JP2011121881A - ホスホロアミダイト化合物の製造法 - Google Patents

Abstract

【課題】新規なアミダイト化合物の製造法を提供する。
【解決手段】シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲル（ＮＨシリカゲル）を担体としたシリカゲルカラムを使用して、次の一般式（１）で表されるホスホロアミダイト化合物を精製する工程を含む、ホスホロアミダイト化合物（１）の製造法。

【選択図】なし

Description

本発明は、ホスホロアミダイト化合物の新規な製造法に関するものである。

ヌクレオシドの３’位水酸基がホスホロアミダイト化された化合物に代表されるホスホロアミダイト化合物は、シリカ表面がＳｉ−ＯＨ（シラノール）になるよう処理されたシリカゲルを担体とするシリカゲルカラムを使用して精製するのが一般的である。
しかしながら、全てのホスホロアミダイト化合物が、上記シリカゲルを担体とするシリカゲルカラムを使用することにより容易に精製できるわけではない。例えば、（２−シアノエトキシ）−２−（２’−Ｏ−４，４’−ジメトキシトリチルオキシ）エチルスルホニル）エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノホスフィンのように、リン原子上の２つの酸素原子がともに１級アルキルで置換されているホスホロアミダイト化合物は、上記一般的なシリカゲルを担体とするシリカゲルカラムを使用した場合、目的化合物を取得することが困難である。そのため、そのようなホスホロアミダイト化合物については、従来、未精製のまま使われてきた（例えば、非特許文献１参照）。また、ビス（２−シアノエトキシ）−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノホスフィンというホスホロアミダイト化合物も、上記一般的なシリカゲルを担体とするシリカゲルカラムを使用して長時間かけて精製すると、分解するとの報告がある（例えば、非特許文献２参照）。

シリカゲルカラムの担体として、シリカ表面のシラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲル（ＮＨシリカゲル）が知られている。当該シリカゲルは、シリカ表面のシラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルでマスクされているため、シリカ表面上の酸性度が高くなっている。そのため、当該シリカゲルは、塩基性物質が吸着し難いという特徴を有しており、塩基性化合物の分離に使われていた。

Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，第２７巻，第３９号，４７０５頁−４７０８頁、１９８６年 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｐｉｄ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，第４０巻，第１号，１１７頁−１２５頁，１９９９年

本発明の目的は、主として、ホスホロアミダイト化合物の新規な製造法を提供することにある。

本発明者らは、次の一般式（１）で表されるホスホロアミダイト化合物が高収率で得られる方法を見出し、本発明を完成した。

式中、Ｒ^１，Ｒ^２は、同一または異なって、アルキル、または三置換シリルを表す。Ｒ^３，Ｒ^４は、同一もしくは異なって、次の一般式（２）〜（７）で表される基を表すか、または、Ｒ^３とＲ^４とが一緒になって、次の一般式（８）で表される基を表す。

式中、ｎは、１〜５の整数を表す。
Ｒ^５は、（ｉ）ハロゲン、（ｉｉ）シアノ、（ｉｉｉ）ニトロ、（ｉｖ）トリチルオキシ、４−メトキシトリチルオキシ、４，４’−ジメトキシトリチルオキシもしくは４，４’ ，４’’−トリメトキシトリチルオキシで置換されていてもよいアルキルスルホニル、（ｖ）ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノおよびニトロからなる群から選択される１〜３個の基で置換されていてもよいアリールスルホニル、（ｖｉ）ヒドロキシ、（ｖｉｉ）ヒドロキシカルボニル、（ｖｉｉｉ）アルコキシカルボニルまたは（ｉｘ）三置換シリルを表す。
Ｒ^６，Ｒ^７は、同一または異なって、アルキルを表す。
Ｒ^８は、アルキルまたは次の一般式（９）で表される基を表す。

［式中、Ｒ^２２，Ｒ^２３，Ｒ^２４は、同一または異なって、水素またはアルコキシを表す。］
Ｒ^９，Ｒ^１０は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、ハロゲンまたはＯＲ^２５を表す。Ｒ^２５は、アシル、三置換シリル、アルキル、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルアミノカルボニルアルキル、アルキニル、アミノアルキル、または次の一般式（１０）で表される基を表す。

［式中、Ｒ^２６，Ｒ^２７は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、もしくは、アシルオキシエトキシを表すか、または、Ｒ^２６とＲ^２７とが隣接する炭素原子と一緒になって５員環もしくは６員環を表す。かかる５員環または６員環は、環構成原子として、酸素原子または窒素原子を有していてもよい。かかる窒素原子にはフェニルが置換しており、該フェニルはアルキルおよびハロゲンからなる群から選択される１個〜３個の基で置換されていてもよい。Ｒ^２８は、（ｉ）アシル、（ｉｉ）アルキルチオ、（ｉｉｉ）アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ニトロで置換されていてもよいベンジル、または、（ｉｖ）ハロゲン、シアノ、ニトロ、アシルオキシエチル、アルキルスルホニルもしくはアリールスルホニルで置換されているエチルを表す。Ｙは、ＯまたはＳを表す。＊は結合位置を表す。］

Ｒ^１１は、Ｈまたは保護されていてもよい核酸塩基を表す。
Ｒ^１２，Ｒ^１３，Ｒ^１４は、同一または異なって、Ｈまたはアルキルを表す。
Ｒ^１５，Ｒ^１６，Ｒ^１７は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、ハロゲンを表す。
Ｒ^１８は、アルキルを表す。
Ｒ^１９，Ｒ^２０，Ｒ^２１は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、ハロゲンを表す。
Ｘは、ＯまたはＳを表す。
＊は結合位置を表す。

本発明として、例えば、下記１〜３を挙げることができる。

１．シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲル（ＮＨシリカゲル）を担体としたシリカゲルカラムを使用して、次の一般式（１）で表される化合物を精製する工程を含む、ホスホロアミダイト化合物（１）の製造法。

式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４は、前記と同義である。

２．次の工程１および工程２を含む、ホスホロアミダイト化合物（１）の製造法。
工程１：次の一般式（１１）で表される化合物と次の一般式（１２ａ）または（１２ｂ）で表される化合物とを作用させホスホロアミダイト化合物（１）を製造する工程、

式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４は、前記と同義である。Ｚは、ハロゲンを表す。

工程２：シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲル（ＮＨシリカゲル）を担体としたシリカゲルカラムを使用して、上記工程１で製造されるホスホロアミダイト化合物（１）を精製する工程。

３．シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲル（ＮＨシリカゲル）を担体としたシリカゲルカラムを使用することを特徴とする、ホスホロアミダイト化合物（１）の精製方法。

本発明の実施の形態について説明する。

以下に示す製造方法において、原料が反応に影響を及ぼす置換基（例えば、ヒドロキシ、アミノ、カルボキシ）を有する場合は、原料をあらかじめ公知の方法に従い、適当な保護基で保護した後に反応を行う。保護基は、最終的に、接触還元、アルカリ処理、酸処理などの公知の方法に従い脱離することができる。

ここで、本明細書で記載している用語について詳述する。
本明細書において、シリカ表面シラノールとは、シリカゲル表面に存在する、次の一般式で表されるようなケイ素原子に水酸基が結合した構造部位をいう。

「アルキル」としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。
「モノアルキルアミノ」、「ジアルキルアミノ」、「アルコキシアルキル」、「アルキルアミノカルボニルアルキル」、「アルコキシアミノカルボニルアルキル」、「アミノアルキル」、「アルキルチオ」の「アルキル」部分としては、前記「アルキル」と同じものを挙げることができる。
「アルケニル」としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数２〜６のアルケニルを挙げることができる。具体的には、例えば、ビニル、アリル、１−プロペニル、イソプロペニル、２−ブテニル、１，３−ブタジエニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルを挙げることができる。
「アルキニル」としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数２〜６のアルキニルを挙げることができる。具体的には、例えば、エチニル、１−プロピニル、１−ブチニル、１−ぺンチニル、２−プロピニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−メチル−１−プロピニル、１−メチル−２−プロピニル、２−メチル−１−プロピニル、２−メチル−２−プロピニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−メチル−１−ブチニル、２−メチル−２−ブチニル、３−メチル−２−ブチニル、１，２−ジメチル−１−プロピニルを挙げることができる。
「アルコキシ」としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルコキシを挙げることができる。具体的には、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、２−ペントキシ、３−ペントキシ、ｉ−ペントキシ、ｎｅｏ−ペントキシ、ｔｅｒｔ−ペントキシを挙げることができる。
「アルコキシアルキル」、「アルコキシカルボニル」、「アルコキシアミノカルボニルアルキル」の「アルコキシ」部分としては、前記「アルコキシ」と同じものを挙げることができる。
「ハロゲン」としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を挙げることができる。
「アリールスルホニル」の「アリール」部分としては、例えば、炭素数６〜１２のアリールを挙げることができる。具体的には、例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニルを挙げることができる。当該アリールは置換されていてもよく、かかる置換基としては、例えば、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されていてもよい。
「アリール」の置換基である「ハロゲン」、「アルキル」としては、前記「ハロゲン」、「アルキル」と同じものを挙げることができる。
「アリール」の置換基である「アルコキシ」としては、前記「アルコキシ」と同じものを挙げることができる。なかでも炭素数１〜３の該アルコキシが好ましい。
「アルキルスルホニル」の「アルキル」部分としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。当該アルキルは置換されていてもよく、かかる置換基としては、例えば、トリチルオキシ、４−メトキシトリチルオキシ、４，４’−ジメトキシトリチルオキシ、４，４’ ，４’’−トリメトキシトリチルオキシを挙げることができる。
「三置換シリル」としては、例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリｎ−プロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリｎ−ブチルシリル、トリイソブチルシリル、トリｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリル、トリベンジルシリル、トリｐ−キシリルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジエチルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリル、ジメチルイソプロピルシリル、ジエチルイソプロピルシリル、ジメチルセキシルシリル、ジフェニルメチルシリルを挙げることができる。
Ｒ^２６とＲ^２７に係る「５員環または６員環」としては、例えば、環構成原子として、酸素原子、硫黄原子または窒素原子を１個または２個有していてもよい、５または６員の飽和環を挙げることができ、具体的には、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ピロリジン環、ピペラジン環、テトラヒドロピリミジン環、モルホリン環、チオモルホリン環を挙げることができる。
「核酸塩基」としては、核酸の合成に使用されるものであれば特に制限されず、例えば、シトシン、ウラシル等のピリミジン塩基、アデニン、グアニン等のプリン塩基またはそれらの修飾体を挙げることができる。
「核酸塩基」は、保護されていてもよく、なかでもアミノ基を有する核酸塩基、例えば、アデニン、グアニン、シトシンは、該アミノ基が保護されているのが好ましい。かかる「アミノ基の保護基」としては、核酸の保護基として使用されるものであれば特に制限されず、具体的には、例えば、ベンゾイル、４−メトキシベンゾイル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、フェニルアセチル、フェノキシアセチル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル、４−イソプロピルフェノキシアセチル、（ジメチルアミノ）メチレンを挙げることができる。
「核酸塩基」の「修飾体」とは、核酸塩基が任意の置換基で置換されているものであり、かかる置換基としては、例えば、ハロゲン、アシル、アルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、ヒドロキシ、アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、カルボキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されているものをいう。
核酸塩基の修飾体に係る「アルキル」としては、前記「アルキル」と同じものを挙げることができる。
核酸塩基の修飾体に係る「ハロゲン」としては、前記「ハロゲン」と同じものを挙げることができる。
「アシル」としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜６のアルカノイル、炭素数７〜１３のアロイルを挙げることができる。具体的には、例えば、ホルミル、アセチル、ｎ−プロピオニル、イソプロピオニル、ｎ−ブチリル、イソブチリル、ｔｅｒｔ−ブチリル、バレリル、ヘキサノイル、ベンゾイル、ナフトイル、レブリニルを挙げることができる。
「アシルオキシエチル」の「アシル」部分としては、前記「アシル」と同じものを挙げることができる。

ホスホロアミダイト化合物（１）は、次の工程１および工程２を経由することにより製造することができる。

式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４は、前記と同義である。

工程１
次の一般式（１１）で表される化合物と次の一般式（１２ａ）または（１２ｂ）で表される化合物とを作用させ、ホスホロアミダイト化合物（１）を製造する工程。

式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｚは、前記と同義である。

本工程は、アルコール誘導体（１１）に化合物（１２ａ）または化合物（１２ｂ）を作用させて、アルコール誘導体（１１）の水酸基をホスホロアミダイト化する反応であり、公知の方法に従い実施することができる。必要に応じて、活性化剤を使用することもできる。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、塩化メチレンを挙げることができる。
化合物（１２ａ）または化合物（１２ｂ）の使用量は、アルコール誘導体（１１）のモル量に対して、０．８倍モル量〜２０倍モル量の範囲内が適当であり、好ましくは１倍モル量〜１０倍モル量の範囲内である。「活性化剤」としては、例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−エチルチオテトラゾール、５−ベンジルメルカプト−１Ｈ−テトラゾール、４，５−ジクロロイミダゾール、４，５−ジシアノイミダゾール、ベンゾトリアゾールトリフラート、イミダゾールトリフラート、ピリジニウムトリフラート、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、２，４，６−コリジン、Ｎ−メチルイミダゾールを挙げることができる。「活性化剤」の使用量は、アルコール誘導体（１１）のモル量に対して、０．１倍モル量〜２０倍モル量の範囲内が適当であり、好ましくは０．５倍モル量〜１０倍モル量の範囲内である。反応温度は、０℃〜１２０℃の範囲内が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常３０分〜２４時間の範囲内が適当である。

工程２
シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲル（ＮＨシリカゲル）を担体としたシリカゲルカラムを使用して、上記工程１で製造されるホスホロアミダイト化合物（１）を精製する工程。

本工程は、シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲルを担体としたシリカゲルカラムを使用して、上記工程１において製造されたホスホロアミダイト化合物（１）を精製する工程である。
当該工程に使用しうるシリカゲルとしては、シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲル（ＮＨシリカゲル）を挙げることができ、例えば、アミノアルキルシリルが３−アミノプロピルシリルであるシリカゲルが好ましい。購入可能なものとしては、例えば、ＮＨ−ＤＭ１０２０（富士シリシア）を挙げることができる。
当該工程に使用しうるシリカゲルの量は、シリカゲルカラムで分離精製する混合物の総重量に対して４０倍量〜５０倍量の範囲内のシリカゲルを使用するのが適当である。
また、使用しうる溶媒としては、例えば、ヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒が適当であり、適宜、トリエチルアミンを添加することができる。トリエチルアミンの添加量は、溶媒の容量に対して、０．０５％〜５％の範囲内が適当である。

本発明によれば、ホスホロアミダイト化合物（１）を高純度かつ高収率で製造することができる。また、本発明によれば、ホスホロアミダイト化合物（１）を高純度かつ高収率で精製することができる。

以下に参考例、実施例及び試験例を揚げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらのみに限定されない。

参考例１
（２−シアノエトキシ）−２−（２’−Ｏ−４，４’−ジメトキシトリチルオキシエチルスルホニル）エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノホスフィンの製造

２−（２’−Ｏ−４，４’−ジメトキシトリチルオキシエチルスルホニル）エタノール（１．０５ｇ、２．３１ｍｍｏｌ）を脱水アセトニトリルで２回共沸し真空ポンプで１時間乾燥した。アルゴン雰囲気下、脱水アセトニトリル１０ｍＬに溶解し、ジイソプロピルアンモニウムテトラゾリド（４３５ｍｇ、２．５４ｍｍｏｌ）、２−シアノエチル Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトライソプロピルホスホロジアミダイト（７６５ｍｇ、２．５４ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。反応液をろ過し、溶媒を留去した。残渣を一般的なシリカゲル（ワコーゲルＣ−２００（和光純薬（株）製）（５０ｇ）を用いたシリカゲルカラム（溶出溶媒：ヘキサン、酢酸エチル、０．１％トリエチルアミン含有）で精製したが、標記化合物は全く得られなかった（収率０％）。

参考例２
ビス（２−シアノエトキシ）−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノホスフィンの製造

アルゴン雰囲気下、２−シアノエチル Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトライソプロピルホスホロジアミダイト（５．０６ｇ，１６．８ｍｍｏｌ）を脱水塩化メチレンに溶解し、ジイソプロピルアンモニウムテトラゾリド（３．１７ｇ、１８．５ｍｍｏｌ）、３−ヒドロキシプロピオニトリル（１．３１ｇ、１８．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間４５分撹拌した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に反応液を加え、塩化メチレンにて抽出操作を行った。有機層を無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、溶媒留去した。残渣を一般的なシリカゲル（ワコーゲルＣ−２００（和光純薬（株）製）（２００ｇ）を用いたシリカゲルカラム（溶出溶媒：ヘキサン、酢酸エチル、０．１％トリエチルアミン含有）で精製し、標記化合物を得た（３０９ｍｇ，収率７％）。

実施例１
（２−シアノエトキシ）−２−（２’−Ｏ−４，４’−ジメトキシトリチルオキシエチルスルホニル）エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノホスフィンの製造

２−（２’−Ｏ−４，４’−ジメトキシトリチルオキシエチルスルホニル）エタノール（２．０４ｇ、４．４７ｍｍｏｌ）を脱水アセトニトリルで２回共沸し真空ポンプで１時間乾燥した。アルゴン雰囲気下、脱水アセトニトリル２０ｍＬに溶解し、ジイソプロピルアンモニウムテトラゾリド（８４３ｍｇ、４．９２ｍｍｏｌ）、２−シアノエチル Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトライソプロピルホスホロジアミダイト（１．４８ｇ、４．９２ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間２０分撹拌した。反応液をろ過し、溶媒を留去した。残渣をＮＨシリカゲル（ＮＨ−ＤＭ１０２０（富士シリシア））（１００ｇ）を用いたシリカゲルカラム（溶出溶媒：ヘキサン、酢酸エチル、０．１％トリエチルアミン含有）で精製し、標記化合物を得た（２．６４ｇ，収率９０％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： １．１９（２ｄ，１２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）；２．５６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）；３．２０−３．５３（ｍ，４Ｈ）；３．５６−３．６８（ｍ，４Ｈ）；３．７２−３．９０（ｍ，２Ｈ）；３．７９（ｓ，６Ｈ）；４．００−４．１７（ｍ，２Ｈ）；６．８４（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．９Ｈｚ）；７．２０−７．３４（ｍ，３Ｈ）；７．３１（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．９Ｈｚ）；７．４１−７．４３（ｍ，２Ｈ）
^３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： １５１．１
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ^＋）：計算値 ６７９．２５８２８ ［Ｍ＋Ｈ］^＋
実測値 ６７９．２５７４６ ［Ｍ＋Ｈ］^＋

実施例２
ビス（２−シアノエトキシ）−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノホスフィンの製造

アルゴン雰囲気下、２−シアノエチル Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトライソプロピルホスホロジアミダイト（５．０７ｇ、１６．８ｍｍｏｌ）を脱水塩化メチレンに溶解し、ジイソプロピルアンモニウムテトラゾリド（３．１７ｇ、１８．５ｍｍｏｌ）、３−ヒドロキシプロピオニトリル（１．３１ｇ、１８．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間４５分撹拌した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に反応液を加え、塩化メチレンにて抽出操作を行った。有機層を無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、溶媒留去した。残渣をＮＨシリカゲル（ＮＨ−ＤＭ１０２０（富士シリシア））（２００ｇ）を用いたシリカゲルカラム（溶出溶媒：ヘキサン、酢酸エチル、０．１％トリエチルアミン含有）で精製し、ビス（２−シアノエトキシ）−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノホスフィンを得た（４．１８ｇ，収率９２％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： １．１８（ｄ，１２Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）；２．６６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）；３．５４−３．７１（ｍ，４Ｈ）；（３．７７−３．９６）
^３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： １５１．３
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ^＋）：計算値 ２７１．１５２７９ ［Ｍ＋Ｈ］^＋
実測値 ２７１．１５２０１ ［Ｍ＋Ｈ］^＋


以上、シリカ表面がＳｉ−ＯＨ（シラノール）である一般的なシリカゲルを担体としたシリカゲルカラムでは、リン原子上の２つの酸素原子がともに１級アルキルで置換されているホスホロアミダイト化合物を精製することは困難であった。
一方、ＮＨシリカゲルを担体としたシリカゲルカラムでは、リン原子上の２つの酸素原子がともに１級アルキルで置換されているホスホロアミダイト化合物を効率よく精製することが可能であった。

Claims (6)

1. シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲルを担体としたシリカゲルカラムを使用して、次の一般式（１）で表されるホスホロアミダイト化合物を精製する工程を含む、ホスホロアミダイト化合物（１）の製造法。
   

   

   式中、Ｒ^１，Ｒ^２は、同一または異なって、アルキルまたは三置換シリルを表す。Ｒ^３，Ｒ^４は、同一もしくは異なって、次の一般式（２）〜（７）で表される基を表すか、または、Ｒ^３とＲ^４とが一緒になって、次の一般式（８）で表される基を表す。
   

   

   式中、ｎは、１〜５の整数を表す。
   Ｒ^５は、（ｉ）ハロゲン、（ｉｉ）シアノ、（ｉｉｉ）ニトロ、（ｉｖ）トリチルオキシ、４−メトキシトリチルオキシ、４，４’−ジメトキシトリチルオキシもしくは４，４’ ，４’’−トリメトキシトリチルオキシで置換されていてもよいアルキルスルホニル、（ｖ）ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノおよびニトロからなる群から選択される１〜３個の基で置換されていてもよいアリールスルホニル、（ｖｉ）ヒドロキシ、（ｖｉｉ）ヒドロキシカルボニル、（ｖｉｉｉ）アルコキシカルボニルまたは（ｉｘ）三置換シリルを表す。
   Ｒ^６，Ｒ^７は、同一または異なって、アルキルを表す。
   Ｒ^８は、アルキルまたは次の一般式（９）で表される基を表す。
   

   

   ［式中、Ｒ^２２，Ｒ^２３，Ｒ^２４は、同一または異なって、Ｈまたはアルコキシを表す。］
   Ｒ^９，Ｒ^１０は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、ハロゲンまたはＯＲ^２５を表す。Ｒ^２５は、アシル、三置換シリル、アルキル、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルアミノカルボニルアルキル、アルキニル、アミノアルキルまたは次の一般式（１０）で表される基を表す。
   

   

   ［式中、Ｒ^２６，Ｒ^２７は、同一もしくは異なって、Ｈ、アルキルもしくはアシルオキシエトキシを表すか、または、Ｒ^２６とＲ^２７とが隣接する炭素原子と一緒になって５員環もしくは６員環を表す。かかる５員環または６員環は、環構成原子として、酸素原子または窒素原子を有していてもよい。かかる窒素原子にはフェニルが置換しており、該フェニルはアルキルおよびハロゲンからなる群から選択される１個〜３個の基で置換されていてもよい。Ｒ^２８は、（ｉ）アシル、（ｉｉ）アルキルチオ、（ｉｉｉ）アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノもしくはニトロで置換されていてもよいベンジル、または、（ｉｖ）ハロゲン、シアノ、ニトロ、アシルオキシエチル、アルキルスルホニルもしくはアリールスルホニルで置換されていてもよいエチルを表す。Ｙは、ＯまたはＳを表す。＊は結合位置を表す。］
   Ｒ^１１は、Ｈまたは保護されていてもよい核酸塩基を表す。
   Ｒ^１２，Ｒ^１３，Ｒ^１４は、同一または異なって、Ｈまたはアルキルを表す。
   Ｒ^１５，Ｒ^１６，Ｒ^１７は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、ハロゲンを表す。
   Ｒ^１８は、アルキルを表す。
   Ｒ^１９，Ｒ^２０，Ｒ^２１は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、ハロゲンを表す。
   Ｘは、ＯまたはＳを表す。
   ＊は結合位置を表す。
2. アミノアルキルシリルが３−アミノプロピルシリルである、請求項１記載のホスホロアミダイト化合物（１）の製造法。
3. 次の工程１および工程２を含む、次の一般式（１）で表されるホスホロアミダイト化合物の製造法。
   工程１：次の一般式（１１）で表される化合物と次の一般式（１２ａ）または（１２ｂ）で表される化合物とを作用させホスホロアミダイト化合物（１）を製造する工程、
   

   

   式中、Ｒ^１，Ｒ^２は、同一または異なって、アルキルまたはシリルを表し、Ｒ^３，Ｒ^４は、同一もしくは異なって、次の一般式（２）〜（７）で表される基を表すか、または、Ｒ^３とＲ^４とが一緒になって、次の一般式（８）で表される基を表す。
   

   

   式中、ｎは、１〜５の整数を表す。
   Ｒ^５は、（ｉ）ハロゲン、（ｉｉ）シアノ、（ｉｉｉ）ニトロ、（ｉｖ）トリチルオキシ、４−メトキシトリチルオキシ、４，４’−ジメトキシトリチルオキシもしくは４，４’ ，４’’−トリメトキシトリチルオキシで置換されていてもよいアルキルスルホニル、（ｖ）ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノおよびニトロからなる群から選択される１〜３個の基で置換されていてもよいアリールスルホニル、（ｖｉ）ヒドロキシ、（ｖｉｉ）ヒドロキシカルボニル、（ｖｉｉｉ）アルコキシカルボニルまたは（ｉｘ）三置換シリルを表す。
   Ｒ^６，Ｒ^７は、同一または異なって、アルキルを表す。
   Ｒ^８は、アルキルまたは次の一般式（９）で表される基を表す。
   

   

   ［式中、Ｒ^２２，Ｒ^２３，Ｒ^２４は、同一または異なって、水素またはアルコキシを表す。］
   Ｒ^９，Ｒ^１０は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、ハロゲンまたはＯＲ^２５を表す。Ｒ^２５は、アシル、三置換シリル、アルキル、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルアミノカルボニルアルキル、アルキニル、アミノアルキルまたは次の一般式（１０）で表される基を表す。
   

   

   ［式中、Ｒ^２６，Ｒ^２７は、同一もしくは異なって、Ｈ、アルキルもしくはアシルオキシエトキシを表すか、または、Ｒ^２６とＲ^２７とが隣接する炭素原子と一緒になってで５員環もしくは６員環を表す。かかる５員環または６員環は、環構成原子として、酸素原子または窒素原子を有していてもよい。かかる窒素原子にはフェニルが置換しており、該フェニルはアルキルおよびハロゲンからなる群から選択される１個〜３個の基で置換されていてもよい。Ｒ^２８は、（ｉ）アシル、（ｉｉ）アルキルチオ、（ｉｉｉ）アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノもしくはニトロで置換されていてもよいベンジル、または、（ｉｖ）ハロゲン、シアノ、ニトロ、アシルオキシエチル、アルキルスルホニルもしくはアリールスルホニルで置換されていてもよいエチルを表す。Ｙは、ＯまたはＳを表す。＊は結合位置を表す。］
   Ｒ^１１は、Ｈまたは保護されていてもよい核酸塩基を表す。
   Ｒ^１２，Ｒ^１３，Ｒ^１４は、同一または異なって、Ｈまたはアルキルを表す。
   Ｒ^１５，Ｒ^１６，Ｒ^１７は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、ハロゲンを表す。
   Ｒ^１８は、アルキルを表す。
   Ｒ^１９，Ｒ^２０，Ｒ^２１は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、ハロゲンを表す。
   Ｘは、ＯまたはＳを表す。
   ＊は結合位置を表す。
   工程２：シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲルを担体としたシリカゲルカラムを使用して、上記工程１で製造されるホスホロアミダイト化合物（１）を精製する工程。
4. アミノアルキルシリルが３−アミノプロピルシリルである、請求項３記載のホスホロアミダイト化合物（１）の製造法。
5. シリカ表面シラノールの全部または一部がアミノアルキルシリルで修飾されたシリカゲルを担体としたシリカゲルカラムを使用することを特徴とする、次の一般式（１）で表されるホスホロアミダイト化合物の精製方法。
   

   

   式中、Ｒ^１，Ｒ^２は、同一または異なって、アルキルまたは三置換シリルを表す。Ｒ^３，Ｒ^４は、同一もしくは異なって、次の一般式（１）〜（６）で表される基を表すか、または、Ｒ^３とＲ^４とが一緒になって、次の一般式（７）で表される基を表す。
   

   

   式中、ｎは、１〜５の整数を表す。
   Ｒ^５は、（ｉ）ハロゲン、（ｉｉ）シアノ、（ｉｉｉ）ニトロ、（ｉｖ）トリチルオキシ、４−メトキシトリチルオキシ、４，４’−ジメトキシトリチルオキシもしくは４，４’ ，４’’−トリメトキシトリチルオキシで置換されていてもよいアルキルスルホニル、（ｖ）ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノおよびニトロからなる群から選択される１〜３個の基で置換されていてもよいアリールスルホニル、（ｖｉ）ヒドロキシ、（ｖｉｉ）ヒドロキシカルボニル、（ｖｉｉｉ）アルコキシカルボニルまたは（ｉｘ）三置換シリルを表す。
   Ｒ^６，Ｒ^７は、同一または異なって、アルキルを表す。
   Ｒ^８は、アルキルまたは次の一般式（９）で表される基を表す。
   

   

   ［式中、Ｒ^２２，Ｒ^２３，Ｒ^２４は、同一または異なって、水素またはアルコキシを表す。］
   Ｒ^９，Ｒ^１０は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、ハロゲンまたはＯＲ^２５を表す。Ｒ^２５は、アシル、三置換シリル、アルキル、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルアミノカルボニルアルキル、アルキニル、アミノアルキル、または次の一般式（１０）で表される基を表す。
   

   

   ［式中、Ｒ^２６，Ｒ^２７は、同一もしくは異なって、Ｈ、アルキルもしくはアシルオキシエトキシを表すか、または、Ｒ^２６とＲ^２７とが隣接する炭素原子と一緒になって５員環もしくは６員環を表す。かかる５員環または６員環は、環構成原子として、酸素原子または窒素原子を有していてもよい。かかる窒素原子にはフェニルが置換しており、該フェニルはアルキルおよびハロゲンからなる群から選択される１個〜３個の基で置換されていてもよい。Ｒ^２８は、（ｉ）アシル、（ｉｉ）アルキルチオ、（ｉｉｉ）アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノもしくはニトロで置換されていてもよいベンジル、または、（ｉｖ）ハロゲン、シアノ、ニトロ、アシルオキシエチル、アルキルスルホニルもしくはアリールスルホニルで置換されていてもよいエチルを表す。Ｙは、ＯまたはＳを表す。＊は結合位置を表す。］
   Ｒ^１１は、Ｈまたは保護されていてもよい核酸塩基を表す。
   Ｒ^１２，Ｒ^１３，Ｒ^１４は、同一または異なって、Ｈまたはアルキルを表す。
   Ｒ^１５，Ｒ^１６，Ｒ^１７は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、ハロゲンを表す。
   Ｒ^１８は、アルキルを表す。
   Ｒ^１９，Ｒ^２０，Ｒ^２１は、同一または異なって、Ｈ、アルキル、ハロゲンを表す。
   Ｘは、ＯまたはＳを表す。
   ＊は結合位置を表す。
6. アミノアルキルシリルが３−アミノプロピルシリルである、請求項３記載のホスホロアミダイト化合物（１）の精製方法。