JPWO2007097447A1 - 核酸保護基の脱離方法 - Google Patents

Abstract

本発明の目的は、リボースの２’位水酸基が下記置換基（Ｉ）で保護され、３’位水酸基と５’位水酸基がケイ素保護基で保護されているリボ核酸誘導体について、リボースの３’位水酸基と５’位水酸基を保護しているケイ素置換基を、安価かつ大量に効率よく脱離する方法を提供することにある。式（Ｉ）中、ＷＧ１は、電子吸引性基を表す。次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体に、次の一般式（２）で表される３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物を作用させ、リボースの３’位水酸基と５’位水酸基とを保護しているケイ素置換基を脱離することによって、次の一般式（３）で表されるリボ核酸誘導体を製造する。

Description

本発明は、リボースの２’位水酸基が下記置換基（Ｉ）で保護され、３’位水酸基と５’位水酸基がケイ素保護基で保護されているリボ核酸誘導体について、リボースの３’位水酸基と５’位水酸基のケイ素保護基を除去する方法に関するものである。

式（Ｉ）中、ＷＧ^１は、電子吸引性基を表す。
ＷＧ^１に係る「電子吸引性基」としては、例えば、シアノ、ニトロ、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、ハロゲンを挙げることができる。なかでも、シアノが好ましい。
ＷＧ^１に係る「アルキルスルホニル」の「アルキル」部分としては、例えば、直鎖状又は分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。
ＷＧ^１に係る「アリールスルホニル」の「アリール」部分としては、例えば、炭素数６〜１２のアリールを挙げることができる。具体的には、例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニルを挙げることができる。当該アリールは置換されていてもよく、かかる置換基としては、例えば、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されていてもよい。

オリゴリボ核酸（オリゴＲＮＡ）は、遺伝子解析のＲＮＡプローブ、ＲＮＡ医薬品素材（アンチセンスＲＮＡ、リボザイム、ＲＮＡｉを利用した遺伝子発現制御）、人工酵素、アプタマーとして有用であることは周知である。
オリゴＲＮＡを製造するための試薬として、リボースの２’位水酸基が中性条件において脱離可能な２−シアノエトキシメチル（ＣＥＭ基）で置換されているホスホロアミダイト化合物が知られている（非特許文献１）。また、和田らも、オリゴＲＮＡを製造するための試薬として、例えば、１−（２−シアノエトキシ）エチル（ＣＥＥ基）を２’位の水酸基に導入したホスホロアミダイト化合物を提供している（非特許文献２、非特許文献３）。
該ホスホロアミダイト化合物を製造する過程において、和田らは、リボースの３’位水酸基と５’位水酸基を保護しているジシロキシル基を脱離するために、フッ素化剤（テトラブチルアンモニウムフロリド（以下、「ＴＢＡＦ」という。）、トリエチルアミントリヒドロフロリド、フッ化水素ピリジン等）と酸（酢酸、塩酸、硫酸）との任意の混合比の混合試薬として使用することができることを報告している（特許文献１）。しかしながら、実施例では、ＴＢＡＦと酢酸との混合試薬を使用してジシロキシル基が脱保護されている例があるのみである。
また、實吉らは、２’位水酸基が２−シアノエチルで置換されたホスホロアミダイト化合物を製造する過程において、リボースの３’位水酸基と５’位水酸基を保護しているジシロキシル基を脱離するため、トリエチルアミントリヒドロフロリドとトリエチルアミンとの１：０．５の混合比の混合試薬を使用することができることを報告している（非特許文献４）。

国際公報ＷＯ２００５／０２３８２８ Ａ１パンフレット 大木ら，ＯＲＧＡＮＩＣ ＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．７，３４７７（２００５） 和田 猛，ＢＩＯ ＩＮＤＵＳＴＲＹ，Ｖｏｌ．２１，Ｎｏ．１，１７（２００４） Ｔ．Ｕｍｅｍｏｔｏら，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．４５，９５２９（２００４） 實吉 尚郎ら，Ｊｏｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，７０，１０４５３（２００５）

本発明の目的は、主として、リボースの２’位水酸基が下記置換基（Ｉ）で保護され、３’位水酸基と５’位水酸基がケイ素保護基で保護されているリボ核酸誘導体について、リボースの３’位水酸基と５’位水酸基を保護しているケイ素置換基を、効率よく脱離する方法を提供することにある。

式（Ｉ）中、ＷＧ^１は、前記と同義である。

本発明者らは、上記目的を達成するために、鋭意検討した結果、次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体に、次の一般式（２）で表される３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物を作用させることによって、次の一般式（３）で表されるリボ核酸誘導体を効率よく製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。

式（１）、（２）及び（３）中、Ｂｚは、保護基を有していてもよい核酸塩基又はその修飾体を表す。ＷＧ^１は、前記と同義である。Ｒ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃは、それぞれ同一若しくは異なって、アルキルを表すか、又はＲ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、２環性の飽和アミノ環基を表す。ｘは、１〜３０の範囲内にある数を表す。Ａは、次の一般式（４ａ）又は（４ｂ）で表されるケイ素置換基を表す。

式（４ａ）及び（４ｂ）中、Ｒ^６は、アルキルを表す。

Ｂｚに係る「核酸塩基」としては、核酸の合成に使用されるものであれば特に制限されず、例えば、シトシン、ウラシル等のピリミジン塩基、アデニン、グアニン等のプリン塩基が挙げることができる。
Ｂｚに係る「核酸塩基」は、保護されていてもよく、なかでもアミノ基を有する核酸塩基、例えば、アデニン、グアニン、シトシンは、アミノ基が保護されているのが好ましい。かかる「アミノ基の保護基」としては、核酸の保護基として使用されるものであれば特に制限されず、具体的には、例えば、ベンゾイル、４−メトキシベンゾイル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、フェニルアセチル、フェノキシアセチル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル、４−イソプロピルフェノキシアセチル、（ジメチルアミノ）メチレンを挙げることができる。
Ｂｚの「修飾体」とは、核酸塩基が任意の置換基で置換されている基であり、かかる置換基としては、例えば、ハロゲン、アシル、アルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、ヒドロキシ、アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、カルボキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されている。
Ｂｚの「修飾体」に係る「ハロゲン」としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を挙げることができる。
Ｂｚの「修飾体」に係る「アシル」としては、例えば、直鎖状又は分枝鎖状の炭素数１〜６のアルカノイル、炭素数７〜１３のアロイルを挙げることができる。具体的には、例えば、ホルミル、アセチル、ｎ−プロピオニル、イソプロピオニル、ｎ−ブチリル、イソブチリル、ｔｅｒｔ−ブチリル、バレリル、ヘキサノイル、ベンゾイル、ナフトイル、レブリニルを挙げることができる。
Ｂｚの「修飾体」に係る「アルキル」としては、例えば、直鎖状又は分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。当該アルキルは置換されていてもよく、かかる置換基としては、例えば、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されていてもよい。
Ｂｚの「修飾体」に係る「アリールアルキル」、「アルコキシアルキル」、「モノアルキルアミノ」、「ジアルキルアミノ」及び「アルキルスルホニル」の「アルキル」部分は、上記の「アルキル」と同じものを挙げることができる。
Ｂｚの「修飾体」に係る「アルコキシ」としては、例えば、直鎖状又は分枝鎖状の炭素数１〜４のアルコキシを挙げることができる。具体的には、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシを挙げることができる。なかでも炭素数１〜３のものが好ましく、とりわけメトキシが好ましい。
Ｂｚの「修飾体」に係る「アルコキシアルキル」の「アルコキシ」部分は、上記の「アルコキシ」と同じものを挙げることができる。
Ｂｚの「修飾体」に係る「アリールアルキル」の「アリール」としては、例えば、炭素数６〜１２のアリールを挙げることができる。具体的には、例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニルを挙げることができる。当該アリールは置換されていてもよく、かかる置換基としては、例えば、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されていてもよい。
Ｂｚの「修飾体」に係る「アルキル」、「アリール」の置換基である「ハロゲン」、「アルキル」及び「アルコキシ」としては、各々上記と同じものを挙げることができる。

Ｒ^６に係る「アルキル」としては、例えば、直鎖状又は分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。

本発明において使用しうる３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物としては、例えば、上記一般式（２）で表される３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は適当な溶媒中において３級アミンとフッ化水素酸とが任意の比で混合されたものを挙げることができる。

Ｒ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃに係る「アルキル」としては、Ｂｚの「修飾体」に係る「アルキル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃに係る「２環性の飽和アミノ環基」としては、例えば、キヌクリジン、トリエチレンジアミンを挙げることができる。
ｘは、１〜３０の範囲内にある数を表し、端数であってもよい。好ましくは２〜１５の範囲内にある数であり、より好ましくは３〜１０の範囲内にある数である。

本発明に使用する「３級アミン」として、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、キヌクリジン、トリエチレンジアミンを挙げることができる。
本発明に係る「３級アミンとフッ化水素酸との塩」としては、例えば、トリメチルアミントリハイドロフロリド、トリメチルアミンテトラハイドロフロリド、トリメチルアミンペンタハイドロフロリド、トリメチルアミンヘキサハイドロフロリド、トリメチルアミンペンタハイドロフロリド、トリエチルアミンジハイドロフロリド、トリエチルアミントリハイドロフロリド、トリエチルアミンテトラハイドロフロリド、トリエチルアミン２６ハイドロフロリド、キヌクリジントリハイドロフロリド、トリエチレンジアミンテトラハイドロフロリドを挙げることができる（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，１９３，２４７（１９８９）、Ｐｏｌ．Ｊ．Ｃｈｅｍ，６７（２），２８１（１９９３）、Ｃｈｅｍ。Ｅｕｒｏｐ．Ｊ．，４（６），１０４３（１９９８）、Ｊ．Ｆｌｕｏｒｉｎｅ．Ｃｈｅｍ．，１１８（１−２），１２３，（２００２）を参照）。とりわけ、トリエチルアミントリハイドロフロリドが好ましい。

また、本発明に使用しうる「３級アミンとフッ化水素酸との混合物」としては、例えば、上記３級アミンとフッ化水素酸とを、適当な溶媒（例えば、ＴＨＦ、アセトニトリル、メタノール、イソプロパール、トルエン）中、例えば、１：１〜１：３０（３級アミン：フッ化水素酸）の混合比（モル比）で混合したものを挙げることができる。また、好ましくは１：２〜１：１５（３級アミン：フッ化水素酸）の混合比（モル比）で混合したものであり、より好ましくは１：３〜１：１０（３級アミン：フッ化水素酸）の混合比（モル比）で混合したものである。

また、本発明として、次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体に、次の一般式（２）で表される３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物を作用させ、リボースの３’位水酸基と５’位水酸基とを保護しているケイ素置換基を脱離することによって、次の一般式（３）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程を含む、下記一般式（Ａ）で表されるホスホロアミダイト化合物（以下、「ホスホロアミダイト化合物（Ａ）」という。）の製造方法を挙げることができる。

式（１）、（２）及び（３）中、Ａ、Ｂｚ、Ｒ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃ、ＷＧ^１、ｘは、前記と同義である。

式（Ａ）中、Ｂｚ、ＷＧ^１は、前記と同義である。Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂは、同一若しくは異なって、アルキルを表すか、又は、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、５〜６員の飽和アミノ環基を表す。かかる飽和アミノ環基は、窒素原子の他に環構成原子として酸素原子又は硫黄原子を１個有していてもよい。ＷＧ^２は、同一又は異なって、電子吸引性基を表す。Ｒ^１は、次の一般式（５）で表される置換基を表す。

式（５）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３は、同一又は異なって、水素又はアルコキシを表す。

Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３に係る「アルコキシ」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルコキシ」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂに係る「アルキル」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルキル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂに係る「５〜６員の飽和アミノ環基」としては、例えば、ピロリジン−１−イル、ピペリジン−１−イル、モルホリン−１−イル、チオモルホリン−１−イルを挙げることができる。
ＷＧ^２に係る「電子吸引性基」としては、前記ＷＧ^１に係る「電子吸引性基」と同じものを挙げることができる。

ホスホロアミダイト化合物（Ａ）は、リボースの２’位水酸基が下記置換基（Ｉ）で保護され、３’位水酸基と５’位水酸基がケイ素保護基で保護されているホスホロアミダイト化合物である。また、２’位の水酸基に導入された基が直鎖状の置換基であり、３’位の水酸基に結合するリン原子の周りにおける立体が混み合っていないため、従来から使用されているホスホロアミダイト化合物と比較して、オリゴＲＮＡを合成する際、非常に短時間に縮合反応が進行し、縮合収率がよいという特徴を有する。ホスホロアミダイト化合物（Ａ）を使用することにより、オリゴＤＮＡの製造とほぼ同様の手法を用いて、高純度のオリゴＲＮＡの製造が可能である。

式（Ｉ）中、ＷＧ^１は、前記と同義である。

ここで、「オリゴＤＮＡ」とは、デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）のみからなるオリゴ核酸をいう。また、本発明において「オリゴＲＮＡ」とは、リボ核酸（ＲＮＡ）及びデオキシリボ核酸（ＤＮＡ）からなるオリゴ核酸であり、少なくとも１つはリボ核酸（ＲＮＡ）を含有するオリゴ核酸をいう。

以下、本発明を詳細に説明する。

以下に示す製法において、原料が反応に影響を及ぼす置換基（例えば、ヒドロキシ、アミノ、カルボキシ）を有する場合は、原料をあらかじめ公知の方法に従い、適当な保護基で保護した後に反応を行う。保護基は、最終的に、接触還元、アルカリ処理、酸処理などの公知の方法に従い保護基を脱離することができる。

Ｉ．本発明にかかるホスホロアミダイト化合物（Ａ）の製法
本発明にかかる次の一般式（Ａ）で表されるホスホロアミダイト化合物（Ａ）の製造方法（以下、「本発明ホスホロアミダイト製造方法」という。）について、以下に詳述する。
ホスホロアミダイト化合物（Ａ）は、公知化合物又は容易に製造可能な中間体から、例えば、次の工程ａ〜工程ｅの操作を実施することにより製造することができる。

以下、詳細に説明する。

（１）工程ａ：
次の一般式（６）で表されるリボ核酸誘導体にアルキル化試薬を作用させることによって、中性条件下において脱離するエーテル型保護基を２’位の水酸基に導入した、次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程。

式（１）及び（６）中、Ｂｚ、Ａ、ＷＧ^１は、前記と同義である。

「アルキル化試薬」として、例えば、次の一般式（１１）で表されるエーテル化合物を挙げることができる。

式（１１）中、Ｌは、ハロゲン、アリールチオ基、アルキルスルホキシド基又はアルキルチオ基を表す。ＷＧ^１は、前記と同義である。
Ｌに係る「ハロゲン」、「アリールチオ基」の「アリール」、「アルキルスルホキシド基」及び「アルキルチオ基」の「アルキル」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「ハロゲン」、「アリール」、「アルキル」と同じものを挙げることができる。
エーテル化合物（１１）の具体例としては、次の１．〜２．の化合物を挙げることができる。
１．クロロメチル ２−シアノエチルエーテル
２．２−シアノエチル メチルチオメチルエーテル
エーテル化合物（１１）は、中性条件下において脱離可能なエーテル型置換基を、２’位の水酸基に塩基性条件下において導入することができる新規なアルキル化試薬であり、ホスホロアミダイト化合物（Ａ）を製造するための試薬として有用である。

エーテル化合物（１１）は、次に示す工程１〜工程４を実施することにより製造することができる。
工程１：
次の一般式（１３）で表されるアルコール化合物をアルキルチオメチル化し、次の一般式（１４）で表される化合物を製造する工程。

式（１３）及び（１４）中、ＷＧ^１は、前記と同義である。Ｒ^３は、アルキル又はアリールを表す。
化合物（１４）は、Ｌがアルキルチオ基であるエーテル化合物（１１）である。
Ｒ^３に係る「アルキル」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルキル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^３がメチルである場合、アルキルチオメチル化試薬としては、例えば、ジメチルスルホキシド、無水酢酸及び酢酸の混合溶液を挙げることができる。「ジメチルスルホキシド」の使用量は、化合物（１３）のモル量に対して、１０〜２００倍モル量が適当であり、２０〜１００倍モル量である。「酢酸」の使用量は、化合物（１３）のモル量に対して、１０〜１５０倍モル量が適当であり、２０〜１００倍モル量である。「無水酢酸」の使用量は、化合物（１３）のモル量に対して、１０〜１５０倍モル量が適当であり、２０〜１００倍モル量である。反応温度は、０℃〜１００℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常１〜４８時間が適当である。

工程２：
化合物（１４）をハロゲン化し、次の一般式（１５）で表される化合物を製造する工程。

式（１４）及び（１５）中、ＷＧ^１、Ｒ^３は、前記と同義である。Ｘ^２は、ハロゲンを表す。
化合物（１４）は、エーテル化合物（１１）におけるＬがハロゲンである化合物である。
Ｘ^２に係る「ハロゲン」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「ハロゲン」と同じものを挙げることができる。
本工程は、公知の方法（例えば、Ｔ．Ｂｅｎｎｅｃｈｅら、Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ７６２（１９８３））により実施することができる。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン系炭化水素を挙げることができる。ハロゲン化試薬としては、例えば、塩化スルフリル、オキシ塩化リンを挙げることができる。「ハロゲン化試薬」の使用量は、化合物（１４）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、１〜１０倍モル量である。反応温度は、０℃〜１００℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常３０分〜２４時間が適当である。

工程３：
化合物（１５）をアリールチオ化し、次の一般式（１６）で表される化合物を製造する工程。

式（１５）及び（１６）中、ＷＧ^１、Ｘ^２は、前記と同義である。Ｒ^３ａは、アリールを表す。
化合物（１６）は、エーテル化合物（１１）におけるＬがアリールチオ基である化合物である。
Ｒ^３ａに係る「アリール」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アリール」と同じものを挙げることができる。
本工程は、公知の方法により実施することができる。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ジクロロメタン、アセトニトリルを挙げることができる。アリールチオ化試薬としては、例えば、チオフェノール、４−メチルベンゼンチオールを挙げることができる。「アリールチオ化試薬」の使用量は、化合物（１５）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜５倍モル量である。反応温度は、０℃〜１００℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常１〜４８時間が適当である。

工程４：
化合物（１４）を酸化し、次の一般式（１７）で表される化合物を製造する工程。

式（１４）及び（１７）中、ＷＧ^１、Ｒ^３は、前記と同義である。
化合物（１７）は、エーテル化合物（１１）におけるＬがアルキルスルホキシド基である化合物である。
Ｒ^３に係る「アルキル」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルキル」と同じものを挙げることができる。
本工程は、公知の方法により実施することができる。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、メタノールを挙げることができる。酸化剤としては、例えば、メタクロロ過安息香酸、メタ過ヨウ素酸塩、過酸化水素を挙げることができる。「酸化剤」の使用量は、化合物（１４）のモル量に対して、０．８〜１０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜２倍モル量である。反応温度は、０℃〜１００℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常１〜４８時間が適当である。

「アルキル化試薬」として、化合物（１５）を使用する場合、以下のように実施することができる。
本工程は、公知の方法に従い、市販品として入手可能又は文献記載の方法に従い合成可能であるリボ核酸誘導体（６）にアルキル化試薬と塩基とを作用させることにより実施することができる。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン系炭化水素を挙げることができる。「アルキル化試薬」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。本工程において、必要に応じて、リボ核酸誘導体（６）に金属試薬と塩基を作用させ製造される中間体を経由した後、アルキル化試薬を作用させることもできる。かかる「金属試薬」として、例えば、二塩化ジブチルスズ、ｔ−ブチルマグネシウムクロライドを挙げることができる。「金属試薬」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。「塩基」としては、ピリジン、２，６−ジメチルピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンなどの有機塩基を挙げることができる。「塩基」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。反応温度は、０℃〜１２０℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常３０分〜２４時間が適当である。

「アルキル化試薬」として、化合物（１４）又は（１６）を使用する場合、以下のように実施することができる。
本工程は、公知の方法（例えば、Ｍ．Ｍａｔｔｅｕｃｃｉ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．３１，２３８５（１９９０））に従い、市販品として入手可能又は文献記載の方法に従い合成可能であるリボ核酸誘導体（６）に、アルキル化試薬と酸と硫黄原子に対するハロゲン化剤とを作用させることにより実施することができる。「アルキル化試薬」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、０．８〜５倍モル量が適当であり、好ましくは１〜３倍モル量である。「酸」としては、例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸銀、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートを挙げることができる。「酸」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、０．０１〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは０．０２〜１０倍モル量である。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」という。）、アセトニトリル又はこれら任意の混合溶媒を挙げることができる。本工程において使用する「硫黄原子に対するハロゲン化剤」として、例えば、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）、Ｎ−ヨードスクシンイミド（ＮＩＳ）を挙げることができる。「硫黄原子に対するハロゲン化剤」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、０．８〜１０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜５倍モル量である。反応温度は、−７８℃〜３０℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常５分〜５時間が適当である。

「アルキル化試薬」として、化合物（１７）を使用する場合、以下のように実施することができる。
本工程は、公知の方法に従い、市販品として入手可能又は文献記載の方法に従い合成可能であるリボ核酸誘導体（６）に、アルキル化試薬と酸無水物と塩基とを作用させることにより実施することができる。「アルキル化試薬」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、０．８〜５倍モル量が適当であり、好ましくは１〜３倍モル量である。「酸無水物」としては、例えば、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、無水酢酸を挙げることができる。「酸無水物」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、０．０１〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは０．０２〜１０倍モル量である。塩基としては、例えば、テトラメチルウレア、コリジンを挙げることができる。「塩基」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、０．０１〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは０．０２〜１０倍モル量である。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン又はこれら任意の混合溶媒を挙げることができる。反応温度は、−７８℃〜３０℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常５分〜２４時間が適当である。

（２）工程ｂ：
工程ａとは別に、リボ核酸誘導体（６）にジメチルスルホキシドと酢酸と無水酢酸とを作用させることによって、次の一般式（７）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程。

式（６）及び（７）中、Ａ、Ｂｚは、前記と同義である。
Ｒ^６に係る「アルキル」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルキル」と同じものを挙げることができる。
本工程は、公知の方法に従い、市販品として入手可能又は文献記載の方法に従い合成可能であるリボ核酸誘導体（６）に、ジメチルスルホキシドと酢酸と無水酢酸とを作用させることにより実施することができる。
「ジメチルスルホキシド」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、１０〜２００倍モル量が適当であり、好ましくは２０〜１００倍モル量である。「酢酸」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、１０〜１５０倍モル量が適当であり、好ましくは２０〜１００倍モル量である。「無水酢酸」の使用量は、リボ核酸誘導体（６）のモル量に対して、１０〜１５０倍モル量が適当であり、好ましくは２０〜１００倍モル量である。反応温度は、１０℃〜５０℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常３０分〜２４時間が適当である。

（３）工程ｃ：
工程ｂにおいて製造されるリボ核酸誘導体（７）に次の一般式（８）で表されるアルコール化合物と酸と硫黄原子に対するハロゲン化剤とを作用させることによって、中性条件下において脱離するエーテル型保護基を２’位の水酸基に導入した、次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程。

式（７）、（８）及び（１）中、Ａ、Ｂｚ、ＷＧ^１は、前記と同義である。
本工程は、公知の方法に従い、リボ核酸誘導体（７）に、アルコール化合物（８）と酸と硫黄原子に対するハロゲン化剤とを作用させることにより実施することができる。
使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、アセトニトリル又はこれら任意の混合溶媒を挙げることができる。「アルコール化合物（８）」の使用量は、リボ核酸誘導体（７）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。「酸」としては、例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸銀、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートを挙げることができる。「硫黄原子に対するハロゲン化剤」としては、例えば、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）、Ｎ−ヨードスクシンイミド（ＮＩＳ）を挙げることができる。「硫黄原子に対するハロゲン化剤」の使用量は、リボ核酸誘導体（７）のモル量に対して、０．１〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは０．２〜１０倍モル量である。反応温度は、−１００℃〜２０℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常５分〜１２時間が適当である。

（４）工程ｄ：
工程ａ又はｃにおいて製造されるリボ核酸誘導体（１）に、次の一般式（２）で表される３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物を作用させリボースの３’位水酸基と５’位水酸基とを保護しているケイ素置換基を脱離することによって、次の一般式（３）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程。

式（１）、（２）及び（３）中、Ａ、Ｂｚ、Ｒ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃ、ＷＧ^１、ｘは、前記と同義である。
本工程は、リボ核酸誘導体（１）を適当な溶媒に溶解し、上記一般式（２）のような３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物を反応させることにより実施することができる。
また、場合によっては、３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物に、さらに適当な酸を添加した混合試薬を使用して本工程を実施することもできる。使用することができる酸としては、例えば、酢酸、塩酸、硫酸を挙げることができる。当該酸の使用量としては、リボ核酸誘導体（１）のモル量に対して、例えば、０．８〜１０が適当であり、好ましくは１〜１．５である。
使用しうる溶媒としては、例えば、ＴＨＦ、アセトニトリル、メタノール、イソプロパール、トルエンを挙げることができる。特に、ＴＨＦ、アセトニトリルが好ましい。
リボ核酸誘導体（１）の種類や用いる３級アミンとフッ化水素酸との塩、３級アミンとフッ化水素酸との混合物、使用する溶媒等によって異なるが、本工程に使用しうる「３級アミンとフッ化水素酸との塩、３級アミンとフッ化水素酸との混合物」の使用量としては、リボ核酸誘導体（１）のモル量に対して、１〜１０倍モル量が適当であり、好ましくは１．２〜１．５倍モル量である。反応温度は、０℃〜８０℃が適当である。反応時間は、リボ核酸誘導体の種類や用いる３級アミンとフッ化水素酸との塩、３級アミンとフッ化水素酸との混合物、使用する溶媒等によって異なるが、反応温度等によって異なるが、通常３０分〜１０時間が適当である。
反応終了後、そのまま又は反応混合物に適量の水を加えて冷却することにより、リボ核酸誘導体（３）を析出物として得ることができる。添加する水の量としては、使用する溶媒の量に対して、０．０５〜５倍量が適当であり、好ましくは０．０６〜１倍量であり、より好ましくは０．０７〜０．１倍量である。

（５）工程ｅ：
工程ｄにおいて製造されるリボ核酸誘導体（３）の５’位の水酸基に酸性条件下において脱離する保護基（Ｒ^１）を導入する、リボ核酸誘導体（１０）を製造する工程。

式（３）、（９）及び（１０）中、Ｂｚ、Ｒ^１、ＷＧ^１は、前記と同義である。Ｘ^３は、ハロゲンを表す。
Ｘ^３に係る「ハロゲン」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「ハロゲン」と同じものを挙げることができる。
本工程は、公知の方法に従い、リボ核酸誘導体（３）にＲ^１Ｘ^３（９）を作用させることにより実施することができる。Ｒ^１Ｘ^３（９）の使用量は、リボ核酸誘導体（３）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、アセトニトリル、ＴＨＦ等を挙げることができる。「塩基」としては、ピリジン、２，６−ジメチルピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンなどの有機塩基を挙げることができる。「塩基」の使用量は、リボ核酸誘導体（３）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。反応温度は、０℃〜１２０℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常３０分〜２４時間が適当である。

（６）工程ｆ：
工程ｅにおいて製造されるリボ核酸誘導体（１０）にホスホロアミダイト化試薬と、必要に応じて活性化剤とを作用させることによって、３’位の水酸基がホスホロアミダイト化されたホスホロアミダイト化合物（Ａ）を製造する工程。

式（１０）及び（Ａ）中、Ｂｚ、Ｒ^１、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、ＷＧ^１、ＷＧ^２は、前記と同義である。
「ホスホロアミダイト化試薬」としては、例えば、次の一般式（１２ａ）、（１２ｂ）で表される化合物を挙げることができる。

式（１２ａ）及び（１２ｂ）中、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、ＷＧ^２は、前記と同義である。Ｘ^１は、ハロゲンを表す。
Ｘ^１に係る「ハロゲン」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「ハロゲン」と同じものを挙げることができる。
本工程は、リボ核酸誘導体（１０）にホスホロアミダイト試薬を作用させて、３’位の水酸基をホスホロアミダイト化する反応であり、公知の方法に従い実施することができる。必要に応じて、活性化剤を使用することもできる。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、アセトニトリル、ＴＨＦを挙げることができる。
「ホスホロアミダイト化試薬」の使用量は、リボ核酸誘導体（１０）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。「活性化剤」としては、例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−エチルチオテトラゾール、５−ベンジルメルカプト−１Ｈ−テトラゾール、４，５−ジクロロイミダゾール、４，５−ジシアノイミダゾール、ベンゾトリアゾールトリフラート、イミダゾールトリフラート、ピリジニウムトリフラート、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、２，４，６−コリジン／Ｎ−メチルイミダゾールを挙げることができる。「活性化剤」の使用量は、リボ核酸誘導体（１０）のモル量に対して、０．８〜２０倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。反応温度は、０℃〜１２０℃が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常３０分〜２４時間が適当である。
このようにして、製造されるホスホロアミダイト化合物（Ａ）は、それ自体公知の手段、例えば、濃縮、液性変換、転溶、溶媒抽出、結晶化、再結晶、分留、クロマトグラフィーにより分離精製することができる。

ＩＩ．オリゴＲＮＡの製法
ホスホロアミダイト化合物（Ａ）を使用することによって、次の一般式（Ｂ）で表されるオリゴＲＮＡ（以下、「オリゴＲＮＡ（Ｂ）」という。）を製造することができる。
以下に詳述する。

式（Ｂ）中、各Ｂは、それぞれ独立して、核酸塩基又はその修飾体を表す。各Ｑは、それぞれ独立して、Ｏ又はＳを表す。各Ｒは、それぞれ独立して、Ｈ、水酸基、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルケニルオキシ、アルケニルチオ、アルケニルアミノ、ジアルケニルアミノ、アルキニルオキシ、アルキニルチオ、アルキニルアミノ、ジアルキニルアミノ又はアルコキシアルキルオキシを表すが、少なくとも１つは水酸基を表す。Ｚは、Ｈ、リン酸基又はチオリン酸基を表す。ｎは、１〜２００の範囲内にある整数を表す。
ｎは、１０〜１００の範囲内にある整数が好ましく、また、より好ましくは、１５〜５０の範囲内にある整数である。

Ｂで表される核酸塩基としては特に限定されるものではなく、例えば、シトシン、ウラシル、チミン等のピリミジン塩基、アデニン、グアニン等のプリン塩基を挙げることができる。
Ｂの「修飾体」とは、核酸塩基が任意の置換基で置換されている基であり、Ｂの修飾体に係る置換基としては、例えば、ハロゲン、アシル、アルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、ヒドロキシ、アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、カルボキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されている。
Ｂの修飾体に係る「ハロゲン」、「アシル」、「アルキル」、「アリールアルキル」、「アルコキシ」、「アルコキシアルキル」、「アミノ」、「モノアルキルアミノ」、「ジアルキルアミノ」としては、前記Ｂｚの修飾体に係るそれらと同じものを挙げることができる。
Ｒに係る「ハロゲン」、「アルコキシ」、「アルキルアミノ」又は「ジアルキルアミノ」は、前記Ｂｚの修飾体に係るそれらと同じものを挙げることができる。
Ｒに係る「アルコキシアルキルオキシ」、「アルキルチオ」の「アルキル」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルキル」と同じものを挙げることができる。
Ｒに係る「アルコキシアルキルオキシ」の「アルコキシ」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルコキシ」と同じものを挙げることができる。
Ｒに係る「アルケニルオキシ」、「アルケニルチオ」、「アルケニルアミノ」、「ジアルケニルアミノ」の「アルケニル」としては、例えば、直鎖状又は分枝鎖状の炭素数２〜６のアルケニルを挙げることができる。具体的には、例えば、ビニル、アリル、１−プロペニル、イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル等を挙げることができる。
Ｒに係る「アルキニルオキシ」、「アルキニルチオ」、「アルキニルアミノ」、「ジアルキニルアミノ」の「アルキニル」としては、例えば、直鎖状又は分枝鎖状の炭素数２〜４のアルキニルを挙げることができる。具体的には、例えば、エチニル、２−プロピニル、１−ブチニル等を挙げることができる。

ホスホロアミダイト化合物（Ａ）を用いるオリゴＲＮＡ（Ｂ）の製法は、公知の方法に従い行うことができるが、例えば、次に示す工程Ａ〜工程Ｇの操作を実施することにより、段階的に３’から５’の方向へ核酸モノマー化合物を縮合することにより行うことができる。
オリゴＲＮＡ製法において、各Ｒのうち少なくとも１つが水酸基であるオリゴＲＮＡ（Ｂ）を製造することができる。例えば、下記工程Ｂにおいて、核酸モノマー化合物として全てホスホロアミダイト化合物（Ａ）を使用することにより、各Ｒが全て水酸基であるオリゴＲＮＡ（Ｂ）を製造することができる。

下記工程に使用されている化合物及び試薬のうち、ホスホロアミダイト化合物（Ａ）以外については、オリゴＲＮＡ又はオリゴＤＮＡの合成に一般的に使用されているものであれば特に限定されない。また、既存の核酸合成試薬を用いた場合と同様、すべての工程をマニュアル又は市販のＤＮＡ自動合成機を用いて製造することができる。自動合成機で行うことにより操作法の簡便化、また合成の正確性の点から自動合成機を用いる方法が望ましい。また、下記工程Ａ〜工程Ｇに記載されている化合物及び試薬のうち、核酸モノマー化合物以外については、オリゴＤＮＡ又はオリゴＲＮＡの合成に一般的に使用されているものであれば特に限定されない。

（１）工程Ａ：
次の一般式（１８）で表される（オリゴ）核酸誘導体に酸を作用させることによって、５’位の水酸基の保護基を脱離して、次の一般式（１９）で表されるオリゴ核酸誘導体を製造する工程。

式（１８）及び（１９）中、各Ｑは、それぞれ独立して、前記と同義である。ｎ、Ｒ^１、ＷＧ^２は前記と同義である。各Ｂｘは、それぞれ独立して、保護基を有していてもよい核酸塩基又はその修飾体を表す。各Ｒ^４は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルケニルオキシ、アルケニルチオ、アルケニルアミノ、ジアルケニルアミノ、アルキニルオキシ、アルキニルチオ、アルキニルアミノ、ジアルキニルアミノ、アルコキシアルキルオキシ又は次の一般式（２０）で表される置換基を表す。

式（２０）中、ＷＧ^１は、前記と同義である。
Ｅは、アシル又は次の一般式（２１）で表される置換基を表す。

式（２１）中、Ｅ^１は、単結合又は次の一般式（２２）で表される置換基を表す。

式（２２）中、Ｑ、ＷＧ^２は、前記と同義である。
Ｔは、Ｈ、アシルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルケニルオキシ、アルケニルチオ、アルケニルアミノ、ジアルケニルアミノ、アルキニルオキシ、アルキニルチオ、アルキニルアミノ、ジアルキニルアミノ、アルコキシアルキルオキシ、上記一般式（２０）で表される置換基又は上記一般式（２１）で表される置換基を表す。但し、Ｅ又はＴのどちらか一方は、置換基（２１）を表す。

Ｂｘに係る「核酸塩基」としては、核酸の合成に使用されるものであれば特に制限されず、例えば、シトシン、ウラシル、チミン等のピリミジン塩基、アデニン、グアニン等のプリン塩基を挙げることができる。
Ｂｘに係る「核酸塩基」は、保護されていてもよく、なかでもアミノ基を有する核酸塩基、例えば、アデニン、グアニン、シトシンは、アミノ基が保護されているのが好ましい。
かかる「アミノ基の保護基」としては、核酸の保護基として使用されるものであれば特に制限されず、例えば、ベンゾイル、４−メトキシベンゾイル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、フェニルアセチル、フェノキシアセチル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル、４−イソプロピルフェノキシアセチル、（ジメチルアミノ）メチレンを挙げることができる。
Ｂｘの「修飾体」とは、核酸塩基が任意の置換基で置換されている基であり、Ｂｘの「修飾体」に係る置換基としては、例えば、ハロゲン、アシル、アルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、ヒドロキシ、アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、カルボキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されている。
Ｂｘの修飾体に係る「ハロゲン」、「アシル」、「アルキル」、「アリールアルキル」、「アルコキシ」、「アルコキシアルキル」、「モノアルキルアミノ」、「ジアルキルアミノ」としては、前記Ｂｚの修飾体に係るそれらと同じものを挙げることができる。
Ｒ^４に係る「ハロゲン」、「アルコキシ」、「アルキルアミノ」及び「ジアルキルアミノ」としては、前記Ｂｚの修飾体に係るそれらと同じものを挙げることができる。
Ｒ^４に係る「アルコキシアルキルオキシ」及び「アルキルチオ」の「アルキル」部分としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルキル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^４に係る「アルコキシアルキルオキシ」の「アルコキシ」部分としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルコキシ」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^４に係る「アルケニルオキシ」、「アルケニルチオ」、「アルケニルアミノ」、「ジアルケニルアミノ」の「アルケニル」部分としては、前記Ｒに係る「アルケニル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^４に係る「アルキニルオキシ」、「アルキニルチオ」、「アルキニルアミノ」、「ジアルキニルアミノ」の「アルキニル」部分としては、前記Ｒに係る「アルキニル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^４に係る「アルキルアミノ」、「アルケニルアミノ」、「アルキニルアミノ」は保護されていてもよく、かかる保護基はアミノ基の保護基として使用されるものであれば特に制限されず、例えば、トリフルオロアセチル、ベンゾイル、４−メトキシベンゾイル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、フェニルアセチル、フェノキシアセチル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル、４−イソプロピルフェノキシアセチル、（ジメチルアミノ）メチレンを挙げることができる。特に、トリフルオロアセチルが好ましい。


Ｅに係る「アシル」としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アシル」と同じものを挙げることができる。
Ｔの「アシルオキシ」に係る「アシル」部分は、前記Ｂｚの修飾体に係る「アシル」と同じものを挙げることができる。
Ｔに係る「ハロゲン」、「アルコキシ」、「アルキルアミノ」及び「ジアルキルアミノ」としては、前記Ｂｚの修飾体に係るそれらと同じものを挙げることができる。
Ｔに係る「アルコキシアルキルオキシ」及び「アルキルチオ」の「アルキル」部分としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルキル」と同じものを挙げることができる。
Ｔに係る「アルコキシアルキルオキシ」の「アルコキシ」部分としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルコキシ」と同じものを挙げることができる。
Ｔに係る「アルケニルオキシ」、「アルケニルチオ」、「アルケニルアミノ」、「ジアルケニルアミノ」の「アルケニル」部分としては、前記Ｒに係る「アルケニル」と同じものを挙げることができる。
Ｔに係る「アルキニルオキシ」、「アルキニルチオ」、「アルキニルアミノ」、「ジアルキニルアミノ」の「アルキニル」部分としては、前記Ｒに係る「アルキニル」と同じものを挙げることができる。
Ｔに係る「アルキルアミノ」、「アルケニルアミノ」、「アルキニルアミノ」は保護されていてもよく、かかる保護基はアミノ基の保護基として使用されるものであれば特に制限されず、例えば、トリフルオロアセチル、ベンゾイル、４−メトキシベンゾイル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、フェニルアセチル、フェノキシアセチル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル、４−イソプロピルフェノキシアセチル、（ジメチルアミノ）メチレンを挙げることができる。特に、トリフルオロアセチルが好ましい。

本工程は、固相担体に担持された次の一般式（２３ａ）、（２３ｂ）で表される核酸誘導体（ｎ＝１である核酸誘導体（１８））、又は、工程Ａ〜工程Ｄの操作を行うことにより製造される固相担体に担持されたオリゴＲＮＡ若しくはオリゴＤＮＡ（ｎ＝２〜１００であるオリゴ核酸誘導体（１８））（以下、「固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体」という。）に酸を作用させることにより実施することができる。

式（２３ａ）及び（２３ｂ）中、Ｂ_Ｘ、Ｒ^１は、前記と同義である。Ｒ^２Ｌ、Ｒ^４Ｌは、前記置換基（２１）を表す。Ｒ^２は、アシルオキシを表す。Ｒ^４ａは、Ｈ、アシルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルケニルオキシ、アルケニルチオ、アルケニルアミノ、ジアルケニルアミノ、アルキニルオキシ、アルキニルチオ、アルキニルアミノ、ジアルキニルアミノ、アルコキシアルキルオキシ又は前記置換基（２０）を表す。

Ｒ^２、Ｒ^４ａの「アシルオキシ」に係る「アシル」部分としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アシル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^４ａに係る「ハロゲン」、「アルコキシ」、「アルキルアミノ」及び「ジアルキルアミノ」としては、前記Ｂｚの修飾体に係るそれらと同じものを挙げることができる。
Ｒ^４ａに係る「アルコキシアルキルオキシ」及び「アルキルチオ」の「アルキル」部分としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルキル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^４ａに係る「アルコキシアルキルオキシ」の「アルコキシ」部分としては、前記Ｂｚの修飾体に係る「アルコキシ」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^４ａに係る「アルケニルオキシ」、「アルケニルチオ」、「アルケニルアミノ」、「ジアルケニルアミノ」の「アルケニル」部分としては、前記Ｒに係る「アルケニル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^４ａに係る「アルキニルオキシ」、「アルキニルチオ」、「アルキニルアミノ」、「ジアルキニルアミノ」の「アルキニル」部分としては、前記Ｒに係る「アルキニル」と同じものを挙げることができる。
Ｒ^４ａに係る「アミノ」、「アルキルアミノ」、「アルケニルアミノ」、「アルキニルアミノ」は保護されていてもよく、かかる保護基はアミノ基の保護基として使用されるものであれば特に制限されず、例えば、トリフルオロアセチル、ベンゾイル、４−メトキシベンゾイル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、フェニルアセチル、フェノキシアセチル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル、４−イソプロピルフェノキシアセチル、（ジメチルアミノ）メチレンを挙げることができる。特に、トリフルオロアセチルが好ましい。
「固相担体」としては、例えば、定孔ガラス（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｐｏｒｅ ｇｌａｓｓ；ＣＰＧ）、オキサリル化−定孔ガラス（例えば、Ａｌｕｌら，Ｎｕｃｌｅｉｃ Ａｃｉｄｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｖｏｌ．１９，１５２７（１９９１）を参照）、ＴｅｎｔａＧｅｌ支持体−アミノポリエチレングリコール誘導体化支持体（例えば、Ｗｒｉｇｈｔら，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．３４，３３７３（１９９３）を参照）、Ｐｏｒｏｓ−ポリスチレン／ジビニルベンゼンのコポリマーを挙げることができる。
「リンカー」としては、例えば、３−アミノプロピル、スクシニル、２，２’−ジエタノールスルホニル、ロングチェーンアルキルアミノ（ＬＣＡＡ）を挙げることができる。
核酸誘導体（２３ａ）、核酸誘導体（２３ｂ）は、公知の方法に従い製造される又は市販品として入手できる固相担体に担持された化合物であり、好ましい態様としては、例えば、次の一般式（２４）、（２５）で表される核酸誘導体を挙げることができる。

式（２４）及び（２５）中、Ｂ_Ｘ、Ｑ、Ｒ^１、Ｒ^４、ＷＧ^２は、前記と同義である。
Ｒ^４が置換基（２０）である核酸誘導体（２４）、（２５）は、ホスホロアミダイト化合物（Ａ）から公知の方法に従い製造することができる。

本工程に使用しうる「酸」としては、例えば、トリフルオロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸を挙げることができる。本工程に使用しうる酸は、１〜５％の濃度になるように適当な溶媒で希釈して使用することもできる。溶媒としては、反応に関与しなければ特に限定されないが、ジクロロメタン、アセトニトリル、水又はこれら任意の混合溶媒を挙げることができる。上記反応における反応温度は、２０℃〜５０℃が好ましい。反応時間は、（オリゴ）核酸誘導体（１８）の種類、使用する酸の種類、反応温度等によって異なるが、通常１分〜１時間が適当である。使用する試薬の量は固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体に対して０．８〜１００倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。

（２）工程Ｂ：
工程Ａにおいて製造されるオリゴ核酸誘導体（１９）に、活性化剤を用いて核酸モノマー化合物を縮合させ、次の一般式（２６）で表されるオリゴ核酸誘導体を製造する工程。

式（１９）及び（２６）中、各Ｂ_Ｘ、各Ｑ、各Ｒ^４、各ＷＧ^２は、それぞれ独立して、前記と同義である。Ｅ、ｎ、Ｒ^１、Ｔは、前記と同義である。
本工程は、固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体に核酸モノマー化合物と活性化剤とを作用させることにより実施することができる。
「核酸モノマー化合物」としては、ホスホロアミダイト化合物（Ａ）又は次の一般式（２７）で表される核酸誘導体を挙げることができる。

式（２７）中、Ｒ^１、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^４ａ、ＷＧ^２は、前記と同義である。Ｂ_Ｙは、保護基を有していてもよい核酸塩基又はその修飾体を表す。

Ｂ_Ｙに係る「核酸塩基」としては、核酸の合成に使用されるものであれば特に制限されず、例えば、シトシン、ウラシル、チミン等のピリミジン塩基、アデニン、グアニン等のプリン塩基を挙げることができる。
Ｂ_Ｙに係る「核酸塩基」は、保護されていてもよく、なかでもアミノ基を有する核酸塩基、例えば、アデニン、グアニン、シトシンは、アミノ基が保護されているのが好ましい。
かかる「アミノ基の保護基」としては、核酸の保護基として使用されるものであれば特に制限されず、具体的には、例えば、ベンゾイル、４−メトキシベンゾイル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、フェニルアセチル、フェノキシアセチル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル、４−イソプロピルフェノキシアセチル、（ジメチルアミノ）メチレンを挙げることができる。
Ｂ_Ｙの「修飾体」とは、核酸塩基が任意の置換基で置換されている基であり、Ｂ_Ｙの「修飾体」に係る置換基としては、例えば、ハロゲン、アシル、アルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、ヒドロキシ、アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、カルボキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されている。
Ｂ_Ｙの修飾体に係る「ハロゲン」、「アシル」、「アルキル」、「アリールアルキル」、「アルコキシ」、「アルコキシアルキル」、「モノアルキルアミノ」、「ジアルキルアミノ」としては、前記Ｂｚの修飾体に係るそれらと同じものを挙げることができる。

「活性化剤」としては、前記と同じものを挙げることができる。

反応溶媒としては、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、アセトニトリル、ＴＨＦを挙げることができる。上記反応における反応温度は、２０℃〜５０℃が好ましい。反応時間は、オリゴ核酸誘導体（１９）の種類、使用する活性化剤の種類、反応温度等によって異なるが、通常１分〜１時間が適当である。使用する試薬の量は固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体に対して０．８〜１００倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。

（３）工程Ｃ：
工程Ｂにおいて未反応であるオリゴ核酸誘導体（１９）の５’位の水酸基をキャッピングする工程。

式（１９）及び（２８）中、各Ｂ_Ｘ、各Ｑ、各Ｒ^４、各ＷＧ^２は、それぞれ独立して、前記と同義である。Ｒ^５は、メチル、フェノキシメチルを表す。Ｅ、ｎ、Ｔ、は、前記と同義である。Ｒ^５は、メチル、フェノキシメチル、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシメチルを表す。
本工程は、工程Ｂにおいて未反応であった５’位の水酸基を保護する反応であり、固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体にキャップ化剤を作用することにより実施することができる。
「キャップ化剤」としては、例えば、無水酢酸、フェノキシ酢酸無水物又はｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ酢酸無水物を挙げることができる。キャップ化剤は、０．０５〜１Ｍの濃度になるように適当な溶媒で希釈して使用することもできる。溶媒としては、反応に関与しなければ特に限定されないが、ピリジン、ジクロロメタン、アセトニトリル、ＴＨＦ又はこれら任意の混合溶媒を挙げることができる。また、本工程において必要に応じて、「反応促進剤」として、例えば、４−ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチルイミダゾールを使用することができる。上記反応における反応温度は、２０℃〜５０℃が好ましい。反応時間は、オリゴ核酸誘導体（１９）の種類、使用するキャップ化剤の種類、反応温度等によって異なるが、通常１分〜３０分が適当である。使用する試薬の量は固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体に対して０．８〜１００倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。

（４）工程Ｄ：
工程Ｂにおいて製造されるオリゴ核酸誘導体（２６）に酸化剤を作用させることによって亜リン酸基をリン酸基又はチオリン酸基に変換する工程。

式（２６）及び（２９）中、各Ｂ_Ｘ、各Ｑ、各Ｒ^４、各ＷＧ^２は、それぞれ独立して、前記と同義である。Ｅ、ｎ、Ｒ^１、Ｔは、前記と同義である。
本工程は、３価のリンから５価のリンに酸化剤を使用して変換する反応であり、固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体に酸化剤を作用させることにより実施することができる。
リンを酸素で酸化する場合には、「酸化剤」として、例えば、ヨウ素、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシドを使用することができる。該酸化剤は、０．０５〜２Ｍの濃度になるように適当な溶媒で希釈して使用することができる。反応に使用する溶媒としては、反応に関与しなければ特に限定されないが、ピリジン、ＴＨＦ、水又はこれら任意の混合溶媒を挙げることができる。例えば、ヨウ素／水／ピリジン―ＴＨＦあるいはヨウ素／ピリジン―酢酸や過酸化剤（ｔ−ブチルヒドロパーオキシド／メチレンクロライドなど）を用いることができる。
また、リンを硫黄で酸化する場合には、「酸化剤」として、例えば、硫黄、Ｂｅａｕｃａｇｅ試薬（３Ｈ−１，２−ベンゾジチオール−３−オン−１，１−ジオキシド）、３−アミノ−１，２，４−ジチアゾール−５−チオン（ＡＤＴＴ）を使用することができる。該酸化剤は、０．０５〜２Ｍの濃度になるように適当な溶媒で希釈して使用することができる。反応に使用する溶媒としては、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ジクロロメタン、アセトニトリル、ピリジン又はこれら任意の混合溶媒が挙げられる。
反応温度は、２０℃〜５０℃が好ましい。反応時間は、オリゴ核酸誘導体（２６）の種類、使用する酸化剤の種類、反応温度等によって異なるが、通常１分〜３０分が適当である。使用する試薬の量は固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体に対して０．８〜１００倍モル量が適当であり、好ましくは１０〜５０倍モル量である。

（５）工程Ｅ：
工程Ｄにおいて製造されるオリゴ核酸誘導体（２９）を固相担体から切り出し、各核酸塩基部及び各リン酸基の保護基を脱離する工程。

式（２９）及び（３０）中、各Ｂ、各Ｂ_Ｘ、各Ｑ、各Ｒ^４、各ＷＧ^２は、それぞれ独立して、前記と同義である。Ｅ、Ｒ、Ｒ^１、ｎ、Ｔ、Ｚは、前記と同義である。
切り出し工程は、所望の鎖長のオリゴＲＮＡを切り出し剤によって、固相担体及びリンカーから外す反応であり、所望の鎖長のオリゴＲＮＡが担持された固体担体に切り出し剤を添加することにより実施することができる。本工程において、核酸塩基部の保護基を脱離することができる。
「切り出し剤」としては、例えば、濃アンモニア水、メチルアミン等を挙げることができる。本工程に使用しうる「切り出し剤」は、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトニトリル、ＴＨＦ又はこれら任意の混合溶媒で希釈して使用することもできる。なかでも、エタノールが好ましい。
反応温度は、１５℃〜７５℃が適当であり、好ましくは１５℃〜３０℃であり、より好ましくは１８℃〜２５℃である。脱保護反応時間は、１０分〜３０時間が適当であり、好ましくは３０分〜２４時間であり、より好ましくは１〜４時間である。脱保護に使用される溶液中の水酸化アンモニウムの濃度は、２０〜３０重量％が適当であり、好ましくは２５〜３０重量％であり、より好ましくは２８〜３０重量％である。使用する試薬の量は、固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体に対して０．８〜１００倍モル量が適当であり、好ましくは１０〜５０倍モル量である。

（６）工程Ｆ：
工程Ｅにおいて製造されるオリゴ核酸誘導体（３０）に、各リボースの２’位水酸基の保護基を脱離するための試薬を作用させることによって、次の一般式（３１）で表されるオリゴ核酸誘導体を製造する工程。

式（３０）及び（３１）中、各Ｂ、各Ｑ、各Ｒ、各Ｒ^４は、それぞれ独立して、前記と同義である。ｎ、Ｒ^１、Ｚは、前記と同義である。

本工程は、オリゴ核酸誘導体（３０）に、２’位の水酸基の保護基を脱離する試薬を作用させることにより実施することができる。２’位の水酸基の保護基を脱離する工程は、「２’位の水酸基の保護基を脱離する試薬」として、例えば、ＴＢＡＦ、トリエチルアミントリハイドロフロリドを作用させることにより行うことができる。使用する「２’位の水酸基の保護基を脱離する試薬」の量は除去される保護基に対して１〜５００倍モル量が適当であり、好ましくは５〜１０倍モル量である。使用する溶媒としては、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ＴＨＦ、Ｎ−メチルピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホキシド又はこれら任意の混合溶媒を挙げることができる。反応溶媒の使用量は、「２’位の水酸基の保護基を脱離する試薬」に対して、０．８〜１００倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。反応温度は、２０℃〜８０℃が好ましい。反応時間は、オリゴ核酸誘導体（３０）の種類、使用する２’位の水酸基の保護基を脱離する試薬の種類、反応温度等によって異なるが、通常１時間〜１００時間が適当である。
必要であれば、本工程における副生成物であるアクリロニトリルを捕捉するため、アクリロニトリルの捕捉剤として、例えば、ニトロアルカン、アルキルアミン、アミジン、チオール、チオール誘導体又はこれら任意の混合物を添加することができる。「ニトロアルカン」としては、直鎖状の炭素数１〜６のニトロアルカンを挙げることができる。具体的には、例えば、ニトロメタンを挙げることができる。「アルキルアミン」としては、例えば、直鎖状の炭素数１〜６のアルキルアミンを挙げることができる。具体的には、例えば、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミンを挙げることができる。「アミジン」としては、例えば、ベンズアミジン、ホルムアミジンを挙げることができる。「チオール」としては、例えば、直鎖状の炭素数１〜６のチオールを挙げることができる。具体的には、例えば、メタンチオール、エタンチオール、１−プロパンチオール、１−ブタンチオール、１−ペンタンチオール、１−ヘキサンチオールを挙げることができる。「チオール誘導体」としては、例えば、同一又は異なる直鎖状の炭素数１〜６のアルキルチオール基を有するアルコール又はエーテルを挙げることができる。具体的には、例えば、２−メルカプトエタノール、４−メルカプト−１−ブタノール、６−メルカプト−１−ヘキサノール、メルカプトメチルエーテル、２−メルカプトエチルエーテル、３−メルカプトプロピルエーテル、４−メルカプトブチルエーテル、５−メルカプトペンチルエーテル、６−メルカプトヘキシルエーテルを挙げることができる。「アクリロニトリルの捕捉剤」の使用量としては、オリゴ核酸誘導体（３０）の種類等によって異なるが、オリゴ核酸誘導体（３０）の各リボースの２’位水酸基を保護している２−シアノエトキシメチルに対して、０．８〜５００倍モル量が適当であり、好ましくは1〜１０倍モル量である。

上記反応混合物から通常の分離精製手段、例えば、抽出、濃縮、中和、濾過、遠心分離、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー、逆層ＯＤＳカラムクロマトグラフィー、イオン交換カラムクロマトグラフィー、ゲルろ過カラムクロマトグラフィー、透析、限界ろ過などの手段を用いることにより、５’位が保護されたオリゴＲＮＡを単離精製することができる。

（７）工程Ｇ：
工程Ｆにおいて製造されるオリゴ核酸誘導体（３１）の５’位の水酸基を脱離する工程。

式（３１）及び（Ｂ）中、各Ｂ、各Ｑ、各Ｒは、それぞれ独立して、前記と同義である。ｎ、Ｒ^１、Ｚは、前記と同義である。
本工程は、最終的にオリゴ核酸誘導体（３１）の５’位の水酸基の保護基を脱離する反応であり、固体担体から切り出されたオリゴＲＮＡに酸を作用させることにより実施することができる。
本工程において使用しうる「酸」としては、例えば、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、酢酸を挙げることができる。本工程に使用しうる酸は、適当な溶媒で希釈して使用することもできる。溶媒としては、反応に関与しなければ特に限定されないが、ジクロロメタン、アセトニトリル、水、ｐＨが２〜５の緩衝液又はこれら任意の混合溶媒を挙げることができる。緩衝液としては、例えば、酢酸緩衝液を挙げることができる。上記反応における反応温度は、２０℃〜５０℃が好ましい。反応時間は、オリゴ核酸誘導体（３１）の種類、使用する酸の種類、反応温度等によって異なるが、通常１分〜１時間が適当である。使用する試薬の量は固相担体に担持されているオリゴ核酸誘導体に対して０．８〜１００倍モル量が適当であり、好ましくは１〜１０倍モル量である。

（７）工程Ｈ：
工程Ｇにおいて製造されるオリゴＲＮＡ（Ｂ）を分離精製する工程。
「分離精製工程」とは、上記反応混合物から通常の分離精製手段、例えば、抽出、濃縮、中和、濾過、遠心分離、再結晶、Ｃ_８からＣ_１８の逆相カラムクロマトグラフィー、Ｃ_８からＣ_１８逆相カートリッジカラム、陽イオン交換カラムクロマトグラフィー、陰イオン交換カラムクロマトグラフィー、ゲルろ過カラムクロマトグラフィー、高速液体クロマトグラフィー、透析、限界ろ過などの手段を単独若しくは組み合わせて用いることにより、所望のオリゴＲＮＡ（Ｂ）を単離精製する工程である。
「溶出溶媒」としては、例えば、アセトニトリル、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、水の単独溶媒もしくは任意の比率の混合溶媒を挙げることができる。この場合添加物として、例えば、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、酢酸アンモニウム、酢酸トリエチルアンモニウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、トリス塩酸、エチレンジアミン四酢酸を１ｍＭ〜２Ｍの濃度で添加し、溶液のｐＨを１〜９の範囲で調整することもできる。

工程Ａ〜工程Ｄの操作を繰り返すことにより、所望の鎖長のオリゴＲＮＡ（Ｂ）を製造することができる。なお、本製法においてオリゴＲＮＡ（Ｂ）を製造するための出発原料として、Ｒ^４ａが置換基（２０）である核酸誘導体（２３ａ）、Ｒ^４ａがＨ若しくはアシルオキシである核酸誘導体（２３ａ）、又はＲ^２がアシルである核酸誘導体（２３ｂ）等を使用することができる。但し、出発原料として、Ｒ^４ａがＨ若しくはアシルオキシである核酸誘導体（２３ａ）、又はＲ^２がアシルである核酸誘導体（２３ｂ）を使用した場合、核酸モノマー化合物として、少なくとも１つは本発明ホスホロアミダイト化合物を使用する必要がある。
また、本製法において、工程Ｅの操作を行う前に工程Ｆの操作を行い、その後工程Ｅの操作を行い、次いで工程Ｇの操作を行うことによりオリゴＲＮＡ（Ｂ）を単離精製することもできる。

以下に実施例を揚げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらのみに限定されない。

参考例１ クロロメチル ２−シアノエチルエーテル
工程１ メチルチオメチル ２−シアノエチルエーテルの製造
３−ヒドロキシプロピオニトリル３２ｇ（４５０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド４５０ｍｌに溶解し、無水酢酸３２４ｍＬ、酢酸２３１ｍＬを加え室温で２４時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム９９０ｇを水４．５Ｌに溶解したものを調製し、これに反応液を一時間かけて滴下した。そのまま一時間攪拌し、反応液を酢酸エチルにて抽出し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去し得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、無色油状物のメチルチオメチル ２−シアノエチルエーテルを４１ｇ得た（収率７０％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ２．１８（ｓ，３Ｈ）；２．６６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）；３．７７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）；４．６９（ｓ，２Ｈ）

工程２ クロロメチル ２−シアノエチルエーテルの製造
工程１で得られたメチルチオメチル ２−シアノエチルエーテル３．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）を７０ｍＬの塩化メチレンに溶解させ、氷冷下２ｍＬ（２５ｍｍｏｌ）の塩化スルフリルを滴下し、さらに室温にて一時間反応させた。反応後、溶媒を留去し真空中にて蒸留し、目的化合物を無色油状物として２．５ｇ得た（収率８５％）。

沸点：８４−８５℃（０．３Ｔｏｒｒ）

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ２．７２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）；３．９２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）；５．５２（ｓ，２Ｈ）

参考例２ ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）
工程１ ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジンの製造
５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）ウリジン５４６ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を１，２−ジクロロエタン４ｍＬに溶解し、ジイソプロピルエチルアミン４５２ｍｇ（３．５ｍｍｏｌ）を加え、ついで３６５ｍｇ（１．２ｍｍｏｌ）の二塩化ジブチルスズを加えた後、室温で一時間反応した。その後８０℃にしクロロメチル ２−シアノエチルエーテル１５５．４ｍｇ（１．３ｍｍｏｌ）を滴下、そのまま３０分間攪拌した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に反応液を加え塩化メチレンにて抽出を行い無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物を３０ｇのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジンを得た（１９７ｍｇ；収率３４％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ２．４７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）；２．６９（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）；３．５５（ｄｄ，１Ｈ，１１．３，２．２Ｈｚ）；３．６２（ｄｄ，１Ｈ，１１．３，２．２Ｈｚ）；３．８３（ｓ，６Ｈ）；３．８７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）；４．０７−４．０８（ｍ，１Ｈ）；４．３２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．３，１．９Ｈｚ）；４．５４（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝５．３Ｈｚ）；４．９４，５．１１（２ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；５．３２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）；６．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．９Ｈｚ）；６．８５−６．８８（ｍ，４Ｈ）；７．２９−７．４１（ｍ，９Ｈ）；８．０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）；８．５３（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：６５２［Ｍ＋Ｎａ］^＋

工程２ ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）の製造
工程１で得られた５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジン２０９ｍｇ（０．３３２ｍｍｏｌ）、テトラゾール２３ｍｇ（０．３３２ｍｍｏｌ）をアセトニトリル２ｍＬに溶解し１５０ｍｇの（０．４９８ｍｍｏｌ）の２−シアノエチル Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトライソプロピルホスホロジアミダイトを滴下し、４５℃で１．５時間反応させた。反応後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え酢酸エチルにて抽出し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去し得られた混合物を２０ｇのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（２００ｍｇ；収率７３％）。

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：８５２［Ｍ＋Ｎａ］^＋

参考例３ ２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジン
工程１ ３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジンの製造
３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）ウリジン１５０ｍｇ（０．３ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下ＴＨＦ７ｍＬに溶解し、メチルチオメチル ２−シアノエチルエーテル５４ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ１００ｍｇを加え、１０分攪拌した。０℃にしトリフルオロメタンスルホン酸１０ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ２ｍＬ溶液を加え攪拌した後、Ｎ−ヨードスクシンイミド９２ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）を加え、１時間攪拌した。反応液をセライトろ過し、塩化メチレンにて洗浄した後、有機相を１Ｍのチオ硫酸水素ナトリウム水溶液にて洗浄、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液にて洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去した。得られた残渣を薄層クロマトグラフィーにて精製し、３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジンを得た（１５０ｍｇ；収率８５％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ０．９７−１．１２（ｍ，２８Ｈ）；２．６８−２．７３（ｍ，２Ｈ）；３．７８−３．８６（ｍ，１Ｈ）；３．９６−４．０５（ｍ，２Ｈ）；４．１２−４．３０（ｍ，４Ｈ）；５．０−５．０４（ｍ，２Ｈ）；５．７０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）；５．７５（ｓ，１Ｈ）；７．９０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）；９．６２（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：５７０［Ｍ＋Ｈ］^＋

工程２ ２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジンの製造
工程１で得られた３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジン２００ｍｇ（０．３５ｍｍｏｌ）をメタノール２ｍＬに溶解し、フッ化アンモニウム６５ｍｇ（１．７６ｍｍｏｌ）を加え５０℃にて５時間加熱攪拌した。放冷後アセトニトリルを加え攪拌し、ろ過濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（１０８ｍｇ；収率９４％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_３ＯＤ）： ２．７２−２．７６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．２Ｈｚ）；３．６８−３．９２（ｍ，４Ｈ）；４．００−４．０３（ｍ，１Ｈ）；４．２６−４．３２（ｍ，２Ｈ）；４．８１−４．９５（ｍ，２Ｈ）；５．７１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．１Ｈｚ）；６．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．３Ｈｚ）；８．１０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．１Ｈｚ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：３５０［Ｍ＋Ｎａ］^＋

参考例４ ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジンの製造
２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジン１４ｇ（４３ｍｍｏｌ）をピリジンで共沸し真空ポンプで３０分乾燥した。ＴＨＦ３００ｍＬに溶解し、アルゴン雰囲気下ピリジン６８ｇ（８５６ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ２０ｇを加え１０分攪拌した。これに４，４’−ジメトキシトリチルクロライド１９．６ｇ（５７．８ｍｍｏｌ）を３回に分けて１時間ごとに加え、さらに１時間攪拌した。メタノール１０ｍＬを加え２分攪拌した後、セライトろ過し酢酸エチルにて洗浄した。ろ液を濃縮後、残渣を酢酸エチルに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と分液した。有機相を飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄、無水硫酸マグネシウムにて乾燥後溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（２６．５ｇ；収率９８％）。

参考例５ Ｎ ^４ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）
工程１ Ｎ ^４ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジンの製造
Ｎ^４−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）シチジン５８８ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を１，２−ジクロロエタン４ｍＬに溶解し、ジイソプロピルエチルアミン４５２ｍｇ（３．５ｍｍｏｌ）を加え、ついで３６５ｍｇ（１．２ｍｍｏｌ）の二塩化ジブチルスズを加えた後、室温で一時間反応した。その後８０℃にしクロロメチル ２−シアノエチルエーテル１５５．４ｍｇ（１．３ｍｍｏｌ）を滴下、そのまま６０分間攪拌した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に反応液を加え塩化メチレンにて抽出を行い無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物を３０ｇのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ^４−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジンを得た（２１９ｍｇ；収率３５％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ２．１９（ｓ，３Ｈ）；２．５６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）；２．６５（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．２Ｈｚ）；３．５５（ｄｄ，１Ｈ，１０．５，２．５Ｈｚ）；３．６３（ｄｄ，１Ｈ，１０．５，２．５Ｈｚ）；３．８２（ｓ，６Ｈ）；３．８６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．２Ｈｚ）；４．０９−４．１４（ｍ，１Ｈ）；４．２８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）；４．４４−４．４９（ｍ，１Ｈ）；４．９７，５．２４（２ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；５．９６（ｓ，１Ｈ）；６．８６−６．８８（ｍ，４Ｈ）；７．０９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；７．２６−７．４２（ｍ，９Ｈ）；８．４８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；８．５９（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：６９３［Ｍ＋Ｎａ］^＋

工程２ Ｎ ^４ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）の製造
工程１で得られたＮ^４−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル） シチジン２０５ｍｇ（０．３０６ｍｍｏｌ）を塩化メチレン２ｍＬに溶解し、ジイソプロピルエチルアミン１０５ｍｇ（０．８１２ｍｍｏｌ）を加え２−シアノエチルＮ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホロアミダイト１１６ｍｇ（０．４９ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１時間反応させた。反応後、溶媒を留去し得られた混合物を２０ｇのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（２４２ｍｇ；収率９１％）。

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：８７１［Ｍ＋Ｈ］^＋

参考例６ Ｎ ^４ −アセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジン
工程１ Ｎ ^４ −アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジンの製造
Ｎ^４−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）シチジン１．００ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）とメチルチオメチル ２−シアノエチルエーテル５００ｍｇ（３．７９ｍｍｏｌ）を混合し、トルエン１０ｍＬとＴＨＦ１０ｍＬの混合溶媒に溶解した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸銀９７５ｍｇ（３．７９ｍｍｏｌ）を加え、モレキュラーシーブス４Ａを加え、乾燥した。氷冷下、Ｎ−ブロモスクシンイミド３７０ｍｇ（２．０８ｍｍｏｌ）を加え、反応容器を遮光し、１０分間撹拌した。さらにＮ−ブロモスクシンイミド７０ｍｇ（０．３９ｍｍｏｌ）を追加し、２５分間撹拌した。反応終了後、塩化メチレンを加えて希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液にて洗浄を行い、無水硫酸ナトリウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ^４−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジンを得た。（９３６ｍｇ；収率８１％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ０．９０−１．１１（ｍ，２８Ｈ）；２．２８（ｓ，３Ｈ）；２．６２−２．７９（ｍ，２Ｈ）；３．７８−３．８９（ｍ，１Ｈ）；３．９６−４．０４（ｍ，２Ｈ）；４．１９−４．２３（ｍ，３Ｈ）；４．３０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１３．６Ｈｚ）；５．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）；５．０９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）；５．７７（ｓ，１Ｈ）；７．４４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）；８．３０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）；１０．１３（ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：６１１［Ｍ＋Ｈ］^＋

工程２ Ｎ ^４ −アセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジンの製造
工程１で得られたＮ^４−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジン５００ｍｇ（０．８１９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２．５ｍＬとメタノール２．５ｍＬの混合溶媒に溶解し、フッ化アンモニウム１５０ｍｇ（４．１０ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で４時間反応させた。反応終了後、アセトニトリルにて希釈、濾過し、溶媒を留去し得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（２１０ｍｇ；収率７０％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ_２Ｏ）： ２．１３（ｓ，３Ｈ）；２．６６−２．７１（ｍ，２Ｈ）；３．７２−３．７８（ｍ，３Ｈ）；３．９０（ｄｄ，１Ｈ，１３．０，２．６Ｈｚ）；４．０６−４．１１（ｍ，１Ｈ）；４．２０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．１，５．２Ｈｚ）；４．２９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．１，２．９Ｈｚ）；４．８３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）；４．９４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）；５．９５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．９Ｈｚ）；７．２５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）；８．２５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：３９１［Ｍ＋Ｎａ］^＋

参考例７ Ｎ ^４ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジンの製造
２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジン９．９ｇ（２６．８ｍｍｏｌ）をピリジンで共沸し真空ポンプで３０分乾燥した。ＴＨＦ１９０ｍＬに溶解し、アルゴン雰囲気下ピリジン４３ｇ（５３８ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ２０ｇを加え１０分攪拌した。これに４，４’−ジメトキシトリチルクロライド１１．８ｇ（３４．９ｍｍｏｌ）を３回に分けて１時間ごとに加え、さらに１時間攪拌した。メタノール２ｍＬを加え２分攪拌した後、セライトろ過し酢酸エチルにて洗浄した。ろ液をエバポレーターで濃縮後残渣を酢酸エチルに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と分液した。有機相を飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄、無水硫酸マグネシウムにて乾燥後溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（１５ｇ；収率８３％）。

参考例８ Ｎ ^２ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）
工程１ Ｎ ^２ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシンの製造
Ｎ^２−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）グアノシン６２７ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を１，２−ジクロロエタン４ｍＬに溶解し、ジイソプロピルエチルアミン４５２ｍｇ（３．５ｍｍｏｌ）を加え、ついで３６５ｍｇ（１．２ｍｍｏｌ）の二塩化ジブチルスズを加えた後、室温で一時間反応した。その後８０℃にしクロロメチル ２−シアノエチルエーテル１５５．４ｍｇ（１．３ｍｍｏｌ）を滴下、そのまま６０分間攪拌した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に反応液を加え塩化メチレンにて抽出を行い無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物を３０ｇのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ^２−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシンを得た（４５０ｍｇ；収率６３％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： １．９２（ｓ，３Ｈ）；２．４７−２．５１（ｍ，２Ｈ）；２．６８（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）；３．３０（ｄｄ，１Ｈ，１０．７，３．８Ｈｚ）；３．４７（ｄｄ，１Ｈ，１０．７，３．８Ｈｚ）；３．５５−３．６０（ｍ，１Ｈ）；３．６５−３．７０（ｍ，１Ｈ）；３．７４，３．７５（２ｓ，６Ｈ）；４．２２−４．２３（ｍ，１Ｈ）；４．５５−４．５８（ｍ，１Ｈ）；４．７８，４．８３（２ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）；５．０１（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）；５．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）；６．７６−６．７９（ｍ，４Ｈ）；７．１７−７．４４（ｍ，９Ｈ）；７．８８（ｓ，１Ｈ）；８．３６（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）；１２．０６（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）

工程２ Ｎ ^２ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）の製造
工程１で得られたＮ^２−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン４００ｍｇ（０．５６３ｍｍｏｌ）を塩化メチレン２ｍＬに溶解し、ジイソプロピルエチルアミン１８１ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）を加え２−シアノエチルＮ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホロアミダイト１６１ｍｇ（０．６８ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１時間反応させた。反応後、溶媒を留去し得られた混合物を２０ｇのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（４７１ｍｇ；収率９２％）。

参考例９ Ｎ ^６ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）
工程１ Ｎ ^６ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシンの製造
Ｎ^６−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）アデノシン２２．０ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）を１，２−ジクロロエタン１７０ｍＬに溶解し、ジイソプロピルエチルアミン１６．３ｇ（１２６ｍｍｏｌ）を加え、ついで１２．１ｇ（３９．７ｍｍｏｌ）の二塩化ジブチルスズを加えた後、室温で一時間反応した。その後８０℃にし１５分間撹拌後、クロロメチル ２−シアノエチルエーテル４．３０ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）を滴下、そのまま３０分間撹拌した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に反応液を加え塩化メチレンにて抽出を行い無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ^６−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシンを得た。（７．４７ｇ；収率３３％）

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ２．５１（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．２Ｈｚ）；２．５８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．５Ｈｚ）；２．６１（ｓ，３Ｈ）；３．４５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．７，４．０Ｈｚ）；３．５４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．７，３．２Ｈｚ）；３．６２−３．７９（ｍ，２Ｈ）；３．７９（ｓ，６Ｈ）；４．２５（ｂｒ．ｑ，１Ｈ，Ｊ〜４．６Ｈｚ）；４．５９（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝５．２Ｈｚ）；４．８７−４．９４（ｍ，３Ｈ）；６．２３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．４Ｈｚ）；６．８０−６．８３（ｍ，４Ｈ）；７．２２−７．３２（ｍ，７Ｈ）；７．４０−７．４３（ｍ，２Ｈ）；８．２０（ｓ，１Ｈ）；８．６１（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）；８．６２（ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：６９５［Ｍ＋Ｈ］^＋

工程２ Ｎ ^６ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）の製造
工程１で得られたＮ^６−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシン１０．０ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）を塩化メチレン７５ｍＬに溶解し、ジイソプロピルエチルアミン４．７ｇ（３６ｍｍｏｌ）を加え２−シアノエチルＮ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホロアミダイト４．８２ｇ（２０．３ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１時間反応させた。反応後、溶媒を３０ｍＬ程度残して留去し得られた反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（１２．０ｇ；収率９３％）。

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：８９５［Ｍ＋Ｈ］^＋

参考例１０ Ｎ ^６ −アセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシン
工程１ Ｎ ^６ −アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシンの製造
Ｎ−ヨードスクシンイミド２４５ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ）とトリフルオロメタンスルホン酸銀２８０ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ）を塩化メチレン８ｍＬに懸濁させ、モレキュラーシーブス４Ａを加え、乾燥した。ここに、Ｎ^６−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）アデノシン４００ｍｇ（０．７３ｍｍｏｌ）とメチルチオメチル ２−シアノエチルエーテル１４５ｍｇ（１．１１ｍｍｏｌ）を塩化メチレン４ｍＬに溶解し、氷冷下で加えた。そのまま３時間撹拌した。反応終了後、塩化メチレンを加えて希釈し、チオ硫酸ナトリウム水溶液と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液にて洗浄を行い、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ^６−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシンを得た。（２０１ｍｇ；収率４５％）

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ０．９８−１．１１（ｍ，２８Ｈ）；２．６２（ｓ，３Ｈ）；２．６９（ｔｄ，２Ｈ，６．５，Ｊ＝１．５Ｈｚ）；３．８１−３．８９（ｍ，１Ｈ）；４．０２−４．０９（ｍ，２Ｈ）；４．１７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．４Ｈｚ）；４．２８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１３．４Ｈｚ）；４．５０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．５Ｈｚ）；４．６７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８，４．５Ｈｚ）；５．０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）；５．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）；６．１０（ｓ，１Ｈ）；８．３４（ｓ，１Ｈ）；８．６６（ｓ，１Ｈ）；８．６７（ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：６３６［Ｍ＋Ｈ］^＋

工程２ Ｎ ^６ −アセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシンの製造
工程１で得られたＮ^６−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシン３００ｍｇ（０．４７ｍｍｏｌ）を、酢酸０．１ｍＬと０．５ＭＴＢＡＦのＴＨＦ溶液２ｍＬの混合溶液に溶解し、室温で２時間撹拌した。反応終了後、得られた反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た。（１６０ｍｇ；収率８６％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）： ２．２５（ｓ，３Ｈ）；２．５３−２．６８（ｍ，２Ｈ）；３．４１−３．４６（ｍ，１Ｈ）；３．５６−３．６４（ｍ，２Ｈ）；３．６９−３．７３（ｍ，１Ｈ）；４．００−４．０１（ｍ，１Ｈ）；４．３６−４．３７（ｍ，１Ｈ）；４．７２−４．７８（ｍ，３Ｈ）；５．２０（ｂｔ，２Ｈ）；５．４１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．２Ｈｚ）；６．１７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．７Ｈｚ）；８．６６（ｓ，１Ｈ）；８．７２（ｓ，１Ｈ）；１０．７２（ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：４１５［Ｍ＋Ｎａ］^＋

参考例１１ Ｎ ^６ −アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシンの製造
Ｎ^６−アセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシン９．５０ｇ（２４．２ｍｍｏｌ）を脱水ピリジン１００ｍＬに溶解し、濃縮して乾燥した後、アルゴン雰囲気下、脱水ピリジン１００ｍＬに溶解した。氷冷下、４，４’−ジメトキシトリチルクロリド１０．７ｇ（３１．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間２０分反応した。反応終了後、塩化メチレンにて希釈し、水にて洗浄を行い無水硫酸ナトリウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た。（１３．８ｇ；収率８２％）

参考例１２ Ｎ ^２ −フェノキシアセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）
工程１ Ｎ ^２ −フェノキシアセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシンの製造
Ｎ^２−フェノキシアセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）グアノシン７２０ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を１，２−ジクロロエタン４ｍＬに溶解し、ジイソプロピルエチルアミン４５２ｍｇ（３．５ｍｍｏｌ）を加え、ついで３６５ｍｇ（１．２ｍｍｏｌ）の二塩化ジブチルスズを加えた後、室温で一時間反応した。その後８０℃にしクロロメチル ２−シアノエチルエーテル１５５．４ｍｇ（１．３ｍｍｏｌ）を滴下、そのまま６０分間攪拌した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に反応液を加え塩化メチレンにて抽出を行い無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物を３０ｇのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ^２−フェノキシアセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシンを得た（３８４ｍｇ；収率４８％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ２．４７−２．５１（ｍ，２Ｈ）；２．５８（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）；３．４２（ｄｄ，１Ｈ，１０．１，３．８Ｈｚ）；３．４６（ｄｄ，１Ｈ，１０．１，３．８Ｈｚ）；３．５３−３．５７（ｍ，１Ｈ）；３．６９−３．７３（ｍ，１Ｈ）；３．７７（ｓ，６Ｈ）；４．２４−４．２６（ｍ，１Ｈ）；４．４８−４．５０（ｍ，１Ｈ）；４．６１−４．６５（ｍ，２Ｈ）；４．８３，４．８７（２ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）；４．８８（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝５．７Ｈｚ）；６．０５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．７Ｈｚ）；６．８０−６．８２（ｍ，４Ｈ）；６．９２−６．９６（ｍ，３Ｈ）；７．０７−７．１１（ｍ，２Ｈ）；７．２０−７．４２（ｍ，９Ｈ）；７．８４（ｓ，１Ｈ）；８．９９（ｓ，１Ｈ）；１１．８１（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：８２５［Ｍ＋Ｎａ］^＋

工程２ Ｎ ^２ −フェノキシアセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイトの製造
工程１で得られたＮ^２−フェノキシアセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン３２０ｍｇ（０．３９９ｍｍｏｌ）を塩化メチレン４ｍＬに溶解し、ジイソプロピルエチルアミン１２８．８ｍｇ（０．９９６ｍｍｏｌ）を加え２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホロアミダイト１４１．５ｍｇ（０．５９８ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１時間反応させた。反応後、溶媒を留去し得られた混合物を３０ｇのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（３１６ｍｇ；収率７９％）。

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：１００３［Ｍ＋Ｈ］^＋

参考例１３ Ｎ ^２ −フェノキシアセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン
工程１ Ｎ ^２ −フェノキシアセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシンの製造
Ｎ^２−フェノキシアセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）グアノシン２．０ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１６ｍＬに溶解し、メチルチオメチル ２−シアノエチルエーテル０．９９ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ１．０ｇを加え、アルゴン雰囲気下−４５℃で１０分攪拌した。トリフルオロメタンスルホン酸０．６８ｇ（４．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５ｍＬ溶液を加え攪拌した後、Ｎ−ヨードスクシンイミド１．０２ｇ（４．５ｍｍｏｌ）を加え、１５分攪拌した。反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、ろ過後酢酸エチルにて抽出、有機相を１Ｍのチオ硫酸水素ナトリウム水溶液にて洗浄、水、次いで飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ^２−フェノキシアセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシンを得た（２．０ｇ；収率８９％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ０．９９−１．１１（ｍ，２８Ｈ）；２．５９−２．７７（ｍ，２Ｈ）；３．８２−４．０５（ｍ，３Ｈ）；４．１５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．３Ｈｚ）；４．２５−４．３５（ｍ，２Ｈ）；４．５２−４．５６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．３，４．３Ｈｚ）；５．００，５．０７（２ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）；５．９５（ｓ，１Ｈ）６．９９−７．１２（ｍ，３Ｈ）；７．３５−７．４０（ｍ，２Ｈ）；８．０９（ｓ，１Ｈ）；９．３８（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）；１１．８５（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：７６６［Ｍ＋Ｎａ］^＋

工程２ Ｎ ^２ −フェノキシアセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシンの製造
１ＭＴＢＡＦ／ＴＨＦ溶液２．８３ｍＬ（２．８３ｍｍｏｌ）に酢酸０．１４ｍＬ（０．１４ｍｍｏｌ）を加えた溶液を調整する。工程１で得られたＮ^２−フェノキシアセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン１．０ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２．８３ｍＬに溶解し、上で調整した溶液を加えアルゴン雰囲気下室温で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮後、塩化メチレンに溶解しシリカゲルクロマトグラフィーにのせ精製し、目的化合物を得た。（０．６７ｇ；収率９９％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）： ２．５９−２．６６（ｍ，２Ｈ）；３．４１−３．６３（ｍ，４Ｈ）；３．９８（ｍ，１Ｈ）；４．３２（ｍ，１Ｈ）；４．５８−４．６２（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝５．３Ｈｚ）；４．７１−４．７８（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１３．１，６．８Ｈｚ）；４．８７（ｓ，２Ｈ）；５．１２（ｓ，１Ｈ）５．３７（ｓ，１Ｈ）；５．９７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．１Ｈｚ）６．９６−６．９９（ｍ，３Ｈ）；７．２８−７．３４（ｍ，２Ｈ）；８．３０（ｓ，１Ｈ）；１１．７８（ｂｒ．ｓ，２Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：５００［Ｍ−Ｈ］⁻

参考例１４ Ｎ ^２ −フェノキシアセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシンの製造
Ｎ^２−フェノキシアセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン６６０ｍｇ（１．３２ｍｍｏｌ）をピリジンで共沸し真空ポンプで３０分乾燥した。ＴＨＦ９ｍＬに溶解し、アルゴン雰囲気下ピリジン２．１ｇ（２６．４ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ６００ｍｇを加え１０分攪拌した。これに４，４’−ジメトキシトリチルクロライド５４０ｍｇ（１．５８ｍｍｏｌ）を３回に分けて１時間ごとに加え、さらに１時間攪拌した。メタノール２ｍＬを加え２分攪拌した後、セライトろ過し酢酸エチルにて洗浄した。ろ液をエバポレーターで濃縮後残渣を酢酸エチルに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と分液した。有機相を飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄、無水硫酸マグネシウムにて乾燥後溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た（８００ｍｇ；収率７５％）。

参考例１５ Ｎ ^６ −アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシン
工程１ Ｎ ^６ −アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−メチルチオメチルアデノシンの製造
Ｎ^６−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）アデノシン２．００ｇ（３．６２ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド２５ｍＬに溶解し、無水酢酸１７．５ｍＬ、酢酸１２．５ｍＬを加え室温で１４時間撹拌した。反応終了後、水２００ｍＬに反応液を加え、酢酸エチルにて抽出を行い、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液にて洗浄を行い、無水硫酸ナトリウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ^６−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−メチルチオメチルアデノシンを得た。（１．３６ｇ；収率６１％）

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： ０．９６−１．１１（ｍ，２８Ｈ）；２．２０（ｓ，３Ｈ）；２．６１（ｓ，３Ｈ）；４．０３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１３．４，２．４Ｈｚ）；４．１８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．１Ｈｚ）；４．２７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１３．４Ｈｚ）；４．６３−４．７１（ｍ，２Ｈ）；５．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１１．５Ｈｚ）；５．０７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１１．５Ｈｚ）；６．０９（ｓ，１Ｈ）；８．３１（ｓ，１Ｈ）；８．６５（ｓ，１Ｈ）；８．６９（ｓ，１Ｈ）

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：６３５［Ｍ＋Ｎａ］^＋

工程２ Ｎ ^６ −アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシンの製造
工程１で得られたＮ^６−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−メチルチオメチルアデノシン１．００ｇ（１．６３ｍｍｏｌ）を、ＴＨＦ２５ｍＬに溶解した。３−ヒドロキシプロピオニトリル５．８８ｇ（８２．７ｍｍｏｌ）を加え、モレキュラーシーブス４Ａを加えて乾燥し、−４５℃に冷却した。Ｎ−ヨードスクシンイミド４４０ｍｇ（１．９６ｍｍｏｌ）を加え、ついでトリフルオロメタンスルホン酸４９０ｍｇ（３．２６ｍｍｏｌ）を加えた後、−４５℃で１５分間撹拌した。反応終了後、冷却したままトリエチルアミンを加えて中和し、塩化メチレンにて希釈、チオ硫酸ナトリウム水溶液と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液にて洗浄を行い、無水硫酸ナトリウムにて乾燥、溶媒留去し、得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物を得た。（７２２ｍｇ；収率７１％）。

参考例１６ シチジリル−〔３’→５’〕−ウリジリル−〔３’→５’〕−ウリジリル−〔３’→５’〕−アデニリル−〔３’→５’〕−シチジリル−〔３’→５’〕−グアニリル−〔３’→５’〕−シチジリル−〔３’→５’〕−ウリジリル−〔３’→５’〕−グアニリル−〔３’→５’〕−アデニリル−〔３’→５’〕−グアニリル−〔３’→５’〕−ウリジリル−〔３’→５’〕−アデニリル−〔３’→５’〕−シチジリル−〔３’→５’〕−ウリジリル−〔３’→５’〕−ウリジリル−〔３’→５’〕−シチジリル−〔３’→５’〕−グアニリル−〔３’→５’〕−アデニリル−〔３’→５’〕−ウリジンの製造
市販の２’／３’−Ｏ−ベンゾイル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）ウリジンを担持したＣＰＧ固相担体（３７ｍｇ，１μｍｏｌ）をグラスフィルター付きカラムに入れ、核酸自動合成機（Ｅｘｐｅｄｉｔｅ^ＴＭ：アプライドバイオシステムズ社）を使用して、標記化合物のオリゴＲＮＡの合成を行った。
核酸モノマー化合物として、５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）ウリジン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）、Ｎ^４−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）、Ｎ^６−アセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）、Ｎ^２−フェノキシアセチル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン ３’−Ｏ−（２−シアノエチル Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）を、縮合触媒として５−エチルチオテトラゾールを、酸化剤としてヨウ素溶液を、キャッピング溶液としてフェノキシ酢酸無水物とＮ−メチルイミダゾール溶液を使用した。核酸モノマー化合物を１９回縮合させた後、固相上で、５’末端の水酸基の保護基の除去を行った後、切り出し剤として、濃アンモニア水−エタノール混合液（３：１）を用いて、４０℃、４時間かけてＣＰＧ固相担体からの切り出し及び各リン酸部位の保護基の脱離反応及び塩基の保護基の除去を行った。反応混合物を減圧下、濃縮後、１０％の nｎ-−プロピルアミン、０．６％ のビス（２−メルカプトエチル）エーテルを含む１ＭのテトラブチルアンモニウムフルオリドのＴＨＦ溶液を用いて室温１時間反応し、２’位の水酸基の保護基を脱離した。溶液を脱塩処理後、ＤＥＡＥ−イオン交換樹脂（ＴＯＹＯＰＥＡＲＬ ＤＥＡＥ−６５０）にて精製し、高純度の目的化合物を得た（１１２ＯＤ_２６０；収率５８％）。
ここで、目的化合物の収量として、波長２６０ｎｍの紫外線の吸光度（ＯＤ_２６０）を用いた。以下、同様に吸光度（ＯＤ_２６０）を目的化合物の収量とした。

ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ：計算値 ６３０５．９ ［Ｍ＋Ｈ］^＋
実測値 ６３０４．８ ［Ｍ＋Ｈ］^＋

試験例１ Ｎ ^４ −アセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）シチジン
５０ｇ（９５ｍｍｏｌ）のＮ^４−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）シチジンを５００ｍＬ（１４２ｍｍｏｌ）のＴＨＦに溶解し、１８．６４ｇのメチルチオメチル ２−シアノエチルエーテル、４０ｇのモレキュラーシーブス４Ａを加え、アルゴン雰囲気下、−４５℃で３０分攪拌した。２１．４１ｇ（１４２ｍｍｏｌ）のトリフルオロメタンスルホン酸を滴下した後、３１．９７ｇ（１４２ｍｍｏｌ）のＮ−ヨードスクシンイミドを加え、３０分攪拌した。反応液にトリエチルアミン８０ｍｌを加え、ろ過後、酢酸エチルにて抽出、有機層を１Ｍのチオ硫酸水素ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥、溶媒留去した。
得られた残渣を３００ｍＬのＴＨＦに溶解し、１８．３ｇ（１１０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミントリヒドロフロリドを加え４５℃で２時間攪拌した。生じた析出物を吸引ろ過にて回収し、冷却したＴＨＦで洗浄、乾燥し目的化合物を得た。（２７ｇ；収率７８％）。

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：３９１．３［Ｍ＋Ｎａ］^＋

リボースの２’位水酸基が１−（２−シアノエトキシ）エチルで保護され、３’位水酸基と５’水酸基がジシロキシルで保護されているシチジン誘導体において、トリエチルアミントリヒドロフロリドを使用して、３’位水酸基と５’水酸基を保護しているジシロキシルを脱保護すると、シリカゲルカラム精製を行うことなく析出物として目的化合物を得ることができた。

試験例２ Ｎ ^２ −フェノキシアセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシン
４７ｇ（６３ｍｍｏｌ）のＮ^２−フェノキシアセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）グアノシンを２８０ｍＬのアセトニトリルに溶解し、１５．３ｇ（９５ｍｍｏｌ）のトリエチルアミントリヒドロフロリドを加え３５℃で２時間攪拌した。反応液をヘキサン１００ｍｌにて２回抽出し、残ったアセトニトリル層に３０ｍｌの水を加え、室温で５分攪拌した。生じた析出物を吸引ろ過にて回収し、冷却した混媒（水：アセトニトリル＝１：１）で洗浄、乾燥し目的化合物を得た。（２２ｇ；収率６９％）。

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：５００［Ｍ−Ｈ］⁻

リボースの２’位水酸基が１−（２−シアノエトキシ）エチルで保護され、３’位水酸基と５’水酸基がジシロキシルで保護されているグアノシン誘導体において、トリエチルアミントリヒドロフロリドを使用して、３’位水酸基と５’水酸基を保護しているジシロキシルを脱保護すると、シリカゲルカラム精製を行うことなく析出物として目的化合物を得ることができた。

試験例３ Ｎ ^６ −アセチル−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシン
４４ｇ（６９ｍｍｏｌ）のＮ^６−アセチル−３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）アデノシンを、１５０ｍＬのＴＨＦに溶解し、１３.４ｇ（８３ｍｍｏｌ）のトリエチルアミントリヒドロフロリドを５０ｍＬのＴＨＦに溶解したものを調製し、これを加え、４５℃で１時間撹拌した。反応終了後、５０ｍＬのヘキサンを加えて氷冷下で撹拌した。生じた析出物を吸引ろ過にて回収し、目的化合物を得た。（２９ｇ；定量的）。

ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：４１５．４［Ｍ＋Ｎａ］^＋

リボースの２’位水酸基が１−（２−シアノエトキシ）エチルで保護され、３’位水酸基と５’水酸基がジシロキシルで保護されているアデノシン誘導体において、トリエチルアミントリヒドロフロリドを使用して、３’位水酸基と５’水酸基を保護しているジシロキシルを脱保護すると、シリカゲルカラム精製を行うことなく析出物として目的化合物を得ることができた。

本発明によれば、リボ核酸誘導体（１）のリボースの３’位水酸基と５’位水酸基とを保護しているケイ素置換基を脱離する工程において、３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物を作用させることによって、シリカゲルカラムによる精製操作を行うことなく、安価にしかも高純度でリボ核酸誘導体（３）を析出物として獲得することができる。
したがって、本発明によれば、オリゴＲＮＡ（Ｂ）の製造に使用することができるホスホロアミダイト化合物（Ａ）を、安価に製造することが可能である。

Claims (16)

1. 次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体に、次の一般式（２）で表される３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物を作用させ、リボースの３’位水酸基と５’位水酸基とを保護しているケイ素置換基を脱離することを特徴とする、次の一般式（３）で表されるリボ核酸誘導体の製造方法。
   

   

   式（１）、（２）及び（３）中、Ｂｚは、保護基を有していてもよい核酸塩基又はその修飾体を表す。Ｒ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃは、それぞれ同一若しくは異なって、アルキルを表すか、又はＲ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、２環性の飽和アミノ環基を表す。ｘは、１〜３０の範囲内にある数を表す。ＷＧ^１は、電子吸引性基を表す。Ａは、次の一般式（４ａ）又は（４ｂ）で表されるケイ素置換基を表す。
   

   

   式（４ａ）及び（４ｂ）中、Ｒ^６は、アルキルを表す。
2. ｘが２〜１５の範囲内にある数である、請求項１記載のリボ核酸誘導体の製造方法。
3. ３級アミンとフッ化水素酸との塩がトリエチルアミントリヒドロフロリドである、請求項１又は２のいずれかに記載のリボ核酸誘導体の製造方法。
4. ＷＧ^１がシアノである、請求項１〜３のいずれかに記載のリボ核酸誘導体の製造方法。
5. 下記工程を含む、次の一般式（Ａ）で表されるホスホロアミダイト化合物の製造方法。
   

   

   式（Ａ）中、Ｂｚは、保護基を有していてもよい核酸塩基又はその修飾体を表す。Ｒ^１は、次の一般式（５）で表される置換基を表す。
   

   

   式（５）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３は、同一又は異なって、水素又はアルコキシを表す。
   Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂは、同一若しくは異なって、アルキルを表すか、又は、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、５〜６員の飽和アミノ環基を表す。かかる飽和アミノ環基は、窒素原子の他に環構成原子として酸素原子又は硫黄原子を１個有していてもよい。ＷＧ^１、ＷＧ^２は、同一又は異なって、電子吸引性基を表す。
   工程：
   次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体に、次の一般式（２）で表される３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物を作用させリボースの３’位水酸基と５’位水酸基とを保護しているケイ素置換基を脱離することを特徴とする、次の一般式（３）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程。
   

   

   式（１）、（２）及び（３）中、Ｂｚ、ＷＧ^１は、前記と同義である。Ｒ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃは、それぞれ同一若しくは異なって、アルキルを表すか、又はＲ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、２環性の飽和アミノ環基を表す。ｘは、１〜３０の範囲内にある数を表す。Ａは、次の一般式（４ａ）又は（４ｂ）で表されるケイ素置換基を表す。
   

   

   式（４ａ）及び（４ｂ）中、Ｒ^６は、アルキルを表す。
6. ｘが２〜１５の範囲内にある数である、請求項５記載のホスホロアミダイト化合物の製造方法。
7. ３級アミンとフッ化水素酸との塩がトリエチルアミントリヒドロフロリドである、請求項５又は６のいずれかに記載のホスホロアミダイト化合物の製造方法。
8. ＷＧ^１がシアノである、請求項５〜７のいずれかに記載のホスホロアミダイト化合物の製造方法。
9. 下記工程ａ〜ｆを含む、次の一般式（Ａ）で表されるホスホロアミダイト化合物の製造方法。
   

   

   式（Ａ）中、Ｂｚは、保護基を有していてもよい核酸塩基又はその修飾体を表す。Ｒ^１は、次の一般式（５）で表される置換基を表す。
   

   

   式（５）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３は、同一又は異なって、水素又はアルコキシを表す。
   Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂは、同一若しくは異なって、アルキルを表すか、又は、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、５〜６員の飽和アミノ環基を表す。かかる飽和アミノ環基は、窒素原子の他に環構成原子として酸素原子又は硫黄原子を１個有していてもよい。ＷＧ^１、ＷＧ^２は、同一又は異なって、電子吸引性基を表す。
   
   工程ａ：
   次の一般式（６）で表されるリボ核酸誘導体にアルキル化試薬を作用させることによって、中性条件下において脱離するエーテル型保護基を２’位の水酸基に導入した、次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程、
   

   

   式（１）及び（６）中、Ｂｚ、ＷＧ^１は、前記と同義である。Ａは、次の一般式（４ａ）又は（４ｂ）で表されるケイ素置換基を表す。
   

   

   式（４ａ）及び（４ｂ）中、Ｒ^６は、アルキルを表す。
   工程ｂ：
   工程ａとは別に、リボ核酸誘導体（６）にジメチルスルホキシドと酢酸と無水酢酸とを作用させることによって、次の一般式（７）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程、
   

   

   式（６）及び（７）中、Ａ、Ｂｚは、前記と同義である。
   工程ｃ：
   工程ｂにおいて製造されるリボ核酸誘導体（７）に次の一般式（８）で表されるアルコール化合物と酸と硫黄原子に対するハロゲン化剤とを作用させることによって、中性条件下において脱離するエーテル型保護基を２’位の水酸基に導入した、次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程、
   

   

   式（１）、（７）及び（８）中、Ａ、Ｂｚ、ＷＧ^１は、前記と同義である。
   工程ｄ：
   工程ａ又はｃにおいて製造される次の一般式（１）で表されるリボ核酸誘導体に、次の一般式（２）で表される３級アミンとフッ化水素酸との塩、又は３級アミンとフッ化水素酸との混合物を作用させリボースの３’位水酸基と５’位水酸基とを保護しているケイ素置換基を脱離することを特徴とする、次の一般式（３）で表されるリボ核酸誘導体を製造する工程、
   

   

   式（１）、（２）及び（３）中、Ａ、Ｂｚ、ＷＧ^１は、前記と同義である。Ｒ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃは、それぞれ同一若しくは異なって、アルキルを表すか、又はＲ^７ａ、Ｒ^７ｂ、Ｒ^７ｃが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、２環性の飽和アミノ環基を表す。ｘは、１〜３０の範囲内にある数を表す。
   工程ｅ：
   工程ｄにおいて製造されるリボ核酸誘導体（３）の５’位の水酸基に酸性条件下において脱離する保護基（Ｒ^１）を導入する、リボ核酸誘導体（１０）を製造する工程、
   

   

   式（３）、（９）及び（１０）中、Ｂｚ、Ｒ^１、ＷＧ^１は、前記と同義である。Ｘ^３は、ハロゲンを表す。
   工程ｆ：
   工程ｅにおいて製造されるリボ核酸誘導体（１０）にホスホロアミダイト化試薬と、必要に応じて活性化剤とを作用させることによって、３’位の水酸基がホスホロアミダイト化された、次の一般式（Ａ）で表されるホスホロアミダイト化合物を製造する工程。
   

   

   式（１０）及び（Ａ）中、Ｂｚ、Ｒ^１、ＷＧ^１は、前記と同義である。Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂは、同一若しくは異なって、アルキルを表すか、又は、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、５〜６員の飽和アミノ環基を表す。かかる飽和アミノ環基は、窒素原子の他に環構成原子として酸素原子又は硫黄原子を１個有していてもよい。ＷＧ^２は、電子吸引性基を表す。
10. アルキル化試薬が、次の一般式（１１）で表されるエーテル化合物である、請求項９記載のホスホロアミダイト化合物の製造方法。
    

    

    式（１１）中、Ｌは、ハロゲン、アリールチオ基、アルキルスルホキシド基又はアルキルチオ基を示し、ＷＧ^１は、電子吸引性基を表す。
11. ｘが２〜１５の範囲内にある数である、請求項９又は１０のいずれかに記載のホスホロアミダイト化合物の製造方法。
12. ３級アミンとフッ化水素酸との塩がトリエチルアミントリヒドロフロリドである、請求項９〜１１のいずれかに記載のホスホロアミダイト化合物の製造方法。
13. ＷＧ^１がシアノである、請求項９〜１２のいずれかに記載のホスホロアミダイト化合物の製造方法。
14. ホスホロアミダイト化試薬が、次の一般式（１２ａ）又は（１２ｂ）で表される化合物である、請求項９〜１３のいずれかに記載のホスホロアミダイト化合物の製造方法。
    

    

    式（１２ａ）及び（１２ｂ）中、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂは、同一若しくは異なって、アルキルを表すか、又は、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、５〜６員の飽和アミノ環基を表す。かかる飽和アミノ環基は、窒素原子の他に環構成原子として酸素原子又は硫黄原子を１個有していてもよい。ＷＧ^２は、電子吸引性基を表す。Ｘ^１は、ハロゲンを表す。
15. 工程ｆにおいて使用する活性化剤が、１Ｈ−テトラゾール、５−エチルチオテトラゾール、５−ベンジルメルカプト−１Ｈ−テトラゾール、４，５−ジクロロイミダゾール、４，５−ジシアノイミダゾール、ベンゾトリアゾールトリフラート、イミダゾールトリフラート、ピリジニウムトリフラート、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン又は２，４，６−コリジン／Ｎ−メチルイミダゾールである、請求項９〜１４のいずれかに記載のホスホロアミダイト化合物の製造方法。
16. 請求項５〜１５のいずれかに記載の製造方法において製造されるホスホロアミダイト化合物を使用することを特徴とする、次の一般式（Ｂ）で表されるオリゴＲＮＡの製造方法。
    

    

    式（Ｂ）中、各Ｂは、それぞれ独立して、核酸塩基又はその修飾体を表す。各Ｑは、それぞれ独立して、Ｏ又はＳを表す。各Ｒは、それぞれ独立して、Ｈ、水酸基、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルケニルオキシ、アルケニルチオ、アルケニルアミノ、ジアルケニルアミノ、アルキニルオキシ、アルキニルチオ、アルキニルアミノ、ジアルキニルアミノ又はアルコキシアルキルオキシを表すが、少なくとも１つは水酸基を表す。Ｚは、Ｈ、リン酸基又はチオリン酸基を表す。ｎは、１〜２００の範囲内にある整数を表す。