JP2011124689A - バッファ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
複数の出力トランジスタPOA1〜POE1は、電源端子(電源電圧VCCQ)と出力端子DoutP1との間に電流経路を並列接続され導通することにより出力端子DoutP1の電圧を変化させる。ゲート制御用トランジスタTA1〜TE1は、接地端子Dgndと出力トランジスタPOA1〜POE1のゲートとの間、又は2つの出力トランジスタのゲートの間に電流経路を形成するように接続され、出力トランジスタにゲート電圧を与える。ゲート制御用トランジスタTA1〜TE1のゲートは、ゲート制御用トランジスタTA1〜TE1のソースの電圧が変化したときにゲート−ソース間の電位差が閾値電圧以上となって導通するよう、所定の電圧を与えられている。
【選択図】図1
Description
を備え、前記ゲート制御用トランジスタのゲートは、前記ゲート制御用トランジスタのソースが第1の電位から第2の電位に変化したときにゲート−ソース間の電位差が閾値電圧以上となって導通するよう、所定の電圧を与えられていることを特徴とする。
最初に、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態に係るバッファ回路(PMOS出力バッファ回路)を説明する。
このバッファ回路は、複数(図1では5個)の出力トランジスタPOA1、POB1、POC1、POD1、POE1と、複数(図1では5個)のプリチャージ用トランジスタTP1と、複数(図1では5個)のゲート制御用トランジスタTA1、TB1、TC1、TD1、TE1、及びトリガ用トランジスタTEn1を備えている。5個という個数はあくまでも一例であり、これ以外の数の出力トランジスタ、ゲート制御用トランジスタを設けてもよいことは言うまでもない。
出力トランジスタPOA1〜POE1は、エンハンスメント型のPMOSトランジスタであり、固定電圧である電源電圧VCCQを供給する電源端子(第1固定電圧端子)と出力端子DoutP1との間に並列に接続されている。出力トランジスタPOA1〜POE1のゲートはノードA1〜E1と接続されている。
次に、第1の実施の形態のバッファ回路の動作を、図2の波形図を参照して説明する。最初に、プリチャージ用トランジスタTP1のゲートの電圧PA1〜PE1を、接地電圧VSSから電源電圧VCCQまで上昇し、これにより、プリチャージ用トランジスタTP1は非導通状態(OFF)に切り替わり、プリチャージは終了する。このとき、ノードA1〜E1は電源電圧VCCQに充電されている。これにより、図1のバッファ回路の動作が開始可能な状態になる。
次に、本発明の第1の実施の形態の変形例1に係るバッファ回路(PMOS出力バッファ回路)を、図3を参照して説明する。なお、図1と同一の構成要素については、図3において図1と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第1の実施の形態の変形例2に係るバッファ回路(PMOS出力バッファ回路)を、図4を参照して説明する。なお、図1と同一の構成要素については、図4において図1と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第2の実施の形態に係るバッファ回路(NMOS出力バッファ回路)を、図5を参照して説明する。なお、図1と同一の構成要素については、図5において図1と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、第2の実施の形態のバッファ回路の動作を、図6の波形図を参照して説明する。ここでは、ゲート制御用トランジスタTA2〜TE2の閾値電圧は全てVth2であり、また、電圧VA2〜VE2は全て等しい値であると仮定して説明を行う。
最初に、プリチャージ用トランジスタTN1のゲートの電圧NA2〜NE2を、電源電圧VCC2から接地電圧VSSへ下降させる。これにより、プリチャージ用トランジスタTN1は非導通状態(OFF)に切り替わり、プリチャージは終了する。これにより、図5のバッファ回路の動作が開始可能な状態になる。このとき、ノードA2〜E2は接地電圧VSSを有している。
次に、本発明の第2の実施の形態の変形例1に係るバッファ回路を、図7を参照して説明する。なお、図5と同一の構成要素については、図7において図5と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
この変形例1では、第1の実施の形態の変形例1と同様に、ゲート制御用トランジスタTA2〜TE2のゲートの電圧VA2〜VE2を、定電流回路CCにより制御させている点において第2の実施の形態と異なっている。
次に、本発明の第2の実施の形態の変形例2に係るバッファ回路を、図8を参照して説明する。なお、図5と同一の構成要素については、図8において図5と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第3の実施の形態に係るバッファ回路を、図9を参照して説明する。なお、図1〜図8と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第4の実施の形態に係るバッファ回路を、図11を参照して説明する。なお、図1と同一の構成要素については、図11において図1と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
第1の実施の形態のバッファ回路は、理論的には図2に示すように動作するが、実際には、ノードA1の放電が開始され、その後ノードB1、C1...と放電対象のノードの数が増えるに従い、図12に示すが如く、各ノードA1〜E1の放電カーブの傾きが鈍くなり、結果として、出力端子DoutP1からの出力信号の傾きも小さくなってしまう。これは、各ノードA1〜E1の放電経路が、直列接続されたゲート制御用トランジスタTA1〜TE1及びトリガ用トランジスタTEn1のみだからである。
次に、本発明の第5の実施の形態に係るバッファ回路を、図14を参照して説明する。この第5の実施の形態は、第2の実施の形態(図5)に、充電補助回路501を追加したものである。なお、図5と同一の構成要素については、図14において図5と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。この充電補助回路501は、ノードA2〜E2の電圧が所定の電圧まで上昇した場合にそのノードの充電動作を開始するよう構成されている。
PMOSトランジスタTAa2u〜TEa2uのゲートには、イネーブル信号Ena2を共通に与えられる。イネーブル信号Ena2は、図14のNMOS出力バッファ回路が動作を開始した後所定のタイミングにおいて”L”に立ち下がり、これにより、PMOSトランジスタTAa2u〜TEa2uを導通させる。
次に、本発明の第6の実施の形態に係るバッファ回路を、図15を参照して説明する。この実施の形態は、第1の実施の形態の変形例1に更に変形を加えたものである。なお、図4と同一の構成要素については、図15において図4と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
この第6の実施の形態は、ゲート制御用トランジスタTA1〜TE1と並列にPMOSトランジスタTBA1〜TBE1が接続されている点で、第1の実施の形態の変形例1と異なっている。
次に、本発明の第7の実施の形態に係るバッファ回路を、図16を参照して説明する。この実施の形態は、第2の実施の形態の変形例2(図8)に更に変形を加えたものである。なお、図8と同一の構成要素については、図16において図8と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第8の実施の形態に係るバッファ回路を、図17を参照して説明する。この第8の実施の形態は、第1の実施の形態の変形例1(図3)に対し更に変形を加えたものである。なお、図3と同一の構成要素については、図17において図3と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第9の実施の形態に係るバッファ回路を、図20を参照して説明する。この第9の実施の形態は、第8の実施の形態(図17)と同様に、カップリング回路901を備えた点に特徴を有するものである。カップリング回路901の機能は、カップリング回路801と同様の目的で設けられるものであり、その機能も後述する点を除きほぼ同様である。なお、図17と同一の構成要素については、図20において図17と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図22は、本発明の第9の実施の形態の変形例に係るバッファ回路の等価回路図である。図21と異なる点は、トリガ用トランジスタTEn1のドレイン(ノードX1)がプリチャージ用トランジスタTP1により充電され、更に、このノードX1にインバータI01aの入力端子が接続されている点である。そして、このインバータI01aの出力端子(ノードB01)がキャパシタC0A1の一端に接続されている。
次に、本発明の第10の実施の形態に係るバッファ回路を、図23を参照して説明する。この第10の実施の形態は、図5の回路において、図17と同様のカップリング回路1001を有する点に特徴を有する。
一例として、このカップリング回路1001は、インバータIA2〜IE2と、キャパシタCA2〜CE2を備える。インバータIA2〜IE2は、ノードA2〜E2に入力端子が接続され、キャパシタCA2〜CE2の一端に出力端子(ノードBA2〜BE2)が接続されている。また、キャパシタCA2〜CE2の他端は、ゲート制御用トランジスタTA2〜TE2のゲートに接続されている。
このようなカップリング回路1001がない場合には、ノードA2〜E2の急激な電圧の上昇によって引き起こされるカップリングにより生じる電流Idp1の上昇により、定電流動作が得られなくなり、電圧VA2〜VE2を適切に制御することができない。
次に、本発明の第11の実施の形態に係るバッファ回路を、図25を参照して説明する。この第11の実施の形態は、図7の回路において、第9の実施の形態(図20)のカップリング回路901と同様のカップリング回路1101を設けたものである。構成、動作とも、本質的には第9の実施の形態と同一である。
カップリング回路1101では、カップリング回路901と同様に、インバータIA2〜IE2の出力端子に2つのキャパシタが接続される。2つのキャパシタのうちの1つは、カップリング回路901のキャパシタCA1〜CE1と同様のキャパシタCA2〜CE2であり、これらの他端は対応するトランジスタTA2〜TD2のゲートに接続される。もう1つのキャパシタCAB2、CBC2、CCD2、CDE12は、その他端を隣接するトランジスタTB2〜TE2のゲートに接続されている。なお、最も遅れて電位が変化するノードE2に接続されるインバータIE2の出力端子には、1つのキャパシタCE2のみが接続されている。
る。
図27は、本発明の第11の実施の形態の変形例に係るバッファ回路の等価回路図である。図25と異なる点は、トリガ用トランジスタTEn2のドレイン(ノードX2)がプリチャージ用トランジスタTN1により充電され、更に、このノードX2にインバータI02の入力端子が接続されている点である。そして、このインバータI02の出力端子がキャパシタC0A2の一端に接続されている。
次に、本発明の第12の実施の形態に係るバッファ回路を、図28を参照して説明する。この第12の実施の形態は、構成としては第3の実施の形態と同様であり、第1の実施の形態のPMOS出力バッファ回路(図1)と第2の実施の形態のNMOS出力バッファ回路(図5)とを組み合わせてCMOS出力バッファ回路として構成したものである。ただし、この実施の形態のCMOS出力バッファ回路は、図28では図示しない別の入力バッファ回路の終端抵抗としても兼用され、この点で第3の実施の形態と異なっている。
一方、図28のバッファ回路が出力バッファ回路として機能し、出力信号が”H”である場合には、出力トランジスタPOA1とPOB1が導通して、2つの抵抗の合成抵抗値が50Ωのドライブ能力となる。同様に、出力信号が”L”であれば、出力トランジスタNOA2とNOB2導通して、同様に両者を合わせて50Ωのドライブ能力とする。
次に、本発明の第13の実施の形態に係る出力バッファ回路を、図30を参照して説明する。なお、図1と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第14の実施の形態に係る出力バッファ回路を、図32を参照して説明する。この第14の実施の形態は、第2の実施の形態(図5)と同様にNMOS出力バッファに関するものであり、出力トランジスタNOA2〜NOE2及びプリチャージ用トランジスタTN1の構成は同一である。図5と同一の構成要素については、図32において図5と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第15の実施の形態に係る出力バッファ回路を、図34を参照して説明する。なお、図1と同一の構成要素については、図34において同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第16の実施の形態に係る出力バッファ回路を、図36を参照して説明する。この実施の形態は、第2の実施の形態(図5)の回路に、充電補助用トランジスタTEx2xを追加したものである。なお、図5と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
この構成によれば、図37に示すように、ノードA2〜E2のうち、ノードD2が最初に充電を開始され、続いてノードA1が充電を開始し、続いてノードB1、C1、E1が略同時に充電を開始する。従って、出力端子DoutN2からの出力信号のスルーレートは、第2の実施の形態に比べ大きくなる。この点、第15の実施の形態と同様である。また、上述の例では、ノードD2への接続例を示したが、他のノードB2〜E2への接続としても同様の効果を得ることはできる。
次に、本発明の第17の実施の形態に係るPMOS出力バッファ回路を、図38を参照して説明する。なお、図1と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
WPOA11:WPOB11:WPOC11:WPOD11:WPOE11
=WPOA12:WPOB12:WPOC12:WPOD12:WPOE12
=WPOA13:WPOB13:WPOC13:WPOD13:WPOE13
=WPOA14:WPOB14: WPOC14:WPOD14:WPOE14
=WPOA15: WPOB15: WPOC15: WPOD15:WPOE15
そして、これら5つ(5列)のトランジスタのうちの任意の幾つかをトリガ用トランジスタENn1xで選択することにより、各段のトランジスタサイズのトリミングを実行することができる。例えば、この図38のバッファ回路を図示しない別の入力バッファ回路の終端抵抗としてとして用いる場合、出力トランジスタPOA11〜15は、その終端抵抗として用いられる。このとき、トリガ用トランジスタTNn11〜15を選択的に導通させることにより、例えば、出力トランジスタPOA11〜POA15のうちの一部だけを動作させたり、或いは全部を動作させたりを選択することができる。これにより、終端抵抗の大きさをトリミングすることができる。
次に、本発明の第18の実施の形態に係るNMOS出力バッファ回路を、図38を参照して説明する。この実施の形態は、第17の実施の形態と同様の構成を、NMOS出力バッファにおいて実現したものである。基本的な構成及び動作は、同一であるので、その詳細な説明は省略する。
Claims (5)
- 所定の固定電圧を供給する第1固定電圧端子と出力端子との間に電流経路を並列接続され導通することにより前記出力端子の電圧を変化させる複数の出力トランジスタと、
所定の固定電圧を供給する第2固定電圧端子と前記出力トランジスタのゲートとの間又は前記出力トランジスタの2つのゲートの間に電流経路を形成するように接続されると共に前記出力トランジスタのゲートにゲート電圧を与え前記出力トランジスタの導通を制御する複数のゲート制御用トランジスタと
を備え、
前記ゲート制御用トランジスタのゲートは、前記ゲート制御用トランジスタのソースが第1の電位から第2の電位に変化したときにゲート−ソース間の電位差が閾値電圧以上となって導通するよう、所定の電圧を与えられている
ことを特徴とするバッファ回路。 - 前記ゲート制御用トランジスタのゲートに定電流を供給する定電流回路と、
前記定電流回路と前記ゲート制御用トランジスタのゲートとの間に接続され選択的に導通状態とされる転送ゲートと、
前記ゲート制御用トランジスタのゲートに対し第1の固定電圧又は第2の固定電圧を選択的に供給するスイッチング回路と
を更に備えたことを特徴とする請求項1記載のバッファ回路。 - 前記出力トランジスタのゲートの電圧の変化を検知して前記出力トランジスタのゲートの充電又は放電を補助する充放電補助回路を更に備えた請求項1記載のバッファ回路。
- 前記出力トランジスタのゲートの電圧の変化を検知して前記ゲート制御用トランジスタのゲートの電圧をキャパシンス・カップリングにより上昇又は下降させるカップリング回路を更に備えた請求項1記載のバッファ回路。
- 複数の前記ゲート制御用トランジスタを直列接続してなる第1のゲート制御用トランジスタ群と、
複数の前記ゲート制御用トランジスタを直列接続してなる第2のゲート制御用トランジスタ群と、
を備え、
前記第1のゲート制御用トランジスタ群は、第1の前記出力トランジスタのゲートを制御し、
前記第2のゲート制御用トランジスタ群は、前記第1の前記出力トランジスタとは別の第2の前記出力トランジスタのゲートを制御する
ことを特徴とする請求項1記載のバッファ回路。
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