WO2010067830A1 - 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】耐衝撃性などのＨＤＩ特性を向上させた磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明にかかる磁気記録媒体１００の代表的な構成は、基板上に少なくとも、磁気記録層１２２と、保護層１２６と、潤滑層１２８と、を備える磁気記録媒体１００であって、磁気記録層１２２は面内方向に、磁性材料で構成された磁性記録部１３６と、磁性記録部１３６を磁気的に分離させる非記録部１３４とを具備してなり、非記録部１３４に対応する表面が磁性記録部１３６に対応する表面よりも隆起していることを特徴とする。

Description

磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法

　本発明は、磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法に関するものである。

　近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり２００ＧＢｙｔｅを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり４００ＧＢｉｔを超える情報記録密度を実現することが求められる。

　ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク（垂直磁気記録ディスク）が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基板面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて、高密度記録時に、より熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。

　さらに記録密度および熱揺らぎ耐性を向上させた技術として、記録用の磁性トラックの間に非磁性トラックを平行させるようにパターニングして隣接した記録トラックの干渉を防ぐディスクリートトラックメディアや、任意のパターンを人工的に規則正しく並べたビットパターンメディアと呼ばれる磁気記録媒体が提案されている。

　上述したディスクリートトラックメディアやビットパターンメディアといった磁気記録媒体は、非磁性基板の上に磁気記録層を形成した後、部分的にイオンを注入し、非磁性化もしくは非晶質化することにより磁気的に分離した磁性パターンを形成する技術（例えば特許文献１）や、非磁性基板の上に磁気記録層を形成した後、部分的に当該磁気記録層をミリングすることにより凹凸を形成し、物理的に磁気記録層を分離させ、磁性パターンを形成する技術（例えば特許文献２）が提案されている。

　具体的には、まず、磁気記録層の上にレジストを成膜し所望する凹凸パターンが形成されたスタンパをインプリントしてレジストに凹凸パターンを転写したり、磁気記録層の上にフォトレジストを成膜しフォトリソグラフィ技術により所望する凹凸パターンをフォトレジストに形成したりする。そして、形成された凹部を介して、磁気記録層にイオンを注入したり、凹部の表面に露出した磁気記録層をエッチングによってミリングしたりすることにより、磁気記録層を分離する。

　一方、磁気記録技術の高密度化に伴い、磁気ヘッドも薄膜ヘッドから、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）、大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）へと推移してきており、磁気ヘッドの基板からの浮上量が５ｎｍ程度にまで狭くなってきている。

　かかる磁気ヘッドの低浮上量化に伴い、磁気ディスク使用時に磁気ヘッドが磁気ディスクと衝突し、磁気ディスクの表面が損傷してしまうこともあった。そのため磁気ヘッドの高い浮上安定性が求められるようになっている。

　例えば特許文献３には、磁性記録部を非記録部で分断したディスクリートトラックメディアが記載されている。そして磁性記録部の表面を凸とし、非記録部の表面を凹とする構成が開示されている。特許文献３によれば、安定したヘッド浮上特性が得られるとしている。

特開２００７－２２６８６２号公報 特開２００７－１５７３１１号公報 特開２００５－２７６２７５号公報

　しかしながら、いかにヘッドの浮上安定性を高めたとしても、ヘッドシークの方向を変えるとき等に衝突してしまう。上述した特許文献３では磁気記録層において、磁性記録部が非記録部に比べて隆起している。このため、磁気ヘッドが非記録部と比べ隆起している磁性記録部に衝突しやすくなってしまう。磁性記録部は情報を記録する領域であり、磁気ヘッドが衝突すると損傷して読み書きできなくなってしまい、磁気ディスクの耐久性が低下してしまう。

　そこで、さらに耐衝撃耐性などのＨＤＩ（Head Disk Interface）特性を向上させた磁気記録媒体およびその製造方法を提供することが望まれている。なおＨＤＩ特性とは、ヘッドと磁気ディスク表面の関係に基づく特性である。

　また、上述したパターンドメディアの製造方法のうち、ミリングにより磁気記録層に凹凸を形成した場合、形成された凹部を埋めるために充填層を成膜する必要がある。このとき、充填層をスパッタリングにより成膜すると、凹部には充填層が成膜されるが、当然にして凸部上にも同様に皮膜（充填層）が成膜される。このため、磁気記録媒体の主表面にはかかる皮膜による凸部が形成されてしまう。したがって、凸部上に成膜された皮膜を除去するために、従来ではエッチングにより凸部上に成膜された皮膜を削り、主表面の平坦化を行う必要があった。

　上記の事由から、特許文献１のようにイオン注入による製造方法と、特許文献２のようにエッチングにより磁気記録層をミリングする製造方法とを比較すると、イオン注入による製造方法の方がパターンドメディアをはるかに簡便に製造することが可能であった。

　しかし、イオン注入による製造方法には、これにより形成された非記録部の非磁性化が不十分になりやすいという問題があった。詳細には、イオン注入による製造方法では、イオンビーム法を用いて磁気記録層にイオンを注入することで、イオンを注入された部分の結晶質の磁気記録層を非晶質化し、その部分を非磁性化している。したがって、イオンを注入する量（ドーズ量）が不足すると、非記録部となる磁気記録層の非晶質化が不十分となり、その部分の完全な非磁性化が図れず、非記録部も磁性を有することとなる。その結果、非記録部の磁性が、磁気ヘッドで読み出す際のノイズ源となり、リードライト（Read Write）特性の低下を招いてしまう。

　ここで、非記録部を完全に非磁性化するために、イオンの注入量を増加させることが考えられる。しかし、イオンの注入量を増加させすぎると、非晶質化が促進されすぎ、磁気記録層の非記録部となる部分だけでなく、磁性トラックとなる部分までもが非晶質化（非磁性化）してしまう。その結果、オーバーライト（Over Write）特性の低下を招いてしまう。

　したがって、現状では、イオンの注入量をある程度までで止めるしかなく、イオン注入による製造方法を用いた場合には、若干のリードライト特性の低下を許容せざるを得なかった。このため、イオンの注入量に依ることなく非記録部を確実に非磁性化することが可能な手法の開発が望まれていた。

　そこで、磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部を確実に非磁性化することができ、磁気記録媒体の品質を向上することが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することが望まれている。

　上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の代表的な構成は、基板上に少なくとも、磁気記録層と、保護層と、潤滑層と、を備える磁気記録媒体であって、磁気記録層は面内方向に、磁性材料で構成された磁性記録部と、磁性記録部を磁気的に分離させる非記録部とを具備してなり、非記録部に対応する表面が磁性記録部に対応する表面よりも隆起していることを特徴とする。

　かかる構成により、非記録部の方が磁性記録部よりも磁気ヘッドの距離が近くなる。このため磁気記録媒体の上を浮遊する磁気ヘッドがヘッドシーク時に非記録部の表面に先に接触するため、磁性記録部表面への接触を回避しやすくなることにより耐衝撃性などのＨＤＩ特性が著しく向上する。なおレジスト層は、アルカリ性溶液に浸漬することにより除去することが望ましい。

　上記非記録部の比透磁率μが２～１００であるとよい。磁気記録層における磁性記録部を磁気的に分離する非記録部の比透磁率を最適化することで、磁性記録部への書き込み特性を向上させることが可能となる。

　上記非記録部の上にレジスト剤の残渣があり、磁性記録部の上のレジスト剤の残渣は前記非記録部の上より少ないか、またはないとよい。換言すれば、非記録部の上にレジスト剤があり、磁性記録部の上のレジスト剤は非記録部の上より少ないか、またはないとよい。非記録部の上にレジスト剤があり、磁性記録部の上に残ったレジスト剤よりも多いことにより、その分だけ非記録部の表面が隆起する。

　上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、上記磁気記録層を成膜し、レジスト層を成膜し、レジスト層に所定の凹凸パターンを成膜し、パターン形成後のレジスト層の凹部に残渣がある状態でイオン注入し、残渣を残してレジストの凸部を除去することを特徴とする。換言すれば、非記録部の上のレジスト剤が磁性記録部の上のレジスト剤よりも多く残るようにレジスト層を除去する。

　レジスト層にイオン注入をおこなうと、レジスト層の表層に当たる部分は変質（焼きつき）し周囲と癒着する。レジスト層成膜後に所定の凹凸パターンを形成する際に、凹部は凸部と比べて厚みが著しく薄いものとなる。レジスト層が十分な厚みを持った状態でイオン注入された場合、レジスト層の表層部分だけが変化するが、凹部はレジストの残渣直下が非記録部であるので、非記録部にレジスト残渣が（変質したレジスト層）癒着する。しかし、レジスト層の表層以外の部分はレジスト層が成膜された状態をイオン注入後も保つことができるので、レジスト層をきれいに除去することが可能である。

　本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の代表的な構成は、磁気記録層を成膜し、磁気記録層より上にカーボン保護層を成膜し、カーボン保護層より上にレジスト層を成膜し、レジスト層上に所定の凹凸パターンを形成し、レジスト層の上からＮイオンを注入し、レジスト層を除去し、カーボン保護層の上にパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）からなる潤滑層を成膜することを特徴とするとよい。

　非記録部を形成するイオンにＮを用いることにより、カーボン保護層（ＣＯＣ：カーボンオーバーコート）の非記録部に対応する位置に、多量のＮイオン（窒素イオン）が含有される。潤滑層を構成するＰＦＰＥの分子はＮイオンに結合するため、非記録部の表面のＮイオンが増加することにより、磁性記録部の表面よりも非記録部の表面のほうがＰＦＰＥの付着量が向上し、非記録部の上の潤滑層が厚くなる。従って磁気記録部よりも非記録部を隆起させることができ、磁気記録部の保護が可能となる。

　上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、基板上に少なくとも、面内方向に磁性記録部と非記録部とを有する磁気記録層を備えた磁気記録媒体の製造方法であって、磁気記録層の上にレジスト層を成膜するレジスト層成膜工程と、レジスト層を加工することでレジスト層の厚さを部分的に変化させ所定のパターンの凸部と凹部を形成するパターニング工程と、レジスト層を介在させた状態で凹部から磁気記録層にイオンを注入するイオン注入工程と、レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、を含み、レジスト層除去工程は、レジスト層をアルカリ性溶液に浸漬することによりレジスト層を除去し、且つレジスト層除去後も継続してアルカリ性溶液に浸漬することにより非記録部の非磁性化を促進することを特徴とする。

　上記構成によれば、レジスト層除去工程においてレジスト層の除去に用いるアルカリ性溶液により、レジスト層の除去だけでなく、非記録部の非磁性化を促進することが可能となる。これにより、イオン注入工程において非記録部の非磁性化が十分に図れていない場合であっても、レジスト層除去工程において、かかる非記録部を確実に非磁性化することができる。したがって、磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部の磁性に起因するリードライト特性の低下を防ぐことができ、当該磁気記録媒体の品質を向上することが可能となる。また磁性パターンの形成にイオン注入を用いることで、ミリングによる場合よりもパターンドメディアを簡便に製造することができ、磁気記録媒体の製造効率を向上することが可能となる。

　なお、アルカリ性溶液により非記録部の非磁性化が促進される機構については、定かではないが、磁気記録層にアルカリ性溶液が浸透すると、磁気記録層の磁性粒子を構成する金属がアルカリ性溶液に溶解し、これにより、磁性粒子の微細化が促進され、磁性粒子の大きさが極めて小さくなり、磁性粒子が常磁性（パラ磁性）体となるためであると考えられる。

　上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の構成は、基板上に少なくとも、面内方向に磁性記録部と非記録部とを有する磁気記録層を備えた磁気記録媒体の製造方法であって、磁気記録層の上にレジスト層を成膜するレジスト層成膜工程と、レジスト層を加工することでレジスト層の厚さを部分的に変化させ所定のパターンの凸部と凹部を形成するパターニング工程と、レジスト層を介在させた状態で凹部から磁気記録層にイオンを注入するイオン注入工程と、ＲＩＥによりレジスト層を除去するレジスト層除去工程と、レジスト層を除去した後にアルカリ性溶液に浸漬することにより非記録部の非磁性化を促進する非磁性化促進工程と、を含むことを特徴とする。

　かかる構成においてもアルカリ性溶液を用いることで非記録部の非磁性化を促進することができ、上述した利点と同様の利点を得ることができる。そして、上記構成では、アルカリ性溶液への浸漬の前にＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）により予めレジスト層を除去しておくため、浸漬時間の短縮を図ることが可能となる。したがって、当該磁気記録媒体の製造時間の短縮を図ることができ、製造効率の向上を図ることが可能となる。

　上記のアルカリ性溶液はｐＨ９以上のＫＯＨ溶液であるとよい。ＫＯＨは強塩基であるため、ＫＯＨ溶液は強いアルカリ性を示す。したがって、アルカリ性溶液としてＫＯＨ溶液を用いることにより、非記録部を最も効果的に非磁性化することが可能となる。

　上記のＫＯＨ溶液の濃度は１０ｗｔ％以上であるとよい。これにより、非記録部をより確実に非磁性化することが可能となる。

　上記のアルカリ性溶液への浸漬時間は、４時間以上であるとよい。かかる構成により、磁気記録層において非記録部となる部分に、アルカリ性溶液を確実に浸透させることができる。

　当該磁気記録媒体の製造方法は、ＣＶＤ法により磁気記録層上にＣ系材料からなる保護層を成膜する保護層成膜工程を更に含み、レジスト層成膜工程では、保護層上にレジスト層を成膜するとよい。

　上記構成によれば、磁気記録層とレジスト層との間には保護層が介在することとなるため、レジスト層に浸漬させたアルカリ性溶液が磁気記録層に直に接することがない。したがって、磁気記録層において磁性記録部となる部分へのアルカリ性溶液の浸透を防止することができ、かかる部分の非磁性化を防ぐことが可能となる。

　なお、上記の保護層が、磁気記録層において非記録部となる部分へのアルカリ性溶液の浸透を妨げることはない。これは、詳細には、磁気記録層上に保護層が成膜された場合、上述したイオン注入工程において、レジスト層および保護層を介して磁気記録層にイオンが注入される。このため、イオンが通過した保護層（皮膜）は粗い状態となり、粗くなった保護層にアルカリ性溶液が徐々に浸透し、かかるアルカリ性溶液は最終的に磁気記録層に到達するからである。

　本発明にかかる磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法によれば、非記録部の上を磁性記録部よりも隆起させることにより、磁気ヘッドと磁性記録部の衝突する可能性が低減され、耐久性が向上し、より耐衝撃性などのＨＤＩ特性を向上させることができる。

磁気記録媒体の構成を説明する図である。 パターン形成工程について説明するための説明図である。 本実施形態にかかる磁気記録媒体を実際に製造してＴＥＭにて観察した図である。 第１実施形態の実施例と比較例を説明する図である。 第２実施形態におけるパターン形成工程について説明するための説明図である。 第２実施形態の実施例と比較例を説明する図である。 第３実施形態におけるパターン形成工程について説明するための説明図である。 第３実施形態の実施例と比較例を説明する図である。 第４実施形態にかかるパターン形成工程について説明するための図である。 アルカリ性溶液の処理時間に対するヒステリシスループを示す図である。 第５実施形態にかかるパターン形成工程について説明するための図である。

１００  …磁気記録媒体
１１０  …基板
１１２  …付着層
１１４  …軟磁性層
１１４ａ  …第１軟磁性層
１１４ｂ  …スペーサ層
１１４ｃ  …第２軟磁性層
１１６  …前下地層
１１８  …下地層
１１８ａ  …第１下地層
１１８ｂ  …第２下地層
１２０  …非磁性グラニュラ層
１２２  …磁気記録層
１２４  …補助記録層
１２６  …保護層
１２６ａ  …非記録部の上にある保護層
１２６ｂ  …保護層の隆起した部分
１２８  …潤滑層
１３０  …レジスト層
１３０ａ  …変質したレジスト層
１３２  …スタンパ
１３４  …非記録部
１３６  …磁性記録部
１４０  …アルカリ性溶液

　以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。

（第１実施形態）
　図１は本実施形態にかかる磁気記録媒体としてのディスクリート型垂直磁気記録媒体１００（以下、単に磁気記録媒体１００と称する。）の構成を説明する図である。図１に示す磁気記録媒体１００は、基板１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、非磁性グラニュラ層１２０、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂ、補助記録層１２４、保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。なお第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃは、あわせて軟磁性層１１４を構成する。第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８を構成する。第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂはあわせて磁気記録層１２２を構成する。

　以下に説明するように、本実施形態に示す磁気記録媒体１００は、磁気記録層１２２に複数の種類の酸化物（以下、「複合酸化物」という。）を含有させることにより、非磁性の粒界に複合酸化物を偏析させている。

[基板成型工程]
　基板１１０は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性の基板１１０を得ることができる。

（成膜工程）
　上述した基板成型工程で得られた基板１１０上に、ＤＣ（Direct Current）マグネトロンスパッタリング法にて付着層１１２、軟磁性層１１４、前下地層１１６、下地層１１８、非磁性グラニュラ層１２０、磁気記録層１２２(磁気記録層成膜工程)、補助記録層１２４(補助記録層成膜工程)を順次成膜し、保護層１２６(保護層成膜工程)はＣＶＤ法により成膜することができる。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成および本実施形態の特徴である、レジスト層成膜工程、パターニング工程、イオン注入工程、除去工程を含むパターン形成工程について説明する。

　付着層１１２は非晶質であって、基板１１０に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層１１４と基板１１０との付着強度を高める機能を備えている。付着層１１２は、基板１１０がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファスの合金膜とすることが好ましい。付着層１１２としては、例えばＣｒＴｉ系非晶質層を選択することができる。

　軟磁性層１１４は、垂直磁気記録方式において磁気記録層１２２に対して垂直方向に磁束を通過させるために、記録時に一時的に磁路を形成する層である。軟磁性層１１４は第１軟磁性層１１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成することができる。これにより軟磁性層１１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１１４から生じるノイズを低減することができる。第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成としては、ＣｏＴａＺｒなどのコバルト系合金、ＣｏＣｒＦｅＢやＦｅＣｏＴａＺｒなどのＣｏ－Ｆｅ系合金、［Ｎｉ－Ｆｅ／Ｓｎ］ｎ多層構造のようなＮｉ－Ｆｅ系合金などを用いることができる。

　前下地層１１６は非磁性の合金層であり、軟磁性層１１４を防護する作用と、この上に成膜される下地層１１８に含まれる六方細密充填構造（ｈｃｐ構造）の磁化容易軸をディスク垂直方向に配向させる機能を備える。前下地層１１６は面心立方構造（ｆｃｃ構造）の（１１１）面が基板１１０の主表面と平行となっていることが好ましい。前下地層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばｆｃｃ構造としてはＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。

　下地層１１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層１２２のＣｏのｈｃｐ構造の結晶をグラニュラ構造として成長させる作用を有している。したがって、下地層１１８の結晶配向性が高いほど、すなわち下地層１１８の結晶の（０００１）面が基板１１０の主表面と平行になっているほど、磁気記録層１２２の配向性を向上させることができる。下地層１１８の材質としてはＲｕが代表的であるが、その他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、また結晶の格子間隔がＣｏと近いため、Ｃｏを主成分とする磁気記録層１２２を良好に配向させることができる。

　下地層１１８をＲｕとした場合において、スパッタ時のガス圧を変更することによりＲｕからなる２層構造とすることができる。具体的には、上層側の第２下地層１１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くする。ガス圧を高くするとスパッタリングされるＲｕイオンの自由移動距離（平均自由行程）が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶分離性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラ層の結晶配向性をさらに向上させることができる。

　非磁性グラニュラ層１２０は非磁性のグラニュラ層である。下地層１１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラ層を形成し、この上に第１磁気記録層１２２ａのグラニュラ層を成長させることにより、磁性のグラニュラ層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。非磁性グラニュラ層１２０の組成は、Ｃｏ系合金からなる非磁性の結晶粒子の間に、非磁性物質を偏析させて粒界を形成することにより、柱状のグラニュラ構造とすることができる。特にＣｏＣｒ－ＳｉＯ_２、ＣｏＣｒＲｕ－ＳｉＯ_２を好適に用いることができ、さらにＲｕに代えてＲｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ａｕ（金）も利用することができる。また非磁性物質とは、磁性粒（磁性グレイン）間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト（Ｃｏ）と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）を例示できる。

　磁気記録層１２２は、Ｃｏ系合金、Ｆｅ系合金、Ｎｉ系合金から選択される硬磁性体の磁性粒の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラ構造を有した強磁性層である。この磁性粒は、非磁性グラニュラ層１２０を設けることにより、そのグラニュラ構造から継続してエピタキシャル成長することができる。本実施形態では組成および膜厚の異なる第１磁気記録層１２２ａと、第２磁気記録層１２２ｂとから構成されている。第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂは、いずれも非磁性物質としてはＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｃｏ_３Ｏ_４、Ｂ_２Ｏ_３、Ｆｅ_２Ｏ_３等の酸化物や、ＢＮ等の窒化物、Ｂ_４Ｃ_３等の炭化物を好適に用いることができる。また、複数の非磁性物質を復号して添加してもよい。

　また、磁気記録層１２２を構成する第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂには、後述するパターン形成工程を施すことにより、磁性記録部と非記録部とが所定のパターンで形成される。これにより、当該垂直磁気記録媒体１００をパターンドメディアとし、熱揺らぎ耐性を向上し、高記録密度化を促進することが可能となる。かかるパターンドメディアとしては、当該垂直磁気記録媒体１００を、線状に形成した磁性記録部と非記録部とを主表面の半径方向に交互に配置したディスクリートトラックメディアとしてもよいし、磁性記録部を主表面に点在させたビットパターンメディアとしてもよい。

　また、後述するイオン注入工程において好適に非記録部１３４の比透磁率を２～１００にすることができる。本実施形態において、磁気記録層１２２の磁性粒は、ＣｏＣｒＰｔで構成しているが、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｄからなる群から選択された１または複数の元素を含んで（例えば、ＣｏＦｅＣｒＰｔ）構成してもよい。

　補助記録層１２４は基板主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁気記録層である。補助記録層１２４は磁気記録層１２２に対して磁気的相互作用を有するように、隣接または近接している必要がある。補助記録層１２４の材質としては、例えばＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、またはこれらに微少量の酸化物を含有させて構成することができる。補助記録層１２４は逆磁区核形成磁界Ｈｎの調整、保磁力Ｈｃの調整を行い、これにより耐熱揺らぎ特性、オーバーライト特性、およびＳＮＲの改善を図ることを目的としている。この目的を達成するために、補助記録層１２４は垂直磁気異方性Ｋｕおよび飽和磁化Ｍｓが高いことが望ましい。なお本実施形態において補助記録層１２４は磁気記録層１２２の上方に設けているが、下方に設けてもよい。なお、本実施形態では磁気記録媒体１００としてディスクリート型を例示しているため補助記録層１２４を備える構成をとっているが、ビットパターンメディアである場合には、補助記録層を備えなくともよい。

　なお、「磁気的に連続している」とは磁性が連続していることを意味している。「ほぼ連続している」とは、補助記録層１２４全体で観察すれば一つの磁石ではなく、結晶粒子の粒界などによって磁性が不連続となっていてもよいことを意味している。粒界は結晶の不連続のみではなく、Ｃｒが偏析していてもよく、さらに微少量の酸化物を含有させて偏析させても良い。ただし補助記録層１２４に酸化物を含有する粒界を形成した場合であっても、磁気記録層１２２の粒界よりも面積が小さい（酸化物の含有量が少ない）ことが好ましい。補助記録層１２４の機能と作用については必ずしも明確ではないが、磁気記録層１２２のグラニュラ磁性粒と磁気的相互作用を有する（交換結合を行う）ことによってＨｎおよびＨｃを調整することができ、耐熱揺らぎ特性およびＳＮＲを向上させていると考えられる。またグラニュラ磁性粒と接続する結晶粒子（磁気的相互作用を有する結晶粒子）がグラニュラ磁性粒の断面よりも広面積となるため磁気ヘッドから多くの磁束を受けて磁化反転しやすくなり、全体のオーバーライト特性を向上させるものと考えられる。

　保護層１２６は、真空を保ったままカーボン（Ｃ系材料）をＣＶＤ法により成膜して形成することができる。保護層１２６は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。

（パターン形成工程）
　次に、本実施形態の磁気記録層１２２に、磁性記録部１３６と、磁性記録部１３６を磁気的に分離させる非記録部１３４とを形成するパターン形成工程について詳述する。ここで、パターン形成工程は、上記磁気記録層成膜工程の直後に行ってもよいが、補助記録層成膜工程または保護層成膜工程を行った後に行ってもよい。

　本実施形態においてパターン形成工程は、保護層成膜工程を行った後に行う。これにより、パターン形成工程を行った後に保護層１２６を成膜する必要がなくなり、製造工程が簡便になる。また、後述するようにアルカリ性溶液によってレジスト層を除去する場合には、レジスト層に浸漬させたアルカリ性溶液が磁気記録層１２２に直に接しないため、磁気記録層１２２において磁性記録部となる部分へのアルカリ性溶液の浸透を防止し、その部分にイオンが注入されることを防ぐことが可能となる。これにより、生産性の向上および磁気記録媒体１００の製造工程における汚染の低減を図ることができる。

　図２は、本実施形態にかかるパターン形成工程について説明するための説明図である。なお、図２において、理解を容易にするために磁気記録層１２２より基板１１０側の層の記載を省略する。パターン形成工程は、レジスト層成膜工程、パターニング工程、イオン注入工程、除去工程を含んで構成される。以下、パターン形成工程における各工程について説明する。

（レジスト層成膜工程）
　図２（ａ）に示すように、保護層１２６の上に、スピンコート法を用いてレジスト層１３０を成膜する。レジスト層１３０としてシリカを主成分とするＳＯＧ（Spin On Glass）、一般的なＵＶ硬化樹脂やノボラック系のフォトレジスト等を好適に利用できる。

（パターニング工程）
　図２（ｂ）に示すように、レジスト層１３０にスタンパ１３２を押し当てることによって、パターンを転写する（インプリント法）。スタンパ１３２には転写しようとする記録領域としての磁性記録部１３６と、磁性記録部１３６を隔離するための非記録部１３４に対応する凹凸パターンを有する。

　スタンパ１３２によってレジスト層１３０にパターンを転写した後、スタンパ１３２をレジスト層１３０から取り除くことにより、レジスト層１３０に凹凸パターンが形成される。また、本実施形態において、スタンパ１３２の表面にはフッ素系剥離剤を塗布している。これにより、レジスト層１３０から良好にスタンパ１３２を剥離することが可能となる。

（イオン注入工程）
　図２（ｃ）に示すように、パターニング工程で所定のパターンにパターニングされたレジスト層１３０の凹部から、保護層１２６を介して、磁気記録層１２２へ、イオンビーム法を用いてイオンを注入する。これにより、磁気記録層１２２におけるイオンが注入された部分の結晶を非晶質化することができ、非記録部１３４が形成される。レジスト層１３０の凸部の下にある部分、つまり磁性記録部１３６を磁気的に分離することが可能となる。

　本実施形態では、注入されるイオンの総量(ドーズ量)を制御することにより、レジスト層１３０の凹部の下にある磁気記録層１２２の非記録部１３４の比透磁率を２～１００にする(図２中、非記録部１３４をハッチングで示す)。磁性記録部１３６を磁気的に分離する非記録部１３４の比透磁率を２～１００で構成することで、良好なＳＮＲを維持しつつ、磁性記録部１３６への書き込み特性および読み出し特性を向上させることができる。ドーズ量は１Ｅ１５～１Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２とすることが好ましく、例えば２Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２とすることができる。

　非記録部１３４を比透磁率が２００以上（ソフト：軟磁性と称する）で構成した場合には、書き込みは容易であるが、磁区幅が大きくなるためノイズが大きい。したがってＳＮＲが悪くなるため、読み出し特性は低下してしまう。非記録部１３４を比透磁率２以下（ハードと称する）で構成した場合には、書き込みが困難であるため、読み出し特性も悪い。これらに対し、非記録部１３４を比透磁率が２～１００以下(セミハードと称する)にした場合には、書き込みも容易であり、ノイズも少ないため読み出し特性もよい。

　本実施形態では、注入するイオンとしてＮを好適に用いることができる。他のイオンとしては、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ，Ｆ、Ｃ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｗ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｎ_２、Ｏ_２からなる群から選択されたいずれか１または複数のイオンを注入してもよい。

　また、イオンを注入するエネルギー量は１～５０ｋｅＶであることが好ましく、例えば２０ｋｅＶとすることができる。イオンを注入するエネルギー量が１ｋｅＶ未満であると、磁気記録層１２２における磁性記録部１３６の磁気的な分離が適切に行われないためである。また５０ｋｅＶ以上であると、磁気記録層１２２の非晶質化が促進されすぎてしまい、リードライト特性が低下したり、レジスト層１３０の凸部の下にある磁性記録部１３６までイオン注入されてしまったりするためである。

　ここで、レジスト層１３０に形成されたパターンの表面にあたる部分に付いては、イオン注入を行う際に、大量のイオンが通過することによって変質し、変質したレジスト層１３０ａが形成される。そして凹部は、極めて薄い残渣が形成されていることから、焼き付きを生じて保護層１２６に強く癒着する。

（除去工程）
　図２（ｄ）に示すように、レジスト層１３０をアルカリ性溶液１４０に浸漬することにより、図２（ｅ）に示すように、レジスト層１３０をエッチングを行うことなく容易に除去することができる。

　また本実施形態では、アルカリ性溶液としてｐＨ９以上のＫＯＨ溶液を用いる。ＫＯＨは強塩基であるため、ＫＯＨ溶液は強いアルカリ性を示す。なお、ＫＯＨ溶液の濃度は１０％（約２ｍｏｌ／ｌ）以上であるとよい。更に、レジスト層除去工程におけるアルカリ性溶液への浸漬時間は、５分～６０分程度であるとよい。なお反応温度は４０℃～８０℃とすることが好ましい。

　なおレジスト層の除去は、レジスト層１３０をフッ素系ガスを用いてアッシングまたはＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）により除去してもよい。エッチングガスとしてはＳＦ_６を好適に用いることができるが、これに限定されず、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６からなる群から選択されたいずれか１種または複数の混合ガスも好適に利用することができる。エッチングガスの種類はレジスト層１３０の材質によって適宜選択することができる。例えば、レジスト層１３０としてノボラック系フォトレジストを用いた場合、酸素ガスを好適に用いることができる。

　ＲＩＥのプラズマ源は、低圧で高密度プラズマが生成可能なＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）を利用することができる。ただしこれに限定されず、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマや、一般的な平行平板型ＲＩＥ装置を利用することもできる。

　上述したようにレジスト層１３０の表層部は変質が生じるために、薄いレジスト層１３０の凹部は保護層１２６に癒着している。そのために、レジスト層１３０を除去する際に全てが除去されずに、非記録部１３４の上のレジスト層（レジスト剤）が残渣として保護層表面に残留しやすい。厚みのあるレジスト層１３０の凸部は、表層は変質しているものの、表層以外の部分はレジスト層１３０が成膜されたときの状態（性状）をイオン注入後も保つことができるので、磁性記録部１３６の上のレジスト剤は支障なく除去することができる。このことから、レジスト層１３０を除去していくとまず凸部が消滅し、さらに除去工程を継続することによって凹部が消滅する。そこで本実施形態では、凹部が消滅する前に除去工程を終了する。すなわち、非記録部１３４の上のレジスト剤が磁性記録部１３６の上のレジスト剤よりも多く残るようにレジスト層を除去する。ここで磁性記録部１３６の上のレジスト剤は必ずしも完全に除去する必要はなく、非記録部１３４の上の方が多く残り、所望の高低差が形成されていればよい。

（潤滑層成膜工程）
　潤滑層１２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜することができる。ＰＦＰＥは長い鎖状の分子構造を有し、保護層１２６表面のＮ原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層１２８の作用により、磁気記録媒体１００の表面に磁気ヘッドが接触しても、保護層１２６の損傷や欠損を防止することができる。

　そして図２（ｅ）に示すように、レジスト層１３０を除去した後、レジスト層１３０の残渣が変質したレジスト層１３０ａとして非記録部１３４上に存在している。かかる残渣により、その残渣の厚みに相当する分だけ潤滑層１２８を成膜したのちの媒体の表面も隆起した状態となる。

　図３は本実施形態にかかる磁気記録媒体を実際に製造してＴＥＭにて観察した図である。図において、下から大別して基板、軟磁性層、磁気記録層、保護層が見て取れる。最上層は、ＴＥＭ写真を撮る際にディスクを保護するために成膜したＴＥＭ用保護膜である。そして図を参照すれば、非記録部に対応する表面が磁性記録部に対応する表面よりも隆起していることがわかる。縮尺から読み取るところ、隆起の高さ（非記録部と磁性記録部の高さの差）は４ｎｍ程度であった。そして、このような構成とした磁気記録媒体は、ピンオン試験や耐衝撃性試験において優れた結果を示し、耐久性の高いＨＤＩ特性に優れた磁気記録媒体を得ることができた。これは、磁気ヘッドが接触したとしても非記録部の上に先に接触し、磁性記録部が損傷しないために、磁性記録部が損傷を免れたためと考えられる。

　上記説明したごとく、本実施形態によれば、基板上に少なくとも、非記録部１３４に対応する表面が磁性記録部１３６に対応する表面よりも隆起している磁気記録媒体を提供することができる。

　そして例えば、非記録部１３４の表面を磁性記録部１３６の表面と比べて１～４ｎｍ程度隆起させることができる。これにより、磁気ヘッドが磁気記録媒体１００と接触した場合であっても、先に非記録部１３４の上に接触する。このため、磁性記録部１３６は非記録部１３４にくらべ表面への接触を回避しやすくなり、耐衝撃性などのＨＤＩ特性が著しく向上する。

（実施例）
　上記実施形態の有効性を確かめるために、以下の実施例と比較例を対比して説明する。

　実施例として、基板１１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、付着層１１２から補助記録層１２４まで順次成膜を行った。なお、断らない限りスパッタリング成膜時のＡｒガス圧は０．６Ｐａである。付着層１１２はＣｒ－５０Ｔｉを１０ｎｍ成膜した。軟磁性層１１４は、０．７ｎｍのスペーサ層１１４ｂを挟んで、９２（４０Ｆｅ－６０Ｃｏ）－３Ｔａ－５Ｚｒの第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃをそれぞれ２０ｎｍ成膜した。前下地層１１６はＮｉ－５Ｗを８ｎｍ成膜した。下地層１１８は０．６ＰａでＲｕを１０ｎｍ成膜した上に５ＰａでＲｕを１０ｎｍ成膜した。磁気記録層１２２は、３Ｐａで９０（７０Ｃｏ－１０Ｃｒ－２０Ｐｔ）－１０（Ｃｒ_２Ｏ_３）の第１磁気記録層１２２ａを２ｎｍ成膜した上に、３Ｐａで９０（７２Ｃｏ－１０Ｃｒ－１８Ｐｔ）－５（ＳｉＯ_２）－５（ＴｉＯ_２）の第２磁気記録層１２２ｂを１２ｎｍ成膜した。補助記録層１２４は６２Ｃｏ－１８Ｃｒ－１５Ｐｔ－５Ｂを６ｎｍ成膜した。保護層１２６はＣＶＤ法によりＣ_２Ｈ_４を用いて４ｎｍ成膜した。

　その後、保護層１２６の表面にレジスト層１３０としてシリカを主成分とするＳＯＧをスピンコート法で成膜した。ＳＯＧはイオン照射による形状の変化が小さく、作製したパターンを維持できるため、有機系のレジストと比較してパターン精度を維持するのに非常に有用である。さらに、インプリント法で、レジスト層１３０にスタンパ１３２を押し当てることによって、磁性パターンを転写した。スタンパ１３２は、転写しようとする、記録領域としての磁性記録部と、磁性記録部間に設けられた非記録部とからなる記録再生を行うための磁性領域と、プリアンブル部、アドレス部、およびバースト部等のサーボ情報を記憶するためのサーボ領域と、のそれぞれのパターンに対応する凹凸パターンを有している。

　スタンパ１３２によってレジスト層１３０に磁性パターンを転写した後、スタンパ１３２をレジスト層１３０から取り除くことにより、レジスト層１３０に凹凸パターンを転写した。

　次に、保護層１２６上に凹凸パターンが形成されたレジスト層１３０に対して、イオンを照射することにより、磁気記録層１２２に対してイオンの注入を行った（イオン注入工程）。具体的には、レジスト層１３０に対してイオンを照射すると、レジスト層１３０の凹部に相当する部分はイオンが透過する。そして、イオンは保護層も透過し、磁気記録層１２２に注入される。一方で前記凸部に相当する部分は、レジスト層１３０によってイオンの透過が防止される。つまり、レジスト層１３０がマスク層として働き、当該凸部の下の磁気記録層１２２にはイオンが注入されない。このようにして、凹凸のパターン形状に対応して磁気記録層１２２にイオンが注入されるパターンが決まる。

　さらに、パターンに対し鉛直方向からイオン注入を行い、レジスト層１３０の凹部から、保護層１２６を介して、磁気記録層１２２へ、イオンビーム法を用いてイオンを注入した。イオン注入工程において、注入するイオンとしてＮ_２イオン、エネルギー量約０．５～５０．０ｋｅＶ、ドーズ量１Ｅ１４～１Ｅ１８[ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２]のイオン注入を行った。

　そしてレジスト層除去工程において、アルカリ性溶液としてのｐＨ９のＫＯＨ溶液に６０℃の反応温度で３０分前後浸漬してレジスト層１３０を除去した。このとき非記録部の上に０．０～８．８［ｎｍ］の残渣が残るように浸漬する時間を調整した。その後に、保護層１２６の表層を窒化処理してから、潤滑層１２８をディップコート法によりＰＦＰＥを用いて１ｎｍ形成した。

　図４は第１実施形態にかかる実施例と比較例を説明する図である。レジスト層の剥離方法、イオン注入のドーズ量[ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２]およびエネルギー量［ｋｅＶ］を様々に変更して、実施例と比較例を対比した。レジスト層の剥離方法は、ＫＯＨ溶液に浸漬するウェットプロセスか、またはアッシングによるドライプロセスを行った。ただしウェットプロセスにおいては、ＫＯＨ溶液に代えて、ＮａＯＨ、アンモニア、有機アルカリ等を用いることもできる。またドライプロセスとしては、アッシングに代えて、ＲＩＥを行うこともできる。

　隆起の高さ［ｎｍ］は非記録部と磁性記録部の高さの差であって、ここではレジスト層の残渣の厚みを意味している。評価はまず、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ：Magnetic Force Microscopy）で磁気分離の可否を確認した。磁気分離の可否とは、適正に磁気分離されていること、すなわち磁性記録部１３６同士が分離されていることに加えて、非記録部１３４が広がりすぎていない（磁性記録部１３６に過剰にイオンが注入されていない）ことを判断基準とした。次に、分離が確認できたものに関して、リードライト試験でヘッドの浮上可否を確認した（衝撃試験前ヘッド浮上可否試験）。さらに衝撃試験前ヘッド浮上可否試験において磁気ヘッドが浮上したものに関して、耐衝撃性試験を実施した。耐衝撃性試験は、媒体をハードディスクに組み込んだ状態で、１ｍの高さから自由落下させた。こののち、リードライト試験でヘッド浮上可否を確認した（衝撃試験後ヘッド浮上可否試験）。これらの項目に関して、それぞれＯＫ／ＮＧの評価を行い、いずれかの段階でＮＧであったものはそれ以降の試験は行わなかった。

　図４を参照すると、実施例１－１～実施例１－１０では、残渣の高さ（残渣の厚み）が１～４［ｎｍ］の範囲にあり、磁気分離が適正にされており、耐衝撃性試験においてクラッシュを生じなかった。特に実施例１－５と比較例１－１３とを比較すると、残渣の厚みの有無の差異により、衝撃試験後ヘッド浮上試験の可否が改善されていることがわかる。このことから、残渣の高さ（残渣の厚み）を１～４［ｎｍ］の範囲とすることにより、適正に磁気分離しつつ、耐衝撃性の向上が図れることが確認できた。これは、非記録部に所定の厚みの残渣を残すことによって、残渣が一種の保護膜として作用し、磁気ヘッドと磁性記録部１３６の衝突する可能性を低減したためと考えられる。一方、上記の範囲から外れた比較例は、ヘッド浮上可否試験でクラッシュ（ＮＧ）を生じた。１ｎｍ未満であった場合には、上記のような残渣の保護膜作用がなく、磁性記録部が磁気ヘッドとの衝突によって損傷を受けてしまったものと考えられる。また４ｎｍより大きい場合には、高低差が大きすぎてヘッドの浮上が不安定になってしまったものと考えられる。

　また、実施例１－９、１－１０と他の実施例を対比すると、アッシングによってレジスト層の除去を行った場合であっても、隆起の高さを１～４［ｎｍ］とすることにより、同様に耐衝撃性の向上が図れることが確認できた。これにより、レジスト層の除去方法によらず、非記録部に所定の厚みの残渣を残すことによって、本実施形態の作用効果を得られることが確認された。

　比較例１－１～１－９、１－１２を参照すると、磁気分離が不完全であった。これらは、エネルギーとドーズ量から決まるイオンの分布状態が適正ではないことを意味している。詳細には、比較例１－１～１－６、１－８では、エネルギーまたはドーズ量が小さすぎて磁気分離が不足したものと考えられる。比較例１－７、１－９、１－１２ではエネルギーまたはドーズ量が多すぎるために、磁性記録部１３６の領域にまでイオンが浸透して磁性記録部が小さくなってしまい、信号が弱くなってしまったためと考えられる。

　次にイオン注入の項目に注目すると、エネルギーが大きくなるほど、またはドーズ量が大きくなるほど、隆起の高さが高くなっていることがわかる。これは、エネルギーまたはドーズ量が大きくなるほど多くのレジスト剤が変質（焼き付き）を生じ、残渣が残りやすいことを示している。もちろんどれほどのレジスト剤が変質していたとしても、除去工程（アルカリ性溶液浸漬やアッシング）を多く行えば、全てのレジスト剤を除去することができる。しかし同程度の除去工程を行った場合には、エネルギーが大きいほど高い隆起の残渣を形成しやすいことがわかる。この観点から本実施例では、少なくともドーズ量が１Ｅ１５～１Ｅ１７［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２］であって、エネルギーが５．０～５０．０［ｋｅＶ］の範囲であれば好適な高さの残渣を形成できることが確認できた。

(第２実施形態)
　本発明にかかる磁気記録媒体およびその製造方法の第２実施形態について説明する。図５は、第２実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程を説明する図である。上記実施形態と説明の重複する部分については同一の符号を付して説明を省略する。

　上記実施形態においては、非記録部１３４の上にレジスト剤の残渣を残すことにより、非記録部１３４の上に隆起を形成するように説明した。それに対し本実施形態は、潤滑層１２８の保護層１２６への付着量を向上させることにより、潤滑層１２８の厚みを異ならせて、非記録部１３４の上に隆起を形成するものである。

　まず図５（ａ）に示すように、磁気記録層１２２の上に補助記録層１２４、保護層１２６、レジスト層１３０を順に形成する。次に図５（ｂ）に示すように、スタンパ１３２を用いてレジスト層１３０に所定の凹凸パターンを形成する。そして図５（ｃ）に示すように、パターンが形成されたレジスト層１３０の上からイオン注入を行い、磁気記録層１２２に非記録部１３４と磁性記録部１３６を形成する。本実施形態では、イオン注入はＮイオンを用いて行う。

　次にレジスト層１３０の除去を行うが、第２実施形態では図５（ｄ）に示すように全てのレジスト剤を除去する。なお上記第１実施形態のように残渣を残すか、第２実施形態のように全てを除去するかは、アルカリ溶液に浸漬する時間またはレジスト層除去工程の処理時間によって調節することができる。

　ここで、非記録部１３４の上にある保護層１２６ａは、磁性記録部１３６の上よりも、注入されたＮイオンが多く含有されている。このため、非記録部１３４の上にはＰＦＰＥの分子がより多く結合し、付着量が多くなる。ＰＦＰＥの分子は長鎖であるから、付着量が多くなるとその領域の体積が顕著に大きくなり（層が厚くなり）、図５（ｅ）に示すように、非記録部１３４の上が隆起した状態となる。

　すなわち、レジスト層１３０の上からＮイオンを注入し、レジスト層１３０を除去し、保護層１２６（カーボン保護層）の上にＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）からなる潤滑層１２８を成膜することにより、非記録部１３４の上の潤滑層１２８が隆起した磁気記録媒体１００を製造できる。

（実施例）
　上記実施形態の有効性を確かめるために、以下の実施例と比較例を用いて説明する。

　本実施形態においては、イオン注入工程において、注入するイオンとしてＮ_２イオン、エネルギー量約２０．０ｋｅＶ、ドーズ量１Ｅ１４～１Ｅ１８[ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２]のイオン注入を行った。レジスト層除去工程において、レジスト層１３０は完全に除去した。その他の点については、上記第１実施形態の実施例と同様にして作成した。

　図６は第２実施形態にかかる実施例と比較例を説明する図である。図６において潤滑層の厚みの差［ｎｍ］は非記録部１３４と磁性記録部１３６の潤滑層１２８の厚みの差であって、それぞれの媒体の潤滑層の厚みの平均値は１．２ｎｍになるように調整した。比較例２－３では注入イオンとしてＡｒを用いており、潤滑層の付着量が増加しないために、潤滑層の厚みの差が０になっている。

　図６を参照すると、実施例２－１～実施例２－３では、潤滑層１２８の厚みの差が０．２～０．４［ｎｍ］の間にあり、磁気分離が適正にされており、耐衝撃性試験においてクラッシュを生じなかった。特に実施例２－２と比較例２－３を比較すると、潤滑層１２８の厚みに差を設けることにより、衝撃試験後ヘッド浮上試験の可否が改善されていることがわかる。このことから、潤滑層１２８の厚みの差を０．２～０．４［ｎｍ］とすることにより、適正に磁気分離しつつ、磁気分離耐衝撃性の向上が図れることが確認できた。耐衝撃性が向上したのは、非記録部１３４の上の潤滑層１２８が隆起することにより、磁気ヘッドが衝突しても厚い潤滑層１２８によって滑り、磁性記録部１３６の上の潤滑層１２８に衝突することを防止したためと考えられる。またこの場合において、磁性記録部１３６の上の潤滑層１２８が薄いことにより、リードライト特性の低下を防止している。

　なお、比較例２－１、２－２は、磁気分離が不完全であった。これはエネルギーまたはドーズ量が過小または過大であったために、イオンの分布状態が適正でなかったものと考えられる。また比較例２－１、２－２では衝撃試験前ヘッド浮上可否試験も行ったが、クラッシュ（ＮＧ）を生じている。比較例２－１では、非記録部の隆起が０．１［ｎｍ］と小さかったために、磁性記録部を保護できなかったためと考えられる。また比較例２－２では、ドーズ量が過大であったため、潤滑剤が厚くなりすぎたことで、ヘッドとディスクの間の干渉作用が起こり、ヘッドの浮上が不安定になったためと考えられる。

（第３実施形態）
　本発明にかかる磁気記録媒体およびその製造方法の第３実施形態について説明する。図７は、第３実施形態にかかる磁気記録媒体１００の製造方法の工程を示した図である。上記実施形態と説明の重複する部分については同一の符号を付して説明を省略する。

　図７（ａ）～図７（ｃ）までは第１の実施形態と同様であり、図７（ａ）に示すように磁気記録層１２２、補助記録層１２４、保護層１２６、レジスト層１３０を形成した後に、図７（ｂ）に示すようにレジスト層１３０にスタンパ１３２を押圧して所定の凹凸パターンを形成し、図７（ｃ）に示すようにイオンを注入して非記録部１３４と磁性記録部１３６とを形成する。このとき、非記録部１３４の体積が膨張するようにイオンを打ち込む。打ち込むイオンとしては原子量が大きいものが好ましく、Ｋｒ、Ｘｅ等を好適に用いることができる。

　そして図７（ｄ）に示すように非記録部１３４が隆起し、これに伴い、保護層１２６にも非記録部１３４の隆起した部分に押し出される格好で隆起した部分１２６ｂが形成される。そして、図７（ｄ）に示すようにレジスト層１３０を除去し、図７（ｅ）に示すように表面の隆起した磁気記録媒体１００に潤滑層１２８を成膜することで、図７（ｆ）に示すように非記録部１３４が隆起した磁気記録媒体を製造することができる。

　なお、イオンの体積によって隆起を形成するために、非記録部１３４を形成するためのドーズ量よりも、意図的にさらに多くのイオンを注入（ドーズ）してもよい。また、イオン注入のエネルギー量を調整し、ターゲットとする層（注入する深さ）を磁気記録層１２２や補助記録層１２４ではなく、保護層１２６としてもよい。

（実施例）
　上記実施形態の有効性を確かめるために、以下の実施例と比較例を用いて説明する。

　本実施形態においては、イオン注入工程において、注入するイオンとしてＸｅイオン、エネルギー量約２０．０ｋｅＶ、ドーズ量１Ｅ１４～１Ｅ１８[ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２]のイオン注入を行った。レジスト層除去工程において、レジスト層１３０は全て除去した。その他の点については、上記第１実施形態の実施例と同様にして作成した。

　図８を参照すると、実施例３－１～３－３は、膨張による隆起の高さが１．１～２．１［ｎｍ］の範囲にあり、耐衝撃性試験においてクラッシュを生じなかった。このことから、イオン注入によって非記録部を膨張させて隆起させることによっても、耐衝撃性を向上できることが確認された。なお第１実施形態の実施例の結果を参照すれば、隆起の高さが１．０～４．０［ｎｍ］の範囲にあればクラッシュを生じないと考えられる。しかし、膨張による隆起では高さを得にくく、比較例３－２に示されるように隆起の高さが２．８［ｎｍ］となった時点でイオン注入量が過大となってしまっていた。

（第４実施形態）
　図９は、第４実施形態にかかるパターン形成工程について説明するための図である。なお、図９において、理解を容易にするために磁気記録層１２２より基板１１０側の層の記載を省略する。

　第４実施形態は、アルカリ性溶液に浸漬してレジスト層を除去し、さらにレジスト層除去後も継続してアルカリ性溶液に浸漬することにより、非記録部の非磁性化を促進する例である。第４実施形態にかかるパターン形成工程は、レジスト層成膜工程、パターニング工程、イオン注入工程、レジスト層除去工程が含まれる。以下、パターン形成工程の詳細について説明する。

（レジスト層成膜工程）
　図９（ａ）に示すように、補助記録層１２４および保護層１２６を介して、磁気記録層１２２の上に、スピンコート法を用いてレジスト層１３０を成膜する。レジスト層１３０としては、シリカを主成分とするＳＯＧ（Spin On Glass）、一般的なノボラック系のフォトレジスト等を好適に利用できる。

（パターニング工程）
　図９（ｂ）に示すように、レジスト層１３０にスタンパ１３２を押し当てることによって、磁性パターンを転写する（インプリント法）。これにより、レジスト層１３０が加工され、かかるレジスト層１３０の厚さが部分的に変化する。スタンパ１３２は、転写しようとする磁性記録部と非記録部との所定のパターンに対応する凹凸パターンを有する。なお、スタンパには、磁性記録部および非記録部の所定パターン以外にも、プリアンブル、アドレス、およびバースト等のサーボ情報を記憶するためのサーボパターンに対応する凹凸パターンを設けることも可能である。

　スタンパ１３２によってレジスト層１３０に磁性パターンを転写した後、スタンパ１３２をレジスト層１３０から取り除くことにより、レジスト層１３０に、所定のパターン（磁性パターン）の凸部と凹部からなる凹凸パターンが形成される。本実施形態では、スタンパ１３２の表面にフッ素系剥離剤を塗布している。これにより、レジスト層１３０から良好にスタンパ１３２を剥離することが可能となる。

　なお本実施形態では、パターニングにおいてスタンパ１３２を用いたインプリント法を利用しているが、フォトリソグラフィ法も好適に利用することができる。ただし、フォトリソグラフィ法を利用する場合には、上述したレジスト層１３０成膜の際に、フォトレジストをレジスト層１３０として成膜し、成膜したフォトレジストをマスクを用いて露光・現像し、磁性記録部としての所定のパターンを転写する。

（イオン注入工程）
　図９（ｃ）に示すように、パターニングにより所定のパターンを形成したレジスト層１３０を介在させた状態で、かかるレジスト層１３０の凹部から、第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂとからなる磁気記録層１２２へ、イオンビーム法を用いてイオンを注入する。これにより、磁気記録層１２２におけるイオンが注入された部分の結晶が非晶質化されるため、その部分の第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂを非磁性化し、非記録部１３４（図９中、ハッチングで示す。）とすることができる。したがって、レジスト層１３０の凸部の下にある部分の磁気記録層１２２を磁気的に分離された磁性記録部とすることが可能となる。

　なお、本実施形態では、注入するイオンとしてＡｒ、Ｎ_２、Ｏ_２の１または複数を用いる。しかし、かかるイオンに限定するものではなく、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ，Ｆ、Ｃ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｗ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｎ_２、Ｏ_２からなる群から選択されたいずれか１または複数のイオンを注入すればよい。

　また、イオンを注入するエネルギー量は１～５０ｋｅＶである。イオンを注入するエネルギー量が１ｋｅＶ未満であると、磁気記録層１２２における磁性記録部の磁気的な分離が適切に行われず、ヘッドによる読み出しを行う際にノイズの発生原因となる。その結果、当該垂直磁気記録媒体１００をパターンドメディアとして構成することができなくなってしまう。また、５０ｋｅＶ以上であると、磁気記録層１２２の非磁性化や非晶質化が促進されすぎてしまい、リードライト特性が低下したり、レジスト層１３０の凸部の下にある磁性記録部となる磁気記録層１２２までもが非磁性化されてしまう。

　更に、注入されるイオンの総量(ドーズ量)は、１Ｅ１５～１Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２である。これにより、良好なＳＮＲを維持しつつ、磁性記録部のリードライト特性を向上させることができる。

（レジスト層除去工程）
　図９（ｄ）に示すように、レジスト層１３０をアルカリ性溶液１４０に浸漬することにより、図９（ｅ）に示すように、レジスト層１３０をエッチングを行うことなく容易に除去することができる。

　そして本実施形態においては、図９（ｅ）のようにレジスト層１３０が除去された後も、当該垂直磁気記録媒体１００の表面をアルカリ性溶液に継続して浸漬する。これにより、非記録部１３４の非磁性化が促進される。したがって、イオン注入工程における非記録部１３４の非磁性化が不十分な場合であっても、レジスト層除去工程において、非記録部１３４を確実に非磁性化することができる。これは、磁気記録層１２２へのアルカリ性溶液の浸透により、磁気記録層１２２の磁性粒子を構成する金属がアルカリ性溶液に溶解し、微細化された磁性粒子が常磁性（パラ磁性）体となるためであると考えられる。

　また本実施形態では、アルカリ性溶液としてｐＨ９以上のＫＯＨ溶液を用いる。ＫＯＨは強塩基であるため、ＫＯＨ溶液は強いアルカリ性を示す。したがって、非記録部１３４を最も効果的に非磁性化することが可能となる。なお、ＫＯＨ溶液の濃度は１０ｗｔ％以上であるとよい。これにより、非記録部１３４をより確実に非磁性化することができる。

　更に、レジスト層除去工程におけるアルカリ性溶液への浸漬時間は、４時間以上であるとよい。なお反応温度は４０℃～８０℃とすることが好ましい。これにより、磁気記録層１２２において非記録部１３４となる部分に、アルカリ性溶液を確実に浸透させることができる。

　図１０はアルカリ性溶液の処理時間に対するヒステリシスループを示す図である。図１０（ａ）に示すように、アルカリ性溶液（ＫＯＨ）に浸漬する処理時間に応じて、ループ形状Ａからループ形状Ｃへと遷移している。ループ形状Ａのときは、中央部がくびれたループが観察される。そして浸漬時間が経過するにつれて、通常の形状のループへと変化していることがわかる。ここでＭＯＫＥ評価装置（Magneto-Optical Kerr Effect）のレーザースポット径が約６００μｍであって、パターンよりもはるかに大きいことから、磁気記録層１２２の記録部と非記録部１３４との磁性情報が混在して観察されている。したがってループ形状Ａのときにくびれたループとなっているのは、硬磁性（ハード）の記録部と、イオン注入によって軟磁性（ソフト）になった非記録部１３４との磁性情報が混じっているためと考えられる。

　そして処理時間が経過するにつれてヒステリシスループの形状が通常の硬磁性のものに近づいたのは、非記録部１３４の磁性が次第に失われていき、非磁性化したことを示している。

　ここで図１０（ｂ）に示すように、実施例４－１では１０ｗｔ％のＫＯＨ溶液を用いて、反応温度を４０℃とした。実施例４－２では２０ｗｔ％のＫＯＨ溶液を用いて、反応温度を８０℃とした。その結果、実施例４－１ではループ形状Ｂ、Ｃに至る処理時間が２時間、４時間であったが、実施例４－２ではそれぞれ１５分、３０分であった。

　なお、本実施形態においては、レジスト層除去工程におけるアルカリ性溶液への浸漬時間は４時間が好適であるとしたが、これに限定するものではない。詳細には、実施例４－１のように１０ｗｔ％のＫＯＨ溶液を用いた場合には上記の浸漬時間が好適であった。しかし、１０ｗｔ％よりも更に濃度や反応温度が高いＫＯＨ溶液を用いれば、浸漬時間を短縮できることは明白である。また１０ｗｔ％よりも更に濃度が高いＫＯＨ溶液を用いた場合においても浸漬時間を４時間以上とすると、かえって磁気記録媒体の表面の劣化、表面粗さの増大を招くこととなってしまう。したがって、浸漬時間は、ＫＯＨ溶液の濃度に応じて当然にして調節するべきであり、実使用に際しては生産性の観点から、ＫＯＨ溶液の濃度および反応温度を、浸漬時間が３０分以内となるように調整することが好ましい。一例としては、実施例４－２のような値とすることができる。

　なお、磁気記録層１２２上（本実施形態においては補助記録層１２４上）に成膜される保護層１２６が、磁気記録層１２２において非記録部１３４となる部分へのアルカリ性溶液の浸透を妨げることはない。これは、上述したイオン注入工程において、レジスト層１３０、保護層１２６および補助記録層１２４を介して磁気記録層１２２にイオンが注入されるため、イオンが通過することにより粗い状態となった保護層１２６にアルカリ性溶液が徐々に浸透し、かかるアルカリ性溶液は最終的に磁気記録層１２２に到達するからである。

　上述したように、レジスト層成膜工程、パターニング工程、イオン注入工程、レジスト層除去工程を行うことにより、当該垂直磁気記録媒体１００に面内方向に所定のパターンの磁性記録部と非記録部１３４、すなわち磁性パターンが形成される。これにより、当該垂直磁気記録媒体１００をパターンドメディアとすることが可能となる。

（潤滑層成膜工程）
　図９（ｆ）に示すようにレジスト層除去工程に用いたアルカリ性溶液を除去した後に、垂直磁気記録媒体１００（保護層１２６上）に潤滑層１２８を成膜する。潤滑層１２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜することができる。ＰＦＰＥは長い鎖状の分子構造を有し、保護層１２６表面のＮ原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層１２８の作用により、垂直磁気記録媒体１００の表面に磁気ヘッドが接触しても、保護層１２６の損傷や欠損を防止することができる。

　上記説明したように、第４実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法（パターン形成工程）によれば、レジスト層除去工程においてレジスト層１３０の除去に用いるアルカリ性溶液により、レジスト層１３０の除去だけでなく、非記録部１３４の非磁性化を促進することができる。したがって、レジスト層除去工程において非記録部１３４を確実に非磁性化することができるため、磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部１３４の磁性に起因するリードライト特性の低下を防ぐことができる。したがって、当該垂直磁気記録媒体１００の品質を向上することが可能となる。また磁性パターンの形成にイオン注入を用いることで、ミリングによる場合よりもパターンドメディアを簡便に製造することができ、磁気記録媒体の製造効率を向上することが可能となる。

（第５実施形態）
　本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の第５実施形態について説明する。図１１は第５実施形態にかかるパターン形成工程について説明するための図である。なお、第４実施形態と説明の重複する部分については同一の符号を付して説明を省略する。

　第５実施形態にかかるパターン形成工程は、レジスト層成膜工程、パターニング工程、イオン注入工程、レジスト層除去工程、非磁性化促進工程が含まれ、レジスト層除去工程では、アルカリ性溶液を用いたレジスト層の除去平坦化に替えて、ＲＩＥによるレジスト層の除去を行う。したがって、第５実施形態にかかる磁気記録媒体としての垂直磁気記録媒体の各層の構成については、第４実施形態にかかる垂直磁気記録媒体１００と実質的に同一であり、第５実施形態にかかるパターン形成工程も、イオン注入工程までは第４実施形態と同一の手法である。このため、第４実施形態において既に述べた要素についての説明を略載し、以下の説明では、第４実施形態との差分、すなわち、レジスト層除去工程および非磁性化促進工程についてのみ詳述する。

（レジスト層除去工程）
　図１１（ａ）に示すようにレジスト層１３０を成膜し、図１１（ｂ）に示すようにパターンを転写し、図１１（ｃ）に示すようにイオン注入工程を行った後、図１１（ｄ）に示すようにレジスト層１３０をフッ素系ガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）により除去する。これにより、当該垂直磁気記録媒体１００は図１１（ｅ）に示す状態となる。本実施形態ではエッチングガスにＳＦ_６を用いているが、これに限定されず、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６からなる群から選択されたいずれか１種または複数の混合ガスも好適に利用することができる。

　なお、本実施形態では、レジスト層１３０としてＳＯＧを用いているため、フッ素系ガスを用いて、エッチングを行っているが、レジスト層１３０の材質によってガスの種類を適宜変更することはいうまでもない。例えば、レジスト層１３０としてノボラック系フォトレジストを用いた場合、酸素ガスを用いたＲＩＥが好適である。

　また、本実施形態においてＲＩＥのプラズマ源は、低圧で高密度プラズマが生成可能なＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）を利用しているが、これに限定されず、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマや、一般的な平行平板型ＲＩＥ装置を利用することもできる。

（非磁性化促進工程）
　ＲＩＥによりレジスト層１３０を除去した後に、図１１（ｆ）に示すように当該垂直磁気記録媒体１００の表面をアルカリ性溶液に浸漬する。これにより非記録部１３４の非磁性化が促進される。なお、アルカリ性溶液の種類、濃度、および浸漬時間については、第４実施形態において詳述したため、本実施形態においては記載を省略する。

　上述したように、レジスト層成膜工程、パターニング工程、イオン注入工程、レジスト層除去工程、非磁性化促進工程を行うことにより、当該垂直磁気記録媒体１００に面内方向に所定のパターンの磁性記録部と非記録部１３４、すなわち磁性パターンが形成される。これにより、当該垂直磁気記録媒体１００をパターンドメディアとすることが可能となる。

　上記説明したように、第５実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法（パターン形成工程）においても、非磁性化促進工程においてアルカリ性溶液を用いることで非記録部１３４の非磁性化を促進することができ、上述した第４実施形態と同様の利点を得ることができる。そして、第５実施形態では、アルカリ性溶液への浸漬の前にＲＩＥにより予めレジスト層１３０を除去しておくため、浸漬時間の短縮を図り、当該磁気記録媒体の製造時間の短縮、ひいては製造効率の向上を図ることが可能となる。

　以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

　例えば、上記実施形態では、磁気記録層１２２がグラニュラ構造を有する２層で構成しているが、これに限定されず、１層もしくは複数層で構成されてもよく、グラニュラ構造を有しなくてもよい。また、上述した実施形態において、本発明にかかる磁気記録媒体を垂直磁気記録媒体１００として説明したが、これに限定するものではなく、本発明は面内磁気記録媒体においても好適に用いることができる。

　本発明は、磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法に利用することができる。

Claims (12)

1. 　基板上に少なくとも、磁気記録層と、保護層と、潤滑層と、を備える磁気記録媒体であって、
   　前記磁気記録層は、面内方向に、磁性材料で構成された磁性記録部と、該磁性記録部を磁気的に分離させる非記録部とを具備してなり、
   　前記非記録部に対応する表面が前記磁性記録部に対応する表面よりも隆起していることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 　前記非記録部の比透磁率μが２～１００であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 　前記非記録部の上にレジスト剤の残渣があり、
   　前記磁性記録部の上のレジスト剤の残渣は、前記非記録部の上より少ない、またはないことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
4. 　磁気記録層を成膜し、
   　前記磁気記録層より上にレジスト層を成膜し、
   　前記レジスト層に所定の凹凸パターンを形成し、
   　前記パターン形成後のレジスト層の凹部にレジスト剤の残渣がある状態でイオン注入し、
   　前記凹部の残渣が残るように前記レジスト層の凸部を除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
5. 　磁気記録層を成膜し、
   　前記磁気記録層より上にカーボン保護層を成膜し、
   　前記カーボン保護層より上に前記レジスト層を成膜し、
   　前記レジスト層上に所定の凹凸パターンを形成し、
   　前記レジスト層の上からＮイオンを注入し、
   　前記レジスト層を除去し、
   　前記カーボン保護層の上にパーフロロポリエーテルからなる潤滑層を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
6. 　前記レジスト層をアルカリ性溶液に浸漬することにより該レジスト層を除去することを特徴とする請求項３～請求項５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
7. 　基板上に少なくとも、面内方向に磁性記録部と非記録部とを有する磁気記録層を備えた磁気記録媒体の製造方法であって、
   　前記磁気記録層の上にレジスト層を成膜するレジスト層成膜工程と、
   　前記レジスト層を加工することで該レジスト層の厚さを部分的に変化させ所定のパターンの凸部と凹部を形成するパターニング工程と、
   　前記レジスト層を介在させた状態で前記凹部から前記磁気記録層にイオンを注入するイオン注入工程と、
   　前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、
   を含み、
   　前記レジスト層除去工程は、前記レジスト層をアルカリ性溶液に浸漬することにより該レジスト層を除去し、且つ該レジスト層除去後も継続して前記アルカリ性溶液に浸漬することにより前記非記録部の非磁性化を促進することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
8. 　基板上に少なくとも、面内方向に磁性記録部と非記録部とを有する磁気記録層を備えた磁気記録媒体の製造方法であって、
   　前記磁気記録層の上にレジスト層を成膜するレジスト層成膜工程と、
   　前記レジスト層を加工することで該レジスト層の厚さを部分的に変化させ所定のパターンの凸部と凹部を形成するパターニング工程と、
   　前記レジスト層を介在させた状態で前記凹部から前記磁気記録層にイオンを注入するイオン注入工程と、
   　ＲＩＥにより前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、
   　前記レジスト層を除去した後にアルカリ性溶液に浸漬することにより前記非記録部の非磁性化を促進する非磁性化促進工程と、
   を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
9. 　前記アルカリ性溶液はｐＨ９以上のＫＯＨ溶液であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. 　前記ＫＯＨ溶液の濃度は１０ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
11. 　前記アルカリ性溶液への浸漬時間は、４時間以上であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
12. 　当該磁気記録媒体の製造方法は、ＣＶＤ法により前記磁気記録層上にＣ系材料からなる保護層を成膜する保護層成膜工程を更に含み、
    　前記レジスト層成膜工程では、前記保護層上に前記レジスト層を成膜することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。

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