JP2000207728A - コバルト移動バリアとしてＣｒＮ薄膜を有する磁気ディスク - Google Patents
コバルト移動バリアとしてＣｒＮ薄膜を有する磁気ディスクInfo
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- JP2000207728A JP2000207728A JP11003239A JP323999A JP2000207728A JP 2000207728 A JP2000207728 A JP 2000207728A JP 11003239 A JP11003239 A JP 11003239A JP 323999 A JP323999 A JP 323999A JP 2000207728 A JP2000207728 A JP 2000207728A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コバルト原子が磁気ヘッドによりピックアッ
プされるという問題を解決したコバルトに基づく磁気記
録媒体を提供する。 【解決手段】 （ａ）基板と；（ｂ）下層と；（ｃ）コ
バルトに基づく磁気記録層と；（ｄ）コバルトバリア層
とからなり、該コバルトバリア層はアルゴン（Ａｒ）と
窒素（Ｎ2 ）をＡｒ／Ｎ2 比が１００／０から１５／８
５の間、好ましくは８５／１５から５５／４５の間で含
むスパッタリング環境下で該磁気記録層にクロムを含む
層をスパッタリングすることにより形成される。
プされるという問題を解決したコバルトに基づく磁気記
録媒体を提供する。 【解決手段】 （ａ）基板と；（ｂ）下層と；（ｃ）コ
バルトに基づく磁気記録層と；（ｄ）コバルトバリア層
とからなり、該コバルトバリア層はアルゴン（Ａｒ）と
窒素（Ｎ2 ）をＡｒ／Ｎ2 比が１００／０から１５／８
５の間、好ましくは８５／１５から５５／４５の間で含
むスパッタリング環境下で該磁気記録層にクロムを含む
層をスパッタリングすることにより形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はデジタル情報を記憶
するコンピュータで用いられる磁気ディスクに関し、よ
り詳細にはコバルトに基づく磁性層及びダイアモンド類
似炭素の保護オーバーコートを含む磁気ディスクに関す
る。本発明はダイアモンド類似炭素オーバーコートを通
して磁性層からディスク表面へ移動するコバルト原子の
量を最小化し、それによりコンピュータディスクドライ
ブの読み出し書き込みヘッドの繰り返しの使用にわたり
保全し、斯くしてディスクの読み出し書き込み動作の精
度を向上させる。
するコンピュータで用いられる磁気ディスクに関し、よ
り詳細にはコバルトに基づく磁性層及びダイアモンド類
似炭素の保護オーバーコートを含む磁気ディスクに関す
る。本発明はダイアモンド類似炭素オーバーコートを通
して磁性層からディスク表面へ移動するコバルト原子の
量を最小化し、それによりコンピュータディスクドライ
ブの読み出し書き込みヘッドの繰り返しの使用にわたり
保全し、斯くしてディスクの読み出し書き込み動作の精
度を向上させる。
【０００２】
【従来の技術】コバルト合金に基づく薄膜磁気記録媒体
はコンピュータでの読み出し書き込み用に産業上での使
用が増加してきている。薄膜磁気記録媒体は磁性薄膜を
スパッタリングすることにより典型的に調製され、又は
典型的にはテクスチャー化されたアルミニウム又はＮｉ
Ｐ基板である基板上のいわゆる磁気記録層によりなる。
クロム又はクロム合金に基づく下層は典型的にはコバル
ト合金に基づく磁性層とアルミニウム又はＮｉＰ基板と
の間にサンドイッチされて設けられる。コバルト合金に
基づく磁性層がクロムの下層上にスパッタリングされた
後に、典型的にはカーボンオーバーコートからなる保護
オーバーコート層がスパッタリングにより磁性層上に塗
布される。
はコンピュータでの読み出し書き込み用に産業上での使
用が増加してきている。薄膜磁気記録媒体は磁性薄膜を
スパッタリングすることにより典型的に調製され、又は
典型的にはテクスチャー化されたアルミニウム又はＮｉ
Ｐ基板である基板上のいわゆる磁気記録層によりなる。
クロム又はクロム合金に基づく下層は典型的にはコバル
ト合金に基づく磁性層とアルミニウム又はＮｉＰ基板と
の間にサンドイッチされて設けられる。コバルト合金に
基づく磁性層がクロムの下層上にスパッタリングされた
後に、典型的にはカーボンオーバーコートからなる保護
オーバーコート層がスパッタリングにより磁性層上に塗
布される。
【０００３】多数のコバルト合金に基づく合金が薄膜磁
気記録媒体を調製するための磁気記録膜材料として開発
され、用いられてきた。例えば米国特許第４８８８５１
４号はクロムの下層上にスパッタリングされたコバルト
ニッケル磁気記録層を含む薄膜磁気記録ディスクを開示
する。他のコバルトニッケル及びコバルトニッケルクロ
ム合金に基づく磁性層が開発されてきた。それらは例え
ば米国特許第４８３３０４４、４８１６１２７、４７３
５８４０号である。米国特許第５０４９４５１号は７０
から８０原子パーセントのコバルト、１０から２０原子
パーセントのクロム、３から２０原子パーセントの白
金、２から１０原子パーセントのタンタルを含む４つの
成分のコバルト合金に基づく磁性層を開示する。
気記録媒体を調製するための磁気記録膜材料として開発
され、用いられてきた。例えば米国特許第４８８８５１
４号はクロムの下層上にスパッタリングされたコバルト
ニッケル磁気記録層を含む薄膜磁気記録ディスクを開示
する。他のコバルトニッケル及びコバルトニッケルクロ
ム合金に基づく磁性層が開発されてきた。それらは例え
ば米国特許第４８３３０４４、４８１６１２７、４７３
５８４０号である。米国特許第５０４９４５１号は７０
から８０原子パーセントのコバルト、１０から２０原子
パーセントのクロム、３から２０原子パーセントの白
金、２から１０原子パーセントのタンタルを含む４つの
成分のコバルト合金に基づく磁性層を開示する。
【０００４】磁気記録ディスクがディスクドライブ内で
回転する読み出し書き込み動作中に、スライダー上の磁
気ヘッドは空気のクッション上に乗り又は滑走するよう
にされ、これはディスクの表面に関して所定の高さにあ
り、通常空気軸受と称される。ハードディスクの密度が
増加され続ける故に、空気軸受の高さ又はいわゆる「滑
走高さ」はいっそう低くなるようにされてきた。コバル
トに基づく磁気ディスクでの一つの問題はコバルト原子
がディスク表面に移動し、磁気ヘッドによりピックアッ
プされることである。これはデータ転送での誤りを引き
起こし、読み出し書き込み動作の健全性に悪影響を及ぼ
す。
回転する読み出し書き込み動作中に、スライダー上の磁
気ヘッドは空気のクッション上に乗り又は滑走するよう
にされ、これはディスクの表面に関して所定の高さにあ
り、通常空気軸受と称される。ハードディスクの密度が
増加され続ける故に、空気軸受の高さ又はいわゆる「滑
走高さ」はいっそう低くなるようにされてきた。コバル
トに基づく磁気ディスクでの一つの問題はコバルト原子
がディスク表面に移動し、磁気ヘッドによりピックアッ
プされることである。これはデータ転送での誤りを引き
起こし、読み出し書き込み動作の健全性に悪影響を及ぼ
す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はダイア
モンド類似炭素オーバーコートを通して磁性層からディ
スク表面へ達するコバルト原子の移動を実質的に減少し
た磁気ディスクを提供することにある。より詳細には本
発明の第一の目的はコバルトに基づく磁性層からディス
ク表面へ移動するコバルト原子の量を最小化したコバル
トに基づくコンピュータハードディスクを提供すること
にある。
モンド類似炭素オーバーコートを通して磁性層からディ
スク表面へ達するコバルト原子の移動を実質的に減少し
た磁気ディスクを提供することにある。より詳細には本
発明の第一の目的はコバルトに基づく磁性層からディス
ク表面へ移動するコバルト原子の量を最小化したコバル
トに基づくコンピュータハードディスクを提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の改善された磁気
ディスクはコンピュータ産業で経験されている移動した
コバルト原子が磁気ヘッドによりピックアップされ、そ
のために読み取り及び／又は書き込み動作での誤りを生
じさせるという重要な問題を解決する。この問題は磁気
ヘッドの滑走高さが非常に高い密度のコンピュータハー
ドディスクの増加を収容するために実質的に減少される
ときにより顕著となる。
ディスクはコンピュータ産業で経験されている移動した
コバルト原子が磁気ヘッドによりピックアップされ、そ
のために読み取り及び／又は書き込み動作での誤りを生
じさせるという重要な問題を解決する。この問題は磁気
ヘッドの滑走高さが非常に高い密度のコンピュータハー
ドディスクの増加を収容するために実質的に減少される
ときにより顕著となる。
【０００７】本発明によればＣｒＮ層がコバルトに基づ
く層とダイアモンド類似炭素オーバーコートとの間にス
パッタリングされたときにコバルト原子の外への移動の
程度を５０％以上減少させるという予期し得ない優れた
結果が得られた。磁気ヘッドによるコバルト原子とディ
スク表面上のコバルト原子の量との間の初期の高度に非
線形の関係が存在する（コバルト原子の数が磁気ヘッド
によりピックアップされる前に、ある閾値を越えなけれ
ばならない）故に、本発明は磁気ヘッドによりピックア
ップされるコバルト原子の量を大幅に減少又は除去しさ
えする。ＣｒＮ層がより適切にはＣｒＮx 層と記載さ
れ、ここでｘはスパッタリングの後のＣｒ及びＮ原子の
価数の組合せが常に存在するという事実を反映する整数
と分数の組合せである。しかしながらこれは当業者に良
く知られていることであるがＣｒＮという名称が混乱を
導くことなくこの明細書及び請求項で用いられる。
く層とダイアモンド類似炭素オーバーコートとの間にス
パッタリングされたときにコバルト原子の外への移動の
程度を５０％以上減少させるという予期し得ない優れた
結果が得られた。磁気ヘッドによるコバルト原子とディ
スク表面上のコバルト原子の量との間の初期の高度に非
線形の関係が存在する（コバルト原子の数が磁気ヘッド
によりピックアップされる前に、ある閾値を越えなけれ
ばならない）故に、本発明は磁気ヘッドによりピックア
ップされるコバルト原子の量を大幅に減少又は除去しさ
えする。ＣｒＮ層がより適切にはＣｒＮx 層と記載さ
れ、ここでｘはスパッタリングの後のＣｒ及びＮ原子の
価数の組合せが常に存在するという事実を反映する整数
と分数の組合せである。しかしながらこれは当業者に良
く知られていることであるがＣｒＮという名称が混乱を
導くことなくこの明細書及び請求項で用いられる。
【０００８】好ましい実施例ではＣｒＮ層はＡｒ／Ｎ２
環境下でスパッタされた。ＡｒとＮ２の分子比は１００
／０から１５／８５の間であり、好ましくは８５／１５
及び５５／４５の間である。ＣｒＮ層の厚さは１００か
ら１２０オングストロームの厚さのダイアモンド類似炭
素を有する磁気ディスクに対して１０から５０オングス
トロームの間である。しかしながら適切なスパッタリン
グ条件下で、２０オングストロームのＣｒＮ層は要求さ
れる効果を提供することが判明している。
環境下でスパッタされた。ＡｒとＮ２の分子比は１００
／０から１５／８５の間であり、好ましくは８５／１５
及び５５／４５の間である。ＣｒＮ層の厚さは１００か
ら１２０オングストロームの厚さのダイアモンド類似炭
素を有する磁気ディスクに対して１０から５０オングス
トロームの間である。しかしながら適切なスパッタリン
グ条件下で、２０オングストロームのＣｒＮ層は要求さ
れる効果を提供することが判明している。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は以下に好ましい実施例を
示す図面を参照して詳細に説明される。本発明はコバル
トに基づく磁性層からディスク表面へ移動するコバルト
原子の量を最小化し、斯くしてハードディスクドライブ
の磁気ヘッドによりピックアップされるコバルト原子を
最小化又は除去された改善されたコバルトに基づくコン
ピュータハードディスクを開示する。
示す図面を参照して詳細に説明される。本発明はコバル
トに基づく磁性層からディスク表面へ移動するコバルト
原子の量を最小化し、斯くしてハードディスクドライブ
の磁気ヘッドによりピックアップされるコバルト原子を
最小化又は除去された改善されたコバルトに基づくコン
ピュータハードディスクを開示する。
【００１０】上記のように本発明の発明者は保護ダイア
モンド類似炭素オーバーコートによりシールドされてい
るがコバルトに基づく磁性層のコバルト原子はダイアモ
ンド類似炭素オーバーコートを通して移動し、ディスク
表面に到達することを発見した。これが発生したときに
外に移動したコバルト原子はディスクドライブが動作中
に磁気ヘッドによりピックアップされ、斯くして読み出
し及び／又は書き込み動作で誤作動を生ずる。この問題
は磁気ヘッドの滑走高さが非常に高い密度のコンピュー
タハードディスクの増加を収容するために実質的に減少
されるときにより顕著となる。
モンド類似炭素オーバーコートによりシールドされてい
るがコバルトに基づく磁性層のコバルト原子はダイアモ
ンド類似炭素オーバーコートを通して移動し、ディスク
表面に到達することを発見した。これが発生したときに
外に移動したコバルト原子はディスクドライブが動作中
に磁気ヘッドによりピックアップされ、斯くして読み出
し及び／又は書き込み動作で誤作動を生ずる。この問題
は磁気ヘッドの滑走高さが非常に高い密度のコンピュー
タハードディスクの増加を収容するために実質的に減少
されるときにより顕著となる。
【００１１】また上記のようにＣｒＮ層がコバルトに基
づく層とダイアモンド類似炭素オーバーコートとの間に
スパッタリングされたときにコバルト原子の外への移動
の程度を５０％以上減少させるという予期し得ない優れ
た結果が得られた。磁気ヘッドによるコバルト原子とデ
ィスク表面上のコバルト原子の量との間の初期の高度に
非線形の関係が存在する（コバルト原子の数が磁気ヘッ
ドによりピックアップされる前に、ある閾値を越えなけ
ればならない）故に、本発明は磁気ヘッドによりピック
アップされるコバルト原子の量を大幅に減少又は除去し
さえする。上記のようにＣｒＮ層は種々の価数を有する
クロムと窒素原子の混合体を含む。
づく層とダイアモンド類似炭素オーバーコートとの間に
スパッタリングされたときにコバルト原子の外への移動
の程度を５０％以上減少させるという予期し得ない優れ
た結果が得られた。磁気ヘッドによるコバルト原子とデ
ィスク表面上のコバルト原子の量との間の初期の高度に
非線形の関係が存在する（コバルト原子の数が磁気ヘッ
ドによりピックアップされる前に、ある閾値を越えなけ
ればならない）故に、本発明は磁気ヘッドによりピック
アップされるコバルト原子の量を大幅に減少又は除去し
さえする。上記のようにＣｒＮ層は種々の価数を有する
クロムと窒素原子の混合体を含む。
【００１２】図１は本発明で開示される多層薄膜磁性媒
体の断面図である。磁性媒体は基板１と、その上に堆積
されたスパッタであるクロムの下層２と、クロム層上に
スパッタリングにより堆積されたコバルトに基づく四成
分磁気記録層３と、磁気記録層上の保護オーバーコート
４とからなる。ＣｒＮ層５はコバルトに基づく四成分磁
気記録層３とダイアモンド類似炭素オーバーコート４と
の間にサンドイッチされる。コバルトに基づく四成分磁
気記録は同時係属出願０８／９６４５２３に開示されて
おり、約６６から７８原子パーセントのコバルト（Ｃ
ｏ）、約１２から１６原子パーセントのクロム（Ｃ
ｒ）、約６から１０原子パーセントのニッケル（Ｎ
ｉ）、約４から８原子パーセントのタンタル（Ｔａ）を
含み、その内容をここに参考として引用する。本発明の
好ましい実施例ではコバルトに基づく四成分磁気記録は
７２原子パーセントのコバルト（Ｃｏ）、１４原子パー
セントのクロム（Ｃｒ）、８原子パーセントのニッケル
（Ｎｉ）、６原子パーセントのタンタル（Ｔａ）を含
み、ＣｏＣｒＮｉＴａ（７２／１４／８／６）で示され
る。
体の断面図である。磁性媒体は基板１と、その上に堆積
されたスパッタであるクロムの下層２と、クロム層上に
スパッタリングにより堆積されたコバルトに基づく四成
分磁気記録層３と、磁気記録層上の保護オーバーコート
４とからなる。ＣｒＮ層５はコバルトに基づく四成分磁
気記録層３とダイアモンド類似炭素オーバーコート４と
の間にサンドイッチされる。コバルトに基づく四成分磁
気記録は同時係属出願０８／９６４５２３に開示されて
おり、約６６から７８原子パーセントのコバルト（Ｃ
ｏ）、約１２から１６原子パーセントのクロム（Ｃ
ｒ）、約６から１０原子パーセントのニッケル（Ｎ
ｉ）、約４から８原子パーセントのタンタル（Ｔａ）を
含み、その内容をここに参考として引用する。本発明の
好ましい実施例ではコバルトに基づく四成分磁気記録は
７２原子パーセントのコバルト（Ｃｏ）、１４原子パー
セントのクロム（Ｃｒ）、８原子パーセントのニッケル
（Ｎｉ）、６原子パーセントのタンタル（Ｔａ）を含
み、ＣｏＣｒＮｉＴａ（７２／１４／８／６）で示され
る。
【００１３】本発明の好ましい実施例では磁気記録層は
約１２０から２５０オングストロームの厚さを有する。
磁気記録層はクロム又はクロム合金に基づく下層に堆積
される（以下にクロム層と称する）。クロム下層は好ま
しくや約３００から７００オングストロームの厚さを有
する。好ましい実施例ではクロム下層は約５００オング
ストロームの厚さを有する。アルミニウム又はＮｉＰ基
板上にスパッタ堆積される下層の厚さはスパッタ圧、タ
ーゲットパワー、電圧、堆積時間などのような多数のス
パッタリングパラメータにより制御可能である。また好
ましくはダイアモンド類似炭素オーバーコートは１２０
オングストローム以下の厚さを有し、ＣｒＮ層は約１０
から５０オングストロームの厚さを有する。
約１２０から２５０オングストロームの厚さを有する。
磁気記録層はクロム又はクロム合金に基づく下層に堆積
される（以下にクロム層と称する）。クロム下層は好ま
しくや約３００から７００オングストロームの厚さを有
する。好ましい実施例ではクロム下層は約５００オング
ストロームの厚さを有する。アルミニウム又はＮｉＰ基
板上にスパッタ堆積される下層の厚さはスパッタ圧、タ
ーゲットパワー、電圧、堆積時間などのような多数のス
パッタリングパラメータにより制御可能である。また好
ましくはダイアモンド類似炭素オーバーコートは１２０
オングストローム以下の厚さを有し、ＣｒＮ層は約１０
から５０オングストロームの厚さを有する。
【００１４】ＣｒＮ層の組成はスパッタリング環境下で
Ａｒ／Ｎ２の比を変更することにより変更可能である。
ＡｒとＮ２の分子比は１００／０から１５／８５の間で
あり、好ましくは８５／１５及び５５／４５の間であ
る。ＣｒＮ層の厚さは１００から１２０オングストロー
ムの厚さのダイアモンド類似炭素を有する磁気ディスク
に対して１０から５０オングストロームの間である。し
かしながら適切なスパッタリング条件下で、２０オング
ストロームのＣｒＮ層は要求される効果を提供すること
が判明している。
Ａｒ／Ｎ２の比を変更することにより変更可能である。
ＡｒとＮ２の分子比は１００／０から１５／８５の間で
あり、好ましくは８５／１５及び５５／４５の間であ
る。ＣｒＮ層の厚さは１００から１２０オングストロー
ムの厚さのダイアモンド類似炭素を有する磁気ディスク
に対して１０から５０オングストロームの間である。し
かしながら適切なスパッタリング条件下で、２０オング
ストロームのＣｒＮ層は要求される効果を提供すること
が判明している。
【００１５】本発明は以下の例を参照してより詳細に説
明される。本発明の好ましい実施例を含む例の以下の記
載は例示の目的で示すものであり、開示された正確な形
に制限することを意図するものではない。
明される。本発明の好ましい実施例を含む例の以下の記
載は例示の目的で示すものであり、開示された正確な形
に制限することを意図するものではない。
【００１６】
【実施例】例１Ａ−１Ｂ 図１に示されるように磁性媒体は基板１と、その上に堆
積されたスパッタであるクロムの下層２と、クロム層上
にスパッタリングにより堆積されたコバルトに基づく四
成分磁気記録層３と、四成分記録層３上のＣｒＮ層５
と、ＣｒＮ層５の上にスパッタされた典型的にはダイア
モンド類似炭素（ＤＬＣ）オーバーコートである保護オ
ーバーコート４とからなる。四成分磁気記録は７２原子
パーセントのコバルト（Ｃｏ）、１４原子パーセントの
クロム（Ｃｒ）、８原子パーセントのニッケル（Ｎ
ｉ）、６原子パーセントのタンタル（Ｔａ）を含み、Ｃ
ｏＣｒＮｉＴａ（７２／１４／８／６）で示される。ク
ロム下層２は約５００オングストロームの厚さを有す
る。下層の厚さはスパッタ圧、ターゲットパワー、電
圧、堆積時間などのような多数のスパッタリングパラメ
ータにより制御可能である。
積されたスパッタであるクロムの下層２と、クロム層上
にスパッタリングにより堆積されたコバルトに基づく四
成分磁気記録層３と、四成分記録層３上のＣｒＮ層５
と、ＣｒＮ層５の上にスパッタされた典型的にはダイア
モンド類似炭素（ＤＬＣ）オーバーコートである保護オ
ーバーコート４とからなる。四成分磁気記録は７２原子
パーセントのコバルト（Ｃｏ）、１４原子パーセントの
クロム（Ｃｒ）、８原子パーセントのニッケル（Ｎ
ｉ）、６原子パーセントのタンタル（Ｔａ）を含み、Ｃ
ｏＣｒＮｉＴａ（７２／１４／８／６）で示される。ク
ロム下層２は約５００オングストロームの厚さを有す
る。下層の厚さはスパッタ圧、ターゲットパワー、電
圧、堆積時間などのような多数のスパッタリングパラメ
ータにより制御可能である。
【００１７】同一の条件でなされた例１Ａ及び１Ｂでは
ＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝１００／０のスパッタリング環
境下でスパッタされた。ＣｒＮ層は３０オングストロー
ム、ダイアモンド類似炭素オーバーコートは１１０オン
グストロームの厚さを有するようスパッタされた。その
ように調製された磁気ディスク（９５ｍｍの径を有す
る）は７日間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテス
ト環境内に配置された。その後でテストディスクは５０
ｍｌの脱イオン水中に置かれ、５０゜Ｃで１５分間加熱
され、その後で３分間超音波処理される。最終的に例１
Ａ及び１Ｂのディスクに対するコバルトイオンの濃度は
ＩＣＰ−ＭＡＳＳ（誘導結合プラズマ質量スペクトログ
ラフィー）を用いて測定され、それぞれ０．０２０５μ
ｇ／ディスク、０．０２１０μｇ／ディスクの値を得
た。平均のコバルトイオン濃度は０．０２１μｇ／ディ
スクであった。例２Ａ−２Ｂ 例２Ａ、２ＢはＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝８５／１５のス
パッタリング環境下でスパッタされ、ＣｒＮ層は２０オ
ングストローム、ダイアモンド類似炭素オーバーコート
は１２０オングストロームの厚さを有するようスパッタ
されたことを除いて例１Ａ及び１Ｂと同一の条件でなさ
れた。そのように調製された磁気ディスクは同様に７日
間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテスト環境内に
配置された。最終的に例２Ａ及び２Ｂのディスクに対す
るコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．０１０８μｇ／
ディスク、０．０１２０μｇ／ディスクの値を得た。平
均のコバルトイオン濃度は０．０１１μｇ／ディスクで
あった。例３Ａ−３Ｂ 例３Ａ、３ＢはＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝７０／３０のス
パッタリング環境下でスパッタされ、ＣｒＮ層は２０オ
ングストローム、ダイアモンド類似炭素オーバーコート
は１２０オングストロームの厚さを有するようスパッタ
されたことを除いて例１Ａ及び１Ｂと同一の条件でなさ
れた。そのように調製された磁気ディスクは同様に７日
間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテスト環境内に
配置された。最終的に例３Ａ及び３Ｂのディスクに対す
るコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．０１７６μｇ／
ディスク、０．０１９７μｇ／ディスクの値を得た。平
均のコバルトイオン濃度は０．０１９μｇ／ディスクで
あった。例４Ａ−４Ｂ 例４Ａ、４ＢはＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝５５／４５のス
パッタリング環境下でスパッタされ、ＣｒＮ層は２０オ
ングストローム、ダイアモンド類似炭素オーバーコート
は１２０オングストロームの厚さを有するようスパッタ
されたことを除いて例１Ａ及び１Ｂと同一の条件でなさ
れた。そのように調製された磁気ディスクは同様に７日
間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテスト環境内に
配置された。最終的に例４Ａ及び４Ｂのディスクに対す
るコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．０１９４μｇ／
ディスク、０．０１９１μｇ／ディスクの値を得た。平
均のコバルトイオン濃度は０．０１９μｇ／ディスクで
あった。例５Ａ−５Ｂ 例５Ａ、５ＢはＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝７０／３０のス
パッタリング環境下でスパッタされ、ＣｒＮ層は１０オ
ングストローム、ダイアモンド類似炭素オーバーコート
は１２０オングストロームの厚さを有するようスパッタ
されたことを除いて例１Ａ及び１Ｂと同一の条件でなさ
れた。そのように調製された磁気ディスクは同様に７日
間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテスト環境内に
配置された。最終的に例２Ａ及び２Ｂのディスクに対す
るコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．０２８６μｇ／
ディスク、０．０１８９μｇ／ディスクの値を得た。平
均のコバルトイオン濃度は０．０２４μｇ／ディスクで
あった。比較例１Ａ−１Ｂ 比較例１Ａ、１ＢはＣｒＮ層がなく、ダイアモンド類似
炭素オーバーコートは１４０オングストロームの厚さを
有するようスパッタされたことを除いて例１Ａ及び１Ｂ
と同一の条件でなされた。そのように調製された磁気デ
ィスクは同様に７日間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保た
れたテスト環境内に配置された。比較例１Ａ及び１Ｂの
ディスクに対するコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．
０４０２μｇ／ディスク、０．０２８２μｇ／ディスク
の値を得た。平均のコバルトイオン濃度は０．０３４μ
ｇ／ディスクであった。
ＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝１００／０のスパッタリング環
境下でスパッタされた。ＣｒＮ層は３０オングストロー
ム、ダイアモンド類似炭素オーバーコートは１１０オン
グストロームの厚さを有するようスパッタされた。その
ように調製された磁気ディスク（９５ｍｍの径を有す
る）は７日間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテス
ト環境内に配置された。その後でテストディスクは５０
ｍｌの脱イオン水中に置かれ、５０゜Ｃで１５分間加熱
され、その後で３分間超音波処理される。最終的に例１
Ａ及び１Ｂのディスクに対するコバルトイオンの濃度は
ＩＣＰ−ＭＡＳＳ（誘導結合プラズマ質量スペクトログ
ラフィー）を用いて測定され、それぞれ０．０２０５μ
ｇ／ディスク、０．０２１０μｇ／ディスクの値を得
た。平均のコバルトイオン濃度は０．０２１μｇ／ディ
スクであった。例２Ａ−２Ｂ 例２Ａ、２ＢはＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝８５／１５のス
パッタリング環境下でスパッタされ、ＣｒＮ層は２０オ
ングストローム、ダイアモンド類似炭素オーバーコート
は１２０オングストロームの厚さを有するようスパッタ
されたことを除いて例１Ａ及び１Ｂと同一の条件でなさ
れた。そのように調製された磁気ディスクは同様に７日
間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテスト環境内に
配置された。最終的に例２Ａ及び２Ｂのディスクに対す
るコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．０１０８μｇ／
ディスク、０．０１２０μｇ／ディスクの値を得た。平
均のコバルトイオン濃度は０．０１１μｇ／ディスクで
あった。例３Ａ−３Ｂ 例３Ａ、３ＢはＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝７０／３０のス
パッタリング環境下でスパッタされ、ＣｒＮ層は２０オ
ングストローム、ダイアモンド類似炭素オーバーコート
は１２０オングストロームの厚さを有するようスパッタ
されたことを除いて例１Ａ及び１Ｂと同一の条件でなさ
れた。そのように調製された磁気ディスクは同様に７日
間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテスト環境内に
配置された。最終的に例３Ａ及び３Ｂのディスクに対す
るコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．０１７６μｇ／
ディスク、０．０１９７μｇ／ディスクの値を得た。平
均のコバルトイオン濃度は０．０１９μｇ／ディスクで
あった。例４Ａ−４Ｂ 例４Ａ、４ＢはＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝５５／４５のス
パッタリング環境下でスパッタされ、ＣｒＮ層は２０オ
ングストローム、ダイアモンド類似炭素オーバーコート
は１２０オングストロームの厚さを有するようスパッタ
されたことを除いて例１Ａ及び１Ｂと同一の条件でなさ
れた。そのように調製された磁気ディスクは同様に７日
間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテスト環境内に
配置された。最終的に例４Ａ及び４Ｂのディスクに対す
るコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．０１９４μｇ／
ディスク、０．０１９１μｇ／ディスクの値を得た。平
均のコバルトイオン濃度は０．０１９μｇ／ディスクで
あった。例５Ａ−５Ｂ 例５Ａ、５ＢはＣｒＮ層がＡｒ／Ｎ2 ＝７０／３０のス
パッタリング環境下でスパッタされ、ＣｒＮ層は１０オ
ングストローム、ダイアモンド類似炭素オーバーコート
は１２０オングストロームの厚さを有するようスパッタ
されたことを除いて例１Ａ及び１Ｂと同一の条件でなさ
れた。そのように調製された磁気ディスクは同様に７日
間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保たれたテスト環境内に
配置された。最終的に例２Ａ及び２Ｂのディスクに対す
るコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．０２８６μｇ／
ディスク、０．０１８９μｇ／ディスクの値を得た。平
均のコバルトイオン濃度は０．０２４μｇ／ディスクで
あった。比較例１Ａ−１Ｂ 比較例１Ａ、１ＢはＣｒＮ層がなく、ダイアモンド類似
炭素オーバーコートは１４０オングストロームの厚さを
有するようスパッタされたことを除いて例１Ａ及び１Ｂ
と同一の条件でなされた。そのように調製された磁気デ
ィスクは同様に７日間８０゜Ｃ、相対湿度８０％に保た
れたテスト環境内に配置された。比較例１Ａ及び１Ｂの
ディスクに対するコバルトイオンの濃度はそれぞれ０．
０４０２μｇ／ディスク、０．０２８２μｇ／ディスク
の値を得た。平均のコバルトイオン濃度は０．０３４μ
ｇ／ディスクであった。
【００１８】以上の結果は表１に示される。
【００１９】
【表１】
【００２０】本発明の好ましい実施例の上記の説明は例
示の目的でなされたのものである。上記の説明から変形
及び改良は容易になされる。実施例は本発明の原理の最
良の例を提供するために選択され、述べられたものであ
り、その実際的な応用は当業者により種々の実施例及び
実際の使用に合わせるよう適合されるように変形可能で
ある。このような変形及び改良の全ては請求項により決
定される本発明の範囲内にある。
示の目的でなされたのものである。上記の説明から変形
及び改良は容易になされる。実施例は本発明の原理の最
良の例を提供するために選択され、述べられたものであ
り、その実際的な応用は当業者により種々の実施例及び
実際の使用に合わせるよう適合されるように変形可能で
ある。このような変形及び改良の全ては請求項により決
定される本発明の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のコンピュータ磁気ディスクの多層構造
を示す概略図である。
を示す概略図である。
１ 基板 ２ クロム層 ３ 四成分磁気記録層 ４ 保護オーバーコート ５ ＣｒＮ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ツァイ チャンダー 台湾 シンチュ ジェン−アイ・ストリー ト ナンバー22 ３Ｆ (72)発明者 リアン ジェームズ 台湾 シンチュ サイエンス−ベイスト・ インダストリアル・パーク テクノロジ ー・ロード・フィフス ナンバー８ (72)発明者 リアン フン−フェイ 台湾 チャン−フア・シエン フ−シン・ タウン チュン−ワイ・バーグ ナンバー 32 (72)発明者 ワン チエン−ミン 台湾 シンチュ カオ−チュイ・ロード レーン327 アレイ２ ナンバー10 Ｆターム(参考） 5D006 AA02 AA05 AA06 BB01 CA01 DA03 EA03 FA09 5D112 AA03 AA05 AA06 AA07 AA24 BB05 BC05 BD04 FA04 FB20
Claims (14)
- 【請求項１】（ａ） 基板と； （ｂ） 下層と； （ｃ） コバルトに基づく磁気記録層と； （ｄ） コバルトバリア層と； （ｅ） 保護オーバーコートとからなり、各層は該基板
に上記の順に設けられ、 （ｆ） 該コバルトバリア層はアルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2 ）をＡｒ／Ｎ2 比が１００／０から１５／８５の
間で含むスパッタリング環境下で該磁気記録層上にクロ
ムを含む層をスパッタリングすることにより形成される
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 該コバルトバリア層はアルゴン（Ａｒ）
と窒素（Ｎ2 ）をＡｒ／Ｎ2 比が８５／１５から５５／
４５の間で含むスパッタリング環境下で該磁気記録層に
クロムを含む層をスパッタリングすることにより形成さ
れる請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 該保護オーバーコートはダイアモンド類
似炭素オーバーコートである請求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 該コバルトバリア層は１０から５０オン
グストロームの間の厚さを有する請求項１記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項５】 該コバルトバリア層は約２０オングスト
ロームの厚さを有する請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 該保護オーバーコートは１００から１２
０オングストロームの間の厚さを有するダイアモンド類
似炭素オーバーコートである請求項１記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項７】 該コバルトに基づく磁気記録層は約６６
から７８原子パーセントのコバルト（Ｃｏ）、約１２か
ら１６原子パーセントのクロム（Ｃｒ）、約６から１０
原子パーセントのニッケル（Ｎｉ）、約４から８原子パ
ーセントのタンタル（Ｔａ）を含む請求項１記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項８】（ａ） 基板上に下層をスパッタ堆積し； （ｂ） 該下層上にコバルトに基づく磁気記録層をスパ
ッタ堆積し； （ｃ） 該コバルトに基づく磁気記録層上にバリア層を
スパッタ堆積し； （ｄ） 該バリア層上に保護オーバーコートをスパッタ
堆積する各段階を含み、 （ｅ） 該コバルトバリア層はアルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2 ）をＡｒ／Ｎ2 比が１００／０から１５／８５の
間で含むスパッタリング環境下で該磁気記録層にクロム
を含む層をスパッタリングすることにより形成される磁
気記録媒体製造方法。 - 【請求項９】 該コバルトバリア層はアルゴン（Ａｒ）
と窒素（Ｎ2 ）をＡｒ／Ｎ2 比が８５／１５から５５／
４５の間で含むスパッタリング環境下で該磁気記録層に
クロムを含む層をスパッタリングすることにより形成さ
れる請求項８記載の磁気記録媒体製造方法。 - 【請求項１０】 該保護オーバーコートはダイアモンド
類似炭素オーバーコートである請求項８記載の磁気記録
媒体製造方法。 - 【請求項１１】 該コバルトバリア層は１０から５０オ
ングストロームの間の厚さを有する請求項８記載の磁気
記録媒体製造方法。 - 【請求項１２】 該コバルトバリア層は約２０オングス
トロームの厚さを有する請求項８記載の磁気記録媒体製
造方法。 - 【請求項１３】 該保護オーバーコートは１００から１
２０オングストロームの間の厚さを有するダイアモンド
類似炭素オーバーコートである請求項８記載の磁気記録
媒体製造方法。 - 【請求項１４】 該コバルトに基づく磁気記録層は約６
６から７８原子パーセントのコバルト（Ｃｏ）、約１２
から１６原子パーセントのクロム（Ｃｒ）、約６から１
０原子パーセントのニッケル（Ｎｉ）、約４から８原子
パーセントのタンタル（Ｔａ）を含む請求項８記載の磁
気記録媒体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11003239A JP2000207728A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | コバルト移動バリアとしてＣｒＮ薄膜を有する磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11003239A JP2000207728A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | コバルト移動バリアとしてＣｒＮ薄膜を有する磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000207728A true JP2000207728A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11551916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11003239A Pending JP2000207728A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | コバルト移動バリアとしてＣｒＮ薄膜を有する磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000207728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009123281A1 (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置 |
-
1999
- 1999-01-08 JP JP11003239A patent/JP2000207728A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009123281A1 (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置 |
| JP2009252281A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置 |
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