JP5592630B2 - パターンドメディアの製造方法 - Google Patents
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前記磁気記録層の上に炭素を主成分とする剥離層を成膜する剥離層成膜工程と、
前記剥離層の上にSOG(スピン・オン・グラス)からなるレジストマスク層を成膜するレジストマスク層成膜工程と、
前記レジストマスク層の厚さを部分的に変化させて所定のパターンの凸部と凹部を形成し、前記凸部は前記イオン照射したときにイオンを透過させない厚さを有し、前記凹部はイオンが透過するに十分薄い厚さとなるようにするパターニング工程と、
前記パターニング工程の後に前記レジストマスク層の上からイオンを照射するイオン照射工程と、
前記イオン照射工程の後に前記レジストマスク層をアルカリ系溶剤により除去する、レジストマスク層除去工程
とをこの順に含み、
前記レジストマスク層除去工程では、前記イオン照射工程によってアルカリ系溶剤に対する溶解度が凸部よりも悪くなったレジストマスク層の凹部の膜厚に基づいて、レジストマスク層除去工程の終点を判定することを特徴とするパターンドメディアの製造方法。
tc≦30nm
2≦ts/tc≦10
を満たすことを特徴とする(1)〜(7)のいずれかのパターンドメディアの製造方法。
含KOH溶液への浸漬時間を10分、60分、220分としたパターンドメディアをそれぞれ製造した(それぞれ比較例1、2、3とする)。含KOH溶液への浸漬時間以外は実施例1と同様の条件とした。
2 軟磁性層
4a 磁気記録領域
4b 非記録領域
20 HDD
21 磁気ディスク
22 ジンバルバネ
23 駆動系(ロータリー型アクチュエーター)
24 磁気ヘッド
31 レジストマスク層除去工程前の点
32 段差が1回目にゼロとなる点
33 段差が2回目にゼロとなる点
34 段差が大きい領域(レジストマスク層除去の初期の段階)
35 段差が大きい領域(レジストマスク層の凹凸が反転した後の段階)
36 段差が大きい領域(磁性原子が溶剤中に溶け出し再び段差を生じた段階)
41 基体
42 軟磁性層
43 中間層
44 磁気記録層
45 保護層
46 潤滑層
51 レジストマスク層
51a レジストマスク層の凸部
51b イオン照射により変質したレジストマスク層の凹部
52 スタンパ
53 イオン
61 非記録領域(非磁性領域)
81 磁気記録領域
Claims (7)
- 基体上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基体の面内方向において規則的に配列された磁気記録層を有し、前記磁気記録層にイオン照射することにより前記非記録領域を形成するパターンドメディアの製造方法であって、
前記磁気記録層の上に炭素を主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程と、
前記保護層の上にSOG(スピン・オン・グラス)からなるレジストマスク層を成膜するレジストマスク層成膜工程と、
前記レジストマスク層の厚さを部分的に変化させて所定のパターンの凸部と凹部を形成し、前記凸部は前記イオン照射したときにイオンを透過させない厚さを有し、前記凹部はイオンが透過するに十分薄い厚さとなるようにするパターニング工程と、
前記パターニング工程の後に前記レジストマスク層の上からイオンを照射するイオン照射工程と、
前記イオン照射工程の後に前記レジストマスク層をアルカリ系溶剤により除去する、レジストマスク層除去工程と
をこの順に含み、
前記レジストマスク層除去工程では、前記イオン照射工程によってアルカリ系溶剤に対する溶解度が凸部よりも悪くなったレジストマスク層の凹部の膜厚に基づいて、レジストマスク層除去工程の終点を判定し、
かつ、
前記レジストマスク層除去工程において、アルカリ系溶剤により除去されるレジストマスク層の隣接する前記凸部と前記凹部の段差が2回目にゼロとなったときに、前記レジストマスク層除去工程を終了することを特徴とするパターンドメディアの製造方法。 - 前記レジストマスク層除去工程中に、前記隣接する前記凸部と前記凹部の段差を測定することを特徴とする請求項1に記載のパターンドメディアの製造方法。
- 直前のバッチで製造された前記隣接する前記凸部と前記凹部の段差に基づきレジストマスク層の除去のための処理時間をあらかじめ決定し、当該決定された時間で前記レジストマスク層の除去を終了することにより、前記凸部と前記凹部の段差が2回目にゼロとなったときに、前記レジストマスク層除去工程を終了することを特徴とする請求項1に記載のパターンドメディアの製造方法。
- 前記イオン照射工程におけるイオン照射は、B、P、Si、F、C、In、Bi、Kr、Ar、Xe、W、As、Ge、Mo、Sn、N2、O2、Ne、He、H2から選択した1種又は2種以上のイオンを照射エネルギー1keV以上、50keV以下、ドーズ量1E15atoms/cm2以上、1E17atoms/cm2以下で照射することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターンドメディアの製造方法。
- 前記パターニング工程において形成される、レジストマスク層の凸部の膜厚をts、凹部の膜厚をtcとしたとき、
tc≦30nm
2≦ts/tc≦10
を満たすことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターンドメディアの製造方法。 - 前記レジストマスク層除去工程終了後に、前記保護層の上に潤滑層を成膜する、潤滑層成膜工程を備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のパターンドメディアの製造方法。
- 前記パターニング工程における前記レジストマスク層のパターンの形成は、ナノインプリント法によるものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のパターンドメディアの製造方法。
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