン）保護層を形成した。カーボン保護層の成膜にはＲＦプラズマＣＶＤ装置を用い、印加電力は、１３．５６ＭＨｚで５００Ｗ、成膜時間は１０秒とした。なお、カーボン保護層の成膜に際して、基板に、−１５０Ｖ、パルス幅２００ｎｍ、周波数２００ｋＨｚの直流パルス電圧を印可した。その後、潤滑剤として、Ｚ−ｄｏｌ ２０００を２０オングストローム塗布して磁気記録媒体を製造した。

以上のように作製された磁気記録媒体の耐環境性評価を実施した。
評価は、磁気記録媒体を温度８０℃、湿度８５％の大気環境下に９６時間保持し、その後、磁気記録媒体の表面に生ずる５ミクロンφ以上のコロージョンスポットの数をカウントすることにより行った。

また、この磁気記録媒体の表面に３％の硝酸水溶液を５箇所（１００マイクロリットル／箇所）、純水を５箇所（１００マイクロリットル／箇所）ずつ滴下し、１時間静置後これを回収し、この中に含まれるＣｏ量をＩＣＰ−ＭＳで測定した。なお、ＩＣＰ−ＭＳでの測定は、Ｙを２００ｐｐｔ含んだ３％硝酸１ミリリットルを基準液とした。その結果、コロージョンスポットは１個／面、コバルトの抽出量は０．１２マイクロｇ／面であった。

（実施例２）
実施例２では、バリア層としてＴｉを成膜した以外は、実施例１と同様の条件で磁気記録媒体を製造した。そして、この実施例２の磁気記録媒体について、耐環境性評価を実施したところ、コロージョンスポットは１個／面、コバルトの抽出量は０．４１マイクロｇ／面であった。

（比較例１）
比較例１では、バリア層を設けなかった以外は、実施例１と同様の条件で磁気記録媒体を製造した。そして、この比較例１の磁気記録媒体について、耐環境性評価を実施したところ、コロージョンスポットは１９個／面、コバルトの抽出量は０．３９マイクロｇ／面であった。

本発明によれば、高記録密度であり、磁気記録領域の耐食性、特に耐環境性が高く、したがって耐久性に優れた磁気記録媒体を、高い生産性で提供することが可能となり産業上の利用可能性が高い。

図１は、本発明を適用した磁気記録媒体の磁性層を説明するための断面図である。 図２は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ａを示す断面図である。 図３は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ｂを示す断面図である。 図４は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ｃを示す断面図である。 図５は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ｄを示す断面図である。 図６は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ｅを示す断面図である。 図７は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ｆを示す断面図である。 図８は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ｇを示す断面図である。 図９は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ｈを示す断面図である。 図１０は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ｉを示す断面図である。 図１１は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造工程を説明するための図であり、工程Ｊを示す断面図である。 図１２は、バリア層を除去する工程を示す断面図である。 図１３は、本発明を適用した磁気記録再生装置の一構成例を斜視図である。

符号の説明

１…非磁性基板 ２…磁性層 ３…マスク層 ４…レジスト層 ５…スタンプ ６…境界領域（凹部） ７…磁気記録領域（凸部） ８…バリア層 ９…カーボン保護層
３１…磁気ディスク（磁気記録媒体） ３２…回転駆動部（媒体駆動部） ３３…磁気ヘッド ３４…ヘッド駆動部（ヘッド移動手段） ３５…記録再生信号処理系（記録再生信号処理手段）
１００…磁性層 １０１…凸部 １０２…凹部 １０３…カーボン保護層 Ｍ…磁気記録領域 Ｓ…境界領域

Claims (11)

1. 基板の上に、少なくとも磁性層と、前記磁性層を覆うカーボン保護層とを備え、
   前記磁性層の表面には、磁気記録領域である凸部と、前記磁気記録領域を分離する境界領域である凹部とが設けられ、
   前記境界領域である凹部と前記カーボン保護層との間には、Ｃｒ又はＴｉを主として含むバリア層が設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記境界領域は、前記磁性層の一部を改質することにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記カーボン保護層の前記磁気記録領域上における層厚が前記境界領域上における層厚に比べて厚いことを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記バリア層の層厚が０．３〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の磁気記録媒体。
5. 基板の上に磁性層を形成する工程と、
   前記磁性層の表面に磁気記録領域を分離する境界領域である凹部を形成する工程と、
   前記凹部にＣｒ又はＴｉを主として含むバリア層を形成する工程と、
   前記磁性層及び前記バリア層を覆うカーボン保護層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
6. 前記磁性層を形成した後に、
   前記磁性層の上にマスク層を形成する工程と、
   前記マスク層の上にレジスト層を形成する工程と、
   前記レジスト層の前記境界領域に対応する位置に凹部を形成する工程と、
   前記凹部に対応する部分のマスク層を除去する工程と、
   前記マスク層を除去した箇所の前記磁性層の露出した表面を反応性プラズマ又は反応性イオンに晒して、当該箇所の磁性層を改質する工程とを経ることによって、
   前記磁性層の表面に前記境界領域である凹部を形成することを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
7. 前記レジスト層に凹部を形成する際に、前記レジスト層にスタンプを押し付けた状態で放射線を照射し、当該レジスト層に前記スタンプの形状を転写することを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
8. 前記マスク層を除去した箇所の前記磁性層の一部をイオンミリングにより除去することを特徴とする請求項６又は７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
9. 前記磁性層の表面に前記境界領域である凹部を形成した後に、
   前記磁性層の表面及び前記レジスト層の上にバリア層を形成する工程と、
   前記レジスト層及びマスク層を除去すると共に、前記レジスト層上の前記バリア層をリフトオフにより除去する工程とを経ることによって、
   前記境界領域である凹部に前記バリア層を埋め込み形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. 前記磁性層の磁気記録領域上に形成されたバリア層を選択的に除去する際に、前記磁気記録領域の表面に対して斜めの方向からイオンビームを照射することを特徴とする請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
11. 請求項１〜４の何れか一項に記載の磁気記録媒体と、
    前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
    前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
    前記磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動手段と、
    前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理手段とを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。

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